アンテナ装置およびアンテナモジュール
【課題】アンテナ装置の高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができるアンテナ装置およびアンテナモジュールを提供すること。
【解決手段】本発明ンおアンテナ装置２は、樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板２１と、誘電体基板２１内に埋設され、金属材料で構成された反射器２４と、誘電体基板２１の一方の面側に設けられた第１の導体膜２２とを備える。また、誘電体基板２１の他方の面側には、第２の導体膜２３が設けられている。
【解決手段】本発明ンおアンテナ装置２は、樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板２１と、誘電体基板２１内に埋設され、金属材料で構成された反射器２４と、誘電体基板２１の一方の面側に設けられた第１の導体膜２２とを備える。また、誘電体基板２１の他方の面側には、第２の導体膜２３が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ装置およびアンテナモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波の電磁波を受信・送信するアンテナ装置としては、誘電体基板上に導体膜で構成されたアンテナ素子を設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載されたアンテナ装置は、セラミックで構成された複数の誘電体層が重ねられることで形成された多層構造の誘電体基板と、その所定の誘電体層同士の間に挟まれるように配置された平面アンテナ（導体膜）と、平面視したときに平面アンテナを囲むように各誘電体層同士の間に配置された複数の金属環と備えている。
【０００４】
このようなアンテナ装置は、上述したような複数の金属環を設けることにより、小型化および高利得化を図ることができる。
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のアンテナ装置では、各誘電体層がセラミックで構成されているため、装置の高コスト化を招くと言う問題がある。
【０００６】
特に、特許文献１に記載のアンテナ装置では、高利得化を図るために誘電体層と金属環とを交互に多数積層しなければならず、製造工程が複雑化し、その結果、かかる問題が顕著となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２０６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、アンテナ装置の高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができるアンテナ装置、および、かかるアンテナ装置を備えるアンテナモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１７）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に埋設され、金属材料で構成された反射器と、
前記誘電体基板の一方の面側に設けられた導体膜とを備えることを特徴とするアンテナ装置。
【００１０】
（２） 前記反射器は、前記誘電体基板の前記一方の面側から他方の面側に向けて漸次拡がるような形状をなす内周面を有する上記（１）に記載のアンテナ装置。
【００１１】
（３） 前記反射器の前記内周面は、前記誘電体基板の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている上記（２）に記載のアンテナ装置。
【００１２】
（４） 前記反射器の前記内周面は、放物面またはそれに類似する面で構成されている上記（３）に記載のアンテナ装置。
【００１３】
（５） 前記導体膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、アンテナ素子を構成する導体パターンを含む上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１４】
（６） 前記導体膜は、前記誘電体基板の前記一方の面付近に埋設されている上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１５】
（７） 前記誘電体基板の他方の面側には、金属膜が設けられている上記（２）ないし（６）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１６】
（８） 前記金属膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、無給電素子を構成する金属パターンを含む上記（７）に記載のアンテナ装置。
【００１７】
（９） 前記金属膜は、前記誘電体基板の前記他方の面付近に埋設されている上記（７）または（８）に記載のアンテナ装置。
【００１８】
（１０） 前記反射器は、金属板をプレス成形して得られたものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１９】
（１１） 前記樹脂材料の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率が、２．７以下であり、誘電正接が１×１０−３未満である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２０】
（１２） 前記樹脂材料のガラス転移点は、２００℃以上である上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２１】
（１３） 前記樹脂材料は、硬化性樹脂または重合性樹脂である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２２】
（１４） 前記重合性樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（１３）に記載のアンテナ装置。
【００２３】
（１５） ミリ波の受信および送信のうちの少なくとも一方を行う上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２４】
（１６） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載のアンテナ装置と、
前記導体膜に電気的に接続された電子部品とを備えることを特徴とするアンテナモジュール。
【００２５】
（１７） 前記電子部品は、電磁波の送信および受信のうちの少なくとも一方を行う半導体素子を備えている上記（１６）に記載のアンテナモジュール。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のアンテナ装置によれば、誘電体基板が樹脂を主材料として構成されているので、任意の形状の反射器を誘電体基板内に簡単に埋設させることができる。そのため、かかるアンテナ装置は、高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができる。
【００２７】
また、かかるアンテナ装置を備えるアンテナモジュールも、高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態にかかるアンテナモジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図４】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図６】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図７】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明のアンテナ装置およびアンテナモジュールの実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３０】
図１は、本発明の第１実施形態にかかるアンテナモジュールの概略構成を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示すアンテナモジュール１は、マイクロ波やミリ波等の電磁波を送信・受信するものである。
【００３２】
このアンテナモジュール１は、図２に示すように、アンテナ装置２と、電子部品３と、導体部４１、４２、４３とを有し、アンテナ装置２と電子部品３とが導体部４１、４２、４３を介して電気的に接続されている。
【００３３】
このようなアンテナモジュール１においては、アンテナ装置２で受信した電磁波を電子部品３で処理したり、電子部品３からの給電によりアンテナ装置２が電磁波を送信したりする。なお、アンテナモジュール１は、電磁波の送信のみを行うものであってもよいし、電磁波の受信のみを行うものであってもよい。
【００３４】
以下、アンテナモジュール１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（アンテナ装置）
アンテナ装置２は、図２に示すように、誘電体基板２１と、この誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、誘電体基板２１の他方の面側（図２にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３と、誘電体基板２１内に埋設された反射器２４とを有している。
【００３５】
［誘電体基板］
誘電体基板２１は、板状をなしている。本実施形態では、誘電体基板２１は、平面視にて、正方形をなしている。なお、誘電体基板２１の平面視形状は、正方形に限らず、任意であり、例えば、長方形、台形、平行四辺形、菱形等の他の四角形であってもよいし、３角形、５角形等の他の多角形や、円形、楕円形等であってもよい。
この誘電体基板２１は、樹脂材料を主材料として構成されている。
【００３６】
すなわち、誘電体基板２１は、樹脂（前記樹脂材料）を構成する低分子量成分を主材料として構成された液状の組成物を硬化することにより形成されたものである。なお、誘電体基板２１の構成材料については、後述するアンテナ装置２（アンテナモジュール１）の製造方法の説明において、詳述する。
【００３７】
また、誘電体基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０５〜５０ｍｍ程度である。
【００３８】
［反射器］
反射器２４は、前述した誘電体基板２１内に埋設されている。これにより、アンテナ装置２の小型化を図りつつ、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００３９】
反射器２４は、電磁波を反射する機能を有する。この反射器２４は、金属材料で構成されている。また、本実施形態では、反射器２４は、図示しない配線を介して接地されている。
【００４０】
また、反射器２４は、誘電体基板２１を平面視したときに、環状をなしている。そして、反射器２４は、誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）から他方の面側（図２にて上面側）に向けて延びる壁状をなしている。
【００４１】
本実施形態では、反射器２４は、誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）から他方の面側（図２にて上面側）に向けて漸次拡がるように形成された内周面２４１を有する。これにより、反射器２４の内周面２４１が電磁波を好適に反射して、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００４２】
また、反射器２４の内周面２４１は、誘電体基板２１の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている。これにより、アンテナ装置２のアンテナ利得を簡単かつ確実に高めることができる。
【００４３】
そして、反射器２４の内周面２４１は、放物面またはそれに類似する面で構成されている。これにより、後述する第２の導体膜２３を１次反射器として機能させるとともに、反射器２４を２次反射器として機能させることにより、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００４４】
このような反射器２４は、金属板をプレス成形して得られたものである。これにより、反射器２４の寸法精度を高めることができる。その結果、所望の周波数の電磁波におけるアンテナ利得をより確実に高めることができる。また、このようなプレス成形は、従来のように金属層をセラミックス層と交互に複数回形成するよりも、簡単かつ安価である。なお、反射器２４の製造方法については、後に詳述する。
【００４５】
このような反射器２４の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、反射器２４の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）が好適に用いられる。
【００４６】
また、反射器２４の大径側の端部における内径（内周面２４１の径）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数や第２の導体膜２３の大きさ等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１０〜２００ｍｍ程度である。
【００４７】
また、反射器２４の壁厚は、特に限定されないが、例えば、０．０５〜５ｍｍ程度である。
【００４８】
［第１の導体膜］
第１の導体膜２２は、前述した誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）に設けられている。
【００４９】
より具体的には、第１の導体膜（導体膜）２２は、誘電体基板２１の一方の面（図２にて下面）付近に埋設されている。本実施形態では、誘電体基板２１の下面と第１の導体膜２２の下面とで平坦面をなすように、第１の導体膜２２が誘電体基板２１の下面付近に埋設されている。これにより、誘電体基板２１の前記一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られるアンテナ装置２の実装性を向上させることができる。
【００５０】
また、第１の導体膜２２には、アンテナ素子２２１と、１対の電極２２２、２２３と、１対の接続電極２２４、２２５とが形成されている。すなわち、第１の導体膜２２は、アンテナ素子２２１を構成する導体パターンと、１対の電極２２２、２２３を構成する導体パターンと、１対の接続電極２２４、２２５を構成する導体パターンとを含んでいる。
【００５１】
アンテナ素子２２１は、電子部品３からの給電により、電磁波を放射する機能を有するもの（給電素子）である。
【００５２】
このアンテナ素子２２１は、誘電体基板２１を平面視したときに、前述した反射器２４の内側に位置している。これにより、アンテナ素子２２１から放射された電磁波を反射器２４で反射して、アンテナ装置２の高利得化を図ることができる。
【００５３】
本実施形態では、アンテナ素子２２１は、平面視にて、４角形をなしている。なお、アンテナ素子の平面視形状は、４角形に限定されず、例えば、５角形、６角形等の他の多角形状、円形、楕円形等であってもよい。
【００５４】
このようなアンテナ素子２２１の一辺の長さ（平面視形状が円形である場合には直径）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、前述したように誘電体基板２１を平面視したときに反射器２４の内側に位置し得る長さであれば、特に限定されないが、例えば、１〜５０ｍｍ程度である。
【００５５】
また、電極２２２は、図示しない配線を介して、接続電極２２４に電気的に接続され、また、電極２２３は、図示しない配線を介して、接続電極２２５に電気的に接続されている。
【００５６】
このような第１の導体膜２２の構成材料としては、特に限定されず、有機導電性材料や金属材料等の各種導電性材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が好適に用いられる。
【００５７】
また、このような第１の導体膜２２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００５８】
［第２の導体膜］
第２の導体膜２３は、前述した誘電体基板２１の他方の面側（図２にて上面側）に設けられている。
【００５９】
より具体的には、第２の導体膜（導体膜）２３は、誘電体基板２１の他方の面（図２にて上面）付近に埋設されている。本実施形態では、誘電体基板２１の上面が平坦面をなすように、第２の導体膜２３が誘電体基板２１の上面付近に埋設されている。すなわち、第２の導体膜２３の下面と、誘電体基板２１の上面のうちの第２の導体膜２３が埋設されていない部分とが同一面となるように、第２の導体膜２３が誘電体基板２１の上面付近に埋設されている。
この第２の導体膜２３は、金属材料で構成された金属膜である。
【００６０】
本実施形態では、第２の導体膜２３は、誘電体基板２１を平面視したときに、前述した反射器２４の内側に位置する無給電素子を構成する導体パターン（金属パターン）である。
【００６１】
また、第２の導体膜２３は、誘電体基板２１を平面視したときに、円環状をなしている。ここで、第２の導体膜２３の内周部２３１で囲まれた領域がスロットを構成する。なお、第２の導体膜２３の平面視形状は、円環状に限定されず、例えば、四角環状、五画環状等の他の環状をなしていてもよいし、四角形、五角形等の多角形、円形、楕円形等の環状以外の形状をなしていてもよい。また、第２の導体膜２３は、分割された複数の導体膜で構成されていてもよい。この場合、複数の導体膜同士の間の領域がスロットを構成する。
【００６２】
このような第２の導体膜２３は、反射器（１次反射器）として機能させることができる。本実施形態では、第２の導体膜２３は、前述した反射器２４の放物面またはこれに類似する面で構成された内周面２４１の焦点付近に設けられている。これにより、第２の導体膜を１次反射器として機能させるとともに反射器２４を２次反射器として機能させて、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００６３】
なお、第２の導体膜２３は、反射器として機能する導体パターン以外の導体パターンを含んでいてもよい。例えば、第２の導体膜２３は、電磁波の送信・受信や信号の伝達に関与しないダミー回路が形成された導体パターンを含んでいてもよい。このようなダミー回路を適宜形成することにより、第１の導体膜２２と誘電体基板２１との間の残留応力を緩和することができる。
【００６４】
このような第２の導体膜２３の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が挙げられる。
【００６５】
このような第２の導体膜２３の内周部２３１の直径（スロットの幅）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、例えば、１〜５０ｍｍ程度である。
【００６６】
また、第２の導体膜２３（１次反射器）の外径は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、前述したように反射器２４の大径側の端部における内周面２４１の径よりも小さければ、特に限定されないが、例えば、２〜７０ｍｍ程度である。
【００６７】
また、このような第２の導体膜２３の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００６８】
（電子部品）
電子部品３は、例えばＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）であり、前述したアンテナ素子２２１に給電する機能を有する。
【００６９】
また、電子部品３に搭載される回路としては、特に限定されないが、例えば、信号の周波数を小さく変換する機能を有するダウンコンバータ回路、信号の周波数を大きく変換する機能を有するアップコンバータ回路、信号を増幅する機能を有する増幅回路、電磁波を送信するための送信回路、電磁波を受信するための受信回路、信号を変調する機能を有する変調回路、信号を復調する機能を有する復調回路等が挙げられ、特に、電子部品３には、送信回路および受信回路の少なくとも一方の回路が搭載される。
【００７０】
このような電子部品３には、図示しない複数の端子が設けられており、これらの端子には、導体部４２を介してアンテナ素子２２１に電気的に接続され、導体部４１を介して電極２２２に電気的に接続され、導体部４３を介して電極２２３に電気的に接続されている。これにより、１対の接続電極２２４、２２５と電子部品３とが１対の電極２２２、２２３および導体部４１、４３を介して電気的に接続される。そして、電子部品３が導体部４２を介してアンテナ素子２２１に給電することができる。
【００７１】
（導体部）
各導体部４１、４２、４３は、各種ハンダ、各種ろう材等で構成されている。例えば、各導体部４１、４２、４３を構成するハンダまたはろう材としては、Ｓｎ−Ｐｂ系の鉛ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ系の各種鉛フリーハンダ、ＪＩＳに規定された各種低温ろう材等が挙げられる。
【００７２】
以上説明したように構成されたアンテナモジュール１およびアンテナ装置２によれば、誘電体基板２１が樹脂材料を主材料として構成されているので、安価に製造することができる。
【００７３】
また、かかるアンテナ装置２は、反射器２４が設けられているので、高利得化を図ることができる。
【００７４】
また、かかるアンテナ装置２によれば、反射器２４が誘電体基板２１内に埋設されているため、小型化を図ることができる。
【００７５】
＜アンテナ装置の製造方法＞
次に、前述したアンテナモジュール１の製造方法の一例を説明する。
【００７６】
図３ないし図７は、それぞれ、図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【００７７】
図２に示すアンテナモジュール１の製造方法は、［１］アンテナ装置２を製造する工程と、［２］アンテナ装置２と電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【００７８】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１］アンテナ装置２の製造工程（アンテナ装置の製造方法）
［１−１］反射器２４の形成工程
まず、反射器２４を製造する。
【００７９】
具体的には、まず、図３（ａ）に示すように、金属板１２４を用意する。
この金属板１２４は、前述した反射器２４を形成するためのものである。この金属板１２４は、前述した反射器２４の構成材料と同様の金属材料で構成されている。
【００８０】
そして、図３（ｂ）に示すように、凸型の成形面１０１ａを備える第１の型１０１と、凹型の成形面１０２ａを備える第２の型１０２とを用いて、金属板１２４をプレス成形する。ここで、第１の型１０１の成形面１０１ａは、反射器２４の内周面の形状に対応した形状をなし、第２の型１０２の成形面１０２ａは、反射器２４の外周面の形状に対応した形状をなしている。
【００８１】
かかるプレス成形により、図３（ｃ）に示すように、反射器２４が得られる。
なお、プレス成形後に、バリ等の不要部分を除去するために、必要に応じて、反射器２４に化学研磨やレーザー加工等を施してもよい。
【００８２】
［１−２］第１の導体膜２２の形成工程
一方、図４（ａ）に示すように、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２を用意する。
【００８３】
この第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第１の導体膜１２２は、例えば、第１のキャリア１０３上を覆うように一様に形成されている。また、第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２の構成材料と同様の導電性材料で構成されている。
【００８４】
この第１の導体膜１２２の平均厚さ（第１の導体膜２２の平均厚さ）は、第１の導体膜１２２の構成材料や第１の導体膜２２に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００８５】
第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２を支持するものである。また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２をパターンニングして形成された第１の導体膜２２をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−６］において除去されるものである。
【００８６】
また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第１のキャリア１０３と第１の導体膜１２２とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−６］において、簡単かつ確実に、第１のキャリア１０３を除去することができる。
【００８７】
この第１のキャリア１０３の構成材料としては、第１のキャリア１０３が第１の導体膜１２２（第１の導体膜２２）を支持することができれば、特に限定されず、各種樹脂材料等の有機材料、各種金属材料や各種セラミックス材料等の無機材料を用いることができるが、後述するキャリア除去工程［１−６］におけるキャリア除去の容易性の観点から、樹脂材料、金属材料が好適に用いられる。
【００８８】
また、第１のキャリア１０３の平均厚さとしては、第１のキャリア１０３の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−６］における第１のキャリア１０３の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第１のキャリア１０３が銅等の金属材料で構成されている場合、１０〜１０００μｍ程度である。第１のキャリア１０３の厚さをこのような範囲とすることにより、後述する各工程において、第１のキャリア１０３と第１の導体膜２２とが接合されてなる接合体の取り扱い性を良好なものとすることができる。また、第１のキャリア１０３を所望時に簡単かつ確実に除去することができる。
【００８９】
例えば、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２をそれぞれ銅で構成した場合、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製 MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【００９０】
なお、本実施形態では、第１のキャリア１０３の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第１のキャリア１０３の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第１のキャリア１０３の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−５］において、第１のキャリア１０３および第１の導体膜２２の不本意な変形を抑えることができる。その結果、所望の形状を有する誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【００９１】
そして、図４（ｂ）に示すように、第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。
【００９２】
第１の導体膜１２２のパターンニング法としては、特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせた方法、レーザー加工等が挙げられる。
【００９３】
［１−３］第２の導体膜２３の形成工程
また、図４（ｃ）に示すように、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３を用意する。
【００９４】
この第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第２の導体膜１２３は、例えば、第２の導体膜１２３は、第２のキャリア１０４上を覆うように一様に形成されている。また、第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３の構成材料と同様の金属材料で構成されている。
【００９５】
この第２の導体膜１２３の平均厚さ（第２の導体膜２３の平均厚さ）は、第２の導体膜１２３の構成材料や第２の導体膜２３に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００９６】
第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３を支持するものである。また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３をパターンニングして形成された第２の導体膜２３をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−６］において除去されるものである。
【００９７】
また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第２のキャリア１０４と第２の導体膜１２３とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−６］において、簡単かつ確実に、第２のキャリア１０４を除去することができる。
【００９８】
この第２のキャリア１０４の構成材料としては、第２のキャリア１０４が第２の導体膜１２３を支持することができれば、特に限定されず、前述した第１のキャリア１０３と同様のものを用いることができる。
【００９９】
また、第２のキャリア１０４の平均厚さとしては、第２のキャリア１０４の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−６］における第２のキャリア１０４の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第２のキャリア１０４が銅等の金属材料で構成されている場合、３０〜１００μｍ程度である。
【０１００】
このような第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体は、前述した第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体と同じものを用いることができる。
【０１０１】
例えば、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３をそれぞれ銅で構成した場合、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製 MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【０１０２】
なお、本実施形態では、第２のキャリア１０４の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第２のキャリア１０４の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第２のキャリア１０４の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−５］において、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状を有する誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【０１０３】
そして、図４（ｄ）に示すように、第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。
【０１０４】
第２の導体膜１２３のパターンニング法としては、特に限定されず、前述した第１の導体膜１２２のパターンニング法と同様の方法を用いることができる。
【０１０５】
［１−４］組成物供給工程
（１−４ａ）
次に、図５（ａ）に示すように、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【０１０６】
この容器１０５は、収納部Ｃ１の下面が平坦面で構成されている。すなわち、容器１０５は、平坦面で構成された底面１０５ａを有している。この容器１０５は、底面１０５ａが水平となるように設置されるのが好ましい。これにより、後述する基板形成工程［１−５］において、厚さの均一な誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【０１０７】
また、容器１０５の内周面には、離型処理が施されていてもよい。これにより、後述する工程（１−６ａ）において、誘電体基板２１を容器１０５から簡単に取り出すことができる。かかる離型処理としては、特に限定されないが、例えば、容器１０５の内周面にフッ素系やシリコーン系の離型剤を塗布する処理等が挙げられる。
【０１０８】
なお、図５の図示では、容器１０５が１部材で構成されているが、容器１０５を分割可能な複数の部材で構成（例えば、底板と枠体とで構成）してもよい。これにより、後述する工程（１−６ａ）において、容器１０５から誘電体基板２１を容易に取出すことができる。
【０１０９】
（１−４ｂ）
そして、図５（ｂ）に示すように、容器１０５の底面１０５ａ上に、第１のキャリア１０３を第１の導体膜２２が形成された側の面を上側にして設置する。すなわち、第１のキャリア１０３の第１の導体膜２２が形成されていない側の面が容器１０５の底面１０５ａに対面かつ接するようにして、第１のキャリア１０３を収納部Ｃ１内に設置する。
【０１１０】
次いで、図５（ｃ）に示すように、第１の導体膜２２の第１のキャリア１０３とは反対の面側に、反射器２４を設置する。このとき、反射器２４は、容器１０５の収納部Ｃ１内に収められている。また、このとき、反射器２４を、第１の導体膜２２または第１のキャリア１０３に、エポキシ樹脂系接着剤やフェノール樹脂系接着剤等により固定してもよい。
【０１１１】
なお、本工程（１−４ｂ）は、第１の導体膜２２の第１のキャリア１０３とは反対の面側に反射器２４を設置した後に、容器１０５の底面１０５ａ上に第１のキャリア１０３を設置してもよい。
【０１１２】
（１−４ｃ）
次に、図６（ａ）に示すように、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【０１１３】
この液状の組成物１２１は、後述する基板形成工程［１−５］において、硬化または重合させることにより、誘電体基板２１を形成するためのものである。
【０１１４】
したがって、収納部Ｃ１への組成物１２１の供給量は、誘電体基板２１が所望の厚さとなるように調整する。その際、後述する基板形成工程［１−５］における組成物１２１の硬化または重合に伴う収縮量等を考慮して、かかる供給量を設定する。
【０１１５】
このような液状の組成物１２１は、樹脂の低分子量成分を主成分として構成されている。
【０１１６】
かかる硬化性樹脂としては、誘電体基板２１に必要な機能を実現し得るものであれば、特に限定されず、各種熱硬化性樹脂の低分子量成分、各種熱可塑性樹脂の低分子量成分を用いることができる。
【０１１７】
また、かかる低分子量成分としては、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー、プレポリマーが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
特に、かかる硬化性樹脂の低分子量成分としては、エポキシ樹脂のプレポリマーと硬化剤の組合せを用いるのが好ましい。エポキシ樹脂は、比誘電率が比較的低く、また、ガラス転移点も比較的高い。
【０１１９】
また、熱可塑性樹脂の低分子量成分としては、重合性モノマーを用いるのが好ましい。
この重合性モノマーとしては、ノルボルネン系モノマー、（メタ）アクリル系モノマー等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
また、液状の組成物１２１は、前述したような樹脂の低分子量成分以外の成分を実質的に含まずに、加熱により硬化または重合するように構成されているのが好ましい。ここで、『実質的に含まず』とは、組成物１２１中に含まれる低分子量成分以外の成分の含有量が５％以下の状態を指す。組成物１２１がこのように構成されていると、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の構造の含有量を少なくすることができる。その結果、形成される誘電体基板２１の比誘電率を低くすることができ、高利得化を図ることができる。
【０１２１】
これらの中でも、ノルボルネン系モノマーは、重合触媒等の添加剤を少なくしても、加熱により比較的容易に重合させることができるため好ましい。
【０１２２】
また、組成物１２１に含まれるノルボルネン系モノマーは、炭化水素以外の構造（極性の大きい構造）ができるだけ少ないものが好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の比誘電率および誘電正接を低めることができる。
【０１２３】
前記ノルボルネン系モノマーとしては、特に制限はないが、下記一般式（１）で示される構造を有するノルボルネン系モノマーが好ましい。
【０１２４】
【化１】
［上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記一般式（２）で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。ｍは０〜４の整数である。］
【０１２５】
【化２】
［上記一般式（２）において、Ｒ５は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、ｎは０〜５の整数である。］
【０１２６】
上記一般式（１）中の線状または炭素数１〜２０の線状または分岐状のアルキル基としては、特に制限はないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の脆性と剛性が両立するという理由からプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
【０１２７】
上記一般式（１）中の芳香族基としては、特に制限はないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の誘電特性と耐熱性の両立という理由からフェネチル基が好ましい。
【０１２８】
上記一般式（１）中の脂環族としては、特に制限はないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。
【０１２９】
上記一般式（１）中のｍは、０〜４の整数であり、特に制限はないが、０または１が好ましい。
【０１３０】
また、上記一般式（１）中Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。これにより、誘電体基板２１の４５ＧＨｚにおける比誘電率を２．７以下に、さらに、誘電正接を１×１０−３未満にすることができる。
【０１３１】
上記一般式（２）の置換基中のＲ５は、誘電特性が優れるという理由から水素が好ましい。
【０１３２】
上記置換基中のＲ６、Ｒ７およびＲ８は、独立に、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基そして置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基であれば、特に限定されるわけではないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられる。
【０１３３】
これらの中でも、導体層２２、２３との密着性に優れるという理由からメトキシ基、エトキシ基が好ましい。
【０１３４】
前記組成物１２１の重合性モノマーとしてノルボルネン系のモノマーを適用する場合、組成物１２１は重合触媒を含むことが好ましい。
【０１３５】
前記重合触媒としては、特に制限はないが、パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒が好ましく、これらは、単独でも混合して用いてもよい。
【０１３６】
前記パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒の添加量は、モル比で１００，０００（ノルボルネン系モノマー）：０．３〜１０（パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒）であることが好ましく、１００，０００：０．５〜５であることが特に好ましい。かかる添加量とすることにより、誘電体基板２１の誘電特性を向上することができる。
【０１３７】
また、硬化または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率（誘電体基板２１の構成材料として用いられる樹脂材料の比誘電率）は、２．７以下であるのが好ましく、２．５以下であるのがより好ましい。また、硬化後または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける誘電正接は１×１０−３未満であるのが好ましく、８×１０−４未満であることが特に好ましい。これにより、マイクロ波のような波長の短い電磁波を用いた場合であっても、誘電体基板２１内での電磁波の減衰（損失）を抑えることができる。その結果、アンテナ装置２をマイクロ波用として用いた場合でも高利得化および小型化を図ることができる。
【０１３８】
ここで、比誘電率および誘電特性は、φ２０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍに切り出したものを測定サンプルとし、測定サンプルを遮断円筒導波管の導体円筒の中央にセットした。この共振器の励振および検波は先端に微小ループを持つ外径１．２ｍｍのＵＴ−４７セミリジッド同軸線路を用いた。比誘電率は共振周波数の測定値より、誘電正接はＱ値より求めた。これらの測定法は、ＪＩＳ１６６０−１、ＩＥＣ６１３３８−１−４に準ずるものである。
【０１３９】
また、硬化または重合後の組成物１２１のガラス転移点（誘電体基板２１の構成材料として用いられる樹脂材料のガラス転移点）は、２００℃以上であるのが好ましく、２５０〜３００℃であるのがより好ましい。これにより、得られるアンテナ装置２は、半田実装における耐熱性に優れたものとなる。
【０１４０】
ここで、ガラス転移温度は、組成物１２１からなる測定サンプルを準備し、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル株式会社製、型番：ＤＭＳ６１００）により、測定サンプルサイズ：４ｍｍ（幅）×２０ｍｍ（長さ）×１００μｍ（厚み）、周波数：１Ｈｚ、測定温度範囲：３０〜３００℃、昇温速度：１０℃／分により測定し、Ｔａｎδのピークが発現する温度を測定値とした。
【０１４１】
また、組成物１２１の粘度は、０．５〜２００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、１〜１５０Ｐａ・ｓであるのがより好ましい。これにより、液状の組成物１２１が所望の領域の全域に亘って容易に拡がるので、所望の形状をなす誘電体基板２１を得ることができる。なお、かかる粘度は、例えば常温（２５℃）でブルックフィールド型粘度計、Ｅ型粘度計等を用いて、測定条件０．５〜５ｒｐｍで評価することができる。
【０１４２】
なお、誘電体基板２１に必要な機能を実現し得るものであれば、組成物１２１中には、低分子成分以外の成分を含んでいてもよい。かかる低分子量成分以外の成分としては、例えば、硬化剤、硬化助剤、硬化促進剤、重合開始剤、無機充填剤、酸化防止剤等が挙げられる。また、低分子量成分は、光、放射線等で硬化または重合するものであってもよい。
【０１４３】
組成物１２１中における前記低分子量成分の含有量は、例えば、９０〜１００ｗｔ％であるのが好ましく、９５〜１００ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の含有量を少なくすることができる。
【０１４４】
（１−４ｄ）
次に、図６（ｂ）に示すように、液状の組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対の面側に、第２の導体膜２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３を設置する。すなわち、第２のキャリア１０４の第２の導体膜２３が形成されていない側の面が上方を向くようにして、第２の導体膜２３を液状の組成物１２１の液面上に設置する。
【０１４５】
以上説明したようにして、第１の導体膜２２上に反射器２４を埋めるように液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対側の面上に第２の導体膜２３を設置する。
【０１４６】
特に、この工程（組成物供給工程）［１−４］では、容器１０５の底面１０５ａ上に第１のキャリア１０３を設置した状態で、容器１０５内に組成物１２１を充填することにより、第１の導体膜２２上に組成物１２１を供給する。これにより、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる誘電体基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する誘電体基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１４７】
また、組成物１２１を容器１０５内に供給する前に、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングして第１の導体膜２２および第２の導体膜２３を形成しているので、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、容器１０５内の第１の導体膜２２および第２の導体膜２３は、それぞれ、パターンニングされている。これにより、得られるアンテナ装置２において、パターンニングされた第１の導体膜２２を前述したように誘電体基板２１の一方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、誘電体基板２１の一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。同様に、得られるアンテナ装置２において、パターンニングされた第２の導体膜２３を前述したように誘電体基板２１の他方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、誘電体基板２１の他方の面における第２の導体膜２３による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られるアンテナ装置２の実装性を向上させることができる。
【０１４８】
［１−５］誘電体基板２１を形成する工程（基板形成工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、誘電体基板２１を形成する。
【０１４９】
このとき、誘電体基板２１は容器１０５内に収納されており、その誘電体基板２１内には、反射器２４が埋設され、また、誘電体基板の一方の面側には、パターンニング済みの第１の導体膜２２が第１のキャリア１０３と接合した状態のまま埋設され、誘電体基板２１の他方の面側には、パターンニング済みの第２の導体膜２３が第２のキャリア１０４と接合した状態のまま埋設されている。
【０１５０】
すなわち、容器１０５内には、アンテナ装置２が第１のキャリア１０３と第２のキャリア１０４との間に挟持された状態で収納されている。
【０１５１】
本実施形態では、組成物１２１を硬化または重合させる。なお、図６（ｃ）では、液状の組成物１２１が加熱により硬化する場合を例として図示している。
【０１５２】
組成物１２１の加熱方法としては、特に限定されないが、例えば、加熱された熱盤上に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、加熱されたオーブン内に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、赤外線を組成物１２１に照射して加熱する方法等が挙げられる。
【０１５３】
この加熱温度は、組成物１２１の組成や加熱時間等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１を硬化または重合させて誘電体基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、３０〜２２０℃程度である。
【０１５４】
また、加熱時間は、組成物１２１の組成や加熱温度等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１を硬化または重合させて誘電体基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、１〜２４時間程度である。
【０１５５】
また、この加熱は、第２のキャリア１０４の上面を板状部材の板面等の面に貼り付けた状態で行ってもよい。これにより、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状の誘電体基板２１を容易に形成することができる。また、第２のキャリア１０４の上面に貼り付ける面の形状を適宜設定することにより、その面の形状に応じて誘電体基板２１の板面を形成することもできる。
【０１５６】
［１−６］キャリア除去工程
（１−６ａ）
次に、図７（ａ）に示すように、誘電体基板２１を第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０１５７】
（１−６ｂ）
そして、図７（ｂ）に示すように、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ誘電体基板２１から除去する。これにより、アンテナ装置２が得られる。
【０１５８】
第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の除去方法としては、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の構成材料や厚さ等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、溶剤を用いて溶かす方法、機械加工により除去する方法、剥離する方法等を用いることができる。中でも、かかる除去方法としては、剥離する方法を用いるのが好ましい。この場合、例えば、前述したような銅箔キャリア付きの極薄銅箔を用いることができる。
【０１５９】
なお、本工程［１−６］は、第２のキャリア１０４を誘電体基板２１から除去した後に、誘電体基板２１を第１のキャリア１０３と接合した状態のまま容器１０５から取出し、その後、第１のキャリア１０３を誘電体基板２１から除去してもよい。
【０１６０】
［２］アンテナ装置２と電子部品３との接続工程
その後、図７（ｃ）に示すように、導体部４１、４２、４３を介して、アンテナ装置２と電子部品３とを接続する。
【０１６１】
以上説明したようなアンテナモジュール１およびアンテナ装置２の製造方法によれば、
樹脂材料を用いて誘電体基板を形成するので、任意の形状の反射器を誘電体基板内に簡単に埋設させることができる。そのため、高利得でかつ小型なアンテナ装置を安価に製造することができる。
【０１６２】
特に、かかる製造方法によれば、前述したような容器１０５を用いているので、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる誘電体基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する誘電体基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１６３】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
例えば、本発明のアンテナ装置およびアンテナモジュールの各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０１６５】
また、前述した実施形態では、反射器をプレス成形により製造した例を説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の製造方法としては、金属ブロックを切削する方法、反射器の形状に対応した凹部または凸部の表面上に各種成膜法を用いて金属膜を形成する方法等を用いてもよい。
【０１６６】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面が放物面またはそれに類似する面で構成されている場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の内周面は、円錐面で構成されていてもよい。
【０１６７】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面の横断面が円形をなす場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の横断面形状は、四角形、五角形等の多角形等であってもよい。
【０１６８】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面が誘電体基板の一方の面側から他方の面側に向けて拡がる形状をなす場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の内周面は、誘電体基板の厚さ方向で一定となるような筒状をなしていてもよい。
【０１６９】
また、前述した実施形態では、反射器が誘電体基板の厚さ方向での略全域に亘って設けられている場合を説明したが、これに限定されず、反射器は、例えば、誘電体基板の厚さ方向での中央部のみに設けられていてもよいし、誘電体基板の厚さ方向での一部のみに設けられていてもよい。
【０１７０】
また、前述した実施形態では、給電されるアンテナ素子が反射器の小径側に設けられている場合を説明したが、これに限定されず、例えば、アンテナ素子が反射器の大径側（焦点付近）に設けられていてもよい。この場合、反射器の小径側は有底としてもよい。また、この場合、例えば、誘電体基板を貫通する貫通電極を設け、この貫通電極を介して、アンテナ素子と電子部品とを電気的に接続するように構成することができる。
【０１７１】
また、前述した実施形態では、反射器の大径側に１次反射器として機能する導体膜を設けた場合を説明したが、この導体膜を省略してもよい。
【０１７２】
また、前述した実施形態では、半田やろう材等で構成された導体部を介して第１の導体膜と電子部品とを電気的に接続した場合を説明したが、これに限定されず、例えば、第１の導体膜と電子部品との間に、両面プリント基板を介在させ、この両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ電気的に接続してもよい。この場合、両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ半田やろう材等を介して電気的に接続してもよいし、第１の導体膜が両面プリント基板の一方の面の導体膜を兼ねていてもよい。また、電子部品と第１の導体膜とは、電磁結合により電気的に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【０１７３】
１ アンテナモジュール
２ アンテナ装置
３ 電子部品
２１ 誘電体基板
２２ 導体膜
２３ 導体膜
２４ 反射器
４１ 導体部
４２ 導体部
４３ 導体部
１０１ 第１の型
１０１ａ 成形面
１０２ 第２の型
１０２ａ 成形面
１０３ 第１のキャリア
１０４ 第２のキャリア
１０５ 容器
１０５ａ 底面
１２１ 組成物
１２２ 第１の導体膜
１２３ 第２の導体膜
１２４ 金属板
２２１ アンテナ素子
２２２ 電極
２２３ 電極
２２４ 接続電極
２２５ 接続電極
２３１ 内周部
２４１ 内周面
Ｃ１ 収納部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ装置およびアンテナモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波の電磁波を受信・送信するアンテナ装置としては、誘電体基板上に導体膜で構成されたアンテナ素子を設けたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載されたアンテナ装置は、セラミックで構成された複数の誘電体層が重ねられることで形成された多層構造の誘電体基板と、その所定の誘電体層同士の間に挟まれるように配置された平面アンテナ（導体膜）と、平面視したときに平面アンテナを囲むように各誘電体層同士の間に配置された複数の金属環と備えている。
【０００４】
このようなアンテナ装置は、上述したような複数の金属環を設けることにより、小型化および高利得化を図ることができる。
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のアンテナ装置では、各誘電体層がセラミックで構成されているため、装置の高コスト化を招くと言う問題がある。
【０００６】
特に、特許文献１に記載のアンテナ装置では、高利得化を図るために誘電体層と金属環とを交互に多数積層しなければならず、製造工程が複雑化し、その結果、かかる問題が顕著となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２０６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、アンテナ装置の高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができるアンテナ装置、および、かかるアンテナ装置を備えるアンテナモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（１７）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に埋設され、金属材料で構成された反射器と、
前記誘電体基板の一方の面側に設けられた導体膜とを備えることを特徴とするアンテナ装置。
【００１０】
（２） 前記反射器は、前記誘電体基板の前記一方の面側から他方の面側に向けて漸次拡がるような形状をなす内周面を有する上記（１）に記載のアンテナ装置。
【００１１】
（３） 前記反射器の前記内周面は、前記誘電体基板の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている上記（２）に記載のアンテナ装置。
【００１２】
（４） 前記反射器の前記内周面は、放物面またはそれに類似する面で構成されている上記（３）に記載のアンテナ装置。
【００１３】
（５） 前記導体膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、アンテナ素子を構成する導体パターンを含む上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１４】
（６） 前記導体膜は、前記誘電体基板の前記一方の面付近に埋設されている上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１５】
（７） 前記誘電体基板の他方の面側には、金属膜が設けられている上記（２）ないし（６）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１６】
（８） 前記金属膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、無給電素子を構成する金属パターンを含む上記（７）に記載のアンテナ装置。
【００１７】
（９） 前記金属膜は、前記誘電体基板の前記他方の面付近に埋設されている上記（７）または（８）に記載のアンテナ装置。
【００１８】
（１０） 前記反射器は、金属板をプレス成形して得られたものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００１９】
（１１） 前記樹脂材料の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率が、２．７以下であり、誘電正接が１×１０−３未満である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２０】
（１２） 前記樹脂材料のガラス転移点は、２００℃以上である上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２１】
（１３） 前記樹脂材料は、硬化性樹脂または重合性樹脂である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２２】
（１４） 前記重合性樹脂は、ノルボルネン系樹脂である上記（１３）に記載のアンテナ装置。
【００２３】
（１５） ミリ波の受信および送信のうちの少なくとも一方を行う上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載のアンテナ装置。
【００２４】
（１６） 上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載のアンテナ装置と、
前記導体膜に電気的に接続された電子部品とを備えることを特徴とするアンテナモジュール。
【００２５】
（１７） 前記電子部品は、電磁波の送信および受信のうちの少なくとも一方を行う半導体素子を備えている上記（１６）に記載のアンテナモジュール。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のアンテナ装置によれば、誘電体基板が樹脂を主材料として構成されているので、任意の形状の反射器を誘電体基板内に簡単に埋設させることができる。そのため、かかるアンテナ装置は、高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができる。
【００２７】
また、かかるアンテナ装置を備えるアンテナモジュールも、高利得化および小型化を図りつつ、安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態にかかるアンテナモジュールの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図４】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図６】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【図７】図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明のアンテナ装置およびアンテナモジュールの実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００３０】
図１は、本発明の第１実施形態にかかるアンテナモジュールの概略構成を示す斜視図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示すアンテナモジュール１は、マイクロ波やミリ波等の電磁波を送信・受信するものである。
【００３２】
このアンテナモジュール１は、図２に示すように、アンテナ装置２と、電子部品３と、導体部４１、４２、４３とを有し、アンテナ装置２と電子部品３とが導体部４１、４２、４３を介して電気的に接続されている。
【００３３】
このようなアンテナモジュール１においては、アンテナ装置２で受信した電磁波を電子部品３で処理したり、電子部品３からの給電によりアンテナ装置２が電磁波を送信したりする。なお、アンテナモジュール１は、電磁波の送信のみを行うものであってもよいし、電磁波の受信のみを行うものであってもよい。
【００３４】
以下、アンテナモジュール１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（アンテナ装置）
アンテナ装置２は、図２に示すように、誘電体基板２１と、この誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）に設けられた第１の導体膜（第１の導体パターン）２２と、誘電体基板２１の他方の面側（図２にて上面側）に設けられた第２の導体膜（第２の導体パターン）２３と、誘電体基板２１内に埋設された反射器２４とを有している。
【００３５】
［誘電体基板］
誘電体基板２１は、板状をなしている。本実施形態では、誘電体基板２１は、平面視にて、正方形をなしている。なお、誘電体基板２１の平面視形状は、正方形に限らず、任意であり、例えば、長方形、台形、平行四辺形、菱形等の他の四角形であってもよいし、３角形、５角形等の他の多角形や、円形、楕円形等であってもよい。
この誘電体基板２１は、樹脂材料を主材料として構成されている。
【００３６】
すなわち、誘電体基板２１は、樹脂（前記樹脂材料）を構成する低分子量成分を主材料として構成された液状の組成物を硬化することにより形成されたものである。なお、誘電体基板２１の構成材料については、後述するアンテナ装置２（アンテナモジュール１）の製造方法の説明において、詳述する。
【００３７】
また、誘電体基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０５〜５０ｍｍ程度である。
【００３８】
［反射器］
反射器２４は、前述した誘電体基板２１内に埋設されている。これにより、アンテナ装置２の小型化を図りつつ、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００３９】
反射器２４は、電磁波を反射する機能を有する。この反射器２４は、金属材料で構成されている。また、本実施形態では、反射器２４は、図示しない配線を介して接地されている。
【００４０】
また、反射器２４は、誘電体基板２１を平面視したときに、環状をなしている。そして、反射器２４は、誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）から他方の面側（図２にて上面側）に向けて延びる壁状をなしている。
【００４１】
本実施形態では、反射器２４は、誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）から他方の面側（図２にて上面側）に向けて漸次拡がるように形成された内周面２４１を有する。これにより、反射器２４の内周面２４１が電磁波を好適に反射して、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００４２】
また、反射器２４の内周面２４１は、誘電体基板２１の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている。これにより、アンテナ装置２のアンテナ利得を簡単かつ確実に高めることができる。
【００４３】
そして、反射器２４の内周面２４１は、放物面またはそれに類似する面で構成されている。これにより、後述する第２の導体膜２３を１次反射器として機能させるとともに、反射器２４を２次反射器として機能させることにより、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００４４】
このような反射器２４は、金属板をプレス成形して得られたものである。これにより、反射器２４の寸法精度を高めることができる。その結果、所望の周波数の電磁波におけるアンテナ利得をより確実に高めることができる。また、このようなプレス成形は、従来のように金属層をセラミックス層と交互に複数回形成するよりも、簡単かつ安価である。なお、反射器２４の製造方法については、後に詳述する。
【００４５】
このような反射器２４の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、反射器２４の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）が好適に用いられる。
【００４６】
また、反射器２４の大径側の端部における内径（内周面２４１の径）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数や第２の導体膜２３の大きさ等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１０〜２００ｍｍ程度である。
【００４７】
また、反射器２４の壁厚は、特に限定されないが、例えば、０．０５〜５ｍｍ程度である。
【００４８】
［第１の導体膜］
第１の導体膜２２は、前述した誘電体基板２１の一方の面側（図２にて下面側）に設けられている。
【００４９】
より具体的には、第１の導体膜（導体膜）２２は、誘電体基板２１の一方の面（図２にて下面）付近に埋設されている。本実施形態では、誘電体基板２１の下面と第１の導体膜２２の下面とで平坦面をなすように、第１の導体膜２２が誘電体基板２１の下面付近に埋設されている。これにより、誘電体基板２１の前記一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られるアンテナ装置２の実装性を向上させることができる。
【００５０】
また、第１の導体膜２２には、アンテナ素子２２１と、１対の電極２２２、２２３と、１対の接続電極２２４、２２５とが形成されている。すなわち、第１の導体膜２２は、アンテナ素子２２１を構成する導体パターンと、１対の電極２２２、２２３を構成する導体パターンと、１対の接続電極２２４、２２５を構成する導体パターンとを含んでいる。
【００５１】
アンテナ素子２２１は、電子部品３からの給電により、電磁波を放射する機能を有するもの（給電素子）である。
【００５２】
このアンテナ素子２２１は、誘電体基板２１を平面視したときに、前述した反射器２４の内側に位置している。これにより、アンテナ素子２２１から放射された電磁波を反射器２４で反射して、アンテナ装置２の高利得化を図ることができる。
【００５３】
本実施形態では、アンテナ素子２２１は、平面視にて、４角形をなしている。なお、アンテナ素子の平面視形状は、４角形に限定されず、例えば、５角形、６角形等の他の多角形状、円形、楕円形等であってもよい。
【００５４】
このようなアンテナ素子２２１の一辺の長さ（平面視形状が円形である場合には直径）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、前述したように誘電体基板２１を平面視したときに反射器２４の内側に位置し得る長さであれば、特に限定されないが、例えば、１〜５０ｍｍ程度である。
【００５５】
また、電極２２２は、図示しない配線を介して、接続電極２２４に電気的に接続され、また、電極２２３は、図示しない配線を介して、接続電極２２５に電気的に接続されている。
【００５６】
このような第１の導体膜２２の構成材料としては、特に限定されず、有機導電性材料や金属材料等の各種導電性材料を用いることができるが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が好適に用いられる。
【００５７】
また、このような第１の導体膜２２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００５８】
［第２の導体膜］
第２の導体膜２３は、前述した誘電体基板２１の他方の面側（図２にて上面側）に設けられている。
【００５９】
より具体的には、第２の導体膜（導体膜）２３は、誘電体基板２１の他方の面（図２にて上面）付近に埋設されている。本実施形態では、誘電体基板２１の上面が平坦面をなすように、第２の導体膜２３が誘電体基板２１の上面付近に埋設されている。すなわち、第２の導体膜２３の下面と、誘電体基板２１の上面のうちの第２の導体膜２３が埋設されていない部分とが同一面となるように、第２の導体膜２３が誘電体基板２１の上面付近に埋設されている。
この第２の導体膜２３は、金属材料で構成された金属膜である。
【００６０】
本実施形態では、第２の導体膜２３は、誘電体基板２１を平面視したときに、前述した反射器２４の内側に位置する無給電素子を構成する導体パターン（金属パターン）である。
【００６１】
また、第２の導体膜２３は、誘電体基板２１を平面視したときに、円環状をなしている。ここで、第２の導体膜２３の内周部２３１で囲まれた領域がスロットを構成する。なお、第２の導体膜２３の平面視形状は、円環状に限定されず、例えば、四角環状、五画環状等の他の環状をなしていてもよいし、四角形、五角形等の多角形、円形、楕円形等の環状以外の形状をなしていてもよい。また、第２の導体膜２３は、分割された複数の導体膜で構成されていてもよい。この場合、複数の導体膜同士の間の領域がスロットを構成する。
【００６２】
このような第２の導体膜２３は、反射器（１次反射器）として機能させることができる。本実施形態では、第２の導体膜２３は、前述した反射器２４の放物面またはこれに類似する面で構成された内周面２４１の焦点付近に設けられている。これにより、第２の導体膜を１次反射器として機能させるとともに反射器２４を２次反射器として機能させて、アンテナ装置２のアンテナ利得を高めることができる。
【００６３】
なお、第２の導体膜２３は、反射器として機能する導体パターン以外の導体パターンを含んでいてもよい。例えば、第２の導体膜２３は、電磁波の送信・受信や信号の伝達に関与しないダミー回路が形成された導体パターンを含んでいてもよい。このようなダミー回路を適宜形成することにより、第１の導体膜２２と誘電体基板２１との間の残留応力を緩和することができる。
【００６４】
このような第２の導体膜２３の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の各種金属材料が挙げられる。
【００６５】
このような第２の導体膜２３の内周部２３１の直径（スロットの幅）は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、特に限定されないが、例えば、１〜５０ｍｍ程度である。
【００６６】
また、第２の導体膜２３（１次反射器）の外径は、送信・受信の対象となる電磁波の周波数等に応じて適宜設定され、前述したように反射器２４の大径側の端部における内周面２４１の径よりも小さければ、特に限定されないが、例えば、２〜７０ｍｍ程度である。
【００６７】
また、このような第２の導体膜２３の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００６８】
（電子部品）
電子部品３は、例えばＭＭＩＣ（モノリシックマイクロ波集積回路）であり、前述したアンテナ素子２２１に給電する機能を有する。
【００６９】
また、電子部品３に搭載される回路としては、特に限定されないが、例えば、信号の周波数を小さく変換する機能を有するダウンコンバータ回路、信号の周波数を大きく変換する機能を有するアップコンバータ回路、信号を増幅する機能を有する増幅回路、電磁波を送信するための送信回路、電磁波を受信するための受信回路、信号を変調する機能を有する変調回路、信号を復調する機能を有する復調回路等が挙げられ、特に、電子部品３には、送信回路および受信回路の少なくとも一方の回路が搭載される。
【００７０】
このような電子部品３には、図示しない複数の端子が設けられており、これらの端子には、導体部４２を介してアンテナ素子２２１に電気的に接続され、導体部４１を介して電極２２２に電気的に接続され、導体部４３を介して電極２２３に電気的に接続されている。これにより、１対の接続電極２２４、２２５と電子部品３とが１対の電極２２２、２２３および導体部４１、４３を介して電気的に接続される。そして、電子部品３が導体部４２を介してアンテナ素子２２１に給電することができる。
【００７１】
（導体部）
各導体部４１、４２、４３は、各種ハンダ、各種ろう材等で構成されている。例えば、各導体部４１、４２、４３を構成するハンダまたはろう材としては、Ｓｎ−Ｐｂ系の鉛ハンダ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ａｌ系の各種鉛フリーハンダ、ＪＩＳに規定された各種低温ろう材等が挙げられる。
【００７２】
以上説明したように構成されたアンテナモジュール１およびアンテナ装置２によれば、誘電体基板２１が樹脂材料を主材料として構成されているので、安価に製造することができる。
【００７３】
また、かかるアンテナ装置２は、反射器２４が設けられているので、高利得化を図ることができる。
【００７４】
また、かかるアンテナ装置２によれば、反射器２４が誘電体基板２１内に埋設されているため、小型化を図ることができる。
【００７５】
＜アンテナ装置の製造方法＞
次に、前述したアンテナモジュール１の製造方法の一例を説明する。
【００７６】
図３ないし図７は、それぞれ、図２に示すアンテナモジュールの製造方法を説明するための図である。
【００７７】
図２に示すアンテナモジュール１の製造方法は、［１］アンテナ装置２を製造する工程と、［２］アンテナ装置２と電子部品３とを導体部４１、４２、４３を介して接続する工程とを有する。
【００７８】
以下、各工程を順次詳細に説明する。
［１］アンテナ装置２の製造工程（アンテナ装置の製造方法）
［１−１］反射器２４の形成工程
まず、反射器２４を製造する。
【００７９】
具体的には、まず、図３（ａ）に示すように、金属板１２４を用意する。
この金属板１２４は、前述した反射器２４を形成するためのものである。この金属板１２４は、前述した反射器２４の構成材料と同様の金属材料で構成されている。
【００８０】
そして、図３（ｂ）に示すように、凸型の成形面１０１ａを備える第１の型１０１と、凹型の成形面１０２ａを備える第２の型１０２とを用いて、金属板１２４をプレス成形する。ここで、第１の型１０１の成形面１０１ａは、反射器２４の内周面の形状に対応した形状をなし、第２の型１０２の成形面１０２ａは、反射器２４の外周面の形状に対応した形状をなしている。
【００８１】
かかるプレス成形により、図３（ｃ）に示すように、反射器２４が得られる。
なお、プレス成形後に、バリ等の不要部分を除去するために、必要に応じて、反射器２４に化学研磨やレーザー加工等を施してもよい。
【００８２】
［１−２］第１の導体膜２２の形成工程
一方、図４（ａ）に示すように、シート状の第１のキャリア１０３上に形成された第１の導体膜１２２を用意する。
【００８３】
この第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第１の導体膜１２２は、例えば、第１のキャリア１０３上を覆うように一様に形成されている。また、第１の導体膜１２２は、前述した第１の導体膜２２の構成材料と同様の導電性材料で構成されている。
【００８４】
この第１の導体膜１２２の平均厚さ（第１の導体膜２２の平均厚さ）は、第１の導体膜１２２の構成材料や第１の導体膜２２に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００８５】
第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２を支持するものである。また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２をパターンニングして形成された第１の導体膜２２をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−６］において除去されるものである。
【００８６】
また、この第１のキャリア１０３は、第１の導体膜１２２に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第１のキャリア１０３と第１の導体膜１２２とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−６］において、簡単かつ確実に、第１のキャリア１０３を除去することができる。
【００８７】
この第１のキャリア１０３の構成材料としては、第１のキャリア１０３が第１の導体膜１２２（第１の導体膜２２）を支持することができれば、特に限定されず、各種樹脂材料等の有機材料、各種金属材料や各種セラミックス材料等の無機材料を用いることができるが、後述するキャリア除去工程［１−６］におけるキャリア除去の容易性の観点から、樹脂材料、金属材料が好適に用いられる。
【００８８】
また、第１のキャリア１０３の平均厚さとしては、第１のキャリア１０３の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−６］における第１のキャリア１０３の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第１のキャリア１０３が銅等の金属材料で構成されている場合、１０〜１０００μｍ程度である。第１のキャリア１０３の厚さをこのような範囲とすることにより、後述する各工程において、第１のキャリア１０３と第１の導体膜２２とが接合されてなる接合体の取り扱い性を良好なものとすることができる。また、第１のキャリア１０３を所望時に簡単かつ確実に除去することができる。
【００８９】
例えば、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２をそれぞれ銅で構成した場合、第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製 MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【００９０】
なお、本実施形態では、第１のキャリア１０３の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第１のキャリア１０３の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第１のキャリア１０３の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−５］において、第１のキャリア１０３および第１の導体膜２２の不本意な変形を抑えることができる。その結果、所望の形状を有する誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【００９１】
そして、図４（ｂ）に示すように、第１の導体膜１２２をパターンニングして、第１の導体膜２２を形成する。
【００９２】
第１の導体膜１２２のパターンニング法としては、特に限定されないが、例えば、フォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせた方法、レーザー加工等が挙げられる。
【００９３】
［１−３］第２の導体膜２３の形成工程
また、図４（ｃ）に示すように、シート状の第２のキャリア１０４上に形成された第２の導体膜１２３を用意する。
【００９４】
この第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３を形成するためのものであり、パターンニングが施される前のものである。このような第２の導体膜１２３は、例えば、第２の導体膜１２３は、第２のキャリア１０４上を覆うように一様に形成されている。また、第２の導体膜１２３は、前述した第２の導体膜２３の構成材料と同様の金属材料で構成されている。
【００９５】
この第２の導体膜１２３の平均厚さ（第２の導体膜２３の平均厚さ）は、第２の導体膜１２３の構成材料や第２の導体膜２３に要求される特性等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、１〜３５μｍ程度である。
【００９６】
第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３を支持するものである。また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３をパターンニングして形成された第２の導体膜２３をも支持するものであり、後述するキャリア除去工程［１−６］において除去されるものである。
【００９７】
また、この第２のキャリア１０４は、第２の導体膜１２３に対して剥離可能に接合されているのが好ましい。より具体的には、第２のキャリア１０４と第２の導体膜１２３とは、人手等により容易に、かつ、これらの界面で正確に剥離できる程度の接合力で接合されているのが好ましい。これにより、後述するキャリア除去工程［１−６］において、簡単かつ確実に、第２のキャリア１０４を除去することができる。
【００９８】
この第２のキャリア１０４の構成材料としては、第２のキャリア１０４が第２の導体膜１２３を支持することができれば、特に限定されず、前述した第１のキャリア１０３と同様のものを用いることができる。
【００９９】
また、第２のキャリア１０４の平均厚さとしては、第２のキャリア１０４の構成材料や、後述するキャリア除去工程［１−６］における第２のキャリア１０４の除去方法に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、第２のキャリア１０４が銅等の金属材料で構成されている場合、３０〜１００μｍ程度である。
【０１００】
このような第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体は、前述した第１のキャリア１０３および第１の導体膜１２２で構成される接合体と同じものを用いることができる。
【０１０１】
例えば、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３をそれぞれ銅で構成した場合、第２のキャリア１０４および第２の導体膜１２３で構成される接合体として、例えば、銅箔キャリア付きの極薄銅箔（三井金属工業株式会社製 MTSD-H、Micro Thin Ex等）を用いることができる。
【０１０２】
なお、本実施形態では、第２のキャリア１０４の厚さが比較的薄い場合を例に説明するが、第２のキャリア１０４の厚さを上記の範囲よりも厚くしてもよい。この場合、第２のキャリア１０４の剛性が高められ、後述する基板形成工程［１−５］において、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状を有する誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【０１０３】
そして、図４（ｄ）に示すように、第２の導体膜１２３をパターンニングして、第２の導体膜２３を形成する。
【０１０４】
第２の導体膜１２３のパターンニング法としては、特に限定されず、前述した第１の導体膜１２２のパターンニング法と同様の方法を用いることができる。
【０１０５】
［１−４］組成物供給工程
（１−４ａ）
次に、図５（ａ）に示すように、上方に開口する収納部Ｃ１を備える容器１０５を用意する。
【０１０６】
この容器１０５は、収納部Ｃ１の下面が平坦面で構成されている。すなわち、容器１０５は、平坦面で構成された底面１０５ａを有している。この容器１０５は、底面１０５ａが水平となるように設置されるのが好ましい。これにより、後述する基板形成工程［１−５］において、厚さの均一な誘電体基板２１を容易に形成することができる。
【０１０７】
また、容器１０５の内周面には、離型処理が施されていてもよい。これにより、後述する工程（１−６ａ）において、誘電体基板２１を容器１０５から簡単に取り出すことができる。かかる離型処理としては、特に限定されないが、例えば、容器１０５の内周面にフッ素系やシリコーン系の離型剤を塗布する処理等が挙げられる。
【０１０８】
なお、図５の図示では、容器１０５が１部材で構成されているが、容器１０５を分割可能な複数の部材で構成（例えば、底板と枠体とで構成）してもよい。これにより、後述する工程（１−６ａ）において、容器１０５から誘電体基板２１を容易に取出すことができる。
【０１０９】
（１−４ｂ）
そして、図５（ｂ）に示すように、容器１０５の底面１０５ａ上に、第１のキャリア１０３を第１の導体膜２２が形成された側の面を上側にして設置する。すなわち、第１のキャリア１０３の第１の導体膜２２が形成されていない側の面が容器１０５の底面１０５ａに対面かつ接するようにして、第１のキャリア１０３を収納部Ｃ１内に設置する。
【０１１０】
次いで、図５（ｃ）に示すように、第１の導体膜２２の第１のキャリア１０３とは反対の面側に、反射器２４を設置する。このとき、反射器２４は、容器１０５の収納部Ｃ１内に収められている。また、このとき、反射器２４を、第１の導体膜２２または第１のキャリア１０３に、エポキシ樹脂系接着剤やフェノール樹脂系接着剤等により固定してもよい。
【０１１１】
なお、本工程（１−４ｂ）は、第１の導体膜２２の第１のキャリア１０３とは反対の面側に反射器２４を設置した後に、容器１０５の底面１０５ａ上に第１のキャリア１０３を設置してもよい。
【０１１２】
（１−４ｃ）
次に、図６（ａ）に示すように、容器１０５の収納部Ｃ１内に、液状の組成物１２１を充填する。
【０１１３】
この液状の組成物１２１は、後述する基板形成工程［１−５］において、硬化または重合させることにより、誘電体基板２１を形成するためのものである。
【０１１４】
したがって、収納部Ｃ１への組成物１２１の供給量は、誘電体基板２１が所望の厚さとなるように調整する。その際、後述する基板形成工程［１−５］における組成物１２１の硬化または重合に伴う収縮量等を考慮して、かかる供給量を設定する。
【０１１５】
このような液状の組成物１２１は、樹脂の低分子量成分を主成分として構成されている。
【０１１６】
かかる硬化性樹脂としては、誘電体基板２１に必要な機能を実現し得るものであれば、特に限定されず、各種熱硬化性樹脂の低分子量成分、各種熱可塑性樹脂の低分子量成分を用いることができる。
【０１１７】
また、かかる低分子量成分としては、モノマー、ダイマー、トリマー、オリゴマー、プレポリマーが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１８】
特に、かかる硬化性樹脂の低分子量成分としては、エポキシ樹脂のプレポリマーと硬化剤の組合せを用いるのが好ましい。エポキシ樹脂は、比誘電率が比較的低く、また、ガラス転移点も比較的高い。
【０１１９】
また、熱可塑性樹脂の低分子量成分としては、重合性モノマーを用いるのが好ましい。
この重合性モノマーとしては、ノルボルネン系モノマー、（メタ）アクリル系モノマー等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
また、液状の組成物１２１は、前述したような樹脂の低分子量成分以外の成分を実質的に含まずに、加熱により硬化または重合するように構成されているのが好ましい。ここで、『実質的に含まず』とは、組成物１２１中に含まれる低分子量成分以外の成分の含有量が５％以下の状態を指す。組成物１２１がこのように構成されていると、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の構造の含有量を少なくすることができる。その結果、形成される誘電体基板２１の比誘電率を低くすることができ、高利得化を図ることができる。
【０１２１】
これらの中でも、ノルボルネン系モノマーは、重合触媒等の添加剤を少なくしても、加熱により比較的容易に重合させることができるため好ましい。
【０１２２】
また、組成物１２１に含まれるノルボルネン系モノマーは、炭化水素以外の構造（極性の大きい構造）ができるだけ少ないものが好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の比誘電率および誘電正接を低めることができる。
【０１２３】
前記ノルボルネン系モノマーとしては、特に制限はないが、下記一般式（１）で示される構造を有するノルボルネン系モノマーが好ましい。
【０１２４】
【化１】
［上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、水素、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記一般式（２）で表される置換基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。ｍは０〜４の整数である。］
【０１２５】
【化２】
［上記一般式（２）において、Ｒ５は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、ｎは０〜５の整数である。］
【０１２６】
上記一般式（１）中の線状または炭素数１〜２０の線状または分岐状のアルキル基としては、特に制限はないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の脆性と剛性が両立するという理由からプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が好ましい。
【０１２７】
上記一般式（１）中の芳香族基としては、特に制限はないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、誘電体基板２１の誘電特性と耐熱性の両立という理由からフェネチル基が好ましい。
【０１２８】
上記一般式（１）中の脂環族としては、特に制限はないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。
【０１２９】
上記一般式（１）中のｍは、０〜４の整数であり、特に制限はないが、０または１が好ましい。
【０１３０】
また、上記一般式（１）中Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも１つは、炭素数１〜１２のアルキル基または脂肪族炭化水素基である。これにより、誘電体基板２１の４５ＧＨｚにおける比誘電率を２．７以下に、さらに、誘電正接を１×１０−３未満にすることができる。
【０１３１】
上記一般式（２）の置換基中のＲ５は、誘電特性が優れるという理由から水素が好ましい。
【０１３２】
上記置換基中のＲ６、Ｒ７およびＲ８は、独立に、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基そして置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基であれば、特に限定されるわけではないが、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられる。
【０１３３】
これらの中でも、導体層２２、２３との密着性に優れるという理由からメトキシ基、エトキシ基が好ましい。
【０１３４】
前記組成物１２１の重合性モノマーとしてノルボルネン系のモノマーを適用する場合、組成物１２１は重合触媒を含むことが好ましい。
【０１３５】
前記重合触媒としては、特に制限はないが、パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒が好ましく、これらは、単独でも混合して用いてもよい。
【０１３６】
前記パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒の添加量は、モル比で１００，０００（ノルボルネン系モノマー）：０．３〜１０（パラジウムイオンを含有する重合触媒触、ニッケルと白金を含有する重合触媒）であることが好ましく、１００，０００：０．５〜５であることが特に好ましい。かかる添加量とすることにより、誘電体基板２１の誘電特性を向上することができる。
【０１３７】
また、硬化または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率（誘電体基板２１の構成材料として用いられる樹脂材料の比誘電率）は、２．７以下であるのが好ましく、２．５以下であるのがより好ましい。また、硬化後または重合後の組成物１２１の周波数４５ＧＨｚにおける誘電正接は１×１０−３未満であるのが好ましく、８×１０−４未満であることが特に好ましい。これにより、マイクロ波のような波長の短い電磁波を用いた場合であっても、誘電体基板２１内での電磁波の減衰（損失）を抑えることができる。その結果、アンテナ装置２をマイクロ波用として用いた場合でも高利得化および小型化を図ることができる。
【０１３８】
ここで、比誘電率および誘電特性は、φ２０ｍｍ、厚さ０．３５ｍｍに切り出したものを測定サンプルとし、測定サンプルを遮断円筒導波管の導体円筒の中央にセットした。この共振器の励振および検波は先端に微小ループを持つ外径１．２ｍｍのＵＴ−４７セミリジッド同軸線路を用いた。比誘電率は共振周波数の測定値より、誘電正接はＱ値より求めた。これらの測定法は、ＪＩＳ１６６０−１、ＩＥＣ６１３３８−１−４に準ずるものである。
【０１３９】
また、硬化または重合後の組成物１２１のガラス転移点（誘電体基板２１の構成材料として用いられる樹脂材料のガラス転移点）は、２００℃以上であるのが好ましく、２５０〜３００℃であるのがより好ましい。これにより、得られるアンテナ装置２は、半田実装における耐熱性に優れたものとなる。
【０１４０】
ここで、ガラス転移温度は、組成物１２１からなる測定サンプルを準備し、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル株式会社製、型番：ＤＭＳ６１００）により、測定サンプルサイズ：４ｍｍ（幅）×２０ｍｍ（長さ）×１００μｍ（厚み）、周波数：１Ｈｚ、測定温度範囲：３０〜３００℃、昇温速度：１０℃／分により測定し、Ｔａｎδのピークが発現する温度を測定値とした。
【０１４１】
また、組成物１２１の粘度は、０．５〜２００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、１〜１５０Ｐａ・ｓであるのがより好ましい。これにより、液状の組成物１２１が所望の領域の全域に亘って容易に拡がるので、所望の形状をなす誘電体基板２１を得ることができる。なお、かかる粘度は、例えば常温（２５℃）でブルックフィールド型粘度計、Ｅ型粘度計等を用いて、測定条件０．５〜５ｒｐｍで評価することができる。
【０１４２】
なお、誘電体基板２１に必要な機能を実現し得るものであれば、組成物１２１中には、低分子成分以外の成分を含んでいてもよい。かかる低分子量成分以外の成分としては、例えば、硬化剤、硬化助剤、硬化促進剤、重合開始剤、無機充填剤、酸化防止剤等が挙げられる。また、低分子量成分は、光、放射線等で硬化または重合するものであってもよい。
【０１４３】
組成物１２１中における前記低分子量成分の含有量は、例えば、９０〜１００ｗｔ％であるのが好ましく、９５〜１００ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、得られる誘電体基板２１の構成材料中における極性基の含有量を少なくすることができる。
【０１４４】
（１−４ｄ）
次に、図６（ｂ）に示すように、液状の組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対の面側に、第２の導体膜２３が下側となるようにして、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３を設置する。すなわち、第２のキャリア１０４の第２の導体膜２３が形成されていない側の面が上方を向くようにして、第２の導体膜２３を液状の組成物１２１の液面上に設置する。
【０１４５】
以上説明したようにして、第１の導体膜２２上に反射器２４を埋めるように液状の組成物１２１を供給し、この組成物１２１の第１の導体膜２２とは反対側の面上に第２の導体膜２３を設置する。
【０１４６】
特に、この工程（組成物供給工程）［１−４］では、容器１０５の底面１０５ａ上に第１のキャリア１０３を設置した状態で、容器１０５内に組成物１２１を充填することにより、第１の導体膜２２上に組成物１２１を供給する。これにより、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる誘電体基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する誘電体基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１４７】
また、組成物１２１を容器１０５内に供給する前に、第１の導体膜１２２および第２の導体膜１２３をパターンニングして第１の導体膜２２および第２の導体膜２３を形成しているので、組成物１２１を容器１０５内に供給する際、容器１０５内の第１の導体膜２２および第２の導体膜２３は、それぞれ、パターンニングされている。これにより、得られるアンテナ装置２において、パターンニングされた第１の導体膜２２を前述したように誘電体基板２１の一方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、誘電体基板２１の一方の面における第１の導体膜２２による凹凸の発生を防止または抑制することができる。同様に、得られるアンテナ装置２において、パターンニングされた第２の導体膜２３を前述したように誘電体基板２１の他方の面付近に配設（埋設）させることができる。そのため、誘電体基板２１の他方の面における第２の導体膜２３による凹凸の発生を防止または抑制することができる。その結果、得られるアンテナ装置２の実装性を向上させることができる。
【０１４８】
［１−５］誘電体基板２１を形成する工程（基板形成工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、液状の組成物１２１を硬化または重合させて、誘電体基板２１を形成する。
【０１４９】
このとき、誘電体基板２１は容器１０５内に収納されており、その誘電体基板２１内には、反射器２４が埋設され、また、誘電体基板の一方の面側には、パターンニング済みの第１の導体膜２２が第１のキャリア１０３と接合した状態のまま埋設され、誘電体基板２１の他方の面側には、パターンニング済みの第２の導体膜２３が第２のキャリア１０４と接合した状態のまま埋設されている。
【０１５０】
すなわち、容器１０５内には、アンテナ装置２が第１のキャリア１０３と第２のキャリア１０４との間に挟持された状態で収納されている。
【０１５１】
本実施形態では、組成物１２１を硬化または重合させる。なお、図６（ｃ）では、液状の組成物１２１が加熱により硬化する場合を例として図示している。
【０１５２】
組成物１２１の加熱方法としては、特に限定されないが、例えば、加熱された熱盤上に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、加熱されたオーブン内に容器１０５を載置して組成物１２１を加熱する方法、赤外線を組成物１２１に照射して加熱する方法等が挙げられる。
【０１５３】
この加熱温度は、組成物１２１の組成や加熱時間等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１を硬化または重合させて誘電体基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、３０〜２２０℃程度である。
【０１５４】
また、加熱時間は、組成物１２１の組成や加熱温度等に応じて適宜設定されるものであり、組成物１２１を硬化または重合させて誘電体基板２１を形成することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、樹脂の低分子量成分（重合性モノマー）としてノルボルネン系モノマーを用いた場合、１〜２４時間程度である。
【０１５５】
また、この加熱は、第２のキャリア１０４の上面を板状部材の板面等の面に貼り付けた状態で行ってもよい。これにより、第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３の不本意な変形を抑えたり、液状の組成物１２１の液面と第２のキャリア１０４および第２の導体膜２３との間に隙間が生じるのを防止したりすることができる。その結果、所望の形状の誘電体基板２１を容易に形成することができる。また、第２のキャリア１０４の上面に貼り付ける面の形状を適宜設定することにより、その面の形状に応じて誘電体基板２１の板面を形成することもできる。
【０１５６】
［１−６］キャリア除去工程
（１−６ａ）
次に、図７（ａ）に示すように、誘電体基板２１を第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４が接合された状態のまま容器１０５から取出す。
【０１５７】
（１−６ｂ）
そして、図７（ｂ）に示すように、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４をそれぞれ誘電体基板２１から除去する。これにより、アンテナ装置２が得られる。
【０１５８】
第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の除去方法としては、第１のキャリア１０３および第２のキャリア１０４の構成材料や厚さ等に応じて適宜設定されるものであり、特に限定されないが、例えば、溶剤を用いて溶かす方法、機械加工により除去する方法、剥離する方法等を用いることができる。中でも、かかる除去方法としては、剥離する方法を用いるのが好ましい。この場合、例えば、前述したような銅箔キャリア付きの極薄銅箔を用いることができる。
【０１５９】
なお、本工程［１−６］は、第２のキャリア１０４を誘電体基板２１から除去した後に、誘電体基板２１を第１のキャリア１０３と接合した状態のまま容器１０５から取出し、その後、第１のキャリア１０３を誘電体基板２１から除去してもよい。
【０１６０】
［２］アンテナ装置２と電子部品３との接続工程
その後、図７（ｃ）に示すように、導体部４１、４２、４３を介して、アンテナ装置２と電子部品３とを接続する。
【０１６１】
以上説明したようなアンテナモジュール１およびアンテナ装置２の製造方法によれば、
樹脂材料を用いて誘電体基板を形成するので、任意の形状の反射器を誘電体基板内に簡単に埋設させることができる。そのため、高利得でかつ小型なアンテナ装置を安価に製造することができる。
【０１６２】
特に、かかる製造方法によれば、前述したような容器１０５を用いているので、容器１０５への組成物１２１の供給量に応じて、得られる誘電体基板２１の厚さを調整することができる。そのため、所望の厚さを有する誘電体基板２１を容易かつ安価に形成することができる。
【０１６３】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６４】
例えば、本発明のアンテナ装置およびアンテナモジュールの各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
【０１６５】
また、前述した実施形態では、反射器をプレス成形により製造した例を説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の製造方法としては、金属ブロックを切削する方法、反射器の形状に対応した凹部または凸部の表面上に各種成膜法を用いて金属膜を形成する方法等を用いてもよい。
【０１６６】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面が放物面またはそれに類似する面で構成されている場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の内周面は、円錐面で構成されていてもよい。
【０１６７】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面の横断面が円形をなす場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の横断面形状は、四角形、五角形等の多角形等であってもよい。
【０１６８】
また、前述した実施形態では、アンテナ装置の反射器の内周面が誘電体基板の一方の面側から他方の面側に向けて拡がる形状をなす場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、反射器の内周面は、誘電体基板の厚さ方向で一定となるような筒状をなしていてもよい。
【０１６９】
また、前述した実施形態では、反射器が誘電体基板の厚さ方向での略全域に亘って設けられている場合を説明したが、これに限定されず、反射器は、例えば、誘電体基板の厚さ方向での中央部のみに設けられていてもよいし、誘電体基板の厚さ方向での一部のみに設けられていてもよい。
【０１７０】
また、前述した実施形態では、給電されるアンテナ素子が反射器の小径側に設けられている場合を説明したが、これに限定されず、例えば、アンテナ素子が反射器の大径側（焦点付近）に設けられていてもよい。この場合、反射器の小径側は有底としてもよい。また、この場合、例えば、誘電体基板を貫通する貫通電極を設け、この貫通電極を介して、アンテナ素子と電子部品とを電気的に接続するように構成することができる。
【０１７１】
また、前述した実施形態では、反射器の大径側に１次反射器として機能する導体膜を設けた場合を説明したが、この導体膜を省略してもよい。
【０１７２】
また、前述した実施形態では、半田やろう材等で構成された導体部を介して第１の導体膜と電子部品とを電気的に接続した場合を説明したが、これに限定されず、例えば、第１の導体膜と電子部品との間に、両面プリント基板を介在させ、この両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ電気的に接続してもよい。この場合、両面プリント基板に対し第１の導体膜および電子部品をそれぞれ半田やろう材等を介して電気的に接続してもよいし、第１の導体膜が両面プリント基板の一方の面の導体膜を兼ねていてもよい。また、電子部品と第１の導体膜とは、電磁結合により電気的に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【０１７３】
１ アンテナモジュール
２ アンテナ装置
３ 電子部品
２１ 誘電体基板
２２ 導体膜
２３ 導体膜
２４ 反射器
４１ 導体部
４２ 導体部
４３ 導体部
１０１ 第１の型
１０１ａ 成形面
１０２ 第２の型
１０２ａ 成形面
１０３ 第１のキャリア
１０４ 第２のキャリア
１０５ 容器
１０５ａ 底面
１２１ 組成物
１２２ 第１の導体膜
１２３ 第２の導体膜
１２４ 金属板
２２１ アンテナ素子
２２２ 電極
２２３ 電極
２２４ 接続電極
２２５ 接続電極
２３１ 内周部
２４１ 内周面
Ｃ１ 収納部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に埋設され、金属材料で構成された反射器と、
前記誘電体基板の一方の面側に設けられた導体膜とを備えることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
前記反射器は、前記誘電体基板の前記一方の面側から他方の面側に向けて漸次拡がるような形状をなす内周面を有する請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記反射器の前記内周面は、前記誘電体基板の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記反射器の前記内周面は、放物面またはそれに類似する面で構成されている請求項３に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記導体膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、アンテナ素子を構成する導体パターンを含む請求項２ないし４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記導体膜は、前記誘電体基板の前記一方の面付近に埋設されている請求項１ないし５のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記誘電体基板の他方の面側には、金属膜が設けられている請求項２ないし６のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記金属膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、無給電素子を構成する金属パターンを含む請求項７に記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記金属膜は、前記誘電体基板の前記他方の面付近に埋設されている請求項７または８に記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記反射器は、金属板をプレス成形して得られたものである請求項１ないし９のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記樹脂材料の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率が、２．７以下であり、誘電正接が１×１０−３未満である請求項１ないし１０のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記樹脂材料のガラス転移点は、２００℃以上である請求項１ないし１１のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記樹脂材料は、硬化性樹脂または重合性樹脂である請求項１ないし１２のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
前記重合性樹脂は、ノルボルネン系樹脂である請求項１３に記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
ミリ波の受信および送信のうちの少なくとも一方を行う請求項１ないし１４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載のアンテナ装置と、
前記導体膜に電気的に接続された電子部品とを備えることを特徴とするアンテナモジュール。
【請求項１７】
前記電子部品は、電磁波の送信および受信のうちの少なくとも一方を行う半導体素子を備えている請求項１６に記載のアンテナモジュール。
【請求項１】
樹脂材料を主材料として構成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に埋設され、金属材料で構成された反射器と、
前記誘電体基板の一方の面側に設けられた導体膜とを備えることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
前記反射器は、前記誘電体基板の前記一方の面側から他方の面側に向けて漸次拡がるような形状をなす内周面を有する請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記反射器の前記内周面は、前記誘電体基板の前記一方の板面の法線を軸とする回転体形状をなしている請求項２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記反射器の前記内周面は、放物面またはそれに類似する面で構成されている請求項３に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記導体膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、アンテナ素子を構成する導体パターンを含む請求項２ないし４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記導体膜は、前記誘電体基板の前記一方の面付近に埋設されている請求項１ないし５のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記誘電体基板の他方の面側には、金属膜が設けられている請求項２ないし６のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記金属膜は、前記誘電体基板を平面視したときに前記反射器の内側に位置し、無給電素子を構成する金属パターンを含む請求項７に記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記金属膜は、前記誘電体基板の前記他方の面付近に埋設されている請求項７または８に記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記反射器は、金属板をプレス成形して得られたものである請求項１ないし９のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
前記樹脂材料の周波数４５ＧＨｚにおける比誘電率が、２．７以下であり、誘電正接が１×１０−３未満である請求項１ないし１０のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記樹脂材料のガラス転移点は、２００℃以上である請求項１ないし１１のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記樹脂材料は、硬化性樹脂または重合性樹脂である請求項１ないし１２のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
前記重合性樹脂は、ノルボルネン系樹脂である請求項１３に記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
ミリ波の受信および送信のうちの少なくとも一方を行う請求項１ないし１４のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載のアンテナ装置と、
前記導体膜に電気的に接続された電子部品とを備えることを特徴とするアンテナモジュール。
【請求項１７】
前記電子部品は、電磁波の送信および受信のうちの少なくとも一方を行う半導体素子を備えている請求項１６に記載のアンテナモジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−２１１４４７（Ｐ２０１１−２１１４４７Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７６４００（Ｐ２０１０−７６４００）
【出願日】平成２２年３月２９日（２０１０．３．２９）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２９日（２０１０．３．２９）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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