【課題】ボイドが存在しても高い信頼性を確保可能な配線構造を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる装置は、第１の溝１０を有する絶縁層１３と、第１の溝１０内に形成され、上部に凹部１６を有する銅を含む第１の配線層１５と、第１の配線層１５の凹部１６の内面上に形成され、少なくとも１つのグラフェンシートから構成されるグラフェン層１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域とダイシング領域とを覆う保護層５と、保護層の能動領域の外側を掘込んで形成されたガイド溝２１と、能動領域の保護層上を覆う保護膜７と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する第２の配線９とを備え、ガイド溝のアスペクト比が０．５以上の場合にそのガイド溝を保護膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィル材を用いなくとも、柱状電極と半田端子との接合強度不足や、信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数の配線と、複数の配線上にそれぞれ接続された複数の半田端子と、複数の配線の少なくとも一部を覆う樹脂層と、を備えている。樹脂層上には、少なくとも半田端子の周囲を覆うオーバーコート膜が被膜され、隣接する半田端子間のオーバーコート膜の高さは、半田端子の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラファイト膜を形成することができるグラフェン構造を含むグラファイト膜による配線パターンの形成方法の提供。
【解決手段】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散速度を適切に速度に調節することができる合金層又は積層体からなる触媒層を利用して、グラフェン構造を有するグラファイト膜で構成された配線パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の強度を弱めずに、スルーホールの形成に要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】半導体ダイ１が、半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた配線２３と、配線２３上に設けられたレーザー光防護電極２７と、を備える。半導体装置４０が、半導体ダイ１と、半導体ダイ１を覆い、レーザー光防護電極２７に対応する部分に設けられたスルーホール４３ａを有する封止層４３と、封止層４３のスルーホール４３ａ内に設けられた導体４４と、を備える。レーザー光防護電極２７の上面は、導体４４と接触する第一領域２７ｄと、導体４４と接触していない第二領域２７ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の温度依存性の小さい抵抗素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属抵抗素子層Ｒｍ１，Ｒｍ２を有する。金属抵抗素子層Ｒｍ１は、金属抵抗膜層Ｒｍ１１を含む。金属抵抗素子層Ｒｍ２は、金属抵抗膜層Ｒｍ１２を含む。金属抵抗膜層Ｒｍ１１は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの一方であり、金属抵抗膜層Ｒｍ１２は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの他方である。窒化チタン抵抗の抵抗値は正の温度係数を有する一方、窒化タンタル抵抗の抵抗値は負の温度係数を有する。コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。これにより温度係数を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部接続用電極の周囲を封止膜で覆ったＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜の上面側を研削するとき、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにする。
【解決手段】 メッキレジスト膜を用いた電解メッキにより外部接続用電極１０を形成した後に、サーフェスプレーナーを用いて全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜の上面側を切って除去し、外部接続用電極１０の高さを揃える。この場合、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。この場合、外部接続用電極１０の上部は研削しないため、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内にバリアメタル層２０を形成した後、凹部１６、１７内にＣｕ配線層２３を形成する。バリアメタル層２０の形成工程は、凹部１６、１７内にＴｉ含有量が５０原子％を超える第１のＴｉＮ_x膜１８を形成した後、側壁部上と比較して底部上に相対的に多く形成されるように、Ｔｉ含有量が第１のＴｉＮ_x膜１８より多い第２のＴｉＮ_x膜（またはＴｉ膜）１９を形成する。 （もっと読む）

【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いて、高精細な配線を、簡単に、かつ生産性良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エアロゾルジェット手段により、カーボンナノチューブ含有分散液を、基板３上にエアロゾル状態にて吹き付け、電極１に接続するカーボンナノチューブからなる配線２を形成する。配線はカーボンナノチューブがネットワーク状に絡み合った構造になっているので導電性が高い。 （もっと読む）