【課題】磁場フィルタ付カソーディックアーク放電を用いた磁気ディスク炭素保護膜の形成方法において、粒径が１ミクロンメートル未満の荷電性異物の発生を抑制する。
【解決手段】炭素を主成分とするカソード１３のアーク放電によりプラズマを発生し、発生したプラズマを第１の磁場ダクト１７により保持し、第２の磁場ダクト１８により処理室２７に輸送し、処理室に配置された磁気ディスク基板２３に炭素保護膜を形成する。このとき、第１の磁場ダクト１７により発生する磁束密度の方向１６に対して第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度の方向１７を反対方向とし、第１の磁場ダクトと第２の磁場ダクトの間に生成される零磁束平面１２が、カソードの最表面１１と空間的に一致するように、第１磁場ダクト１７及び第２の磁場ダクト１８により発生する磁束密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】数万回程度のアーク照射回数の全段階に亘り、ほぼ均一な微小粒子径の蒸着材を得ることのできるアークプラズマ蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材からなるカソード電極１と、絶縁ガイシ４と、トリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体が筒状のアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が減圧容器８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備するアークプラズマ蒸着装置１００であり、電極間に印加される電圧を制御する電圧制御部８０をさらに有していて、沿面放電によってカソード電極１の一部が溶融してできる金属フレークが、カソード電極１と絶縁ガイシ４の間を掛け渡した姿勢で無端リング状に形成されるまでの間は相対的に低い電圧が印加され、無端リング状の金属フレークが形成された後は相対的に高い一定電圧が印加される電圧制御が電圧制御部８０にて実行される。 （もっと読む）

【課題】 高担持密度で粒径の微小な金属触媒を製造することのできるアークプラズマ蒸着装置とアークプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】 アークプラズマ蒸着装置１００Ａは、電源２０とアーク蒸着源１０からなるアークプラズマ発生装置と、該アークプラズマ発生装置に連通するとともに被蒸着材をその内部に収容または載置し、その内部が減圧雰囲気に調整される減圧容器８と、被蒸着材を冷却する冷却装置８０と、を備えており、略３０ｅＶのピークエネルギのアークプラズマが照射されるものである。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、マクロパーティクルを含まない良質の薄膜を高い成膜レートで形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ分離部２０とパーティクルトラップ部３０との境界部分には逆磁場発生コイル３２が設けられており、この逆磁場発生コイル３２の磁場によりパーティクルトラップ部３０に入ろうとするイオンを押し戻される。これにより、成膜チャンバ５０に入るイオンの量が増加し、成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】反射電子帰還電極を含むＵＲ式プラズマガンを複数有するプラズマ処理装置において、膜厚及び膜質の均一な膜を安定的に成膜できるようにする
【解決手段】少なくとも１つのＵＲ式プラズマガンの電位をフローティング電位にする。すべてのＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。一つのＵＲ式プラズマガンのみを接地し、他のＵＲ式プラズマガンをフローティング電位にしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の向きにかかわらず、均一に処理することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】中間電極から引き出されたプラズマに磁界を印加して扁平に広げ、さらに、磁界を印加して、凸型のプラズマ１１に変形させる。基板保持部１６は、基板６を保持する面が、プラズマ１１に対して凹型のドーム状である。これにより、均一なプラズマを基板に接触させることができる。また、坩堝８として開口径が、基板ホルダー１６の径より小さいものを用いることより、基板６到達時の蒸気量を基板６上で均一にすることができ、イオンプレーティングによる均一成膜が可能である。 （もっと読む）

本発明は、アークソースを作動させる方法に関するものであり、電気火花放電がターゲット（５）の表面で点火または作動し、火花放電には、直流電圧ＤＶが割り当てられた直流電流と、周期的に印加される電圧信号によって生成されるパルス電流とが同時に供給される。このときアークソースの電圧は数マイクロ秒のうちに上昇し、または、電圧信号の信号形状は実質的に自由に調整可能である。
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アノード（９）とカソード（７＝との間の真空プラズマ放電を用いてワークピースまたは基板の表面を処理し、このような処理により、アノード材料の直流インピーダンス比よりも高い直流インピーダンス比を有する固体（１９）がアノード表面（２１）上に形成および堆積する場合、当該アノード表面の少なくともある部分を、遮蔽プラズマ（２５）を当該部分に確立することにより、このような堆積物から遮蔽する。
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【課題】効率よくプラズマガン内部を減圧することができ、また、成膜装置の更なる低コスト化、成膜装置の製造工程時間の短縮化を図ることができるプラズマガン及びそれを備える成膜装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な筒体２２と、一方の主面が筒体２２の一方の端面を閉鎖するように配置された蓋部材２３と、蓋部材２３の主面に配置されたカソード４１と、を有するカソードユニット１と、一方の主面が筒体２２の他方の端面を閉鎖するように配置され、円筒状の中空部を有する板状の中間電極２と、を備え、カソードユニット１には、筒体２２の内部を排気して減圧する第１減圧装置５と接続される第１排気口４６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】導電性部材間の短絡を抑制することができる絶縁フランジを提供することを目的とする。
【解決手段】その両端面が一対の導電性部材とそれぞれ接触するように、一対の導電性部材の間に介在し、締結部材４５により導電性部材に締結される絶縁性の環状の第１部材４３ａと、その両端面が導電性部材に接触しないように、第１部材４３ａの内孔に嵌挿された絶縁性の環状の第２部材４３ｂと、を備える、絶縁フランジ。 （もっと読む）