【課題】ＦｉｎＦＥＴの特性が均一な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上層部分に凹部を形成する工程と、前記凹部内に犠牲材を配置する工程と、前記半導体基板及び前記犠牲材を選択的に除去することにより、一方向に延び、周期的に配列された複数本のフィンを形成する工程と、前記フィン間の空間の下部に素子分離絶縁膜を形成する工程と、前記犠牲材を除去する工程と、前記フィンの露出面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記素子分離絶縁膜上に、前記フィンを跨ぐように、前記一方向に対して交差した方向に延びるゲート電極を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】界面磁化膜を固定磁化層及び自由磁化層として有するＭＴＪを積層し、エッチング工程のダメージのない所期の多値化を確実に実現することのできる信頼性の高い磁気抵抗素子及び磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】多値メモリ１０Ａは、ＭＴＪ１０ａと、ＭＴＪ１０ａの上方に設けられたＭＴＪ１０ｂと、ＭＴＪ１０ａ，１０ｂ間に設けられた接続層１３とを含み、ＭＴＪ１０ａ，１０ｂは、夫々、Ｔａからなる挿入層１ａ，１ｂと、挿入層１ａ，１ｂ上で当該挿入層１ａ，１ｂに接し、主面に垂直方向の磁気異方性を有する下部磁化層２ａ，２ｂと、主面に垂直方向の磁気異方性を有する上部磁化層４ａ，４ｂと、下部磁化層２ａ，２ｂと上部磁化層４ａ，４ｂとの間に設けられたトンネルバリア層３ａ，３ｂとを有しており、上部磁化層２ａ，２ｂ及び下部磁化層４ａ，４ｂは、一方が固定磁化層であり、他方が自由磁化層である． （もっと読む）

【課題】クラックの発生が抑制された圧電体層を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１から液体を吐出する液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０と圧電体層７０に設けられた電極６０，８０を備えた圧電素子３００を具備し、圧電体層７０は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、平均結晶粒径が１２０ｎｍ以上２５２ｎｍ以下である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の加工が容易であり、かつ、記憶素子が安定した特性を有するメモリを提供する。
【解決手段】本実施形態によるメモリは、半導体基板を備える。複数のアクティブエリア列は、半導体基板上に設けられ第１の方向に配列された複数のアクティブエリアをそれぞれが含む複数のアクティブエリア列であり、第１の方向に対して直交する第２の方向に隣接するアクティブエリアは互いに半ピッチずつずれて配置されている。複数のセルトランジスタは、アクティブエリアのそれぞれに対応して設けられている。複数の記憶素子は、複数のセルトランジスタの一端に電気的に接続されている。上部電極は、複数のアクティブエリア列のうち第２の方向に隣接する第１および第２のアクティブエリア列に対応する複数の記憶素子に交互に接続されている。ビット線は、第１および第２のアクティブエリア列に含まれる複数のセルトランジスタの他端に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの集積度が高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１領域において上面に第１方向に延びる複数本のフィンが形成された半導体基板と、前記第１方向に対して交差した第２方向に延び、前記フィンを跨ぐ第１ゲート電極と、前記フィンと前記第１ゲート電極との間に設けられた第１ゲート絶縁膜と、前記第２領域において前記半導体基板上に設けられた第２ゲート電極と、前記半導体基板と前記第２ゲート電極との間に設けられた第２ゲート絶縁膜と、を備える。そして、前記第１ゲート電極の層構造は、前記第２ゲート電極の層構造とは異なる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【課題】ＣＯ含有プラズマの条件によらず、安定してクリーニングプラズマを生成する方法を提供する。
【解決手段】被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜を、真空容器８０１内に導入されたＣとＯの元素を含むＣＯ含有ガスにソース電力を印加することでＣＯ含有ガスをプラズマ化し、生成したＣＯ含有プラズマを用い加工する際に、該ＣＯ含有プラズマにて被エッチングウェハ８０２上に形成された磁性膜に所定の加工を施した後、ソース電力８０６を印加したまま、クリーニングガスを導入し、その後ＣＯ含有ガスの導入を停止することで、所定のクリーニングガスを用いたクリーニングプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作する分極率の高い強誘電体メモリを提供する。
【解決手段】基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に形成された上部電極と、を有し、前記強誘電体膜は、第１の強誘電体膜と第２の強誘電体膜とを有しており、前記第１の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料により形成されており、前記第２の強誘電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛を含む材料にＲｕがドープされているものにより形成されており、前記第２の強誘電体膜において、前記Ｒｕは前記第２の強誘電体膜におけるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉのいずれかと置換しているものであることを特徴とする記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）