【課題】ボンディングパッドに穴を開けることなくウエーハの基板にボンディングパッドに達するビアホールを形成することができるビアホールの加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスにボンディングパッドが形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射してボンディングパッドに達するビアホールを形成するビアホールの加工方法であって、基板のボンディングパッドが形成された領域の厚みを計測する厚み計測工程と、ウエーハの基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射して基板にレーザー加工孔を形成するレーザー加工孔形成工程とを含み、レーザー加工孔形成工程は厚み計測工程によって計測された基板の厚みと、パルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギーに基づいて、パルスレーザー光線のショット数を決定する。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の埋め込み配線を備える基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 始めに半導体用基板１００の第１面Ｓ１上に導電層１２０を形成する。次に、導電層１２０をパターニングして第１方向に延長する線形の導電層パターン１２２を形成する。導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。次に導電層パターン１２０および半導体パターン１０４上に絶縁層１５０を形成する。半導体用基板１００の第１面Ｓ１側の絶縁層１５０が支持基板１６０と当接するように支持基板１６０上に配置する。次に半導体用基板１００のイオン注入層１０２側の絶縁層１５０が露出するように半導体用基板１００を除去する。これにより、導電層パターン１２０は、半導体パターン１０４の埋め込み配線として利用することができる。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合ダイオードの接合面積を大きくし、かつコストダウンを可能とすること。
【解決手段】半導体基板１０とｐｎ接合を形成する第１拡散領域３２を含む第１ｐｎダイオード３３を含み、前記半導体基板上に形成された電子回路２０と、前記電子回路とスクライブライン２６との間の前記半導体基板内に設けられ前記電子回路を囲み前記第１拡散領域と同じ導電型であり前記半導体基板とｐｎ接合を形成する第２拡散領域２４を、含む第２ｐｎダイオード２３と、前記電子回路と前記スクライブラインとの間の前記半導体基板上に、前記第２拡散領域と重なるように設けられ、前記電子回路を囲む金属層１８と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）基板の上方にアルミニウムを含有する導電性膜（アルミニウム膜１０ｂ）を形成する工程と、（ｂ）上記導電性膜をパターニングすることにより配線を形成する工程と、（ｃ）上記配線の上部に第１絶縁膜（第１保護膜）を形成する工程と、を有する。さらに、（ｄ）上記第１絶縁膜をエッチングすることにより、上記配線のパッド領域（Ｐｄ）を露出する工程と（ｅ）上記パッド領域（Ｐｄ）に、窒素系のプラズマガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、（ｆ）上記（ｅ）工程の後、上記パッド領域（Ｐｄ）にプローブ針を当接し、上記パッド領域（Ｐｄ）に通電する工程と、を有する。上記（ｅ）工程により、上記パッド領域（Ｐｄ）に窒化アルミニウム層（１５）が形成され、パッド領域（Ｐｄ）とプローブ針（Ｎ）との接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるＡｌ合金表面の腐食やピンホール腐食（黒点）などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】周辺部を損傷させずに、電流を供給することによって切断され得る電気ヒューズ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】電気ヒューズ１０は、電子回路とその電子回路のスペアとしての冗長回路との間に電気的に接続され、それらの回路が樹脂封止された後に、外部から電流が供給されることによって切断され得るものである。電気ヒューズ１０は、ファイン層中に設けられており、主配線１およびバリア膜３からなる。主配線１およびバリア膜３のそれぞれの線膨張係数は、その周辺に設けられている絶縁層２，４，および５のそれぞれの線膨張係数よりも大きい。また、主配線１およびバリア膜３のそれぞれの融点は、絶縁層２，４，および５のそれぞれの融点よりも低い。 （もっと読む）

【課題】特に半導体集積回路（ＩＣ）デバイス製造の分野において、約１００ｎｍより小さい、好適には約７０ｎｍより小さい、更に好適には約５０ｎｍより小さい、より好適には約３５ｎｍより小さい幅を有するトレンチ、バイアなどの開口部を充填する電着方法を提供する。
【解決手段】０．５ｍｍｏｌ・ｌ^−１と５０ｍｍｏｌ・ｌ^−１との間に含まれる銅イオン濃度と、電着浴の体積あたり０．０５％と１０％との間に含まれる酸濃度とを有する電着浴中に基板を浸責し、銅の堆積物を電着する。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】電極パッド直下の領域を有効領域とする半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体層上に設けられた、シリサイド膜からなるエミッタ電極７と、エミッタ電極７上に形成された絶縁膜１０と、絶縁膜１０上に形成されたＡｌからなる電極パッド８とを備える。 （もっと読む）