説明

国際特許分類[H05H1/24]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | プラズマ技術 (5,423) | プラズマの生成;プラズマの取扱い (4,622) | プラズマの発生 (4,176)

国際特許分類[H05H1/24]の下位に属する分類

国際特許分類[H05H1/24]に分類される特許

1,081 - 1,090 / 1,392


【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマCVDにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板1上に形成された磁性膜1a上にプラズマ反応によって保護膜1bを成膜する成膜装置10は、磁性膜1aに保護膜1bを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室11と、反応室11内に保護膜1bを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部12と、反応室11内に設けられており磁性膜1aとの間にプラズマを発生させる陽極電極31と、反応室11の外部に設けられ、磁性膜1aに対して非接触で電子流を供給する電子供給源34,35と、電子供給源34,35から磁性膜1aに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部36とを備える。制御部36は、電子供給源34,35から磁性膜1aに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極31に対して供給される電流量以上に制御する。 (もっと読む)


少なくとも2つの一定の間隔で配置された電極(13、14)を有する放電空間(11)の中の放電プラズマを制御するための方法及び構成。ガス又はガス混合物が放電空間(11)の中に注入され、ACプラズマ付勢電圧を電極(13、14)に印加するため、電極(13、14)を付勢するための電源(15)が用意される。少なくとも1つの電流パルスが発生し、プラズマ電流及び変位電流を引き起こす。プラズマを制御するための手段が用意され、フィラメント放電などの低い動的抵抗対静的抵抗比を有するプラズマ変化に関連した局所的電流密度変化を制御するために変位電流変化率を適用するように構成される。こうした急速な変化をパルス発生回路(20)を使用して抑制することによって、均一なグロー放電プラズマが得られる。
(もっと読む)


【課題】 大きな処理速度でプラズマの局所的不均一を発生させることなく均一な処理を可能とする、プラズマ生成電極、プラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ生成電極装置の誘電体14に設けられる窪み140Aは、プラズマ放電の開始および維持電圧を小さくするための予備放電空間部P1と、プラズマ拡大空間部P2と、プラズマ拡大空間部P2により生成されたプラズマの幅拡大を制限するプラズマ幅拡大制限空間部P3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】この発明は、比較的高圧で実施できるプラズマ発生装置およびプラズマ発生方法を提供すること、および、ダイヤモンドを生成できるような高エネルギーのプラズマを発生できるプラズマ発生方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記の課題を解決するために、本発明に係るプラズマ発生装置1は、反応容器2と、反応容器2にアルゴンガスを含む気体を供給する第1気体供給装置5と、炭化水素を含む気体を供給する第2気体供給装置6と、反応容器2へ1GHz以上の周波数のマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置10を有するものである。 (もっと読む)


マイクロ波プラズマ反応装置(10)であって、反応チャンバと、反応チャンバの内部に配置されたマイクロ波共鳴キャビティ(14)と、マイクロ波放射を共鳴キャビティに導くための導波管(16)であって、収束性のテーパ部分を有してなる導波管と、共鳴キャビティの内部にプラズマを開始及び持続させるために、マイクロ波放射から、共鳴キャビティの内部に電磁定在波を形成するための手段と、ガス入口及びガス出口を有してなる共鳴キャビティと、ガス入口からガス出口へ流れるガスと共に、共鳴キャビティから運ばれたプラズマを収容すべくガス出口から延びてなる導管手段と、を備えていることを特徴とする反応装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマが試料表面を損傷することなく、処理レートの高いプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電源から発生した電力が印加される印加電極と、前記印加電極に対し絶縁体を挟んで対向する対向電極とを備えた電極ユニット、および前記対向電極と接地電位間に挿入されたインピーダンス素子を備え、前記電極ユニットが試料にギャップを置いて対向し、更に前記電極ユニットと試料の間に形成される空間に局所的に反応ガスを供給し、前記印加電極に印加された電力によって前記印加電極と対向電極間にプラズマを発生させ、反応ガスに基く試料の処理を行なうプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】アーク放電等異常放電を抑えてデブリを防ぎ、効率的で信頼性の高い膜を形成するためのスパッタリング用電源及びシステムを提供する。
【解決手段】真空チャンバ、基板を真空チャンバを通じて搬送するように構成された基板搬送システム、スパッタリングターゲットを支持するカソードであって、少なくとも部分的に真空チャンバ内にあるカソード、およびカソードに電力を供給するように構成された電源であって、変調電力信号を出力するように構成された電源を有するスパッタリングシステムを含む。態様に応じて、振幅変調電力信号、周波数変調電力信号、パルス幅電力信号、パルス位置電力信号、パルス振幅変調電力信号、あるいは他の種類の変調電力またはエネルギー信号を出力するように、この電源を構成することができる。 (もっと読む)


【課題】コスト増加や装置の複雑化を避けながら、処理特性分布がなく、しかも処理速度の速い大気圧プラズマ処理装置と大気圧プラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電圧印加電極2、対向配置された接地電極3および両電極の間に配置された絶縁体4から構成される電極ユニット1と、被処理物8を搬送する被処理物搬送装置7と、絶縁体4とそれに対向する被処理物8との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、電圧を印加する電源9とを具備し、両電極2,3の間に局所的に強い電界を形成させてプラズマを発生させ、被処理物8に所望の処理を施す大気圧プラズマ処理装置であって、絶縁体4の電圧印加電極側部分および接地電極側部分に、強い電界を特定の位置に形成させ、前記強い電界の方向を、被処理物8の搬送方向15に対して傾斜させる突起部13を備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】基板が載置される基板支持台と、前記エッチング対象となる基板面と隣り合うように配設された電極と、前記基板と隣り合う電極の表面上に形成された誘電膜、及び前記電極と基板支持台との間に電位差を生じさせるための電源手段を備えるプラズマエッチング装置を提供する。このように、基板が載置された基板支持台と基板の端部領域を取り囲む電極との間に電位差を与え、基板と電極との距離を3mm以下にし、且つ、基板と電極との間の領域において局部的にプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、しかも、基板の上部中心領域にカーテンの役割を果たすガスを吹き付けて基板と電極との間で生じたプラズマが基板の上部中心領域に流れ込む現象を防ぐことができる。さらには、大気圧近くで且つ常温の状態でプラズマを生じさせることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、高いガスバリア能を有し、かつカール耐性に優れたガスバリア性薄膜積層体を生産性良く提供し、また該ガスバリア性薄膜積層体を用いて密着性及びガスバリア耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供することにある。
【解決手段】 それぞれ少なくとも1層のセラミック膜とポリマー膜とを有するガスバリア性薄膜積層体において、該ポリマー膜の少なくとも1層は、分子の末端もしくは側鎖にエチレン性二重結合を有する光硬化性樹脂と光重合開始剤とを主成分とし、かつ25℃では非流動性を示し、50℃〜100℃の温度範囲では流動性を示す光硬化性樹脂組成物を硬化して形成されたものであることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 (もっと読む)


1,081 - 1,090 / 1,392