ネマティック液晶材料の物理特性決定装置及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法
【課題】 正及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の決定装置を提供すること。
【解決手段】 垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４に一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段１１と、液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段１６〜１８と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段２０と、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段２０と、を具備したことを特徴とする。
【解決手段】 垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４に一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段１１と、液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段１６〜１８と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段２０と、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段２０と、を具備したことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ネマティック液晶材料の物理特性決定装置及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイはフラットテレビ、コンピュータのモニタなどのアプリケーションで広く使用されている。この液晶ディスプレイに使用される液晶材料には、大きく分けて正の誘電率異方性（Δε>0）、負の誘電率異方性（Δε<0）の2種類ある。特に、TVアプリケーションには負の誘電率異方性を持つ液晶材料が使用される。そして、液晶材料の応答性を良くするために、液晶材料の回転粘性率を小さくすることが重要な課題となっている。
【０００３】
なお、誘電率異方性が正あるいは負の液晶材料の回転粘性率を回転磁場法に決定することが知られている（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】回転磁場法 [F.J. Bock, H. Kneppe, F. Schneider, Liquid Crystals 1 (1986), 239]
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、回転磁場法を用いた実験設備は、相対的に構造が複雑で、回転粘性率を測定するのに測定に時間がかかるばかりか、大量の液晶が測定に必要であるといった問題があった。
【０００５】
さらに磁化率異方性Δχが正の異方性を持つ液晶材料の回転粘性率のみの測定である。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁化率異方性の極性にかかわらず、正及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の決定装置および磁化率異方性の極性にかかわらず、正及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の物理特性決定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段と、前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１あるいは請求項２記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、垂直配向を施した負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加工程と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定工程と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算工程と、前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項５あるいは請求項６記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項５ないし請求項７のうちいずれか一項に記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項５〜請求項８のうちいずれか一項に記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるLeslieの粘性係数α１〜α５のうちの少なくとも一つを決定することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、前記測定手段で測定された過渡電流波形のピーク値に基づいて正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を演算する演算手段と、を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１乃至４記載の発明によれば、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1、ずり粘度η2、プレチルト角θ0を決定することができる。
【００１８】
請求項５乃至９記載の発明によれば、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1、ずり粘度η2、プレチルト角θ0を決定することができる。
【００１９】
請求項１０記載の発明によれば、正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1を決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下図面、数式を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１を参照して負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の決定装置について説明する。
【００２１】
図１において、１１はブロック内に記載されたような一つの単発パルス電圧を発生するファンクションジェネレータである。このファンションジェネレータ１１から出力される単発パルスはアダプティブ・ローパスフィルタ１２、アンプ１３を介して液晶テストセル１４の一端に供給される。アダプティブ・ローパスフィルタ１２は、周波数帯域を時間で可変できるローパスフィルタで、極性反転が起きる時間は高周波帯域のローパスフィルタになり、パルス電圧が変化しない時間はほぼDC帯域のローパスフィルタになる。この機能を利用して、安定したパルス電圧をサンプルに供給することが出来る。
【００２２】
ファンクションジェネレータ１１から出力される上記単発パルス電圧に同期したＴＴＬ信号は上記アダプティブ・ローパスフィルタ１２及び切替スイッチ１５に入力される。アダプティブ・ローパスフィルタ１２は、ファンクションジェネレータ１１から出力されるＴＴＬ信号に応じて周波数帯域が切替えられる。
【００２３】
上記切替スイッチ１５のａ接点は電流電圧変換部１６に接続される。この電流電圧変換部１６は、入力される電流を電圧に変換する。この切替スイッチ１５のｂ点は、パルス電圧の極性反転時に発生するファンクションジェネレータ１１からの突入電流が電流電圧変換部１６に流入して電流電圧変換部１６を破壊することを未然に防止するために設けられている。つまり、上記突入電流はｂ接点を介してグランドに流される。
【００２４】
この電流電圧変換部１７から出力される電圧信号はアンプ１７を介して増幅され、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１８を介してＡ／Ｄコンバータ１９に入力される。このＡ／Ｄコンバータ１９から出力される電圧信号Ｅは、液晶テストセル１４に流れる過渡電流に相当する電圧信号である。
【００２５】
上記電圧信号Ｅは制御部２０に入力される。この制御部２０は本装置を統括して制御するもので、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等により構成されている。また、このＲＯＭには、理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定機能手段を有するプログラムが格納されている。
【００２６】
なお、Ａ／Ｄコンバータ１９の接地ライン２１に接続されている。この接地ライン２１には、上記ファンクションジェネレータ１１の他端、上記切替スイッチ１５のｂ接点、アンプ１７の一入力端子に接続される。
【００２７】
ここで、２２は制御部２０に接続される表示部である。
【００２８】
まず、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときに流れるピーク電流ＩＰから回転粘性率γ１を計算する手法を説明する。
【００２９】
式（１）（２）を用いて回転粘性率を計算する。
【数１】
【００３０】
【数２】
【００３１】
ここでγ1は液晶の回転粘性率、Sは液晶セルの電極面積、Δεは液晶の誘電率異方性、Ipは測定したピーク電流値、Lは液晶セルのギャップ、Vは印加電圧、V0は液晶材料のしきい値電圧、K11は液晶のスプレイ弾性定数である。
【００３２】
次に、このファンションジェネレータ１１から出力される単発パルス電圧を負の誘電率異方性を持つ液晶材料を持つ液晶テストセル１４に印加したときにその液晶テストセル１４に流れる過渡電流を理論的に計算する手法について説明する。
【００３３】
フロー効果を考慮したネマティック液晶の力学的振舞はEricksenとLeslieにより定式化されており、質量保存則、運動方程式および角運動量方程式によって記述される。質量保存の式は式（３）で表される。
【数３】
【００３４】
ここでvは流体の流速である。
【００３５】
運動方程式は式（４）で表される。
【数４】
【００３６】
ここでρは密度、ｉ、ｊはx、yまたはz座標、コンマは空間座標による偏微分および頭につけたドットは時間による全微分を表す。また繰り返し出てくる指標については和を取る。σijは応力テンソルであり式（5）で与えられる。
【数５】
【００３７】
ここでｐは圧力、ｎｉはネマティック液晶のダイレクタnのｉ成分、
Ａij＝（νi,j＋νj,i）／２、数６およびαi (i=1〜6) はLeslieの粘性係数である。fは電界Eを印加した際のネマティック液晶の自由エネルギー密度であり式（6）で与えられる。
【数６】
【００３８】
【数７】
【００３９】
ここでK11、K22およびK33はそれぞれネマティック液晶のスプレイ弾性定数、ツイスト弾性定数およびベンド弾性定数であり、Dは電束密度である。
【００４０】
角運動量方程式は式（7）で表される。
【数８】
【００４１】
ここでρ1は単位体積あたりの慣性モーメント、γ１＝α３−α２は回転粘性率、γ２＝α３＋α２である。hは分子場であり式（8）で与えられる。
【数９】
【００４２】
垂直配向ネマティック液晶セルに対して基板に垂直方向に電界Eを印加した際の条件を式（3）〜（8）に代入すると、この条件における運動方程式および角運動量方程式はそれぞれ式（9）、（10）のように導かれる。
【数１０】
【００４３】
【数１１】
【００４４】
ここでθはダイレクタと基板に垂直な軸とがなす角度、vはダイレクタの回転面内における基板に平行方向の流速、σは積分定数、εoは真空中の誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性である。a、bはそれぞれ式（11）、（12）で与えられる。
【数１２】
【００４５】
【数１３】
【００４６】
式（9）、（10）を用いて垂直配向ネマティック液晶セルに電界を印加した際に流れる過渡電流の解析解を導出する。液晶セルの配向状態は強アンカリング状態でありダイレクタは基板上で常にθ=θoで固定されていると仮定する。ここでθ０がプレチルト角である。このとき式（9）右辺の積分定数σは基板表面で発生するずれ応力とみなせる。いまσ=0と仮定する。これは液晶分子が基板表面で自由に動くことを示している。さらに電界応答過程において液晶セルのバルク領域におけるダイレクタのチルト角θbは一様に回転し、またバルク領域における電界Ebは時間に依存せず常に一定であると仮定する。このとき式（9）、（10）は解析的に解くことができ、式（13）、式（１４）が導かれる。
【数１４】
【００４７】
【数１５】
【００４８】
ここで、β１＝α１２＋γ２２＋２α１（α３＋α４＋α５）、
β２＝γ１２＋γ２２−２γ１（α３＋α４＋α５）
β３＝α２−α４−α５、β４＝α２＋２α３＋α４＋α５
β５＝γ２２＋α１（α３＋α４＋α５）、β６＝α１γ１＋γ２２、
β７＝α１＋α３＋α４＋α５
である。
【００４９】
式(13)を導く条件としてα1≠0、β1＞0、式（14）を導く条件としてα1≠0、β1＜0仮定しているが、これは多くの液晶材料について一般に成り立つ条件である。また過渡電流Iは次式のように導かれる。
【数１６】
【００５０】
ここでSは電極面積である。式（13）、（14）（β１の符号に依存）、および式（15）を連立させ実験結果とのフィッティング（図５）をおこなうことにより、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料のLeslieの粘性係数およびθoを見積もることができる。
【００５１】
さらに、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料のLeslieの粘性係数から回転粘性率（γ1）及び ずり粘度（η2）を見積もることができる。
【００５２】
液晶材料のずり粘度(η2)を決定するためのこの仮定は、この測定法の大きな利点である。なぜなら今までは古典的なフローの実験によって幾つかの液晶材料の決定をしていたからである[例えば H. Kneppe, F. Schneider, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 65 (1981), 23] 。
【００５３】
近年、液晶の光学応答の時間依存性を測定する（ディケイフローを観測）ことが提案されている[S. V. Pasechnik, V.G. Chigrinov, D.V. Shmeliova, V.A. Tsvetkov, A.N. Voronov, Liquid Crystals 31(4), 2004, 585]。しかし、この方法は確度が低く、屈折率異方性が0.2以下の液晶材料では特に確度が低くなる。そのため、この方法は液晶ディスプレイに使用される屈折率異方性が0.15以下の液晶材料の測定には適さない。
【００５４】
（実験結果）
表1に負の誘電率異方性を持つ3種類の液晶材料の回転粘性率の測定結果を示す。測定温度は20℃で、垂直配向膜としてSE-1211（日産化学）を用いた。測定に用いたテストセルのギャップは約22umで、印加電圧は90V、100Vの2種類である。
【表１】
【００５５】
なお、表１中の「γ１mag」は、“Merck Liquid Crystals”, Physical Properties of Liquid Crystals, Stat. Nov. 1997, Merck KGaAに記載された回転磁界中の液晶のトルクを計測することにより決定された値との比較するためのものである。
【００５６】
次に、実際に負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を決定する動作について説明する。
【００５７】
まず、垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４を図１に示すように設置する。この際、液晶テストセル１４は垂直配向されている。つまり、図３に示すように、液晶テストセル１４の液晶分子が垂直配向されている。ところで、液晶テストセル１４に電界がかけられると、図４に示すように液晶テストセル１４の液晶分子が配向される。
【００５８】
次に、制御部２０からの制御信号によりファンクションジェネレータ１１は動作を開始する。つまり、ファンクションジェネレータ１１は一つの単発パルス電圧を出力する。
【００５９】
負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときには図２に示すような過渡電流Ｉが流れる。
【００６０】
そして、この過渡電流Ｉは、電流電圧変換部１６、アンプ１７、Ａ／Ｄコンバータ１９を介して過渡電流Ｉに相当する電圧信号に変換されて制御部２０に入力される。そして、表示部２２に図５の実線で示したように過渡電流Ｉが表示される。図５の表示例は、実際に測定された過渡電流Ｉの波形と、式（１３）〜（１５）のように理論的に計算された過渡電流Ｉ´とが整合された状態を示している。
【００６１】
つまり、制御部１０は式（１５）中に存在する物理特性（α１〜α５、γ１、γ２等）を変化させながら、実際に測定された過渡電流Ｉの波形と、式（１３）〜（１５）のように理論的に計算された過渡電流Ｉ´をマッチングする機能を有している。
【００６２】
そして、マッチングがとれた時の物理特性のうち、回転粘性率(γ1)とずり粘度(η2)が求められる。
【００６３】
また、このマッチングによりプレチルト角θ０も求められる。
【００６４】
次に、実際に正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を決定する動作について説明する。
【００６５】
まず、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４を図１に示すように設置する。この際、液晶テストセル１４は水平配向されている。つまり、図７に示すように、液晶テストセル１４の液晶分子が水平配向されている。ところで、液晶テストセル１４に電界がかけられると、図８に示すように液晶テストセル１４の液晶分子が配向される。
【００６６】
次に、制御部２０からの制御信号によりファンクションジェネレータ１１は動作を開始する。つまり、ファンクションジェネレータ１１は一つの単発パルス電圧を出力する。
【００６７】
正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときには図６に示すような過渡電流Ｉが流れる。
【００６８】
そして、この過渡電流Ｉは、電流電圧変換部１６、アンプ１７、Ａ／Ｄコンバータ１９を介して過渡電流Ｉに相当する電圧信号に変換されて制御部２０に入力される。
【００６９】
そして、制御部２０において過渡電流Ｉのピーク電流Ｉｐが求められる。
【００７０】
このピーク電流Ｉｐを式（１）に代入することにより、正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1が決定される。
【００７１】
なお、上記した実施の形態では、ファンクションジェネレータ１１から単発パルス電圧を出力するようにしたが、２以上の単発パルス電圧を出力するようにしても良い。
【００７２】
さらに、上記実施の形態では、ＲＯＭにプログラムを記憶させておいたが、ハードディスク装置やその他の記録媒体に記憶させておくようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施の形態に係るネマティック液晶材料の決定装置の構成を示すシステム構成図。
【図２】同実施の形態に係る負の誘電率異方性を持つ液晶材料からなる液晶テストセルに単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形図。
【図３】同実施の形態に係る垂直配向を施した負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルを垂直配向を施した状態を示す図。
【図４】同実施の形態に係る液晶テストセルに電界をかけた液晶テストセルの状態の変化を示す図。
【図５】同実施の形態に係る理論的に算出した同液晶テストセルに流れる過渡電流と実際に測定された過渡電流をマッチングした状態を示す図。
【図６】同実施の形態に係る正の誘電率異方性を持つ液晶材料からなる液晶テストセルに単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形図。
【図７】同実施の形態に係る正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルを水平配向を施した状態を示す図。
【図８】同実施の形態に係る液晶テストセルに電界をかけた液晶テストセルの状態の変化を示す図。
【符号の説明】
【００７４】
１１…ファンクションジェネレータ、１２…アダプティブ・ローパスフィルタ、
１３…アンプ、１４…液晶テストセル、１５…切替スイッチ、１６…電流電圧変換部、
１７…アンプ、１８…ローパスフィルタ、１９…Ａ／Ｄコンパレータ、
２０…制御部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ネマティック液晶材料の物理特性決定装置及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、液晶ディスプレイはフラットテレビ、コンピュータのモニタなどのアプリケーションで広く使用されている。この液晶ディスプレイに使用される液晶材料には、大きく分けて正の誘電率異方性（Δε>0）、負の誘電率異方性（Δε<0）の2種類ある。特に、TVアプリケーションには負の誘電率異方性を持つ液晶材料が使用される。そして、液晶材料の応答性を良くするために、液晶材料の回転粘性率を小さくすることが重要な課題となっている。
【０００３】
なお、誘電率異方性が正あるいは負の液晶材料の回転粘性率を回転磁場法に決定することが知られている（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】回転磁場法 [F.J. Bock, H. Kneppe, F. Schneider, Liquid Crystals 1 (1986), 239]
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、回転磁場法を用いた実験設備は、相対的に構造が複雑で、回転粘性率を測定するのに測定に時間がかかるばかりか、大量の液晶が測定に必要であるといった問題があった。
【０００５】
さらに磁化率異方性Δχが正の異方性を持つ液晶材料の回転粘性率のみの測定である。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁化率異方性の極性にかかわらず、正及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の決定装置および磁化率異方性の極性にかかわらず、正及び負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の物理特性決定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段と、前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項１あるいは請求項２記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする。
【００１０】
請求項４記載の発明は、請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載の前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする。
【００１１】
請求項５記載の発明は、垂直配向を施した負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加工程と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定工程と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算工程と、前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定工程と、を具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする。
【００１３】
請求項７記載の発明は、請求項５あるいは請求項６記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする。
【００１４】
請求項８記載の発明は、請求項５ないし請求項７のうちいずれか一項に記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする。
【００１５】
請求項９記載の発明は、請求項５〜請求項８のうちいずれか一項に記載の前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるLeslieの粘性係数α１〜α５のうちの少なくとも一つを決定することを特徴とする。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、前記測定手段で測定された過渡電流波形のピーク値に基づいて正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を演算する演算手段と、を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１乃至４記載の発明によれば、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1、ずり粘度η2、プレチルト角θ0を決定することができる。
【００１８】
請求項５乃至９記載の発明によれば、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1、ずり粘度η2、プレチルト角θ0を決定することができる。
【００１９】
請求項１０記載の発明によれば、正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の
回転粘性率γ1を決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下図面、数式を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１を参照して負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性を決定することができるネマティック液晶材料の決定装置について説明する。
【００２１】
図１において、１１はブロック内に記載されたような一つの単発パルス電圧を発生するファンクションジェネレータである。このファンションジェネレータ１１から出力される単発パルスはアダプティブ・ローパスフィルタ１２、アンプ１３を介して液晶テストセル１４の一端に供給される。アダプティブ・ローパスフィルタ１２は、周波数帯域を時間で可変できるローパスフィルタで、極性反転が起きる時間は高周波帯域のローパスフィルタになり、パルス電圧が変化しない時間はほぼDC帯域のローパスフィルタになる。この機能を利用して、安定したパルス電圧をサンプルに供給することが出来る。
【００２２】
ファンクションジェネレータ１１から出力される上記単発パルス電圧に同期したＴＴＬ信号は上記アダプティブ・ローパスフィルタ１２及び切替スイッチ１５に入力される。アダプティブ・ローパスフィルタ１２は、ファンクションジェネレータ１１から出力されるＴＴＬ信号に応じて周波数帯域が切替えられる。
【００２３】
上記切替スイッチ１５のａ接点は電流電圧変換部１６に接続される。この電流電圧変換部１６は、入力される電流を電圧に変換する。この切替スイッチ１５のｂ点は、パルス電圧の極性反転時に発生するファンクションジェネレータ１１からの突入電流が電流電圧変換部１６に流入して電流電圧変換部１６を破壊することを未然に防止するために設けられている。つまり、上記突入電流はｂ接点を介してグランドに流される。
【００２４】
この電流電圧変換部１７から出力される電圧信号はアンプ１７を介して増幅され、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１８を介してＡ／Ｄコンバータ１９に入力される。このＡ／Ｄコンバータ１９から出力される電圧信号Ｅは、液晶テストセル１４に流れる過渡電流に相当する電圧信号である。
【００２５】
上記電圧信号Ｅは制御部２０に入力される。この制御部２０は本装置を統括して制御するもので、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等により構成されている。また、このＲＯＭには、理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定機能手段を有するプログラムが格納されている。
【００２６】
なお、Ａ／Ｄコンバータ１９の接地ライン２１に接続されている。この接地ライン２１には、上記ファンクションジェネレータ１１の他端、上記切替スイッチ１５のｂ接点、アンプ１７の一入力端子に接続される。
【００２７】
ここで、２２は制御部２０に接続される表示部である。
【００２８】
まず、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときに流れるピーク電流ＩＰから回転粘性率γ１を計算する手法を説明する。
【００２９】
式（１）（２）を用いて回転粘性率を計算する。
【数１】
【００３０】
【数２】
【００３１】
ここでγ1は液晶の回転粘性率、Sは液晶セルの電極面積、Δεは液晶の誘電率異方性、Ipは測定したピーク電流値、Lは液晶セルのギャップ、Vは印加電圧、V0は液晶材料のしきい値電圧、K11は液晶のスプレイ弾性定数である。
【００３２】
次に、このファンションジェネレータ１１から出力される単発パルス電圧を負の誘電率異方性を持つ液晶材料を持つ液晶テストセル１４に印加したときにその液晶テストセル１４に流れる過渡電流を理論的に計算する手法について説明する。
【００３３】
フロー効果を考慮したネマティック液晶の力学的振舞はEricksenとLeslieにより定式化されており、質量保存則、運動方程式および角運動量方程式によって記述される。質量保存の式は式（３）で表される。
【数３】
【００３４】
ここでvは流体の流速である。
【００３５】
運動方程式は式（４）で表される。
【数４】
【００３６】
ここでρは密度、ｉ、ｊはx、yまたはz座標、コンマは空間座標による偏微分および頭につけたドットは時間による全微分を表す。また繰り返し出てくる指標については和を取る。σijは応力テンソルであり式（5）で与えられる。
【数５】
【００３７】
ここでｐは圧力、ｎｉはネマティック液晶のダイレクタnのｉ成分、
Ａij＝（νi,j＋νj,i）／２、数６およびαi (i=1〜6) はLeslieの粘性係数である。fは電界Eを印加した際のネマティック液晶の自由エネルギー密度であり式（6）で与えられる。
【数６】
【００３８】
【数７】
【００３９】
ここでK11、K22およびK33はそれぞれネマティック液晶のスプレイ弾性定数、ツイスト弾性定数およびベンド弾性定数であり、Dは電束密度である。
【００４０】
角運動量方程式は式（7）で表される。
【数８】
【００４１】
ここでρ1は単位体積あたりの慣性モーメント、γ１＝α３−α２は回転粘性率、γ２＝α３＋α２である。hは分子場であり式（8）で与えられる。
【数９】
【００４２】
垂直配向ネマティック液晶セルに対して基板に垂直方向に電界Eを印加した際の条件を式（3）〜（8）に代入すると、この条件における運動方程式および角運動量方程式はそれぞれ式（9）、（10）のように導かれる。
【数１０】
【００４３】
【数１１】
【００４４】
ここでθはダイレクタと基板に垂直な軸とがなす角度、vはダイレクタの回転面内における基板に平行方向の流速、σは積分定数、εoは真空中の誘電率、Δεは液晶の誘電率異方性である。a、bはそれぞれ式（11）、（12）で与えられる。
【数１２】
【００４５】
【数１３】
【００４６】
式（9）、（10）を用いて垂直配向ネマティック液晶セルに電界を印加した際に流れる過渡電流の解析解を導出する。液晶セルの配向状態は強アンカリング状態でありダイレクタは基板上で常にθ=θoで固定されていると仮定する。ここでθ０がプレチルト角である。このとき式（9）右辺の積分定数σは基板表面で発生するずれ応力とみなせる。いまσ=0と仮定する。これは液晶分子が基板表面で自由に動くことを示している。さらに電界応答過程において液晶セルのバルク領域におけるダイレクタのチルト角θbは一様に回転し、またバルク領域における電界Ebは時間に依存せず常に一定であると仮定する。このとき式（9）、（10）は解析的に解くことができ、式（13）、式（１４）が導かれる。
【数１４】
【００４７】
【数１５】
【００４８】
ここで、β１＝α１２＋γ２２＋２α１（α３＋α４＋α５）、
β２＝γ１２＋γ２２−２γ１（α３＋α４＋α５）
β３＝α２−α４−α５、β４＝α２＋２α３＋α４＋α５
β５＝γ２２＋α１（α３＋α４＋α５）、β６＝α１γ１＋γ２２、
β７＝α１＋α３＋α４＋α５
である。
【００４９】
式(13)を導く条件としてα1≠0、β1＞0、式（14）を導く条件としてα1≠0、β1＜0仮定しているが、これは多くの液晶材料について一般に成り立つ条件である。また過渡電流Iは次式のように導かれる。
【数１６】
【００５０】
ここでSは電極面積である。式（13）、（14）（β１の符号に依存）、および式（15）を連立させ実験結果とのフィッティング（図５）をおこなうことにより、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料のLeslieの粘性係数およびθoを見積もることができる。
【００５１】
さらに、負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料のLeslieの粘性係数から回転粘性率（γ1）及び ずり粘度（η2）を見積もることができる。
【００５２】
液晶材料のずり粘度(η2)を決定するためのこの仮定は、この測定法の大きな利点である。なぜなら今までは古典的なフローの実験によって幾つかの液晶材料の決定をしていたからである[例えば H. Kneppe, F. Schneider, Molecular Crystals and Liquid Crystals, 65 (1981), 23] 。
【００５３】
近年、液晶の光学応答の時間依存性を測定する（ディケイフローを観測）ことが提案されている[S. V. Pasechnik, V.G. Chigrinov, D.V. Shmeliova, V.A. Tsvetkov, A.N. Voronov, Liquid Crystals 31(4), 2004, 585]。しかし、この方法は確度が低く、屈折率異方性が0.2以下の液晶材料では特に確度が低くなる。そのため、この方法は液晶ディスプレイに使用される屈折率異方性が0.15以下の液晶材料の測定には適さない。
【００５４】
（実験結果）
表1に負の誘電率異方性を持つ3種類の液晶材料の回転粘性率の測定結果を示す。測定温度は20℃で、垂直配向膜としてSE-1211（日産化学）を用いた。測定に用いたテストセルのギャップは約22umで、印加電圧は90V、100Vの2種類である。
【表１】
【００５５】
なお、表１中の「γ１mag」は、“Merck Liquid Crystals”, Physical Properties of Liquid Crystals, Stat. Nov. 1997, Merck KGaAに記載された回転磁界中の液晶のトルクを計測することにより決定された値との比較するためのものである。
【００５６】
次に、実際に負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を決定する動作について説明する。
【００５７】
まず、垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４を図１に示すように設置する。この際、液晶テストセル１４は垂直配向されている。つまり、図３に示すように、液晶テストセル１４の液晶分子が垂直配向されている。ところで、液晶テストセル１４に電界がかけられると、図４に示すように液晶テストセル１４の液晶分子が配向される。
【００５８】
次に、制御部２０からの制御信号によりファンクションジェネレータ１１は動作を開始する。つまり、ファンクションジェネレータ１１は一つの単発パルス電圧を出力する。
【００５９】
負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときには図２に示すような過渡電流Ｉが流れる。
【００６０】
そして、この過渡電流Ｉは、電流電圧変換部１６、アンプ１７、Ａ／Ｄコンバータ１９を介して過渡電流Ｉに相当する電圧信号に変換されて制御部２０に入力される。そして、表示部２２に図５の実線で示したように過渡電流Ｉが表示される。図５の表示例は、実際に測定された過渡電流Ｉの波形と、式（１３）〜（１５）のように理論的に計算された過渡電流Ｉ´とが整合された状態を示している。
【００６１】
つまり、制御部１０は式（１５）中に存在する物理特性（α１〜α５、γ１、γ２等）を変化させながら、実際に測定された過渡電流Ｉの波形と、式（１３）〜（１５）のように理論的に計算された過渡電流Ｉ´をマッチングする機能を有している。
【００６２】
そして、マッチングがとれた時の物理特性のうち、回転粘性率(γ1)とずり粘度(η2)が求められる。
【００６３】
また、このマッチングによりプレチルト角θ０も求められる。
【００６４】
次に、実際に正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を決定する動作について説明する。
【００６５】
まず、水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセル１４を図１に示すように設置する。この際、液晶テストセル１４は水平配向されている。つまり、図７に示すように、液晶テストセル１４の液晶分子が水平配向されている。ところで、液晶テストセル１４に電界がかけられると、図８に示すように液晶テストセル１４の液晶分子が配向される。
【００６６】
次に、制御部２０からの制御信号によりファンクションジェネレータ１１は動作を開始する。つまり、ファンクションジェネレータ１１は一つの単発パルス電圧を出力する。
【００６７】
正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセル１４に単発パルス電圧を印加したときには図６に示すような過渡電流Ｉが流れる。
【００６８】
そして、この過渡電流Ｉは、電流電圧変換部１６、アンプ１７、Ａ／Ｄコンバータ１９を介して過渡電流Ｉに相当する電圧信号に変換されて制御部２０に入力される。
【００６９】
そして、制御部２０において過渡電流Ｉのピーク電流Ｉｐが求められる。
【００７０】
このピーク電流Ｉｐを式（１）に代入することにより、正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1が決定される。
【００７１】
なお、上記した実施の形態では、ファンクションジェネレータ１１から単発パルス電圧を出力するようにしたが、２以上の単発パルス電圧を出力するようにしても良い。
【００７２】
さらに、上記実施の形態では、ＲＯＭにプログラムを記憶させておいたが、ハードディスク装置やその他の記録媒体に記憶させておくようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の一実施の形態に係るネマティック液晶材料の決定装置の構成を示すシステム構成図。
【図２】同実施の形態に係る負の誘電率異方性を持つ液晶材料からなる液晶テストセルに単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形図。
【図３】同実施の形態に係る垂直配向を施した負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルを垂直配向を施した状態を示す図。
【図４】同実施の形態に係る液晶テストセルに電界をかけた液晶テストセルの状態の変化を示す図。
【図５】同実施の形態に係る理論的に算出した同液晶テストセルに流れる過渡電流と実際に測定された過渡電流をマッチングした状態を示す図。
【図６】同実施の形態に係る正の誘電率異方性を持つ液晶材料からなる液晶テストセルに単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形図。
【図７】同実施の形態に係る正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料からなる液晶テストセルを水平配向を施した状態を示す図。
【図８】同実施の形態に係る液晶テストセルに電界をかけた液晶テストセルの状態の変化を示す図。
【符号の説明】
【００７４】
１１…ファンクションジェネレータ、１２…アダプティブ・ローパスフィルタ、
１３…アンプ、１４…液晶テストセル、１５…切替スイッチ、１６…電流電圧変換部、
１７…アンプ、１８…ローパスフィルタ、１９…Ａ／Ｄコンパレータ、
２０…制御部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段と、
を具備したことを特徴とするネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項２】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする請求項１記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項３】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項４】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項５】
垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加工程と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定工程と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算工程と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定工程と、
を具備したことを特徴とする負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項６】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする請求項５記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項７】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする請求項５あるいは請求項６記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項８】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする請求項５ないし請求項７のうちいずれか一項に記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項９】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるLeslieの粘性係数α１〜α５のうちの少なくとも一つを決定することを特徴とする請求項５〜請求項８のうちいずれか一項に記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項１０】
水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形のピーク値に基づいて正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を演算する演算手段と、
を具備したことを特徴とするネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項１】
垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算手段と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定手段と、
を具備したことを特徴とするネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項２】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする請求項１記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項３】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項４】
前記決定手段は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載のネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【請求項５】
垂直配向を施した基板で負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加工程と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定工程と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加したときに流れる過渡電流波形を理論的に計算する計算工程と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形と、前記計算手段で計算された理論的な過渡電流波形とを前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性を変えながら整合させ、両過渡電流波形が整合したときの物理特性を前記液晶テストセルの液晶材料の物理特性と決定する決定工程と、
を具備したことを特徴とする負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項６】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性である回転粘性率γ1を決定することを特徴とする請求項５記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項７】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるずり粘度η2を決定することを特徴とする請求項５あるいは請求項６記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項８】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるプレチルト角θ0を決定することを特徴とする請求項５ないし請求項７のうちいずれか一項に記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項９】
前記決定工程は、液晶材料の物理特性であるLeslieの粘性係数α１〜α５のうちの少なくとも一つを決定することを特徴とする請求項５〜請求項８のうちいずれか一項に記載の負の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の物理特性決定方法。
【請求項１０】
水平配向を施した基板で正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料を狭持する液晶テストセルと、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記液晶テストセルに一つあるいはそれ以上の単発パルス電圧を印加し、前記液晶テストセルに流れる過渡電流波形を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定された過渡電流波形のピーク値に基づいて正の誘電率異方性を持つネマティック液晶材料の回転粘性率γ1を演算する演算手段と、
を具備したことを特徴とするネマティック液晶材料の物理特性決定装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−２４３６３８（Ｐ２００６−２４３６３８Ａ）
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６２５３６（Ｐ２００５−６２５３６）
【出願日】平成１７年３月７日（２００５．３．７）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り ２００４年９月２６日（日）〜２８日（火） 日本液晶学会主催の「２００４年日本液晶学会討論会」において文書をもって発表
【出願人】（５９７０３５５２８）メルク パテント ゲーエムベーハー (209)
【出願人】（５９２１０５８５９）株式会社東陽テクニカ (2)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月１４日（２００６．９．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月７日（２００５．３．７）
【新規性喪失の例外の表示】特許法第３０条第１項適用申請有り ２００４年９月２６日（日）〜２８日（火） 日本液晶学会主催の「２００４年日本液晶学会討論会」において文書をもって発表
【出願人】（５９７０３５５２８）メルク パテント ゲーエムベーハー (209)
【出願人】（５９２１０５８５９）株式会社東陽テクニカ (2)
【Ｆターム（参考）】
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