フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンド用反射防止膜
【課題】 「フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンド用反射防止膜」である。
【解決手段】 ストップバンドでの強い反射を保ちつつも、（交互に配置された高屈折率材料と低屈折率材料を有する）フォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）結晶のパスバンドを通過する光の透過率は、最大化される。反射防止膜（ＡＲＣ）は、ＰＢＧ結晶を被覆するために用いられ、ＡＲＣの材料は、ｎ＝（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）１／２の屈折率を有し、λｃを中心波長とした場合に、λｃ／８程度の厚さを有する。
【解決手段】 ストップバンドでの強い反射を保ちつつも、（交互に配置された高屈折率材料と低屈折率材料を有する）フォトニックバンドギャップ（ＰＢＧ）結晶のパスバンドを通過する光の透過率は、最大化される。反射防止膜（ＡＲＣ）は、ＰＢＧ結晶を被覆するために用いられ、ＡＲＣの材料は、ｎ＝（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）１／２の屈折率を有し、λｃを中心波長とした場合に、λｃ／８程度の厚さを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にはフォトバンドギャップ（ＰＢＧ）結晶に関する。より具体的には、本発明は、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する際に用いられる反射防止膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術の方法は、厚さがλｃ／（４ｎ）である高屈折率材料と低屈折材料とを交互に積層する。ただし、ｎはそれぞれの材料の屈折率であり、λｃは、光が効果的に反射される波長である中心波長である。この周期構造はフォトニックバンドギャップ結晶（以下、ＰＢＧと言う）と呼ばれる。
【０００３】
高い反射率は、中心波長付近（ストップバンド）で得られる。しかし、同時に、層の数に応じて、いくつかの光子状態が結晶のパスバンド中で形成される。一部の光が効果的に反射され、その他の光が波長に応じて透過される、波長フィルターのような一部のデバイスについては、パスバンドにおいても光の一部分が反射されてしまうので、このような光子状態は望ましいものではない。例えば、パスバンド波長（図２中の０．７８−１．５μｍ）において、およそ２５％の光は反射される。
【０００４】
単純な一層のデバイス、例えば、通常の太陽電池などでは、反射はλｃ／４の厚さの反射防止膜（以下、ＡＲＣと言う）を配置することによって抑制することができる。しかし、この単純な概念は、ＰＢＧは２つの異なる種類のバンド（パスバンドとストップバンド）を有し、積層された多数の層から組織されるので、ＰＢＧには適用できない。
【０００５】
前述した先行技術の明らかな長所、特色、利点が何であっても、それらのいずれも、本発明の目的を達成しない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、（ａ）高屈折率材料（ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率）と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、（ｂ）ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、λｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層とから成る半導体構造を提供する。
【０００７】
本発明は、また、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、ＰＢＧ結晶は中心波長λｃを有するものとする工程と、（ｂ）ＰＢＧ結晶の最上部の反射防止膜（ＡＲＣ）層を堆積する工程であって、ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものとし、ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程とを有し、堆積されたＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法を提供する。
【０００８】
本発明は、また、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有し、ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、（ｂ）シリコン（Ｓｉ）基板上に、少なくとも亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含むガスを導入することによってＳｉＯＮ反射防止膜（ＡＲＣ）層を形成する工程と、（ｃ）ＳｉＯＮＡＲＣ層が、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するように前記ガス中のＮ２Ｏの濃度を調節し、ＳｉＯＮＡＲＣ層が、λｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程とを有し、形成されたＳｉＯＮＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明が好適な実施例で図示され説明されるが、本発明は多くの異なる形態で実現され得る。本発明の好適な実施例が、図面中に図示され、以下に詳細に説明される。なお、この開示は、本発明の基本原理の具体例と、その具体化のための関連する機能上の詳細を示したものとされ、本発明を以下に例示される実施例のみに制限するものではないと理解される。当業者は、本発明の範囲内において多くの他の可能な変形を予想するであろう。
【００１０】
本発明は、ストップバンドでの強い反射を保ちつつ、フォトニックバンドギャップ結晶（しばしばＰＢＧと呼ばれる）のパスバンドを通過する最大の光透過率を得ることを可能にする。この特性は光起電力デバイスやレーザー光学デバイスなどの波長フィルターとして有用である。
【００１１】
本発明は、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、（ａ）高屈折率材料（ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率）と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、（ｂ）ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、λｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層とから成る半導体構造を提供する。
【００１２】
図１は、本発明に関して用いられるＰＢＧ結晶の１つの例を図示する。ＰＢＧ結晶は、２．０μｍの中心波長（λｃ）を有し、Ｓｉ層が最上層になるように５ペア（１０層）のＳｉ／ＳｉＯ２層を有する。図２は、中心波長（λｃ）＝２．０μｍでのＰＢＧの反射率を示すグラフを図示したものであり、ＴＳｉ（Ｓｉ層の厚さ）＝０．１４３μｍ及びＴＳｉＯ２（ＳｉＯ２層の厚さ）＝０．３４５μｍ（Ｓｉ／ＳｉＯ２層の数＝５）である。図１の議論に戻る。本発明に従えば、別の、屈折率が以下のように表現されるＡＲＣ層がＰＢＧ上に配置される（図１）。
【００１３】
（数１）
ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｔｏｐ）
【００１４】
ここで、ｎＡＲＣ、ｎａｉｒ、ｎｔｏｐは、付加的に被覆または堆積させた層の屈折率、空気の屈折率（通常、１．０）、付加層を配置する前の最上層の屈折率（この例の場合、ｎｔｏｐ＝３．５）を意味する。最上層がＳｉである場合、ｎＡＲＣは１．８７になる。厚さはλｃ／８程度（±３０％）とするべきである。λｃ／８の厚さの層の効果は、パスバンド波長において反射を抑制するλｃ／２における反射防止膜（以下、ＡＲＣと言う）である。図１の個々の光子状態では、進行波は、その周期がＰＢＧの内部でλｃ／２である定常波を形成する。
【００１５】
図３は、λ＝１．１μｍ（光子状態の一つ）のときに、どのように電界強度がＰＢＧの内部で分布されているかを図示したものである。図３で見られるように、定常波がＰＢＧの内部でλｃ／２の長さの周期を形成している。また、他の光子状態でも同様である。本発明に従うと、これらの光子状態は、λｃ／２波長のための無反射層、すなわち、λｃ／２の４分の１（すなわち、（λｃ／２）（１／４）＝λｃ／８）の無反射層を配置することで抑制することができる。インピーダンスの調和をとるために、（１）ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、（２）λｃ／８の実質的な厚さを有する、コーティング材料を用いることが望ましい。
【００１６】
図４に示されるグラフは、（１）単純な５ペアのＰＢＧ、（２）λｃ／８の厚さのＳｉＯ２ＡＲＣ層を具備する５ペアのＰＢＧ、（３）λｃ／８の厚さのＳｉＯＮ（ｎ＝１．８６）を具備する５ペアのＰＢＧ、の反射率を図示したものである。ＳｉＯＮはシリコン酸窒化物を意味する。図４に見られるように、反射率は、λｃ／８の厚さのＳｉＯ２を配置することによって、単純な５ペアのＰＢＧと比べて抑制することができる。しかし、この場合、パスバンドにおける反射率は、λｃ／８の厚さの、その屈折率が１．８７であるＳｉＯＮを配置することによって、より抑制することができる。
【００１７】
図４は、反射防止膜を具備した５ペアのＰＧＢと、反射防止膜を具備しない５ペアのＰＢＧの反射率を示す。ＳｉＯ２ＡＲＣを付加することによってパスバンドにおけるリプルを著しく減少させることができるが、基板、Ｓｉ、ＳｉＯ２と空気との間の屈折率の不一致のために、０になることはないことがわかる。しかしながら、ＳｉＯＮＡＲＣ層がＳｉＯ２ＡＲＣの代わりにＰＢＧ積層の最上部に付加される場合、リプルが減少するとともに反射率はパスバンドの不連続な点において０に至らされる。ここで注意すべきことは、全ての場合において、中心波長は２．０μｍであることである。
【００１８】
図５は、パスバンド（０．７８−１．５μｍ）を通過するＰＢＧの光の透過率を示す（事例番号１…ＡＲＣを具備しない場合、事例番号２…ＳｉＯ２ＡＲＣを具備する場合、事例番号３…ＳｉＯＮＡＲＣを具備する場合）。
【００１９】
ここで注意すべきことは、本発明で提示されたＰＢＧは、様々な作製法によって作製することができることである。通常の方法の一つは、化学蒸着法（ＣＶＤ）技術である。この手法を用いると、多結晶Ｓｉと酸化物を堆積させることができる。酸化物はまた、熱酸化、すなわち、酸化物が多結晶Ｓｉ層を酸化させることにより形成される方法、によって形成することができる。他の作製法としては、スパッタリングや電子線堆積法を採用することができる。反射防止膜（ＳｉＯＮ）の作製では、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）が、堆積中にガスの組成を変化させることのみで屈折率を容易に調節することができるため望ましい。しかし、スパッタリングや他の手法も、ＳｉＯＮの堆積のために採用することができる。
【００２０】
本発明では、Ｓｉ／ＳｉＯ２のＰＢＧを用いることを述べている。しかし、他の材料、例えば、組成比に応じて窒化物の屈折率が２−２．３で変化するＳｉ／ＳｉＮ等を用いることができる。
【００２１】
システムと方法が、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンド用反射防止膜の効果的な実施について上記した実施例で示されている。様々な好ましい実施例が示されて説明されたが、そのような開示内容によって本発明を制限する意図が無いことは理解されるであろう。しかし、もっと適切に言えば、添付した特許請求の範囲の中で定義されたような本発明の思想と範囲内にある変更をすべてカバーすることが意図される。例えば、本発明は、用いられる特定の高屈折率材料、用いられる特定の低屈折率材料、用いられる特定のＡＲＣ層、ＡＲＣ層の堆積の際に用いられる特定の技術によって制限されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】提示されるフォトニックバンドギャップ結晶の基本的構造を示す。
【図２】５ペアのＳｉ／ＳｉＯ２ＰＢＧ（λｃ＝２．０μｍ）の反射率を示す。
【図３】光子状態の一つ（λ＝１．１μｍ）について電界強度を示す。
【図４】５ペアのＰＢＧの反射率を、反射防止膜を具備する場合と具備しない場合について示す。
【図５】パスバンド（０．７８−１．５μｍ）を通過するＰＢＧの光の透過率を示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にはフォトバンドギャップ（ＰＢＧ）結晶に関する。より具体的には、本発明は、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する際に用いられる反射防止膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術の方法は、厚さがλｃ／（４ｎ）である高屈折率材料と低屈折材料とを交互に積層する。ただし、ｎはそれぞれの材料の屈折率であり、λｃは、光が効果的に反射される波長である中心波長である。この周期構造はフォトニックバンドギャップ結晶（以下、ＰＢＧと言う）と呼ばれる。
【０００３】
高い反射率は、中心波長付近（ストップバンド）で得られる。しかし、同時に、層の数に応じて、いくつかの光子状態が結晶のパスバンド中で形成される。一部の光が効果的に反射され、その他の光が波長に応じて透過される、波長フィルターのような一部のデバイスについては、パスバンドにおいても光の一部分が反射されてしまうので、このような光子状態は望ましいものではない。例えば、パスバンド波長（図２中の０．７８−１．５μｍ）において、およそ２５％の光は反射される。
【０００４】
単純な一層のデバイス、例えば、通常の太陽電池などでは、反射はλｃ／４の厚さの反射防止膜（以下、ＡＲＣと言う）を配置することによって抑制することができる。しかし、この単純な概念は、ＰＢＧは２つの異なる種類のバンド（パスバンドとストップバンド）を有し、積層された多数の層から組織されるので、ＰＢＧには適用できない。
【０００５】
前述した先行技術の明らかな長所、特色、利点が何であっても、それらのいずれも、本発明の目的を達成しない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、（ａ）高屈折率材料（ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率）と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、（ｂ）ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、λｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層とから成る半導体構造を提供する。
【０００７】
本発明は、また、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、ＰＢＧ結晶は中心波長λｃを有するものとする工程と、（ｂ）ＰＢＧ結晶の最上部の反射防止膜（ＡＲＣ）層を堆積する工程であって、ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものとし、ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程とを有し、堆積されたＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法を提供する。
【０００８】
本発明は、また、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有し、ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、（ｂ）シリコン（Ｓｉ）基板上に、少なくとも亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含むガスを導入することによってＳｉＯＮ反射防止膜（ＡＲＣ）層を形成する工程と、（ｃ）ＳｉＯＮＡＲＣ層が、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するように前記ガス中のＮ２Ｏの濃度を調節し、ＳｉＯＮＡＲＣ層が、λｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程とを有し、形成されたＳｉＯＮＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明が好適な実施例で図示され説明されるが、本発明は多くの異なる形態で実現され得る。本発明の好適な実施例が、図面中に図示され、以下に詳細に説明される。なお、この開示は、本発明の基本原理の具体例と、その具体化のための関連する機能上の詳細を示したものとされ、本発明を以下に例示される実施例のみに制限するものではないと理解される。当業者は、本発明の範囲内において多くの他の可能な変形を予想するであろう。
【００１０】
本発明は、ストップバンドでの強い反射を保ちつつ、フォトニックバンドギャップ結晶（しばしばＰＢＧと呼ばれる）のパスバンドを通過する最大の光透過率を得ることを可能にする。この特性は光起電力デバイスやレーザー光学デバイスなどの波長フィルターとして有用である。
【００１１】
本発明は、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、（ａ）高屈折率材料（ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率）と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、（ｂ）ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、λｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層とから成る半導体構造を提供する。
【００１２】
図１は、本発明に関して用いられるＰＢＧ結晶の１つの例を図示する。ＰＢＧ結晶は、２．０μｍの中心波長（λｃ）を有し、Ｓｉ層が最上層になるように５ペア（１０層）のＳｉ／ＳｉＯ２層を有する。図２は、中心波長（λｃ）＝２．０μｍでのＰＢＧの反射率を示すグラフを図示したものであり、ＴＳｉ（Ｓｉ層の厚さ）＝０．１４３μｍ及びＴＳｉＯ２（ＳｉＯ２層の厚さ）＝０．３４５μｍ（Ｓｉ／ＳｉＯ２層の数＝５）である。図１の議論に戻る。本発明に従えば、別の、屈折率が以下のように表現されるＡＲＣ層がＰＢＧ上に配置される（図１）。
【００１３】
（数１）
ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｔｏｐ）
【００１４】
ここで、ｎＡＲＣ、ｎａｉｒ、ｎｔｏｐは、付加的に被覆または堆積させた層の屈折率、空気の屈折率（通常、１．０）、付加層を配置する前の最上層の屈折率（この例の場合、ｎｔｏｐ＝３．５）を意味する。最上層がＳｉである場合、ｎＡＲＣは１．８７になる。厚さはλｃ／８程度（±３０％）とするべきである。λｃ／８の厚さの層の効果は、パスバンド波長において反射を抑制するλｃ／２における反射防止膜（以下、ＡＲＣと言う）である。図１の個々の光子状態では、進行波は、その周期がＰＢＧの内部でλｃ／２である定常波を形成する。
【００１５】
図３は、λ＝１．１μｍ（光子状態の一つ）のときに、どのように電界強度がＰＢＧの内部で分布されているかを図示したものである。図３で見られるように、定常波がＰＢＧの内部でλｃ／２の長さの周期を形成している。また、他の光子状態でも同様である。本発明に従うと、これらの光子状態は、λｃ／２波長のための無反射層、すなわち、λｃ／２の４分の１（すなわち、（λｃ／２）（１／４）＝λｃ／８）の無反射層を配置することで抑制することができる。インピーダンスの調和をとるために、（１）ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有し、（２）λｃ／８の実質的な厚さを有する、コーティング材料を用いることが望ましい。
【００１６】
図４に示されるグラフは、（１）単純な５ペアのＰＢＧ、（２）λｃ／８の厚さのＳｉＯ２ＡＲＣ層を具備する５ペアのＰＢＧ、（３）λｃ／８の厚さのＳｉＯＮ（ｎ＝１．８６）を具備する５ペアのＰＢＧ、の反射率を図示したものである。ＳｉＯＮはシリコン酸窒化物を意味する。図４に見られるように、反射率は、λｃ／８の厚さのＳｉＯ２を配置することによって、単純な５ペアのＰＢＧと比べて抑制することができる。しかし、この場合、パスバンドにおける反射率は、λｃ／８の厚さの、その屈折率が１．８７であるＳｉＯＮを配置することによって、より抑制することができる。
【００１７】
図４は、反射防止膜を具備した５ペアのＰＧＢと、反射防止膜を具備しない５ペアのＰＢＧの反射率を示す。ＳｉＯ２ＡＲＣを付加することによってパスバンドにおけるリプルを著しく減少させることができるが、基板、Ｓｉ、ＳｉＯ２と空気との間の屈折率の不一致のために、０になることはないことがわかる。しかしながら、ＳｉＯＮＡＲＣ層がＳｉＯ２ＡＲＣの代わりにＰＢＧ積層の最上部に付加される場合、リプルが減少するとともに反射率はパスバンドの不連続な点において０に至らされる。ここで注意すべきことは、全ての場合において、中心波長は２．０μｍであることである。
【００１８】
図５は、パスバンド（０．７８−１．５μｍ）を通過するＰＢＧの光の透過率を示す（事例番号１…ＡＲＣを具備しない場合、事例番号２…ＳｉＯ２ＡＲＣを具備する場合、事例番号３…ＳｉＯＮＡＲＣを具備する場合）。
【００１９】
ここで注意すべきことは、本発明で提示されたＰＢＧは、様々な作製法によって作製することができることである。通常の方法の一つは、化学蒸着法（ＣＶＤ）技術である。この手法を用いると、多結晶Ｓｉと酸化物を堆積させることができる。酸化物はまた、熱酸化、すなわち、酸化物が多結晶Ｓｉ層を酸化させることにより形成される方法、によって形成することができる。他の作製法としては、スパッタリングや電子線堆積法を採用することができる。反射防止膜（ＳｉＯＮ）の作製では、プラズマ化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）が、堆積中にガスの組成を変化させることのみで屈折率を容易に調節することができるため望ましい。しかし、スパッタリングや他の手法も、ＳｉＯＮの堆積のために採用することができる。
【００２０】
本発明では、Ｓｉ／ＳｉＯ２のＰＢＧを用いることを述べている。しかし、他の材料、例えば、組成比に応じて窒化物の屈折率が２−２．３で変化するＳｉ／ＳｉＮ等を用いることができる。
【００２１】
システムと方法が、フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンド用反射防止膜の効果的な実施について上記した実施例で示されている。様々な好ましい実施例が示されて説明されたが、そのような開示内容によって本発明を制限する意図が無いことは理解されるであろう。しかし、もっと適切に言えば、添付した特許請求の範囲の中で定義されたような本発明の思想と範囲内にある変更をすべてカバーすることが意図される。例えば、本発明は、用いられる特定の高屈折率材料、用いられる特定の低屈折率材料、用いられる特定のＡＲＣ層、ＡＲＣ層の堆積の際に用いられる特定の技術によって制限されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】提示されるフォトニックバンドギャップ結晶の基本的構造を示す。
【図２】５ペアのＳｉ／ＳｉＯ２ＰＢＧ（λｃ＝２．０μｍ）の反射率を示す。
【図３】光子状態の一つ（λ＝１．１μｍ）について電界強度を示す。
【図４】５ペアのＰＢＧの反射率を、反射防止膜を具備する場合と具備しない場合について示す。
【図５】パスバンド（０．７８−１．５μｍ）を通過するＰＢＧの光の透過率を示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものであり、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、
（ｂ）前記ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、前記ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものであり、前記ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層と
から成る半導体構造。
【請求項２】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記厚さがλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］であることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記ＡＲＣ層がＳｉＯＮ層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記高屈折率材料がＳｉであることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項５】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記低屈折率材料がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記低屈折率材料がＳｉＮであることを特徴とする請求項４に記載の半導体構造。
【請求項７】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記ＡＲＣ層が、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項８】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、
（ｂ）前記ＰＢＧの最上部の反射防止膜（ＡＲＣ）層を堆積する工程であって、前記ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものとし、前記ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程と
を有し、前記堆積されたＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、前記ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法。
【請求項９】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記厚さをλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］とすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＡＲＣ層をＳｉＯＮ層とすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記高屈折率材料がＳｉとすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＯ２とすることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＮとすることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＡＲＣ層を、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものとすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、
（ｂ）シリコン（Ｓｉ）基板上に、少なくとも亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含むガスを導入することによってＳｉＯＮ反射防止膜（ＡＲＣ）層を形成する工程と、
（ｃ）前記ＳｉＯＮＡＲＣ層が、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するように前記ガス中のＮ２Ｏの濃度を調節し、前記ＳｉＯＮＡＲＣ層が、λｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程と
を有し、前記形成されたＳｉＯＮＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、前記ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法。
【請求項１６】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記厚さをλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］とすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記高屈折率材料がＳｉとすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＯ２とすることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＮとすることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＳｉＯＮＡＲＣ層を、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものとすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、該構造は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層から成るフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものであり、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものであるＰＢＧと、
（ｂ）前記ＰＢＧの最上部に堆積される反射防止膜（ＡＲＣ）層であって、前記ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものであり、前記ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものであるＡＲＣ層と
から成る半導体構造。
【請求項２】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記厚さがλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］であることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記ＡＲＣ層がＳｉＯＮ層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記高屈折率材料がＳｉであることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項５】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記低屈折率材料がＳｉＯ２であることを特徴とする請求項４に記載の半導体構造。
【請求項６】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記低屈折率材料がＳｉＮであることを特徴とする請求項４に記載の半導体構造。
【請求項７】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する半導体構造であって、前記ＡＲＣ層が、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体構造。
【請求項８】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、
（ｂ）前記ＰＢＧの最上部の反射防止膜（ＡＲＣ）層を堆積する工程であって、前記ＡＲＣ層はｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するものとし、前記ＡＲＣ層はλｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程と
を有し、前記堆積されたＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、前記ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法。
【請求項９】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記厚さをλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］とすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＡＲＣ層をＳｉＯＮ層とすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記高屈折率材料がＳｉとすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＯ２とすることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＮとすることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＡＲＣ層を、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものとすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、該方法は、
（ａ）高屈折率材料と低屈折率材料との交互層を堆積させてフォトニックバンドギャップ結晶（ＰＢＧ）を形成する工程であって、前記高屈折率材料はｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌの屈折率を有するものとし、前記ＰＢＧは中心波長λｃを有するものとする工程と、
（ｂ）シリコン（Ｓｉ）基板上に、少なくとも亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を含むガスを導入することによってＳｉＯＮ反射防止膜（ＡＲＣ）層を形成する工程と、
（ｃ）前記ＳｉＯＮＡＲＣ層が、ｎＡＲＣ＝√（ｎａｉｒ×ｎｈｉｇｈ−ｉｎｄｅｘ ｍａｔｅｒｉａｌ）で与えられる屈折率を有するように前記ガス中のＮ２Ｏの濃度を調節し、前記ＳｉＯＮＡＲＣ層が、λｃ／８の実質的な厚さを有するものとする工程と
を有し、前記形成されたＳｉＯＮＡＲＣ層は、前記ＰＢＧ結晶のストップバンドを通過する光の強い反射を保ちつつ、前記ＰＢＧ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化することを特徴とする方法。
【請求項１６】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記厚さをλｃ／８±［（０．３λｃ）／８］とすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記高屈折率材料がＳｉとすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＯ２とすることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記低屈折率材料をＳｉＮとすることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
フォトニックバンドギャップ結晶のパスバンドを通過する光の透過率を最大化する方法であって、前記ＳｉＯＮＡＲＣ層を、スパッタリング、電子線堆積法、化学蒸着法、プラズマ化学蒸着法のいずれかの方法により堆積されたものとすることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−６５６４３（Ｐ２００７−６５６４３Ａ）
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００６−２１１６３２（Ｐ２００６−２１１６３２）
【出願日】平成１８年８月３日（２００６．８．３）
【出願人】（５９６０６０６９７）マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー (233)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年３月１５日（２００７．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２１１６３２（Ｐ２００６−２１１６３２）
【出願日】平成１８年８月３日（２００６．８．３）
【出願人】（５９６０６０６９７）マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー (233)
【Ｆターム（参考）】
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