半導体用研磨スラリー中の異物検査方法
【課題】半導体用研磨スラリー中に含有される不純物粒子等の異物の検査を行い、その異物に関する情報を取得することができるスラリー中の異物の検査方法を提供する。
【解決手段】半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である孔径を有したろ過膜に、サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、を有する異物検査方法。
【解決手段】半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である孔径を有したろ過膜に、サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、を有する異物検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用研磨スラリー中に含まれる異物の検査方法に関し、特に、半導体用研磨スラリーをろ過膜によりろ過して、ろ過膜上に存在する異物を検査するスラリー中の異物検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、使用する半導体基板の表面や、その上に形成された被膜の表面を平坦化することが求められている。例えば、配線層が立体的に配置された多層配線層を有する半導体集積回路を形成するには、多層配線間の層間絶縁膜（シリコン酸化膜やシリコン窒化膜など）の表面を平坦にする必要がある。
【０００３】
これは、第１層目（最下層）のアルミニウム配線を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜すると、配線層の存在によりシリコン酸化膜表面に凹凸が生じてしまい、フォトリソグラフィー及びドライエッチング工程で、この凹凸の存在する酸化膜上に第２のアルミニウム配線層を形成しようとすると、凹凸部でレジストパターニングの露光焦点が合わない、あるいは段差部にドライエッチング残りが生じる等の不具合が生じてしまうためである。
【０００４】
この被膜表面を平坦化する技術として、研磨剤を用いて被膜表面を研磨する方法が採用されている。この方法は、パッド等の研磨部材と半導体基板との間にスラリーを介在させ、研磨を行うものであり、このとき用いるスラリー中の砥粒としては、分散性がよく、平均粒子径が揃っている等の理由で、シリカやアルミナが一般的に使用されており、したがって、スラリーとしては、純水等の分散媒中にこれらの砥粒を分散させた懸濁液が好ましく使用されている。
【０００５】
このようなスラリーを用いて研磨を行うと、半導体基板の研磨面を形成する材料が削り取られるとともに、砥粒自身も破砕されて、研磨屑が生成する。この研磨屑はそれ自身スラリーの研磨力を低下させるものである。また、このほか砥粒の凝集物やスラリーが乾燥してゲル化物が生成することもある。これらのうち大粒径の研磨屑及び凝集物は基板表面にスクラッチを発生させる原因となり、また研磨屑の蓄積により研磨力が低下するため、使用済のスラリーは一般的にはそのまま廃棄されていた。
【０００６】
ところが、近年、使用済みのスラリーを再生して、再度用いるためにフィルターや遠心分離等により再生、回収して再利用を図るようになってきており、例えば、研磨に使用したスラリーをキレート繊維に接触させてスラリーを再利用可能に回収する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２６２０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このように不純物粒子を除去し、スラリーに用いられる砥粒を回収し、再利用を可能としたスラリーや、スラリー原液を希釈してウェハ研磨用に濃度調整したスラリー等であっても、完全に不純物粒子等の異物が存在してないわけではなく、砥粒と比較しても粒径の大きい異物を含有するものであった。このような異物を含有していると、ウェハの研磨時にその異物によってウェハ表面が傷ついてしまい好ましくない。
【０００８】
このような異物は、スラリー中の粒子について粒度径分布を調べただけでは、その存在量が砥粒に比べて極めて少ないためか、明らかに粒子径は砥粒と区別できる大きさであるにもかかわらずピークの存在が確認できず、これまで見過ごされてきたものである。
【０００９】
ところが、本発明者らは、このような異物が、スラリー原液を希釈した希釈液の調整段階で既に含まれていることを確認し、さらに、ウェハ研磨後の再生処理を施して回収したスラリー中にも存在する場合があることを確認した。
【００１０】
したがって、スラリー中に含まれる異物は、必ずしも加工屑に限られるわけではなく、スラリーの原液にすでに含有している場合や、研磨装置の内部においてタンクや配管の内壁面からの脱落物質が混入する場合等のいくつかの原因が考えられるものの、その混入の原因は定かではない。
【００１１】
そこで、本発明は、このようなスラリー中に含有する不純物粒子等の異物の検査を行い、その異物について検査することができるスラリー中の異物の検査方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、鋭意検討した結果、スラリー中の異物の確認方法として、スラリーをろ過膜に通液、ろ過し、スラリー中の異物をろ過膜上に捕捉して、そのろ過膜をそのまま検査に供することにより異物の存否や性質を確認することができる異物検査方法を見出した。
【００１３】
すなわち、本発明の異物検査方法は、半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である、孔径が０．１ｎｍ〜１００μｍのろ過膜に、サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、スラリー中の異物の確認を、スラリーをろ過膜に通液してろ過膜上に捕捉された異物を、そのまま観察、検査するものであるため、極めて簡易な操作で異物の検査を行うことができる。また、その異物の成分分析を行うことにより異物の由来等を解析することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のスラリー中の異物検査方法について説明するが、その前に、スラリーを用いたウェハの研磨方法について、簡単に説明する。
【００１６】
ウェハ研磨は、まず、スラリーの原液を収容するタンクから必要量のスラリー原液が供給され、この原液に希釈液を混合しながら、研磨処理に用いるのに適したスラリー濃度に調整される。ここで使用するスラリーは、分散性がよく、平均粒子径が揃っている等の理由から、シリカ微粒子が砥粒として用いられることが多く、水等の分散媒中にこのシリカ微粒子を分散させたシリカ懸濁液（コロイダルシリカ）として使用するのが一般的である。
【００１７】
次いで、濃度調整がされたスラリーを研磨パッドに滴下しながら、ウェハキャリア（パッキング剤）に保持されているシリコン基板を回転させ、研磨パッドに押し当てる。すると、シリコン基板と研磨パッドの間にスラリーを介在させながら回転によりシリコン基板は研磨され、この研磨によりシリコン基板の表面に形成されている絶縁膜は、その凹凸が取り除かれ、平坦な表面となる。
【００１８】
研磨に使用したスラリーは、研磨部から排出されるが、このスラリー中には絶縁層の加工屑、シリカ粒子からなる砥粒等が含まれており、加工屑はこれがウェハ研磨の際にウェハ表面に傷をつける原因となるから、これをそのまま再利用することはできないが、種々の再利用法により加工屑等の不純物を除去して、砥粒は残すようにすることでスラリーを再利用することもできる。
【００１９】
本発明のサンプリング工程は、上記のようなウェハ研磨方法のいずれの工程からサンプリングしてもよい。具体的には、スラリーを用いてウェハ表面を研磨するウェハ研磨装置から使用後に再生したものを採取しても良いし、スラリー原液を希釈して濃度調整を行って得られたスラリーやスラリー原液を採取しても良い。さらに、スラリー原液は、ウェハ研磨装置のタンクに収容する前のボトル等から採取しても良い。
【００２０】
すなわち、本発明はこれからウェハの研磨に使用しようとするスラリーについて、そこに含まれる異物の有無、性質を調べるものであるから、そのような検査対象となるスラリーであれば特に制限されるものではない。
【００２１】
このサンプリング工程においては、原液を希釈液で希釈して濃度調整したスラリー又は研磨処理後、再利用法により加工屑等の不純物を除いたスラリー等をサンプリングするものであることが好ましい。
【００２２】
本発明のろ過工程は、半導体用研磨スラリー中に含まれる砥粒は通過させるが、砥粒よりも大きな異物を捕捉する孔径を有するろ過膜に、サンプリングした半導体研磨スラリーを通液し、ろ過するものである。
【００２３】
この工程に用いるろ過膜としては、スラリー中の砥粒は透過させるが、砥粒よりも大きな異物はろ過膜上に捕捉する孔径を有するろ過膜であれば特に限定されずに用いることができる。
【００２４】
ろ過膜は、無機質もしくは有機高分子などで形成され、対象とするスラリーの性質により、精密ろ過（ＭＦ）膜（孔径：０．１〜１００μｍ）、限外ろ過（ＵＦ）膜（孔径：２ｎｍ〜０．１ｎｍ）、ナノろ過（ＮＦ）膜（孔径：０．５ｎｍ〜２ｎｍ）、逆浸透（ＲＯ）膜（孔径：０．１ｎｍ〜１ｎｍ）、平膜、管状膜、中空糸膜など孔径、形状、使用方法を選定するが限定されるものではない。
【００２５】
ろ過工程において、砥粒は、ゼータ電位によりその挙動が大きく影響されるものと考えられる。ここで、ゼータ電位とは、互いに接している固体と液体とが相対運動を行ったときの両者の界面に生じる電位差のことであり、ゼータ電位の絶対値が増加すれば、固体間の反発が強くなる。
【００２６】
したがって、固体として砥粒同士の場合を考えると、ゼータ電位の絶対値が増加するほど砥粒の安定性は高くなり、ゼータ電位の絶対値がゼロに近くなるほど、粒子は凝集しやすくなる。近年増加する金属ＣＭＰ用スラリーは酸性のものがあり、この場合ゼータ電位の絶対値がゼロ付近の値となるから、ろ過膜でろ過した場合、ろ過膜表面に砥粒の凝集又は付着が起こり易く、半導体用研磨スラリー中に含まれる異物を検査することが困難となる。
【００２７】
また、ろ過膜と砥粒との関係を考えると、それらのゼータ電位が異符号であると、互いに電気的に引き付け合い、ろ過膜表面に砥粒が付着し易くなってしまう。この場合、後で説明する洗浄操作を行っても、ろ過膜表面から砥粒を効率的に除去することが困難となることが多く、やはり半導体研磨用スラリー中に含まれる異物を検査することが困難となってしまう。
【００２８】
そこで、ろ過膜と砥粒とは、互いに電気的に反発するようにして、砥粒をろ過膜表面に付着させずにろ過を行うことを可能にする同符号のゼータ電位となるようにすることが好ましい。
【００２９】
なお、ここでろ過膜及び砥粒のゼータ電位は、液体のｐＨに影響されることがわかっており、砥粒としてシリカ（ＳｉＯ２）を用いた場合には、ｐＨが５以下の酸性条件では、そのゼータ電位が０付近であり、ｐＨが５以上になるとマイナスの電位となり、ｐＨ６以上になるとゼータ電位が−４０〜−６０ｍＶ程度の比較的大きな絶対値を持つようになるため、スラリーのｐＨを６以上とすることが好ましい。
【００３０】
また、一般的にゼータ電位は、塩基性条件にすることで低くなる傾向があり、例えば、ポリカーボネートのゼータ電位は、ｐＨが４〜１０でマイナスの値をとり、塩基性が高くなるほど絶対値が大きくなることがわかっており、ｐＨが９．５のとき、−２６ｍＶ程度である。その他のろ過膜の材質として用いる多くの樹脂においては、酸性条件ではプラスの値であるが、ｐＨが６以上となるとマイナスの値となるものが多い。したがって、ろ過膜と砥粒のゼータ電位が同符号となるｐＨ６以上であることが、ろ過膜に砥粒を付着させないようにする点で好ましい。
【００３１】
ここで、半導体研磨スラリーのｐＨの調整は、ｐＨ調整剤をスラリー中に添加することにより行うことができ、例えば、塩酸、硫酸、硝酸などの酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムなどのアルカリ等の公知のｐＨ調整剤を用いることができる。また、砥粒の凝集を抑制するために分散剤を添加することもでき、例えば、非イオン性界面活性剤やその他有機溶剤等の分散剤が挙げられる。
【００３２】
また、本検査方法で使用するろ過膜の材質として、ポリカーボネートであることが、砥粒とろ過膜のゼータ電位が同符号となる点、及びろ過膜表面が平滑であるため半導体用研磨スラリー中の異物の観察が容易となる点で特に好ましいものの一つである。このときのろ過膜表面の平滑度、すなわち表面粗さＲａ＝０．１ｎｍ以上であることが好ましい。この表面粗さは、後の異物検査工程での検査の容易さ、検査結果にも影響を与えるものである。なお、ここでＲａは、算術平均高さを示すものであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠するものである。
【００３３】
本工程でろ過するスラリーは、サンプリング工程で得られた半導体研磨用のスラリーであって、サンプリングしたものをそのまま用いてもよいが、本発明のろ過工程に適した濃度に調整してからろ過膜を通過させるようにすることが好ましい。
【００３４】
また、ろ過工程の後、異物検査工程の前に、ろ過工程で使用したろ過膜の表面を純水で洗浄する洗浄工程を設けても良い。洗浄工程を行うようにすれば、ろ過膜表面に残っていた砥粒とスラリー中溶解成分の残渣を洗い流すことができるため、検査対象とする異物のみをろ過膜表面に捕捉した状態とすることができる。したがって、次工程の異物検査工程において、検査の精度を上げることができる。
【００３５】
この洗浄工程における洗浄水は純水を用いることができ、ろ過膜上に残留している砥粒をろ過膜の孔を通過させて異物のみをろ過膜上に残すことができる量を用いることが好ましい。
【００３６】
次に、本発明の異物検査工程は、ろ過工程で得られた、スラリーを通液させたろ過膜の表面に捕捉した異物を検査するものである。
【００３７】
この異物検査工程においては、ろ過膜表面の異物を検査することができる方法であれば特に限定されず、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた異物の有無、大きさ、個数等の観察、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）をＳＥＭと組み合わせて用いた異物の有無、大きさ、個数等の観察及び成分分析、微生物を検出する方法等の異物の検査方法が挙げられる。ここで検査とは、異物の存否、異物の形状、大きさ等の形態の確認、異物の組成成分の分析等、その他の異物についての情報を得ることができる様々な方法によるものが含まれる。
【００３８】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による検査方法は、ろ過膜表面の孔、異物の形態を観察するのに十分な分解能をもっていればよく、特に限定されるものではないが、最小粒径０．１ｎｍを測定する分解能を有していることが好ましい。
【００３９】
走査型電子顕微鏡は、真空中で細く絞った電子線を試料の表面に走査しながら照射し、試料の表面から反射又は透過する電子線の電子光学的結像を陰極線管上で観察する装置であり、電子線を照射するため、試料が被導電性の場合には、照射された電子が蓄積し、正しい像が得られなくなるため、表面に導電性の薄膜を形成して電子の蓄積を防ぐ必要がある。導電性薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法とイオンスパッタリング法を用いることができる。
【００４０】
このようにろ過膜上で導電性膜により被覆されたろ過膜を試料台に固定し、試料室に入れ、測定を行う。この測定時の倍率は５００〜５００００倍で行うようにすればよい。ろ過膜表面の孔や孔より大きい異物を観察する場合（最小粒径 １μｍ程度）には、５００〜１００００倍の倍率で行うことが好ましく、スラリー粒の凝集状態を観察したり、異物の表面状態を観察したりする場合（最小粒径 １０ｎｍ程度）には、１００００〜５００００倍の倍率で行うことが好ましい。
【００４１】
走査型電子顕微鏡とエネルギー分散型Ｘ線分析装置を組み合わせて（ＳＥＭ−ＥＤＸ）行う検査方法は、走査型電子顕微鏡による検査方法に加え、Ｘ線による成分分析を行うことができる。これによれば、形態観察の他に、異物の組成成分を、その存在割合と共に分析できるため、異物の由来についての検査が可能となるものである。
【００４２】
また、微生物を検出する方法としては、微生物に放射光源を照射したときに発する蛍光を検出する方法、ろ過膜をそのまま培地上に置き、ろ過膜表面に存在する微生物を培養して形成されるコロニーを観察する方法等が挙げられる。培養する場合には、微生物の種類により培養条件が異なり、適した培地、温度等があるため、対象として考えている微生物により適宜条件選択を行えばよい。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
【００４４】
（実施例１）新液
ホルダーに孔径３．０μｍのニュクリポアーメンブレンフィルター（商品名：ニュクリポアー・ポリカーボネート・トラックエッチ・メンブレン）をセットし、シリンジに５ｍＬの純水を採取してホルダー上部より注入して空気を抜いた。空気抜きはろ過ムラを生じさせないために行うものである。
【００４５】
次いで、ウェハを研磨したスラリーをろ過して再生する機構を有する研磨装置から研磨処理を行うために、原水タンクの中に収容された粒径１４１〜３３７ｎｍのシリカ（キャボット マイクロエレクトロニクスコーポレーション製、商品名：Ｓｅｍｉ−Ｓｐｅｒｃｅ Ｗ２０００）を含有するシリカ濃度１２〜２５％のスラリー原液を純水でシリカ濃度３％程度になるように希釈して半導体用研磨スラリーとし、これをウェハの研磨に用いる前に、テフロン（登録商標）容器に採取した。砥粒のフィルター上への凝集を防ぐため、採取したスラリーのｐＨを１０に調整することで、フィルターのゼータ電位を−３５ｍＶ、砥粒のゼータ電位を−４０ｍＶ付近となるようにした。以上の処理を行ったスラリーを１０ｍＬ シリンジに採取し、シリンジをホルダー上部にセットし、手押しでろ過を行った。
【００４６】
半導体用研磨スラリーのろ過後、フィルターに純水 ５０ｍＬをシリンジにて供給、ろ過し、フィルター表面の洗浄を行った。これによりスラリー溶解成分の洗浄を行い、フィルター表面に残っていた砥粒はフィルター孔径より小さいため、フィルター表面から除去され、表面には異物が捕捉された。
【００４７】
次に、異物が表面に捕捉されたフィルターをＳＥＭ用試料台に両面テープで固定し、イオンスパッター装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名：日立マイルドスパッタ Ｅ−１０３０）によりフィルター表面にＰｔ−Ｐｄの蒸着処理を膜圧が３０Åになるように行った。
【００４８】
そして、このフィルターの表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立ハイテクノロジーズ製、商品名：Ｓ−４１００型）及びエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ；エダックス・ジャパン株式会社製、商品名：Ｇｅｎｅｓｉｓ）で表面の観察と微粒子数の測定を行った。倍率５００倍で表面の観察及びフィルター表面の撮影を行い、その写真を図１に示した。フィルターには３．０μｍの径を有する孔が多数設けられており、そのフィルター表面にはこの孔を通過することができない異物が捕捉されているのが確認できる。異物の大きさは１μｍ程度から７μｍ程度であり、これと同一のスラリーを粒度分布計（株式会社堀場製作所製、商品名：ＬＡ−９２０）で測定したところ、図２に示したように砥粒の粒径である０．１μｍ付近には強いピークが一つ観察されたが、それ以外の粒径においてピークは全く確認できなかった。
【００４９】
このフィルター表面に捕捉された微粒子数をＪＩＳ Ｋ ０５５４の規定に準じて計測したところ、本実施例で用いた半導体用研磨スラリー１ｍＬ中に含まれる異物の微粒子数は、８０個／ｍＬであった。
【００５０】
また、異物の成分分析を行ったところ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉであり、乾燥凝集に由来する異物であると推測される。
【００５１】
（実施例２）回収液
まず、実施例１と同様にホルダーに孔径 ３．０ μｍのニュクリポアーメンブレンフィルター（商品名：ニュクリポアー・ポリカーボネート・トラックエッチ・メンブレン）をセットし、シリンジに５ｍＬの純水を採取してホルダー上部より注入して空気を抜いた。
【００５２】
本実施例における、半導体用研磨スラリーは、ウェハ研磨に使用した後のスラリーをテフロン（登録商標）容器で回収したものを用いた。シリンジに、この半導体用研磨スラリーを１ｍＬと、超純水９ｍＬをとり、これらをシリンジ内で混合し、さらに実施例１と同様にｐＨを１０に調製した。
【００５３】
次いで、ろ過操作、洗浄操作、フィルター表面の観察及び撮影を実施例１と同様に行ったところ、やはり、フィルター孔径よりも大きな異物が多数捕捉されていることが確認できた。その写真を図３に示した。本実施例では、実施例１よりも多数の異物が確認され、その大きさも１〜２０μｍ程度と幅広かったが、この試験に用いるためにサンプリングした半導体用研磨スラリーを実施例１と同様に粒度分布計により測定したところ、やはり、砥粒の０．１μｍ付近のピークのみ観察され、他の粒径におけるピークは確認できなかった。
【００５４】
このフィルター表面に捕捉された微粒子数をＪＩＳ Ｋ ０５５４の規定に準じて計測したところ、本実施例で用いた半導体用研磨スラリー１ｍＬ中に含まれる異物の微粒子数は、８×１０３個／ｍＬであった。
【００５５】
また、異物の成分分析を行ったところ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉであり、乾燥凝集物や研磨くずに由来する異物であると推測される。
【００５６】
なお、実施例１及び２において、ｐHを調整することでゼータ電位を同符号とし、砥粒の凝集及び砥粒のフィルターへの吸着を有効に抑えることができたため、フィルター表面の観察において観察された砥粒（凝集物は除く）はごく少数であった。
【００５７】
（実施例３）
実施例１と同様の操作において、ろ過操作の前に半導体研磨スラリーのｐＨをｐＨ調整剤により調整した以外は、同一としてフィルター表面の観察を行った。このとき、ｐＨを２．０、５．０、７．０、１１．０に調整して、それぞれフィルター表面における付着物の量を計測した。その結果を表１に示した。
【００５８】
【表１】
【００５９】
このとき、付着物の量の評価は、２００個／1視野を超えるとき多く、１００個／１視野以下のとき少ないとした。付着物の量が１００個／１視野以下であればフィルター表面の観察を有効に行うことができ、さらに５０個／１視野以下であればよりノイズの少ない観察を行うことができる点で好ましい。
【００６０】
以上の結果より、ろ過する半導体研磨スラリーのｐＨを中性付近からアルカリ側に調整することで、フィルター上に付着する砥粒の量を減らし、フィルター表面の観察における砥粒によるノイズを低減することができることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施例１における、走査型電子顕微鏡により観察されたフィルター表面の状態を表した図である。
【図２】サンプリングした半導体用研磨スラリーの粒度分布を示した図である。
【図３】実施例２における、走査型電子顕微鏡により観察されたフィルター表面の状態を表した図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用研磨スラリー中に含まれる異物の検査方法に関し、特に、半導体用研磨スラリーをろ過膜によりろ過して、ろ過膜上に存在する異物を検査するスラリー中の異物検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、使用する半導体基板の表面や、その上に形成された被膜の表面を平坦化することが求められている。例えば、配線層が立体的に配置された多層配線層を有する半導体集積回路を形成するには、多層配線間の層間絶縁膜（シリコン酸化膜やシリコン窒化膜など）の表面を平坦にする必要がある。
【０００３】
これは、第１層目（最下層）のアルミニウム配線を形成した後、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を成膜すると、配線層の存在によりシリコン酸化膜表面に凹凸が生じてしまい、フォトリソグラフィー及びドライエッチング工程で、この凹凸の存在する酸化膜上に第２のアルミニウム配線層を形成しようとすると、凹凸部でレジストパターニングの露光焦点が合わない、あるいは段差部にドライエッチング残りが生じる等の不具合が生じてしまうためである。
【０００４】
この被膜表面を平坦化する技術として、研磨剤を用いて被膜表面を研磨する方法が採用されている。この方法は、パッド等の研磨部材と半導体基板との間にスラリーを介在させ、研磨を行うものであり、このとき用いるスラリー中の砥粒としては、分散性がよく、平均粒子径が揃っている等の理由で、シリカやアルミナが一般的に使用されており、したがって、スラリーとしては、純水等の分散媒中にこれらの砥粒を分散させた懸濁液が好ましく使用されている。
【０００５】
このようなスラリーを用いて研磨を行うと、半導体基板の研磨面を形成する材料が削り取られるとともに、砥粒自身も破砕されて、研磨屑が生成する。この研磨屑はそれ自身スラリーの研磨力を低下させるものである。また、このほか砥粒の凝集物やスラリーが乾燥してゲル化物が生成することもある。これらのうち大粒径の研磨屑及び凝集物は基板表面にスクラッチを発生させる原因となり、また研磨屑の蓄積により研磨力が低下するため、使用済のスラリーは一般的にはそのまま廃棄されていた。
【０００６】
ところが、近年、使用済みのスラリーを再生して、再度用いるためにフィルターや遠心分離等により再生、回収して再利用を図るようになってきており、例えば、研磨に使用したスラリーをキレート繊維に接触させてスラリーを再利用可能に回収する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２６２０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このように不純物粒子を除去し、スラリーに用いられる砥粒を回収し、再利用を可能としたスラリーや、スラリー原液を希釈してウェハ研磨用に濃度調整したスラリー等であっても、完全に不純物粒子等の異物が存在してないわけではなく、砥粒と比較しても粒径の大きい異物を含有するものであった。このような異物を含有していると、ウェハの研磨時にその異物によってウェハ表面が傷ついてしまい好ましくない。
【０００８】
このような異物は、スラリー中の粒子について粒度径分布を調べただけでは、その存在量が砥粒に比べて極めて少ないためか、明らかに粒子径は砥粒と区別できる大きさであるにもかかわらずピークの存在が確認できず、これまで見過ごされてきたものである。
【０００９】
ところが、本発明者らは、このような異物が、スラリー原液を希釈した希釈液の調整段階で既に含まれていることを確認し、さらに、ウェハ研磨後の再生処理を施して回収したスラリー中にも存在する場合があることを確認した。
【００１０】
したがって、スラリー中に含まれる異物は、必ずしも加工屑に限られるわけではなく、スラリーの原液にすでに含有している場合や、研磨装置の内部においてタンクや配管の内壁面からの脱落物質が混入する場合等のいくつかの原因が考えられるものの、その混入の原因は定かではない。
【００１１】
そこで、本発明は、このようなスラリー中に含有する不純物粒子等の異物の検査を行い、その異物について検査することができるスラリー中の異物の検査方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、鋭意検討した結果、スラリー中の異物の確認方法として、スラリーをろ過膜に通液、ろ過し、スラリー中の異物をろ過膜上に捕捉して、そのろ過膜をそのまま検査に供することにより異物の存否や性質を確認することができる異物検査方法を見出した。
【００１３】
すなわち、本発明の異物検査方法は、半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である、孔径が０．１ｎｍ〜１００μｍのろ過膜に、サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、スラリー中の異物の確認を、スラリーをろ過膜に通液してろ過膜上に捕捉された異物を、そのまま観察、検査するものであるため、極めて簡易な操作で異物の検査を行うことができる。また、その異物の成分分析を行うことにより異物の由来等を解析することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のスラリー中の異物検査方法について説明するが、その前に、スラリーを用いたウェハの研磨方法について、簡単に説明する。
【００１６】
ウェハ研磨は、まず、スラリーの原液を収容するタンクから必要量のスラリー原液が供給され、この原液に希釈液を混合しながら、研磨処理に用いるのに適したスラリー濃度に調整される。ここで使用するスラリーは、分散性がよく、平均粒子径が揃っている等の理由から、シリカ微粒子が砥粒として用いられることが多く、水等の分散媒中にこのシリカ微粒子を分散させたシリカ懸濁液（コロイダルシリカ）として使用するのが一般的である。
【００１７】
次いで、濃度調整がされたスラリーを研磨パッドに滴下しながら、ウェハキャリア（パッキング剤）に保持されているシリコン基板を回転させ、研磨パッドに押し当てる。すると、シリコン基板と研磨パッドの間にスラリーを介在させながら回転によりシリコン基板は研磨され、この研磨によりシリコン基板の表面に形成されている絶縁膜は、その凹凸が取り除かれ、平坦な表面となる。
【００１８】
研磨に使用したスラリーは、研磨部から排出されるが、このスラリー中には絶縁層の加工屑、シリカ粒子からなる砥粒等が含まれており、加工屑はこれがウェハ研磨の際にウェハ表面に傷をつける原因となるから、これをそのまま再利用することはできないが、種々の再利用法により加工屑等の不純物を除去して、砥粒は残すようにすることでスラリーを再利用することもできる。
【００１９】
本発明のサンプリング工程は、上記のようなウェハ研磨方法のいずれの工程からサンプリングしてもよい。具体的には、スラリーを用いてウェハ表面を研磨するウェハ研磨装置から使用後に再生したものを採取しても良いし、スラリー原液を希釈して濃度調整を行って得られたスラリーやスラリー原液を採取しても良い。さらに、スラリー原液は、ウェハ研磨装置のタンクに収容する前のボトル等から採取しても良い。
【００２０】
すなわち、本発明はこれからウェハの研磨に使用しようとするスラリーについて、そこに含まれる異物の有無、性質を調べるものであるから、そのような検査対象となるスラリーであれば特に制限されるものではない。
【００２１】
このサンプリング工程においては、原液を希釈液で希釈して濃度調整したスラリー又は研磨処理後、再利用法により加工屑等の不純物を除いたスラリー等をサンプリングするものであることが好ましい。
【００２２】
本発明のろ過工程は、半導体用研磨スラリー中に含まれる砥粒は通過させるが、砥粒よりも大きな異物を捕捉する孔径を有するろ過膜に、サンプリングした半導体研磨スラリーを通液し、ろ過するものである。
【００２３】
この工程に用いるろ過膜としては、スラリー中の砥粒は透過させるが、砥粒よりも大きな異物はろ過膜上に捕捉する孔径を有するろ過膜であれば特に限定されずに用いることができる。
【００２４】
ろ過膜は、無機質もしくは有機高分子などで形成され、対象とするスラリーの性質により、精密ろ過（ＭＦ）膜（孔径：０．１〜１００μｍ）、限外ろ過（ＵＦ）膜（孔径：２ｎｍ〜０．１ｎｍ）、ナノろ過（ＮＦ）膜（孔径：０．５ｎｍ〜２ｎｍ）、逆浸透（ＲＯ）膜（孔径：０．１ｎｍ〜１ｎｍ）、平膜、管状膜、中空糸膜など孔径、形状、使用方法を選定するが限定されるものではない。
【００２５】
ろ過工程において、砥粒は、ゼータ電位によりその挙動が大きく影響されるものと考えられる。ここで、ゼータ電位とは、互いに接している固体と液体とが相対運動を行ったときの両者の界面に生じる電位差のことであり、ゼータ電位の絶対値が増加すれば、固体間の反発が強くなる。
【００２６】
したがって、固体として砥粒同士の場合を考えると、ゼータ電位の絶対値が増加するほど砥粒の安定性は高くなり、ゼータ電位の絶対値がゼロに近くなるほど、粒子は凝集しやすくなる。近年増加する金属ＣＭＰ用スラリーは酸性のものがあり、この場合ゼータ電位の絶対値がゼロ付近の値となるから、ろ過膜でろ過した場合、ろ過膜表面に砥粒の凝集又は付着が起こり易く、半導体用研磨スラリー中に含まれる異物を検査することが困難となる。
【００２７】
また、ろ過膜と砥粒との関係を考えると、それらのゼータ電位が異符号であると、互いに電気的に引き付け合い、ろ過膜表面に砥粒が付着し易くなってしまう。この場合、後で説明する洗浄操作を行っても、ろ過膜表面から砥粒を効率的に除去することが困難となることが多く、やはり半導体研磨用スラリー中に含まれる異物を検査することが困難となってしまう。
【００２８】
そこで、ろ過膜と砥粒とは、互いに電気的に反発するようにして、砥粒をろ過膜表面に付着させずにろ過を行うことを可能にする同符号のゼータ電位となるようにすることが好ましい。
【００２９】
なお、ここでろ過膜及び砥粒のゼータ電位は、液体のｐＨに影響されることがわかっており、砥粒としてシリカ（ＳｉＯ２）を用いた場合には、ｐＨが５以下の酸性条件では、そのゼータ電位が０付近であり、ｐＨが５以上になるとマイナスの電位となり、ｐＨ６以上になるとゼータ電位が−４０〜−６０ｍＶ程度の比較的大きな絶対値を持つようになるため、スラリーのｐＨを６以上とすることが好ましい。
【００３０】
また、一般的にゼータ電位は、塩基性条件にすることで低くなる傾向があり、例えば、ポリカーボネートのゼータ電位は、ｐＨが４〜１０でマイナスの値をとり、塩基性が高くなるほど絶対値が大きくなることがわかっており、ｐＨが９．５のとき、−２６ｍＶ程度である。その他のろ過膜の材質として用いる多くの樹脂においては、酸性条件ではプラスの値であるが、ｐＨが６以上となるとマイナスの値となるものが多い。したがって、ろ過膜と砥粒のゼータ電位が同符号となるｐＨ６以上であることが、ろ過膜に砥粒を付着させないようにする点で好ましい。
【００３１】
ここで、半導体研磨スラリーのｐＨの調整は、ｐＨ調整剤をスラリー中に添加することにより行うことができ、例えば、塩酸、硫酸、硝酸などの酸や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムなどのアルカリ等の公知のｐＨ調整剤を用いることができる。また、砥粒の凝集を抑制するために分散剤を添加することもでき、例えば、非イオン性界面活性剤やその他有機溶剤等の分散剤が挙げられる。
【００３２】
また、本検査方法で使用するろ過膜の材質として、ポリカーボネートであることが、砥粒とろ過膜のゼータ電位が同符号となる点、及びろ過膜表面が平滑であるため半導体用研磨スラリー中の異物の観察が容易となる点で特に好ましいものの一つである。このときのろ過膜表面の平滑度、すなわち表面粗さＲａ＝０．１ｎｍ以上であることが好ましい。この表面粗さは、後の異物検査工程での検査の容易さ、検査結果にも影響を与えるものである。なお、ここでＲａは、算術平均高さを示すものであり、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準拠するものである。
【００３３】
本工程でろ過するスラリーは、サンプリング工程で得られた半導体研磨用のスラリーであって、サンプリングしたものをそのまま用いてもよいが、本発明のろ過工程に適した濃度に調整してからろ過膜を通過させるようにすることが好ましい。
【００３４】
また、ろ過工程の後、異物検査工程の前に、ろ過工程で使用したろ過膜の表面を純水で洗浄する洗浄工程を設けても良い。洗浄工程を行うようにすれば、ろ過膜表面に残っていた砥粒とスラリー中溶解成分の残渣を洗い流すことができるため、検査対象とする異物のみをろ過膜表面に捕捉した状態とすることができる。したがって、次工程の異物検査工程において、検査の精度を上げることができる。
【００３５】
この洗浄工程における洗浄水は純水を用いることができ、ろ過膜上に残留している砥粒をろ過膜の孔を通過させて異物のみをろ過膜上に残すことができる量を用いることが好ましい。
【００３６】
次に、本発明の異物検査工程は、ろ過工程で得られた、スラリーを通液させたろ過膜の表面に捕捉した異物を検査するものである。
【００３７】
この異物検査工程においては、ろ過膜表面の異物を検査することができる方法であれば特に限定されず、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた異物の有無、大きさ、個数等の観察、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）をＳＥＭと組み合わせて用いた異物の有無、大きさ、個数等の観察及び成分分析、微生物を検出する方法等の異物の検査方法が挙げられる。ここで検査とは、異物の存否、異物の形状、大きさ等の形態の確認、異物の組成成分の分析等、その他の異物についての情報を得ることができる様々な方法によるものが含まれる。
【００３８】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による検査方法は、ろ過膜表面の孔、異物の形態を観察するのに十分な分解能をもっていればよく、特に限定されるものではないが、最小粒径０．１ｎｍを測定する分解能を有していることが好ましい。
【００３９】
走査型電子顕微鏡は、真空中で細く絞った電子線を試料の表面に走査しながら照射し、試料の表面から反射又は透過する電子線の電子光学的結像を陰極線管上で観察する装置であり、電子線を照射するため、試料が被導電性の場合には、照射された電子が蓄積し、正しい像が得られなくなるため、表面に導電性の薄膜を形成して電子の蓄積を防ぐ必要がある。導電性薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法とイオンスパッタリング法を用いることができる。
【００４０】
このようにろ過膜上で導電性膜により被覆されたろ過膜を試料台に固定し、試料室に入れ、測定を行う。この測定時の倍率は５００〜５００００倍で行うようにすればよい。ろ過膜表面の孔や孔より大きい異物を観察する場合（最小粒径 １μｍ程度）には、５００〜１００００倍の倍率で行うことが好ましく、スラリー粒の凝集状態を観察したり、異物の表面状態を観察したりする場合（最小粒径 １０ｎｍ程度）には、１００００〜５００００倍の倍率で行うことが好ましい。
【００４１】
走査型電子顕微鏡とエネルギー分散型Ｘ線分析装置を組み合わせて（ＳＥＭ−ＥＤＸ）行う検査方法は、走査型電子顕微鏡による検査方法に加え、Ｘ線による成分分析を行うことができる。これによれば、形態観察の他に、異物の組成成分を、その存在割合と共に分析できるため、異物の由来についての検査が可能となるものである。
【００４２】
また、微生物を検出する方法としては、微生物に放射光源を照射したときに発する蛍光を検出する方法、ろ過膜をそのまま培地上に置き、ろ過膜表面に存在する微生物を培養して形成されるコロニーを観察する方法等が挙げられる。培養する場合には、微生物の種類により培養条件が異なり、適した培地、温度等があるため、対象として考えている微生物により適宜条件選択を行えばよい。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。
【００４４】
（実施例１）新液
ホルダーに孔径３．０μｍのニュクリポアーメンブレンフィルター（商品名：ニュクリポアー・ポリカーボネート・トラックエッチ・メンブレン）をセットし、シリンジに５ｍＬの純水を採取してホルダー上部より注入して空気を抜いた。空気抜きはろ過ムラを生じさせないために行うものである。
【００４５】
次いで、ウェハを研磨したスラリーをろ過して再生する機構を有する研磨装置から研磨処理を行うために、原水タンクの中に収容された粒径１４１〜３３７ｎｍのシリカ（キャボット マイクロエレクトロニクスコーポレーション製、商品名：Ｓｅｍｉ−Ｓｐｅｒｃｅ Ｗ２０００）を含有するシリカ濃度１２〜２５％のスラリー原液を純水でシリカ濃度３％程度になるように希釈して半導体用研磨スラリーとし、これをウェハの研磨に用いる前に、テフロン（登録商標）容器に採取した。砥粒のフィルター上への凝集を防ぐため、採取したスラリーのｐＨを１０に調整することで、フィルターのゼータ電位を−３５ｍＶ、砥粒のゼータ電位を−４０ｍＶ付近となるようにした。以上の処理を行ったスラリーを１０ｍＬ シリンジに採取し、シリンジをホルダー上部にセットし、手押しでろ過を行った。
【００４６】
半導体用研磨スラリーのろ過後、フィルターに純水 ５０ｍＬをシリンジにて供給、ろ過し、フィルター表面の洗浄を行った。これによりスラリー溶解成分の洗浄を行い、フィルター表面に残っていた砥粒はフィルター孔径より小さいため、フィルター表面から除去され、表面には異物が捕捉された。
【００４７】
次に、異物が表面に捕捉されたフィルターをＳＥＭ用試料台に両面テープで固定し、イオンスパッター装置（株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名：日立マイルドスパッタ Ｅ−１０３０）によりフィルター表面にＰｔ−Ｐｄの蒸着処理を膜圧が３０Åになるように行った。
【００４８】
そして、このフィルターの表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；日立ハイテクノロジーズ製、商品名：Ｓ−４１００型）及びエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ；エダックス・ジャパン株式会社製、商品名：Ｇｅｎｅｓｉｓ）で表面の観察と微粒子数の測定を行った。倍率５００倍で表面の観察及びフィルター表面の撮影を行い、その写真を図１に示した。フィルターには３．０μｍの径を有する孔が多数設けられており、そのフィルター表面にはこの孔を通過することができない異物が捕捉されているのが確認できる。異物の大きさは１μｍ程度から７μｍ程度であり、これと同一のスラリーを粒度分布計（株式会社堀場製作所製、商品名：ＬＡ−９２０）で測定したところ、図２に示したように砥粒の粒径である０．１μｍ付近には強いピークが一つ観察されたが、それ以外の粒径においてピークは全く確認できなかった。
【００４９】
このフィルター表面に捕捉された微粒子数をＪＩＳ Ｋ ０５５４の規定に準じて計測したところ、本実施例で用いた半導体用研磨スラリー１ｍＬ中に含まれる異物の微粒子数は、８０個／ｍＬであった。
【００５０】
また、異物の成分分析を行ったところ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉであり、乾燥凝集に由来する異物であると推測される。
【００５１】
（実施例２）回収液
まず、実施例１と同様にホルダーに孔径 ３．０ μｍのニュクリポアーメンブレンフィルター（商品名：ニュクリポアー・ポリカーボネート・トラックエッチ・メンブレン）をセットし、シリンジに５ｍＬの純水を採取してホルダー上部より注入して空気を抜いた。
【００５２】
本実施例における、半導体用研磨スラリーは、ウェハ研磨に使用した後のスラリーをテフロン（登録商標）容器で回収したものを用いた。シリンジに、この半導体用研磨スラリーを１ｍＬと、超純水９ｍＬをとり、これらをシリンジ内で混合し、さらに実施例１と同様にｐＨを１０に調製した。
【００５３】
次いで、ろ過操作、洗浄操作、フィルター表面の観察及び撮影を実施例１と同様に行ったところ、やはり、フィルター孔径よりも大きな異物が多数捕捉されていることが確認できた。その写真を図３に示した。本実施例では、実施例１よりも多数の異物が確認され、その大きさも１〜２０μｍ程度と幅広かったが、この試験に用いるためにサンプリングした半導体用研磨スラリーを実施例１と同様に粒度分布計により測定したところ、やはり、砥粒の０．１μｍ付近のピークのみ観察され、他の粒径におけるピークは確認できなかった。
【００５４】
このフィルター表面に捕捉された微粒子数をＪＩＳ Ｋ ０５５４の規定に準じて計測したところ、本実施例で用いた半導体用研磨スラリー１ｍＬ中に含まれる異物の微粒子数は、８×１０３個／ｍＬであった。
【００５５】
また、異物の成分分析を行ったところ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉであり、乾燥凝集物や研磨くずに由来する異物であると推測される。
【００５６】
なお、実施例１及び２において、ｐHを調整することでゼータ電位を同符号とし、砥粒の凝集及び砥粒のフィルターへの吸着を有効に抑えることができたため、フィルター表面の観察において観察された砥粒（凝集物は除く）はごく少数であった。
【００５７】
（実施例３）
実施例１と同様の操作において、ろ過操作の前に半導体研磨スラリーのｐＨをｐＨ調整剤により調整した以外は、同一としてフィルター表面の観察を行った。このとき、ｐＨを２．０、５．０、７．０、１１．０に調整して、それぞれフィルター表面における付着物の量を計測した。その結果を表１に示した。
【００５８】
【表１】
【００５９】
このとき、付着物の量の評価は、２００個／1視野を超えるとき多く、１００個／１視野以下のとき少ないとした。付着物の量が１００個／１視野以下であればフィルター表面の観察を有効に行うことができ、さらに５０個／１視野以下であればよりノイズの少ない観察を行うことができる点で好ましい。
【００６０】
以上の結果より、ろ過する半導体研磨スラリーのｐＨを中性付近からアルカリ側に調整することで、フィルター上に付着する砥粒の量を減らし、フィルター表面の観察における砥粒によるノイズを低減することができることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施例１における、走査型電子顕微鏡により観察されたフィルター表面の状態を表した図である。
【図２】サンプリングした半導体用研磨スラリーの粒度分布を示した図である。
【図３】実施例２における、走査型電子顕微鏡により観察されたフィルター表面の状態を表した図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、
スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である、孔径が０．１ｎｍ〜１００μｍのろ過膜に、前記サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、
前記ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、
を有することを特徴とするスラリー中の異物検査方法。
【請求項２】
前記ろ過膜と前記砥粒とのゼータ電位が同符号であることを特徴とする請求項１記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項３】
前記サンプリング工程で採取したスラリーにｐＨ調整剤又は分散剤を添加して、砥粒の凝集を防止することを特徴とする請求項１又は２項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項４】
前記異物の検査が、走査型電子顕微鏡により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項５】
前記異物の検査が、走査型電子顕微鏡及びエネルギー分散型Ｘ線分析装置により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項６】
前記異物の検査が、微生物を検出する方法により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項１】
半導体用研磨スラリーを採取するサンプリング工程と、
スラリー中に含まれる砥粒は通過させ、砥粒よりも大きな異物は捕捉することが可能である、孔径が０．１ｎｍ〜１００μｍのろ過膜に、前記サンプリング工程で採取したスラリーを通液し、ろ過するろ過工程と、
前記ろ過工程で得られた、スラリーを通液したろ過膜の表面に存在する異物を検査する異物検査工程と、
を有することを特徴とするスラリー中の異物検査方法。
【請求項２】
前記ろ過膜と前記砥粒とのゼータ電位が同符号であることを特徴とする請求項１記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項３】
前記サンプリング工程で採取したスラリーにｐＨ調整剤又は分散剤を添加して、砥粒の凝集を防止することを特徴とする請求項１又は２項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項４】
前記異物の検査が、走査型電子顕微鏡により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項５】
前記異物の検査が、走査型電子顕微鏡及びエネルギー分散型Ｘ線分析装置により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【請求項６】
前記異物の検査が、微生物を検出する方法により行われることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のスラリー中の異物検査方法。
【図２】
【図１】
【図３】
【図１】
【図３】
【公開番号】特開２００７−１２７５４４（Ｐ２００７−１２７５４４Ａ）
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３２１０４０（Ｐ２００５−３２１０４０）
【出願日】平成１７年１１月４日（２００５．１１．４）
【出願人】（０００２４５５３１）野村マイクロ・サイエンス株式会社 (116)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月４日（２００５．１１．４）
【出願人】（０００２４５５３１）野村マイクロ・サイエンス株式会社 (116)
【Ｆターム（参考）】
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