【課題】集積回路上で大きな面積を必要とせず、優れた周波数特性を有する各種フィルタ、及び無線通信装置の提供。
【解決手段】入力端子からの入力信号を、予め定めたカットオフ周波数以上の信号成分の減衰量が所定量以上となる様に通過させて出力端子から出力するロウパスフィルタは、前記入力端子と前記出力端子間に接続された半導体素子と、前記出力端子と接地端子間に接続された容量と、を備え、前記半導体素子は、半導体基板と、前記半導体基板に、前記カットオフ周波数に応じた長さの長辺と、前記長辺より短い短辺と、を有する形状で形成される音響波伝播層と、少なくとも前記音響波伝播層の長辺方向の両端に形成される音響波反射層と、前記音響波伝播層上に形成され、前記入力端子と電気的に接続される第１のコンタクトと、前記音響波伝播層上に前記第１のコンタクトとは離れて形成され、前記出力端子と電気的に接続される第２のコンタクトと、を有する。 （もっと読む）

【課題】低減した周波数ドリフトを達成することができる、実質的に安定した周波数で出力信号を発生するためのＭＥＭＳにシステムを提供する。
【解決手段】所定周波数は、温度依存性及び少なくとも一つの所定の特性に基づく。さらに、所定周波数で発振するためにＭＥＭＳ発振器を励振するよう構成された励振機構、及び、抵抗感知を用いてＭＥＭＳ発振器の温度を検出し、周波数ドリフトを最小限にするために温度依存性及び少なくとも一つの特性に基づいて、ＭＥＭＳ発振器の温度が所定温度の所定範囲内にあるか否かを決定し、ＭＥＭＳ発振器の温度を所定範囲内に留めるように適合させるように構成された温度制御ループを含む。さらに、ＭＥＭＳ発振器の所定周波数を出力するように構成された周波数出力を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】振動子内に共振周波数制御機構を組み込むことが容易で、かつ広い周波数帯域での共振周波数制御が可能な微小機械振動子を提供する。
【解決手段】微小機械振動子は、シリコン基板１上に形成されたシリコン酸化膜２と、シリコン酸化膜２上に形成された電極４，５と、一端が電極４に接続され、電極４およびシリコン酸化膜２で固定されていない一部が開口部６内に突出するように形成される振動子部７と、一端が電極５に接続され、電極５およびシリコン酸化膜２で固定されていない方の先端部が開口部６内に突出した振動子部７の先端部と対向するように形成される制御極部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】出力信号の周波数のふらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】空隙を隔てて配置された第１電極１１及び第２電極１２を有するＭＥＭＳ振動子１０と、第１入力端子２２１及び第１出力端子２２２を有し、利得が１よりも大きい利得部２２と、第２入力端子２４１及び第２出力端子２４２を有し、利得が１よりも小さい利得制限部２４と、を含む増幅部２０と、第１出力端子２２２と接続される出力端子３０と、を含み、第１電極１１と第１入力端子２２１とが接続され、第１出力端子２２２と第２入力端子２４１とが接続され、第２出力端子２４２と第２電極１２とが接続される。 （もっと読む）

【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＢＡＷモードで共振するＭＥＭＳ共振子について、製造後に周波数などを測定しながら、大量かつ安価に周波数調整が可能で、位相雑音やジッタの少ないＭＥＭＳ共振子を提供する。
【解決手段】バルク・アコースティック・ウェーブモードで共振する板状の共振子を備えたＭＥＭＳ共振子において、共振子が、密度とヤング率の比がそれぞれ異なる材料が積層した積層構造となっている。この積層構造の表面の一部を除去することにより、共振周波数の調整を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬ回路を有する発振器であって、小型化を図ることができる発振器を提供する。
【解決手段】発振器１００は、基板１１０の上方に配置された第１ＭＥＭＳ振動子１２を含み第１発振信号を出力する基準発振回路と、基板１１０の上方に配置された第２ＭＥＭＳ振動子５２を含み制御信号で発振周波数が制御され第２発振信号を出力する電圧制御発振回路と、前記第２発振信号を分周して分周信号を出力する分周回路と、前記分周信号と前記第１発振信号との位相差に基づいた前記制御信号を出力する位相比較回路と、を含み、第１ＭＥＭＳ振動子１２および第２ＭＥＭＳ振動子５２の各々は、第１電極と、第２電極と、を有し、第２電極は、第１電極と対向配置された可動部を有し、基板の平面視において第１ＭＥＭＳ振動子１２の可動部の面積は、第２ＭＥＭＳ振動子５２の可動部の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】出力が大きく、かつ高い周波数で駆動するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０の表面１１に固定された第１電極２０と、第１電極２０の第１面２１と対向する第２面３１を備えた梁部３４、および梁部３４を支持し基板１０の表面１１に固定された支持部３２を有する第２電極３０と、を含み、梁部３４は、梁部３４の第１面２１の垂線Ｑ方向の長さＴが、梁部３４の先端３５に向かうにつれて単調に減少する第１部分３６を有する。 （もっと読む）

【課題】大きなインダクタンスをもつインダクタ素子を実現する音響半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、素子部と、第１端子と、を備えた音響半導体装置が提供される。前記素子部は、半導体結晶を含み音響定在波が励起可能な音響共振部を含む。前記第１端子は、前記素子部と電気的に接続される。前記第１端子を介して、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部から出力する、及び、前記音響定在波と同期する電気的信号を前記音響共振部に入力する、の少なくもいずれかを実施可能である。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）