【課題】高い周波数精度を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置され、開口部２２が形成された第１絶縁層２０と、開口部２２を覆って、第１絶縁層２０の上方に配置された第２絶縁層３０と、第２絶縁層３０の上方に配置された第１電極４０と、第１電極４０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部５２、梁部５２の一端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第１支持部５４、および梁部５２の他端を支持し第２絶縁層３０の上方に配置された第２支持部５６を有する第２電極５０と、を含み、基板１０の厚み方向からの平面視において、開口部２２の少なくとも一部は、第１支持部５４と第２支持部５６との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、周波数特性の管理が容易なＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３２、および梁部３２を支持する支持部３４を有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０の側面２２は、第１電極２０の上面２１に接続された第１面２２ａと、第１面２２ａおよび基板１０の上面１１に接続された第２面２２ｂと、を有し、第１面２２ａは、基板１０の上面１１に対して傾斜し、基板１０の上面１１に対する第１面２２ａの角度は、第１角度αであり、基板１０の上面１１に対する第２面２２ｂの角度は、第１角度αよりも大きい第２角度βである。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された機能素子２０と、機能素子２０が配置された空洞部１を画成する包囲壁４０と、基板１０の上方に形成され、機能素子２０に接続された配線層３０，３２と、を含み、配線層３０，３２は、基板１０と包囲壁４０との間を通って、包囲壁４０の外側まで延出され、包囲壁４０は、窒化シリコン層４２と、金属層およびシリコン層の少なくとも１層である導電層と、を有し、配線層３０，３２と導電層４４との間には、窒化シリコン層４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】周波数精度の高いＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に配置された第１電極２０と、少なくとも一部が前記第１電極２０との間に空隙を有した状態で配置され、前記基板１０の厚み方向に静電力によって振動可能となる梁部３４、梁部３４の一端３４ａを支持し基板１０の上方に配置された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、支持部３２の一端３４ａを支持する支持側面３２ａは、基板１０の厚み方向からの平面視で屈曲している屈曲部を有し、一端３４ａは、屈曲部を含む支持側面３２ａにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対し安定した周波数特性を有するＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】基板１００と、基板１００の表面に形成された第１ベース層３０と、第１ベース層３０の表面に固定された固定電極８０と、基板１００の表面に形成された第２ベース層４０と、固定電極８０と対向する梁部９１を備え、梁部９１を支持し第２ベース層４０の表面に固定されたアンカー部９２とを備えた可動電極と、を含み、第２ベース層４０は第１ベース層３０よりも熱膨張係数の大きい材料で形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易に半導体基板上に形成でき、差動型で動作する半導体装置ならびにこれを用いた発振器、アンテナシステムおよび送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、複数の音響波伝播層と、分離層と、音響波反射層と、第１のコンタクトと、第２のコンタクトとを備える。前記複数の音響波伝播層は、前記半導体基板に、互いに離間して形成される。前記分離層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層を互いに電気的に分離するが、音響波は通過させる。前記音響波反射層は、前記半導体基板に形成され、前記複数の音響波伝播層内に前記音響波を閉じ込めるように形成される。前記第１のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の１つに形成され、第１の差動信号が入力または出力される。前記第２のコンタクトは、前記複数の音響波伝播層の他の１つに形成され、前記第１の差動信号とは位相が異なる第２の差動信号が入力または出力される。 （もっと読む）

【課題】簡易に半導体集積回路上に形成可能な共振器を提供する。
【解決手段】共振器は、半導体基板と、第１の音響波伝播層と、第１の音響波反射層と、を備える。前記第１の音響波伝播層は、前記半導体基板に、第１の方向に長辺、前記第１の方向とは異なる第２の方向に短辺をそれぞれ有する形状で形成される。前記第１の音響波反射層は、少なくとも前記第１の音響波伝播層の前記第１の方向の両端に形成される。前記第１の音響波反射層の前記第１の方向の幅は、前記第１の音響波伝播層と前記第１の音響波反射層との界面での音響波の音の強さ反射係数または音の強さ透過係数が所定値以上となるよう形成される。 （もっと読む）

【課題】集積回路上で大きな面積を必要とせず、優れた周波数特性を有する各種フィルタ、及び無線通信装置の提供。
【解決手段】入力端子からの入力信号を、予め定めたカットオフ周波数以上の信号成分の減衰量が所定量以上となる様に通過させて出力端子から出力するロウパスフィルタは、前記入力端子と前記出力端子間に接続された半導体素子と、前記出力端子と接地端子間に接続された容量と、を備え、前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、前記カットオフ周波数に応じた長さの長辺と、前記長辺より短い短辺と、を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記入力端子と電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記出力端子と電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。 （もっと読む）

【課題】入出力特性の悪化を招くことなく、振動子と半導体基板との間に、ギャップを精度良く形成する。
【解決手段】共振器は、半導体基板１の上に形成された第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂと、第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの上に形成された第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂと、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの上に形成された固定電極６Ａ，６Ｂと、振動子３Ｘとを備えている。振動子３Ｘと第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂ及び固定電極６Ａ，６Ｂとの間には、第１のギャップ７Ａ，７Ｂが形成されている。振動子３Ｘと半導体基板１との間には、第２のギャップ８が形成されている。第１の犠牲膜２Ａ，２Ｂの端面は第２のギャップ８に露出し、且つ、第２の犠牲膜４Ａ，４Ｂの端面は第１のギャップ７Ａ，７Ｂに露出している。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路上に小面積で形成でき、かつ、適切な周波数の発振信号を生成できる発振器と、これを用いたＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】発振器は、第１のノードと第２のノードと間に並列接続される抵抗と、反転増幅器と、半導体素子とを備える。前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、長辺および短辺を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記第１のノードと電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記第２のノードと電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。前記第１のノードまたは前記第２のノードから発振信号を出力する。 （もっと読む）