【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する分極率の高い強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を有し、前記強誘電体膜は、第１の強誘電体膜と第２の強誘電体膜とを有しており、前記第１の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料により形成されており、前記第２の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料にＲｕがドープされているものにより形成されており、前記第２の強誘電体膜において、前記Ｒｕは前記第２の強誘電体膜におけるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉのいずれかと置換しているものであることを特徴とする記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】リファレンスセルの抵抗状態に応じて、読み出し電流を設定する構成で、誤書き込みによる抵抗の変化が発生することなく、より信頼性の高いリファレンス電流を得ることが可能な抵抗変化型メモリデバイスおよびその駆動方法を提供する。
【解決手段】素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に記憶素子の抵抗値が変化するメインメモリセルを含むメモリアレイ部と、素子両端に極性の異なる信号を印加することで可逆的に抵抗値が変化する記憶素子を含み、メインメモリセルのデータを識別するために必要な参照電流を発生させるリファレンスセルを含むリファレンスセル部と、を有し、リファレンスセルの抵抗状態に応じた参照電流の印加電流の向きが設定されている。 （もっと読む）

【課題】小さいバンドギャップを持つ障壁膜を岩塩構造の（００１）方向に高配向させて、低抵抗かつ高効率なスピン注入素子を提供する。
【解決手段】下地膜３００、非磁性シード膜３１０、強磁性膜３０５、障壁膜３０７、強磁性膜３０８、保護膜３０９を積層してトンネル磁気抵抗効果素子１を形成する。非磁性シード膜３１０として、格子定数が強磁性膜３０５の格子定数の√２倍よりも小さい面心立方格子の物質を用いる。 （もっと読む）

【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より１５％高い温度〜１５％低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第１冷却工程と、次いで該第１冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第２冷却工程とで実施する。 （もっと読む）

【課題】記録層に作用する参照層からの漏洩磁界を低減しつつ、トンネルバリア層の絶縁不良を低減する。
【解決手段】実施形態による磁気ランダムアクセスメモリは、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１８と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１６と、記録層及び参照層間に設けられた第１の非磁性層１５と、をそれぞれ具備する複数の磁気抵抗素子１０を備え、記録層は、複数の磁気抵抗素子毎に物理的に分離され、参照層及び第１の非磁性層は、複数の磁気抵抗素子を跨いで連続的に延在する。 （もっと読む）

【課題】より容易な方法で集積度を向上させた情報格納装置を提供する。
【解決手段】本発明の情報格納装置は、基板と、基板上のゲートライン構造体を含むトランジスターと、少なくとも一部が基板内に埋め込まれてトランジスターの活性領域を定義する導電性分離パターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｐａｔｔｅｒｎｓ）と、を有し、導電性分離パターンは、互いに電気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の縮小を図る。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、メモリセル部の素子領域１０ａ上に形成された第１の拡散層１７ａと、第１の拡散層に接続された第１のコンタクトＣＢ１と、第１のコンタクト上に形成された第１の下部電極層２１ａと、第１の下部電極層上に形成された第１の抵抗変化層２２ａ及び第１の上部電極層２３ａと、周辺回路部において互いに異なる素子領域に形成された第２乃至第４の拡散層１７ｄ、１７ｅと、第２乃至第４の拡散層に接続された第２乃至第４のコンタクトＣＳ１、ＣＳ２と、第１の下部電極層、第１の抵抗変化層、第１の上部電極層と同じ高さに形成された第２の下部電極層２１ｂ、第２の抵抗変化層２２ｂ、第２の上部電極層２３ｂとを具備する。第２の下部電極層は、第２及び第３のコンタクトを接続する第１のローカル配線Ｌ１として機能する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型ＭＲＡＭのメモリセルの面積を小さくする。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリが、メモリセルＣ１〜Ｃ３が形成されたメモリセルライン１と、書き込みビット線１２−１〜１２−４とを具備する。メモリセルライン１は、磁気記録層４と、磁化固定層３−１〜３−４と、リファレンス層６−１〜６−３と、スペーサ層５−１〜５−３と、ｎＭＯＳトランジスタ２−１〜２−４とを備えている。スペーサ層５−ｉとリファレンス層６−ｉとは、磁化固定層３−ｉと磁化固定層３−（ｉ＋１）の間に位置している。磁化固定層３−１、３−３と、磁化固定層３−２、３−４は、互いに逆の方向に固定された磁化を有している。リファレンス層６−１〜６−３も、固定された磁化を有している。ｎＭＯＳトランジスタ２−ｉは、書き込みビット線１２−ｉと磁化固定層３−ｉの間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】光信号を直接不揮発的に記憶する光不揮発性メモリを提供すること。
【解決手段】第１導電型を有する第１半導体層１２と、前記第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２半導体層１６と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とに挟まれ、逆バイアスが印加されることにより受光し、順バイアスが印加されることにより発光する活性層１４と、前記活性層の受光する光の強さによって磁化方向が変化する強磁性体層２０と、を具備する光不揮発性メモリ。 （もっと読む）