光学的に再構成が可能な多素子デバイス
【課題】光学的に再構成が可能な多素子デバイスを提供する。
【解決手段】ＯＬＥＤ型素子等の１組の光学素子によって形成された光学マトリックスによって、再構成すべきデバイスのさまざまな素子間における接続を可能にする光導電性素子のマトリックスを作動させることができる。
【解決手段】ＯＬＥＤ型素子等の１組の光学素子によって形成された光学マトリックスによって、再構成すべきデバイスのさまざまな素子間における接続を可能にする光導電性素子のマトリックスを作動させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的に再構成が可能ないくつかの素子を含む無線周波又はマイクロ波デバイスに関する。このタイプのデバイスは、ＵＨＦ周波数帯（４７０〜８６０ＭＨｚ）からディジタル・テレビジョン用の数ＧＨｚに至る周波数と、ＷＬＡＮ（無線ローカルエリアネットワーク）型（２．４ＧＨｚ−ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、５．８ＧＨｚ−ＩＥＥＥ８０２．１１ａ、３．５ＧＨｚ、ＷｉＭＡＸ）のための数ＧＨｚから、ＬＭＤＳ（Ｌｏｃａｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｉｎｔ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）型（２８ＧＨｚ）のリンク又はマイクロ波デバイス用の衛星リンクのための数十ＧＨｚまでにわたって広がる、広帯域高データ速度サービスへのアクセス用に現在割り当てられている周波数との間に位置する周波数帯内に、主に位置付けられる最新の無線通信媒体において必要とされる。
【背景技術】
【０００２】
長年にわたって、広帯域サービスへの加入者アクセス又はＢＷＡ（広帯域無線アクセス）を可能にする通信システムにおいては、例えば帯域幅、周波数ダイバーシティ、サイズの低減、有効範囲、及び干渉若しくは電磁外乱からの耐性（ｉｍｍｕｎｉｔｙ）に関して、よりいっそう厳しい性能が要求されている。
【０００３】
これらを考慮することによって、伝送機器の工業設計者は、移相若しくはフィルタリング機能、整合システムのための他の機能、又はより具体的にはアンテナにおけるこれらの機能等の、ある種のＲＦ（無線周波）機能又はある種のマイクロ波機能に関して、再構成が可能である革新的なデバイスを生み出してきた。このように、この高度なアンテナ技術によって、有効範囲、伝送能力、リンク品質又はあり得る妨害物（ｊａｍｍｅｒ）の方向を突き止める可能性に関して、システム性能が大幅に向上可能となる。この考え方により、制御信号を使用して、環境に対して放射パターンを最適化するために複数のアンテナ素子を組み合わせることが可能となる。この技術は特に、スイッチド・ビーム・アレイ・アンテナ又はアダプティブ・アレイに対して使用される。
【０００４】
単一のパターンでしか放射できない固定式アンテナと違って、再構成が可能なアンテナは、その物理構成を変更した結果として、いくつかのパターンにおいて放射することができる。
【０００５】
現在、平面構造において再構成が可能という概念の分野においては、かなりの研究が行われている。
【０００６】
図１は、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカル・システム）又はＰＢＧ（フォトニック・バンドギャップ、光の禁止帯）技術に基づく再構成が可能なアンテナの概念を示す。
【０００７】
この重要技術は、１つの層１０３がＭＥＭＳアレイから形成されていて別の層１０７がＰＢＧ構造を有する多層基板１０１、．．．、１０Ｎ型の構成と共に設けられたアンテナ素子１０１の切り換えに基づくものだが、さまざまな電磁気的な構造に依存している。
【０００８】
このように、ＭＥＭＳ分野における最近の技術的進歩によって、アンテナを構成するさまざまな導電性領域のセクションの物理接続又は分離が可能となっているが、現時点においても、アンテナを構成するさまざまなセクションを接続するためのまさに実体的な制御素子が必要となっている。
【０００９】
特許文献１においては、アンテナ素子及び移相素子を含むポータブル端末を対象としたフェーズド・アレイ型の多素子アンテナが記載されている。そのさまざまな移相素子の切り換えは、アモルファス・シリコンＴＦＴトランジスタによってなされている。ここで、主要となる問題は、これらのトランジスタの抵抗率が高いことにあり、このようなトランジスタは、ＲＦ周波数においてあまり有効ではない。この欠点を緩和するため、１００個のＴＦＴトランジスタを並列に集積することが提案されている。
【００１０】
図２に示されたような他の概念においては、ＰＩＮダイオード２１０及び電気光学的に制御されたＲＦスイッチ２０１、２０２、．．．、２０８に基づく切り換え技術が使用される。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−０２２４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、能動ＲＦスイッチ、ＰＩＮダイオード又はＴＦＴトランジスタに基づくこれらのシステムにおいては、放射導電性のセクション、例えばピクセル型の放射導電性セクションの接続を比較的複雑にする分極化（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）が必要となる。
【００１３】
さらに、能動ＲＦスイッチのアレイを使用することによって、能動素子を再構成する際に、大きな制御柔軟性を達成することは不可能であり、制御回路とＲＦ又はマイクロ波電子回路との間が十分に分離されない。
【００１４】
これらの欠点を改善するため、本発明は、光学的に再構成が可能な多素子デバイスを提案する。このデバイスの素子を接続する制御構造は、光学的な構造である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、Ｎ個のＲＦ又はマイクロ波回路素子を含み、これらの素子を互いに接続する能力を有する接続手段を備えた再構成が可能なデバイスからなる。この再構成が可能デバイスは、前記接続手段を光学的に作動させることができることを特徴とする。
【００１６】
この光学的な解決策の利点の１つは、機器の制御回路とＲＦ／マイクロ波電子回路との間の電磁気的な分離が完全となることである。
【００１７】
他の利点は、バイアスする必要がある能動的な切り換え部品が存在しないことである。
【００１８】
他の認められる利点は、切り換え操作を提供するデバイスの挿入損失が非常に低いことであり、さらに応答時間が、ＭＥＭＳデバイスのようなデバイスを用いて得られたものよりも相当に短いことである。
【００１９】
本発明はさらに、素子がマトリックスの形態に編成されている場合に、上述した接続手段が光学的に作動可能な接続マトリックスの形態に編成されている再構成が可能なデバイスを対象とする。
【００２０】
本発明の変更態様によれば、それぞれの接続素子に、ＯＬＥＤ型（ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）の多層光学素子が関連付けられていて、この光学素子が接続を作動させることを可能にする。
【００２１】
これらのＯＬＥＤ型光学素子は、接続手段のマトリックスに関連付けられた能動マトリックスの形態に編成されてもよい。
【００２２】
好ましくは、再構成が可能なデバイスの接続素子は、ＯＬＥＤ素子と多素子デバイスの導電性ゾーンとの間に置かれた低抵抗率の光抵抗（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）材料層によって形成されるか、又は、非バイアス・フォトニック能動素子によって形成される。
【００２３】
この解決策の利点は主に、その主要な用途がフラット・スクリーンにあるために、現在よく理解されており低コストであるＯＬＥＤ技術と、製造可能なＯＬＥＤベースのスクリーンの（数インチから４０インチに及ぶ）現状のサイズを考慮した際に幅広い周波数範囲内において応用が可能となる点とにある。
【００２４】
１つの変更態様として、光学素子のマトリックスが、ドライバと呼ばれる動的な制御デバイスに関連付けられ、さまざまな光学素子が接続点を形成する。場合によっては、この動的制御デバイスは、想定される種々の構成のためのプログラムを含む記憶領域を含む。また、接続マトリックスが、所望の接続点に対応した光学素子のマトリックスに関連付けられたマスクの形態として作製されることも想定される。
【００２５】
この解決策の利点は主に、素子を再構成する際のその柔軟性にあり、素子を、現時点から先、完全に動的であるか又は予めプログラムされている状態とすることができる。
【００２６】
本発明には多くの応用が存在する。より具体的には、本発明は、デバイスの所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたアンテナに適用される。
【００２７】
この解決策の利点は、ＯＬＥＤが可撓性基板（プラスチック又は金属膜）上に製造された、新規の再構成可能な適合したアンテナの概念を想定することができることにある。
【００２８】
本発明はさらに、再構成が可能なデバイスの所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたフェーズド・アレイ回路に適用される。
【００２９】
同様に、本発明は、所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたＲＦ又はマイクロ波アレイ回路に適用される。
【００３０】
本発明の他の応用はさらに、所与の構成において光学的に再構成が可能であるデバイスの再構成された素子によって形成されたＰＢＧ（フォトニック・バンドギャップ）構造の移相器に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
添付図面に関連して記載された以下の説明を読むことによって、本発明の理解が深まり、他の特徴及び利点が明確となる。
【００３２】
先に簡単に説明した、従来技術の回路を示す図１及び２については、以下でさらに詳細に説明することはしない。
【００３３】
図３は、本発明によるＲＦ／マイクロ波回路を形成するためのピクセル状であるマトリックスのトポロジにおける１つの例を示す。図３において、ＲＦ又はマイクロ波回路素子のそれぞれが、正方形３０１によって表されている。これらの素子は、ＲＦ又はマイクロ波周波数の範囲内のアンテナ機能、移相機能又はアレイ機能を有し得る。パッドとも呼ばれる素子３０１はそれぞれ、自身を取り囲む他の素子に接続可能となっている。この接続可能性は、図３において、さまざまな素子を表す正方形３０１に付された破短線３０２によって表現されている。ある構成においてさまざまな素子を互いに接続させることによって、選択された機能を有する所望のデバイスが得られる。
【００３４】
本発明の本質は、（図３に示した素子のマトリックスには示されていない）光導電性素子によって、これらのさまざまな素子を光学的に接続することにある。
【００３５】
これら光導電性素子のうちの１つにおける発光によって、その光導電性素子が導電的となり、その結果、対応する素子間の接続が得られる。連続した２つの素子を互いに接触させるこのセルは、半導体光導電性セルの原理に基づいている。光の照射下で、デバイスのこの能動素子の中にフォトキャリア（ｐｈｏｔｏｃａｒｒｉｅｒ）が生成され、これにより材料の導電率が増大し、その結果、セルが導電性となる。
【００３６】
これらの接続素子はフォトニック・デバイスであってもよい。これらフォトニック・デバイスの一部は、上述した光導電性素子と同様にふるまい、発光によって、それらフォトニック・デバイスに導電性が付与される。
【００３７】
他のフォトニック・デバイスは反対の挙動を示す。すなわち、発光がない場合にそれらは導電性であり、発光によってそれらの電気伝導が遮断される。
【００３８】
これらの接続素子は、図３に記載された回路素子のマトリックスに関連付けられた接続マトリックスとして組み立てられる。
【００３９】
本発明によれば、能動素子とも呼ばれるこの接続素子は、単純に、ドープされた又はドープされていない半導体材料層を、接合部を有するか又は有しないように形成し、場合によってはさらに、トランジスタ又はダイオード型のデバイスを含めることによって得ることができる。この材料は、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）、又はその光導電性がよく知られており光起電性セル（例えばＧａＡｓ）の生産に使用される他の半導体合金とすることができる。基板上に形成されたこの層は、形成すべき接続点のマトリックスに従うようにエッチングされる。
【００４０】
この接続素子はフォトニック・デバイスでもよい。
【００４１】
エレクトロルミネセンス・デバイスの分野においては、ＯＬＥＤは、例えばＬＣＤ（液晶デバイス）などの他の解決策よりも優れた機能を果たす。しかしながら、このＬＣＤ技術及び他の光学的技術が、フォトニック素子又は光導電性素子に対する所望の発光をもたらすことも当然に想定し得るものであり、これら技術は、依然として本発明が教示するところに従うものである。
【００４２】
本発明による再構成可能性の文脈内において提案される、新規かつ革新的な解決策は、ＯＬＥＤ技術の特定の利用に基づいている。図３に示されたさまざまな素子を接続するために使用されるマトリックスはそれ故、本実施例において、ＯＬＥＤから形成された能動マトリックスに関連付けられ、それぞれの接続点が、ＯＬＥＤピクセルと重畳する。ＯＬＥＤが従来のドライバによって駆動されて作動すると、光導電性素子が導電性となる。
【００４３】
図４は、ＯＬＥＤ型エレクトロルミネセンス素子４に関連付けられた光抵抗（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を使用して形成された、素子１と素子２との間の接続手段３の詳細を示す。
【００４４】
発光ＯＬＥＤ構造は、２つの（金属又は酸化物）電極間に形成された有機層の積み重ねからなり、励起子を生み出すために必要な電荷、従って光を発生させるために必要な電荷は、この積み重ねの中へ注入される。
【００４５】
これらの２つの電極、すなわちカソードＣ及びアノードＡの間の有機層内に、発光層Ｅがあり、発光層Ｅは、電子輸送層Ｔによってカソードから、正孔輸送層Ｖによってアノードから分離されている。従って、カソード及びアノードの間のある電位によって光が発生する。アノードは透明であり、例えば１００ｎｍの厚さを有し得る。反射性のカソードは例えば１００ｎｍから２００ｎｍまでの厚さを有し、各種中間層はそれぞれ、例えば２０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。
【００４６】
このＯＬＥＤ発光素子はガラス基板５上にある。ここでは、光線の伝搬を許容する基板が使用され得る。
【００４７】
この有機層の積み重ねは、ガラス又は金属のカバー６によって、周囲大気の酸素及び水分から守られていなければならない。
【００４８】
ピクセル状の再構成可能な機能を提供するマイクロ波基板７は、この多層構造において最後となる素子である。これらの層間の接触は、ビアホール（ｖｉａ）８によって与えられる。
【００４９】
図４に示された例において、接続素子３は、接続されるパッド１、２上のガラス基板、又はＯＬＥＤ素子４を支持するガラス基板５に形成された光抵抗層によって形成される。ビアホール８は、この光抵抗層３とパッド１及び２のそれぞれとの間の接続を与える。
【００５０】
光抵抗層３は、ガラス又は同等の材料で形成されている基板を介在させずに、パッド１及び２上に直接に形成され得る。
【００５１】
図４に示された例においては、従って、ＯＬＥＤ素子４による発光によってこの光導電性素子が導電性となり、それ故、表示された２つのパッド間に電気的な結合が形成される。
【００５２】
以上、ＯＬＥＤ素子４に関連付けられた接続素子３を説明した。ＯＬＥＤマトリックスに関連付けられたこのような接続素子のマトリックスは、多素子デバイスのマトリックスの形態に編成されたさまざまなＲＦ又はマイクロ波回路素子間の光学的な接続を提供する。図５、６及び８によって示された本発明による例示的な実施形態に見られるように、このマトリックスは、所望の構成に配列可能である。その構成は、接続手段によって接続されたパッドのピクセル型マトリックスを構成する金属の刻印（ｉｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）によって規定される。所望の切り換え点に従って、この層のマスクを形成することも可能である。
【００５３】
このピクセル状の導電性のセクションは、規定により、高インピーダンス面を有する。本発明の１つの利点は、ＲＦ又はマイクロ波回路素子を含む１つ又は複数のデバイスを形成するために、この高インピーダンス面の特性が使用されることである。ＯＬＥＤマトリックスが使用され、所望のＲＦ又はアンテナ機能のための設置面（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）が、このＯＬＥＤマトリックスの一部のみになるとすると、このようにして生成される機能部分は、部分的に又は完全に相互接続された又は相互接続されていないピクセルの存在となるであろう。この機能部分の周囲又は付近に位置するこれらのピクセルの影響は、当業者にはよく知られており、この影響は、高インピーダンス面と組み合わせられる。とりわけ、これらの高インピーダンス面はしばしば、表面波を除去するために、又は２つのデバイス間の分離を増大させるために使用される。このタイプの構造から利益を得るように、又はこれらの表面がＲＦ又はアンテナ機能を妨げないように、これらの高インピーダンス面を使用することが可能である。
【００５４】
このデバイスは、ＲＦ又はマイクロ波機能の素子を構成するマイクロ波基板と、ＯＬＥＤ素子及び光導電性素子によって形成された多層構造との重ね合わせによって形成される。
【００５５】
接続素子の状態を動的に制御するデバイスは、ＯＬＥＤマトリックスを駆動するドライバによって形成される。このドライバはさらに、種々のＲＦ又はマイクロ波回路の再構成のための筋書きが記憶された記憶素子を含むことができる。
【００５６】
再構成が可能なアンテナの分野だけではなく、フィルトレーション回路、整合システム、移相器等の複数の調整可能なＲＦ又はマイクロ波回路の分野においても、この概念の多くの応用が想定され得る。このように、これらのアンテナは、作動パラメータ、例えば周波数、ＲＦレベル又はインピーダンスを整合させる際の柔軟性を供する。これらの整合特性は、無線通信の分野において非常に望ましいものである。
【００５７】
図５及び６は、Ｎ個の素子の接続によってデバイスを形成し、そのようにして所与のＲＦ又はマイクロ波機能を生成することを本質とする、提案された概念における第１及び第２の実施形態を示す。図５に示されたこの第１の応用の場合、所望の機能は、再構成が可能なアンテナの機能である。図５は、関連付けられた２つのマトリックス、すなわち接続マトリックスとＯＬＥＤマトリックスとの組合せとして規定されたＯＬＥＤ接続マトリックス５３を使用して再構成される平面アンテナ５２に関連付けられた送信／受信素子５１を示す。マトリックス５３は、素子パッドのピクセル型マトリックスからなる金属の刻印（ｉｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）によって規定されることもできる。所望のアンテナ機能の再構成の筋書きは、ＯＬＥＤピクセルを駆動する素子５４に接続された記憶素子５５に記憶され得る。
【００５８】
従って、所望のアンテナ機能を構成するために、それぞれのパッドは、選択された隣接する素子に光学スイッチを介して電気的に接続される。
【００５９】
従って、図６に示された概念は、その物理パラメータに働きかけることによって再構成が可能な新たなマイクロ波機能を実行するデバイスからなり、この第２の応用の場合における所望の機能は、移相機能となる。
【００６０】
この概念は、マルチビーム・アンテナ６６のフェーズド・アレイに関する。このフェーズド・アレイは特に、再構成が可能なＲＦ移相器６２を使用することによって制御することができ、ＲＦ移相器６２の２つの移相状態は、ＯＬＥＤマトリックス６３の光学スイッチの状態を変更することによって得られる。送信／受信素子６１は、移相器６２に信号を送信し、移相器６２から信号を受信する。ここで、移相器６２はマルチビーム・アンテナ６６に信号を送信し、又はマルチビーム・アンテナ６６から信号を受け取る。図５の場合と同様に、記憶素子６５に関連付けられた駆動素子６４が、ＯＬＥＤ接続マトリックス６３を制御する。
【００６１】
図７は、ピクセル状マトリックスに基づいたこのタイプの光学的な接続によって可能となる機能の例である２つのピクセル・マトリックスを示す。
【００６２】
ここで使用されるＯＬＥＤマトリックスは、２つの動作周波数ｆ１及びｆ２（図７（Ａ））を、２つの角に位置する３つのパッドを切り離すことによる別の動作周波数ｆ３（図７（Ｂ））に切り換えることを可能にする。
【００６３】
図８は、ＰＢＧ構造を能動的に再構成することを可能にする、この光学スイッチの第３の可能な応用を示す。本発明の発明者らは、ＰＢＧ構造を構成する周期的な特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ、フィーチャ）の数を変更することによって、このＰＢＧ構造の特性を変化させることを提案する。
【００６４】
これは、マイクロストリップ型伝送線８４の下で周期的に繰り返される金属の特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ）からなるＰＢＧ構造である。このマイクロストリップ線の接地面ｍは、ＯＬＥＤ８０のアノード面（上面）である。基板８１は、光抵抗層８３が形成されたガラス基板である。基板８２は、従来の誘電体基板である。
【００６５】
マイクロストリップ線８４の下で繰り返される特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ）８５−１、８５−２、．．．、８５−ｎの数を変更することによって、透過係数の位相が変化することが知られている。特徴部分の数が多くなるほど、透過係数の移相は大きくなる。本発明において提案される光学スイッチは従って、１つのＰＢＧ構成から別のＰＢＧ構成への「能動的な」切り換えを可能にする。ＯＬＥＤを駆動させる方法に従って、ＯＬＥＤは、光抵抗層８３上に周期的に間隔を置いて配置されたｎ個又はｎ′個の特徴部分８５を「照射」し、その結果、光による導電性をもたらす。
【００６６】
例として、３つのＰＢＧ構成において達成可能な移相を比較してみる。これらの構成はそれぞれ、１８．４ｍｍ間隔で周期的に配置された１辺がａ＝２．３ｍｍの３、５及び７個の正方形の特徴部分からなる。８２で示された誘電体基板においては、誘電率が８３．３８であり、厚さが０．８１ｍｍである。それぞれ３、５及び７個の金属被覆された特徴部分からなるＰＢＧ構造を用いて、３．５ＧＨｚにおいて、例えば、−１７°、−２３°及び−３６°の位相変化が達成可能である。
【００６７】
本発明は、以上に記載された応用に限定されるものではなく、再構成が可能なアンテナの分野において多くの応用を可能にし、さらに、複数の調整可能なＲＦ又はマイクロ波回路（フィルトレーション、整合システム、移相器）を想定可能にする。これにより、周波数、ＲＦレベル、インピーダンス、他のパラメータ等の作動パラメータを整合させることができる。このような特徴は、無線通信分野において非常に望ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】従来技術による再構成が可能なアンテナの概念を示す図である。
【図２】従来技術による切り換え技術を示す図である。
【図３】本発明によるＲＦ／マイクロ波回路を形成するピクセルの形態の本マトリックスにおけるトポロジの１つの例に対応する図である。
【図４】パッド１とパッド２との間に位置する接続素子の詳細を示す図である。
【図５】提案された概念の第１の実施形態を示す図である。
【図６】提案された概念の第２の実施形態を示す図である。
【図７】このタイプの光学的な接続を有する１つの可能な機能の１つの例を示す図である。
【図８】この光学スイッチの第３の可能な応用を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１、２ 素子、パッド
３ 接続手段、接続素子
４ ＯＬＥＤ型エレクトロルミネセンス素子
５、８１ ガラス基板
６ 金属カバー
７ マイクロ波基板
８ ビアホール
５１ 送信／受信素子
５２ 平面アンテナ
５３ ＯＬＥＤ接続マトリックス
５４、６４ 駆動素子
５５、６５ 記憶素子
６１ 送信／受信素子
６２ ＲＦ移相器
６３ ＯＬＥＤマトリックス
６６ マルチビーム・アンテナ
８０ ＯＬＥＤ
８２ 誘電体基板
８３ 光抵抗層
８４ マイクロストリップ型伝送線
８５ 特徴部分（フィーチャ）
Ａ アノード
Ｃ カソード
Ｅ 発光層
Ｔ 電子輸送層
Ｖ 正孔輸送層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的に再構成が可能ないくつかの素子を含む無線周波又はマイクロ波デバイスに関する。このタイプのデバイスは、ＵＨＦ周波数帯（４７０〜８６０ＭＨｚ）からディジタル・テレビジョン用の数ＧＨｚに至る周波数と、ＷＬＡＮ（無線ローカルエリアネットワーク）型（２．４ＧＨｚ−ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、５．８ＧＨｚ−ＩＥＥＥ８０２．１１ａ、３．５ＧＨｚ、ＷｉＭＡＸ）のための数ＧＨｚから、ＬＭＤＳ（Ｌｏｃａｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｉｎｔ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）型（２８ＧＨｚ）のリンク又はマイクロ波デバイス用の衛星リンクのための数十ＧＨｚまでにわたって広がる、広帯域高データ速度サービスへのアクセス用に現在割り当てられている周波数との間に位置する周波数帯内に、主に位置付けられる最新の無線通信媒体において必要とされる。
【背景技術】
【０００２】
長年にわたって、広帯域サービスへの加入者アクセス又はＢＷＡ（広帯域無線アクセス）を可能にする通信システムにおいては、例えば帯域幅、周波数ダイバーシティ、サイズの低減、有効範囲、及び干渉若しくは電磁外乱からの耐性（ｉｍｍｕｎｉｔｙ）に関して、よりいっそう厳しい性能が要求されている。
【０００３】
これらを考慮することによって、伝送機器の工業設計者は、移相若しくはフィルタリング機能、整合システムのための他の機能、又はより具体的にはアンテナにおけるこれらの機能等の、ある種のＲＦ（無線周波）機能又はある種のマイクロ波機能に関して、再構成が可能である革新的なデバイスを生み出してきた。このように、この高度なアンテナ技術によって、有効範囲、伝送能力、リンク品質又はあり得る妨害物（ｊａｍｍｅｒ）の方向を突き止める可能性に関して、システム性能が大幅に向上可能となる。この考え方により、制御信号を使用して、環境に対して放射パターンを最適化するために複数のアンテナ素子を組み合わせることが可能となる。この技術は特に、スイッチド・ビーム・アレイ・アンテナ又はアダプティブ・アレイに対して使用される。
【０００４】
単一のパターンでしか放射できない固定式アンテナと違って、再構成が可能なアンテナは、その物理構成を変更した結果として、いくつかのパターンにおいて放射することができる。
【０００５】
現在、平面構造において再構成が可能という概念の分野においては、かなりの研究が行われている。
【０００６】
図１は、ＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカル・システム）又はＰＢＧ（フォトニック・バンドギャップ、光の禁止帯）技術に基づく再構成が可能なアンテナの概念を示す。
【０００７】
この重要技術は、１つの層１０３がＭＥＭＳアレイから形成されていて別の層１０７がＰＢＧ構造を有する多層基板１０１、．．．、１０Ｎ型の構成と共に設けられたアンテナ素子１０１の切り換えに基づくものだが、さまざまな電磁気的な構造に依存している。
【０００８】
このように、ＭＥＭＳ分野における最近の技術的進歩によって、アンテナを構成するさまざまな導電性領域のセクションの物理接続又は分離が可能となっているが、現時点においても、アンテナを構成するさまざまなセクションを接続するためのまさに実体的な制御素子が必要となっている。
【０００９】
特許文献１においては、アンテナ素子及び移相素子を含むポータブル端末を対象としたフェーズド・アレイ型の多素子アンテナが記載されている。そのさまざまな移相素子の切り換えは、アモルファス・シリコンＴＦＴトランジスタによってなされている。ここで、主要となる問題は、これらのトランジスタの抵抗率が高いことにあり、このようなトランジスタは、ＲＦ周波数においてあまり有効ではない。この欠点を緩和するため、１００個のＴＦＴトランジスタを並列に集積することが提案されている。
【００１０】
図２に示されたような他の概念においては、ＰＩＮダイオード２１０及び電気光学的に制御されたＲＦスイッチ２０１、２０２、．．．、２０８に基づく切り換え技術が使用される。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−０２２４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、能動ＲＦスイッチ、ＰＩＮダイオード又はＴＦＴトランジスタに基づくこれらのシステムにおいては、放射導電性のセクション、例えばピクセル型の放射導電性セクションの接続を比較的複雑にする分極化（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）が必要となる。
【００１３】
さらに、能動ＲＦスイッチのアレイを使用することによって、能動素子を再構成する際に、大きな制御柔軟性を達成することは不可能であり、制御回路とＲＦ又はマイクロ波電子回路との間が十分に分離されない。
【００１４】
これらの欠点を改善するため、本発明は、光学的に再構成が可能な多素子デバイスを提案する。このデバイスの素子を接続する制御構造は、光学的な構造である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、Ｎ個のＲＦ又はマイクロ波回路素子を含み、これらの素子を互いに接続する能力を有する接続手段を備えた再構成が可能なデバイスからなる。この再構成が可能デバイスは、前記接続手段を光学的に作動させることができることを特徴とする。
【００１６】
この光学的な解決策の利点の１つは、機器の制御回路とＲＦ／マイクロ波電子回路との間の電磁気的な分離が完全となることである。
【００１７】
他の利点は、バイアスする必要がある能動的な切り換え部品が存在しないことである。
【００１８】
他の認められる利点は、切り換え操作を提供するデバイスの挿入損失が非常に低いことであり、さらに応答時間が、ＭＥＭＳデバイスのようなデバイスを用いて得られたものよりも相当に短いことである。
【００１９】
本発明はさらに、素子がマトリックスの形態に編成されている場合に、上述した接続手段が光学的に作動可能な接続マトリックスの形態に編成されている再構成が可能なデバイスを対象とする。
【００２０】
本発明の変更態様によれば、それぞれの接続素子に、ＯＬＥＤ型（ｏｐｔｉｃａｌ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）の多層光学素子が関連付けられていて、この光学素子が接続を作動させることを可能にする。
【００２１】
これらのＯＬＥＤ型光学素子は、接続手段のマトリックスに関連付けられた能動マトリックスの形態に編成されてもよい。
【００２２】
好ましくは、再構成が可能なデバイスの接続素子は、ＯＬＥＤ素子と多素子デバイスの導電性ゾーンとの間に置かれた低抵抗率の光抵抗（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）材料層によって形成されるか、又は、非バイアス・フォトニック能動素子によって形成される。
【００２３】
この解決策の利点は主に、その主要な用途がフラット・スクリーンにあるために、現在よく理解されており低コストであるＯＬＥＤ技術と、製造可能なＯＬＥＤベースのスクリーンの（数インチから４０インチに及ぶ）現状のサイズを考慮した際に幅広い周波数範囲内において応用が可能となる点とにある。
【００２４】
１つの変更態様として、光学素子のマトリックスが、ドライバと呼ばれる動的な制御デバイスに関連付けられ、さまざまな光学素子が接続点を形成する。場合によっては、この動的制御デバイスは、想定される種々の構成のためのプログラムを含む記憶領域を含む。また、接続マトリックスが、所望の接続点に対応した光学素子のマトリックスに関連付けられたマスクの形態として作製されることも想定される。
【００２５】
この解決策の利点は主に、素子を再構成する際のその柔軟性にあり、素子を、現時点から先、完全に動的であるか又は予めプログラムされている状態とすることができる。
【００２６】
本発明には多くの応用が存在する。より具体的には、本発明は、デバイスの所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたアンテナに適用される。
【００２７】
この解決策の利点は、ＯＬＥＤが可撓性基板（プラスチック又は金属膜）上に製造された、新規の再構成可能な適合したアンテナの概念を想定することができることにある。
【００２８】
本発明はさらに、再構成が可能なデバイスの所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたフェーズド・アレイ回路に適用される。
【００２９】
同様に、本発明は、所与の構成において光学的に再構成が可能である素子によって形成されたＲＦ又はマイクロ波アレイ回路に適用される。
【００３０】
本発明の他の応用はさらに、所与の構成において光学的に再構成が可能であるデバイスの再構成された素子によって形成されたＰＢＧ（フォトニック・バンドギャップ）構造の移相器に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
添付図面に関連して記載された以下の説明を読むことによって、本発明の理解が深まり、他の特徴及び利点が明確となる。
【００３２】
先に簡単に説明した、従来技術の回路を示す図１及び２については、以下でさらに詳細に説明することはしない。
【００３３】
図３は、本発明によるＲＦ／マイクロ波回路を形成するためのピクセル状であるマトリックスのトポロジにおける１つの例を示す。図３において、ＲＦ又はマイクロ波回路素子のそれぞれが、正方形３０１によって表されている。これらの素子は、ＲＦ又はマイクロ波周波数の範囲内のアンテナ機能、移相機能又はアレイ機能を有し得る。パッドとも呼ばれる素子３０１はそれぞれ、自身を取り囲む他の素子に接続可能となっている。この接続可能性は、図３において、さまざまな素子を表す正方形３０１に付された破短線３０２によって表現されている。ある構成においてさまざまな素子を互いに接続させることによって、選択された機能を有する所望のデバイスが得られる。
【００３４】
本発明の本質は、（図３に示した素子のマトリックスには示されていない）光導電性素子によって、これらのさまざまな素子を光学的に接続することにある。
【００３５】
これら光導電性素子のうちの１つにおける発光によって、その光導電性素子が導電的となり、その結果、対応する素子間の接続が得られる。連続した２つの素子を互いに接触させるこのセルは、半導体光導電性セルの原理に基づいている。光の照射下で、デバイスのこの能動素子の中にフォトキャリア（ｐｈｏｔｏｃａｒｒｉｅｒ）が生成され、これにより材料の導電率が増大し、その結果、セルが導電性となる。
【００３６】
これらの接続素子はフォトニック・デバイスであってもよい。これらフォトニック・デバイスの一部は、上述した光導電性素子と同様にふるまい、発光によって、それらフォトニック・デバイスに導電性が付与される。
【００３７】
他のフォトニック・デバイスは反対の挙動を示す。すなわち、発光がない場合にそれらは導電性であり、発光によってそれらの電気伝導が遮断される。
【００３８】
これらの接続素子は、図３に記載された回路素子のマトリックスに関連付けられた接続マトリックスとして組み立てられる。
【００３９】
本発明によれば、能動素子とも呼ばれるこの接続素子は、単純に、ドープされた又はドープされていない半導体材料層を、接合部を有するか又は有しないように形成し、場合によってはさらに、トランジスタ又はダイオード型のデバイスを含めることによって得ることができる。この材料は、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）、又はその光導電性がよく知られており光起電性セル（例えばＧａＡｓ）の生産に使用される他の半導体合金とすることができる。基板上に形成されたこの層は、形成すべき接続点のマトリックスに従うようにエッチングされる。
【００４０】
この接続素子はフォトニック・デバイスでもよい。
【００４１】
エレクトロルミネセンス・デバイスの分野においては、ＯＬＥＤは、例えばＬＣＤ（液晶デバイス）などの他の解決策よりも優れた機能を果たす。しかしながら、このＬＣＤ技術及び他の光学的技術が、フォトニック素子又は光導電性素子に対する所望の発光をもたらすことも当然に想定し得るものであり、これら技術は、依然として本発明が教示するところに従うものである。
【００４２】
本発明による再構成可能性の文脈内において提案される、新規かつ革新的な解決策は、ＯＬＥＤ技術の特定の利用に基づいている。図３に示されたさまざまな素子を接続するために使用されるマトリックスはそれ故、本実施例において、ＯＬＥＤから形成された能動マトリックスに関連付けられ、それぞれの接続点が、ＯＬＥＤピクセルと重畳する。ＯＬＥＤが従来のドライバによって駆動されて作動すると、光導電性素子が導電性となる。
【００４３】
図４は、ＯＬＥＤ型エレクトロルミネセンス素子４に関連付けられた光抵抗（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を使用して形成された、素子１と素子２との間の接続手段３の詳細を示す。
【００４４】
発光ＯＬＥＤ構造は、２つの（金属又は酸化物）電極間に形成された有機層の積み重ねからなり、励起子を生み出すために必要な電荷、従って光を発生させるために必要な電荷は、この積み重ねの中へ注入される。
【００４５】
これらの２つの電極、すなわちカソードＣ及びアノードＡの間の有機層内に、発光層Ｅがあり、発光層Ｅは、電子輸送層Ｔによってカソードから、正孔輸送層Ｖによってアノードから分離されている。従って、カソード及びアノードの間のある電位によって光が発生する。アノードは透明であり、例えば１００ｎｍの厚さを有し得る。反射性のカソードは例えば１００ｎｍから２００ｎｍまでの厚さを有し、各種中間層はそれぞれ、例えば２０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の厚さを有する。
【００４６】
このＯＬＥＤ発光素子はガラス基板５上にある。ここでは、光線の伝搬を許容する基板が使用され得る。
【００４７】
この有機層の積み重ねは、ガラス又は金属のカバー６によって、周囲大気の酸素及び水分から守られていなければならない。
【００４８】
ピクセル状の再構成可能な機能を提供するマイクロ波基板７は、この多層構造において最後となる素子である。これらの層間の接触は、ビアホール（ｖｉａ）８によって与えられる。
【００４９】
図４に示された例において、接続素子３は、接続されるパッド１、２上のガラス基板、又はＯＬＥＤ素子４を支持するガラス基板５に形成された光抵抗層によって形成される。ビアホール８は、この光抵抗層３とパッド１及び２のそれぞれとの間の接続を与える。
【００５０】
光抵抗層３は、ガラス又は同等の材料で形成されている基板を介在させずに、パッド１及び２上に直接に形成され得る。
【００５１】
図４に示された例においては、従って、ＯＬＥＤ素子４による発光によってこの光導電性素子が導電性となり、それ故、表示された２つのパッド間に電気的な結合が形成される。
【００５２】
以上、ＯＬＥＤ素子４に関連付けられた接続素子３を説明した。ＯＬＥＤマトリックスに関連付けられたこのような接続素子のマトリックスは、多素子デバイスのマトリックスの形態に編成されたさまざまなＲＦ又はマイクロ波回路素子間の光学的な接続を提供する。図５、６及び８によって示された本発明による例示的な実施形態に見られるように、このマトリックスは、所望の構成に配列可能である。その構成は、接続手段によって接続されたパッドのピクセル型マトリックスを構成する金属の刻印（ｉｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）によって規定される。所望の切り換え点に従って、この層のマスクを形成することも可能である。
【００５３】
このピクセル状の導電性のセクションは、規定により、高インピーダンス面を有する。本発明の１つの利点は、ＲＦ又はマイクロ波回路素子を含む１つ又は複数のデバイスを形成するために、この高インピーダンス面の特性が使用されることである。ＯＬＥＤマトリックスが使用され、所望のＲＦ又はアンテナ機能のための設置面（ｆｏｏｔｐｒｉｎｔ）が、このＯＬＥＤマトリックスの一部のみになるとすると、このようにして生成される機能部分は、部分的に又は完全に相互接続された又は相互接続されていないピクセルの存在となるであろう。この機能部分の周囲又は付近に位置するこれらのピクセルの影響は、当業者にはよく知られており、この影響は、高インピーダンス面と組み合わせられる。とりわけ、これらの高インピーダンス面はしばしば、表面波を除去するために、又は２つのデバイス間の分離を増大させるために使用される。このタイプの構造から利益を得るように、又はこれらの表面がＲＦ又はアンテナ機能を妨げないように、これらの高インピーダンス面を使用することが可能である。
【００５４】
このデバイスは、ＲＦ又はマイクロ波機能の素子を構成するマイクロ波基板と、ＯＬＥＤ素子及び光導電性素子によって形成された多層構造との重ね合わせによって形成される。
【００５５】
接続素子の状態を動的に制御するデバイスは、ＯＬＥＤマトリックスを駆動するドライバによって形成される。このドライバはさらに、種々のＲＦ又はマイクロ波回路の再構成のための筋書きが記憶された記憶素子を含むことができる。
【００５６】
再構成が可能なアンテナの分野だけではなく、フィルトレーション回路、整合システム、移相器等の複数の調整可能なＲＦ又はマイクロ波回路の分野においても、この概念の多くの応用が想定され得る。このように、これらのアンテナは、作動パラメータ、例えば周波数、ＲＦレベル又はインピーダンスを整合させる際の柔軟性を供する。これらの整合特性は、無線通信の分野において非常に望ましいものである。
【００５７】
図５及び６は、Ｎ個の素子の接続によってデバイスを形成し、そのようにして所与のＲＦ又はマイクロ波機能を生成することを本質とする、提案された概念における第１及び第２の実施形態を示す。図５に示されたこの第１の応用の場合、所望の機能は、再構成が可能なアンテナの機能である。図５は、関連付けられた２つのマトリックス、すなわち接続マトリックスとＯＬＥＤマトリックスとの組合せとして規定されたＯＬＥＤ接続マトリックス５３を使用して再構成される平面アンテナ５２に関連付けられた送信／受信素子５１を示す。マトリックス５３は、素子パッドのピクセル型マトリックスからなる金属の刻印（ｉｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）によって規定されることもできる。所望のアンテナ機能の再構成の筋書きは、ＯＬＥＤピクセルを駆動する素子５４に接続された記憶素子５５に記憶され得る。
【００５８】
従って、所望のアンテナ機能を構成するために、それぞれのパッドは、選択された隣接する素子に光学スイッチを介して電気的に接続される。
【００５９】
従って、図６に示された概念は、その物理パラメータに働きかけることによって再構成が可能な新たなマイクロ波機能を実行するデバイスからなり、この第２の応用の場合における所望の機能は、移相機能となる。
【００６０】
この概念は、マルチビーム・アンテナ６６のフェーズド・アレイに関する。このフェーズド・アレイは特に、再構成が可能なＲＦ移相器６２を使用することによって制御することができ、ＲＦ移相器６２の２つの移相状態は、ＯＬＥＤマトリックス６３の光学スイッチの状態を変更することによって得られる。送信／受信素子６１は、移相器６２に信号を送信し、移相器６２から信号を受信する。ここで、移相器６２はマルチビーム・アンテナ６６に信号を送信し、又はマルチビーム・アンテナ６６から信号を受け取る。図５の場合と同様に、記憶素子６５に関連付けられた駆動素子６４が、ＯＬＥＤ接続マトリックス６３を制御する。
【００６１】
図７は、ピクセル状マトリックスに基づいたこのタイプの光学的な接続によって可能となる機能の例である２つのピクセル・マトリックスを示す。
【００６２】
ここで使用されるＯＬＥＤマトリックスは、２つの動作周波数ｆ１及びｆ２（図７（Ａ））を、２つの角に位置する３つのパッドを切り離すことによる別の動作周波数ｆ３（図７（Ｂ））に切り換えることを可能にする。
【００６３】
図８は、ＰＢＧ構造を能動的に再構成することを可能にする、この光学スイッチの第３の可能な応用を示す。本発明の発明者らは、ＰＢＧ構造を構成する周期的な特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ、フィーチャ）の数を変更することによって、このＰＢＧ構造の特性を変化させることを提案する。
【００６４】
これは、マイクロストリップ型伝送線８４の下で周期的に繰り返される金属の特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ）からなるＰＢＧ構造である。このマイクロストリップ線の接地面ｍは、ＯＬＥＤ８０のアノード面（上面）である。基板８１は、光抵抗層８３が形成されたガラス基板である。基板８２は、従来の誘電体基板である。
【００６５】
マイクロストリップ線８４の下で繰り返される特徴部分（ｆｅａｔｕｒｅｓ）８５−１、８５−２、．．．、８５−ｎの数を変更することによって、透過係数の位相が変化することが知られている。特徴部分の数が多くなるほど、透過係数の移相は大きくなる。本発明において提案される光学スイッチは従って、１つのＰＢＧ構成から別のＰＢＧ構成への「能動的な」切り換えを可能にする。ＯＬＥＤを駆動させる方法に従って、ＯＬＥＤは、光抵抗層８３上に周期的に間隔を置いて配置されたｎ個又はｎ′個の特徴部分８５を「照射」し、その結果、光による導電性をもたらす。
【００６６】
例として、３つのＰＢＧ構成において達成可能な移相を比較してみる。これらの構成はそれぞれ、１８．４ｍｍ間隔で周期的に配置された１辺がａ＝２．３ｍｍの３、５及び７個の正方形の特徴部分からなる。８２で示された誘電体基板においては、誘電率が８３．３８であり、厚さが０．８１ｍｍである。それぞれ３、５及び７個の金属被覆された特徴部分からなるＰＢＧ構造を用いて、３．５ＧＨｚにおいて、例えば、−１７°、−２３°及び−３６°の位相変化が達成可能である。
【００６７】
本発明は、以上に記載された応用に限定されるものではなく、再構成が可能なアンテナの分野において多くの応用を可能にし、さらに、複数の調整可能なＲＦ又はマイクロ波回路（フィルトレーション、整合システム、移相器）を想定可能にする。これにより、周波数、ＲＦレベル、インピーダンス、他のパラメータ等の作動パラメータを整合させることができる。このような特徴は、無線通信分野において非常に望ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】従来技術による再構成が可能なアンテナの概念を示す図である。
【図２】従来技術による切り換え技術を示す図である。
【図３】本発明によるＲＦ／マイクロ波回路を形成するピクセルの形態の本マトリックスにおけるトポロジの１つの例に対応する図である。
【図４】パッド１とパッド２との間に位置する接続素子の詳細を示す図である。
【図５】提案された概念の第１の実施形態を示す図である。
【図６】提案された概念の第２の実施形態を示す図である。
【図７】このタイプの光学的な接続を有する１つの可能な機能の１つの例を示す図である。
【図８】この光学スイッチの第３の可能な応用を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１、２ 素子、パッド
３ 接続手段、接続素子
４ ＯＬＥＤ型エレクトロルミネセンス素子
５、８１ ガラス基板
６ 金属カバー
７ マイクロ波基板
８ ビアホール
５１ 送信／受信素子
５２ 平面アンテナ
５３ ＯＬＥＤ接続マトリックス
５４、６４ 駆動素子
５５、６５ 記憶素子
６１ 送信／受信素子
６２ ＲＦ移相器
６３ ＯＬＥＤマトリックス
６６ マルチビーム・アンテナ
８０ ＯＬＥＤ
８２ 誘電体基板
８３ 光抵抗層
８４ マイクロストリップ型伝送線
８５ 特徴部分（フィーチャ）
Ａ アノード
Ｃ カソード
Ｅ 発光層
Ｔ 電子輸送層
Ｖ 正孔輸送層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスの形態に編成されたＮ個のＲＦ又はマイクロ波回路素子（１、２、３０１）を備えており、該素子を互いに接続させる能力を有する接続手段（３、３０２）を有する再構成が可能なデバイスであって、該接続手段が、光学的に作動させることができる接続のマトリックスの形態に編成されていることを特徴とする再構成可能デバイス。
【請求項２】
それぞれの接続手段が、接続を作動させる多層光学素子に関連付けられていることを特徴とする請求項１に記載の再構成可能デバイス。
【請求項３】
前記多層光学素子がＯＬＥＤ（４）型であることを特徴とする請求項２に記載の再構成可能デバイス。
【請求項４】
前記ＯＬＥＤ型の光学素子が、前記接続手段のマトリックスに関連付けられた能動マトリックスの形態に編成されていることを特徴とする請求項３に記載の再構成可能デバイス。
【請求項５】
前記接続手段が、前記光学素子と前記Ｎ個の素子との間に置かれた低密度の光導電性材料層によって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の再構成可能デバイス。
【請求項６】
前記接続手段が、非バイアス・フォトニック能動素子によって形成されていることを特徴とする請求項５に記載の再構成可能デバイス。
【請求項７】
前記光学素子のマトリックスが、接続点を形成するさまざまな素子を動的に駆動するデバイス（５４、６４）に関連付けられていることを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載の再構成可能デバイス。
【請求項８】
前記駆動デバイスが、想定される種々の構成のためのプログラムを含む記憶領域を備えていることを特徴とする請求項７に記載の再構成可能デバイス。
【請求項９】
前記接続のマトリックスが、所望の接続点に対応した光学素子のマトリックスに関連付けられたマスクの形態として作製されることを特徴とする請求項８に記載の再構成可能デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において再構成が可能な光学デバイスの素子によって形成されたアンテナ（５２）。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成されたフェーズド・アレイ回路（６２）。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成された再構成可能アレイ回路。
【請求項１３】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成されたＰＢＧ構造の移相器。
【請求項１】
マトリックスの形態に編成されたＮ個のＲＦ又はマイクロ波回路素子（１、２、３０１）を備えており、該素子を互いに接続させる能力を有する接続手段（３、３０２）を有する再構成が可能なデバイスであって、該接続手段が、光学的に作動させることができる接続のマトリックスの形態に編成されていることを特徴とする再構成可能デバイス。
【請求項２】
それぞれの接続手段が、接続を作動させる多層光学素子に関連付けられていることを特徴とする請求項１に記載の再構成可能デバイス。
【請求項３】
前記多層光学素子がＯＬＥＤ（４）型であることを特徴とする請求項２に記載の再構成可能デバイス。
【請求項４】
前記ＯＬＥＤ型の光学素子が、前記接続手段のマトリックスに関連付けられた能動マトリックスの形態に編成されていることを特徴とする請求項３に記載の再構成可能デバイス。
【請求項５】
前記接続手段が、前記光学素子と前記Ｎ個の素子との間に置かれた低密度の光導電性材料層によって形成されていることを特徴とする請求項４に記載の再構成可能デバイス。
【請求項６】
前記接続手段が、非バイアス・フォトニック能動素子によって形成されていることを特徴とする請求項５に記載の再構成可能デバイス。
【請求項７】
前記光学素子のマトリックスが、接続点を形成するさまざまな素子を動的に駆動するデバイス（５４、６４）に関連付けられていることを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載の再構成可能デバイス。
【請求項８】
前記駆動デバイスが、想定される種々の構成のためのプログラムを含む記憶領域を備えていることを特徴とする請求項７に記載の再構成可能デバイス。
【請求項９】
前記接続のマトリックスが、所望の接続点に対応した光学素子のマトリックスに関連付けられたマスクの形態として作製されることを特徴とする請求項８に記載の再構成可能デバイス。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において再構成が可能な光学デバイスの素子によって形成されたアンテナ（５２）。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成されたフェーズド・アレイ回路（６２）。
【請求項１２】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成された再構成可能アレイ回路。
【請求項１３】
請求項１から９のいずれか１項に記載された、所与の構成において光学的に再構成が可能なデバイスの素子によって形成されたＰＢＧ構造の移相器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【公表番号】特表２００８−５４４６６５（Ｐ２００８−５４４６６５Ａ）
【公表日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５１７４６８（Ｐ２００８−５１７４６８）
【出願日】平成１８年６月１４日（２００６．６．１４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００６／０６３２０４
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１３６５２６
【国際公開日】平成１８年１２月２８日（２００６．１２．２８）
【出願人】（５０１２６３８１０）トムソン ライセンシング (2,848)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｏｍｓｏｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ
【住所又は居所原語表記】４６ Ｑｕａｉ Ａ． Ｌｅ Ｇａｌｌｏ， Ｆ−９２１００ Ｂｏｕｌｏｇｎｅ−Ｂｉｌｌａｎｃｏｕｒｔ， Ｆｒａｎｃｅ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２０年１２月４日（２００８．１２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月１４日（２００６．６．１４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００６／０６３２０４
【国際公開番号】ＷＯ２００６／１３６５２６
【国際公開日】平成１８年１２月２８日（２００６．１２．２８）
【出願人】（５０１２６３８１０）トムソン ライセンシング (2,848)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｏｍｓｏｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ
【住所又は居所原語表記】４６ Ｑｕａｉ Ａ． Ｌｅ Ｇａｌｌｏ， Ｆ−９２１００ Ｂｏｕｌｏｇｎｅ−Ｂｉｌｌａｎｃｏｕｒｔ， Ｆｒａｎｃｅ
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]