本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電（ＤＢＤ；Dielectric Barrier Discharge）を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
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【課題】大気圧近傍の圧力雰囲気下において、ダメージフリーで被処理基材の洗浄、改質処理を行うプラズマ生成用電極を提供する。
【解決手段】被処理基材６に対して平行に配置される一対の平板電極１，２間に交番電界を印加して、放電プラズマを生成せしめるプラズマ生成用電極において、被処理基材６に近い側の電極を多数のガス吹出し部を設けた接地電極１とし、放電プラズマで生成した反応ガスを被処理基材へ照射する構造とし、かつ、接地電極１上部に一定の間隙を隔てて配置される高圧電極２の金属面が、被処理基材６とは直接対向しないようにする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングシステムにおいてイオン密度とスパッタ率を制御する方法を提供する。
【解決手段】一実施形態では、第１のパルス幅の電力信号がカソードに印加されて、それによってより高濃度のイオンを生成させる。次に、この第１のパルス幅の電力信号のパルス幅を減少させて、それによってスパッタ率を増加させ、かつカソード周辺でのイオン密度を減少させる。さらにこのプロセスを繰り返して変調信号を作成する。この変調信号を用いてスパッタリングシステムのイオン密度とイオンエネルギーを制御する。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、誘電体で封入された第１の電極（２３０）を含んでおり、この誘電体はナノポーラス誘電体皮膜であり得るマイクロ放電装置である。第２の電極（２４０）が提供され、これも同様に誘電体で封入されてもよい。これらの電極は、時間変化性（ＡＣ、ＲＦ、バイポーラ、又はパルス化ＤＣ等）の電位がこれらの電極間に与えられたときに、マイクロキャビティ中に放電を引き起こすように構成されている。本発明の特定の実施形態では、第２の電極は、マイクロキャビティの開口部を覆うスクリーンであってもよく、またマイクロキャビティは一端が閉じていても良い。本発明のいくつかの実施形態では、第２の電極は第１の電極に直接接していてもよい。他の実施形態では、ギャップが電極を分離している。 （もっと読む）

【課題】導電性薄膜のプラズマパターニング方法において、ケミカルエッチングのように環境負荷の大きいレジストやエッチング液を使用せず、更に耐薬品性に弱い基材や導電性薄膜に対して、ダメージが少なく、処理時間の短い導電性薄膜のパターニング方法を提供すること。
【解決手段】大気圧近傍で用いるプラズマ発生用電極、その下に誘電体層のプラズマ発生手段と、その下に導電性薄膜を形成した基材を載置する基材載置手段と、導電性薄膜の下に誘電性パターンマスクと、その下に導電性のマスク電極７を配置して、導電性薄膜の表面と誘電性パターンマスク及びマスク電極とで構成する微小空間内でのプラズマ処理手段と、該処理手段を用いて微小空間内に面した導電性薄膜の部分を除去する装置を用いて、プラズマを、導電性薄膜と導電性のマスク電極上に照射して、微小空間内の導電性薄膜部分だけパターニング処理する導電性薄膜のプラズマパターニング方法。 （もっと読む）

本発明は、特に基板を加工するための大気圧プラズマ（２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ）を生成する設備（１０）に関し、特にこの設備（１０）は、圧電材から成る装置（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を備え、この装置（１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）は、少なくとも１つの１次領域（１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）及び１つの２次領域（１３）を有し、低電圧の交流電圧を印加するための少なくとも２つの電極（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ）が、この１次領域（１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）に配置されていて、電位差が、この２次領域（１３）の長手方向（Ｌ）に沿ってこの１次領域の励起に起因して生じる設備(１０)。この特徴は、特にこの２次領域（１３）が長手方向（Ｌ）に沿って反対方向に分極している２つの部分領域（１４，１４ａ、１４ｂ、１４ｃ，１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）を有することにある。
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本発明は実質的に大気圧でガス流出物をプラズマ処理する方法に関し、処理される流出物をプラズマトーチに注入し、プラズマの上流または下流で水蒸気を注入することを含む。 （もっと読む）

【課題】基板に絶縁膜を蒸着する場合に真空容器内で蒸発せしめられた絶縁膜が陽極の表面に堆積してしまうのを抑制する。
【解決手段】真空容器７の内部に陽極５を配置し、真空容器７の外部に陰極２を配置したプラズマＣＶＤ装置において、高融点物質から成る熱容量の小さい構造物５’を陽極５上に配置した。この構造物５’は、プラズマ１１によって加熱されることにより熱電子を放出する。それにより、例えば真空容器７内に配置された基板６に絶縁膜が蒸着される場合に、真空容器７内で蒸発せしめられた絶縁膜が陽極５の表面に堆積してしまうのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】小スペース化でき、しかもウエブの材質に左右されずにその表面を均一に改質できるイオンボンバード用ガイドロール型電極、これを用いたイオンボンバード装置及びイオンボンバード方法を提供する。
【解決手段】イオンボンバード装置１Ａは、ウエブＷの導入口と導出口と希ガス導入部４と両端部に軸受け８３とが形成されてガスボックス３Ａ内に、表面が誘電体層で被覆されたガイドロール型電極８を軸受け３ｂで軸支し、希ガス導入部４から例えば、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅの希ガスを導入し、高圧ガス状態の雰囲気内でガイドロール型電極８にパルス状高電圧を印加することによりガスボックス３Ａ内の希ガスをイオン化し、導入口から導入され、ガイドロール型電極８の円周面に沿って走行し、導出口から導出されるウエブＷの表面にイオンを引き込む。 （もっと読む）

【課題】シート状圧電センサを使用することによって、検出対象物の異常状態を低コストで高感度かつ高精度に検出できるようにした異常状態検出方法およびその方法に使用するシート状圧電センサを提供する。
【解決手段】検出対象物に可撓性を有するシート状の圧電センサ１を密着させて固定する手順と、前記検出対象物からの音響振動を前記圧電センサによって検出する手順と、前記音響振動の検出信号により前記検出対象物の異常状態を判別する手順とを有する異常状態検出方法である。そして、前記圧電センサは、可撓性を有するシート状の基板３上に圧電層４として、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化亜鉛およびニオブ酸リチウムから選択された一つの圧電性金属化合物を主成分とする薄膜を形成したものである。 （もっと読む）