光モジュール、および光分析装置
【課題】分解能の低下を抑制できる光モジュール、および光分析装置を提供する。
【解決手段】測色センサーは、固定反射膜５６を有する固定基板５１、固定基板５１に対向し、可動反射膜５７を有する可動基板５２、および固定基板５１に設けられた第一電極５４４を備えた波長可変干渉フィルター５と、モジュール基板３０と、波長可変干渉フィルター５およびモジュール基板３０を接合する異方性導電層３０１を備え、固定基板５１は、モジュール基板３０に対向する固定対向電極５１６Ａと、第一電極５４４および固定対向電極５１６Ａを電気的に接続する導電接続部５１６と、を有し、モジュール基板３０は、固定対向電極５１６Ａに対向するモジュール電極３０２を有し、異方性導電層３０１は、固定対向電極５１６Ａと、モジュール電極３０２とを導通させる。
【解決手段】測色センサーは、固定反射膜５６を有する固定基板５１、固定基板５１に対向し、可動反射膜５７を有する可動基板５２、および固定基板５１に設けられた第一電極５４４を備えた波長可変干渉フィルター５と、モジュール基板３０と、波長可変干渉フィルター５およびモジュール基板３０を接合する異方性導電層３０１を備え、固定基板５１は、モジュール基板３０に対向する固定対向電極５１６Ａと、第一電極５４４および固定対向電極５１６Ａを電気的に接続する導電接続部５１６と、を有し、モジュール基板３０は、固定対向電極５１６Ａに対向するモジュール電極３０２を有し、異方性導電層３０１は、固定対向電極５１６Ａと、モジュール電極３０２とを導通させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定波長の光を取得する波長可変干渉フィルターを備えた光モジュール、および光分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数波長の光から、特定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルター（光フィルター素子）を備えた光学装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載の波長可変干渉フィルター（光学フィルター装置）は、可動部（第１部分）、および可動部を支持するダイヤフラム（第２部分）を備えた第１基板と、第１基板に対向する第２基板とを備えている。また、第１基板の可動部には、可動ミラーが形成され、第２基板の可動部に対向する面には、固定ミラーが形成されている。そして、第１基板および第２基板には、それぞれリング状の電極が設けられ、これらの電極から各基板の外周縁に向かってそれぞれ引き出し配線が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５１１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターを、光学装置の基板やケース等に固定する際に、波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じる場合がある。また、基板やケースに組み込まれた波長可変干渉フィルターの各引き出し電極に対して、配線を接続する必要があり、この配線作業時に、基板に応力が加わって、基板に撓みが生じる場合がある。
このように、基板に撓みが生じると、一対の反射膜の平行性を維持することができず、波長可変干渉フィルターの分解能が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述のような問題に鑑みて、分解能の低下を抑制できる光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板の前記第二基板に対向する基板対向面に設けられた第一電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを固定する固定部と、前記波長可変干渉フィルターの前記基板対向面とは反対側の固定対向面、および前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、を備え、前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、前記異方性導電層は、前記固定対向電極と、前記第三電極とを導通することを特徴とする。
【０００８】
この発明では、第一基板の基板対向面に設けられた第一電極は、固定対向面上に形成された固定対向電極に接続され、この固定対向電極は、異方性導電部材により固定部に接合されることで、固定対向電極に対向した固定部の第三電極に電気的に接続されている。
ここで、異方性導電層としては、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）や、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste：異方性導電膜）が挙げられ、互いに対向する電極同士を接着するための接着剤と、この接着剤中に均一に拡散された導電粒子とを備えた層である。このような異方性導電層では、押圧により接着剤中の導電粒子が接触するため、押圧方向に沿って導電性が生じる。
本発明では、波長可変干渉フィルターと固定部との間にこのような異方性導電層が設けられているため、波長可変干渉フィルターおよび固定部を互いに近接する方向に押圧することで、波長可変干渉フィルターの固定対向電極と、固定部の第三電極とを導通させることができる。このため、波長可変干渉フィルターに直接配線作業を実施する必要がなく、第三電極から波長可変干渉フィルターの第二電極に電力を供給することができる。
また、例えば波長可変干渉フィルターの側縁をケース等に設けられた剛性が強い係止部により保持する場合、係止部の保持力により波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じるおそれがある。これに対して、上記のような異方性導電層を用いる場合では、固定部上に設けられた異方性導電層の上に、波長可変干渉フィルターを載置して僅かに押圧するだけで、波長可変干渉フィルターを固定部に接着固定することができる。この場合、固定時に係る波長可変干渉フィルターへの応力が小さく、波長可変干渉フィルターの撓みを抑制することができる。
【０００９】
本発明の光モジュールでは、前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続することが好ましい。
【００１０】
導通接続部としては、例えば第一基板の外周側面を伝って、第一電極と固定対向電極とを接続する構成としてもよい。しかしながら、第一基板を製造する場合、複数の第一基板を１つのウエハー内に複数形成し、それらをカットして１つの第一基板を取り出す場合がある。このような場合、第一基板をカットした後、再び第一基板の外周側面に導電接続部を形成する必要があり、製造効率が低下し、コスト的にも不利となる。
これに対して、本発明では、第一基板に貫通孔が設けられ、この貫通孔を通る導電接続部が設けられる。このような構成では、ウエハーから第一基板をカットする前に導電接続部が形成されるため、カット後の処理が不要となり、製造効率を向上させることができ、コスト的にも有利となる。
【００１１】
本発明の光モジュールでは、前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記導電部材の前記貫通孔から前記固定対向面に対向して臨む面により前記固定対向電極が構成されたことが好ましい。
【００１２】
本発明では、第一基板に設けられた貫通孔に導電部材を充填させることで、第一電極と導電部材とを確実に電気的に接続することができる。また、別途設けられた固定対向電極と導電接続部を接続する場合、その接続信頼性を確保する必要があるが、本発明では、貫通孔に充填された導電部材の固定部に対向する面が固定対向電極を構成するため、導電接続部と固定対向電極との接続信頼性を考慮する必要がなく、導電部材により確実に第一電極と固定対向電極とを導通状態にすることができる。
【００１３】
本発明の光モジュールでは、前記第二基板の前記第一基板に対向する面で、前記第一電極に対向した第二電極と、前記第一電極および前記第二電極を電気的に接続する導電部と、を備えたことが好ましい。
【００１４】
この発明では、第二基板に設けられた第二電極が導電部により第一電極に接続されている。また、上記発明のように、第一電極は導電接続部により固定対向電極と接続され、この固定対向電極が異方性導電層により固定部の第三電極に接続されている。このため、第二基板に設けられた第二電極に対しても、配線作業等を実施することなく、容易に固定部の第三電極に接続することができる。
【００１５】
本発明の光モジュールでは、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられたことが好ましい。
【００１６】
波長可変干渉フィルターには、第一反射膜および第二反射膜により多重干渉された光を反射させる反射型フィルターと、多重干渉された光を透過させる透過型フィルターとがあるが、特に透過型フィルターの場合、透過された光の通過部を設ける必要がある。本発明では、平面視において、第一反射膜および第二反射膜と重なる領域に異方性導電層が設けられていないため、この部分に透過型フィルターを透過した光を通すことができる。
【００１７】
本発明の光モジュールでは、前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられたことが好ましい。
【００１８】
異方性導電層としては、波長可変干渉フィルターの固定部に対向する面の全面に対して設けられる構成としてもよいが、波長可変干渉フィルターに複数の固定対向電極が設けられる構成では、各固定対向電極に対向する位置のみに設けられていてもよい。このような構成とすることで、波長可変干渉フィルターとして透過型フィルターを用いた場合でも、透過した光が異方性導電層によって阻害されることなく、透過光を導くことができる。
また、異方性導電層を波長可変干渉フィルターの全面に対して設ける場合、固定対向電極が設けられる位置のみを押圧したとしても、固定対向電極が設けられていない部分に対して異方性導電層による応力が加わるおそれがある。これに対して、固定対向電極が設けられる位置のみに異方性導電層を設ける場合、固定対向電極と重ならない領域では、異方性導電層による第一基板への応力がなく、第一基板の撓みをより確実に防止できる。
【００１９】
そして、上記発明において、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で、前記中心点に対して等角度間隔に配置されたことが好ましい。
【００２０】
この発明では、異方性導電層により第一基板に応力が加わったとしても、これらの応力が第一基板に対して均等に加わることとなり、第一基板の撓みをより確実に防止できる。
【００２１】
本発明の光分析装置は、上述したような光モジュールと、前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えたことを特徴とする。
【００２２】
ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この発明では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、波長可変干渉フィルターを固定部に固定した時の撓みを抑制することができ、波長可変干渉フィルターにより分解能の高い光を取り出すことができる。また、光モジュールは、検出部により、このような高分解能で取り出された光を検出することができるので、測定対象となる光の正確な光量を取得することができる。
したがって、このような光モジュールを備えた光分析装置では、光モジュールにより取得された正確な光量に基づいて、正確な光分析処理を実施することができる。また、光モジュールの配線信頼性が高いため、光分析装置における装置信頼性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る第一実施形態の測色装置（光分析装置）の概略構成を示す図である。
【図２】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ｏ−Ａ´線に沿う波長可変干渉フィルターの断面図である。
【図４】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける固定基板を可動基板側から見た平面図である。
【図５】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける可動基板を固定基板側から見た平面図である。
【図６】波長可変干渉フィルターの固定電極パッドの近傍を拡大した拡大断面図である。
【図７】第一実施形態において、波長可変干渉フィルターに対して、異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。
【図８】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板の製造工程を示す図である。
【図９】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板の製造工程を示す図である。
【図１０】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板および可動基板を接合する接合工程を示す図である。
【図１１】第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルターに対して異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔１．測色装置の全体構成〕
図１は、本発明に係る第一実施形態の測色装置（光分析装置）の概略構成を示す図である。
この測色装置１は、本発明の光分析装置であり、図１に示すように、測定対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光モジュールである測色センサー３と、測色装置１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この測色装置１は、光源装置２から射出される光を測定対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー３にて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ａの色を分析して測定する装置である。
【００２５】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、測定対象Ａに対して白色光を射出する。複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ａに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置２を備える測色装置１を例示するが、例えば測定対象Ａが発光部材である場合、光源装置２が設けられない構成としてもよい。
【００２６】
〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、本発明の光モジュールを構成する。この測色センサー３は、図１に示すように、本発明の固定部であるモジュール基板３０に固定された波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光して検出する検出部３１と、波長可変干渉フィルター５に駆動電圧を印加する電圧制御部３２と、を備えている。また、測色センサー３は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、測定対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部３１にて受光する。
検出部３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２７】
（３−１．波長可変干渉フィルターの構成）
図２は、波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視における平面図であり、図３は、図２におけるＡ−Ｏ−Ａ´線に沿う波長可変干渉フィルター５の断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター５は、図３に示すように、本発明の第一基板である固定基板５１、および本発明の第二基板である可動基板５２を備えている。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの２つの基板５１，５２は、外周部近傍に形成される接合面５１３，５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などの接合膜５１３Ａ，５２３Ａにより接合されることで、一体的に構成されている。
【００２８】
固定基板５１には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５６が設けられ、可動基板５２には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５７が設けられている。ここで、固定反射膜５６は、固定基板５１の可動基板５２に対向する面（基板対向面）に固定され、可動反射膜５７は、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜５６および可動反射膜５７は、ギャップを介して対向配置されている。
さらに、固定基板５１と可動基板５２との間には、固定反射膜５６および可動反射膜５７の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。この静電アクチュエーター５４は、固定基板５１側に設けられる本発明の第一駆動電極としての固定電極５４１と、可動基板５２側に設けられる本発明の第二駆動電極としての可動電極５４２とを備えている。
また、波長可変干渉フィルター５を各基板５１，５２の基板厚み方向から見た図２に示すような平面視において、各基板５１，５２の中心点Ｏは、固定反射膜５６，可動反射膜５７の中心点と一致し、かつ後述する可動部５２１の中心点と一致する。
【００２９】
（３−１−１．固定基板の構成）
図４は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５における固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。
固定基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図３、および図４に示すように、固定基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１および反射膜固定部５１２が形成されている。この固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極５４１および可動電極５４２間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極５４１の内部応力による固定基板５１の撓みはない。なお、本実施形態では、固定基板５１の可動基板５２に対向しない側の面が測色センサー３のモジュール基板３０に固定される面となる。
【００３０】
電極形成溝５１１は、図４に示すように、平面視で、固定基板５１の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成される。
また、固定基板５１には、電極形成溝５１１から、固定基板５１の外周縁の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４方向に向かって延出する４つの電極引出溝５１４が設けられている。
【００３１】
そして、固定基板５１の電極形成溝５１１の溝底部である電極形成面５１１Ａには、固定電極５４１が形成されている。
この固定電極５４１は、図４に示すように、第一固定電極５４１Ａと、第二固定電極５４１Ｂとを備えている。
第一固定電極５４１Ａは、固定基板５１を基板厚み方向から見た平面視（固定基板５１を可動基板５２側から見た平面視）において、固定反射膜５６の中心を中心点Ｏとした仮想円Ｑ１に沿って、円環状に形成されている。
第二固定電極５４１Ｂは、固定基板５１を基板厚み方向から見た平面視において、仮想円Ｑ１と同心円であり、仮想円Ｑ１より径寸法が大きい仮想円Ｑ２に沿って、Ｃ字状に形成されている。そして、第二固定電極５４１Ｂは、固定基板５１の頂点Ｃ４に対向する部分がＣ字開口部となる。
これらの第一固定電極５４１Ａおよび第二固定電極５４１Ｂ上には、固定電極５４１および可動電極５４２の間の放電を防止するための絶縁膜が積層されている。
【００３２】
そして、第一固定電極５４１Ａからは、本発明の第一電極を構成する第一固定引出電極５４３Ａが延出し、第二固定電極５４１Ｂからは、本発明の第一電極を構成する第二固定引出電極５４３Ｂが延出している。
第一固定引出電極５４３Ａは、第一固定電極５４１Ａの外周縁のうち頂点Ｃ４に最も近接する位置から、第二固定電極５４１ＢのＣ字開口部、および固定基板５１の頂点Ｃ４側に設けられた電極引出溝５１４を通って、固定基板５１の頂点Ｃ４まで延出する。この第一固定引出電極５４３Ａの先端部（固定基板５１の頂点Ｃ４に位置する部分）は、第一固定引出電極５４３Ａの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド５４３Ｐを構成する。
【００３３】
また、第二固定引出電極５４３Ｂは、第二固定電極５４１Ｂの外周縁のうち頂点Ｃ２に最も近接する位置から、固定基板５１の頂点Ｃ２側に設けられた電極引出溝５１４を通り、固定基板５１の頂点Ｃ２まで延出する。この第二固定引出電極５４３Ｂの先端部（固定基板５１の頂点Ｃ２に位置する部分）は、第二固定引出電極５４３Ｂの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド５４３Ｐを構成する。
【００３４】
そして、固定基板５１には、電極形成溝５１１から固定基板５１の頂点Ｃ１，Ｃ３に向かう方向に形成された電極引出溝５１４に、それぞれ、本発明の第一電極を構成する第一対向電極５４４が設けられている。これらの第一対向電極５４４は、第一固定電極５４１Ａや第二固定電極５４１Ｂとは絶縁されている。また、これらの第一対向電極５４４の先端部（固定基板５１の頂点Ｃ１、Ｃ３に位置する部分）は、第一固定引出電極５４３Ａの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、第一対向電極パッド５４４Ｐを構成する。
【００３５】
このような構成では、上述したように、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４が、それぞれ、本発明の第一電極を構成し、これらは、中心点Ｏに対して等角度間隔（９０度間隔）となるように配置される。
【００３６】
反射膜固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図３に示すように、反射膜固定部５１２の可動基板５２に対向する反射膜固定面５１２Ａが、電極形成面５１１Ａよりも可動基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面５１１Ａおよび反射膜固定面５１２Ａの高さ位置は、反射膜固定面５１２Ａに固定される固定反射膜５６、および可動基板５２に形成される可動反射膜５７の間のギャップの寸法、固定電極５４１および可動電極５４２の間の寸法、固定反射膜５６や可動反射膜５７の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面５１１Ａと反射膜固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極形成面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。
【００３７】
そして、反射膜固定面５１２Ａには、円形状に形成される固定反射膜５６が固定されている。この固定反射膜５６としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にＡｇ合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばＡｇ合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をＴｉＯ２、低屈折層をＳｉＯ２とした誘電体多層膜を用いることができる。
【００３８】
さらに、固定基板５１は、基板対向面とは反対側の面（固定対向面）において、固定反射膜５６に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３９】
そして、固定基板５１は、基板厚み方向から見た平面視において、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４と重なる位置に、基板対向面から固定対向面までを貫通する貫通孔５１５を備えている。より具体的には、固定基板５１の貫通孔５１５は、各固定電極パッド５４３Ｐの中心と重なる位置、および第一対向電極パッド５４４Ｐの中心と重なる位置にそれぞれ設けられている。
この貫通孔５１５には、導電接続部５１６が充填されている。導電接続部５１６としては、例えばＡｇなどの金属等、導電性を有する部材であれば特に限定されない。この導電接続部５１６は、それぞれ、固定基板５１の基板対向面に設けられた電極パッド５４３Ｐ（５４４Ｐ）に接触し、導通している。
また、導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面は、本発明の固定対向電極５１６Ａを構成する。
【００４０】
（３−１−２．可動基板の構成）
図５は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５における可動基板５２を固定基板５１側から見た平面図である。なお、図５において、１点鎖線は、固定基板５１の外周縁を示す。
可動基板５２は、厚みが例えば２００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板５２は、図２、図５に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、を備えている。
また、可動基板５２には、図２および図５に示すように、固定基板５１の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に対応して、切欠部５２４が形成されており、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２側から見た面に固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐが露出する。
【００４１】
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。また、可動部５２１は、反射膜固定部５１２に平行な可動面５２１Ａを備え、この可動面５２１Ａに、固定反射膜５６とギャップを介して対向する可動反射膜５７が固定されている。
ここで、この可動反射膜５７は、上述した固定反射膜５６と同一の構成の反射膜が用いられる。
【００４２】
さらに、可動部５２１は、固定対向面において、可動反射膜５７に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００４３】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成され、可動部５２１よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部５２２は可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板５１側に撓ませることが可能となる。この際、可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板５２を撓ませる力が作用した場合でも、可動部５２１の撓みはほぼなく、可動部５２１に形成された可動反射膜５７の撓みも防止できる。
【００４４】
そして、この保持部５２２の固定基板５１に対向する面には、固定電極５４１と、初期状態において約１μｍの隙間を介して対向する、本発明の第二駆動電極を構成する可動電極５４２が形成されている。
この可動電極５４２は、図５に示すように、可動部５２１の中心点Ｏを中心とした仮想円Ｑ１に沿うリング状に形成された第一可動電極５４２Ａと、可動部５２１の中心点Ｏを中心とし、仮想円Ｑ１よりも径大となる仮想円Ｑ２に沿うリング状に形成された第二可動電極５４２Ｂと、を備えている。
そして、図２に示すように、平面視において、第一可動電極５４２Ａは、第一固定電極５４１Ａと重なる位置に設けられ、第二可動電極５４２Ｂは、第二固定電極５４１Ｂと重なる位置に設けられる。
【００４５】
これらの第一可動電極５４２Ａおよび第二可動電極５４２Ｂは、図２に示すように、頂点Ｃ１，Ｃ３を結ぶ対角線および頂点Ｃ２，Ｃ４を結ぶ対角線に沿って形成される接続線５４５により接続されている。また、第二可動電極５４２Ｂの外周縁からは、頂点Ｃ１方向、および頂点Ｃ２方向に向かって、本発明の第二電極を構成する一対の共通引出電極５４６が延出している。すなわち、共通引出電極５４６は、第一対向電極５４４に対向して設けられている。この共通引出電極５４６の先端部は、第一対向電極５４４の第一対向電極パッド５４４Ｐに対向する共通電極パッド５４６Ｐを構成する。
【００４６】
そして、可動基板５２は、第一固定引出電極５４３Ａおよび第二固定引出電極５４３Ｂに対向する位置に、それぞれ第二対向電極５４７を備えている。これらの第二対向電極５４７は、可動電極５４２とは絶縁されている。また、これらの第二対向電極５４７の先端部は、固定電極パッド５４３Ｐに対向する第二対向電極パッド５４７Ｐを構成する。
【００４７】
このような構成では、上述したように、共通引出電極５４６および第二対向電極５４７が、それぞれ、本発明の第二電極を構成し、これらは、中心点Ｏに対して等角度間隔となるように配置される。
【００４８】
なお、本実施形態では、図２、図４、図５に示すように、平面視において、各電極パッド５４３Ｐ，５４４Ｐ，５４６Ｐ，５４７Ｐが、それぞれ、引出電極５４３Ａ，５４３Ｂ，５４６、対向電極５４４，５４７の電極線幅よりも大きくなる構成を例示したが、例えば、同じ線幅に形成される構成などとしてもよい。
【００４９】
そして、本実施形態の波長可変干渉フィルター５では、図２、および図３に示すように、固定基板５１および可動基板５２の間に、互いに対向する電極パッドの面同士を接続する導電部５５が設けられる。具体的には、波長可変干渉フィルター５は、互いに固定電極パッド５４３Ｐおよび第二対向電極パッド５４７Ｐを接続する導電部５５と、互いに対向する第一対向電極パッド５４４Ｐおよび共通電極パッド５４６Ｐ同士を接続する導電部５５と、を備えている。
この導電部５５としては、導電性を有し、パッド間の導通をとれるものであればいかなるものを用いてもよいが、電気抵抗値が小さく、かつ導電性接着剤としても機能するＡｇペーストを用いることが好ましい。
なお、導電部５５としては、固定基板５１および可動基板５２の外周側面にＡｇペーストが注入されて、互いに対向する電極パッド５４３Ｐ，５４７Ｐ（５４４Ｐ，５４６Ｐ）の間に入り込んだ構成などとしてもよい。
【００５０】
（３−１−３．波長可変干渉フィルターの固定）
次に、上記のような波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０への固定について説明する。図６は、波長可変干渉フィルター５の固定電極パッド５４３Ｐ近傍を拡大した断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図３、図６に示すように、固定基板５１とモジュール基板３０との間に異方性導電層３０１を設けることで接着固定される。
モジュール基板３０には、固定基板５１の導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａに対向する位置に、本発明の第三電極であるモジュール電極３０２が設けられている。このモジュール電極３０２は、図示略の引出線が設けられ、引出線の端部に設けられた端子部から電圧制御部３２に接続されている。
【００５１】
図７は、本実施形態において、波長可変干渉フィルター５に対して、異方性導電層３０１が設けられる位置を示す平面図である。図７において、破線は、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１の外形、反射膜５６，５７が設けられる位置、固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐ、および導電接続部５１６の位置を示す。また、一点鎖線は、モジュール基板３０、およびモジュール基板３０上に設けられるモジュール電極３０２を示す。さらに、実線は、異方性導電層３０１を示す。
【００５２】
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、可動基板５２側から入射した測定光を反射膜５６，５７間で多重干渉させ、互いに強め合った特定波長の光が固定基板５１側に透過されて射出される透過型フィルターである。したがって、モジュール基板３０には、透過された光を検出部３１に導くための導光部３０３が設けられている。
なお、この導光部３０３としては、例えばモジュール基板３０を貫通する孔部が設けられる構成としてもよく、凹部が形成され、この凹部に検出部３１が設けられる構成などとしてもよい。また、モジュール基板３０が、測定対象となる波長域に対して透過性を有する素材により形成されている場合では、導光部３０３が設けられない構成としてもよい。
【００５３】
そして、異方性導電層３０１は、図７に示すような波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視において、波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０に対向する面内で、反射膜５６，５７、および導光部３０３と重なる位置を除く部分を覆って設けられている。
この異方性導電層３０１は、例えばＡＣＦやＡＣＰであり、熱可塑性樹脂等により構成される接着剤中に、導電性粒子が均等に分散した層である。このような異方性導電層３０１は、所定方向に押圧することで、押圧方向において導電性粒子が互いに接触し、これらの導電性粒子の接触により押圧方向に沿って導電性が発生し、これ以外の方向には導電性は発生しない。
したがって、モジュール基板３０上の異方性導電層３０１に、波長可変干渉フィルター５を載置し、波長可変干渉フィルター５を異方性導電層３０１側に押圧すると、導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａと、モジュール電極３０２とが、異方性導電層３０１により導通される。
【００５４】
この時、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２には、図３、図６に示すように、切欠部５２４が形成されており、固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐが設けられる固定基板５１の頂点部分のみが突出した形状となっている。したがって、この固定基板５１の頂点部分のみを把持して、波長可変干渉フィルター５を異方性導電層３０１上に載置、押圧することで可動基板５２への応力付加を防止できる。つまり、可動基板５２には、可動部５２１および保持部５２２が設けられ、外部応力に対して撓みやすい形状に形成されており、外部応力等が加わることで、可動部５２１が傾斜して可動反射膜５７と固定反射膜５６との平行性が維持できなくなるおそれがある。これに対して、上記のように、可動基板５２よりも厚み寸法が大きく形成され、可動基板５２よりも剛性が大きい固定基板５１を把持、押圧することで、可動基板５２に対する応力を防止することができる。
また、固定基板５１の固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐを押圧することで、固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２との間の異方性導電層３０１に押圧力が加わり、押圧方向に分散している導電性粒子同士が接触することで固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２とを確実に導通させることができる。
【００５５】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御部３２は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４に印加する電圧を制御する。
具体的には、電圧制御部３２は、第一固定電極５４１Ａに電圧を印加するための第一駆動電圧源（図示略）と、第二固定電極５４１Ｂに電圧を印加するための第二駆動電圧源（図示略）と、を備えている。また、電圧制御部３２は、第一可動電極５４２Ａおよび第二可動電極５４２Ｂに０電位を付与するためのＧＮＤ回路（図示略）を備えている。
これにより、第一固定電極５４１Ａおよび第一可動電極５４２Ａ間には、第一駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加され、第二固定電極５４１Ｂおよび第二可動電極５４２Ｂ間には、第二駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加される。
【００５６】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色装置１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御部３２は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
測色処理部４３は、検出部３１により検出された受光量から、測定対象Ａの色度を分析する。
【００５７】
〔５．波長可変干渉フィルターの製造〕
次に、上述した測色装置１に設けられた波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
図８は、固定基板５１の製造工程を示す図であり、図９は、可動基板５２の製造工程を示す図であり、図１０は、固定基板５１と可動基板５２とを接合する接合工程を示す図である。なお、図８〜図１０では、図２のＡ−Ｏ−Ａ´線での断面部分の各製造工程における状態を示す。
【００５８】
（５−１．固定基板の製造工程）
固定基板５１の製造では、まず、固定基板５１の製造素材である第一母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第一母材の厚み寸法を例えば５００μｍに形成し、さらに表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
【００５９】
研磨工程の後、固定基板エッチング工程を実施する。この固定基板エッチング工程では、第一母材の一面側にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光・現像して、電極形成溝５１１、電極引出溝５１４が形成される箇所にパターニングする。
そして、電極形成溝５１１、電極引出溝５１４を所望の深さにエッチングする。なお、ここでのエッチングとしては、ウェットエッチングが用いられる。
この後、第一母材の一面側にレジストを塗布し、反射膜固定面５１２Ａが形成される箇所をパターニングする。
次に、反射膜固定面５１２Ａを所望の位置までエッチングした後、レジストを除去することで、電極形成溝５１１及び反射膜固定部５１２が形成され、図８（Ａ）に示すように、固定基板５１の基板形状が決定される。
【００６０】
固定基板エッチング工程の後、図８（Ｂ）に示すように、固定電極形成工程を実施する。
固定電極形成工程では、固定基板５１上に形成した電極を構成する材料からなる膜に対してフォトリソグラフィ法及びエッチングを行うことにより、第一固定電極５４１Ａ、第二固定電極５４１Ｂ、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および一対の第一対向電極５４４を形成する。
【００６１】
この固定電極形成工程の後、図８（Ｃ）に示すように、導電接続部形成工程を実施する。
導電接続部形成工程では、まず、固定基板５１の表面に、貫通孔５１５を形成するためのレジストを形成する。
そして、固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐをエッチングストッパーとして、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面をエッチングし、貫通孔５１５を形成する。なお、この貫通孔５１５の形成としては、例えば深堀ＲＩＥなどの手法を用いてもよい。
この後、貫通孔５１５内に、例えばＡｇペースト等の導電性ペーストを充填し、導電接続部５１６を形成する。
【００６２】
そして、導電接続部形成工程の後、図８（Ｄ）に示すように、固定反射膜形成工程を実施する。
固定反射膜形成工程では、リフトオフプロセスにより固定反射膜５６を成膜する。すなわち、フォトリソグラフィ法などにより、固定基板５１上の反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を成膜する。そして、固定基板５１上に固定反射膜５６を成膜した後、リフトオフにより、反射膜形成部分以外の反射膜を除去する。
さらに、第一接合膜５１３Ａを接合面５１３に形成する。第一接合膜５１３Ａは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば１００ｎｍとする。
以上により、固定基板５１が製造される。
【００６３】
（５−２．可動基板の製造工程）
次に、可動基板５２の製造方法について説明する。
可動基板５２の形成では、まず、可動基板５２の製造素材である第二母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第二母材の厚み寸法を例えば２００μｍの均一厚みに形成し、さらに平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下の平滑面となるように両面を精密研磨する。
【００６４】
研磨工程の後、可動基板エッチング工程を実施する。この可動基板エッチング工程では、第二母材の一面側（固定基板５１に対向する面とは反対側の面）側にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、保持部５２２を形成するためのレジストパターンを形成する。この後、ウェットエッチングにより、図９（Ａ）に示すような可動部５２１及び保持部５２２を形成する。これにより、可動基板５２の基板形状が決定される。
【００６５】
可動基板エッチング工程の後、可動電極形成工程、および可動反射膜形成工程を実施する。
可動電極形成工程では、固定電極形成工程と同様に、フォトリソグラフィ法及びエッチングにより、可動電極５４２（第一可動電極５４２Ａ，第二可動電極５４２Ｂ）、接続線５４５、共通引出電極５４６、および第二対向電極５４７を形成する。
また、可動反射膜形成工程では、固定反射膜形成工程と同様に、リフトオフプロセスにより可動反射膜５７を成膜する。
さらに、第二接合膜５２３Ａを接合面５２３に形成する。第二接合膜５２３Ａは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば１００ｎｍとする。
この後、可動基板５２の頂点部分をそれぞれ切断し、切欠部５２４を形成する。なお、可動基板エッチング工程において、可動基板５２の頂点部分をエッチング処理し、厚み寸法を予め薄く形成しておいてもよく、この場合、切断処理が容易となる。
以上により、図９（Ｂ）に示すような可動基板５２が製造される。
【００６６】
（５−３．接合工程）
次に、上述の固定基板製造工程及び可動基板製造工程で形成された各基板５１，５２を接合する接合工程について説明する。
接合工程では、まず、図１０（Ａ）に示すように、固定基板５１の第一固定引出電極５４３Ａ、および第二固定引出電極５４３Ｂの固定電極パッド５４３Ｐ、および第一対向電極５４４の第一対向電極パッド５４４Ｐ上に、導電部５５（Ａｇペースト）を設ける（導電性部材配置工程）。
【００６７】
この後、各基板５１，５２に形成された第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａに活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理は、例えば、Ｏ２流量２０ｃｃ／分、圧力４Ｐａ、ＲＦパワー５０Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて例えば３分間処理を行う。なお、プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するための処理としてＯ２プラズマ処理、ＵＶ処理に限らず、Ｎ２プラズマ処理、Ａｒプラズマ処理でもよい。
【００６８】
そして、図１０（Ｂ）に示すように、可動反射膜５７及び固定反射膜５６が形成された面が向かい合うように固定基板５１及び可動基板５２のアライメントを行う。そして、第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａを重ね合わせて荷重をかけることにより、基板５１，５２同士を接合する。ここで、第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａが接合される。
【００６９】
〔６．本実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態の測色センサー３では、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１と、モジュール基板３０とが、異方性導電層３０１により接着されている。このような構成では、例えば、波長可変干渉フィルター５を係止部に係止したり把持したりする構成に比べて、波長可変干渉フィルター５に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板５１，５２の撓みを防止することができる。したがって、基板５１，５２によって生じる反射膜５６，５７の撓み等を防止でき、分解能の低下を抑制できる。
また、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面には、固定対向電極５１６Ａが設けられている。そして、この固定対向電極５１６Ａは、導電接続部５１６により、固定基板５１の基板対向面に設けられた第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４と導通している。そして、モジュール基板３０には、固定対向電極５１６Ａに対向してモジュール電極３０２が設けられており、固定対向電極５１６Ａおよびモジュール電極３０２が異方性導電層３０１により導通している。
このため、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に装着した後、波長可変干渉フィルター５の各電極パッド５４３Ｐ，５４４Ｐと、モジュール電極３０２とを接続する配線作業を実施する必要がない。したがって、波長可変干渉フィルター５を測色センサー３に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
【００７０】
また、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１には、貫通孔５１５が設けられ、この貫通孔５１５に導電接続部５１６が充填され、この導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面が固定対向電極５１６Ａを構成している。
このため、固定基板５１に別途電極を形成する必要がなく、貫通孔５１５に導電接続部５１６を充填するだけの簡単な構成で、容易に第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４と導通された固定対向電極５１６Ａを形成することができる。
また、貫通孔５１５に対して導電接続部５１６を充填することで、導電接続部５１６と、第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４とを確実に接続することができる。
【００７１】
さらに、例えば固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、固定対向電極を別途設け、本発明の導電接続部として、固定基板５１の外周側面を伝って、固定対向電極と、第一固定引出電極５４３Ａや第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４とを接続する構成としてもよい。しかしながら、固定基板５１の製造として、１つのウエハーから１つの固定基板５１を形成することは稀であり、一般には、１つのウエハーから複数の固定基板５１を形成する。この場合、ウエハー上に複数の固定基板５１を形成した後、これらの固定基板５１をそれぞれカットすることで、複数の固定基板５１を取り出す。このような場合、上記のように、固定基板５１の外周側面に導電接続部を形成する構成では、カット工程の後、別途固定基板５１の外周側面に電極を形成する必要が生じ、工程数が増大し、製造効率が低下してしまう。
これに対して、本実施形態のように、貫通孔５１５を形成して導電接続部５１６を形成する場合、カット後の処理が不要であるため、製造効率が低下する不都合も回避できる。
また、固定基板５１の外周側面に形成した電極は、衝突等により剥離しやすく、配線信頼性が低下する。これに対して、貫通孔５１５により導電接続部５１６は、確実に第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４３と、固定対向電極５１６Ａとが導通し、高い配線信頼性を得ることができる。
【００７２】
また、固定対向電極５１６Ａは、このような導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面により構成されている。したがって、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途固定対向電極を設ける必要がない。また、固定基板５１のモジュール基板３０に対応する面に、別途固定対向電極を設け、導電接続部５１６とこの電極とを接続する場合、その接続信頼性を確保する必要がある。これに対し、本実施形態では、導電接続部５１６の端面を固定対向電極５１６Ａとしているため、接続信頼性を確保するための構成が不要となり、構成を簡単にできる。
【００７３】
そして、波長可変干渉フィルター５は、可動基板５２に設けられた共通引出電極５４６と、固定基板５１に設けられた第一対向電極５４４とが、導電部５５により接続されており、この第一対向電極５４４が導電接続部５１６、異方性導電層３０１を介して、モジュール基板３０のモジュール電極３０２に電気的に接続されている。
このため、可動基板５２に形成された共通引出電極に対しても、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に設置するだけで、モジュール基板３０のモジュール電極３０２に接続することができ、配線作業を簡単にできる。
【００７４】
また、異方性導電層３０１は、波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視において、反射膜５６，５７と重ならない位置に設けられている。このため、反射膜５６，５７により多重干渉されて、固定基板５１側に透過された光が異方性導電層３０１により阻害されることなく、検出部３１に入射させることができる。
【００７５】
さらに、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２には、切欠部５２４が設けられており、固定基板５１の固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐが設けられる頂点部分が可動基板５２の外周縁よりも突出している。このため、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に固定する際に、この突出部分を把持することで、構造的に撓みやすい保持部５２２を有する可動基板５２に外部応力が加わらず、可動基板５２の撓みを防止できる。
また、固定基板５１の頂点部分をモジュール基板３０に対して押圧することで、可動基板５２に対して押圧による応力が加わらず、可動基板５２の撓みを防止できる。そして、固定基板５１の頂点部分に設けられた固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐがモジュール基板３０のモジュール電極３０２側に押圧されるため、これらの固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐと、モジュール電極３０２とを確実に導通させることができる。
【００７６】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０に対向する面のうち、反射膜５６，５７と重なる領域を除いた面全体を覆って異方性導電層３０１を設ける例を示した。これに対して、第二実施形態では、異方性導電層３０１を固定対向電極５１６Ａの位置に対応する位置のみに異方性導電層３０１が設けられる。
図１１は、第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルター５に対して異方性導電層３０１が設けられる位置を示す平面図である。
【００７７】
図１１に示すように、第二実施形態の測色センサーでは、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１に設けられた各導電接続部５１６の固定対向電極に対して、それぞれの異方性導電層３０１が設けられている。
ここで、各固定対向電極５１６Ａは、平面視において、反射膜５６，５７の中心点Ｏを中心とした仮想円Ｑ３の円周上に沿って、等角度間隔（９０度）に配置されている。各異方性導電層３０１も、当該異方性導電層３０１の中心位置（重心位置）が仮想円Ｑ３の円周上で、等角度間隔（９０度）となるように、配置されている。
【００７８】
（第二実施形態の作用効果）
第二実施形態の測色センサー３では、異方性導電層３０１が、波長可変干渉フィルター５の４つの固定対向電極５１６Ａに対応して、それぞれ設けられ、各固定対向電極５１６Ａと、各モジュール電極３０２とを接続し、かつ波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に接着固定している。
このような構成においても、上記第一実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、異方性導電層３０１により波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に固定しているため、波長可変干渉フィルター５に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板５１，５２の撓みを防止することができる。また、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に装着した後の配線作業が不要であり、波長可変干渉フィルター５を測色センサー３に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
【００７９】
これに加え、第二実施形態のような測色センサー３では、固定基板５１の頂点部分近傍のみに異方性導電層３０１に接触する構成であるため、異方性導電層３０１の固化収縮による固定基板５１の撓みを軽減できる。
また、異方性導電層３０１は、反射膜５６，５７の中心点Ｏから等距離で、かつ中心点Ｏに対して等角度間隔に配置されている。したがって、異方性導電層３０１の固化収縮により応力が固定基板５１に対して応力が加わった場合でも、これらの応力が固定基板５１に対して均等に分散され、固定基板５１の撓みを抑制することができる。
【００８０】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８１】
上記第一および第二実施形態では、第一電極として、固定電極５４１から延出した固定引出電極５４３Ａ，５４３Ｂ、および第一対向電極５４４を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１に、固定電極４５１に残留する電荷を除去するための帯電除去電極を設け、この帯電除去電極から延出した帯電除去引出電極を本発明の第一電極としてもよい。この場合、帯電除去引出電極の一部（例えば、先端部）に対応する位置に、貫通孔５１５を設け、この貫通孔５１５に導電接続部５１６を設け、異方性導電層３０１を介してモジュール基板３０のモジュール電極３０２に接続すればよい。
【００８２】
また、反射膜間のギャップ寸法を測定するための静電容量測定電極を固定基板５１および可動基板５２に互いに対向する状態で設け、固定基板５１上の静電容量測定電極から引き出された引出電極を第一電極とし、この引出電極に対向した可動基板５２側の対向電極を第二電極とする構成としてもよい。
【００８３】
上記第一および第二実施形態では、固定基板５１に貫通孔５１５を設け、この貫通孔５１５に導電接続部５１６を充填し、導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面を固定対向電極５１６Ａとする構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途、固定対向電極を形成し、導電接続部５１６により、固定電極パッド５４３Ｐや第一対向電極パッド５４４Ｐと、固定対向電極とを接続する構成としてもよい。
また、導電接続部５１６として、貫通孔５１５にＡｇペースト等が充填される構成に限らず、例えば、貫通孔５１５の内周面に、固定基板５１の基板対向面から固定対向面までに亘る電極層が形成される構成としてもよい。
さらに、導電接続部５１６の一端面が、固定基板５１の固定対向面と同一平面となって固定対向電極５１６Ａを形成する構成としたが、例えば導電接続部５１６が固定基板５１の固定対向面からモジュール基板３０側に突出して形成される構成としてもよく、導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａが、固定対向面からモジュール基板３０側に凸状に突出する凸面上に形成される構成としてもよい。この場合、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に取り付ける際、凸状の導電接続部５１６または凸面状の固定対向電極５１６Ａが異方性導電層３０１を押圧し、より確実に固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２との導通を取ることができる。
【００８４】
さらには、固定基板５１の外周側面に導電接続部を設ける構成としてもよい。この場合、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途、第一固定引出電極、第二固定引出電極、および一対の第一対向電極のそれぞれに対応した固定対向電極を形成し、これらを、固定基板５１の外周側面に形成される導電接続部により接続すればよい。
【００８５】
波長可変干渉フィルター５において、一対の第一対向電極パッド５４４Ｐに対して、それぞれ導電接続部５１６を設ける構成を例示したが、いずれか一方の第一対向電極パッド５４４Ｐにのみ導電接続部５１６が形成される構成であってもよく、モジュール基板３０のモジュール電極３０２も、いずれか一方の第一対向電極パッド５４４Ｐに対してのみ設けられていればよい。
【００８６】
第二実施形態において、モジュール電極３０２が固定対向電極５１６Ａよりも大きいサイズに形成され、異方性導電層３０１もモジュール電極３０２に対応して固定対向電極５１６Ａよりも大きいサイズに形成される例を示したが、これに限らない。例えば、平面視において、異方性導電層３０１を、固定対向電極５１６Ａを同等サイズに設定してもよい。
【００８７】
また、固定電極パッド５４３Ｐと、第二対向電極パッド５４７Ｐとの間、第一対向電極パッド５４４Ｐと、共通電極パッド５４６Ｐとの間を、それぞれ、可動基板５２の外周縁よりも内側に設けられた導電部５５により接続する構成を例示したが、これに限らない。例えば、可動基板５２の切欠部５２４の側面から基板５１，５２間にＡｇペースト等の導電性ペーストを注入して付着させることで、固定電極パッド５４３Ｐおよび第二対向電極パッド５４７Ｐ間、第一対向電極パッド５４４Ｐおよび共通電極パッド５４６Ｐ間を接続してもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、例えば、可動部の中心に対して点対象となる位置に設けられる複数対の梁構造を有する保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００８９】
さらに、上記実施形態では、波長可変干渉フィルター５として、第二基板である可動基板５２に可動部５２１が設けられ、可動基板５２の可動部５２１が固定基板５１側に向かって変位する例を示したが、これに限らない。例えば、可動基板５２を本発明の第一基板として、固定部であるモジュール基板３０に固定する構成としてもよい。
また、固定基板５１にも可動部が設けられ、この可動部が可動基板５２側に変位可能な構成などとしてもよい。
【００９０】
そして、上記実施形態において、光モジュールとして、測色センサー３を例示し、光分析装置として測色装置１を例示したが、これに限定されない。
例えば、本発明の光モジュールを、波長可変干渉フィルター５により取り出された光を受光素子により受光することで、ガス特有の吸収波長を検出するガス検出モジュールとして用いることもでき、光分析装置として、ガス検出モジュールにより検出された吸収波長からガスの種類を判別するガス検出装置として用いることもできる。
さらには、例えば、光モジュールは、例えば光ファイバーなどの光伝達媒体により伝送された光から所望の波長の光を抽出する光通信モジュールとしても用いることができる。また、光分析装置として、このような光通信モジュールから抽出された光からデータをデコード処理し、光により伝送されたデータを抽出する光通信装置として用いることもできる。
【００９１】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【符号の説明】
【００９２】
１…光分析装置としての測色装置、３…光モジュールとしての測色センサー、４…制御装置、５…波長可変干渉フィルター、３０…固定部であるモジュール基板、３１…検出部、４３…分析処理部である測色処理部、５１…第一基板である固定基板、５２…第二基板である可動基板、５５…導電部、５６…第一反射膜である固定反射膜、５７…第二反射膜である可動反射膜、３０１…異方性導電層、３０２…第三電極であるモジュール電極、５１５…貫通孔、５１６…導電接続部、５１６Ａ…固定対向電極、５４３Ａ…第一電極である第一固定引出電極、５４３Ｂ…第一電極である第二固定引出電極、５４４…第一電極である第一対向電極、５４６…第二電極である共通引出電極、５４７…第二電極である第二対向電極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定波長の光を取得する波長可変干渉フィルターを備えた光モジュール、および光分析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数波長の光から、特定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルター（光フィルター素子）を備えた光学装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載の波長可変干渉フィルター（光学フィルター装置）は、可動部（第１部分）、および可動部を支持するダイヤフラム（第２部分）を備えた第１基板と、第１基板に対向する第２基板とを備えている。また、第１基板の可動部には、可動ミラーが形成され、第２基板の可動部に対向する面には、固定ミラーが形成されている。そして、第１基板および第２基板には、それぞれリング状の電極が設けられ、これらの電極から各基板の外周縁に向かってそれぞれ引き出し配線が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５１１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターを、光学装置の基板やケース等に固定する際に、波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じる場合がある。また、基板やケースに組み込まれた波長可変干渉フィルターの各引き出し電極に対して、配線を接続する必要があり、この配線作業時に、基板に応力が加わって、基板に撓みが生じる場合がある。
このように、基板に撓みが生じると、一対の反射膜の平行性を維持することができず、波長可変干渉フィルターの分解能が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、上述のような問題に鑑みて、分解能の低下を抑制できる光モジュール、および光分析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、前記第一基板の前記第二基板に対向する基板対向面に設けられた第一電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを固定する固定部と、前記波長可変干渉フィルターの前記基板対向面とは反対側の固定対向面、および前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、を備え、前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、前記異方性導電層は、前記固定対向電極と、前記第三電極とを導通することを特徴とする。
【０００８】
この発明では、第一基板の基板対向面に設けられた第一電極は、固定対向面上に形成された固定対向電極に接続され、この固定対向電極は、異方性導電部材により固定部に接合されることで、固定対向電極に対向した固定部の第三電極に電気的に接続されている。
ここで、異方性導電層としては、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）や、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste：異方性導電膜）が挙げられ、互いに対向する電極同士を接着するための接着剤と、この接着剤中に均一に拡散された導電粒子とを備えた層である。このような異方性導電層では、押圧により接着剤中の導電粒子が接触するため、押圧方向に沿って導電性が生じる。
本発明では、波長可変干渉フィルターと固定部との間にこのような異方性導電層が設けられているため、波長可変干渉フィルターおよび固定部を互いに近接する方向に押圧することで、波長可変干渉フィルターの固定対向電極と、固定部の第三電極とを導通させることができる。このため、波長可変干渉フィルターに直接配線作業を実施する必要がなく、第三電極から波長可変干渉フィルターの第二電極に電力を供給することができる。
また、例えば波長可変干渉フィルターの側縁をケース等に設けられた剛性が強い係止部により保持する場合、係止部の保持力により波長可変干渉フィルターの基板に撓みが生じるおそれがある。これに対して、上記のような異方性導電層を用いる場合では、固定部上に設けられた異方性導電層の上に、波長可変干渉フィルターを載置して僅かに押圧するだけで、波長可変干渉フィルターを固定部に接着固定することができる。この場合、固定時に係る波長可変干渉フィルターへの応力が小さく、波長可変干渉フィルターの撓みを抑制することができる。
【０００９】
本発明の光モジュールでは、前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続することが好ましい。
【００１０】
導通接続部としては、例えば第一基板の外周側面を伝って、第一電極と固定対向電極とを接続する構成としてもよい。しかしながら、第一基板を製造する場合、複数の第一基板を１つのウエハー内に複数形成し、それらをカットして１つの第一基板を取り出す場合がある。このような場合、第一基板をカットした後、再び第一基板の外周側面に導電接続部を形成する必要があり、製造効率が低下し、コスト的にも不利となる。
これに対して、本発明では、第一基板に貫通孔が設けられ、この貫通孔を通る導電接続部が設けられる。このような構成では、ウエハーから第一基板をカットする前に導電接続部が形成されるため、カット後の処理が不要となり、製造効率を向上させることができ、コスト的にも有利となる。
【００１１】
本発明の光モジュールでは、前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記導電部材の前記貫通孔から前記固定対向面に対向して臨む面により前記固定対向電極が構成されたことが好ましい。
【００１２】
本発明では、第一基板に設けられた貫通孔に導電部材を充填させることで、第一電極と導電部材とを確実に電気的に接続することができる。また、別途設けられた固定対向電極と導電接続部を接続する場合、その接続信頼性を確保する必要があるが、本発明では、貫通孔に充填された導電部材の固定部に対向する面が固定対向電極を構成するため、導電接続部と固定対向電極との接続信頼性を考慮する必要がなく、導電部材により確実に第一電極と固定対向電極とを導通状態にすることができる。
【００１３】
本発明の光モジュールでは、前記第二基板の前記第一基板に対向する面で、前記第一電極に対向した第二電極と、前記第一電極および前記第二電極を電気的に接続する導電部と、を備えたことが好ましい。
【００１４】
この発明では、第二基板に設けられた第二電極が導電部により第一電極に接続されている。また、上記発明のように、第一電極は導電接続部により固定対向電極と接続され、この固定対向電極が異方性導電層により固定部の第三電極に接続されている。このため、第二基板に設けられた第二電極に対しても、配線作業等を実施することなく、容易に固定部の第三電極に接続することができる。
【００１５】
本発明の光モジュールでは、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられたことが好ましい。
【００１６】
波長可変干渉フィルターには、第一反射膜および第二反射膜により多重干渉された光を反射させる反射型フィルターと、多重干渉された光を透過させる透過型フィルターとがあるが、特に透過型フィルターの場合、透過された光の通過部を設ける必要がある。本発明では、平面視において、第一反射膜および第二反射膜と重なる領域に異方性導電層が設けられていないため、この部分に透過型フィルターを透過した光を通すことができる。
【００１７】
本発明の光モジュールでは、前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられたことが好ましい。
【００１８】
異方性導電層としては、波長可変干渉フィルターの固定部に対向する面の全面に対して設けられる構成としてもよいが、波長可変干渉フィルターに複数の固定対向電極が設けられる構成では、各固定対向電極に対向する位置のみに設けられていてもよい。このような構成とすることで、波長可変干渉フィルターとして透過型フィルターを用いた場合でも、透過した光が異方性導電層によって阻害されることなく、透過光を導くことができる。
また、異方性導電層を波長可変干渉フィルターの全面に対して設ける場合、固定対向電極が設けられる位置のみを押圧したとしても、固定対向電極が設けられていない部分に対して異方性導電層による応力が加わるおそれがある。これに対して、固定対向電極が設けられる位置のみに異方性導電層を設ける場合、固定対向電極と重ならない領域では、異方性導電層による第一基板への応力がなく、第一基板の撓みをより確実に防止できる。
【００１９】
そして、上記発明において、前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で、前記中心点に対して等角度間隔に配置されたことが好ましい。
【００２０】
この発明では、異方性導電層により第一基板に応力が加わったとしても、これらの応力が第一基板に対して均等に加わることとなり、第一基板の撓みをより確実に防止できる。
【００２１】
本発明の光分析装置は、上述したような光モジュールと、前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えたことを特徴とする。
【００２２】
ここで、光分析装置としては、上記のような光モジュールから出力される電気信号に基づいて、光モジュールに入射した光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この発明では、光分析装置は、上述したような光モジュールを備えている。光モジュールは、上記のように、波長可変干渉フィルターを固定部に固定した時の撓みを抑制することができ、波長可変干渉フィルターにより分解能の高い光を取り出すことができる。また、光モジュールは、検出部により、このような高分解能で取り出された光を検出することができるので、測定対象となる光の正確な光量を取得することができる。
したがって、このような光モジュールを備えた光分析装置では、光モジュールにより取得された正確な光量に基づいて、正確な光分析処理を実施することができる。また、光モジュールの配線信頼性が高いため、光分析装置における装置信頼性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る第一実施形態の測色装置（光分析装置）の概略構成を示す図である。
【図２】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ｏ−Ａ´線に沿う波長可変干渉フィルターの断面図である。
【図４】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける固定基板を可動基板側から見た平面図である。
【図５】第一実施形態の波長可変干渉フィルターにおける可動基板を固定基板側から見た平面図である。
【図６】波長可変干渉フィルターの固定電極パッドの近傍を拡大した拡大断面図である。
【図７】第一実施形態において、波長可変干渉フィルターに対して、異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。
【図８】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板の製造工程を示す図である。
【図９】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板の製造工程を示す図である。
【図１０】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板および可動基板を接合する接合工程を示す図である。
【図１１】第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルターに対して異方性導電層が設けられる位置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔１．測色装置の全体構成〕
図１は、本発明に係る第一実施形態の測色装置（光分析装置）の概略構成を示す図である。
この測色装置１は、本発明の光分析装置であり、図１に示すように、測定対象Ａに光を射出する光源装置２と、本発明の光モジュールである測色センサー３と、測色装置１の全体動作を制御する制御装置４とを備えている。そして、この測色装置１は、光源装置２から射出される光を測定対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー３にて受光し、測色センサー３から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち測定対象Ａの色を分析して測定する装置である。
【００２５】
〔２．光源装置の構成〕
光源装置２は、光源２１、複数のレンズ２２（図１には１つのみ記載）を備え、測定対象Ａに対して白色光を射出する。複数のレンズ２２には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置２は、光源２１から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Ａに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置２を備える測色装置１を例示するが、例えば測定対象Ａが発光部材である場合、光源装置２が設けられない構成としてもよい。
【００２６】
〔３．測色センサーの構成〕
測色センサー３は、本発明の光モジュールを構成する。この測色センサー３は、図１に示すように、本発明の固定部であるモジュール基板３０に固定された波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光して検出する検出部３１と、波長可変干渉フィルター５に駆動電圧を印加する電圧制御部３２と、を備えている。また、測色センサー３は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、測定対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー３は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光し、分光した光を検出部３１にて受光する。
検出部３１は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部３１は、制御装置４に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置４に出力する。
【００２７】
（３−１．波長可変干渉フィルターの構成）
図２は、波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視における平面図であり、図３は、図２におけるＡ−Ｏ−Ａ´線に沿う波長可変干渉フィルター５の断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図２に示すように、平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター５は、図３に示すように、本発明の第一基板である固定基板５１、および本発明の第二基板である可動基板５２を備えている。これらの２枚の基板５１，５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの２つの基板５１，５２は、外周部近傍に形成される接合面５１３，５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などの接合膜５１３Ａ，５２３Ａにより接合されることで、一体的に構成されている。
【００２８】
固定基板５１には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５６が設けられ、可動基板５２には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５７が設けられている。ここで、固定反射膜５６は、固定基板５１の可動基板５２に対向する面（基板対向面）に固定され、可動反射膜５７は、可動基板５２の固定基板５１に対向する面に固定されている。また、これらの固定反射膜５６および可動反射膜５７は、ギャップを介して対向配置されている。
さらに、固定基板５１と可動基板５２との間には、固定反射膜５６および可動反射膜５７の間のギャップの寸法を調整するための静電アクチュエーター５４が設けられている。この静電アクチュエーター５４は、固定基板５１側に設けられる本発明の第一駆動電極としての固定電極５４１と、可動基板５２側に設けられる本発明の第二駆動電極としての可動電極５４２とを備えている。
また、波長可変干渉フィルター５を各基板５１，５２の基板厚み方向から見た図２に示すような平面視において、各基板５１，５２の中心点Ｏは、固定反射膜５６，可動反射膜５７の中心点と一致し、かつ後述する可動部５２１の中心点と一致する。
【００２９】
（３−１−１．固定基板の構成）
図４は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５における固定基板５１を可動基板５２側から見た平面図である。
固定基板５１は、厚みが例えば５００μｍに形成されるガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図３、および図４に示すように、固定基板５１には、エッチングにより電極形成溝５１１および反射膜固定部５１２が形成されている。この固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極５４１および可動電極５４２間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極５４１の内部応力による固定基板５１の撓みはない。なお、本実施形態では、固定基板５１の可動基板５２に対向しない側の面が測色センサー３のモジュール基板３０に固定される面となる。
【００３０】
電極形成溝５１１は、図４に示すように、平面視で、固定基板５１の平面中心点を中心とした円形に形成されている。反射膜固定部５１２は、前記平面視において、電極形成溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成される。
また、固定基板５１には、電極形成溝５１１から、固定基板５１の外周縁の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４方向に向かって延出する４つの電極引出溝５１４が設けられている。
【００３１】
そして、固定基板５１の電極形成溝５１１の溝底部である電極形成面５１１Ａには、固定電極５４１が形成されている。
この固定電極５４１は、図４に示すように、第一固定電極５４１Ａと、第二固定電極５４１Ｂとを備えている。
第一固定電極５４１Ａは、固定基板５１を基板厚み方向から見た平面視（固定基板５１を可動基板５２側から見た平面視）において、固定反射膜５６の中心を中心点Ｏとした仮想円Ｑ１に沿って、円環状に形成されている。
第二固定電極５４１Ｂは、固定基板５１を基板厚み方向から見た平面視において、仮想円Ｑ１と同心円であり、仮想円Ｑ１より径寸法が大きい仮想円Ｑ２に沿って、Ｃ字状に形成されている。そして、第二固定電極５４１Ｂは、固定基板５１の頂点Ｃ４に対向する部分がＣ字開口部となる。
これらの第一固定電極５４１Ａおよび第二固定電極５４１Ｂ上には、固定電極５４１および可動電極５４２の間の放電を防止するための絶縁膜が積層されている。
【００３２】
そして、第一固定電極５４１Ａからは、本発明の第一電極を構成する第一固定引出電極５４３Ａが延出し、第二固定電極５４１Ｂからは、本発明の第一電極を構成する第二固定引出電極５４３Ｂが延出している。
第一固定引出電極５４３Ａは、第一固定電極５４１Ａの外周縁のうち頂点Ｃ４に最も近接する位置から、第二固定電極５４１ＢのＣ字開口部、および固定基板５１の頂点Ｃ４側に設けられた電極引出溝５１４を通って、固定基板５１の頂点Ｃ４まで延出する。この第一固定引出電極５４３Ａの先端部（固定基板５１の頂点Ｃ４に位置する部分）は、第一固定引出電極５４３Ａの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド５４３Ｐを構成する。
【００３３】
また、第二固定引出電極５４３Ｂは、第二固定電極５４１Ｂの外周縁のうち頂点Ｃ２に最も近接する位置から、固定基板５１の頂点Ｃ２側に設けられた電極引出溝５１４を通り、固定基板５１の頂点Ｃ２まで延出する。この第二固定引出電極５４３Ｂの先端部（固定基板５１の頂点Ｃ２に位置する部分）は、第二固定引出電極５４３Ｂの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、固定電極パッド５４３Ｐを構成する。
【００３４】
そして、固定基板５１には、電極形成溝５１１から固定基板５１の頂点Ｃ１，Ｃ３に向かう方向に形成された電極引出溝５１４に、それぞれ、本発明の第一電極を構成する第一対向電極５４４が設けられている。これらの第一対向電極５４４は、第一固定電極５４１Ａや第二固定電極５４１Ｂとは絶縁されている。また、これらの第一対向電極５４４の先端部（固定基板５１の頂点Ｃ１、Ｃ３に位置する部分）は、第一固定引出電極５４３Ａの電極引出溝５１４上に位置する部分に比べて、幅方向が大きく形成され、第一対向電極パッド５４４Ｐを構成する。
【００３５】
このような構成では、上述したように、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４が、それぞれ、本発明の第一電極を構成し、これらは、中心点Ｏに対して等角度間隔（９０度間隔）となるように配置される。
【００３６】
反射膜固定部５１２は、上述したように、電極形成溝５１１と同軸上で、電極形成溝５１１よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図３に示すように、反射膜固定部５１２の可動基板５２に対向する反射膜固定面５１２Ａが、電極形成面５１１Ａよりも可動基板５２に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極形成面５１１Ａおよび反射膜固定面５１２Ａの高さ位置は、反射膜固定面５１２Ａに固定される固定反射膜５６、および可動基板５２に形成される可動反射膜５７の間のギャップの寸法、固定電極５４１および可動電極５４２の間の寸法、固定反射膜５６や可動反射膜５７の厚み寸法により適宜設定される。したがって、例えば、電極形成面５１１Ａと反射膜固定面５１２Ａとが同一面に形成される構成や、電極形成面５１１Ａの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。
【００３７】
そして、反射膜固定面５１２Ａには、円形状に形成される固定反射膜５６が固定されている。この固定反射膜５６としては、金属の単層膜により形成されるものであってもよく、誘電体多層膜により形成されるものであってもよく、さらには、誘電多層膜上にＡｇ合金が形成される構成などとしてもよい。金属単層膜としては、例えばＡｇ合金の単層膜を用いることができ、誘電体多層膜の場合は、例えば高屈折層をＴｉＯ２、低屈折層をＳｉＯ２とした誘電体多層膜を用いることができる。
【００３８】
さらに、固定基板５１は、基板対向面とは反対側の面（固定対向面）において、固定反射膜５６に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３９】
そして、固定基板５１は、基板厚み方向から見た平面視において、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４と重なる位置に、基板対向面から固定対向面までを貫通する貫通孔５１５を備えている。より具体的には、固定基板５１の貫通孔５１５は、各固定電極パッド５４３Ｐの中心と重なる位置、および第一対向電極パッド５４４Ｐの中心と重なる位置にそれぞれ設けられている。
この貫通孔５１５には、導電接続部５１６が充填されている。導電接続部５１６としては、例えばＡｇなどの金属等、導電性を有する部材であれば特に限定されない。この導電接続部５１６は、それぞれ、固定基板５１の基板対向面に設けられた電極パッド５４３Ｐ（５４４Ｐ）に接触し、導通している。
また、導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面は、本発明の固定対向電極５１６Ａを構成する。
【００４０】
（３−１−２．可動基板の構成）
図５は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５における可動基板５２を固定基板５１側から見た平面図である。なお、図５において、１点鎖線は、固定基板５１の外周縁を示す。
可動基板５２は、厚みが例えば２００μｍに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板５２は、図２、図５に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、を備えている。
また、可動基板５２には、図２および図５に示すように、固定基板５１の各頂点Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４に対応して、切欠部５２４が形成されており、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２側から見た面に固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐが露出する。
【００４１】
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法である２００μｍに形成されている。また、可動部５２１は、反射膜固定部５１２に平行な可動面５２１Ａを備え、この可動面５２１Ａに、固定反射膜５６とギャップを介して対向する可動反射膜５７が固定されている。
ここで、この可動反射膜５７は、上述した固定反射膜５６と同一の構成の反射膜が用いられる。
【００４２】
さらに、可動部５２１は、固定対向面において、可動反射膜５７に対応する位置に図示略の反射防止膜が形成されている。この反射防止膜は、固定基板５１に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
【００４３】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイヤフラムであり、例えば厚み寸法が５０μｍに形成され、可動部５２１よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成されている。
このため、保持部５２２は可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板５１側に撓ませることが可能となる。この際、可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板５２を撓ませる力が作用した場合でも、可動部５２１の撓みはほぼなく、可動部５２１に形成された可動反射膜５７の撓みも防止できる。
【００４４】
そして、この保持部５２２の固定基板５１に対向する面には、固定電極５４１と、初期状態において約１μｍの隙間を介して対向する、本発明の第二駆動電極を構成する可動電極５４２が形成されている。
この可動電極５４２は、図５に示すように、可動部５２１の中心点Ｏを中心とした仮想円Ｑ１に沿うリング状に形成された第一可動電極５４２Ａと、可動部５２１の中心点Ｏを中心とし、仮想円Ｑ１よりも径大となる仮想円Ｑ２に沿うリング状に形成された第二可動電極５４２Ｂと、を備えている。
そして、図２に示すように、平面視において、第一可動電極５４２Ａは、第一固定電極５４１Ａと重なる位置に設けられ、第二可動電極５４２Ｂは、第二固定電極５４１Ｂと重なる位置に設けられる。
【００４５】
これらの第一可動電極５４２Ａおよび第二可動電極５４２Ｂは、図２に示すように、頂点Ｃ１，Ｃ３を結ぶ対角線および頂点Ｃ２，Ｃ４を結ぶ対角線に沿って形成される接続線５４５により接続されている。また、第二可動電極５４２Ｂの外周縁からは、頂点Ｃ１方向、および頂点Ｃ２方向に向かって、本発明の第二電極を構成する一対の共通引出電極５４６が延出している。すなわち、共通引出電極５４６は、第一対向電極５４４に対向して設けられている。この共通引出電極５４６の先端部は、第一対向電極５４４の第一対向電極パッド５４４Ｐに対向する共通電極パッド５４６Ｐを構成する。
【００４６】
そして、可動基板５２は、第一固定引出電極５４３Ａおよび第二固定引出電極５４３Ｂに対向する位置に、それぞれ第二対向電極５４７を備えている。これらの第二対向電極５４７は、可動電極５４２とは絶縁されている。また、これらの第二対向電極５４７の先端部は、固定電極パッド５４３Ｐに対向する第二対向電極パッド５４７Ｐを構成する。
【００４７】
このような構成では、上述したように、共通引出電極５４６および第二対向電極５４７が、それぞれ、本発明の第二電極を構成し、これらは、中心点Ｏに対して等角度間隔となるように配置される。
【００４８】
なお、本実施形態では、図２、図４、図５に示すように、平面視において、各電極パッド５４３Ｐ，５４４Ｐ，５４６Ｐ，５４７Ｐが、それぞれ、引出電極５４３Ａ，５４３Ｂ，５４６、対向電極５４４，５４７の電極線幅よりも大きくなる構成を例示したが、例えば、同じ線幅に形成される構成などとしてもよい。
【００４９】
そして、本実施形態の波長可変干渉フィルター５では、図２、および図３に示すように、固定基板５１および可動基板５２の間に、互いに対向する電極パッドの面同士を接続する導電部５５が設けられる。具体的には、波長可変干渉フィルター５は、互いに固定電極パッド５４３Ｐおよび第二対向電極パッド５４７Ｐを接続する導電部５５と、互いに対向する第一対向電極パッド５４４Ｐおよび共通電極パッド５４６Ｐ同士を接続する導電部５５と、を備えている。
この導電部５５としては、導電性を有し、パッド間の導通をとれるものであればいかなるものを用いてもよいが、電気抵抗値が小さく、かつ導電性接着剤としても機能するＡｇペーストを用いることが好ましい。
なお、導電部５５としては、固定基板５１および可動基板５２の外周側面にＡｇペーストが注入されて、互いに対向する電極パッド５４３Ｐ，５４７Ｐ（５４４Ｐ，５４６Ｐ）の間に入り込んだ構成などとしてもよい。
【００５０】
（３−１−３．波長可変干渉フィルターの固定）
次に、上記のような波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０への固定について説明する。図６は、波長可変干渉フィルター５の固定電極パッド５４３Ｐ近傍を拡大した断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図３、図６に示すように、固定基板５１とモジュール基板３０との間に異方性導電層３０１を設けることで接着固定される。
モジュール基板３０には、固定基板５１の導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａに対向する位置に、本発明の第三電極であるモジュール電極３０２が設けられている。このモジュール電極３０２は、図示略の引出線が設けられ、引出線の端部に設けられた端子部から電圧制御部３２に接続されている。
【００５１】
図７は、本実施形態において、波長可変干渉フィルター５に対して、異方性導電層３０１が設けられる位置を示す平面図である。図７において、破線は、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１の外形、反射膜５６，５７が設けられる位置、固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐ、および導電接続部５１６の位置を示す。また、一点鎖線は、モジュール基板３０、およびモジュール基板３０上に設けられるモジュール電極３０２を示す。さらに、実線は、異方性導電層３０１を示す。
【００５２】
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、可動基板５２側から入射した測定光を反射膜５６，５７間で多重干渉させ、互いに強め合った特定波長の光が固定基板５１側に透過されて射出される透過型フィルターである。したがって、モジュール基板３０には、透過された光を検出部３１に導くための導光部３０３が設けられている。
なお、この導光部３０３としては、例えばモジュール基板３０を貫通する孔部が設けられる構成としてもよく、凹部が形成され、この凹部に検出部３１が設けられる構成などとしてもよい。また、モジュール基板３０が、測定対象となる波長域に対して透過性を有する素材により形成されている場合では、導光部３０３が設けられない構成としてもよい。
【００５３】
そして、異方性導電層３０１は、図７に示すような波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視において、波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０に対向する面内で、反射膜５６，５７、および導光部３０３と重なる位置を除く部分を覆って設けられている。
この異方性導電層３０１は、例えばＡＣＦやＡＣＰであり、熱可塑性樹脂等により構成される接着剤中に、導電性粒子が均等に分散した層である。このような異方性導電層３０１は、所定方向に押圧することで、押圧方向において導電性粒子が互いに接触し、これらの導電性粒子の接触により押圧方向に沿って導電性が発生し、これ以外の方向には導電性は発生しない。
したがって、モジュール基板３０上の異方性導電層３０１に、波長可変干渉フィルター５を載置し、波長可変干渉フィルター５を異方性導電層３０１側に押圧すると、導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａと、モジュール電極３０２とが、異方性導電層３０１により導通される。
【００５４】
この時、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２には、図３、図６に示すように、切欠部５２４が形成されており、固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐが設けられる固定基板５１の頂点部分のみが突出した形状となっている。したがって、この固定基板５１の頂点部分のみを把持して、波長可変干渉フィルター５を異方性導電層３０１上に載置、押圧することで可動基板５２への応力付加を防止できる。つまり、可動基板５２には、可動部５２１および保持部５２２が設けられ、外部応力に対して撓みやすい形状に形成されており、外部応力等が加わることで、可動部５２１が傾斜して可動反射膜５７と固定反射膜５６との平行性が維持できなくなるおそれがある。これに対して、上記のように、可動基板５２よりも厚み寸法が大きく形成され、可動基板５２よりも剛性が大きい固定基板５１を把持、押圧することで、可動基板５２に対する応力を防止することができる。
また、固定基板５１の固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐを押圧することで、固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２との間の異方性導電層３０１に押圧力が加わり、押圧方向に分散している導電性粒子同士が接触することで固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２とを確実に導通させることができる。
【００５５】
（３−２．電圧制御手段の構成）
電圧制御部３２は、制御装置４からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５４に印加する電圧を制御する。
具体的には、電圧制御部３２は、第一固定電極５４１Ａに電圧を印加するための第一駆動電圧源（図示略）と、第二固定電極５４１Ｂに電圧を印加するための第二駆動電圧源（図示略）と、を備えている。また、電圧制御部３２は、第一可動電極５４２Ａおよび第二可動電極５４２Ｂに０電位を付与するためのＧＮＤ回路（図示略）を備えている。
これにより、第一固定電極５４１Ａおよび第一可動電極５４２Ａ間には、第一駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加され、第二固定電極５４１Ｂおよび第二可動電極５４２Ｂ間には、第二駆動電圧源により設定された電位差の電圧が印加される。
【００５６】
〔４．制御装置の構成〕
制御装置４は、測色装置１の全体動作を制御する。
この制御装置４としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置４は、図１に示すように、光源制御部４１、測色センサー制御部４２、および本発明の分析処理部を構成する測色処理部４３などを備えて構成されている。
光源制御部４１は、光源装置２に接続されている。そして、光源制御部４１は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置２に所定の制御信号を出力し、光源装置２から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４２は、測色センサー３に接続されている。そして、測色センサー制御部４２は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー３にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー３に出力する。これにより、測色センサー３の電圧制御部３２は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター５４への印加電圧を設定する。
測色処理部４３は、検出部３１により検出された受光量から、測定対象Ａの色度を分析する。
【００５７】
〔５．波長可変干渉フィルターの製造〕
次に、上述した測色装置１に設けられた波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
図８は、固定基板５１の製造工程を示す図であり、図９は、可動基板５２の製造工程を示す図であり、図１０は、固定基板５１と可動基板５２とを接合する接合工程を示す図である。なお、図８〜図１０では、図２のＡ−Ｏ−Ａ´線での断面部分の各製造工程における状態を示す。
【００５８】
（５−１．固定基板の製造工程）
固定基板５１の製造では、まず、固定基板５１の製造素材である第一母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第一母材の厚み寸法を例えば５００μｍに形成し、さらに表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
【００５９】
研磨工程の後、固定基板エッチング工程を実施する。この固定基板エッチング工程では、第一母材の一面側にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法により露光・現像して、電極形成溝５１１、電極引出溝５１４が形成される箇所にパターニングする。
そして、電極形成溝５１１、電極引出溝５１４を所望の深さにエッチングする。なお、ここでのエッチングとしては、ウェットエッチングが用いられる。
この後、第一母材の一面側にレジストを塗布し、反射膜固定面５１２Ａが形成される箇所をパターニングする。
次に、反射膜固定面５１２Ａを所望の位置までエッチングした後、レジストを除去することで、電極形成溝５１１及び反射膜固定部５１２が形成され、図８（Ａ）に示すように、固定基板５１の基板形状が決定される。
【００６０】
固定基板エッチング工程の後、図８（Ｂ）に示すように、固定電極形成工程を実施する。
固定電極形成工程では、固定基板５１上に形成した電極を構成する材料からなる膜に対してフォトリソグラフィ法及びエッチングを行うことにより、第一固定電極５４１Ａ、第二固定電極５４１Ｂ、第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および一対の第一対向電極５４４を形成する。
【００６１】
この固定電極形成工程の後、図８（Ｃ）に示すように、導電接続部形成工程を実施する。
導電接続部形成工程では、まず、固定基板５１の表面に、貫通孔５１５を形成するためのレジストを形成する。
そして、固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐをエッチングストッパーとして、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面をエッチングし、貫通孔５１５を形成する。なお、この貫通孔５１５の形成としては、例えば深堀ＲＩＥなどの手法を用いてもよい。
この後、貫通孔５１５内に、例えばＡｇペースト等の導電性ペーストを充填し、導電接続部５１６を形成する。
【００６２】
そして、導電接続部形成工程の後、図８（Ｄ）に示すように、固定反射膜形成工程を実施する。
固定反射膜形成工程では、リフトオフプロセスにより固定反射膜５６を成膜する。すなわち、フォトリソグラフィ法などにより、固定基板５１上の反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を成膜する。そして、固定基板５１上に固定反射膜５６を成膜した後、リフトオフにより、反射膜形成部分以外の反射膜を除去する。
さらに、第一接合膜５１３Ａを接合面５１３に形成する。第一接合膜５１３Ａは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば１００ｎｍとする。
以上により、固定基板５１が製造される。
【００６３】
（５−２．可動基板の製造工程）
次に、可動基板５２の製造方法について説明する。
可動基板５２の形成では、まず、可動基板５２の製造素材である第二母材を切削、研磨する研磨工程を実施する。この研磨工程では、第二母材の厚み寸法を例えば２００μｍの均一厚みに形成し、さらに平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下の平滑面となるように両面を精密研磨する。
【００６４】
研磨工程の後、可動基板エッチング工程を実施する。この可動基板エッチング工程では、第二母材の一面側（固定基板５１に対向する面とは反対側の面）側にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、保持部５２２を形成するためのレジストパターンを形成する。この後、ウェットエッチングにより、図９（Ａ）に示すような可動部５２１及び保持部５２２を形成する。これにより、可動基板５２の基板形状が決定される。
【００６５】
可動基板エッチング工程の後、可動電極形成工程、および可動反射膜形成工程を実施する。
可動電極形成工程では、固定電極形成工程と同様に、フォトリソグラフィ法及びエッチングにより、可動電極５４２（第一可動電極５４２Ａ，第二可動電極５４２Ｂ）、接続線５４５、共通引出電極５４６、および第二対向電極５４７を形成する。
また、可動反射膜形成工程では、固定反射膜形成工程と同様に、リフトオフプロセスにより可動反射膜５７を成膜する。
さらに、第二接合膜５２３Ａを接合面５２３に形成する。第二接合膜５２３Ａは、ポリオルガノシロキサンを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜されるプラズマ重合膜であり、厚み寸法は例えば１００ｎｍとする。
この後、可動基板５２の頂点部分をそれぞれ切断し、切欠部５２４を形成する。なお、可動基板エッチング工程において、可動基板５２の頂点部分をエッチング処理し、厚み寸法を予め薄く形成しておいてもよく、この場合、切断処理が容易となる。
以上により、図９（Ｂ）に示すような可動基板５２が製造される。
【００６６】
（５−３．接合工程）
次に、上述の固定基板製造工程及び可動基板製造工程で形成された各基板５１，５２を接合する接合工程について説明する。
接合工程では、まず、図１０（Ａ）に示すように、固定基板５１の第一固定引出電極５４３Ａ、および第二固定引出電極５４３Ｂの固定電極パッド５４３Ｐ、および第一対向電極５４４の第一対向電極パッド５４４Ｐ上に、導電部５５（Ａｇペースト）を設ける（導電性部材配置工程）。
【００６７】
この後、各基板５１，５２に形成された第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａに活性化エネルギーを付与するために、Ｏ２プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。Ｏ２プラズマ処理は、例えば、Ｏ２流量２０ｃｃ／分、圧力４Ｐａ、ＲＦパワー５０Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて例えば３分間処理を行う。なお、プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与するための処理としてＯ２プラズマ処理、ＵＶ処理に限らず、Ｎ２プラズマ処理、Ａｒプラズマ処理でもよい。
【００６８】
そして、図１０（Ｂ）に示すように、可動反射膜５７及び固定反射膜５６が形成された面が向かい合うように固定基板５１及び可動基板５２のアライメントを行う。そして、第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａを重ね合わせて荷重をかけることにより、基板５１，５２同士を接合する。ここで、第一接合膜５１３Ａ及び第二接合膜５２３Ａが接合される。
【００６９】
〔６．本実施形態の作用効果〕
上述したように、上記第一実施形態の測色センサー３では、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１と、モジュール基板３０とが、異方性導電層３０１により接着されている。このような構成では、例えば、波長可変干渉フィルター５を係止部に係止したり把持したりする構成に比べて、波長可変干渉フィルター５に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板５１，５２の撓みを防止することができる。したがって、基板５１，５２によって生じる反射膜５６，５７の撓み等を防止でき、分解能の低下を抑制できる。
また、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面には、固定対向電極５１６Ａが設けられている。そして、この固定対向電極５１６Ａは、導電接続部５１６により、固定基板５１の基板対向面に設けられた第一固定引出電極５４３Ａ、第二固定引出電極５４３Ｂ、および第一対向電極５４４と導通している。そして、モジュール基板３０には、固定対向電極５１６Ａに対向してモジュール電極３０２が設けられており、固定対向電極５１６Ａおよびモジュール電極３０２が異方性導電層３０１により導通している。
このため、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に装着した後、波長可変干渉フィルター５の各電極パッド５４３Ｐ，５４４Ｐと、モジュール電極３０２とを接続する配線作業を実施する必要がない。したがって、波長可変干渉フィルター５を測色センサー３に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
【００７０】
また、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１には、貫通孔５１５が設けられ、この貫通孔５１５に導電接続部５１６が充填され、この導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面が固定対向電極５１６Ａを構成している。
このため、固定基板５１に別途電極を形成する必要がなく、貫通孔５１５に導電接続部５１６を充填するだけの簡単な構成で、容易に第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４と導通された固定対向電極５１６Ａを形成することができる。
また、貫通孔５１５に対して導電接続部５１６を充填することで、導電接続部５１６と、第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４とを確実に接続することができる。
【００７１】
さらに、例えば固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、固定対向電極を別途設け、本発明の導電接続部として、固定基板５１の外周側面を伝って、固定対向電極と、第一固定引出電極５４３Ａや第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４４とを接続する構成としてもよい。しかしながら、固定基板５１の製造として、１つのウエハーから１つの固定基板５１を形成することは稀であり、一般には、１つのウエハーから複数の固定基板５１を形成する。この場合、ウエハー上に複数の固定基板５１を形成した後、これらの固定基板５１をそれぞれカットすることで、複数の固定基板５１を取り出す。このような場合、上記のように、固定基板５１の外周側面に導電接続部を形成する構成では、カット工程の後、別途固定基板５１の外周側面に電極を形成する必要が生じ、工程数が増大し、製造効率が低下してしまう。
これに対して、本実施形態のように、貫通孔５１５を形成して導電接続部５１６を形成する場合、カット後の処理が不要であるため、製造効率が低下する不都合も回避できる。
また、固定基板５１の外周側面に形成した電極は、衝突等により剥離しやすく、配線信頼性が低下する。これに対して、貫通孔５１５により導電接続部５１６は、確実に第一固定引出電極５４３Ａや、第二固定引出電極５４３Ｂ、第一対向電極５４３と、固定対向電極５１６Ａとが導通し、高い配線信頼性を得ることができる。
【００７２】
また、固定対向電極５１６Ａは、このような導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面により構成されている。したがって、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途固定対向電極を設ける必要がない。また、固定基板５１のモジュール基板３０に対応する面に、別途固定対向電極を設け、導電接続部５１６とこの電極とを接続する場合、その接続信頼性を確保する必要がある。これに対し、本実施形態では、導電接続部５１６の端面を固定対向電極５１６Ａとしているため、接続信頼性を確保するための構成が不要となり、構成を簡単にできる。
【００７３】
そして、波長可変干渉フィルター５は、可動基板５２に設けられた共通引出電極５４６と、固定基板５１に設けられた第一対向電極５４４とが、導電部５５により接続されており、この第一対向電極５４４が導電接続部５１６、異方性導電層３０１を介して、モジュール基板３０のモジュール電極３０２に電気的に接続されている。
このため、可動基板５２に形成された共通引出電極に対しても、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に設置するだけで、モジュール基板３０のモジュール電極３０２に接続することができ、配線作業を簡単にできる。
【００７４】
また、異方性導電層３０１は、波長可変干渉フィルター５を基板厚み方向から見た平面視において、反射膜５６，５７と重ならない位置に設けられている。このため、反射膜５６，５７により多重干渉されて、固定基板５１側に透過された光が異方性導電層３０１により阻害されることなく、検出部３１に入射させることができる。
【００７５】
さらに、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２には、切欠部５２４が設けられており、固定基板５１の固定電極パッド５４３Ｐ、第一対向電極パッド５４４Ｐが設けられる頂点部分が可動基板５２の外周縁よりも突出している。このため、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に固定する際に、この突出部分を把持することで、構造的に撓みやすい保持部５２２を有する可動基板５２に外部応力が加わらず、可動基板５２の撓みを防止できる。
また、固定基板５１の頂点部分をモジュール基板３０に対して押圧することで、可動基板５２に対して押圧による応力が加わらず、可動基板５２の撓みを防止できる。そして、固定基板５１の頂点部分に設けられた固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐがモジュール基板３０のモジュール電極３０２側に押圧されるため、これらの固定電極パッド５４３Ｐおよび第一対向電極パッド５４４Ｐと、モジュール電極３０２とを確実に導通させることができる。
【００７６】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態では、波長可変干渉フィルター５のモジュール基板３０に対向する面のうち、反射膜５６，５７と重なる領域を除いた面全体を覆って異方性導電層３０１を設ける例を示した。これに対して、第二実施形態では、異方性導電層３０１を固定対向電極５１６Ａの位置に対応する位置のみに異方性導電層３０１が設けられる。
図１１は、第二実施形態の測色センサーにおいて、波長可変干渉フィルター５に対して異方性導電層３０１が設けられる位置を示す平面図である。
【００７７】
図１１に示すように、第二実施形態の測色センサーでは、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１に設けられた各導電接続部５１６の固定対向電極に対して、それぞれの異方性導電層３０１が設けられている。
ここで、各固定対向電極５１６Ａは、平面視において、反射膜５６，５７の中心点Ｏを中心とした仮想円Ｑ３の円周上に沿って、等角度間隔（９０度）に配置されている。各異方性導電層３０１も、当該異方性導電層３０１の中心位置（重心位置）が仮想円Ｑ３の円周上で、等角度間隔（９０度）となるように、配置されている。
【００７８】
（第二実施形態の作用効果）
第二実施形態の測色センサー３では、異方性導電層３０１が、波長可変干渉フィルター５の４つの固定対向電極５１６Ａに対応して、それぞれ設けられ、各固定対向電極５１６Ａと、各モジュール電極３０２とを接続し、かつ波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に接着固定している。
このような構成においても、上記第一実施形態と同様の効果が得られる。
すなわち、異方性導電層３０１により波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に固定しているため、波長可変干渉フィルター５に加わる外部応力を軽減でき、外部応力に起因した基板５１，５２の撓みを防止することができる。また、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に装着した後の配線作業が不要であり、波長可変干渉フィルター５を測色センサー３に組み込む際の作業効率を向上させることができる。
【００７９】
これに加え、第二実施形態のような測色センサー３では、固定基板５１の頂点部分近傍のみに異方性導電層３０１に接触する構成であるため、異方性導電層３０１の固化収縮による固定基板５１の撓みを軽減できる。
また、異方性導電層３０１は、反射膜５６，５７の中心点Ｏから等距離で、かつ中心点Ｏに対して等角度間隔に配置されている。したがって、異方性導電層３０１の固化収縮により応力が固定基板５１に対して応力が加わった場合でも、これらの応力が固定基板５１に対して均等に分散され、固定基板５１の撓みを抑制することができる。
【００８０】
〔他の実施形態〕
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００８１】
上記第一および第二実施形態では、第一電極として、固定電極５４１から延出した固定引出電極５４３Ａ，５４３Ｂ、および第一対向電極５４４を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１に、固定電極４５１に残留する電荷を除去するための帯電除去電極を設け、この帯電除去電極から延出した帯電除去引出電極を本発明の第一電極としてもよい。この場合、帯電除去引出電極の一部（例えば、先端部）に対応する位置に、貫通孔５１５を設け、この貫通孔５１５に導電接続部５１６を設け、異方性導電層３０１を介してモジュール基板３０のモジュール電極３０２に接続すればよい。
【００８２】
また、反射膜間のギャップ寸法を測定するための静電容量測定電極を固定基板５１および可動基板５２に互いに対向する状態で設け、固定基板５１上の静電容量測定電極から引き出された引出電極を第一電極とし、この引出電極に対向した可動基板５２側の対向電極を第二電極とする構成としてもよい。
【００８３】
上記第一および第二実施形態では、固定基板５１に貫通孔５１５を設け、この貫通孔５１５に導電接続部５１６を充填し、導電接続部５１６のモジュール基板３０に対向する面を固定対向電極５１６Ａとする構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途、固定対向電極を形成し、導電接続部５１６により、固定電極パッド５４３Ｐや第一対向電極パッド５４４Ｐと、固定対向電極とを接続する構成としてもよい。
また、導電接続部５１６として、貫通孔５１５にＡｇペースト等が充填される構成に限らず、例えば、貫通孔５１５の内周面に、固定基板５１の基板対向面から固定対向面までに亘る電極層が形成される構成としてもよい。
さらに、導電接続部５１６の一端面が、固定基板５１の固定対向面と同一平面となって固定対向電極５１６Ａを形成する構成としたが、例えば導電接続部５１６が固定基板５１の固定対向面からモジュール基板３０側に突出して形成される構成としてもよく、導電接続部５１６の固定対向電極５１６Ａが、固定対向面からモジュール基板３０側に凸状に突出する凸面上に形成される構成としてもよい。この場合、波長可変干渉フィルター５をモジュール基板３０に取り付ける際、凸状の導電接続部５１６または凸面状の固定対向電極５１６Ａが異方性導電層３０１を押圧し、より確実に固定対向電極５１６Ａとモジュール電極３０２との導通を取ることができる。
【００８４】
さらには、固定基板５１の外周側面に導電接続部を設ける構成としてもよい。この場合、固定基板５１のモジュール基板３０に対向する面に、別途、第一固定引出電極、第二固定引出電極、および一対の第一対向電極のそれぞれに対応した固定対向電極を形成し、これらを、固定基板５１の外周側面に形成される導電接続部により接続すればよい。
【００８５】
波長可変干渉フィルター５において、一対の第一対向電極パッド５４４Ｐに対して、それぞれ導電接続部５１６を設ける構成を例示したが、いずれか一方の第一対向電極パッド５４４Ｐにのみ導電接続部５１６が形成される構成であってもよく、モジュール基板３０のモジュール電極３０２も、いずれか一方の第一対向電極パッド５４４Ｐに対してのみ設けられていればよい。
【００８６】
第二実施形態において、モジュール電極３０２が固定対向電極５１６Ａよりも大きいサイズに形成され、異方性導電層３０１もモジュール電極３０２に対応して固定対向電極５１６Ａよりも大きいサイズに形成される例を示したが、これに限らない。例えば、平面視において、異方性導電層３０１を、固定対向電極５１６Ａを同等サイズに設定してもよい。
【００８７】
また、固定電極パッド５４３Ｐと、第二対向電極パッド５４７Ｐとの間、第一対向電極パッド５４４Ｐと、共通電極パッド５４６Ｐとの間を、それぞれ、可動基板５２の外周縁よりも内側に設けられた導電部５５により接続する構成を例示したが、これに限らない。例えば、可動基板５２の切欠部５２４の側面から基板５１，５２間にＡｇペースト等の導電性ペーストを注入して付着させることで、固定電極パッド５４３Ｐおよび第二対向電極パッド５４７Ｐ間、第一対向電極パッド５４４Ｐおよび共通電極パッド５４６Ｐ間を接続してもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、ダイヤフラム状の保持部５２２を例示するが、例えば、可動部の中心に対して点対象となる位置に設けられる複数対の梁構造を有する保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００８９】
さらに、上記実施形態では、波長可変干渉フィルター５として、第二基板である可動基板５２に可動部５２１が設けられ、可動基板５２の可動部５２１が固定基板５１側に向かって変位する例を示したが、これに限らない。例えば、可動基板５２を本発明の第一基板として、固定部であるモジュール基板３０に固定する構成としてもよい。
また、固定基板５１にも可動部が設けられ、この可動部が可動基板５２側に変位可能な構成などとしてもよい。
【００９０】
そして、上記実施形態において、光モジュールとして、測色センサー３を例示し、光分析装置として測色装置１を例示したが、これに限定されない。
例えば、本発明の光モジュールを、波長可変干渉フィルター５により取り出された光を受光素子により受光することで、ガス特有の吸収波長を検出するガス検出モジュールとして用いることもでき、光分析装置として、ガス検出モジュールにより検出された吸収波長からガスの種類を判別するガス検出装置として用いることもできる。
さらには、例えば、光モジュールは、例えば光ファイバーなどの光伝達媒体により伝送された光から所望の波長の光を抽出する光通信モジュールとしても用いることができる。また、光分析装置として、このような光通信モジュールから抽出された光からデータをデコード処理し、光により伝送されたデータを抽出する光通信装置として用いることもできる。
【００９１】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【符号の説明】
【００９２】
１…光分析装置としての測色装置、３…光モジュールとしての測色センサー、４…制御装置、５…波長可変干渉フィルター、３０…固定部であるモジュール基板、３１…検出部、４３…分析処理部である測色処理部、５１…第一基板である固定基板、５２…第二基板である可動基板、５５…導電部、５６…第一反射膜である固定反射膜、５７…第二反射膜である可動反射膜、３０１…異方性導電層、３０２…第三電極であるモジュール電極、５１５…貫通孔、５１６…導電接続部、５１６Ａ…固定対向電極、５４３Ａ…第一電極である第一固定引出電極、５４３Ｂ…第一電極である第二固定引出電極、５４４…第一電極である第一対向電極、５４６…第二電極である共通引出電極、５４７…第二電極である第二対向電極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する基板対向面に設けられた第一電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを固定する固定部と、
前記波長可変干渉フィルターの前記基板対向面とは反対側の固定対向面、および前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、
を備え、
前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、
前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、
前記異方性導電層は、前記固定対向電極と、前記第三電極とを導通する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、
前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光モジュールにおいて、
前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記導電部材の前記貫通孔から前記固定対向面に対向して臨む面により前記固定対向電極が構成された
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記第二基板の前記第一基板に対向する面で、前記第一電極に対向した第二電極と、
前記第一電極および前記第二電極を電気的に接続する導電部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光モジュールにおいて、
前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で、前記中心点に対して等角度間隔に配置された
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の光モジュールと、
前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、
前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、
前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えた
ことを特徴とする光分析装置。
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向する第二反射膜と、
前記第一基板の前記第二基板に対向する基板対向面に設けられた第一電極と、を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを固定する固定部と、
前記波長可変干渉フィルターの前記基板対向面とは反対側の固定対向面、および前記固定部の間に設けられ、前記波長可変干渉フィルターを前記固定部に接合する異方性導電層と、
を備え、
前記第一基板は、前記固定部に対向する固定対向面に設けられた固定対向電極と、前記第一電極および前記固定対向電極を電気的に接続する導電接続部と、を有し、
前記固定部は、前記固定対向電極に対向する第三電極を有し、
前記異方性導電層は、前記固定対向電極と、前記第三電極とを導通する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールにおいて、
前記第一基板は、前記第一電極が形成された領域の少なくとも一部に、基板厚み方向を貫通した貫通孔を備え、
前記導電接続部は、前記貫通孔を通って前記第一電極と前記固定対向電極とを接続する
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光モジュールにおいて、
前記導電接続部は、前記貫通孔に充填された導電部材であり、前記導電部材の前記貫通孔から前記固定対向面に対向して臨む面により前記固定対向電極が構成された
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記第二基板の前記第一基板に対向する面で、前記第一電極に対向した第二電極と、
前記第一電極および前記第二電極を電気的に接続する導電部と、
を備えたことを特徴とする光モジュール。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板および前記第二基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記固定対向面の前記第一反射膜および前記第二反射膜と重ならない領域を覆って設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記固定対向電極および前記第三電極は、複数設けられ、
前記異方性導電層は、互いに対向する前記固定対向電極および前記第三電極の組に対応してそれぞれ設けられた
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光モジュールにおいて、
前記異方性導電層は、前記波長可変干渉フィルターを、前記第一基板の基板厚み方向から見た平面視において、前記第一反射膜の中心点を中心とした仮想円上で、前記中心点に対して等角度間隔に配置された
ことを特徴とする光モジュール。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の光モジュールと、
前記光モジュールに接続された制御装置と、を具備し、
前記光モジュールは、前記波長可変干渉フィルターにより取り出された光を検出する検出部を備え、
前記制御装置は、前記検出部により検出された光に基づいて、前記光の光特性を分析する分析処理部を備えた
ことを特徴とする光分析装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１５０１９４（Ｐ２０１２−１５０１９４Ａ）
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７５６４（Ｐ２０１１−７５６４）
【出願日】平成２３年１月１８日（２０１１．１．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月９日（２０１２．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月１８日（２０１１．１．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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