【課題】アークをプラズマ源とし、成膜面に付着するマクロパーティクル数を低減しつつ、高い成膜レートで良質な薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ輸送部４０は、プラズマの流路に沿って相互に電気的に絶縁された２つの電場フィルタ部４０ａ，４０ｂに分割されている。プラズマ分離部２０側の電場フィルタ部４０ａには例えば−２０Ｖの電圧が印加され、成膜チャンバ５０側の電場フィルタ部４０ｂには例えば−５Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマの放出効率を改善した、プラズマ成膜装置用の高効率な圧力勾配型プラズマガンを提供すること。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン１００が、主電極１２と、プラズマ生成用ガスを噴射するガス供給部１１と、少なくとも前記主電極及び前記ガス供給部を保護する電極保護部１３，１６と、主電極支持部１５と、プラズマ放出口１６ａと、を備え、前記プラズマ放出口と対面状態で前記主電極が前記主電極支持部により前記電極保護部の内部に配設され、少なくとも前記プラズマ放出口に対向する前記主電極の所定の領域に、貫通孔が形成されていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一な成膜を行うことができるＤＣアークプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマガン４及び陽極部５と、反応容器３と、を備え、プラズマガン４及び陽極部５は、プラズマＰを発生させ、反応容器３は、プラズマガン４及び陽極部５が互いに対向するように取り付けられると共に発生させたプラズマＰをその内部で囲うように設けられた反応室６と、反応室６に隣接しその内部に基板２が配置される成膜室７と、を含んでいる。反応室６と成膜室７との間の対向壁部８ｃには、プラズマＰによって活性化させた原料ガスが通過する孔が複数形成され、反応室６の壁部８は、絶縁体で構成されている。このＤＣアークプラズマＣＶＤ装置１によれば、反応室６の壁部８に電流が流れ込んで放電空間内の電流密度が不均一になるのを抑制でき、成膜速度のばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマに混入する帯電ドロップレット及び中性ドロップレットをより効率的に除去でき、高純度プラズマによる成膜等の表面処理精度の向上を図る。
【解決手段】プラズマ発生部Ａとプラズマ輸送管Ｂとプラズマ処理部Ｃを含むプラズマ処理装置において、プラズマ輸送管の始端側と終端側に絶縁体ＩＳ及び絶縁体ＩＦを介し、プラズマ輸送管Ｂをプラズマ発生部Ａとプラズマ処理部Ｃから電気的に独立させた絶縁体介装型プラズマ処理装置を構成する。プラズマ輸送管Ｂを中間絶縁体ＩＩ１を介して複数の小輸送管Ｂ０１、Ｂ２３に分割し、各小輸送管を電気的に独立させる。プラズマ輸送管又は複数の小輸送管を電気的浮動状態にし、又は輸送管用バイアス電源ＥＢ０１、ＥＢ２３を接続して、プラズマ輸送管又は小輸送管の電位をＧＮＤ、可変正電位又は可変負電位に設定可能にする。又、小輸送管を屈曲状に連接して幾何学的構造でドロップレットを除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、持続的に真空アーク放電を保持することができる真空アーク放電発生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空中でアーク電源を介して接続される陰極と陽極との間にアーク放電を発生させ、前記陰極と前記陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介して主閉回路を形成する真空アーク放電発生装置において、装置内に副陽極を配置し、少なくとも前記陰極と前記副陽極と前記アーク電源とが真空アークプラズマを介した副閉回路を形成し、前記副閉回路に副陽極を介してアーク放電の状態を計測するモニター装置を配設することを特徴とする真空アーク放電発生装置である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、流れるワーキングガスを供給しながらアーク放電によって束縛されたプラズマビームを生成させるための、前記ワーキングガスの流れの中で互いに距離をあけて配置された２つの電極及びこれらの２つの電極間に電圧を発生させる電圧源を有するビーム発生器に関する。
【解決手段】
前記電圧源は、アーク放電のための点弧電圧とパルス周波数とを有する電圧パルスを生成し、この電圧パルスは、前後して続く２つの電圧インパルス間ごとにアークを消弧することができる。
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【課題】真空チャンバー内の真空状態を保持すると共に、冷却媒体収容部内での電食を防いで耐久性の向上を図ることができる電流導入構造を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー３内の補助陽極９に電流を導入する電流導入構造２０において、コイル１７及び冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５と、コイル１７の余剰部分となる絶縁導線部１９と、水冷ジャケット１５の外周壁部１５ｅに設けられると共に、水冷ジャケット１５の周囲の真空を保持しながら絶縁導線部１９が貫通して絶縁導線部１９の先端を真空側に露出させるシール構造部２３と、を備える。その結果、冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５内において絶縁導線部１９と他の導体部との間での接点を設ける必要が無くなり、冷却水Ｗａによる電食の虞を低減でき、コイル１７の耐久性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜速度を確保したまま、被処理物に到達するドロップレット量を低減化すると共に、メンテナンス性の優れたプラズマ発生装置及び同加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、真空アーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部２と、プラズマ進行路３０と、前記陰極１０から副生されるドロップレット４４をプラズマ流１４から分離させるために前記陰極１０の正面方向に開口を有する１つ以上のドロップレット捕集部６から構成され、前記プラズマ流１４を前記プラズマ進行路３０に沿って前記ドロップレット捕集部６以外の方向に屈曲させるプラズマ発生装置２において、前記ドロップレット捕集部６内に前記ドロップレット４４を静電付着させる１つ以上の静電電極８を有する静電トラップ７が設けられるプラズマ発生装置２及び同加工装置１である。 （もっと読む）

【課題】第１部材と第２部材とを締結部材を用いて締結する際にこれらの間に介在された部材（すなわち絶縁フランジ）が破壊されるのを防止する。
【解決手段】真空成膜装置１０の一部を構成する絶縁フランジ構造Ｆ１は、「第１部材」としての中間電極４８と「第２部材」としての第１筒状部２６とを絶縁性を確保しつつ接合するものであり、絶縁性を有し、中間電極４８と第１筒状部２６との間に配設された環状の絶縁フランジ５６と、絶縁フランジ５６よりも弾性が高く、かつ、靭性が高い材料によって形成され、中間電極４８および第１筒状部２６のそれぞれと絶縁フランジ５６との間に隙間Ｇを確保するようにしてこれらの間に配設された環状の弾性フランジ５８ａ，５８ｂと、中間電極４８と第１筒状部２６とを絶縁フランジ５６を介して締結するボルト６２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高速で連続的に走行する基材に対する塗布液の濡れ性を向上させ、薄膜化のために塗布液の希釈率を上昇させた際にも擦れ等の欠陥が発生しないロール塗布方法およびロール塗布装置を提供する。
【解決手段】３ロールコーターにおいて、アプリケーターロール３の位置より上流側の位置にプラズマ照射装置９を設置し、このプラズマ照射装置９からのプラズマ照射によって、基材１の表面を改質して濡れ性が良好な状態にしてから、アプリケーターロール３で塗布液７を塗布する。 （もっと読む）