光電センサ及びウエハ検出装置
【課題】 光透過性を有する被検出物をより確実に検出することが可能な光電センサ及びウエハ検出装置を提供する。
【解決手段】 非検出状態では、順次取り込まれる受光量レベルに対して余裕度が大きい第１閾値Ｔｈ１との比較を行い、この第１閾値Ｔｈ１を下回ったことをトリガーとして、本来の第２閾値Ｔｈ２との比較に基づくウエハＷの検出の判定を行う構成とした。また、第１閾値Ｔｈ１及び第２閾値Ｔｈ２は、直前に取り込まれた２５５個或いは２３５の受光量レベルの平均値に基づき設定する構成とした。
【解決手段】 非検出状態では、順次取り込まれる受光量レベルに対して余裕度が大きい第１閾値Ｔｈ１との比較を行い、この第１閾値Ｔｈ１を下回ったことをトリガーとして、本来の第２閾値Ｔｈ２との比較に基づくウエハＷの検出の判定を行う構成とした。また、第１閾値Ｔｈ１及び第２閾値Ｔｈ２は、直前に取り込まれた２５５個或いは２３５の受光量レベルの平均値に基づき設定する構成とした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆる透過型の光電センサ及びウエハ検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、投光手段と受光手段とを所定の検出領域を挟んで対向配置し、その検出領域内に存在する被検出物の遮光状態に応じて変化する受光手段での受光量レベルと所定の閾値との大小比較に基づき上記被検出物の検出を行う、いわゆる透過型の光電センサがある（下記特許文献１参照）。このような光電センサは、例えば光透過性を有するガラスウエハの製造工程においてそのガラスウエハを検出するために用いられることがある。ガラスウエハが検出領域内にないとき（以下、「非検出状態」という）の受光量レベルに対してガラスウエハが検出領域内にあるとき（以下、「検出状態」という）の受光量レベルが低下する。従って、これらの受光量レベルの間に上記閾値を設定するのである。
【特許文献１】特開２００３−８７１０７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、被検出物がガラスウエハのように光透過性を有する場合、上記検出状態と非検出状態とでの両受光量レベル差が極めて小さい。このため、非検出状態時において瞬間的にでも受光手段での受光量レベルを低下させる事態が生じた場合には、まだ非検出状態であるにもかかわらず、受光量レベルが閾値を下回って検出状態であると誤って判定してしまうおそれがあった。例えば製造ラインを移動中のガラスウエハの破片等が受光手段の前方に落下してきたりする場合があり、このような場合に上記の問題が生じる。
【０００４】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、光透過性を有する被検出物をより確実に検出することが可能な光電センサ及びウエハ検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明に係る光電センサは、光透過性を有する被検出物が移動する所定の検出領域に光を出射する投光手段と、前記投光手段から出射され前記検出領域を透過した光を受光可能に配される受光手段と、閾値を設定する閾値設定手段と、前記被検出物の存在により変化する前記受光手段での受光量レベルと前記閾値設定手段に設定されている閾値とを大小比較し、この受光量レベルが、前記閾値以下のときは前記被検出物の検出状態と判定し、前記閾値を上回ったときは前記被検出物の非検出状態と判定する判定手段と、を備える光電センサであって、前記閾値設定手段は、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態にあるときは、当該非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出物のエッジが位置するときの受光量レベルとの間の第１閾値を設定する一方で、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態から前記検出状態に変化したことを条件に、前記非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベルとの間の第２閾値を設定することを特徴とする。
なお、「光透過性を有する被検出物」としては、例えばガラス製物体等のような透明物体に限らず、シリコン製物体等のような半透明物体も含まれる。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載の光電センサにおいて、前記非検出状態において、前記受光手段での受光量レベルを読み取り、所定の期間内に読み取られた複数の受光量レベルの平均値を求める平均値測定手段を備え、前記閾値設定手段は、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値に基づいて設定することを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項２に記載の光電センサにおいて、前記第２閾値の設定時において、前記所定の期間は、前記非検出状態から前記検出状態に変化する直前の一定期間以前の期間であることを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光電センサにおいて、前記受光手段での受光量レベルが前記第１閾値を下回った時点から所定の一定期間、前記判定手段における前記第２閾値との比較動作を無効化する無効化手段を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光電センサにおいて、前記判定手段は、前記第２閾値との比較動作においては前記受光手段での受光量レベルが前記第２閾値を上回った状態が所定時間継続したことを条件に前記非検出状態であると判定することを特徴とする。
【００１０】
請求項６の発明に係るウエハ検出装置は、所定の検出領域を移動し、光透過性を有する被検出物としてのウエハを寸法を検出するウエハ検出装置であって、上記請求項１〜請求項５のいずれかの光電センサと、当該光電センサの判定手段において検出状態と判定された継続時間に基づき前記ウエハの寸法を検出する寸法検出手段とを備えることを特徴する。
なお、「寸法検出手段」は、継続時間に基づきウエハの寸法値を測定する構成以外に、その継続時間を基準時間と比較することで当該ウエハの寸法が所定の基準寸法に合致するかどうかを検出する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１１】
＜請求項１の発明＞
一般に、投光手段及び受光手段を対向配置してなる、いわゆる透過型光電センサにおいて、その検出領域内に光透過性を有する被検出物のうちエッジ部分以外の部分が位置する場合に比べて、エッジ部分が位置する場合の方が受光手段での受光量レベルが大きく低下する。
そこで、本構成では、例えば、被検出領域に被検出物がない非検出状態では、受光手段での受光量レベルを、正常時の非検出状態における受光量レベル（Ｖ１）と検出領域に被検出物のエッジが位置するときの受光量レベル（Ｖ２＜Ｖ１）との間に設定された第１閾値と比較する。そして、被検出物のエッジ部分が検出領域内に位置したときにその受光量レベルが上記第１閾値を下回ることにより判定手段は検出状態と判定する。その後は、受光手段での受光量レベルを、正常時の非検出状態のときの受光量レベル（Ｖ１）と前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベル（Ｖ３。Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ１。）との間の第２閾値と比較して判定を行う。つまり、非検出状態では比較的に余裕度の大きい第１閾値との比較し、この比較結果が非検出状態から検出状態に変化したことを条件に、比較的に余裕度の小さい第２閾値との比較動作に移行するのである。
従って、例えば非検出状態において被検出物の破片等が検出領域内に存在し、受光手段での受光量レベルが微小に低減するような場合、単に、受光手段での受光量レベルを、上記第１閾値に相当する閾値だけと比較して検出を行う構成に比べて誤検出の危険性を抑制できる。
【００１２】
＜請求項２の発明＞
本構成によれば、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値の変化に応じた値に設定する構成であるから、素子劣化等による受光量レベルが経時的に変化する場合でもその変化に応じて第１及び第２の閾値が適切な値に設定され、受光量レベルの経時的な変化による影響を排除できる。
【００１３】
＜請求項３の発明＞
非検出状態から検出状態に変化するときは、受光手段での受光量レベルは第１閾値を下回るように大きく変化する。従って、このときの受光量レベルの平均値に基づき第２閾値を設定することは好ましくない。そこで、本構成では、平均値測定手段で非検出状態から検出状態に変化する直前の一定期間（受光量レベルが大きく変化する期間）以前のタイミングで複数の受光量レベルの平均値に基づき第２閾値を設定する構成とした。
【００１４】
＜請求項４，５の発明＞
第２閾値との比較動作においては当該第２閾値と受光手段での受光量レベルとの余裕度が小さいため、例えばノイズ（例えば被検出物の内面反射）等による微小なレベル変化によって誤検出を引き起こすおそれがある。そこで、請求項４の構成では、受光手段での受光量レベルが第１閾値を下回った時点から所定の一定期間は判定手段における比較動作を無効化する構成とした。また、請求項５の構成では、受光量レベルが単発的に第２閾値を上回るときは非検出状態であるとの判定を行わないようにした。
【００１５】
＜請求項６の発明＞
上記請求項１〜請求項５のいずれかの発明を適用することにより、ウエハの寸法を正確に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施形態を図１〜図４を参照しつつ説明する。
本実施形態は、図１に示すように、例えばＵ字状の搬送アーム１１によって搬送される光透過性を有するウエハＷ（例えばガラスウエハやシリコンウエハ。被検出物）を検出するためのウエハ検出装置１０に本発明を適用したものである。
【００１７】
１．ハードウエア構成
本実施形態に係るウエハ検出装置１０は、図２に示すように、投光素子１２（例えばＬＥＤ、レーザダイオード）及び受光素子１３（例えばファトダイオードやフォトトランジスタ）等を備えるセンサ本体１４から光ファイバＦ１，Ｆ２が導出された、いわゆるファイバセンサを有してなる。具体的には、光ファイバＦ１は、センサ本体１４側の端面が投光素子１２の前面に突き当てれており、この投光素子１２からの光を伝送し上記ウエハＷの通過経路側に配される先端面から出射する。投光素子１２は、投光素子駆動回路１５から駆動電流が与えられることで発光する。従って、光ファイバＦ１及び投光素子１２が本発明の「投光手段」に相当する。
【００１８】
一方、光ファイバＦ２は、センサ本体１４側に端面が受光素子１３の前面に突き当てられ、ウエハＷの通過経路側に配される先端面から入光した光を受光素子１３に導く役割を果たす。受光素子１３は、受光した光の光量（受光量）に応じたレベルの受光信号を出力し、図示しないＡ／Ｄ変換器によってＡ／Ｄ変換されて制御回路１６に取り込まれる。従って、光ファイバＦ２及び受光素子１３が本発明の「受光手段」に相当する。なお、制御回路１６には、上記投光素子駆動回路１５、揮発性メモリ１７（例えばＲＡＭなど）、不揮発性メモリ１８（例えばＥＰＰＲＯＭなど）及び出力回路１９がそれぞれ接続されている。
【００１９】
そして、各光ファイバＦ１，Ｆ２の先端部Ｆ１ａ，Ｆ２ａがウエハＷの通過経路を例えば上下で挟むように対向配置される。つまり、いわゆる透過型センサとして使用するのである。
【００２０】
２．ソフトウエア構成
さて、図３に示すように、ウエハＷが光ファイバＦ１，Ｆ２の先端部Ｆ１ａ，Ｆ２ａの対向領域（以下、「検出領域Ｘ」という）内にないとき（同図（Ａ）（Ｅ））には、受光素子１３から高い受光量レベルＶ１の受光信号が出力される。一方、ウエハＷが検出領域Ｘ内に完全に進入したとき（同図（Ｃ））には、このウエハＷが光透過性を有するゆえに上記受光量レベルＶ１よりも僅かに低い受光量レベルＶ２（例えば受光量レベルＶ１の９０％）の受光信号が出力される。従って、前述したように、単に両受光量レベルＶ１，Ｖ２の間に第２閾値Ｔｈ２を設定して比較するだけの構成では、非検出状態（同図（Ａ）（Ｂ））において破片等によって一時的に受光量レベルが低下すると、検出領域ＸにウエハＷがないにもかかわらずウエハ有りとの検出を誤ってしてしまうおそれがある。
【００２１】
ここで、図３の受光量レベルの変位をみると、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が介在したとき（同図（Ｂ）（Ｄ））には、一時的に受光量レベルが大きく低下する（このときの受光量レベルＶ３は上記受光量レベルＶ１の例えば５０％とする）。これはウエハＷの端面は実際には凸凹になっており、ここで光が屈折したりするからであると考えられる。
【００２２】
そこで、制御回路１６は、図４に示す制御を実行する。まず、Ｓ１で検出フラグが立っているかどうかを判断し、立っていなければ（Ｓ１で「Ｎ」）、Ｓ２で投光素子駆動回路１５を駆動させて投光素子１２を発光させるとともに、それに同期して受光素子１３から受光信号を取り込んで揮発性メモリ１７に記憶する。次いで、Ｓ３で不揮発性メモリ１８に受光信号データが所定数（例えば２５５個）記憶されているかどうかを判断する。そして、２５５個記憶されていれば（Ｓ３で「Ｙ」）、Ｓ４でこれら２５５個の受光信号データに基づき受光量レベルの平均値を算出する。具体的には、２５５個の受光信号データの合計受光量を２５５で除算する。そして、この平均値の例えば７５％の値を第１閾値Ｔｈ１として設定し、Ｓ５でこの算出した第１閾値Ｔｈ１と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。なお、この第１閾値Ｔｈ１は不揮発性メモリ１８に記憶する。既に不揮発性メモリ１８に以前設定した第１閾値Ｔｈ１が記憶されていればこれを書換更新する。従って、この場合、２５５個の受光信号の取り込み期間が本発明の「所定の期間」に相当する。
【００２３】
一方、２５５個未満であれば（Ｓ３で「Ｎ」）、Ｓ６で不揮発性メモリ１８に既に第１閾値Ｔｈ１が記憶されているかどうかを判断し、記憶されてなければ（Ｓ６で「Ｎ」）再びＳ１に戻る。記憶されていれば、Ｓ５でこの不揮発性メモリ１８に記憶された第１閾値Ｔｈ１と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。そして、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１より大きいとき（Ｓ５で「Ｎ」）は、まだ検出領域ＸにウエハＷがない（図３（Ａ）の状態）ものとして再びＳ１に戻る。これに対して、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１より小さいとき（Ｓ５で「Ｙ」）は、Ｓ７で検出フラグを立てるとともに、第１カウントを開始してＳ１に戻る。ここで、第１閾値Ｔｈ１は、検出領域ＸにウエハＷ全体が介在したときの受光量レベルＶ１より小さく、かつ、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が介在したときの受光量レベルＶ３よりも大きい値に設定される。従って、現在読み込まれた受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１よりも小さいときとは、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が進入してきた（図３（Ｂ）の状態）ことを意味する。
【００２４】
次にＳ１に戻ってきたとき、検出フラグが立っていれば（Ｓ１で「Ｙ」）、Ｓ８で投光素子駆動回路１５を駆動させて投光素子１２を発光させるとともに、それに同期して受光素子１３から受光信号を取り込む。このとき、ウエハＷは図３（Ｃ）の状態にある。そして、Ｓ９で揮発性メモリ１７に記憶された受光信号データが２５５個記憶されているかどうかを判断する。２５５個記憶されていれば（Ｓ９で「Ｙ」）、Ｓ１０で現在不揮発性メモリ１８に記憶された２５５個の受光信号データのうち、直近に取得した所定数（例えば２０個）の受光信号データを除く２３５個の受光信号データに基づき受光量レベルの平均値を算出する。具体的には、２３５個の受光信号データの合計受光量を２３５で除算する。そして、この平均値の例えば９０％の値を第２閾値Ｔｈ２として設定し、不揮発性メモリ１８に記憶する。既に不揮発性メモリ１８に以前設定した第２閾値Ｔｈ２が記憶されていればこれを書換更新する。従って、この場合、２３５個の受光信号の取り込み期間が本発明の「所定の期間」に相当する。
【００２５】
ここで、このとき不揮発性メモリ１８に記憶されている２５５個の受光信号データは、Ｓ５で受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回ったとき、つまり、非検出状態から検出状態に変化したとき以前に記憶されたものである。そして、このうち直近の２０個の受光信号データは、図３に示すように、受光量レベルが大きく変化する時間Ｔ内に取得されたものであり、これらも含めて平均値を算出すべきでないからである。
一方、２５５個未満であれば（Ｓ９で「Ｎ」）、Ｓ１１で不揮発性メモリ１８に既に第２閾値Ｔｈ２が記憶されていれば（Ｓ１１で「Ｙ」）Ｓ１２に進み、記憶されてなければ（Ｓ１１で「Ｎ」）Ｓ１に戻る。
【００２６】
次にＳ１２で上記第１カウントが所定時間ｔ１経過しているかどうかを判断し、経過していなければ（Ｓ１２で「Ｎ」）Ｓ１に戻り、経過していれば（Ｓ１２で「Ｙ」）、Ｓ１３で上記第２閾値Ｔｈ２と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。このように、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回ってから所定時間ｔ１経過するまで第２閾値Ｔｈ２との比較を行わない（無効化）ようにしたのは、前述したように、検出領域ＸにウエハＷ全体が介在したとき（図３（Ｃ）の状態）の受光量レベルＶ２は、第２閾値Ｔｈ２との差が小さいためノイズによる影響を受けやすいからである。
【００２７】
続いてＳ１３で受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回ったとき（Ｓ１３で「Ｙ」）は、Ｓ１４で第２カウントを開始し、Ｓ１５でその第２カウントが所定時間ｔ２経過していなければ（Ｓ１５で「Ｎ」）再びＳ１に戻る。次のＳ８での投受光動作で読み込まれた受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回ったときは（Ｓ１３で「Ｎ」）は、Ｓ１６で第２カウントをクリアしてＳ１に戻る。これに対して、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態（Ｓ１３で「Ｙ」）が所定時間ｔ２継続したとき（Ｓ１５で「Ｙ」）に初めて検出動作を実行する（Ｓ１７）。例えば図２に示す出力回路１９から検出信号を出力させたり、動作表示灯２０を点灯させたりするのである。なお、上記検出フラグは、一旦検出動作が実行された後に、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回ったとき（図３（Ｄ））にクリアする。
【００２８】
３．本実施形態の効果
（１）本実施形態によれば、非検出状態（図３（Ａ））においては、順次取り込まれる受光量レベルに対して余裕度が大きい第１閾値Ｔｈ１との比較を行い、この第１閾値Ｔｈ１を下回ったことをトリガーとして、本来の第２閾値Ｔｈ２との比較に基づくウエハＷの検出の判定を行う構成とした。従って、非検出状態時における受光量レベルに微小な変動による誤検出を防止できる。
（２）また、第１閾値Ｔｈ１及び第２閾値Ｔｈ２は、直前に取り込まれた２５５個或いは２３５の受光量レベルの平均値に基づき設定する構成とした。従って、直近の受光量レベル状態に応じて適切な閾値を設定でき、例えば受光量レベルの経時的変化に対しても対応できる。
【００２９】
（３）更に、第２閾値Ｔｈ２については、非検出状態から検出状態に変化したときの直前に取り込まれた２０個の受光信号データを除いた２３５個の受光信号データに基づき平均値を算出して設定する構成とした。直近の２０個の受光信号データは、図３に示すように、受光量レベルが大きく変化する時間Ｔ内に取得されたものであり、これらも含めて平均値を算出すべきでないからである。
（４）また、検出状態（図３（Ｃ））では、余裕度の小さい第２閾値Ｔｈ２との比較を行うため、例えばノイズ等による影響を受けやすい。そこで、所定時間ｔ１経過までは第２閾値Ｔｈ２との比較を無効化したり、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態が所定時間ｔ２継続したことを条件に検出動作を行う構成とした。
【００３０】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記実施形態では、光ファイバＦ１，Ｆ２を備えたファイバセンサとしたが、これに限らず、投光素子１２を有する投光ヘッドと、受光素子１３を有する受光ヘッドとを対向配置してなる通常の透過型光電センサであってもよい。
【００３１】
（２）また、被検出物としてガラスウエハ等としたが、これに限らず、光透過性を有するものであれば本発明による効果を得ることができる。
【００３２】
（３）上記実施形態では、所定のタイミング毎に受光量レベルを読み取って各平均化処理を行う構成としたが、これに限らず、例えば積分回路によって所定時間内における受光量レベルを平均化するアナログ的な処理であってもよい。
【００３３】
（４）また、上記実施形態では、所定時間ｔ１経過までは第２閾値Ｔｈ２との比較を無効化する処理と、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態が所定時間ｔ２継続したかどうかを判定する処理との両方を実行する構成としたが、これに限らず、いずれか一方の処理を選択させて当該一方の処理だけを実行させる構成であってもよい。また、上記２つの処理のいずれも実行しない構成であっても勿論よい。
【００３４】
（５）また、上記実施形態では、単にウエハＷの有無を検出する構成であったが、これに限らず、例えば、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回った時点から、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回るまでの時間（図３に示す検出状態の継続時間）に基づきウエハＷの寸法を測定、或いは所定の基準寸法と一致するかどうかを検出する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハ検出装置の使用状態を示す斜視図
【図２】ウエハ検出装置のハードウエア構成を示すブロック図
【図３】ウエハの移動と受光量レベルの変位との関係を示す説明図
【図４】制御回路の制御内容を示すフローチャート
【符号の説明】
【００３６】
１０…ウエハ検出装置（光電センサ）
１２…投光素子（投光手段）
１３…受光素子（受光手段）
１６…制御回路（判定手段、閾値設定手段、平均値測定手段、無効化手段）
Ｆ１，Ｆ２…光ファイバ
Ｔｈ１…第１閾値
Ｔｈ２…第２閾値
Ｔ…時間（直前の一定期間）
Ｗ…ウエハ（被検出物）
Ｘ…検出領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆる透過型の光電センサ及びウエハ検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、投光手段と受光手段とを所定の検出領域を挟んで対向配置し、その検出領域内に存在する被検出物の遮光状態に応じて変化する受光手段での受光量レベルと所定の閾値との大小比較に基づき上記被検出物の検出を行う、いわゆる透過型の光電センサがある（下記特許文献１参照）。このような光電センサは、例えば光透過性を有するガラスウエハの製造工程においてそのガラスウエハを検出するために用いられることがある。ガラスウエハが検出領域内にないとき（以下、「非検出状態」という）の受光量レベルに対してガラスウエハが検出領域内にあるとき（以下、「検出状態」という）の受光量レベルが低下する。従って、これらの受光量レベルの間に上記閾値を設定するのである。
【特許文献１】特開２００３−８７１０７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、被検出物がガラスウエハのように光透過性を有する場合、上記検出状態と非検出状態とでの両受光量レベル差が極めて小さい。このため、非検出状態時において瞬間的にでも受光手段での受光量レベルを低下させる事態が生じた場合には、まだ非検出状態であるにもかかわらず、受光量レベルが閾値を下回って検出状態であると誤って判定してしまうおそれがあった。例えば製造ラインを移動中のガラスウエハの破片等が受光手段の前方に落下してきたりする場合があり、このような場合に上記の問題が生じる。
【０００４】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、光透過性を有する被検出物をより確実に検出することが可能な光電センサ及びウエハ検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明に係る光電センサは、光透過性を有する被検出物が移動する所定の検出領域に光を出射する投光手段と、前記投光手段から出射され前記検出領域を透過した光を受光可能に配される受光手段と、閾値を設定する閾値設定手段と、前記被検出物の存在により変化する前記受光手段での受光量レベルと前記閾値設定手段に設定されている閾値とを大小比較し、この受光量レベルが、前記閾値以下のときは前記被検出物の検出状態と判定し、前記閾値を上回ったときは前記被検出物の非検出状態と判定する判定手段と、を備える光電センサであって、前記閾値設定手段は、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態にあるときは、当該非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出物のエッジが位置するときの受光量レベルとの間の第１閾値を設定する一方で、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態から前記検出状態に変化したことを条件に、前記非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベルとの間の第２閾値を設定することを特徴とする。
なお、「光透過性を有する被検出物」としては、例えばガラス製物体等のような透明物体に限らず、シリコン製物体等のような半透明物体も含まれる。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載の光電センサにおいて、前記非検出状態において、前記受光手段での受光量レベルを読み取り、所定の期間内に読み取られた複数の受光量レベルの平均値を求める平均値測定手段を備え、前記閾値設定手段は、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値に基づいて設定することを特徴とする。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項２に記載の光電センサにおいて、前記第２閾値の設定時において、前記所定の期間は、前記非検出状態から前記検出状態に変化する直前の一定期間以前の期間であることを特徴とする。
【０００８】
請求項４の発明は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光電センサにおいて、前記受光手段での受光量レベルが前記第１閾値を下回った時点から所定の一定期間、前記判定手段における前記第２閾値との比較動作を無効化する無効化手段を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項５の発明は、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光電センサにおいて、前記判定手段は、前記第２閾値との比較動作においては前記受光手段での受光量レベルが前記第２閾値を上回った状態が所定時間継続したことを条件に前記非検出状態であると判定することを特徴とする。
【００１０】
請求項６の発明に係るウエハ検出装置は、所定の検出領域を移動し、光透過性を有する被検出物としてのウエハを寸法を検出するウエハ検出装置であって、上記請求項１〜請求項５のいずれかの光電センサと、当該光電センサの判定手段において検出状態と判定された継続時間に基づき前記ウエハの寸法を検出する寸法検出手段とを備えることを特徴する。
なお、「寸法検出手段」は、継続時間に基づきウエハの寸法値を測定する構成以外に、その継続時間を基準時間と比較することで当該ウエハの寸法が所定の基準寸法に合致するかどうかを検出する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１１】
＜請求項１の発明＞
一般に、投光手段及び受光手段を対向配置してなる、いわゆる透過型光電センサにおいて、その検出領域内に光透過性を有する被検出物のうちエッジ部分以外の部分が位置する場合に比べて、エッジ部分が位置する場合の方が受光手段での受光量レベルが大きく低下する。
そこで、本構成では、例えば、被検出領域に被検出物がない非検出状態では、受光手段での受光量レベルを、正常時の非検出状態における受光量レベル（Ｖ１）と検出領域に被検出物のエッジが位置するときの受光量レベル（Ｖ２＜Ｖ１）との間に設定された第１閾値と比較する。そして、被検出物のエッジ部分が検出領域内に位置したときにその受光量レベルが上記第１閾値を下回ることにより判定手段は検出状態と判定する。その後は、受光手段での受光量レベルを、正常時の非検出状態のときの受光量レベル（Ｖ１）と前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベル（Ｖ３。Ｖ２＜Ｖ３＜Ｖ１。）との間の第２閾値と比較して判定を行う。つまり、非検出状態では比較的に余裕度の大きい第１閾値との比較し、この比較結果が非検出状態から検出状態に変化したことを条件に、比較的に余裕度の小さい第２閾値との比較動作に移行するのである。
従って、例えば非検出状態において被検出物の破片等が検出領域内に存在し、受光手段での受光量レベルが微小に低減するような場合、単に、受光手段での受光量レベルを、上記第１閾値に相当する閾値だけと比較して検出を行う構成に比べて誤検出の危険性を抑制できる。
【００１２】
＜請求項２の発明＞
本構成によれば、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値の変化に応じた値に設定する構成であるから、素子劣化等による受光量レベルが経時的に変化する場合でもその変化に応じて第１及び第２の閾値が適切な値に設定され、受光量レベルの経時的な変化による影響を排除できる。
【００１３】
＜請求項３の発明＞
非検出状態から検出状態に変化するときは、受光手段での受光量レベルは第１閾値を下回るように大きく変化する。従って、このときの受光量レベルの平均値に基づき第２閾値を設定することは好ましくない。そこで、本構成では、平均値測定手段で非検出状態から検出状態に変化する直前の一定期間（受光量レベルが大きく変化する期間）以前のタイミングで複数の受光量レベルの平均値に基づき第２閾値を設定する構成とした。
【００１４】
＜請求項４，５の発明＞
第２閾値との比較動作においては当該第２閾値と受光手段での受光量レベルとの余裕度が小さいため、例えばノイズ（例えば被検出物の内面反射）等による微小なレベル変化によって誤検出を引き起こすおそれがある。そこで、請求項４の構成では、受光手段での受光量レベルが第１閾値を下回った時点から所定の一定期間は判定手段における比較動作を無効化する構成とした。また、請求項５の構成では、受光量レベルが単発的に第２閾値を上回るときは非検出状態であるとの判定を行わないようにした。
【００１５】
＜請求項６の発明＞
上記請求項１〜請求項５のいずれかの発明を適用することにより、ウエハの寸法を正確に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の一実施形態を図１〜図４を参照しつつ説明する。
本実施形態は、図１に示すように、例えばＵ字状の搬送アーム１１によって搬送される光透過性を有するウエハＷ（例えばガラスウエハやシリコンウエハ。被検出物）を検出するためのウエハ検出装置１０に本発明を適用したものである。
【００１７】
１．ハードウエア構成
本実施形態に係るウエハ検出装置１０は、図２に示すように、投光素子１２（例えばＬＥＤ、レーザダイオード）及び受光素子１３（例えばファトダイオードやフォトトランジスタ）等を備えるセンサ本体１４から光ファイバＦ１，Ｆ２が導出された、いわゆるファイバセンサを有してなる。具体的には、光ファイバＦ１は、センサ本体１４側の端面が投光素子１２の前面に突き当てれており、この投光素子１２からの光を伝送し上記ウエハＷの通過経路側に配される先端面から出射する。投光素子１２は、投光素子駆動回路１５から駆動電流が与えられることで発光する。従って、光ファイバＦ１及び投光素子１２が本発明の「投光手段」に相当する。
【００１８】
一方、光ファイバＦ２は、センサ本体１４側に端面が受光素子１３の前面に突き当てられ、ウエハＷの通過経路側に配される先端面から入光した光を受光素子１３に導く役割を果たす。受光素子１３は、受光した光の光量（受光量）に応じたレベルの受光信号を出力し、図示しないＡ／Ｄ変換器によってＡ／Ｄ変換されて制御回路１６に取り込まれる。従って、光ファイバＦ２及び受光素子１３が本発明の「受光手段」に相当する。なお、制御回路１６には、上記投光素子駆動回路１５、揮発性メモリ１７（例えばＲＡＭなど）、不揮発性メモリ１８（例えばＥＰＰＲＯＭなど）及び出力回路１９がそれぞれ接続されている。
【００１９】
そして、各光ファイバＦ１，Ｆ２の先端部Ｆ１ａ，Ｆ２ａがウエハＷの通過経路を例えば上下で挟むように対向配置される。つまり、いわゆる透過型センサとして使用するのである。
【００２０】
２．ソフトウエア構成
さて、図３に示すように、ウエハＷが光ファイバＦ１，Ｆ２の先端部Ｆ１ａ，Ｆ２ａの対向領域（以下、「検出領域Ｘ」という）内にないとき（同図（Ａ）（Ｅ））には、受光素子１３から高い受光量レベルＶ１の受光信号が出力される。一方、ウエハＷが検出領域Ｘ内に完全に進入したとき（同図（Ｃ））には、このウエハＷが光透過性を有するゆえに上記受光量レベルＶ１よりも僅かに低い受光量レベルＶ２（例えば受光量レベルＶ１の９０％）の受光信号が出力される。従って、前述したように、単に両受光量レベルＶ１，Ｖ２の間に第２閾値Ｔｈ２を設定して比較するだけの構成では、非検出状態（同図（Ａ）（Ｂ））において破片等によって一時的に受光量レベルが低下すると、検出領域ＸにウエハＷがないにもかかわらずウエハ有りとの検出を誤ってしてしまうおそれがある。
【００２１】
ここで、図３の受光量レベルの変位をみると、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が介在したとき（同図（Ｂ）（Ｄ））には、一時的に受光量レベルが大きく低下する（このときの受光量レベルＶ３は上記受光量レベルＶ１の例えば５０％とする）。これはウエハＷの端面は実際には凸凹になっており、ここで光が屈折したりするからであると考えられる。
【００２２】
そこで、制御回路１６は、図４に示す制御を実行する。まず、Ｓ１で検出フラグが立っているかどうかを判断し、立っていなければ（Ｓ１で「Ｎ」）、Ｓ２で投光素子駆動回路１５を駆動させて投光素子１２を発光させるとともに、それに同期して受光素子１３から受光信号を取り込んで揮発性メモリ１７に記憶する。次いで、Ｓ３で不揮発性メモリ１８に受光信号データが所定数（例えば２５５個）記憶されているかどうかを判断する。そして、２５５個記憶されていれば（Ｓ３で「Ｙ」）、Ｓ４でこれら２５５個の受光信号データに基づき受光量レベルの平均値を算出する。具体的には、２５５個の受光信号データの合計受光量を２５５で除算する。そして、この平均値の例えば７５％の値を第１閾値Ｔｈ１として設定し、Ｓ５でこの算出した第１閾値Ｔｈ１と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。なお、この第１閾値Ｔｈ１は不揮発性メモリ１８に記憶する。既に不揮発性メモリ１８に以前設定した第１閾値Ｔｈ１が記憶されていればこれを書換更新する。従って、この場合、２５５個の受光信号の取り込み期間が本発明の「所定の期間」に相当する。
【００２３】
一方、２５５個未満であれば（Ｓ３で「Ｎ」）、Ｓ６で不揮発性メモリ１８に既に第１閾値Ｔｈ１が記憶されているかどうかを判断し、記憶されてなければ（Ｓ６で「Ｎ」）再びＳ１に戻る。記憶されていれば、Ｓ５でこの不揮発性メモリ１８に記憶された第１閾値Ｔｈ１と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。そして、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１より大きいとき（Ｓ５で「Ｎ」）は、まだ検出領域ＸにウエハＷがない（図３（Ａ）の状態）ものとして再びＳ１に戻る。これに対して、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１より小さいとき（Ｓ５で「Ｙ」）は、Ｓ７で検出フラグを立てるとともに、第１カウントを開始してＳ１に戻る。ここで、第１閾値Ｔｈ１は、検出領域ＸにウエハＷ全体が介在したときの受光量レベルＶ１より小さく、かつ、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が介在したときの受光量レベルＶ３よりも大きい値に設定される。従って、現在読み込まれた受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１よりも小さいときとは、検出領域ＸにウエハＷのエッジ部分が進入してきた（図３（Ｂ）の状態）ことを意味する。
【００２４】
次にＳ１に戻ってきたとき、検出フラグが立っていれば（Ｓ１で「Ｙ」）、Ｓ８で投光素子駆動回路１５を駆動させて投光素子１２を発光させるとともに、それに同期して受光素子１３から受光信号を取り込む。このとき、ウエハＷは図３（Ｃ）の状態にある。そして、Ｓ９で揮発性メモリ１７に記憶された受光信号データが２５５個記憶されているかどうかを判断する。２５５個記憶されていれば（Ｓ９で「Ｙ」）、Ｓ１０で現在不揮発性メモリ１８に記憶された２５５個の受光信号データのうち、直近に取得した所定数（例えば２０個）の受光信号データを除く２３５個の受光信号データに基づき受光量レベルの平均値を算出する。具体的には、２３５個の受光信号データの合計受光量を２３５で除算する。そして、この平均値の例えば９０％の値を第２閾値Ｔｈ２として設定し、不揮発性メモリ１８に記憶する。既に不揮発性メモリ１８に以前設定した第２閾値Ｔｈ２が記憶されていればこれを書換更新する。従って、この場合、２３５個の受光信号の取り込み期間が本発明の「所定の期間」に相当する。
【００２５】
ここで、このとき不揮発性メモリ１８に記憶されている２５５個の受光信号データは、Ｓ５で受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回ったとき、つまり、非検出状態から検出状態に変化したとき以前に記憶されたものである。そして、このうち直近の２０個の受光信号データは、図３に示すように、受光量レベルが大きく変化する時間Ｔ内に取得されたものであり、これらも含めて平均値を算出すべきでないからである。
一方、２５５個未満であれば（Ｓ９で「Ｎ」）、Ｓ１１で不揮発性メモリ１８に既に第２閾値Ｔｈ２が記憶されていれば（Ｓ１１で「Ｙ」）Ｓ１２に進み、記憶されてなければ（Ｓ１１で「Ｎ」）Ｓ１に戻る。
【００２６】
次にＳ１２で上記第１カウントが所定時間ｔ１経過しているかどうかを判断し、経過していなければ（Ｓ１２で「Ｎ」）Ｓ１に戻り、経過していれば（Ｓ１２で「Ｙ」）、Ｓ１３で上記第２閾値Ｔｈ２と現在取り込んだ受光量レベルとを比較する。このように、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回ってから所定時間ｔ１経過するまで第２閾値Ｔｈ２との比較を行わない（無効化）ようにしたのは、前述したように、検出領域ＸにウエハＷ全体が介在したとき（図３（Ｃ）の状態）の受光量レベルＶ２は、第２閾値Ｔｈ２との差が小さいためノイズによる影響を受けやすいからである。
【００２７】
続いてＳ１３で受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回ったとき（Ｓ１３で「Ｙ」）は、Ｓ１４で第２カウントを開始し、Ｓ１５でその第２カウントが所定時間ｔ２経過していなければ（Ｓ１５で「Ｎ」）再びＳ１に戻る。次のＳ８での投受光動作で読み込まれた受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回ったときは（Ｓ１３で「Ｎ」）は、Ｓ１６で第２カウントをクリアしてＳ１に戻る。これに対して、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態（Ｓ１３で「Ｙ」）が所定時間ｔ２継続したとき（Ｓ１５で「Ｙ」）に初めて検出動作を実行する（Ｓ１７）。例えば図２に示す出力回路１９から検出信号を出力させたり、動作表示灯２０を点灯させたりするのである。なお、上記検出フラグは、一旦検出動作が実行された後に、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回ったとき（図３（Ｄ））にクリアする。
【００２８】
３．本実施形態の効果
（１）本実施形態によれば、非検出状態（図３（Ａ））においては、順次取り込まれる受光量レベルに対して余裕度が大きい第１閾値Ｔｈ１との比較を行い、この第１閾値Ｔｈ１を下回ったことをトリガーとして、本来の第２閾値Ｔｈ２との比較に基づくウエハＷの検出の判定を行う構成とした。従って、非検出状態時における受光量レベルに微小な変動による誤検出を防止できる。
（２）また、第１閾値Ｔｈ１及び第２閾値Ｔｈ２は、直前に取り込まれた２５５個或いは２３５の受光量レベルの平均値に基づき設定する構成とした。従って、直近の受光量レベル状態に応じて適切な閾値を設定でき、例えば受光量レベルの経時的変化に対しても対応できる。
【００２９】
（３）更に、第２閾値Ｔｈ２については、非検出状態から検出状態に変化したときの直前に取り込まれた２０個の受光信号データを除いた２３５個の受光信号データに基づき平均値を算出して設定する構成とした。直近の２０個の受光信号データは、図３に示すように、受光量レベルが大きく変化する時間Ｔ内に取得されたものであり、これらも含めて平均値を算出すべきでないからである。
（４）また、検出状態（図３（Ｃ））では、余裕度の小さい第２閾値Ｔｈ２との比較を行うため、例えばノイズ等による影響を受けやすい。そこで、所定時間ｔ１経過までは第２閾値Ｔｈ２との比較を無効化したり、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態が所定時間ｔ２継続したことを条件に検出動作を行う構成とした。
【００３０】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記実施形態では、光ファイバＦ１，Ｆ２を備えたファイバセンサとしたが、これに限らず、投光素子１２を有する投光ヘッドと、受光素子１３を有する受光ヘッドとを対向配置してなる通常の透過型光電センサであってもよい。
【００３１】
（２）また、被検出物としてガラスウエハ等としたが、これに限らず、光透過性を有するものであれば本発明による効果を得ることができる。
【００３２】
（３）上記実施形態では、所定のタイミング毎に受光量レベルを読み取って各平均化処理を行う構成としたが、これに限らず、例えば積分回路によって所定時間内における受光量レベルを平均化するアナログ的な処理であってもよい。
【００３３】
（４）また、上記実施形態では、所定時間ｔ１経過までは第２閾値Ｔｈ２との比較を無効化する処理と、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を下回った状態が所定時間ｔ２継続したかどうかを判定する処理との両方を実行する構成としたが、これに限らず、いずれか一方の処理を選択させて当該一方の処理だけを実行させる構成であってもよい。また、上記２つの処理のいずれも実行しない構成であっても勿論よい。
【００３４】
（５）また、上記実施形態では、単にウエハＷの有無を検出する構成であったが、これに限らず、例えば、受光量レベルが第１閾値Ｔｈ１を下回った時点から、受光量レベルが第２閾値Ｔｈ２を上回るまでの時間（図３に示す検出状態の継続時間）に基づきウエハＷの寸法を測定、或いは所定の基準寸法と一致するかどうかを検出する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハ検出装置の使用状態を示す斜視図
【図２】ウエハ検出装置のハードウエア構成を示すブロック図
【図３】ウエハの移動と受光量レベルの変位との関係を示す説明図
【図４】制御回路の制御内容を示すフローチャート
【符号の説明】
【００３６】
１０…ウエハ検出装置（光電センサ）
１２…投光素子（投光手段）
１３…受光素子（受光手段）
１６…制御回路（判定手段、閾値設定手段、平均値測定手段、無効化手段）
Ｆ１，Ｆ２…光ファイバ
Ｔｈ１…第１閾値
Ｔｈ２…第２閾値
Ｔ…時間（直前の一定期間）
Ｗ…ウエハ（被検出物）
Ｘ…検出領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する被検出物が移動する所定の検出領域に光を出射する投光手段と、
前記投光手段から出射され前記検出領域を透過した光を受光可能に配される受光手段と、
閾値を設定する閾値設定手段と、
前記被検出物の存在により変化する前記受光手段での受光量レベルと前記閾値設定手段に設定されている閾値とを大小比較し、この受光量レベルが、前記閾値以下のときは前記被検出物の検出状態と判定し、前記閾値を上回ったときは前記被検出物の非検出状態と判定する判定手段と、を備える光電センサであって、
前記閾値設定手段は、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態にあるときは、当該非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出物のエッジが位置するときの受光量レベルとの間の第１閾値を設定する一方で、
前記判定手段での判定結果が前記非検出状態から前記検出状態に変化したことを条件に、前記非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベルとの間の第２閾値を設定することを特徴とする光電センサ。
【請求項２】
前記非検出状態において、前記受光手段での受光量レベルを読み取り、所定の期間内に読み取られた複数の受光量レベルの平均値を求める平均値測定手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値に基づいて設定することを特徴とする請求項１に記載の光電センサ。
【請求項３】
前記第２閾値の設定時において、前記所定の期間は、前記非検出状態から前記検出状態に変化する直前の一定期間以前の期間であることを特徴とする請求項２に記載の光電センサ。
【請求項４】
前記受光手段での受光量レベルが前記第１閾値を下回った時点から所定の一定期間、前記判定手段における前記第２閾値との比較動作を無効化する無効化手段を有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光電センサ。
【請求項５】
前記判定手段は、前記第２閾値との比較動作においては前記受光手段での受光量レベルが前記第２閾値を上回った状態が所定時間継続したことを条件に前記非検出状態であると判定することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光電センサ。
【請求項６】
所定の検出領域を移動し、光透過性を有する被検出物としてのウエハを寸法を検出するウエハ検出装置であって、
上記請求項１〜請求項５のいずれかの光電センサと、
当該光電センサの判定手段において検出状態と判定された継続時間に基づき前記ウエハの寸法を検出する寸法検出手段とを備えることを特徴するウエハ検出装置。
【請求項１】
光透過性を有する被検出物が移動する所定の検出領域に光を出射する投光手段と、
前記投光手段から出射され前記検出領域を透過した光を受光可能に配される受光手段と、
閾値を設定する閾値設定手段と、
前記被検出物の存在により変化する前記受光手段での受光量レベルと前記閾値設定手段に設定されている閾値とを大小比較し、この受光量レベルが、前記閾値以下のときは前記被検出物の検出状態と判定し、前記閾値を上回ったときは前記被検出物の非検出状態と判定する判定手段と、を備える光電センサであって、
前記閾値設定手段は、前記判定手段での判定結果が前記非検出状態にあるときは、当該非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出物のエッジが位置するときの受光量レベルとの間の第１閾値を設定する一方で、
前記判定手段での判定結果が前記非検出状態から前記検出状態に変化したことを条件に、前記非検出状態のときの受光量レベルと前記検出領域に前記被検出部の前記エッジ以外の部分が位置したときの受光量レベルとの間の第２閾値を設定することを特徴とする光電センサ。
【請求項２】
前記非検出状態において、前記受光手段での受光量レベルを読み取り、所定の期間内に読み取られた複数の受光量レベルの平均値を求める平均値測定手段を備え、
前記閾値設定手段は、前記第１及び第２の閾値を、前記平均値測定手段で求められる平均値に基づいて設定することを特徴とする請求項１に記載の光電センサ。
【請求項３】
前記第２閾値の設定時において、前記所定の期間は、前記非検出状態から前記検出状態に変化する直前の一定期間以前の期間であることを特徴とする請求項２に記載の光電センサ。
【請求項４】
前記受光手段での受光量レベルが前記第１閾値を下回った時点から所定の一定期間、前記判定手段における前記第２閾値との比較動作を無効化する無効化手段を有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光電センサ。
【請求項５】
前記判定手段は、前記第２閾値との比較動作においては前記受光手段での受光量レベルが前記第２閾値を上回った状態が所定時間継続したことを条件に前記非検出状態であると判定することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の光電センサ。
【請求項６】
所定の検出領域を移動し、光透過性を有する被検出物としてのウエハを寸法を検出するウエハ検出装置であって、
上記請求項１〜請求項５のいずれかの光電センサと、
当該光電センサの判定手段において検出状態と判定された継続時間に基づき前記ウエハの寸法を検出する寸法検出手段とを備えることを特徴するウエハ検出装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００６−１９９３９（Ｐ２００６−１９９３９Ａ）
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−１９４４３５（Ｐ２００４−１９４４３５）
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【出願人】（０００１０６２２１）サンクス株式会社 (578)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月１９日（２００６．１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年６月３０日（２００４．６．３０）
【出願人】（０００１０６２２１）サンクス株式会社 (578)
【Ｆターム（参考）】
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