【課題】複数の回路部間で異なるインダクタンス成分より生じる異なるサージ電圧を低減させ、かつ装置全体のコストダウンを図ることができるパワーモジュールを得る。
【解決手段】入力端子Ｐ１１及びＰ１２が設けられる第１の縁部と対向する第３の縁部の上方にスナバ端子Ｐ１３及びＰ１４を設け、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４間に補助スナバ回路２２を設けることにより、入力端子Ｐ１１及びＰ１２間に形成されるスナバ回路２１から最も離された位置に補助スナバ回路２２を設けている。そして、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４の形成幅を、入力端子Ｐ１２の形成幅の半分以下にする等により、スナバ端子Ｐ１３及びＰ１４それぞれの平面視断面積を、入力端子Ｐ１１及びＰ１２の平面視断面積の半分以下に抑えている。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な回路構成で、高速に動作するゲート駆動回路を提供することである。
【解決手段】 パワー半導体素子のゲート端子に正電圧を印加するためのＮＰＮトランジスタと、パワー半導体素子のゲート端子に負電圧を印加するためのＰＮＰトランジスタと、ＮＰＮトランジスタと、ＰＮＰトランジスタとに直列に接続された遮断用抵抗器と、遮断用抵抗器に、正極がパワー半導体素子のゲート端子側となるように並列に接続された遮断用抵抗器切換え半導体スイッチとを備えたゲート駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧のエネルギーを有効利用することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、第１及び第２接続点７１，７２との間に並列接続されたＩＧＢＴ１ａ及びリカバリーダイオード１ｂからなる並列接続体１と、ＩＧＢＴ１ａの耐圧以下のクランプレベルを有する第１スナバデバイスＳＤ１と、ＩＧＢＴ１ａのドライブ回路５３に電力を供給する電力供給部５４の出力電圧以上のクランプレベルを有する第２スナバデバイスＳＤ２とを備える。第１スナバデバイスＳＤ１の一方端子は第１接続点７１を介して並列接続体１の一端と接続され、第１スナバデバイスＳＤ１の他方端子は第３接続点７３を介して第２スナバデバイスＳＤ２の一方端子と接続され、第２スナバデバイスＳＤ２の他方端子は第２接続点７２を介して並列接続体１の他端と接続される。半導体装置は、第２及び第３接続点７２，７３を介して電力供給部５４に電力を帰還する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）

【課題】温度検出対象の電子部品の温度を適切に検出可能な電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置４は、電源筐体５と、この電源筐体５内に設けられた複数の電子部品６２と、前記複数の電子部品６２のうち検出対象部品６２０の温度を検出する温度検出部７と、この温度検出部７を支持する支持部８とを備え、電源筐体５内には、複数の電子部品６２を冷却するように空気を導く主流路Ｃｍが形成され、支持部８には、主流路Ｃｍの検出対象部品６２０を介した被加温空気Ａ１の一部である副被加温空気Ａ１２を取り込む副流路Ｃｓが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子、特にＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ_Gに対応する電圧Ｖ_QGを検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ_REFを発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ_QGがＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ_QGのハイレベルで安定した電圧Ｖ_PEAKを検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】直流電源１７からスイッチ用のＦＥＴ１８を経て負荷１６へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】比較基準電圧生成回路４０を電流供給部４１と比較基準電圧発生抵抗部４６とで構成し、比較基準電圧Ｖ_X を生成する。過電流検出電圧生成回路５０を電流供給部５１と過電流検出抵抗部５４とで構成し、ＦＥＴ１８の電圧Ｖ_DSが増大すると減少する電流検出電圧Ｖ_Y を生成する。電圧Ｖ_DSの増大を検出してＦＥＴ１８をオフすれば、過電流保護も過熱保護も可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な逆回復特性と良好なＥＭＣとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】小容量の素子を用いた場合でも、高効率・高信頼性を確保し、かつ異常時に故障を防いでシステム停止できる電力変換装置を得ること。
【解決手段】電源供給部１と、昇圧部２と、転流経路を形成する転流部４と、平滑部３と、昇圧部２に流れる電流を検出する電流検出部１１と平滑部３の両端電圧を検出する電圧検出部５とのうち少なくともいずれか一方と、昇圧部２と平滑部３との間に流れる電流を検出する電流検出部１３と、電流検出部１１が検出した電流と両端電圧とのうち少なくともいずれか一方に基づいて昇圧部２および転流部４を制御し、電流検出部１３が検出した電流に基づいて転流部４が異常であるか否かを判定する制御部６と、を備える。 （もっと読む）