【目的】電圧検出回路を有するインバータ回路を搭載したパワー半導体モジュールにおいて、測定電圧のみを印加することで、インバータ回路の上下アームを構成する素子に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】分圧回路２３をインバータ回路５０からネジ部２７で切り離すことで、インバータ回路５０の上下アームを構成する素子（ＩＧＢＴ４ａ，４ｂ，ＦＷＤ５ａ，５ｂ）に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】通常動作への影響（消費電流やＲｏｎ）を低減しつつ、デバイスの誤オンの防止と高速ターンオフとを実現することができる絶縁ゲート型デバイスの駆動回路を提供する。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート−ソース間にパワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート電圧を下げるためのゲート電圧制御用ＭＯＳＦＥＴ１４を設け、ゲート電圧制御用ＭＯＳＦＥＴ１４のゲート−ドレイン間にプルアップ素子としてＮ型デプレッションＭＯＳＦＥＴ２５を設ける。そして、Ｎ型デプレッションＭＯＳＦＥＴ２５を、パワーＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電圧Ｖｄが急激に持ち上げられたときに発生する、パワーＭＯＳＦＥＴ８のゲート−ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄの充電電流Ｉｒによって駆動されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】円筒状パイプの変形を防ぐと共に、フレームに対して冷却器が安定して固定された電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２と、内部の冷媒流路に冷却媒体を導入又は排出する一対の円筒状パイプ３１を備えた冷却器３と、冷却器３を保持するフレーム４と、円筒状パイプ３１をフレーム４に固定するクランプ５とを有する。クランプ５は、フレーム４に締結される締結部５１と、円筒状パイプ３１をフレーム４側へ向かって押圧する押さえ部５２とを有する。円筒状パイプ３１は、フレーム４に設けた凹状支承部と、クランプ５とによって挟持されている。円筒状パイプ３１の突出方向から見たとき、円筒状パイプ３１は、凹状支承部における２つの支承面と、クランプ５の押さえ部５２とによって、３つの支持点において支持されている。 （もっと読む）

【課題】電力算出装置において、系統誤差を排除し、測定に要する手間を削減し、コストを低減する技術を提供する。
【解決手段】直流電源１の出力電流Ｉｄｃの電流値に第１のＡ／Ｄ変換を施して得られるデジタル電流値を出力するデジタル電流値出力部２と、直流電源の出力電圧Ｖｄｃの電圧値に第２のＡ／Ｄ変換を施して得られるデジタル電圧値を出力するデジタル電圧値出力部４と、デジタル電流値及びデジタル電圧値を入力し、デジタル電流値に第１のＤ／Ａ変換を施して得られるアナログ電流値と、デジタル電圧値に第２のＤ／Ａ変換を施して得られるアナログ電圧値とを求め、アナログ電流値とアナログ電圧値とに基づいて直流電源から供給される電力の推定値を算出する電力算出部６とを備え、第１のＤ／Ａ変換は、デジタル電流値出力部の回路構成で決定される第３のＡ／Ｄ変換特性の逆変換である。 （もっと読む）

【課題】作業者のアームの誤解による電圧検出配線とスイッチング配線の誤配線を検出できる電力変換装置のゲートパルス誤配線検出方法を提供することにある。
【解決手段】複数の半導体素子で形成され、一方端を三相交流電源に接続され、他方端を直流端子として直流端子間に直流コンデンサを接続し、制御装置から半導体素子にゲートパルスを与える配線を備え、一方端の線間または星状にコンデンサを接続し、低減電圧を所定時間印加して直流コンデンサを充電した後、制御装置から半導体素子に所定の複数パターンでゲートパルスを与えてこのときの三相交流の各相電流を検知し、複数パターンでのゲートパルスを与えた半導体素子とこのときの三相交流の各相電流の関係を記憶し、制御装置から半導体素子にゲートパルスを与える配線が健全であるときの記憶された関係と、同じ手順により今回記憶された関係とからゲートパルスを与える配線の誤配線を検知する。 （もっと読む）

【課題】パルス幅に基づいて複数の保護回路が保護動作状態であるか否かを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置１を構成する半導体素子の保護動作を行う複数の保護回路５１〜５３と、保護回路毎に異なるパルス幅のパルス列信号を設定し、最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス列信号を出力するパルス信号発生回路５５と、スイッチング素子５７がオン・オフ制御されることによりアラーム信号を形成して外部に出力するアラーム信号形成回路４５と、該アラーム信号形成回路のアラーム信号に基づいて保護動作状態であるか否かを判別する保護動作状態判別回路４６と、該保護動作状態判別回路の判別結果に基づいて前記パルス信号発生回路から出力されるパルス列信号を前記アラーム信号形成回路の前記スイッチング素子の制御端子に供給するアラーム制御回路４７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体電力変換装置内に設けられた半導体スイッチを冷却するヒートシンクと半導体電力変換装置内の空気との温度差により発生するヒートシンク表面の結露を防止する。
【解決手段】半導体スイッチを冷却するヒートシンク周囲に設けられたヒートシンク周囲の空気の温度を検出するヒートシンク周囲温度検出器と、ヒートシンク表面温度を検出するヒートシンク表面温度検出器により検出されたそれぞれの温度から、ヒートシンク表面温度とヒートシンク周囲温度との差を所定の値となるようにヒートシンクへ供給される冷却液の量を可変することで、ヒートシンク表面に発生する結露を防止する。 （もっと読む）

【課題】外部直流電源の逆接続や負サージの印加を認識し、確実に電子制御装置に過電流が発生することを防止できる電源逆接続保護回路を提供する。
【解決手段】外部直流電源の高電位側端子２と低電位側端子３とに接続される整流器１２が備えられる。この整流器１２の高電位側ノード１３及び低電位側ノード１４は逆接続保護制御回路１１に接続される。外部直流電源の逆接続状態でも、整流器１２は高電位側ノード１３に高電位を発生し、低電位側ノード１４に低電位を発生する。従って、逆接続保護制御回路１１の比較器１５は、電源端子３とグランド端子５への外部直流電源の逆接続状態を判定し、逆接続保護素子駆動回路１６は逆接続保護素子１０を確実にオフ動作させる。その結果、グランド端子５から電源端子３への過電流は確実に防止される。 （もっと読む）