説明

レジストパターン形成装置

【課題】 本発明は、レジストラインの幅を管理しやすく、パターンのファイン化に対応でき、また、サテライト(mist)の発生を防止でき、かつ、両面画像形成を可能にするインクジェット方式によるレジストパターンの形成装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明に係るレジストパターン形成装置の代表的な構成は、基板1を搬送する基板搬送手段10と、前記基板1にレジストパターンを転写する転写手段11と、前記転写手段11にレジストインクを吐出するインク吐出ヘッド12とを備えたことを特徴とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、レジスト直描方式によるレジストパターン、導体パターン、プリント配線板の作成方法に関する。具体的には、インク吐出ヘッドおよび硬化反応機構を備えた転写手段を含むインクジェットシステムとを用いた、転写方式のレジストパターン、導体パターン、プリント配線板の作成方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、プリント配線板を製造する方法の具体例としては、フォトリソグラフィ法が用いられている。このフォトリソグラフィ法による製造工程の一例について、図5を用いて簡略に説明する。
【0003】
図5(a)に示すように、例えば、まず絶縁層101と銅箔102とからなる銅張積層板100において、レジスト層が形成しやすいように銅箔102の表面を研磨する。そして図5(b)に示すように、銅箔102の上にドライフィルムレジストなどからなるフォトレジスト層103を形成する。なお、レジスト液を塗布して硬化させることによりフォトレジスト層を形成する構成も一般的である。ついで、図5(c)に示すようにフォトレジスト層103の表面にフォトマスク104を介して紫外線を照射し、フォトレジスト層103を光硬化させる。この後、図5(d)に示すように、有機溶剤やアルカリ水溶液などの現像液を用いて、未硬化部分のフォトレジスト層103を除去してレジストパターン103aを形成する。ついで、図5(e)に示すように、レジストパターン103aに覆われていない部分の銅箔102をエッチングにより除去した後、図5(f)に示すようにレジストパターン103aを除去して導体パターン102aを形成するとプリント配線板が得られる。
【0004】
しかしながら、上記フォトリソグラフィ法では、フォトマスク104の作製に非常に長時間を要するため、プリント配線板の作製所要時間が長くなってしまうという欠点があった。また、レジストパターン103aを形成するために有機溶剤やアルカリ水溶液などを用いて現像を行うため、プリント配線板の作製所要時間が長くなるとともに、廃液処理の問題があった。
【0005】
上記問題を解決するために、近年、レジストインクをインクジェット方式を用いて基板上に吹き付け、所望のレジストパターンを形成する方法が提案された(特許文献1)。この方法によれば、フォトマスクを製作する必要がなく、現像も行わないため、プリント配線板の作製所要時間を大幅に短縮することが可能である。また、レジストパターン103aを形成するための溶液の廃液処理の負担を低減することも可能である。
【0006】
【特許文献1】特開平6−237063号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかし、技術および生産性の面から下記の問題点が指摘されており、インクジェット方式によるレジストパターンの形成方法は、現在まで実用化は困難と考えられていた。
【0008】
技術上の問題としては、以下の点が挙げられる。(1)レジストインクの液滴が着弾後、流れ径が拡がりやすく、設計幅よりもラインが太くなる。(2)レジストインクの液滴が着弾後、液が塗布領域の縁部に集まって厚くなり、それに伴って中心部のレジスト皮膜が薄くなる。そのため、中心部が正常にレジストされないおそれがある。(3)レジストインクの液滴を吐出、着弾した際に、飛沫が発生し、意図しない部分にレジスト皮膜が形成されてしまう場合がある(サテライトまたはmistという)。これを放置したままで配線板を作成すると、ショートが発生する危険性があった。
【0009】
生産性の問題としては、以下の点が挙げられる。(1)インクジェット方式では、上方に向かってインクを吐出することは困難である。このため、基板の両面に導電パターンを形成する場合には、レジストインクを塗布する為に、インクジェット装置を2台並べる必要があり、かつ2台のインクジェット装置の間で基板を裏返す必要がある。このため生産ラインが複雑になり、かつ長くなるという問題がある。(2)面積が大きいベタ(塗り潰し)のパターンでは、インクジェットで全面に吐出する必要があるため、描画に大変な時間がかかる。(3)レジストインクが熱硬化型である場合に、基板に塗布した後に硬化させるためには、ある程度大きな熱量を出力する熱乾燥炉が必要となる。しかし、そのような熱乾燥炉は周囲にも熱を放出してしまうため、空調管理しているクリーンルーム内では導入し難いという問題がある。
【0010】
そこで本発明は、レジストラインの幅を管理しやすく、パターンのファイン化に対応でき、また、サテライト(mist)の発生を防止でき、かつ、両面画像形成を可能にするインクジェット方式によるレジストパターンの形成装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記課題を解決するために、本発明に係るレジストパターン形成装置の代表的な構成は、基板を搬送する基板搬送手段と、前記基板にレジストパターンを転写する転写手段と、前記転写手段にレジストインクを吐出するインク吐出ヘッドとを備えたことを特徴とする。このように転写手段を用いて基板にレジストパターンを形成することにより、インク吐出ヘッドその他の装置の配置の自由度を向上させることができる。従って装置の小型化、および他の追加的な構成をとることができる。
【0012】
また、前記転写手段上に吐出されたレジストインクを硬化させる硬化反応機構を備えたことを特徴とする。これによりレジストインクを早期に硬化させることができるため、転写手段上に吐出されたインクの流れ径が拡がること、塗布領域の縁部に集まることを防止することができる。
【0013】
また、前記基板搬送手段による基板の搬送面に対し、前記転写手段、前記インク吐出ヘッド、および前記硬化反応機構は、前記搬送面の両側に少なくとも1つずつ配置されていることを特徴とする。転写手段を用いたことにより、インク吐出ヘッドを基板よりも下側に配置することが可能である。このように構成することにより、基板の表裏両面に一度にレジストパターンを形成することができ、作業時間の短縮、装置設備の小型化を図ることができる。
【0014】
また、前記硬化反応機構は前記転写手段の内側に配置され、前記転写手段上に吐出された前記レジストインクを該転写手段側から硬化させることを特徴とする。これにより、小さな飛沫であるサテライトを本来のパターンより早期に硬化させて転写されにくくすることができ、また転写手段からの剥離を容易かつ確実とすることができる。
【0015】
また前記硬化反応機構は、加熱機構または紫外線照射機構であることを特徴とする。加熱機構を用いた場合には、転写手段上でレジストインクを硬化させる熱量があれば足りるため、空調管理しているクリーンルーム内であっても導入が容易である。特に、転写手段内部に加熱機構を配置する場合に、上記作用が顕著である。また紫外線照射機構を用いた場合には、放熱の問題が生じない利点がある。なお転写手段内部に紫外線照射機構を用いる場合には、転写手段を透光性部材にて構成する。
【0016】
また、前記転写手段の少なくとも表面が撥インク性であることを特徴とする。これにより、転写手段上に吐出されたインクの流れ径が拡がることを防止することができ、パターンのファイン化を図ることができる。なお転写手段の材料自体に撥インク性を有するものを用いてもよいし、転写手段に所定の表面処理をすることにより撥インク性を持たせてもよい。また、転写手段上に形成されたレジストパターンを基板に転写する際の転写性を向上させることができる。なお、あわせてレジストインクの吐出に際して剥離剤を塗布することが好ましい。
【0017】
また、前記基板が前記転写手段と接触する転写位置に搬送される前に、該基板をあらかじめ加熱する基板予熱手段を備えたことを特徴とする。これにより、転写手段から転写したレジストパターンの基板に対する定着性を向上させることができる。
【0018】
また、本発明に係るレジストパターン形成方法の代表的な構成は、回転する転写手段の表面にインク吐出ヘッドからレジストインクを吐出してレジストパターンを形成する工程と、前記転写手段上のレジストインクを硬化反応機構によって硬化させる工程と、基板搬送手段によって搬送する基板に回転する前記転写手段上のレジストパターンを転写する工程とを有することを特徴とする。これによりインクの流れ径が拡がること、塗布領域の縁部に集まることを防止すると共に、転写手段からの剥離を容易かつ確実とすることができる。
【0019】
また上記方法において、前記硬化反応機構は前記転写手段の内側に配置され、前記レジストインクを硬化させる工程は、該レジストインクを転写手段側から硬化させ、前記レジストパターンを転写する工程は、前記レジストインクの転写手段側は硬化し、かつ外表面は完全には硬化していない状態で行うことを特徴とする。これにより、基板へのレジストパターンの転写性を損なうことなく、小さな飛沫であるサテライトを転写されにくくすることができ、また転写手段からの剥離を容易かつ確実なものとすることができる。
【0020】
また上記方法を用いて形成したレジストパターンがネガティブである場合には、前記基板上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの無い部分の銅箔をエッチング法により除去し、その後に基板からレジストパターンを剥離除去することにより導体パターンを形成することができる。レジストパターンがポジティブである場合には、前記基板上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの無い部分にめっき法により金属パターンを形成し、その後に基板からレジストパターンを剥離除去することにより導体パターンを形成することができる。
【0021】
また、レジストインクとして、導体パターンを形成するためのレジスト液のほか、ソルダーレジストを形成するためのレジストインクも用いることができる。さらに、レジストインクに代えて、シンボル印刷を行うためのカラーインクも用いることができる。
【発明の効果】
【0022】
本発明によれば、レジストパターン形成においてインクジェット方式を用いた場合の課題を解決し、インクの流れ径が拡がることを防止してパターンのファイン化を図ることができ、塗布領域の縁部に集まることを防止してレジストパターンを確実に形成し、ショートの原因となるサテライトの発生を防止するなど、多くの効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0023】
{第1実施例}
本発明に係るレジストパターン形成装置および形成方法の第1実施例について説明する。図1は第1実施例に係るレジストパターン形成装置の概略構成を説明する図、図2はレジストパターン形成方法を説明する概略工程図、図3は転写の際のレジストパターンの状態を説明する図である。
【0024】
図1に示すレジストパターン形成装置は、基板1(銅張積層板)を搬送する基板搬送手段の例としての搬送ローラ10と、基板1にレジストパターンを転写する転写手段の例としての転写ローラ11と、転写ローラ11にレジストインクを吐出するインク吐出ヘッド12とを備えている。インク吐出ヘッド12は転写ローラ11の幅方向に走査する(往復移動する)シリアル式でもよく、また転写ローラ11と同じ幅を有するライン式でもよい。またインク吐出ヘッド12にはピエゾ素子(圧電素子)を用いてインクを吐出する構成が好ましい。
【0025】
転写ローラ11の内部には、転写ローラ11上に吐出されたレジストインクを硬化させる硬化反応機構である加熱機構の例として、ヒーター13が配置されている。本実施例においては、レジストインクに熱硬化型のものを用いる。転写ローラ11の内側に硬化反応機構として加熱機構を用いる場合には、転写ローラ11には熱容量の小さなものを用いることが好ましい。
【0026】
転写ローラ11の少なくとも表面は撥インク性を有するよう構成されている。これにより、転写ローラ11上に吐出されたインクの流れ径が拡がることを防止することができる。ここで転写ローラ11の材料自体に撥インク性を有するものを用いてもよいし、転写ローラ11に所定の表面処理をすることにより撥インク性を持たせてもよい。
【0027】
転写ローラ11の回転方向に対しインク吐出ヘッド12よりも上流側には、転写ローラ11上に剥離剤塗布装置14が設けられている。剥離剤とは転写ローラ11の表面からレジストパターンが剥がれやすいようにするための材料であって、液状または固形のシリコンが好適に用いられる。剥離剤塗布装置14は、用いられる剥離剤を適切に塗布することができる既知の構成でよく、ブラシを用いるものや、スプレーを用いるものなどが挙げられる。また転写ローラ11の転写位置より下流側、かつ剥離剤塗布装置14よりも上流側には、転写ローラ11に付着した剥離剤や粉塵、転写されなかったレジストパターンなどを除去するためのクリーニング装置15が配置されている。クリーニング装置15は、スキージやブレードなどの板状部材を好適に用いることができる。
【0028】
搬送ローラ10による基板搬送路において転写ローラ11よりも上流側には、基板1が転写ローラ11と接触する転写位置に搬送される前にこれをあらかじめ加熱する基板予熱手段の例として、予熱ヒータ16が配置されている。また、基板1の搬送路をはさんで転写ローラ11と対向する位置にはプラテンローラ17が配置されており、転写ローラ11とプラテンローラ17によって基板1に圧力を加えながら挟持搬送する。この転写ローラ11およびプラテンローラ17による搬送力は搬送ローラ10による搬送力を上回るよう設定されており、転写中に転写ローラ11表面に対して基板1がずれることがないように構成されている。
【0029】
上記構成を有するレジストパターン形成装置を用いて、レジストパターンを、ひいては導体パターンおよびプリント配線板を形成する工程について説明する。
【0030】
まず転写ローラ11を不図示の駆動手段によって図中矢印方向(基板1の搬送方向)に回転させ、その表面に剥離剤塗布装置14によって剥離剤を塗布する。そして不図示の制御装置から送られる信号に基づき、インク吐出ヘッド12からレジストインクを吐出して転写ローラ11上にレジストパターンを描く。
【0031】
転写ローラ11上に形成されたレジストパターンは、ヒーター13によって転写ローラ11の表面を例えば200度程度に加熱しておくことにより、転写ローラ11側から硬化させる。ここで、硬化速度(転写ローラ11の表面温度)および転写速度(搬送ローラ10による搬送速度)を不図示の制御装置によって相対的に調整することにより、レジストインクの転写ローラ11側は硬化し、かつ外表面は完全には硬化していない状態(以下、半硬化という)で転写を行う。
【0032】
図2(a)に示すように、基板1は、例えばエポキシ系プリプレグの絶縁層20に厚さ18μmの銅箔21を片面に積層した、1.6mm厚のエポキシ系片面銅張積層板(FR-4)を用いることができる。基板1は予熱ヒータ16によって約110度に予熱しつつ、転写ローラ11上に形成されたレジストパターン18とタイミングを同期させて転写位置まで搬送する。図2(b)に示すように、レジストパターンは、転写ローラ11が基板1に圧接されること、転写ローラ11および基板1が加熱されていること、およびレジストパターンが半硬化であることにより、転写ローラ11から基板1へと転写される。
【0033】
図2(c)に示すように、転写されたレジストパターン18は、形成すべき導体パターン22を被覆するような状態で銅箔の上に形成される。ここで使用するレジストインクは、硬化後に銅箔のエッチング液(塩化銅系)に対する耐性を備え、さらに剥離液(NaOH水溶液)で容易に剥がれるアクリル樹脂組成物を用いる。
【0034】
次に、転写後にレジストパターンが十分硬化した段階で、図2(d)に示すように、レジストパターンに覆われていない部分の銅箔を塩化銅系エッチング液を用いて除去する。最後に、図2(e)に示すように、レジストパターンを銅箔からNaOH水溶液を用いて剥離除去し、導体パターン22を形成させ、所望のプリント配線板2を得ることができる。
【0035】
ここで、上述した半硬化について、図3を参照して説明する。図3(a)に示すように、転写ローラ11上にレジストインクが吐出され、レジストパターン18が形成される。ここで転写ローラ11がヒーター13によって加熱されていることにより、レジストパターン18は転写ローラ11に接触している部分から硬化が開始し、図3(b)に示すように硬化部18aと未硬化部18bとが形成され、徐々に硬化部18aが増加していくことになる。そして未硬化部18bが残っている段階で転写を行うことにより、図3(c)に示すように基板1には未硬化部18bが密着するため転写性がよく、また硬化部18aは固まっていることから転写ローラ11には残留が少ないため好適である。
【0036】
また、転写ローラ11が加熱されていることから、レジストインクは転写ローラ11に着弾した瞬間から硬化が開始される。従って、インクの流れ径の拡がりが小さく、意図した通りのレジストパターン18を形成することができ、パターンのファイン化(微細化)を図ることができる。同様に、着弾した瞬間から硬化が開始されることから、徐々に換装するのであれば液が塗布領域の縁部に集まって厚くなるところを、塗布領域の全体においてほぼ均一に硬化する。従って、中心部のレジスト皮膜が薄くなりにくく、確実に基板1上にレジストパターンを形成することができる。
【0037】
また、インクジェット方式を用いてレジストインクを吐出すると、図2(a)に示すように、レジストパターン18の他に、飛沫が付着したサテライト19(mistともいう)が形成される。このように予定外の位置にレジストパターンが形成されてしまうと、導体パターンにおいて配線間の絶縁部分に導電部分が形成されることになるため、時としてショートを招いてしまうおそれがある。しかし本実施例のように転写ローラ11を加熱していることにより、図2(b)に示すように、サテライト19を硬化させることができる。ここでサテライト19はレジストパターン18よりも十分に小さいのであるから、レジストパターン18にまだ18bが残っている段階で、サテライト19は完全に硬化させることができる。サテライト19は外表面までも硬化していることから基板1に転写されにくく、転写後の基板1にはサテライト19のないレジストパターン18を形成することができる。
【0038】
また、インク吐出ヘッド12と転写位置との間に、不図示の吸引機構もしくはエアブロー機構を追加することが好ましい。ある程度インクが硬化した後に吸引もしくはエアブローを行うことにより、形成したレジストパターンに影響を及ぼすことなく、小さな飛沫であるサテライト19を除去することができる。従って、さらにサテライト19の影響を最小限に抑えることができる。
【0039】
また、本実施例では転写ローラ11の内部に硬化反応機構として加熱機構を用いているが、基板ごと加熱してレジストパターンを硬化させる熱乾燥炉に対し、転写ローラ11上のレジストパターンのみを硬化させるため、硬化効率がよい。また必要な熱量が圧倒的に小さくてよいことから、周囲に放出する熱も多くはないため、空調管理しているクリーンルーム内でも導入可能な装置とすることができる。
【0040】
なお、上記実施例においては硬化反応機構として加熱機構(ヒーター13)を用いているが、紫外線照射機構、例えば紫外線ランプを用いることができる。このときレジストインクとしては光硬化型のものを用いる必要がある。また、紫外線ランプは転写ローラ11の外側(かつインク吐出ヘッド12と転写位置の間)に設けることも可能であるが、転写ローラ11の内側に配置してレジストパターンを転写ローラ11側から硬化させることが好ましい。このとき、転写ローラ11には透光性の素材を用いる必要がある。
【0041】
また、転写手段として転写ローラ11を例に用いて説明しているが、無端状のベルトを複数のローラで張架した転写ベルトを用いることでもよい。これにより、少なくともインク吐出ヘッド12と対向する位置を平面とすることができ、形成するパターンの精度を向上させることが可能となる。
【0042】
{第2実施例}
本発明に係るレジストパターン形成装置および形成方法の第2実施例について説明する。図4は第2実施例に係るレジストパターン形成装置の概略構成を説明する図であって、上記第1実施例と説明の重複する部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0043】
上記第1実施例は基板1の片面にレジストパターン等を形成する例であったが、本実施例は両面に形成する例である。ここで、インクジェット方式を採用する場合、インク吐出ヘッドから上向きにインクを吐出することは困難がある。吐出したインクが重力によって吐出口周辺に戻って付着し、機能が損なわれてしまうためである。しかし本発明においては転写ローラ11を用いており、インク吐出ヘッドは転写ローラ11に向かって横方向に吐出する配置とすることができるため、基板の下側から転写を行うことも可能である。
【0044】
そこで、上記第1実施例においては転写ローラ11と対向する位置にはプラテンローラ17を設けていたが(図1参照)、本実施例においては図4(a)に示すように、搬送ローラ10による基板1の搬送面に対し、上下両側の対向する位置に転写ローラ11を配置している。またこれに伴って、インク吐出ヘッド12、剥離剤塗布装置14、クリーニング装置15も1つずつ配置されている。
【0045】
これにより、図4(a)に示すように、基板1の表裏両面に一度にレジストパターン18を形成することができる。従って、基板1の片面ずつにレジストパターンを形成する場合と比して、作業時間の大幅な短縮を図ることができる。また2台のインクジェット装置を並べる必要もなく、また2台のインクジェット装置の間で基板を裏返す必要もないことから、装置設備の小型化を図ることができる。
【0046】
また図4(a)に示すように、基板1の搬送面の下側に配置した転写ローラ11の下方には、転写ローラ11をレジスト液に浸すためのレジスト液槽23と、レジスト液槽23を上下動させるためのステージ24とが設けられている。
【0047】
そして、基板1の片面を全面塗り潰し(ベタ塗り)する場合には、インク吐出ヘッド12によってレジストインクを吐出するのではなく、図4(b)に示すように、ステージ24によってレジスト液槽23を上昇させ、転写ローラ11の下端をレジスト液に浸す。インク吐出ヘッド12によって全面にレジストインクを吐出すれば作業時間が大幅に増大するが、本実施例のようにレジスト液槽23を用いることにより、作業時間の増大を招くことはない。
【0048】
なお、上記各実施例において、転写されたレジストパターン18は、形成すべき導体パターン22を被覆するネガティブレジストであった。しかし本発明はこれに限定するものではなく、レジストパターンが形成すべき導体パターン以外の部分を被覆するポジティブレジストであってもよい。その場合、前記基板上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの無い部分に無電解めっき法と電解めっき法をあわせて金属パターンを形成し、その後に基板からレジストパターンを剥離除去することにより導体パターンを形成することができる。
【0049】
また、転写ローラ11、インク吐出ヘッド12、ヒーター13などからなる一連のレジストパターン形成手段を、上記第1実施例においては搬送路に対して上側に、第2実施例においては上下両側に配置しているが、下側のみに配置することによっても、同様の効果を得ることのできるレジストパターン形成装置とすることができる。
【0050】
上記説明した如く、本発明によれば、インクジェット方式を用いてレジストパターンの形成を実用化することが可能となる。従って、マスクパターンを必要とせず、現像工程も必要としないため導体パターンの形成時間を大幅に短縮でき、現像廃液処理による環境負荷をなくすことが可能であり、産業上有用である。
【0051】
また、本発明は、同様な利用方法により、プリント配線板用ソルダーレジストのパターン形成、シンボル印刷、更にフラットパネルディスプレイの製造にも応用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0052】
本発明は、導体パターンの形成に利用でき、プリント配線板の製造に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0053】
【図1】第1実施例に係るレジストパターン形成装置の概略構成を説明する図である。
【図2】レジストパターン形成方法を説明する概略工程図である。
【図3】転写の際のレジストパターンの状態を説明する図である。
【図4】第2実施例に係るレジストパターン形成装置の概略構成を説明する図である。
【図5】従来のフォトリソグラフィ法による製造工程の一例を説明する図である。
【符号の説明】
【0054】
1 …基板
2 …プリント配線板
10 …搬送ローラ
11 …転写ローラ
12 …インク吐出ヘッド
13 …ヒーター
14 …剥離剤塗布装置
15 …クリーニング装置
16 …予熱ヒータ
17 …プラテンローラ
18 …レジストパターン
18a …硬化部
18b …未硬化部
19 …サテライト
20 …絶縁層
21 …銅箔
22 …導体パターン
23 …レジスト液槽
24 …ステージ
100 …銅張積層板
101 …絶縁層
102 …銅箔
102a …導体パターン
103 …フォトレジスト層
103a …レジストパターン
104 …フォトマスク

【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を搬送する基板搬送手段と、
前記基板にレジストパターンを転写する転写手段と、
前記転写手段にレジストインクを吐出するインク吐出ヘッドと、
前記転写手段上に吐出されたレジストインクを硬化させる硬化反応機構とを備えたことを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項2】
前記基板搬送手段による基板の搬送面に対し、
前記転写手段、前記インク吐出ヘッド、および前記硬化反応機構は、前記搬送面の両側に少なくとも1つずつ配置されていることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項3】
前記硬化反応機構は前記転写手段の内側に配置され、前記転写手段上に吐出された前記レジストインクを該転写手段側から硬化させることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項4】
前記硬化反応機構は、加熱機構または紫外線照射機構であることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項5】
前記転写手段の少なくとも表面が撥インク性であることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項6】
前記基板が前記転写手段と接触する転写位置に搬送される前に、該基板をあらかじめ加熱する基板予熱手段を備えたことを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項7】
前記基板搬送手段による基板の搬送面はほぼ水平面であって、
前記転写手段および前記インク吐出ヘッドは前記搬送面の下側に配置されていることを特徴とする請求項1記載のレジストパターン形成装置。
【請求項8】
前記転写手段の下側に、該転写手段をレジスト液に浸すためのレジスト液槽と、前記レジスト液槽を上下動させるためのステージとを備えたことを特徴とする請求項7記載のレジストパターン形成装置。
【請求項9】
回転する転写手段の表面にインク吐出ヘッドからレジストインクを吐出してレジストパターンを形成する工程と、
前記転写手段上のレジストインクを硬化反応機構によって硬化させる工程と、
基板搬送手段によって搬送する基板に回転する前記転写手段上のレジストパターンを転写する工程とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項10】
前記硬化反応機構は前記転写手段の内側に配置され、
前記レジストインクを硬化させる工程は、該レジストインクを転写手段側から硬化させ、
前記レジストパターンを転写する工程は、前記レジストインクの転写手段側は硬化し、かつ外表面は完全には硬化していない状態で行うことを特徴とする請求項9記載のレジストパターン形成方法。
【請求項11】
請求項9記載の方法により前記基板上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの無い部分の銅箔をエッチング法により除去し、その後に基板からレジストパターンを剥離除去することを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項12】
請求項9記載の方法により前記基板上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンの無い部分にめっき法により金属パターンを形成し、その後に基板からレジストパターンを剥離除去することを特徴とする導体パターンの形成方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公開番号】特開2006−108545(P2006−108545A)
【公開日】平成18年4月20日(2006.4.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−295965(P2004−295965)
【出願日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【出願人】(303046277)旭化成エレクトロニクス株式会社 (840)
【Fターム(参考)】