エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
【課題】低い温度で基板を貼り合わせることが可能な擬似トップエミッション構造のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該エレクトロルミネッセンス装置、および当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１の製造方法は、ＴＦＴ側機能層１２が形成されたマザーガラス基板１１ｍ上に樹脂材料５０ａを配置する工程と、ＥＬ側機能層２２が形成されたマザーガラス基板２１ｍ上に導電ペースト６０、硬化促進剤５０ｂを配置する工程と、両基板を貼り合わせて樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂとを混合することによって、樹脂材料５０ａを硬化させ、接着剤５０とすることによって接着する工程とを有する。
【解決手段】有機ＥＬ装置１の製造方法は、ＴＦＴ側機能層１２が形成されたマザーガラス基板１１ｍ上に樹脂材料５０ａを配置する工程と、ＥＬ側機能層２２が形成されたマザーガラス基板２１ｍ上に導電ペースト６０、硬化促進剤５０ｂを配置する工程と、両基板を貼り合わせて樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂとを混合することによって、樹脂材料５０ａを硬化させ、接着剤５０とすることによって接着する工程とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向して貼り合わされた２枚の基板を有するエレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該エレクトロルミネッセンス装置、および当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、エレクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」とも略す）装置は、陽極としての透明電極と陰極との間に有機発光層を備える構成において、両極間に印加された電圧に応じて有機発光層を発光させ、その光を透明電極側から取り出すものである。陰極は、光の取り出し効率を上げるための反射膜としても機能するよう、金属の薄膜によって構成される場合が多い。
【０００３】
こうしたＥＬ装置は、ボトムエミッションタイプとトップエミッションタイプに大別される。ボトムエミッションタイプのＥＬ装置は、基板上に透明電極、有機発光層、陰極がこの順に形成された構成を有し、基板側から光を取り出す装置である。一方、トップエミッションタイプのＥＬ装置は、基板上に陰極、有機発光層、透明電極がこの順に形成された構成を有し、基板とは反対側から光を取り出す装置である。
【０００４】
ボトムエミッションタイプには、ＴＦＴ素子等の駆動素子の存在によって開口率が低下するという問題があるが、トップエミッションタイプにおいてはこうした問題は生じない。一方、トップエミッションタイプには、有機発光層の保護のための封止を光の取り出し側において行わなければならないという問題がある。トップエミッションタイプにおいて、効果的な封止を行うことと、良好な光学特性を維持することの両立には技術的な困難が伴う。
【０００５】
そこで、上記開口率および封止の問題をともに解消可能な構成が提案されている（特許文献１参照）。これは、ボトムエミッションタイプの基板から駆動素子を除いたＥＬ基板と、駆動素子を備えた別のＴＦＴ基板とを貼り合わせたものである（以下本稿では、こうした構成を「擬似トップエミッション」とも呼ぶ）。この構成によれば、ＥＬ基板には駆動素子がないため、トップエミッションタイプと同様に高開口率化が可能である。また、ＥＬ基板は基本的にボトムエミッション構造であるので、封止は光の取り出し側と反対側において、光学特性に関する制約なく行うことができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、こうした擬似トップエミッション構造のＥＬ装置の製造には、両基板を接着する際に、熱硬化性の接着剤を使わなければならないという制約がある。ＥＬ基板には金属の陰極が全面に配置され、またＴＦＴ基板には素子や配線が高密度で配置されているため、両基板とも光を透過せず、光硬化性の接着剤が使用できないからである。そして、一般に有機発光層は熱に弱いため、接着剤の硬化のための加熱によって劣化し、光学特性が低下してしまうという問題点があった。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、低い温度で基板を貼り合わせることが可能な擬似トップエミッション構造のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該エレクトロルミネッセンス装置、および当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１の基板の対向面に、前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、前記第２の基板の対向面に、透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに配置する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記樹脂材料と接触する位置に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
こうした方法によれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程において樹脂材料と硬化促進剤が混合されるので、５０℃程度の低温か、または常温で樹脂材料が硬化する。硬化した樹脂材料は両基板を接着する接着剤として機能する。このように、上記方法によれば、擬似トップエミッション構造のエレクトロルミネッセンス装置の製造に際して、高温に加熱することなく第１の基板と第２の基板とを接着することができるので、熱による有機発光層の劣化、および当該劣化によるエレクトロルミネッセンス装置の表示品位の低下を防止することができる。
【００１１】
ここで、貼り合わせの工程以前の、第１の基板、第２の基板それぞれに関する工程は、互いに独立に行うことができる。いずれかの基板に関する工程を先に行ってもよいし、両基板の工程を同時に、あるいは交互に進めてもよい。また、導電性を有するペーストを配置する工程は、樹脂材料を配置する工程、または硬化促進剤を配置する工程の後であってもよい。
【００１２】
硬化促進剤は、ペーストを硬化させる機能を併せ持っているものとすることもできる。このとき、当該硬化促進剤を配置する工程は、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に、前記樹脂材料と接触する位置および前記ペーストと接触する位置に少なくとも配置する工程とすることが好ましい。この方法によれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程においてペーストと硬化促進剤が混合され、５０℃程度の低温か、または常温でペーストが硬化し、両基板の接着強度の向上に寄与する。
【００１３】
本発明によるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１の基板の対向面に、前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、前記第２の基板の対向面に、透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに形成する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、前記樹脂材料上に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
こうした方法によれば、樹脂材料は、これに重ねて配置された硬化促進剤と混合される。このため、この後の第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程においては、５０℃程度の低温か、または常温で樹脂材料が硬化する。硬化した樹脂材料は両基板を接着する接着剤として機能する。このように、上記方法によれば、高温に加熱することなく第１の基板と第２の基板とを接着することができるので、熱による有機発光層の劣化、および当該劣化によるエレクトロルミネッセンス装置の表示品位の低下を防止することができる。
【００１５】
上記製造方法において、前記樹脂材料を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行われることが好ましい。こうした方法によれば、樹脂材料を所望の領域にのみ配置することができる。したがって、当該樹脂材料を硬化させてできる接着剤の形成領域を所望の領域とすることができる。
【００１６】
上記製造方法において、前記硬化促進剤を配置する工程は、スプレー法またはスピンコート法によって行ってもよい。こうした方法によれば、硬化促進剤の配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であるため、製造プロセスを簡略化させることができる。
【００１７】
前記硬化促進剤を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行ってもよい。
【００１８】
本発明によるエレクトロルミネッセンス装置は、上記製造方法によって製造されたことを特徴とする。このようなエレクトロルミネッセンス装置は、有機発光層が熱による劣化を受けていないため、高品位な表示を行うことができる。
【００１９】
本発明による電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする。こうした構成によれば、熱による劣化のないエレクトロルミネッセンス装置による高品位な表示を行うことが可能な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２１】
（第１の実施形態）
＜Ａ．有機ＥＬ装置＞
図１および図２を用いて、本発明の製造方法によって製造される「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置１について説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ装置１を示す平面図であり、（ｂ）は全体図、（ａ）は（ｂ）の左上部分の拡大図である。また、図２は、図１（ｂ）中のＡ−Ａ線で有機ＥＬ装置１を切断したときの断面図である。なお、図１は、各構成要素の平面的な位置関係を説明するための図であり、奥行き方向の相対関係は一部度外視されている。
【００２２】
有機ＥＬ装置１は、ガラス基板１１とガラス基板２１とが接着剤５０を介して互いに対向して貼り合わされた構成となっている。ガラス基板１１上には「第１の機能層」としてのＴＦＴ側機能層１２が、またガラス基板２１上には「第２の機能層」としてのＥＬ側機能層２２がそれぞれ形成されている。ガラス基板１１上には、ドライバ３８が実装されている。ＴＦＴ側機能層１２およびＥＬ側機能層２２には、複数の行および列に沿ってマトリクス状に配列された複数の画素５に対応する構成要素が含まれている。画素５は、図１（ａ）に示すように細長い矩形状であり、赤色の発光を行う画素５Ｒ、緑色の発光を行う画素５Ｇ、青色の発光を行う画素５Ｂの３種類がある。画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは、行方向にこの順に繰り返して配列されている。有機ＥＬ装置１は、これらのすべての画素５を含む発光領域６において、発光および当該発光に基づく表示を行う装置である。なお、以下では、ガラス基板１１およびＴＦＴ側機能層１２を合わせたものを「ＴＦＴ基板１０」と呼び、ガラス基板２１およびＥＬ側機能層２２を合わせたものを「ＥＬ基板２０」と呼ぶ。
【００２３】
図２に示すように、ガラス基板１１の、ガラス基板２１に対向する面（対向面）には、絶縁層４２、ゲート絶縁層４４、層間絶縁膜４６がこの順に積層されている。これらは、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等の無機絶縁物質からなる。絶縁層４２とゲート絶縁層４４との間には、ポリシリコンからなるソース領域３１、能動層３２、ドレイン領域３３が形成されており、またゲート絶縁層４４と層間絶縁膜４６との間には、ゲート電極３４が形成されている。以下では、ソース領域３１、能動層３２、ドレイン領域３３、ゲート電極３４をまとめて「ＴＦＴ素子３０」と呼ぶ。ＴＦＴ素子３０は、本発明の「スイッチング素子」に対応するものであり、各々の画素５に対応して形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜４６上には、ソース電極３５、および本発明における「配線」としてのドレイン電極３６が形成されている。ソース電極３５、ドレイン電極３６は、層間絶縁膜４６およびゲート絶縁層４４を貫通するコンタクトホールを介して、それぞれソース領域３１、ドレイン領域３３に電気的に接続されている。また、ドレイン電極３６は、導電ペースト６０の配置された位置にまで延設されている。この延設部は、本実施形態のようにコンタクトホール部から連なる一体の部材として形成されていてもよいし、ドレイン領域３３から層間絶縁膜４６上までの領域と、延設部とを別々に形成し、電気的に接続された構成とすることもできる。
【００２５】
ゲート電極３４およびソース電極３５は、ドライバ３８に電気的に接続されている。ゲート電極３４、ソース電極３５には、それぞれドライバ３８から走査信号、画像信号が供給され、このうち画像信号はＴＦＴ素子３０のスイッチング機能によってドレイン電極３６に供給される。より詳細には、ＴＦＴ素子３０は、ゲート電極３４に供給される走査信号に応じてスイッチを開閉し、当該スイッチが閉じた状態においてゲート電極３４に印加された画像信号をドレイン電極３６に供給する。
【００２６】
上記絶縁層４２、ゲート絶縁層４４、層間絶縁膜４６、ＴＦＴ素子３０、ソース電極３５、ドレイン電極３６が、上述のＴＦＴ側機能層１２に相当し、ガラス基板１１とともにＴＦＴ基板１０を構成する。
【００２７】
一方、ガラス基板２１の、ガラス基板１１に対向する面（対向面）には、ほぼ全面にわたってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる「透光性を有する電極」としての透明電極５２が形成されている。透明電極５２上には、樹脂からなる第１バンク５３が形成されているとともに、当該第１バンク５３を下地として同じく樹脂からなる第２バンク５４が積層されている。第２バンク５４は、有機ＥＬ装置１において発光の行われない領域に配置される。換言すれば、第２バンク５４は、画素５を区画する。また、第２バンク５４は一定の高さを有しているため、ガラス基板２１上には、各画素５に対応した凹部が形成されることとなる。より詳細には、透明電極５２および第１バンク５３の一部を底部とし、第２バンク５４を側壁とする凹部が、各画素５に形成されている。第２バンク５４の上には、逆テーパーレジスト５７が形成されている。
【００２８】
上記凹部には、正孔輸送層５５、有機発光層５６がこの順に積層されている。有機発光層５６は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。有機発光層５６には、赤色の発光を行う有機発光層５６Ｒ、緑色の発光を行う有機発光層５６Ｇ、青色の発光を行う有機発光層５６Ｂの３種があり、これらはそれぞれ画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに配置されている。有機発光層５６は、図１（ａ）に示すようにトラック形状をなしている。これは、凹部の側壁、すなわち第２バンク５４が、当該トラック形状をなすように形成されていることによる。なお、有機発光層５６上にさらに電子輸送層が積層された構成とすることもできる。
【００２９】
以上に述べた構成要素がガラス基板２１上に形成された状態で、アルミニウム、銀、またはマグネシウム等の金属を蒸着させることによって、有機発光層５６上および逆テーパーレジスト５７上の全面に金属の陰極５８が形成される。ただし、有機発光層５６上の陰極５８は、逆テーパーレジスト５７の効果によって当該逆テーパーレジスト５７上の陰極５８とは物理的に断絶されている。図１（ａ）における、有機発光層５６の周囲の矩形の枠は、当該断絶を表している。このため、各画素５の陰極５８は、他の画素５の陰極５８に対して物理的、電気的に独立となっている。
【００３０】
上記透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４、正孔輸送層５５、有機発光層５６、逆テーパーレジスト５７、陰極５８が、上述のＥＬ側機能層２２に相当し、ガラス基板２１とともにＥＬ基板２０を構成する。
【００３１】
以上のような構成のＴＦＴ基板１０およびＥＬ基板２０は、発光領域６の外部であってＥＬ基板２０の外縁部近傍に、発光領域６を囲って配置された接着剤５０（図１（ｂ）参照）を介して貼り合わされている。
【００３２】
また、各画素５においては、ドレイン電極３６と陰極５８とが対向する位置に、本発明における「導電性を有するペースト」としての導電ペースト６０が配置されており、ドレイン電極３６と陰極５８とは、当該導電ペースト６０によって電気的に接続されている。導電ペースト６０には、エポキシ系またはフェノール系熱硬化接着剤中にカーボン粒子、銀粒子あるいは銅粒子のような導電性粒子が分散含有されたものを用いることができる。
【００３３】
導電ペースト６０の導電性により、上述したドレイン電極３６に印加される画像信号は、導電ペースト６０を介して陰極５８に印加される。そして、有機発光層５６には、固定電位とされた透明電極５２と陰極５８との間にかかる電圧に応じた電流が流れ、発光が行われる。
【００３４】
有機発光層５６からの光は、一部は直接ガラス基板２１を透過し、一部は陰極５８によって反射されてからガラス基板２１を透過する。いずれにせよ、有機発光層５６からの光はガラス基板２１の側から射出される。有機ＥＬ装置１は、こうした各画素５における発光の集合によって、発光領域６において画像信号に基づく表示を行う。
【００３５】
以上のような構造（擬似トップエミッション構造）によれば、有機発光層５６とガラス基板２１との間にＴＦＴ素子３０等の障害物がないため、トップエミッションタイプと同様に高開口率化が可能である。また、封止も容易である。すなわち、有機発光層５６を含むＥＬ基板２０を、ＴＦＴ基板１０および接着剤５０によって、光の取り出し側と反対側において光学特性に関する制約なく封止することができる。
【００３６】
＜Ｂ．有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、図３から図５を用いて、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。図３は、有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程図であり、図４（ａ）から（ｄ）は、各工程における有機ＥＬ装置１の断面図である。図３において、工程Ｐ１１および工程Ｐ１２は複合ＴＦＴ基板を製造するための工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３は複合ＥＬ基板を製造するための工程である。工程Ｐ３１および工程Ｐ３２は、複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を組み合わせて最終的に有機ＥＬ装置１を製造するための工程である。工程Ｐ１１および工程Ｐ１２と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３とは、それぞれ独立に行われる。
【００３７】
ここで、複合ＴＦＴ基板とは、ガラス基板１１を多数含むような大きさのマザーガラス基板１１ｍの上に複数の有機ＥＬ装置１に対応するＴＦＴ側機能層１２をマトリクス状に形成したものであり、複数のＴＦＴ基板１０を内包する。同様に、複合ＥＬ基板は、マザーガラス基板２１ｍ上に複数の有機ＥＬ装置１に対応するＥＬ側機能層２２をマトリクス状に形成したものであり、複数のＥＬ基板２０を内包する。個々の有機ＥＬ装置１は、複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を貼り合わせて複合基板を形成した後に、これを個々の有機ＥＬ装置１に対応する形状にブレイク（分割）する工程を経て製造される。ここで、マザーガラス基板１１ｍが本発明における「第１の基板」に対応し、マザーガラス基板２１ｍが本発明における「第２の基板」に対応する。
【００３８】
まず、複合ＴＦＴ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ１１では、マザーガラス基板１１ｍ上に、公知の薄膜形成技術等を用いてＴＦＴ側機能層１２を形成する（図４（ａ）参照）。このとき、ＴＦＴ素子３０を画素５ごとに形成するとともに、ＴＦＴ素子３０のドレイン領域３３に電気的に接続されたドレイン電極３６を最表面に形成する。
【００３９】
続く工程Ｐ１２では、マザーガラス基板１１ｍ上の所定の領域に、樹脂材料５０ａを配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、有機ＥＬ装置１となるべき個々の領域の外縁部であって、発光領域６を囲うような領域である。樹脂材料５０ａは、液状の材料であって、硬化させることによって接着剤５０となる材料である。具体的には、アクリル樹脂、エポキシ類樹脂、２官能フェノール化合物類、フェノール類樹脂、ウレタン類樹脂、ポリイミド類樹脂、シリコーン類樹脂、芳香族尿素化合物類、シアノアクリレート類樹脂、メラミン系樹脂、エチレン酢酸ビニル類樹脂、クロロプレン類樹脂、酢酸ビニル類樹脂、ポリエチレン類樹脂、ポリプロピレン類樹脂、シリル基含有ポリマー系樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂類、複数樹脂類のアロイ化、ポリベンゾイミダゾール類樹脂、フッ素化樹脂類等を用いることができる。この工程は、スクリーン印刷法によって行われる。
【００４０】
続いて、複合ＥＬ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ２１では、マザーガラス基板２１ｍ上に、ＥＬ側機能層２２を形成する（図４（ａ）参照）。この工程は、より詳細には、公知の薄膜形成技術およびパターニング技術等を用いて、透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４、逆テーパーレジスト５７を形成する工程と、透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４によって形作られた凹部に液滴吐出法によって正孔輸送層５５、有機発光層５６を形成する工程と、これらの上に陰極５８を蒸着させる工程とを有する。
【００４１】
次に、工程Ｐ２２では、ＥＬ側機能層２２上の所定の領域に、導電ペースト６０を配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、各画素５のうち、後にマザーガラス基板１１ｍとマザーガラス基板２１ｍとが貼り合わされる際にドレイン電極３６と陰極５８のいずれにも接触する位置を含む領域である。この工程は、スクリーン印刷法によって行う。なお、スクリーン印刷法の他に、液滴吐出法、オフセット印刷法またはディスペンサ塗布法等によって行うこともできる。
【００４２】
次に、工程Ｐ２３では、マザーガラス基板２１ｍ上の所定の領域に、硬化促進剤５０ｂを配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、有機ＥＬ装置１となるべき個々の領域の外縁部であって、発光領域６を囲うような領域であり、後にマザーガラス基板１１ｍと貼り合せた際に樹脂材料５０ａと重なる領域である。硬化促進剤５０ｂは、液状の材料であって、樹脂材料５０ａと混合したときに当該樹脂材料５０ａの硬化を促進させる効果を有する材料である。具体的には、変性ポリアミド類、オイリチオール類、ポリエチレングリコール類、クラウンエーテル類、フェノール系樹脂、有機リン系、アミン系、イミダゾール系、イミン系、カルボン酸塩系、スルホニウム塩系、ホスホニウム塩系、リン酸エステル系、金属化合物系、ジシアンアジアアミド、リン含有アミン系、無水マレイン酸系、無水コハク酸系、多価カルボン酸のヘミアセタール化、リン・窒素・フッ素、ケイ素を含有する無水物系、リン原子含有エポキシ樹脂、窒素原子含有エポキシ樹脂、ケイ素原子含有エポキシ樹脂、アザビシクロ化合物系等のうち、上記樹脂材料５０ａの材料に対して硬化を促進させる効果を奏するような組み合わせの材料を用いることができる。この工程は、液滴吐出法によって行われる。より詳細には、硬化促進剤５０ｂを含む機能液の液滴を、インクジェット装置などの液滴吐出装置によってマザーガラス基板２１ｍ上の所定位置に吐出していくことによって行われる。
【００４３】
当該吐出の前に、マザーガラス基板２１ｍの表面のうち、硬化促進剤５０ｂを吐出すべき領域を親液化処理し、その他の領域を撥水化処理する工程を含んでいてもよい。これにより、硬化促進剤５０ｂをより容易に所望の領域に配置することができるようになる。
【００４４】
次に、工程Ｐ３１では、上記工程で製造された複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを熱圧着させ、複合基板を製造する（図４（ｃ）参照）。この工程は、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で貼り合わせ、約５０℃の熱を印加しながら圧着させることによって行う。圧着は、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを約５０℃に保たれた圧着治具７０に挟み込み、当該圧着治具７０によって基板間距離を縮める方向に圧力をかけることによって行われる。
【００４５】
この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図５を用いて説明する。マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ上に互いに対向する位置に配置された樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂ（図５（ａ）参照）は、両基板の貼り合わせと同時に混合される。硬化促進剤５０ｂと混合された樹脂材料５０ａは、硬化されて接着剤５０となる（図５（ｂ）参照）。この硬化は常温でも進行するが、約５０℃に加熱することによってさらに硬化速度を速めることができる。圧着時には、マザーガラス基板１１ｍおよび樹脂材料５０ａは、圧着治具７０によって約５０℃に保たれているので、樹脂材料５０ａは急速に硬化されて、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。両基板への圧着治具７０による熱圧着は、約３分間行う。
【００４６】
また、この工程においては、工程Ｐ２２で配置された導電ペースト６０が、マザーガラス基板１１ｍ上のドレイン電極３６と、マザーガラス基板２１ｍ上の陰極５８のいずれにも接する状態で固着される。これによって、ドレイン電極３６と陰極５８との電気的な導通が確保される。
【００４７】
樹脂材料５０ａが硬化されて接着剤５０となったところで、得られた複合基板を圧着治具７０から取り出し、常温下で静置させる。これにより、硬化をさらに進めて複合基板の接着強度を高めることができる。
【００４８】
最後に、工程Ｐ３２では、上記複合基板を有機ＥＬ装置１に対応する大きさにブレイク（分割）する。ブレイクは、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍの表面をスクライブした後に、外力を印加して分割することによって行われる。この工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する（図４（ｄ）参照）。
【００４９】
以上の製造方法によれば、約５０℃という低温の加熱でマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着することができる。このため、熱による有機発光層５６の劣化、および当該劣化による有機ＥＬ装置１の表示品位の低下を防止することができる。また、単独では硬化しにくい樹脂材料５０ａを用いることによって、スクリーン印刷法に用いるスキージやスクリーンマスクの寿命を長くすることができるとともに、工程における接着剤５０の材料（樹脂材料５０ａ）の保存寿命を延ばすことができる。
【００５０】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態は、硬化促進剤５０ｂをスクリーン印刷法によって所定の領域にのみ選択的に配置するものであるが、スプレー法等を用いてより広範囲に配置することもできる。以下ではこうした構成の第２の実施形態について説明する。本実施形態の製造方法で得られる有機ＥＬ装置１は、第１の実施形態と同様である。また、その製造方法は、硬化促進剤５０ｂの配置方法、配置位置を除けば第１の実施形態と同様であるので、主に相違点について述べる。
【００５１】
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造工程は、図３に示されている。ここで、工程Ｐ２３、すなわち硬化促進剤５０ｂの配置工程は、マザーガラス基板２１ｍ上に硬化促進剤５０ｂをスプレー法によって散布することによって行われる。このとき、硬化促進剤５０ｂは、図６の断面図に示すように、後にマザーガラス基板１１ｍと貼り合せた際に樹脂材料５０ａと重なる領域に少なくとも配置されるとともに、スプレー法という方法の特性から、その他の領域にもかかって配置される。
【００５２】
続く工程Ｐ３１では、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを、約５０℃に加熱された圧着治具７０を用いて熱圧着させ、複合基板を製造する。この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図７を用いて説明する。マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ上に配置された樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂ（図７（ａ）参照）は、両基板の貼り合わせと同時に混合される。硬化促進剤５０ｂと混合された樹脂材料５０ａは、硬化されて接着剤５０となる（図７（ｂ）参照）。このとき、硬化促進剤５０ｂのすべてが樹脂材料５０ａと混合されるわけではないが、樹脂材料５０ａの硬化のためには、少なくとも樹脂材料５０ａと対向する位置に硬化促進剤５０ｂが配置されており、当該位置の硬化促進剤５０ｂと混合されれば十分である。
【００５３】
以下、工程Ｐ３２のブレイク工程を経て、有機ＥＬ装置１が製造される。以上のように、硬化促進剤５０ｂをスプレー法で塗布する製造方法によれば、硬化促進剤５０ｂの配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であるため、製造プロセスを簡略化させることができる。
【００５４】
（第３の実施形態）
上記各実施形態は、樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂを異なるマザーガラス基板上に配置するものであるが、これらを同一のマザーガラス基板上に配置する製造方法によっても有機ＥＬ装置１を製造することができる。以下では、このような構成の第３の実施形態について説明する。
【００５５】
図８は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程図であり、図９は、各工程における有機ＥＬ装置１の断面図である。これらの図を用いて、まず複合ＴＦＴ基板の製造工程について説明する。
【００５６】
工程Ｐ１１では、マザーガラス基板１１ｍ上に、公知の薄膜形成技術等を用いてＴＦＴ側機能層１２を形成する（図９（ａ）参照）。続く工程Ｐ１２では、マザーガラス基板１１ｍ上の所定の領域に、樹脂材料５０ａを配置する（図９（ｂ）参照）。これらの各工程は、第１の実施形態と同様に行われる。
【００５７】
次に、工程Ｐ１３では、工程Ｐ１２において配置された樹脂材料５０ａ上に、スプレー法によって硬化促進剤５０ｂを塗布する。このとき、硬化促進剤５０ｂは、図９（ｃ）に示すように、樹脂材料５０ａ上に少なくとも配置されるとともに、スプレー法という方法の特性から、その他の領域にもかかって配置される。以上の工程を経て複合ＴＦＴ基板が完成する。
【００５８】
続いて、複合ＥＬ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ２１では、第１の実施形態と同様、マザーガラス基板２１ｍ上に、ＥＬ側機能層２２を形成する（図９（ａ）参照）。次に、工程Ｐ２２では、ＥＬ側機能層２２上の所定の領域に、導電ペースト６０を配置する（図９（ｂ）参照）。なお、複合ＴＦＴ基板の樹脂材料５０ａは、工程Ｐ１３において硬化促進剤５０ｂが配置された直後に硬化が始まるので、当該工程Ｐ２２は、工程Ｐ１３の終了時以前に終了していることが好ましい。
【００５９】
次に、工程Ｐ３１では、上記工程で製造された複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを、約５０℃に加熱された圧着治具７０を用いて熱圧着させ、複合基板を製造する（図９（ｄ）参照）。
【００６０】
この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図１０を用いて説明する。樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂは、マザーガラス基板１１ｍ上において重ねて配置されているので（図１０（ａ）参照）、当該工程の前から少しずつ混合されており、樹脂材料５０ａの硬化が始まっている。この混合および硬化は、マザーガラス基板１１ｍおよび２１ｍの貼り合わせと同時にさらに進み、また、約５０℃に加熱することによって硬化速度がさらに速まる。こうして、樹脂材料５０ａは硬化されてマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。この工程においては、硬化促進剤５０ｂのすべてが樹脂材料５０ａと混合されるわけではないが、樹脂材料５０ａの硬化のためには、少なくとも樹脂材料５０ａに重ねて硬化促進剤５０ｂが配置されており、当該位置の硬化促進剤５０ｂと混合されれば十分である。両基板への圧着治具７０による熱圧着は、約３分間行う。
【００６１】
また、この工程においては、工程Ｐ２２において配置された導電ペースト６０が、マザーガラス基板１１ｍ上のドレイン電極３６およびマザーガラス基板２１ｍ上の陰極５８のいずれにも接する状態で固着される。これによって、ドレイン電極３６と陰極５８との電気的な導通が確保される。
【００６２】
樹脂材料５０ａが硬化されて接着剤５０となったところで、得られた複合基板を圧着治具７０から取り出し、常温下で静置させる。これにより、硬化をさらに進めて複合基板の接着強度を高めることができる。
【００６３】
最後に、工程Ｐ３２では、上記複合基板を有機ＥＬ装置１に対応する大きさにブレイク（分割）する。この工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する（図９（ｅ）参照）。
【００６４】
以上の製造方法によれば、硬化促進剤５０ｂをスプレー法で塗布するため、硬化促進剤５０ｂの配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であり、製造プロセスを簡略化することができる。また、約５０℃という低温の加熱でマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着することができるので、熱による有機発光層５６の劣化、および当該劣化による有機ＥＬ装置１の表示品位の低下を防止することができる。
【００６５】
（電子機器への搭載例）
上述した有機ＥＬ装置１は、例えば、図１２に示すような「電子機器」としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５１０および操作ボタン５２０を有している。表示部５１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン５２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、熱による劣化のない、高品位な表示を行うことができる。
【００６６】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機５００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００６８】
（変形例１）
上記各実施形態は、２液混合型の接着剤５０を使用して有機ＥＬ装置１を製造するものであるが、さらに導電ペースト６０も２液混合型とすることができる。ここで、２液混合型とは、接着剤の材料と、これに対する硬化促進剤とを混合することによって接着剤の材料を硬化させる形式をいう。
【００６９】
図１１は、本変形例の製造方法における、熱圧着工程の直前の複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板の断面図である。複合ＴＦＴ基板は、マザーガラス基板１１ｍ上にＴＦＴ側機能層１２、樹脂材料５０ａ、導電ペースト材料６０ａが配置されたものであり、複合ＥＬ基板は、マザーガラス基板２１ｍ上にＥＬ側機能層２２、硬化促進剤５０ｂ，６０ｂが配置されたものである。ここで、硬化促進剤５０ｂおよび６０ｂは、同一の材料からなる。また、導電ペースト材料６０ａは、樹脂材料５０ａと同一の材料に導電性粒子を混入させたものである。すなわち、硬化促進剤６０ｂと混合されることによって硬化する。導電ペースト材料６０ａは、第１の実施形態における導電ペースト６０と同一の位置に同一の方法で配置されたものである。硬化促進剤６０ｂは、ＥＬ側機能層２２上のうち少なくとも導電ペースト材料６０ａと対向する位置に、液滴吐出法によって配置されたものである。
【００７０】
こうした構成の複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を約５０℃で熱圧着させると、樹脂材料５０ａは硬化促進剤５０ｂと混合されることによって硬化が進み、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。同様に、導電ペースト材料６０ａは、硬化促進剤６０ｂと混合されることによって硬化が進み、導電ペースト６０となる。当該導電ペースト６０は、導電性粒子の効果によってドレイン電極３６と陰極５８とを導通させるとともに、接着剤５０と同様に、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する機能も有する。この後、静置工程、ブレイク工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する。このように、導電ペースト６０も２液混合型とすることによって、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍの接着強度、ひいては有機ＥＬ装置１の強度が向上する。
【００７１】
上記製造方法においては、効率上、硬化促進剤５０ｂ，６０ｂを同一のプロセスで配置するのが好ましく、上述した液滴吐出法の他にも、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディスペンサ塗布法等によって配置することもできる。また、スピンコート法またはスプレー法によってマザーガラス基板２１ｍの全面に配置してもよい。
【００７２】
（変形例２）
上記各実施形態において、樹脂材料５０ａはスクリーン印刷法によって配置されるが、これに代えて、液滴吐出法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法を用いて配置することもできる。これらの方法によっても、ガラス基板１１，２１（マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ）の接着に必要な所定の領域に樹脂材料５０ａを配置することができる。また、いずれの方法においても、樹脂材料５０ａが単独では硬化しにくいことに基づく利点を享受することができる。すなわち、液滴吐出法では液滴吐出装置のヘッド、ディスペンサ塗布法ではディスペンサ、オフセット印刷法では版や転写ローラーに接着剤が硬化して使えなくなるような不具合が起こりにくい。
【００７３】
（変形例３）
上記各実施形態の製造方法において、導電ペースト６０と樹脂材料５０ａとは異なるマザーガラス基板上に配置しているが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、同一のマザーガラス基板上に配置してもよい。この場合のマザーガラス基板は、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍのどちらでもよい。
【００７４】
（変形例４）
上記各実施形態において、正孔輸送層５５および有機発光層５６は、第１バンク５３および第２バンク５４によって形作られる凹部に液滴吐出法によって形成されるが、正孔輸送層５５および有機発光層５６の形成方法はこれに限られない。例えば、凹部を設けずにスピンコート法や印刷法によって形成する方法、あるいは蒸着やスパッタリング等の気相プロセスによって形成する方法も適用可能である。
【００７５】
（変形例５）
上記各実施形態において、陰極５８は、逆テーパーレジスト５７の効果によって隔離されるが、陰極５８の隔離方法はこれに限定されず、例えばマスクを用いて部分的に蒸着する方法や、全面に形成した後にレーザーエッチング、ドライエッチング、ウェットエッチング等を用いてパターニングする方法も適用可能である。
【００７６】
（変形例６）
上記各実施形態において、樹脂材料５０ａはマザーガラス基板１１ｍ上（複合ＴＦＴ基板側）に配置されるが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、マザーガラス基板２１ｍ上（複合ＥＬ基板側）に配置してもよい。この場合、硬化促進剤５０ｂは、マザーガラス基板１１ｍ上であって樹脂材料５０ａに対向する領域に配置するか、樹脂材料５０ａ上に重ねて配置する。
【００７７】
また、導電ペースト６０の配置位置もＥＬ側機能層２２上には限られず、ＴＦＴ側機能層１２上に形成してもよい。
【００７８】
これらの製造方法によっても、上記各実施形態と同様の有機ＥＬ装置１を製造することができる。
【００７９】
（変形例７）
上記各実施形態において、熱圧着時の加熱温度は約５０℃であるが、これは例示であって加熱温度の上限または下限を示すものではない。本発明の実施にあたっては、有機発光層５６の耐熱特性に応じ、有機発光層５６の劣化が起こらない温度であればどのような温度で熱圧着を行ってもよい。また、樹脂材料５０ａ、硬化促進剤５０ｂが、常温で十分に硬化するような材料の組み合わせであれば、熱圧着工程は常温で行うこともできる。
【００８０】
（変形例８）
上記実施形態では、「スイッチング素子」としてＴＦＴ素子３０を用いているが、これに代えて、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を始めとするその他のスイッチング素子を用いる構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面図であり、（ａ）は拡大図、（ｂ）は全体図。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図３】第１の実施形態および第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、第１の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図６】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、第２の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図８】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図。
【図９】（ａ）から（ｅ）は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、第３の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図１１】本発明の変形例に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係る携帯電話機の斜視図。
【符号の説明】
【００８２】
１…「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置、５，５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ…画素、６…発光領域、１０…ＴＦＴ基板、１１，２１…ガラス基板、１１ｍ…「第１の基板」としてのマザーガラス基板、１２…「第１の機能層」としてのＴＦＴ側機能層、２０…ＥＬ基板、２１ｍ…「第２のガラス基板」としてのマザーガラス基板、２２…「第２の機能層」としてのＥＬ側機能層、３０…ＴＦＴ素子、３１…ソース領域、３２…能動層、３３…ドレイン領域、３４…ゲート電極、３５…ソース電極、３６…「配線」としてのドレイン電極、３８…ドライバ、４２…絶縁層、４４…ゲート絶縁層、４６…層間絶縁膜、５０…接着剤、５０ａ…樹脂材料、５０ｂ，６０ｂ…硬化促進剤、５２…透明電極、５３…第１バンク、５４…第２バンク、５５…正孔輸送層、５６，５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ…有機発光層、５７…逆テーパーレジスト、５８…陰極、６０…導電ペースト、６０ａ…導電ペースト材料、７０…圧着治具、５００…携帯電話機。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに対向して貼り合わされた２枚の基板を有するエレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該エレクトロルミネッセンス装置、および当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、エレクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」とも略す）装置は、陽極としての透明電極と陰極との間に有機発光層を備える構成において、両極間に印加された電圧に応じて有機発光層を発光させ、その光を透明電極側から取り出すものである。陰極は、光の取り出し効率を上げるための反射膜としても機能するよう、金属の薄膜によって構成される場合が多い。
【０００３】
こうしたＥＬ装置は、ボトムエミッションタイプとトップエミッションタイプに大別される。ボトムエミッションタイプのＥＬ装置は、基板上に透明電極、有機発光層、陰極がこの順に形成された構成を有し、基板側から光を取り出す装置である。一方、トップエミッションタイプのＥＬ装置は、基板上に陰極、有機発光層、透明電極がこの順に形成された構成を有し、基板とは反対側から光を取り出す装置である。
【０００４】
ボトムエミッションタイプには、ＴＦＴ素子等の駆動素子の存在によって開口率が低下するという問題があるが、トップエミッションタイプにおいてはこうした問題は生じない。一方、トップエミッションタイプには、有機発光層の保護のための封止を光の取り出し側において行わなければならないという問題がある。トップエミッションタイプにおいて、効果的な封止を行うことと、良好な光学特性を維持することの両立には技術的な困難が伴う。
【０００５】
そこで、上記開口率および封止の問題をともに解消可能な構成が提案されている（特許文献１参照）。これは、ボトムエミッションタイプの基板から駆動素子を除いたＥＬ基板と、駆動素子を備えた別のＴＦＴ基板とを貼り合わせたものである（以下本稿では、こうした構成を「擬似トップエミッション」とも呼ぶ）。この構成によれば、ＥＬ基板には駆動素子がないため、トップエミッションタイプと同様に高開口率化が可能である。また、ＥＬ基板は基本的にボトムエミッション構造であるので、封止は光の取り出し側と反対側において、光学特性に関する制約なく行うことができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、こうした擬似トップエミッション構造のＥＬ装置の製造には、両基板を接着する際に、熱硬化性の接着剤を使わなければならないという制約がある。ＥＬ基板には金属の陰極が全面に配置され、またＴＦＴ基板には素子や配線が高密度で配置されているため、両基板とも光を透過せず、光硬化性の接着剤が使用できないからである。そして、一般に有機発光層は熱に弱いため、接着剤の硬化のための加熱によって劣化し、光学特性が低下してしまうという問題点があった。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、低い温度で基板を貼り合わせることが可能な擬似トップエミッション構造のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法、当該エレクトロルミネッセンス装置、および当該エレクトロルミネッセンス装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１の基板の対向面に、前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、前記第２の基板の対向面に、透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに配置する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記樹脂材料と接触する位置に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
こうした方法によれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程において樹脂材料と硬化促進剤が混合されるので、５０℃程度の低温か、または常温で樹脂材料が硬化する。硬化した樹脂材料は両基板を接着する接着剤として機能する。このように、上記方法によれば、擬似トップエミッション構造のエレクトロルミネッセンス装置の製造に際して、高温に加熱することなく第１の基板と第２の基板とを接着することができるので、熱による有機発光層の劣化、および当該劣化によるエレクトロルミネッセンス装置の表示品位の低下を防止することができる。
【００１１】
ここで、貼り合わせの工程以前の、第１の基板、第２の基板それぞれに関する工程は、互いに独立に行うことができる。いずれかの基板に関する工程を先に行ってもよいし、両基板の工程を同時に、あるいは交互に進めてもよい。また、導電性を有するペーストを配置する工程は、樹脂材料を配置する工程、または硬化促進剤を配置する工程の後であってもよい。
【００１２】
硬化促進剤は、ペーストを硬化させる機能を併せ持っているものとすることもできる。このとき、当該硬化促進剤を配置する工程は、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に、前記樹脂材料と接触する位置および前記ペーストと接触する位置に少なくとも配置する工程とすることが好ましい。この方法によれば、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程においてペーストと硬化促進剤が混合され、５０℃程度の低温か、または常温でペーストが硬化し、両基板の接着強度の向上に寄与する。
【００１３】
本発明によるエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第１の基板の対向面に、前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、前記第２の基板の対向面に、透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに形成する工程と、前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、前記樹脂材料上に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
こうした方法によれば、樹脂材料は、これに重ねて配置された硬化促進剤と混合される。このため、この後の第１の基板と第２の基板とを貼り合わせる工程においては、５０℃程度の低温か、または常温で樹脂材料が硬化する。硬化した樹脂材料は両基板を接着する接着剤として機能する。このように、上記方法によれば、高温に加熱することなく第１の基板と第２の基板とを接着することができるので、熱による有機発光層の劣化、および当該劣化によるエレクトロルミネッセンス装置の表示品位の低下を防止することができる。
【００１５】
上記製造方法において、前記樹脂材料を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行われることが好ましい。こうした方法によれば、樹脂材料を所望の領域にのみ配置することができる。したがって、当該樹脂材料を硬化させてできる接着剤の形成領域を所望の領域とすることができる。
【００１６】
上記製造方法において、前記硬化促進剤を配置する工程は、スプレー法またはスピンコート法によって行ってもよい。こうした方法によれば、硬化促進剤の配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であるため、製造プロセスを簡略化させることができる。
【００１７】
前記硬化促進剤を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行ってもよい。
【００１８】
本発明によるエレクトロルミネッセンス装置は、上記製造方法によって製造されたことを特徴とする。このようなエレクトロルミネッセンス装置は、有機発光層が熱による劣化を受けていないため、高品位な表示を行うことができる。
【００１９】
本発明による電子機器は、上記エレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする。こうした構成によれば、熱による劣化のないエレクトロルミネッセンス装置による高品位な表示を行うことが可能な電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２１】
（第１の実施形態）
＜Ａ．有機ＥＬ装置＞
図１および図２を用いて、本発明の製造方法によって製造される「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置１について説明する。図１（ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ装置１を示す平面図であり、（ｂ）は全体図、（ａ）は（ｂ）の左上部分の拡大図である。また、図２は、図１（ｂ）中のＡ−Ａ線で有機ＥＬ装置１を切断したときの断面図である。なお、図１は、各構成要素の平面的な位置関係を説明するための図であり、奥行き方向の相対関係は一部度外視されている。
【００２２】
有機ＥＬ装置１は、ガラス基板１１とガラス基板２１とが接着剤５０を介して互いに対向して貼り合わされた構成となっている。ガラス基板１１上には「第１の機能層」としてのＴＦＴ側機能層１２が、またガラス基板２１上には「第２の機能層」としてのＥＬ側機能層２２がそれぞれ形成されている。ガラス基板１１上には、ドライバ３８が実装されている。ＴＦＴ側機能層１２およびＥＬ側機能層２２には、複数の行および列に沿ってマトリクス状に配列された複数の画素５に対応する構成要素が含まれている。画素５は、図１（ａ）に示すように細長い矩形状であり、赤色の発光を行う画素５Ｒ、緑色の発光を行う画素５Ｇ、青色の発光を行う画素５Ｂの３種類がある。画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは、行方向にこの順に繰り返して配列されている。有機ＥＬ装置１は、これらのすべての画素５を含む発光領域６において、発光および当該発光に基づく表示を行う装置である。なお、以下では、ガラス基板１１およびＴＦＴ側機能層１２を合わせたものを「ＴＦＴ基板１０」と呼び、ガラス基板２１およびＥＬ側機能層２２を合わせたものを「ＥＬ基板２０」と呼ぶ。
【００２３】
図２に示すように、ガラス基板１１の、ガラス基板２１に対向する面（対向面）には、絶縁層４２、ゲート絶縁層４４、層間絶縁膜４６がこの順に積層されている。これらは、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ等の無機絶縁物質からなる。絶縁層４２とゲート絶縁層４４との間には、ポリシリコンからなるソース領域３１、能動層３２、ドレイン領域３３が形成されており、またゲート絶縁層４４と層間絶縁膜４６との間には、ゲート電極３４が形成されている。以下では、ソース領域３１、能動層３２、ドレイン領域３３、ゲート電極３４をまとめて「ＴＦＴ素子３０」と呼ぶ。ＴＦＴ素子３０は、本発明の「スイッチング素子」に対応するものであり、各々の画素５に対応して形成されている。
【００２４】
層間絶縁膜４６上には、ソース電極３５、および本発明における「配線」としてのドレイン電極３６が形成されている。ソース電極３５、ドレイン電極３６は、層間絶縁膜４６およびゲート絶縁層４４を貫通するコンタクトホールを介して、それぞれソース領域３１、ドレイン領域３３に電気的に接続されている。また、ドレイン電極３６は、導電ペースト６０の配置された位置にまで延設されている。この延設部は、本実施形態のようにコンタクトホール部から連なる一体の部材として形成されていてもよいし、ドレイン領域３３から層間絶縁膜４６上までの領域と、延設部とを別々に形成し、電気的に接続された構成とすることもできる。
【００２５】
ゲート電極３４およびソース電極３５は、ドライバ３８に電気的に接続されている。ゲート電極３４、ソース電極３５には、それぞれドライバ３８から走査信号、画像信号が供給され、このうち画像信号はＴＦＴ素子３０のスイッチング機能によってドレイン電極３６に供給される。より詳細には、ＴＦＴ素子３０は、ゲート電極３４に供給される走査信号に応じてスイッチを開閉し、当該スイッチが閉じた状態においてゲート電極３４に印加された画像信号をドレイン電極３６に供給する。
【００２６】
上記絶縁層４２、ゲート絶縁層４４、層間絶縁膜４６、ＴＦＴ素子３０、ソース電極３５、ドレイン電極３６が、上述のＴＦＴ側機能層１２に相当し、ガラス基板１１とともにＴＦＴ基板１０を構成する。
【００２７】
一方、ガラス基板２１の、ガラス基板１１に対向する面（対向面）には、ほぼ全面にわたってＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる「透光性を有する電極」としての透明電極５２が形成されている。透明電極５２上には、樹脂からなる第１バンク５３が形成されているとともに、当該第１バンク５３を下地として同じく樹脂からなる第２バンク５４が積層されている。第２バンク５４は、有機ＥＬ装置１において発光の行われない領域に配置される。換言すれば、第２バンク５４は、画素５を区画する。また、第２バンク５４は一定の高さを有しているため、ガラス基板２１上には、各画素５に対応した凹部が形成されることとなる。より詳細には、透明電極５２および第１バンク５３の一部を底部とし、第２バンク５４を側壁とする凹部が、各画素５に形成されている。第２バンク５４の上には、逆テーパーレジスト５７が形成されている。
【００２８】
上記凹部には、正孔輸送層５５、有機発光層５６がこの順に積層されている。有機発光層５６は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。有機発光層５６には、赤色の発光を行う有機発光層５６Ｒ、緑色の発光を行う有機発光層５６Ｇ、青色の発光を行う有機発光層５６Ｂの３種があり、これらはそれぞれ画素５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに配置されている。有機発光層５６は、図１（ａ）に示すようにトラック形状をなしている。これは、凹部の側壁、すなわち第２バンク５４が、当該トラック形状をなすように形成されていることによる。なお、有機発光層５６上にさらに電子輸送層が積層された構成とすることもできる。
【００２９】
以上に述べた構成要素がガラス基板２１上に形成された状態で、アルミニウム、銀、またはマグネシウム等の金属を蒸着させることによって、有機発光層５６上および逆テーパーレジスト５７上の全面に金属の陰極５８が形成される。ただし、有機発光層５６上の陰極５８は、逆テーパーレジスト５７の効果によって当該逆テーパーレジスト５７上の陰極５８とは物理的に断絶されている。図１（ａ）における、有機発光層５６の周囲の矩形の枠は、当該断絶を表している。このため、各画素５の陰極５８は、他の画素５の陰極５８に対して物理的、電気的に独立となっている。
【００３０】
上記透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４、正孔輸送層５５、有機発光層５６、逆テーパーレジスト５７、陰極５８が、上述のＥＬ側機能層２２に相当し、ガラス基板２１とともにＥＬ基板２０を構成する。
【００３１】
以上のような構成のＴＦＴ基板１０およびＥＬ基板２０は、発光領域６の外部であってＥＬ基板２０の外縁部近傍に、発光領域６を囲って配置された接着剤５０（図１（ｂ）参照）を介して貼り合わされている。
【００３２】
また、各画素５においては、ドレイン電極３６と陰極５８とが対向する位置に、本発明における「導電性を有するペースト」としての導電ペースト６０が配置されており、ドレイン電極３６と陰極５８とは、当該導電ペースト６０によって電気的に接続されている。導電ペースト６０には、エポキシ系またはフェノール系熱硬化接着剤中にカーボン粒子、銀粒子あるいは銅粒子のような導電性粒子が分散含有されたものを用いることができる。
【００３３】
導電ペースト６０の導電性により、上述したドレイン電極３６に印加される画像信号は、導電ペースト６０を介して陰極５８に印加される。そして、有機発光層５６には、固定電位とされた透明電極５２と陰極５８との間にかかる電圧に応じた電流が流れ、発光が行われる。
【００３４】
有機発光層５６からの光は、一部は直接ガラス基板２１を透過し、一部は陰極５８によって反射されてからガラス基板２１を透過する。いずれにせよ、有機発光層５６からの光はガラス基板２１の側から射出される。有機ＥＬ装置１は、こうした各画素５における発光の集合によって、発光領域６において画像信号に基づく表示を行う。
【００３５】
以上のような構造（擬似トップエミッション構造）によれば、有機発光層５６とガラス基板２１との間にＴＦＴ素子３０等の障害物がないため、トップエミッションタイプと同様に高開口率化が可能である。また、封止も容易である。すなわち、有機発光層５６を含むＥＬ基板２０を、ＴＦＴ基板１０および接着剤５０によって、光の取り出し側と反対側において光学特性に関する制約なく封止することができる。
【００３６】
＜Ｂ．有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、図３から図５を用いて、上記有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。図３は、有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程図であり、図４（ａ）から（ｄ）は、各工程における有機ＥＬ装置１の断面図である。図３において、工程Ｐ１１および工程Ｐ１２は複合ＴＦＴ基板を製造するための工程であり、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３は複合ＥＬ基板を製造するための工程である。工程Ｐ３１および工程Ｐ３２は、複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を組み合わせて最終的に有機ＥＬ装置１を製造するための工程である。工程Ｐ１１および工程Ｐ１２と、工程Ｐ２１から工程Ｐ２３とは、それぞれ独立に行われる。
【００３７】
ここで、複合ＴＦＴ基板とは、ガラス基板１１を多数含むような大きさのマザーガラス基板１１ｍの上に複数の有機ＥＬ装置１に対応するＴＦＴ側機能層１２をマトリクス状に形成したものであり、複数のＴＦＴ基板１０を内包する。同様に、複合ＥＬ基板は、マザーガラス基板２１ｍ上に複数の有機ＥＬ装置１に対応するＥＬ側機能層２２をマトリクス状に形成したものであり、複数のＥＬ基板２０を内包する。個々の有機ＥＬ装置１は、複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を貼り合わせて複合基板を形成した後に、これを個々の有機ＥＬ装置１に対応する形状にブレイク（分割）する工程を経て製造される。ここで、マザーガラス基板１１ｍが本発明における「第１の基板」に対応し、マザーガラス基板２１ｍが本発明における「第２の基板」に対応する。
【００３８】
まず、複合ＴＦＴ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ１１では、マザーガラス基板１１ｍ上に、公知の薄膜形成技術等を用いてＴＦＴ側機能層１２を形成する（図４（ａ）参照）。このとき、ＴＦＴ素子３０を画素５ごとに形成するとともに、ＴＦＴ素子３０のドレイン領域３３に電気的に接続されたドレイン電極３６を最表面に形成する。
【００３９】
続く工程Ｐ１２では、マザーガラス基板１１ｍ上の所定の領域に、樹脂材料５０ａを配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、有機ＥＬ装置１となるべき個々の領域の外縁部であって、発光領域６を囲うような領域である。樹脂材料５０ａは、液状の材料であって、硬化させることによって接着剤５０となる材料である。具体的には、アクリル樹脂、エポキシ類樹脂、２官能フェノール化合物類、フェノール類樹脂、ウレタン類樹脂、ポリイミド類樹脂、シリコーン類樹脂、芳香族尿素化合物類、シアノアクリレート類樹脂、メラミン系樹脂、エチレン酢酸ビニル類樹脂、クロロプレン類樹脂、酢酸ビニル類樹脂、ポリエチレン類樹脂、ポリプロピレン類樹脂、シリル基含有ポリマー系樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂類、複数樹脂類のアロイ化、ポリベンゾイミダゾール類樹脂、フッ素化樹脂類等を用いることができる。この工程は、スクリーン印刷法によって行われる。
【００４０】
続いて、複合ＥＬ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ２１では、マザーガラス基板２１ｍ上に、ＥＬ側機能層２２を形成する（図４（ａ）参照）。この工程は、より詳細には、公知の薄膜形成技術およびパターニング技術等を用いて、透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４、逆テーパーレジスト５７を形成する工程と、透明電極５２、第１バンク５３、第２バンク５４によって形作られた凹部に液滴吐出法によって正孔輸送層５５、有機発光層５６を形成する工程と、これらの上に陰極５８を蒸着させる工程とを有する。
【００４１】
次に、工程Ｐ２２では、ＥＬ側機能層２２上の所定の領域に、導電ペースト６０を配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、各画素５のうち、後にマザーガラス基板１１ｍとマザーガラス基板２１ｍとが貼り合わされる際にドレイン電極３６と陰極５８のいずれにも接触する位置を含む領域である。この工程は、スクリーン印刷法によって行う。なお、スクリーン印刷法の他に、液滴吐出法、オフセット印刷法またはディスペンサ塗布法等によって行うこともできる。
【００４２】
次に、工程Ｐ２３では、マザーガラス基板２１ｍ上の所定の領域に、硬化促進剤５０ｂを配置する（図４（ｂ）参照）。ここで所定の領域とは、有機ＥＬ装置１となるべき個々の領域の外縁部であって、発光領域６を囲うような領域であり、後にマザーガラス基板１１ｍと貼り合せた際に樹脂材料５０ａと重なる領域である。硬化促進剤５０ｂは、液状の材料であって、樹脂材料５０ａと混合したときに当該樹脂材料５０ａの硬化を促進させる効果を有する材料である。具体的には、変性ポリアミド類、オイリチオール類、ポリエチレングリコール類、クラウンエーテル類、フェノール系樹脂、有機リン系、アミン系、イミダゾール系、イミン系、カルボン酸塩系、スルホニウム塩系、ホスホニウム塩系、リン酸エステル系、金属化合物系、ジシアンアジアアミド、リン含有アミン系、無水マレイン酸系、無水コハク酸系、多価カルボン酸のヘミアセタール化、リン・窒素・フッ素、ケイ素を含有する無水物系、リン原子含有エポキシ樹脂、窒素原子含有エポキシ樹脂、ケイ素原子含有エポキシ樹脂、アザビシクロ化合物系等のうち、上記樹脂材料５０ａの材料に対して硬化を促進させる効果を奏するような組み合わせの材料を用いることができる。この工程は、液滴吐出法によって行われる。より詳細には、硬化促進剤５０ｂを含む機能液の液滴を、インクジェット装置などの液滴吐出装置によってマザーガラス基板２１ｍ上の所定位置に吐出していくことによって行われる。
【００４３】
当該吐出の前に、マザーガラス基板２１ｍの表面のうち、硬化促進剤５０ｂを吐出すべき領域を親液化処理し、その他の領域を撥水化処理する工程を含んでいてもよい。これにより、硬化促進剤５０ｂをより容易に所望の領域に配置することができるようになる。
【００４４】
次に、工程Ｐ３１では、上記工程で製造された複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを熱圧着させ、複合基板を製造する（図４（ｃ）参照）。この工程は、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板との間でアライメント（位置合わせ）をした状態で貼り合わせ、約５０℃の熱を印加しながら圧着させることによって行う。圧着は、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを約５０℃に保たれた圧着治具７０に挟み込み、当該圧着治具７０によって基板間距離を縮める方向に圧力をかけることによって行われる。
【００４５】
この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図５を用いて説明する。マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ上に互いに対向する位置に配置された樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂ（図５（ａ）参照）は、両基板の貼り合わせと同時に混合される。硬化促進剤５０ｂと混合された樹脂材料５０ａは、硬化されて接着剤５０となる（図５（ｂ）参照）。この硬化は常温でも進行するが、約５０℃に加熱することによってさらに硬化速度を速めることができる。圧着時には、マザーガラス基板１１ｍおよび樹脂材料５０ａは、圧着治具７０によって約５０℃に保たれているので、樹脂材料５０ａは急速に硬化されて、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。両基板への圧着治具７０による熱圧着は、約３分間行う。
【００４６】
また、この工程においては、工程Ｐ２２で配置された導電ペースト６０が、マザーガラス基板１１ｍ上のドレイン電極３６と、マザーガラス基板２１ｍ上の陰極５８のいずれにも接する状態で固着される。これによって、ドレイン電極３６と陰極５８との電気的な導通が確保される。
【００４７】
樹脂材料５０ａが硬化されて接着剤５０となったところで、得られた複合基板を圧着治具７０から取り出し、常温下で静置させる。これにより、硬化をさらに進めて複合基板の接着強度を高めることができる。
【００４８】
最後に、工程Ｐ３２では、上記複合基板を有機ＥＬ装置１に対応する大きさにブレイク（分割）する。ブレイクは、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍの表面をスクライブした後に、外力を印加して分割することによって行われる。この工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する（図４（ｄ）参照）。
【００４９】
以上の製造方法によれば、約５０℃という低温の加熱でマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着することができる。このため、熱による有機発光層５６の劣化、および当該劣化による有機ＥＬ装置１の表示品位の低下を防止することができる。また、単独では硬化しにくい樹脂材料５０ａを用いることによって、スクリーン印刷法に用いるスキージやスクリーンマスクの寿命を長くすることができるとともに、工程における接着剤５０の材料（樹脂材料５０ａ）の保存寿命を延ばすことができる。
【００５０】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態は、硬化促進剤５０ｂをスクリーン印刷法によって所定の領域にのみ選択的に配置するものであるが、スプレー法等を用いてより広範囲に配置することもできる。以下ではこうした構成の第２の実施形態について説明する。本実施形態の製造方法で得られる有機ＥＬ装置１は、第１の実施形態と同様である。また、その製造方法は、硬化促進剤５０ｂの配置方法、配置位置を除けば第１の実施形態と同様であるので、主に相違点について述べる。
【００５１】
本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造工程は、図３に示されている。ここで、工程Ｐ２３、すなわち硬化促進剤５０ｂの配置工程は、マザーガラス基板２１ｍ上に硬化促進剤５０ｂをスプレー法によって散布することによって行われる。このとき、硬化促進剤５０ｂは、図６の断面図に示すように、後にマザーガラス基板１１ｍと貼り合せた際に樹脂材料５０ａと重なる領域に少なくとも配置されるとともに、スプレー法という方法の特性から、その他の領域にもかかって配置される。
【００５２】
続く工程Ｐ３１では、複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを、約５０℃に加熱された圧着治具７０を用いて熱圧着させ、複合基板を製造する。この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図７を用いて説明する。マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ上に配置された樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂ（図７（ａ）参照）は、両基板の貼り合わせと同時に混合される。硬化促進剤５０ｂと混合された樹脂材料５０ａは、硬化されて接着剤５０となる（図７（ｂ）参照）。このとき、硬化促進剤５０ｂのすべてが樹脂材料５０ａと混合されるわけではないが、樹脂材料５０ａの硬化のためには、少なくとも樹脂材料５０ａと対向する位置に硬化促進剤５０ｂが配置されており、当該位置の硬化促進剤５０ｂと混合されれば十分である。
【００５３】
以下、工程Ｐ３２のブレイク工程を経て、有機ＥＬ装置１が製造される。以上のように、硬化促進剤５０ｂをスプレー法で塗布する製造方法によれば、硬化促進剤５０ｂの配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であるため、製造プロセスを簡略化させることができる。
【００５４】
（第３の実施形態）
上記各実施形態は、樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂを異なるマザーガラス基板上に配置するものであるが、これらを同一のマザーガラス基板上に配置する製造方法によっても有機ＥＬ装置１を製造することができる。以下では、このような構成の第３の実施形態について説明する。
【００５５】
図８は、本実施形態における有機ＥＬ装置１の製造方法を示す工程図であり、図９は、各工程における有機ＥＬ装置１の断面図である。これらの図を用いて、まず複合ＴＦＴ基板の製造工程について説明する。
【００５６】
工程Ｐ１１では、マザーガラス基板１１ｍ上に、公知の薄膜形成技術等を用いてＴＦＴ側機能層１２を形成する（図９（ａ）参照）。続く工程Ｐ１２では、マザーガラス基板１１ｍ上の所定の領域に、樹脂材料５０ａを配置する（図９（ｂ）参照）。これらの各工程は、第１の実施形態と同様に行われる。
【００５７】
次に、工程Ｐ１３では、工程Ｐ１２において配置された樹脂材料５０ａ上に、スプレー法によって硬化促進剤５０ｂを塗布する。このとき、硬化促進剤５０ｂは、図９（ｃ）に示すように、樹脂材料５０ａ上に少なくとも配置されるとともに、スプレー法という方法の特性から、その他の領域にもかかって配置される。以上の工程を経て複合ＴＦＴ基板が完成する。
【００５８】
続いて、複合ＥＬ基板の製造工程について説明する。工程Ｐ２１では、第１の実施形態と同様、マザーガラス基板２１ｍ上に、ＥＬ側機能層２２を形成する（図９（ａ）参照）。次に、工程Ｐ２２では、ＥＬ側機能層２２上の所定の領域に、導電ペースト６０を配置する（図９（ｂ）参照）。なお、複合ＴＦＴ基板の樹脂材料５０ａは、工程Ｐ１３において硬化促進剤５０ｂが配置された直後に硬化が始まるので、当該工程Ｐ２２は、工程Ｐ１３の終了時以前に終了していることが好ましい。
【００５９】
次に、工程Ｐ３１では、上記工程で製造された複合ＴＦＴ基板と複合ＥＬ基板とを、約５０℃に加熱された圧着治具７０を用いて熱圧着させ、複合基板を製造する（図９（ｄ）参照）。
【００６０】
この工程における樹脂材料５０ａと硬化促進剤５０ｂの振る舞いについて、図１０を用いて説明する。樹脂材料５０ａおよび硬化促進剤５０ｂは、マザーガラス基板１１ｍ上において重ねて配置されているので（図１０（ａ）参照）、当該工程の前から少しずつ混合されており、樹脂材料５０ａの硬化が始まっている。この混合および硬化は、マザーガラス基板１１ｍおよび２１ｍの貼り合わせと同時にさらに進み、また、約５０℃に加熱することによって硬化速度がさらに速まる。こうして、樹脂材料５０ａは硬化されてマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。この工程においては、硬化促進剤５０ｂのすべてが樹脂材料５０ａと混合されるわけではないが、樹脂材料５０ａの硬化のためには、少なくとも樹脂材料５０ａに重ねて硬化促進剤５０ｂが配置されており、当該位置の硬化促進剤５０ｂと混合されれば十分である。両基板への圧着治具７０による熱圧着は、約３分間行う。
【００６１】
また、この工程においては、工程Ｐ２２において配置された導電ペースト６０が、マザーガラス基板１１ｍ上のドレイン電極３６およびマザーガラス基板２１ｍ上の陰極５８のいずれにも接する状態で固着される。これによって、ドレイン電極３６と陰極５８との電気的な導通が確保される。
【００６２】
樹脂材料５０ａが硬化されて接着剤５０となったところで、得られた複合基板を圧着治具７０から取り出し、常温下で静置させる。これにより、硬化をさらに進めて複合基板の接着強度を高めることができる。
【００６３】
最後に、工程Ｐ３２では、上記複合基板を有機ＥＬ装置１に対応する大きさにブレイク（分割）する。この工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する（図９（ｅ）参照）。
【００６４】
以上の製造方法によれば、硬化促進剤５０ｂをスプレー法で塗布するため、硬化促進剤５０ｂの配置のための正確なアライメントまたはマスク等が不要であり、製造プロセスを簡略化することができる。また、約５０℃という低温の加熱でマザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着することができるので、熱による有機発光層５６の劣化、および当該劣化による有機ＥＬ装置１の表示品位の低下を防止することができる。
【００６５】
（電子機器への搭載例）
上述した有機ＥＬ装置１は、例えば、図１２に示すような「電子機器」としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５１０および操作ボタン５２０を有している。表示部５１０は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１によって、操作ボタン５２０で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について、熱による劣化のない、高品位な表示を行うことができる。
【００６６】
なお、本発明を適用した有機ＥＬ装置１は、上記携帯電話機５００の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
【００６７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００６８】
（変形例１）
上記各実施形態は、２液混合型の接着剤５０を使用して有機ＥＬ装置１を製造するものであるが、さらに導電ペースト６０も２液混合型とすることができる。ここで、２液混合型とは、接着剤の材料と、これに対する硬化促進剤とを混合することによって接着剤の材料を硬化させる形式をいう。
【００６９】
図１１は、本変形例の製造方法における、熱圧着工程の直前の複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板の断面図である。複合ＴＦＴ基板は、マザーガラス基板１１ｍ上にＴＦＴ側機能層１２、樹脂材料５０ａ、導電ペースト材料６０ａが配置されたものであり、複合ＥＬ基板は、マザーガラス基板２１ｍ上にＥＬ側機能層２２、硬化促進剤５０ｂ，６０ｂが配置されたものである。ここで、硬化促進剤５０ｂおよび６０ｂは、同一の材料からなる。また、導電ペースト材料６０ａは、樹脂材料５０ａと同一の材料に導電性粒子を混入させたものである。すなわち、硬化促進剤６０ｂと混合されることによって硬化する。導電ペースト材料６０ａは、第１の実施形態における導電ペースト６０と同一の位置に同一の方法で配置されたものである。硬化促進剤６０ｂは、ＥＬ側機能層２２上のうち少なくとも導電ペースト材料６０ａと対向する位置に、液滴吐出法によって配置されたものである。
【００７０】
こうした構成の複合ＴＦＴ基板および複合ＥＬ基板を約５０℃で熱圧着させると、樹脂材料５０ａは硬化促進剤５０ｂと混合されることによって硬化が進み、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する接着剤５０となる。同様に、導電ペースト材料６０ａは、硬化促進剤６０ｂと混合されることによって硬化が進み、導電ペースト６０となる。当該導電ペースト６０は、導電性粒子の効果によってドレイン電極３６と陰極５８とを導通させるとともに、接着剤５０と同様に、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍを接着する機能も有する。この後、静置工程、ブレイク工程を経て、有機ＥＬ装置１が完成する。このように、導電ペースト６０も２液混合型とすることによって、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍの接着強度、ひいては有機ＥＬ装置１の強度が向上する。
【００７１】
上記製造方法においては、効率上、硬化促進剤５０ｂ，６０ｂを同一のプロセスで配置するのが好ましく、上述した液滴吐出法の他にも、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディスペンサ塗布法等によって配置することもできる。また、スピンコート法またはスプレー法によってマザーガラス基板２１ｍの全面に配置してもよい。
【００７２】
（変形例２）
上記各実施形態において、樹脂材料５０ａはスクリーン印刷法によって配置されるが、これに代えて、液滴吐出法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法を用いて配置することもできる。これらの方法によっても、ガラス基板１１，２１（マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍ）の接着に必要な所定の領域に樹脂材料５０ａを配置することができる。また、いずれの方法においても、樹脂材料５０ａが単独では硬化しにくいことに基づく利点を享受することができる。すなわち、液滴吐出法では液滴吐出装置のヘッド、ディスペンサ塗布法ではディスペンサ、オフセット印刷法では版や転写ローラーに接着剤が硬化して使えなくなるような不具合が起こりにくい。
【００７３】
（変形例３）
上記各実施形態の製造方法において、導電ペースト６０と樹脂材料５０ａとは異なるマザーガラス基板上に配置しているが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、同一のマザーガラス基板上に配置してもよい。この場合のマザーガラス基板は、マザーガラス基板１１ｍ，２１ｍのどちらでもよい。
【００７４】
（変形例４）
上記各実施形態において、正孔輸送層５５および有機発光層５６は、第１バンク５３および第２バンク５４によって形作られる凹部に液滴吐出法によって形成されるが、正孔輸送層５５および有機発光層５６の形成方法はこれに限られない。例えば、凹部を設けずにスピンコート法や印刷法によって形成する方法、あるいは蒸着やスパッタリング等の気相プロセスによって形成する方法も適用可能である。
【００７５】
（変形例５）
上記各実施形態において、陰極５８は、逆テーパーレジスト５７の効果によって隔離されるが、陰極５８の隔離方法はこれに限定されず、例えばマスクを用いて部分的に蒸着する方法や、全面に形成した後にレーザーエッチング、ドライエッチング、ウェットエッチング等を用いてパターニングする方法も適用可能である。
【００７６】
（変形例６）
上記各実施形態において、樹脂材料５０ａはマザーガラス基板１１ｍ上（複合ＴＦＴ基板側）に配置されるが、本発明はこれに限定する趣旨ではなく、マザーガラス基板２１ｍ上（複合ＥＬ基板側）に配置してもよい。この場合、硬化促進剤５０ｂは、マザーガラス基板１１ｍ上であって樹脂材料５０ａに対向する領域に配置するか、樹脂材料５０ａ上に重ねて配置する。
【００７７】
また、導電ペースト６０の配置位置もＥＬ側機能層２２上には限られず、ＴＦＴ側機能層１２上に形成してもよい。
【００７８】
これらの製造方法によっても、上記各実施形態と同様の有機ＥＬ装置１を製造することができる。
【００７９】
（変形例７）
上記各実施形態において、熱圧着時の加熱温度は約５０℃であるが、これは例示であって加熱温度の上限または下限を示すものではない。本発明の実施にあたっては、有機発光層５６の耐熱特性に応じ、有機発光層５６の劣化が起こらない温度であればどのような温度で熱圧着を行ってもよい。また、樹脂材料５０ａ、硬化促進剤５０ｂが、常温で十分に硬化するような材料の組み合わせであれば、熱圧着工程は常温で行うこともできる。
【００８０】
（変形例８）
上記実施形態では、「スイッチング素子」としてＴＦＴ素子３０を用いているが、これに代えて、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を始めとするその他のスイッチング素子を用いる構成とすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面図であり、（ａ）は拡大図、（ｂ）は全体図。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面図。
【図３】第１の実施形態および第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、第１の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図６】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、第２の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図８】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法の工程図。
【図９】（ａ）から（ｅ）は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、第３の実施形態における樹脂材料および硬化促進剤の振る舞いを説明するための断面図。
【図１１】本発明の変形例に係る有機ＥＬ装置の製造工程における断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係る携帯電話機の斜視図。
【符号の説明】
【００８２】
１…「エレクトロルミネッセンス装置」としての有機ＥＬ装置、５，５Ｒ，５Ｇ，５Ｂ…画素、６…発光領域、１０…ＴＦＴ基板、１１，２１…ガラス基板、１１ｍ…「第１の基板」としてのマザーガラス基板、１２…「第１の機能層」としてのＴＦＴ側機能層、２０…ＥＬ基板、２１ｍ…「第２のガラス基板」としてのマザーガラス基板、２２…「第２の機能層」としてのＥＬ側機能層、３０…ＴＦＴ素子、３１…ソース領域、３２…能動層、３３…ドレイン領域、３４…ゲート電極、３５…ソース電極、３６…「配線」としてのドレイン電極、３８…ドライバ、４２…絶縁層、４４…ゲート絶縁層、４６…層間絶縁膜、５０…接着剤、５０ａ…樹脂材料、５０ｂ，６０ｂ…硬化促進剤、５２…透明電極、５３…第１バンク、５４…第２バンク、５５…正孔輸送層、５６，５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ…有機発光層、５７…逆テーパーレジスト、５８…陰極、６０…導電ペースト、６０ａ…導電ペースト材料、７０…圧着治具、５００…携帯電話機。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の基板の対向面に、
前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、
前記第２の基板の対向面に、
透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、
前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに配置する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記樹脂材料と接触する位置に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の基板の対向面に、
前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、
前記第２の基板の対向面に、
透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、
前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに形成する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、
前記樹脂材料上に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記樹脂材料を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行われることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記硬化促進剤を配置する工程は、スプレー法またはスピンコート法によって行われることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の基板の対向面に、
前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、
前記第２の基板の対向面に、
透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、
前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに配置する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面のうち、前記樹脂材料が配置されていない面であって、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記樹脂材料と接触する位置に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
互いに対向して貼り合わされた第１の基板および第２の基板を有し、複数の画素を含む発光領域において発光を行うエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第１の基板の対向面に、
前記画素ごとに配置されたスイッチング素子を有する第１の機能層を形成する工程と、
前記第２の基板の対向面に、
透光性を有する電極と、前記電極上に配置された有機発光層と、前記有機発光層上に前記画素ごとに配置された金属の陰極とを有する第２の機能層を形成する工程と、
前記第１の機能層上または前記第２の機能層上であって、前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされる際に前記陰極と前記スイッチング素子のいずれにも電気的に接続される位置に、導電性を有するペーストを前記画素ごとに形成する工程と、
前記第１の基板の対向面または前記第２の基板の対向面に、前記発光領域を囲って樹脂材料を配置する工程と、
前記樹脂材料上に、前記樹脂材料を硬化させる硬化促進剤を配置する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記樹脂材料を配置する工程は、液滴吐出法、スクリーン印刷法、ディスペンサ塗布法、オフセット印刷法のいずれかの方法によって行われることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記硬化促進剤を配置する工程は、スプレー法またはスピンコート法によって行われることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−１８８７０４（Ｐ２００７−１８８７０４Ａ）
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４５２８（Ｐ２００６−４５２８）
【出願日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月２６日（２００７．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月１２日（２００６．１．１２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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