半導体素子のための非活性化保護リング
【課題】半導体素子、特にショットキーダイオードのような金属対半導体整流接合を組み込む半導体素子を提供する。
【解決手段】保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。保護リングは、高抵抗領域を形成するために、半導体コンタクト層を完全にアニール処理することなく半導体コンタクト層内へのイオン注入によって形成される。保護リングは、層のエッジ部か又は代替的に層のエッジ部からある一定距離を離して位置することができる。ショットキー金属接点は、層の上に形成され、ショットキー接点のエッジ部は、保護リングの上に配置される。
【解決手段】保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。保護リングは、高抵抗領域を形成するために、半導体コンタクト層を完全にアニール処理することなく半導体コンタクト層内へのイオン注入によって形成される。保護リングは、層のエッジ部か又は代替的に層のエッジ部からある一定距離を離して位置することができる。ショットキー金属接点は、層の上に形成され、ショットキー接点のエッジ部は、保護リングの上に配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、より具体的には、ショットキーダイオードのような金属−半導体整流接合を組み込む半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ショットキー接合として公知の金属−半導体整流接合を有する半導体素子は、多くの用途に対して望ましいものである。一例として、順方向バイアスから逆方向バイアスへ、更に元に戻す切り換えの間のエネルギ損失がシステムの効率に大きく影響を与える可能性があり、スイッチング電源において出力整流器として使用される時のように順方向バイアス下では高い電流の導通が望まれ、かつ逆方向バイアス下では電流の導通が殆ど又は全く望まれない用途に対しては、ショットキーダイオードとして公知のこのような接合を有するダイオードが望ましい。ショットキーダイオードは、整流金属−半導体接合の障壁高さが低いためにターンオン電圧が低く、ショットキーダイオードが主として多数キャリヤ素子であるためにスイッチング速度が速い。
【０００３】
金属対ドープ半導体接合の整流特性は、接触金属相と半導体本体のそれぞれの仕事関数と半導体表面状態に基づく接触電位差とから生じるものである。素子が順方向バイアスされた時には、接触電位差が克服されて素子は導通する。これとは対照的に、素子が逆方向バイアスされると、逆方向に流れる電流は殆ど又は全くない。しかし、印加された逆バイアス電圧は、金属接点のエッジ部の近くの半導体本体領域に高い電界を作り、漏れ電流をもたらす可能性がある。更に、逆バイアス電圧が十分に高い時には、高い場の濃度が増加し、素子内にアバランシェ降伏をもたらす場合がある。
【０００４】
逆バイアスショットキー接点のエッジ効果を低減するために、保護リングを半導体本体の金属接点のエッジ部の下の領域に形成することができる。保護リングは、一般的に、金属接点エッジ部近くの電界を小さくしてこれらのエッジ部での曲率半径効果を低減する、半導体本体と反対の導電型の領域である。その結果、素子がより高い電圧の用途に適するように、ショットキー障壁の降伏電圧が上がり、漏れ特性が改善される。
【０００５】
一般的に、保護リングは、イオンがドーパント種を半導体本体内に注入することによって形成され、ドーパント種は、半導体本体の導電型と反対の導電型である。ドーパントを半導体本体に組み込むために、高温アニール処理が行われ、これによって、結晶格子内のいくつかの位置で半導体本体の原子を注入ドーパント原子が置換する。１回の注入量が十分に高い時は、アニール処理により、注入領域の導電型が逆になる。しかし、窒化物ベースの半導体のような一部の半導体材料の場合は、このような逆転は達成し難いものである。更に、アニール処理によって半導体本体の表面が損傷し、金属コンタクト層と半導体の間の接触不良をもたらすことになる。
【０００６】
【特許文献１】米国特許仮出願第６０／４３０，８３７号
【特許文献２】米国特許出願第１０／７２１，４８８号
【特許文献３】米国特許出願第１０／７８０，５２６号
【特許文献４】米国特許出願第１０／７８０，３６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、半導体の表面を損傷することない、ショットキー接合を有する半導体素子のための保護リングを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
保護リングを半導体構造体内に形成する方法は、本発明の態様に従うものである。少なくともコンタクト層を含む半導体本体が準備される。少なくとも１つのイオン種をコンタクト層の少なくとも１つの部分に注入して、少なくとも１つの注入領域をそこに形成する。注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置されているか又は配置される接点の表面の一部分に少なくとも隣接して配置される。その後、注入領域を完全にアニール処理することなく、半導体本体を処理する。
半導体構造体は、本発明の別の態様によるものである。半導体本体は、少なくともコンタクト層を含む。コンタクト層の少なくとも１つの部分に、少なくとも１つの保護リングが形成される。保護リングは、少なくとも注入イオン種を有しかつショットキー金属接点のエッジ部が配置されたコンタクト層の表面の一部分に少なくとも隣接して配置される注入領域を含む。注入領域は、不完全にアニール処理される。
【０００９】
本発明のこれらの態様によれば、注入領域は、ドープ領域の表面に隣接することができる。注入領域の端部は、ショットキー金属接点のエッジ部に隣接することができる。注入領域の端部は、コンタクト層のエッジ部に位置することができる。注入領域は、コンタクト層のエッジ部から少なくとも１μｍ離れて位置することができ、注入領域は、コンタクト層のエッジ部から最大１０μｍ離れて位置することができる。イオン種は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2の１回の量で注入することができ、最大１Ｅ１６ｃｍ-2の１回の量で注入することができる。イオン種は、ドープ領域の表面に対してゼロ傾斜角で注入することができ、又は、最大１４度の傾斜角で注入することができる。ドープ領域の表面の少なくとも上にマスク層を形成し、その後、パターン化して少なくとも１つの開口部をそこに形成することができ、この開口部を通ってイオン種がドープ領域のその部分の中に注入される。
【００１０】
更なる処理の前に、半導体本体の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングすることができ、半導体本体に更に別の表面と、この更に別の表面から上方に突出してコンタクト層の少なくとも一部を含む少なくとも１つのメサとを形成することができる。パターン化及びエッチングは、イオン種を注入する前に実施することができ、イオン種は、メサの側壁を通じて注入することができる。パターン化及びエッチングが注入領域の一部分を除去するように、パターン化及びエッチングの前にイオン種の注入を実施することができる。
【００１１】
コンタクト層は、窒化物ベースの半導体、窒化ガリウムベースの半導体、及び／又はＧａＮを含むことができる。注入領域は、完全な非アニール処理領域とすることができる。
ショットキー接合を半導体構造体に形成することができ、これによって、本発明の先の態様に従って保護リングが半導体構造体に形成され、金属接点層がコンタクト層の少なくとも一部の上に形成されてそれとのショットキー接合を形成する。
本発明の先の態様に従って、ショットキーダイオードを形成することができ、これによって、基板の表面上に少なくとも１つの半導体層が形成されてコンタクト層を少なくとも含み、半導体本体は、シリコン基板とこの少なくとも１つの半導体層を含み、ショットキーダイオードは、コンタクト層の少なくとも一部の上に形成された金属接点を更に含み、それとのショットキー接合を形成する。少なくとも１つの更に別の金属接点を、コンタクト層上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１２】
半導体層の少なくとも１つの領域は、金属接点層を形成する前にパターン化及びエッチングすることができ、半導体本体の少なくとも１つの更に別の表面と少なくとも１つのメサとを形成することができ、メサは、この更に別の表面から上方に突出してコンタクト層を少なくとも含み、メサの上にショットキー接合を形成することができる。パターン化及びエッチングは、イオン種を注入する前に実施することができる。半導体本体のこの更に別の表面は、より低い接触面とすることができ、少なくとも１つの更に別の金属接点を、このより低い表面上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１３】
半導体本体の１つ又はそれ以上の領域は、パターン化及びエッチングすることができ、更に別の表面から上方に突出する複数のメサを形成することができ、メサの少なくともいくつかの各々は、少なくとも１つの保護リングを含む。複数の金属接点を形成することができ、その各々は、複数のメサのそれぞれのものの上に配置され、そのメサの少なくとも上面とのそれぞれのショットキー接点を形成する。
基板は、絶縁材料とすることができ、又は半導体とすることもできる。少なくとも１つの更に別の金属接点を、基板の別の表面上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１４】
ショットキーダイオードを本発明の先の態様に従って形成することができ、少なくとも１つの半導体層は、基板の表面上に形成されてコンタクト層を少なくとも含み、半導体本体は、基板と少なくとも１つの半導体層を含み、ショットキーダイオードは、少なくとも１つのイオン種を注入する前にコンタクト層の少なくとも一部の上に形成されてそれとのショットキー接合を形成する金属接点を更に含み、この金属接点は、注入領域が金属接点に対して自己整列するように、少なくとも１つのイオン種の注入をマスキングする。
【００１５】
少なくとも１つのイオン種を注入する前に、少なくとも１つの更に別の金属接点を半導体層上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができ、それは、イオン種の注入を更にマスキングする。
金属接点を形成する前に、半導体層の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングし、半導体本体に少なくとも１つのより低い接触面と少なくとも１つのメサとを形成することができ、メサは、この更に別の表面から上方に突出してドープ領域を少なくとも含み、ショットキー接点は、メサの上に形成され、少なくとも１つのイオン種を注入する前に、少なくとも１つの更に別の金属接点が、より低い接触面上にそれと実質的にオーム接触するように形成され、この少なくとも１つのイオン種の注入を更にマスキングする。
【００１６】
本発明の更に別の態様は、上述の方法に従って形成されるショットキー接合を含む。
本発明の更に別の態様は、上述の方法で形成されるショットキーダイオードを含む。
本発明の上述の態様、特徴、及び利点は、好ましい実施形態の以下の説明及び添付図面を参照して考察した時に更に評価されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的概略断面図である。
【図２】本発明の別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的概略断面図である。
【図３Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図３Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図３Ｃ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図４Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図４Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図５Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体の形成における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図５Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体の形成における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図６】本発明の更に別の態様による複数のメサを有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図７】本発明の更に別の態様による複数のメサを有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図９Ａ】本発明の更に他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図９Ｂ】本発明の更に他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図１０】本発明の付加的な態様による平面構造を有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図１１】本発明の更に付加的な態様による平面構造を有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード１００の断面図を示すものである。ショットキーダイオードは、絶縁基板１０２及び任意的に緩衝構造体１０４を含む。緩衝構造体１０４の上に又は緩衝構造体が存在しない時は直接基板１０２の上に高度にドープされた半導体層１０６が配置される。ドープ量が多い方の半導体層１０６の一部分の上に、ドープ量が少ない半導体層、つまりドープが意図的なものではない半導体層とすることができ、かつ好ましくはメサの形である半導体コンタクト層１０８が配置される。半導体コンタクト層１０８の上にショットキー金属接点１１０が位置し、半導体層１０８を有する金属−半導体整流接合を形成する。ショットキー金属接点１１０の上に、より厚いポンドパッド金属層１１２が配置される。
【００１９】
半導体層１０８内に保護リング１２０が形成され、メサのエッジ部に又はその近くに位置することになる。保護リングの一部分は、保護リングの残りの部分が金属接点の外側に配置されるように、ショットキー金属接点１１０のエッジ部の下に配置することができる。代替的に、保護リング全体は、金属接点１１０の外側に配置されるが金属接点エッジ部に対して整列し、好ましくは、保護リングが金属接点から横方向に分離されないように金属接点に隣接し、分離すれば、保護リングの効果が損なわれることになる。
【００２０】
保護リング１２０は、ショットキー金属接点のエッジ部に位置する高い電界を低減すると共に、素子が逆バイアスされた時に発生する漏れ電流を少なくする役目をする。保護リング１２０の上面は、半導体層１０８とショットキー金属接点１１０の間に形成されたショットキー障壁に密接し、より好ましくは、ショットキー障壁に位置する。保護リングの底部は、半導体コンタクト層１０８によってドープ量が多い方の層１０６から分離されている。この分離により、保護リングと層１０６の間の接合の形成が保持される。
保護リングは、半導体層１０８への１つ又はそれ以上のイオン種の注入によって形成される高抵抗領域である。しかし、注入イオン種は、アニール処理のようなその後の処理中に活性化されず、その結果、イオン注入によって導入された表面電荷は、層１０８の上面に留まることになる。
【００２１】
ドープ量が多い方の層１０６の一部分の上にオーム金属接点１１６が配置され、オーム金属接点１１６の上により厚いボンドパッド金属層１１８が配置される。少なくともオーム金属接点１１６及びボンドパッド層１１８によって形成された積層構造体と、半導体層１０８、ショットキー金属接点１１０、及びポンドパッド金属層１１２によって形成された積層構造体との間には非活性化層１１４を形成することができる。
【００２２】
図２は、本発明の別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード１５０の断面図を示すものである。ショットキーダイオード１５０の構造は、図１に示すショットキーダイオード１００の構造と類似のものであり、同じ参照番号は、同じ領域を表すものである。
イオンが注入されたものであるが非活性化された保護リング１２２は、メサのエッジ部から所定の距離分だけ、一般的に１から１０μｍだけずれた層１０８内に形成される。保護リング層１２２の上部は、半導体層１０８の上部に又はその近くに位置することになる。ショットキー金属接点１１０とポンドパッド金属層１１２は、ショットキー金属接点のエッジ部が保護リングを覆うように又は保護リングのエッジ部に位置するように図１に示す対応する層よりも長さが短く、その結果、保護リングは、素子１５０が逆バイアスされた時にショットキー金属接点のエッジ部に存在する高い電界を最小限に抑えるものである。
【００２３】
図３Ａから図３Ｃは、半導体層構造体内での本発明の更に別の実施形態による保護リングの形成の段階を示すものである。この工程は、横方向に導通するショットキーダイオード、垂直方向に導通するショットキーダイオード、又は、ショットキー障壁を組み込む別の形式の素子の形成工程の一部とすることができる。
図３Ａは、１つ又はそれ以上の更に別の層が形成される基板の上に形成される半導体構造体の断面を示すものである。基板３０２は、理想的には基板の上に成長することになる半導体金属の格子間隔に等しいか又はほぼ等しい格子間隔（結晶格子内の隣接原子間の間隔）を有する。これによって、結晶格子内の変位のような半導体内に形成される欠陥の数が少なくなる。また、このような半導体層の成長後に半導体材料が冷却された時に、基板の方が半導体層よりも収縮量が大きく、その結果半導体層が圧縮されて層内の割れの形成が回避されるように、基板は、半導体材料の熱膨張率に少なくとも等しい熱膨張率を有することが非常に望ましい。
【００２４】
基板３０２が横方向に導通するショットキーダイオードの一部である時には、基板は、一般的に、結晶サファイア、シリコンカーバイド、又は未ドープシリコンウェーハのような絶縁つまり不導通基板である。半導体層と基板の間の格子不適合及び熱伝導率不適合を補正するために、緩衝構造体３０４を基板３０２の上に設置することができる。その後に成長することになる半導体材料が、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は窒化ガリウムベース材料のような窒化物ベースの半導体である時は、緩衝層は、窒化物ベース材料の１つ又はそれ以上の層で構成され、基板格子構造と窒化ガリウム又は他の窒化物ベースの半導体層の格子構造との間の遷移をもたらすことができる。
【００２５】
基板３０２が垂直方向に導通するショットキーダイオードの一部である時は、基板３０２は、緩衝構造体３０４が形成されるドープ基板である。基板がドープシリコンウェーハであり、その後に堆積されることになる半導体材料がＧａＮ又はＧａＮベースの材料などの窒化物ベースの半導体である時は、緩衝構造体３０４は、基板３０２の上面に重なり合う窒化物半導体の多結晶核生成層と、核生成層の上に配置されて、異なる組成の１つ又はそれ以上の窒化物ベースの半導体を含む１つ又はそれ以上の超格子とを含む構造体とすることができる。核生成層を形成する前にシリコン基板の上にアルミニウム層を堆積することができる。このような構造体の形成は、共に「窒化ガリウムベース素子及び製造方法」という名称の２００２年１２月４日出願の米国特許仮出願第６０／４３０，８３７号及び２００３年１１月２５日出願の米国特許出願第１０／７２１，４８８号で説明されており、それらの開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００２６】
本開示で使用される時には、「ＩＩＩ−Ｖ半導体」という用語は、化学量論的公式ＡｌaＩｎbＧａcＮdＡｓeＰfに従った複合半導体材料を指し、ここで、（ａ＋ｂ＋ｃ）は約１であり（ｄ＋ｅ＋ｆ）も約１である。「窒化物半導体」又は「窒化物ベースの半導体」という用語は、ｄが０．５又はそれ以上、最も一般的には０．８又はそれ以上であるＩＩＩ−Ｖ半導体を指すものである。半導体材料は、純粋な窒化物半導体、すなわち、ｄが約１．０である窒化物半導体であることが好ましい。「窒化ガリウムベースの半導体」という用語は、本明細書で使用される時には、ガリウムを含み、最も好ましくは、存在する主要金属としてガリウムをｃ≧０．５、最も好ましくは≧０．８で含む窒化物半導体を指すものである。半導体は、ｐ型又はｎ型導電性を有することができ、ｐ型又はｎ型導電性は、従来のドーパントによって与えることができ、また、特定の半導体材料の固有の導電型から生じる可能性がある。例えば、欠陥を有する窒化ガリウムベースの半導体は、一般的に、ドープされていない時でさえも本質的にｎ型である。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ、及びＯのような従来の電子供与体ドーパントを使用してｎ型導電性を窒化物半導体に与えることができ、一方、ｐ型窒化物半導体は、Ｍｇ及びＺｎのような従来の電子受容体を含むことができる。
【００２７】
次に、半導体層３０６は、緩衝構造体３０４の上に又は緩衝構造体が存在しない時には直接に基板３０２の上に形成される。形成された素子がショットキーダイオードである時には、半導体層は、一般的に、反応スパッタリング、有機金属結晶成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、又は原子層エピタキシのようなエピタキシャル成長工程を用いて形成されるドープ量の多い層である。形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合に加えて更に別の半導体素子構造体を含む別の素子である時は、層３０６は、更に別の半導体素子構造体を含むことができる。
【００２８】
ドープ量の多い半導体層がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体であり、かつ反応スパッタリング法が使用される時は、ターゲット及び基板の両方が窒化物及び１つ又はそれ以上のドーパントを含むガス状雰囲気内にある間、ガリウム、アルミニウム、及び／又はインジウムのような半導体の金属構成要素は、基板と密接して配置された金属ターゲットから取り除かれる。代替的に、ドープ量の多い層３０６が窒化物ベースの半導体であり、かつＭＯＣＶＤが使用される時は、基板は、金属の有機化合物を含む雰囲気、並びにアンモニア及びドーパント含有ガスのような反応性窒化物含有ガスに露出される。基板は、高温、一般的に約７００°から１１００°に維持され、ガス状化合物が分解して結晶材料のフィルムの形態のドープ半導体を基板の表面に形成する。その後、基板及び成長したフィルムは冷却される。得られるドープ量の多い層１０６は、少なくとも４Ｅ１８ｃｍ-3のドープ濃度を有するｎ型であることが好ましい。
【００２９】
その後、半導体コンタクト層３０８が形成される。半導体層３０８は、一般的に、反応性スパッタリング、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、又は原子層エピタキシのような上述の方法を用いてエピタキシャル成長させる。層１０８は、上述の方法でドーパント種の導入によりドープ層として成長させることができ、又は、反応チャンバ壁から及び／又は基板を保持する大皿から除去された種によってドープされるドープが意図的ではない層として成長させることができる。
【００３０】
半導体層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、半導体層３０８は、ｎ型であることが好ましく、０．１Ｅ１６ｃｍ-3と２Ｅ１６ｃｍ-3の間のドープ濃度を有することが好ましい。変調ドープ法を用いて、反復可能かつ均一な方法で窒化物ベースの半導体層内にこのような低ドープレベルを達成することができる。このような変調ドープ法の説明は、２００４年２月１４日出願の米国特許出願第１０／７８０，５２６号で説明されており、その開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００３１】
次に、図３Ｂが示すように、半導体層３０８は、層３０８の１つ又はそれ以上の領域を露出させるために公知のリソグラフィ方法でパターン化される。その後、下にあるドープ量の多い層３０６を露出させて層３０８から少なくとも１つのメサを形成するために、公知の反応イオンエッチング、他のプラズマエッチング、又は湿式エッチング方法などを用いて層３０８の露出部分をエッチング処理する。露出した層３０８の上部もエッチングすることができる。
形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時は、半導体層３０８のパターン化及びエッチング段階は省略することができる。
【００３２】
その後、図３Ｃに示すように、層３０８内に保護リング３２０を形成する。保護リングを形成することになる領域で行う層１０８への少なくとも１つのイオン種の１回又はそれ以上の注入により保護リング３２０を形成する。保護リングを形成するための公知の方法とは対照的に、注入領域をアニール処理しないことが好ましく、又は、注入領域が高抵抗領域となるように、その後の処理中に高々不完全にアニール処理される。更に、注入種がドーパント種である時は、注入種を活性化させないことになる。保護リング３２０は、層３０８のメサのエッジ部に設置することができ、又はメサのエッジ部から離れた位置、一般的にメサのエッジ部から１から１０μｍ離れた位置に形成することができる。
【００３３】
イオン注入の前に、レジストマスク層、誘電マスク層、金マスク層、又は他の金属マスク層のような層３０８の上に、並びに、任意的に、露出したドープ量の多い層３０６の上に形成するマスク層の堆積及びパターン化を行うことができる。パターン化されたマスク層は、メサの上面エッジ部の領域又はメサのエッジ部から１から１０μｍだけ離れた位置にある領域を露出させることができる。その後、半導体層３０８の表面に対してゼロ傾斜角でイオン種を注入することができる。マスクパターンの開口部によってメサのエッジ部の領域が露出する時は、その開口部によってドープ量の多い層３０６に隣接する領域も露出する可能性がある。ドープ量の多い層内への結果的に生じる注入は、注入がドープ量の多い層の深さ全体に及ばない限り、ドープ量の多い層の電流搬送機能には重大な影響を及ぼさない。
【００３４】
代替的に、レジスト堆積段階及びパターン化段階を省略することができ、注入領域は、注入種がメサの側壁を通じて層３０８に入るような高い傾斜角度、一般的に最大１４度までで形成することができる。メサのエッジ部での保護リングが望ましい時は、イオン注入をより低いエネルギで実施することができる。代替的に、保護リングをメサのエッジ部から離れた位置に形成する時は、高い注入エネルギが必要される可能性がある。イオン注入エネルギの範囲は、一般的に１０ｋｅＶから４００ｋｅＶの間である。
【００３５】
層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、注入イオン種は、マグネシウム（Ｍｇ）又は亜鉛（Ｚｎ）であることが好ましい。しかし、代替的に、注入イオン種は、窒素（Ｎ）のような層３０８を形成する種のうちの１つ又はそれ以上であるとすることができ、又は、イオン種は、他のＩＩＩ族又はＶ族元素とすることができる。更なる代替として、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び硼素（Ｂ）のような他の元素の注入も、同じく高抵抗領域を形成することが公知である。１回の注入量は、一般的に５Ｅ１２から１Ｅ１６ｃｍ-2の範囲であるが、約３．８Ｅ１３ｃｍ-2であることが好ましい。
【００３６】
イオン種が層３０８に注入された時に、イオン種は、結晶格子に衝突すると層３０８を形成する原子間の結合を破壊することによって欠陥を生じる。一例として、層３０８がＧａＮである時には、Ｇａ−Ｎ結合は、注入種によって破壊される。欠陥により半導体層３０８の禁止帯のレベルが深くなり、これが伝導キャリヤに対する落とし穴になり、それによってキャリヤの数が少なくなる。その結果、注入領域の抵抗が大きくなる。欠陥は、素子のその後の処理を通じて半導体層３０８に留まるが、その理由は、この構造体がその後のいかなる高温アニール処理にも露出されず、又は不完全にアニール処理され、層３０８の再結晶化を回避し、半導体層３０８の上面での注入段階によって導入された表面電荷の保持するためである。
【００３７】
その後、高い仕事関数を有する接触材料（図示せず）を公知の方法で半導体コンタクト層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上に形成すると、層３０８との金属−半導体整流接合が形成される。最初に、ショットキー接触金属をメサ上面全体の上に堆積させ、その後にパターン化及びエッチングを行うことにより、パターンが保護リング３２０に対して整列することが好ましい。半導体層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、ショットキー金属接点は、一般的に白金（Ｐｔ）層、パラジウム（Ｐｄ）層、又はニッケル（Ｎｉ）層から成る。
【００３８】
形成された素子が横方向に導通するショットキーダイオードである時は、オーム金属接点を、１つ又はそれ以上のメサの外側及び／又はその間の位置に、ドープ量の多い層の上に形成する。ドープ量の多い半導体層３０６がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、オーム金属接点は、一般的に、アルミニウム／チタン／白金／金（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）又はチタン／アルミニウム／白金／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）から成るが、金属の他の組合せを用いてもよい。
代替的に、形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時は、オーム金属接点を基板３０２の裏側に形成する。
更なる代替として、形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合を組み込む別の素子である時には、他の処理段階が続く場合がある。
【００３９】
図４Ａ及び図４Ｂは、保護リングを形成するイオン注入が素子の最上層のエッチングの前に行われる本発明の代替的実施形態の段階を示すものである。
図４Ａは、任意的な緩衝層３０４、ドープ量の多い半導体層３０６、及び半導体コンタクト層３０８が形成された基板３０２を含む半導体構造体の断面を示すものである。図３Ａに関連して上述した材料の１つで基板３０２を形成することができ、上述の方法で緩衝層３０４、及び層３０６及び３０８を同様に形成することができる。
【００４０】
半導体層３０８形成後に、保護リング３２０をその中に形成する。上述のように、パターン化されたマスクを上述のように用い、ゼロ又は小さな傾斜角度での注入によって保護リングを形成することができる。代替的に、より大きな傾斜角度及びより大きなエネルギでは、注入によるマスク層を用いずに半導体層３０８のメサの側面を通じて注入を実施することができる。図３Ｃに関連して上述した種、傾斜角度、１回の注入量範囲、及び注入エネルギを用いて注入を実施することができる。
【００４１】
次に、図４が示すように、保護リング３２０の外側にある層３０８の部分の一部又は全てを除去する。イオン注入によって形成される保護リングの数により、１つ又はそれ以上のメサを半導体層３０８から形成することができる。より低い接触領域を形成するために、層３０８の一部分を公知のパターン化法及びエッチング法を用いて、好ましくは、保護リング３２０に対して整列したマスクパターンを用いて除去する。また、注入領域の幅により、注入領域の一部分を除去することもできる。更に、層３０８の除去された領域の下にあるドープ量の多い半導体層３０６の上部を除去することもできる。
【００４２】
その後、上述の方法で層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上にショットキー金属接点を形成する。更に、形成された素子が横方向に導通するショットキーダイオードである時には、上述のように、ドープ量の多い半導体層３０６の１つ又はそれ以上の領域の上にオーム接点を形成し、形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時には、ここでもまた、上述のように基板３０２の裏側にオーム接点を形成する。代替的に、形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合を組み込む別の素子である時には、他の処理段階が続く場合がある。
【００４３】
図５Ａ及び図５Ｂは、保護リングを形成するイオン注入段階をショットキー金属接点形成後及びオーム金属接点形成後に実施する本発明の更に別の実施形態の段階を示すものである。
図５Ａは、上述の基板３０２、任意的な緩衝層３０４、ドープ量の多い半導体層３０６、及び半導体層３０８を含む半導体構造体の断面を示すものである。基板３０２は、図３Ａに関連して上述した材料の１つで形成することができ、緩衝層３０４、及び層３０６及び３０８は、上述の方法で同様に形成することができる。また、半導体構造体は、上述の方法で層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上に形成されたショットキー金属接点３１０、並びに上述の方法でドープ量の多い半導体層３０６の１つ又はそれ以上の領域の上に形成されたオーム接点を含む。この時点で、ショットキー金属接点３１０とオーム金属接点３１６の上に、それぞれボンドパッド金属層３１２及び３１８を形成することもできる。
【００４４】
その後、図５Ｂが示すように、ショットキー金属接点３１０及びオーム金属接点３１６の間に位置する領域を含む、半導体層３０８及びドープ量の多い半導体層３０６の露出領域に１つ又はそれ以上のイオン種を注入する。この１つ又はそれ以上の注入種は、一般的に、層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時に、図３Ａから図３Ｃを参照して上述したものである。注入イオンは、層３０８における保護リング３２０を形成する。保護リング３２０の幅は、ショットキー金属接点３１０のエッジ部か又は層３０８のメサのエッジ部まで延び、保護リング３２０の深さは、層３０８の上面から下方に延びるが、層の深さ全体に亘って延びるものではない。また、イオンは、層３０８のメサのエッジ部とドープ量の多い半導体層３０６との間に延びるドープ量の多い半導体層３０６の領域に注入されると、注入領域３２０Ａを形成する。ドープ量の多い半導体層３０６の厚み及び／又はイオン注入エネルギは、注入領域３２０Ａが順方向バイアス電流を阻止するのを回避するために、注入領域３２０Ａがドープ量の多い半導体層３０６の深さ全体に亘って下方に延びないように選択される。また、１回のイオン注入量は、順方向バイアス電流のこのような阻止を防ぐように選択することができる。
【００４５】
有利な態様では、層３０８の注入領域は、ショットキー金属接点３１０に対して自己整列し、そのために保護リング３２０は、ショットキー金属接点並びに層３０８のメサのエッジ部に対して同様に自己整列する。更に、注入マスク層の堆積及びパターン化が不要となる。更に、横方向に導通する素子が図５Ａ及び図５Ｂに示されているが、保護リングは、ショットキー金属接点のエッジ部と最上層のエッジ部とに自己整列した垂直方向に導通する素子の層３０８内に同様に形成することができる。
【００４６】
図６は、複数のメサが形成される本発明の更に別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード５００の断面を示すものである。基板５０２、任意的な緩衝層５０４、及びドープ量の多い層５０６は、図１に示す基板１０２、緩衝層１０４、及びドープ量の多い層１０６に対応するものであり、同じ材料で形成することができる。図１に示す半導体コンタクト層１０８に関連して上述したものと同じ材料で形成することができる半導体コンタクト層５０８をエッチングして、複数のメサを形成する。また、ドープ量の多い層５０６の上部は、ドープ量の多い層の残りの部分がメサ構造の一部を形成するようにエッチングすることができる。このような横方向に導通するショットキーダイオード及びその構造体を形成する方法は、２００４年２月１７日出願の米国特許出願第１０／７８０，３６３号で説明されており、その開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００４７】
ショットキー金属接点のエッジ部が保護リング５２０の上に位置する状態で、ショットキー金属接点５１０を層５０８のメサの上に配置する。厚い方のボンドパッド層５１２をショットキー金属接点５１０の上に設置する。
層５０８のメサの少なくともいくつかの間で及び／又はメサの外側でドープ量の多い層５０６の上にオーム金属接点５１６を設置する。オーム金属接点は、メサのいくつか又は全てを少なくとも部分的に取り囲むか又は完全に取り囲むことができる。オーム金属接点５１６の上にボンドパッド金属層５１８を形成する。
半導体層５０８のメサのエッジ部に又はその近くに保護リング５２０を配置する。保護リングは、図３Ａから図３Ｃを参照して上述したように層５０８のエッチング後、図４Ａ及び図４Ｂを参照して上述したように層のエッチング前、又は、図５Ａ及び図５Ｂを参照して上述したようにショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することができる。
【００４８】
図７は、本発明の更に別の態様による横方向に導通するショットキーダイオード５５０の断面を示すものである。横方向に導通するショットキーダイオード５５０は、図６を参照して上述したものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。
しかし、保護リング５２２は、図３Ａから図３Ｃ、図４Ａから図４Ｂ、又は図５Ａから図５Ｂに関連して上述した方法で半導体層５０８のメサのエッジ部から離れた位置に形成される。メサの上に配置される各ショットキー接点５１０及び各ボンドパッド金属５１２の長さは、ショットキー金属接点５１０が保護リングの一部の上に配置されるか、又はショットキー金属接点５１０のエッジ部が保護リングに対して整列するか又は自己整列するように相応に低減される。
【００４９】
図８Ａは、本発明の別の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオード７００の断面を示すものである。このショットキーダイオードは、任意的な緩衝構造体７０４、ドープ量の多い半導体層７０６、及び半導体コンタクト層７０８が図３Ａを参照して上述したように基板７０２の前側に形成された導通基板７０２を含む。半導体層７０８をエッチングしてメサをドープ量の多い半導体層７０６の上に形成することができ、代替的に、層７０８は、ドープ量の多い半導体層と同じ長さを有することができる。ショットキー接点のエッジ部が保護リング７２０の上に配置されるように、ショットキー金属接点７１０及びボンドパッド金属層７１２を半導体層７０８の上に形成する。基板の裏側にオーム金属接点７１６及び更に別のボンドパッド金属７１８を形成する。図３Ｂから図３Ｃ、図４Ａから図４Ｂ、又は図５Ａから図５Ｂに関連して上述した方法で保護リング７２０を層７０８のエッジ部に形成する。代替的に、図８Ｂは、複数の保護リング７２１が上述の方法で層７０８内に形成される点を除いて、図８Ａに示すものと類似の構造を有するショットキーダイオード７３０を示している。
【００５０】
図９Ａは、本発明の更に別の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオード７５０の断面を示すものである。この垂直方向に導通するショットキーダイオードは、図８Ａに示すものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。図３Ａから図３Ｃ、図４Ａ及び図４Ｂ、又は図５Ａ及び図５Ｂに関連して上述した方法で、保護リング７２２を半導体層７０８のエッジ部から隔てたところに形成する。ショットキー金属接点７１０及びボンドパッド金属層７１２の長さは、ショットキー金属接点７１０が保護リング７２２に重なり合うように、又はショットキー金属接点のエッジ部が保護リングに整列又は自己整列するように相応に低減される。図９Ｂは、複数の保護リング７２４が上述の方法で層７０８内に形成される点を除いて、ショットキーダイオード７６０が図９Ａに示すものと類似の構造を有する代替配置を示すものである。
【００５１】
図１０は、半導体本体の上面が平面構造を有する本発明の更に別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードの断面を示すものである。この素子は、図１に示す基板１０２及び緩衝層１０４に対応し、かつ同じ材料で形成することができる絶縁基板９０２及び任意的な緩衝層９０４を含む。基板９０２及び／又は緩衝層９０４の上に、図１に関連して上述した層１０６と同じ層とすることができる半導体層９０６を配置する。層９０６の１つ又はそれ以上の領域の上にショットキー金属接点９１０を配置し、層９０６の１つ又はそれ以上の更に別の領域の上にオーム金属接点９１６を形成する。ショットキー金属接点及びオーム金属接点の両方は同じ半導体層上に配置されるので、接点の接合特性は、ショットキー金属接点及びオーム金属接点を形成するのに選択された金属によって判断される。
【００５２】
保護リング９２０は、ドープ半導体層９０６内に配置され、ショットキー金属接点９１０とオーム金属接点９１６のエッジ部との間に延びている。保護リングは、図４Ａ及び図４Ｂを参照して上述したように、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成の前に形成することができるが、保護リング９２０がショットキー金属接点及びオーム金属接点に自己整列するように、図５Ａ及び図５Ｂを参照して上述したようにショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することが好ましい。また、保護リング９２０は、ドープ層９２０の上面から下方に延びるが、順方向バイアス電流の阻止を回避するために部分的にのみ層９０６を通っている。
【００５３】
図１１は、本発明の更に別の態様による横方向に導通する平面ショットキーダイオードの断面を示すものである。このショットキーダイオードは、図１０を参照して上述したものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。しかし、保護リング９２４は、ドープ半導体層９０６内に設けられており、図１０に示すようにショットキー金属接点とオーム金属接点の間の領域全体に沿って延びるのではなく、ショットキー金属接点９１０のエッジ部の外側で数ミクロン延びるに過ぎない。また、保護リング９２４の一部分は、オーム金属接点９１０の下に延びることができる。保護リングは、図４Ａ及び図４を参照して上述したように、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成前に形成することが好ましい。代替的に、保護リングは、ショットキー金属接点とオーム金属接点の間の領域の一部分のみへの注入に制限するマスク層を利用して、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することができるが、好ましくは、それでもショットキー金属接点に対して自己整列するものである。
【００５４】
有利な態様では、本発明は、ショットキーダイオード又はショットキー障壁を有する他の素子の降伏電圧特性を改善し、並びにこのような素子の漏れ電流を低下させる保護リングを提供するものである。保護リングがイオン注入によって形成され、かつアニール処理されないか又は不完全にアニール処理されるために、半導体コンタクト層の上面での電荷が残り、素子の特性を改善する。
本発明を本明細書で特定的な実施形態を参照して説明したが、これらの実施形態は、本発明の原理及び用途を単に例示するものであることは理解されるものとする。従って、例示的な実施形態に対して多くの変更を行うことができ、特許請求の範囲によって規定された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の構成を考案することができることも理解されるものとする。
【符号の説明】
【００５５】
１００ ショットキーダイオード
１０２ 絶縁基板
１０４ 緩衝構造体
１０６ 半導体層
１０８ 半導体コンタクト層
１１０ ショットキー金属接点
１１２ ポンドパッド金属層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、より具体的には、ショットキーダイオードのような金属−半導体整流接合を組み込む半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ショットキー接合として公知の金属−半導体整流接合を有する半導体素子は、多くの用途に対して望ましいものである。一例として、順方向バイアスから逆方向バイアスへ、更に元に戻す切り換えの間のエネルギ損失がシステムの効率に大きく影響を与える可能性があり、スイッチング電源において出力整流器として使用される時のように順方向バイアス下では高い電流の導通が望まれ、かつ逆方向バイアス下では電流の導通が殆ど又は全く望まれない用途に対しては、ショットキーダイオードとして公知のこのような接合を有するダイオードが望ましい。ショットキーダイオードは、整流金属−半導体接合の障壁高さが低いためにターンオン電圧が低く、ショットキーダイオードが主として多数キャリヤ素子であるためにスイッチング速度が速い。
【０００３】
金属対ドープ半導体接合の整流特性は、接触金属相と半導体本体のそれぞれの仕事関数と半導体表面状態に基づく接触電位差とから生じるものである。素子が順方向バイアスされた時には、接触電位差が克服されて素子は導通する。これとは対照的に、素子が逆方向バイアスされると、逆方向に流れる電流は殆ど又は全くない。しかし、印加された逆バイアス電圧は、金属接点のエッジ部の近くの半導体本体領域に高い電界を作り、漏れ電流をもたらす可能性がある。更に、逆バイアス電圧が十分に高い時には、高い場の濃度が増加し、素子内にアバランシェ降伏をもたらす場合がある。
【０００４】
逆バイアスショットキー接点のエッジ効果を低減するために、保護リングを半導体本体の金属接点のエッジ部の下の領域に形成することができる。保護リングは、一般的に、金属接点エッジ部近くの電界を小さくしてこれらのエッジ部での曲率半径効果を低減する、半導体本体と反対の導電型の領域である。その結果、素子がより高い電圧の用途に適するように、ショットキー障壁の降伏電圧が上がり、漏れ特性が改善される。
【０００５】
一般的に、保護リングは、イオンがドーパント種を半導体本体内に注入することによって形成され、ドーパント種は、半導体本体の導電型と反対の導電型である。ドーパントを半導体本体に組み込むために、高温アニール処理が行われ、これによって、結晶格子内のいくつかの位置で半導体本体の原子を注入ドーパント原子が置換する。１回の注入量が十分に高い時は、アニール処理により、注入領域の導電型が逆になる。しかし、窒化物ベースの半導体のような一部の半導体材料の場合は、このような逆転は達成し難いものである。更に、アニール処理によって半導体本体の表面が損傷し、金属コンタクト層と半導体の間の接触不良をもたらすことになる。
【０００６】
【特許文献１】米国特許仮出願第６０／４３０，８３７号
【特許文献２】米国特許出願第１０／７２１，４８８号
【特許文献３】米国特許出願第１０／７８０，５２６号
【特許文献４】米国特許出願第１０／７８０，３６３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、半導体の表面を損傷することない、ショットキー接合を有する半導体素子のための保護リングを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
保護リングを半導体構造体内に形成する方法は、本発明の態様に従うものである。少なくともコンタクト層を含む半導体本体が準備される。少なくとも１つのイオン種をコンタクト層の少なくとも１つの部分に注入して、少なくとも１つの注入領域をそこに形成する。注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置されているか又は配置される接点の表面の一部分に少なくとも隣接して配置される。その後、注入領域を完全にアニール処理することなく、半導体本体を処理する。
半導体構造体は、本発明の別の態様によるものである。半導体本体は、少なくともコンタクト層を含む。コンタクト層の少なくとも１つの部分に、少なくとも１つの保護リングが形成される。保護リングは、少なくとも注入イオン種を有しかつショットキー金属接点のエッジ部が配置されたコンタクト層の表面の一部分に少なくとも隣接して配置される注入領域を含む。注入領域は、不完全にアニール処理される。
【０００９】
本発明のこれらの態様によれば、注入領域は、ドープ領域の表面に隣接することができる。注入領域の端部は、ショットキー金属接点のエッジ部に隣接することができる。注入領域の端部は、コンタクト層のエッジ部に位置することができる。注入領域は、コンタクト層のエッジ部から少なくとも１μｍ離れて位置することができ、注入領域は、コンタクト層のエッジ部から最大１０μｍ離れて位置することができる。イオン種は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2の１回の量で注入することができ、最大１Ｅ１６ｃｍ-2の１回の量で注入することができる。イオン種は、ドープ領域の表面に対してゼロ傾斜角で注入することができ、又は、最大１４度の傾斜角で注入することができる。ドープ領域の表面の少なくとも上にマスク層を形成し、その後、パターン化して少なくとも１つの開口部をそこに形成することができ、この開口部を通ってイオン種がドープ領域のその部分の中に注入される。
【００１０】
更なる処理の前に、半導体本体の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングすることができ、半導体本体に更に別の表面と、この更に別の表面から上方に突出してコンタクト層の少なくとも一部を含む少なくとも１つのメサとを形成することができる。パターン化及びエッチングは、イオン種を注入する前に実施することができ、イオン種は、メサの側壁を通じて注入することができる。パターン化及びエッチングが注入領域の一部分を除去するように、パターン化及びエッチングの前にイオン種の注入を実施することができる。
【００１１】
コンタクト層は、窒化物ベースの半導体、窒化ガリウムベースの半導体、及び／又はＧａＮを含むことができる。注入領域は、完全な非アニール処理領域とすることができる。
ショットキー接合を半導体構造体に形成することができ、これによって、本発明の先の態様に従って保護リングが半導体構造体に形成され、金属接点層がコンタクト層の少なくとも一部の上に形成されてそれとのショットキー接合を形成する。
本発明の先の態様に従って、ショットキーダイオードを形成することができ、これによって、基板の表面上に少なくとも１つの半導体層が形成されてコンタクト層を少なくとも含み、半導体本体は、シリコン基板とこの少なくとも１つの半導体層を含み、ショットキーダイオードは、コンタクト層の少なくとも一部の上に形成された金属接点を更に含み、それとのショットキー接合を形成する。少なくとも１つの更に別の金属接点を、コンタクト層上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１２】
半導体層の少なくとも１つの領域は、金属接点層を形成する前にパターン化及びエッチングすることができ、半導体本体の少なくとも１つの更に別の表面と少なくとも１つのメサとを形成することができ、メサは、この更に別の表面から上方に突出してコンタクト層を少なくとも含み、メサの上にショットキー接合を形成することができる。パターン化及びエッチングは、イオン種を注入する前に実施することができる。半導体本体のこの更に別の表面は、より低い接触面とすることができ、少なくとも１つの更に別の金属接点を、このより低い表面上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１３】
半導体本体の１つ又はそれ以上の領域は、パターン化及びエッチングすることができ、更に別の表面から上方に突出する複数のメサを形成することができ、メサの少なくともいくつかの各々は、少なくとも１つの保護リングを含む。複数の金属接点を形成することができ、その各々は、複数のメサのそれぞれのものの上に配置され、そのメサの少なくとも上面とのそれぞれのショットキー接点を形成する。
基板は、絶縁材料とすることができ、又は半導体とすることもできる。少なくとも１つの更に別の金属接点を、基板の別の表面上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができる。
【００１４】
ショットキーダイオードを本発明の先の態様に従って形成することができ、少なくとも１つの半導体層は、基板の表面上に形成されてコンタクト層を少なくとも含み、半導体本体は、基板と少なくとも１つの半導体層を含み、ショットキーダイオードは、少なくとも１つのイオン種を注入する前にコンタクト層の少なくとも一部の上に形成されてそれとのショットキー接合を形成する金属接点を更に含み、この金属接点は、注入領域が金属接点に対して自己整列するように、少なくとも１つのイオン種の注入をマスキングする。
【００１５】
少なくとも１つのイオン種を注入する前に、少なくとも１つの更に別の金属接点を半導体層上にそれと実質的にオーム接触するように形成することができ、それは、イオン種の注入を更にマスキングする。
金属接点を形成する前に、半導体層の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングし、半導体本体に少なくとも１つのより低い接触面と少なくとも１つのメサとを形成することができ、メサは、この更に別の表面から上方に突出してドープ領域を少なくとも含み、ショットキー接点は、メサの上に形成され、少なくとも１つのイオン種を注入する前に、少なくとも１つの更に別の金属接点が、より低い接触面上にそれと実質的にオーム接触するように形成され、この少なくとも１つのイオン種の注入を更にマスキングする。
【００１６】
本発明の更に別の態様は、上述の方法に従って形成されるショットキー接合を含む。
本発明の更に別の態様は、上述の方法で形成されるショットキーダイオードを含む。
本発明の上述の態様、特徴、及び利点は、好ましい実施形態の以下の説明及び添付図面を参照して考察した時に更に評価されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的概略断面図である。
【図２】本発明の別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的概略断面図である。
【図３Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図３Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図３Ｃ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図４Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図４Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図５Ａ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体の形成における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図５Ｂ】本発明の更に別の実施形態による半導体層構造体の形成における非活性化保護リングの形成を拡大して示す断片的断面図である。
【図６】本発明の更に別の態様による複数のメサを有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図７】本発明の更に別の態様による複数のメサを有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図９Ａ】本発明の更に他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図９Ｂ】本発明の更に他の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図１０】本発明の付加的な態様による平面構造を有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【図１１】本発明の更に付加的な態様による平面構造を有する横方向に導通するショットキーダイオードを拡大して示す断片的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード１００の断面図を示すものである。ショットキーダイオードは、絶縁基板１０２及び任意的に緩衝構造体１０４を含む。緩衝構造体１０４の上に又は緩衝構造体が存在しない時は直接基板１０２の上に高度にドープされた半導体層１０６が配置される。ドープ量が多い方の半導体層１０６の一部分の上に、ドープ量が少ない半導体層、つまりドープが意図的なものではない半導体層とすることができ、かつ好ましくはメサの形である半導体コンタクト層１０８が配置される。半導体コンタクト層１０８の上にショットキー金属接点１１０が位置し、半導体層１０８を有する金属−半導体整流接合を形成する。ショットキー金属接点１１０の上に、より厚いポンドパッド金属層１１２が配置される。
【００１９】
半導体層１０８内に保護リング１２０が形成され、メサのエッジ部に又はその近くに位置することになる。保護リングの一部分は、保護リングの残りの部分が金属接点の外側に配置されるように、ショットキー金属接点１１０のエッジ部の下に配置することができる。代替的に、保護リング全体は、金属接点１１０の外側に配置されるが金属接点エッジ部に対して整列し、好ましくは、保護リングが金属接点から横方向に分離されないように金属接点に隣接し、分離すれば、保護リングの効果が損なわれることになる。
【００２０】
保護リング１２０は、ショットキー金属接点のエッジ部に位置する高い電界を低減すると共に、素子が逆バイアスされた時に発生する漏れ電流を少なくする役目をする。保護リング１２０の上面は、半導体層１０８とショットキー金属接点１１０の間に形成されたショットキー障壁に密接し、より好ましくは、ショットキー障壁に位置する。保護リングの底部は、半導体コンタクト層１０８によってドープ量が多い方の層１０６から分離されている。この分離により、保護リングと層１０６の間の接合の形成が保持される。
保護リングは、半導体層１０８への１つ又はそれ以上のイオン種の注入によって形成される高抵抗領域である。しかし、注入イオン種は、アニール処理のようなその後の処理中に活性化されず、その結果、イオン注入によって導入された表面電荷は、層１０８の上面に留まることになる。
【００２１】
ドープ量が多い方の層１０６の一部分の上にオーム金属接点１１６が配置され、オーム金属接点１１６の上により厚いボンドパッド金属層１１８が配置される。少なくともオーム金属接点１１６及びボンドパッド層１１８によって形成された積層構造体と、半導体層１０８、ショットキー金属接点１１０、及びポンドパッド金属層１１２によって形成された積層構造体との間には非活性化層１１４を形成することができる。
【００２２】
図２は、本発明の別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード１５０の断面図を示すものである。ショットキーダイオード１５０の構造は、図１に示すショットキーダイオード１００の構造と類似のものであり、同じ参照番号は、同じ領域を表すものである。
イオンが注入されたものであるが非活性化された保護リング１２２は、メサのエッジ部から所定の距離分だけ、一般的に１から１０μｍだけずれた層１０８内に形成される。保護リング層１２２の上部は、半導体層１０８の上部に又はその近くに位置することになる。ショットキー金属接点１１０とポンドパッド金属層１１２は、ショットキー金属接点のエッジ部が保護リングを覆うように又は保護リングのエッジ部に位置するように図１に示す対応する層よりも長さが短く、その結果、保護リングは、素子１５０が逆バイアスされた時にショットキー金属接点のエッジ部に存在する高い電界を最小限に抑えるものである。
【００２３】
図３Ａから図３Ｃは、半導体層構造体内での本発明の更に別の実施形態による保護リングの形成の段階を示すものである。この工程は、横方向に導通するショットキーダイオード、垂直方向に導通するショットキーダイオード、又は、ショットキー障壁を組み込む別の形式の素子の形成工程の一部とすることができる。
図３Ａは、１つ又はそれ以上の更に別の層が形成される基板の上に形成される半導体構造体の断面を示すものである。基板３０２は、理想的には基板の上に成長することになる半導体金属の格子間隔に等しいか又はほぼ等しい格子間隔（結晶格子内の隣接原子間の間隔）を有する。これによって、結晶格子内の変位のような半導体内に形成される欠陥の数が少なくなる。また、このような半導体層の成長後に半導体材料が冷却された時に、基板の方が半導体層よりも収縮量が大きく、その結果半導体層が圧縮されて層内の割れの形成が回避されるように、基板は、半導体材料の熱膨張率に少なくとも等しい熱膨張率を有することが非常に望ましい。
【００２４】
基板３０２が横方向に導通するショットキーダイオードの一部である時には、基板は、一般的に、結晶サファイア、シリコンカーバイド、又は未ドープシリコンウェーハのような絶縁つまり不導通基板である。半導体層と基板の間の格子不適合及び熱伝導率不適合を補正するために、緩衝構造体３０４を基板３０２の上に設置することができる。その後に成長することになる半導体材料が、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は窒化ガリウムベース材料のような窒化物ベースの半導体である時は、緩衝層は、窒化物ベース材料の１つ又はそれ以上の層で構成され、基板格子構造と窒化ガリウム又は他の窒化物ベースの半導体層の格子構造との間の遷移をもたらすことができる。
【００２５】
基板３０２が垂直方向に導通するショットキーダイオードの一部である時は、基板３０２は、緩衝構造体３０４が形成されるドープ基板である。基板がドープシリコンウェーハであり、その後に堆積されることになる半導体材料がＧａＮ又はＧａＮベースの材料などの窒化物ベースの半導体である時は、緩衝構造体３０４は、基板３０２の上面に重なり合う窒化物半導体の多結晶核生成層と、核生成層の上に配置されて、異なる組成の１つ又はそれ以上の窒化物ベースの半導体を含む１つ又はそれ以上の超格子とを含む構造体とすることができる。核生成層を形成する前にシリコン基板の上にアルミニウム層を堆積することができる。このような構造体の形成は、共に「窒化ガリウムベース素子及び製造方法」という名称の２００２年１２月４日出願の米国特許仮出願第６０／４３０，８３７号及び２００３年１１月２５日出願の米国特許出願第１０／７２１，４８８号で説明されており、それらの開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００２６】
本開示で使用される時には、「ＩＩＩ−Ｖ半導体」という用語は、化学量論的公式ＡｌaＩｎbＧａcＮdＡｓeＰfに従った複合半導体材料を指し、ここで、（ａ＋ｂ＋ｃ）は約１であり（ｄ＋ｅ＋ｆ）も約１である。「窒化物半導体」又は「窒化物ベースの半導体」という用語は、ｄが０．５又はそれ以上、最も一般的には０．８又はそれ以上であるＩＩＩ−Ｖ半導体を指すものである。半導体材料は、純粋な窒化物半導体、すなわち、ｄが約１．０である窒化物半導体であることが好ましい。「窒化ガリウムベースの半導体」という用語は、本明細書で使用される時には、ガリウムを含み、最も好ましくは、存在する主要金属としてガリウムをｃ≧０．５、最も好ましくは≧０．８で含む窒化物半導体を指すものである。半導体は、ｐ型又はｎ型導電性を有することができ、ｐ型又はｎ型導電性は、従来のドーパントによって与えることができ、また、特定の半導体材料の固有の導電型から生じる可能性がある。例えば、欠陥を有する窒化ガリウムベースの半導体は、一般的に、ドープされていない時でさえも本質的にｎ型である。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ、及びＯのような従来の電子供与体ドーパントを使用してｎ型導電性を窒化物半導体に与えることができ、一方、ｐ型窒化物半導体は、Ｍｇ及びＺｎのような従来の電子受容体を含むことができる。
【００２７】
次に、半導体層３０６は、緩衝構造体３０４の上に又は緩衝構造体が存在しない時には直接に基板３０２の上に形成される。形成された素子がショットキーダイオードである時には、半導体層は、一般的に、反応スパッタリング、有機金属結晶成長法（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）、又は原子層エピタキシのようなエピタキシャル成長工程を用いて形成されるドープ量の多い層である。形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合に加えて更に別の半導体素子構造体を含む別の素子である時は、層３０６は、更に別の半導体素子構造体を含むことができる。
【００２８】
ドープ量の多い半導体層がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体であり、かつ反応スパッタリング法が使用される時は、ターゲット及び基板の両方が窒化物及び１つ又はそれ以上のドーパントを含むガス状雰囲気内にある間、ガリウム、アルミニウム、及び／又はインジウムのような半導体の金属構成要素は、基板と密接して配置された金属ターゲットから取り除かれる。代替的に、ドープ量の多い層３０６が窒化物ベースの半導体であり、かつＭＯＣＶＤが使用される時は、基板は、金属の有機化合物を含む雰囲気、並びにアンモニア及びドーパント含有ガスのような反応性窒化物含有ガスに露出される。基板は、高温、一般的に約７００°から１１００°に維持され、ガス状化合物が分解して結晶材料のフィルムの形態のドープ半導体を基板の表面に形成する。その後、基板及び成長したフィルムは冷却される。得られるドープ量の多い層１０６は、少なくとも４Ｅ１８ｃｍ-3のドープ濃度を有するｎ型であることが好ましい。
【００２９】
その後、半導体コンタクト層３０８が形成される。半導体層３０８は、一般的に、反応性スパッタリング、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、又は原子層エピタキシのような上述の方法を用いてエピタキシャル成長させる。層１０８は、上述の方法でドーパント種の導入によりドープ層として成長させることができ、又は、反応チャンバ壁から及び／又は基板を保持する大皿から除去された種によってドープされるドープが意図的ではない層として成長させることができる。
【００３０】
半導体層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、半導体層３０８は、ｎ型であることが好ましく、０．１Ｅ１６ｃｍ-3と２Ｅ１６ｃｍ-3の間のドープ濃度を有することが好ましい。変調ドープ法を用いて、反復可能かつ均一な方法で窒化物ベースの半導体層内にこのような低ドープレベルを達成することができる。このような変調ドープ法の説明は、２００４年２月１４日出願の米国特許出願第１０／７８０，５２６号で説明されており、その開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００３１】
次に、図３Ｂが示すように、半導体層３０８は、層３０８の１つ又はそれ以上の領域を露出させるために公知のリソグラフィ方法でパターン化される。その後、下にあるドープ量の多い層３０６を露出させて層３０８から少なくとも１つのメサを形成するために、公知の反応イオンエッチング、他のプラズマエッチング、又は湿式エッチング方法などを用いて層３０８の露出部分をエッチング処理する。露出した層３０８の上部もエッチングすることができる。
形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時は、半導体層３０８のパターン化及びエッチング段階は省略することができる。
【００３２】
その後、図３Ｃに示すように、層３０８内に保護リング３２０を形成する。保護リングを形成することになる領域で行う層１０８への少なくとも１つのイオン種の１回又はそれ以上の注入により保護リング３２０を形成する。保護リングを形成するための公知の方法とは対照的に、注入領域をアニール処理しないことが好ましく、又は、注入領域が高抵抗領域となるように、その後の処理中に高々不完全にアニール処理される。更に、注入種がドーパント種である時は、注入種を活性化させないことになる。保護リング３２０は、層３０８のメサのエッジ部に設置することができ、又はメサのエッジ部から離れた位置、一般的にメサのエッジ部から１から１０μｍ離れた位置に形成することができる。
【００３３】
イオン注入の前に、レジストマスク層、誘電マスク層、金マスク層、又は他の金属マスク層のような層３０８の上に、並びに、任意的に、露出したドープ量の多い層３０６の上に形成するマスク層の堆積及びパターン化を行うことができる。パターン化されたマスク層は、メサの上面エッジ部の領域又はメサのエッジ部から１から１０μｍだけ離れた位置にある領域を露出させることができる。その後、半導体層３０８の表面に対してゼロ傾斜角でイオン種を注入することができる。マスクパターンの開口部によってメサのエッジ部の領域が露出する時は、その開口部によってドープ量の多い層３０６に隣接する領域も露出する可能性がある。ドープ量の多い層内への結果的に生じる注入は、注入がドープ量の多い層の深さ全体に及ばない限り、ドープ量の多い層の電流搬送機能には重大な影響を及ぼさない。
【００３４】
代替的に、レジスト堆積段階及びパターン化段階を省略することができ、注入領域は、注入種がメサの側壁を通じて層３０８に入るような高い傾斜角度、一般的に最大１４度までで形成することができる。メサのエッジ部での保護リングが望ましい時は、イオン注入をより低いエネルギで実施することができる。代替的に、保護リングをメサのエッジ部から離れた位置に形成する時は、高い注入エネルギが必要される可能性がある。イオン注入エネルギの範囲は、一般的に１０ｋｅＶから４００ｋｅＶの間である。
【００３５】
層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、注入イオン種は、マグネシウム（Ｍｇ）又は亜鉛（Ｚｎ）であることが好ましい。しかし、代替的に、注入イオン種は、窒素（Ｎ）のような層３０８を形成する種のうちの１つ又はそれ以上であるとすることができ、又は、イオン種は、他のＩＩＩ族又はＶ族元素とすることができる。更なる代替として、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）、水素（Ｈ）、ヘリウム（Ｈｅ）、及び硼素（Ｂ）のような他の元素の注入も、同じく高抵抗領域を形成することが公知である。１回の注入量は、一般的に５Ｅ１２から１Ｅ１６ｃｍ-2の範囲であるが、約３．８Ｅ１３ｃｍ-2であることが好ましい。
【００３６】
イオン種が層３０８に注入された時に、イオン種は、結晶格子に衝突すると層３０８を形成する原子間の結合を破壊することによって欠陥を生じる。一例として、層３０８がＧａＮである時には、Ｇａ−Ｎ結合は、注入種によって破壊される。欠陥により半導体層３０８の禁止帯のレベルが深くなり、これが伝導キャリヤに対する落とし穴になり、それによってキャリヤの数が少なくなる。その結果、注入領域の抵抗が大きくなる。欠陥は、素子のその後の処理を通じて半導体層３０８に留まるが、その理由は、この構造体がその後のいかなる高温アニール処理にも露出されず、又は不完全にアニール処理され、層３０８の再結晶化を回避し、半導体層３０８の上面での注入段階によって導入された表面電荷の保持するためである。
【００３７】
その後、高い仕事関数を有する接触材料（図示せず）を公知の方法で半導体コンタクト層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上に形成すると、層３０８との金属−半導体整流接合が形成される。最初に、ショットキー接触金属をメサ上面全体の上に堆積させ、その後にパターン化及びエッチングを行うことにより、パターンが保護リング３２０に対して整列することが好ましい。半導体層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、ショットキー金属接点は、一般的に白金（Ｐｔ）層、パラジウム（Ｐｄ）層、又はニッケル（Ｎｉ）層から成る。
【００３８】
形成された素子が横方向に導通するショットキーダイオードである時は、オーム金属接点を、１つ又はそれ以上のメサの外側及び／又はその間の位置に、ドープ量の多い層の上に形成する。ドープ量の多い半導体層３０６がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時は、オーム金属接点は、一般的に、アルミニウム／チタン／白金／金（Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）又はチタン／アルミニウム／白金／金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）から成るが、金属の他の組合せを用いてもよい。
代替的に、形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時は、オーム金属接点を基板３０２の裏側に形成する。
更なる代替として、形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合を組み込む別の素子である時には、他の処理段階が続く場合がある。
【００３９】
図４Ａ及び図４Ｂは、保護リングを形成するイオン注入が素子の最上層のエッチングの前に行われる本発明の代替的実施形態の段階を示すものである。
図４Ａは、任意的な緩衝層３０４、ドープ量の多い半導体層３０６、及び半導体コンタクト層３０８が形成された基板３０２を含む半導体構造体の断面を示すものである。図３Ａに関連して上述した材料の１つで基板３０２を形成することができ、上述の方法で緩衝層３０４、及び層３０６及び３０８を同様に形成することができる。
【００４０】
半導体層３０８形成後に、保護リング３２０をその中に形成する。上述のように、パターン化されたマスクを上述のように用い、ゼロ又は小さな傾斜角度での注入によって保護リングを形成することができる。代替的に、より大きな傾斜角度及びより大きなエネルギでは、注入によるマスク層を用いずに半導体層３０８のメサの側面を通じて注入を実施することができる。図３Ｃに関連して上述した種、傾斜角度、１回の注入量範囲、及び注入エネルギを用いて注入を実施することができる。
【００４１】
次に、図４が示すように、保護リング３２０の外側にある層３０８の部分の一部又は全てを除去する。イオン注入によって形成される保護リングの数により、１つ又はそれ以上のメサを半導体層３０８から形成することができる。より低い接触領域を形成するために、層３０８の一部分を公知のパターン化法及びエッチング法を用いて、好ましくは、保護リング３２０に対して整列したマスクパターンを用いて除去する。また、注入領域の幅により、注入領域の一部分を除去することもできる。更に、層３０８の除去された領域の下にあるドープ量の多い半導体層３０６の上部を除去することもできる。
【００４２】
その後、上述の方法で層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上にショットキー金属接点を形成する。更に、形成された素子が横方向に導通するショットキーダイオードである時には、上述のように、ドープ量の多い半導体層３０６の１つ又はそれ以上の領域の上にオーム接点を形成し、形成された素子が垂直方向に導通するショットキーダイオードである時には、ここでもまた、上述のように基板３０２の裏側にオーム接点を形成する。代替的に、形成された素子が１つ又はそれ以上のショットキー接合を組み込む別の素子である時には、他の処理段階が続く場合がある。
【００４３】
図５Ａ及び図５Ｂは、保護リングを形成するイオン注入段階をショットキー金属接点形成後及びオーム金属接点形成後に実施する本発明の更に別の実施形態の段階を示すものである。
図５Ａは、上述の基板３０２、任意的な緩衝層３０４、ドープ量の多い半導体層３０６、及び半導体層３０８を含む半導体構造体の断面を示すものである。基板３０２は、図３Ａに関連して上述した材料の１つで形成することができ、緩衝層３０４、及び層３０６及び３０８は、上述の方法で同様に形成することができる。また、半導体構造体は、上述の方法で層３０８の１つ又はそれ以上のメサの上に形成されたショットキー金属接点３１０、並びに上述の方法でドープ量の多い半導体層３０６の１つ又はそれ以上の領域の上に形成されたオーム接点を含む。この時点で、ショットキー金属接点３１０とオーム金属接点３１６の上に、それぞれボンドパッド金属層３１２及び３１８を形成することもできる。
【００４４】
その後、図５Ｂが示すように、ショットキー金属接点３１０及びオーム金属接点３１６の間に位置する領域を含む、半導体層３０８及びドープ量の多い半導体層３０６の露出領域に１つ又はそれ以上のイオン種を注入する。この１つ又はそれ以上の注入種は、一般的に、層３０８がＧａＮ又はＧａＮベースの半導体などの窒化物ベースの半導体である時に、図３Ａから図３Ｃを参照して上述したものである。注入イオンは、層３０８における保護リング３２０を形成する。保護リング３２０の幅は、ショットキー金属接点３１０のエッジ部か又は層３０８のメサのエッジ部まで延び、保護リング３２０の深さは、層３０８の上面から下方に延びるが、層の深さ全体に亘って延びるものではない。また、イオンは、層３０８のメサのエッジ部とドープ量の多い半導体層３０６との間に延びるドープ量の多い半導体層３０６の領域に注入されると、注入領域３２０Ａを形成する。ドープ量の多い半導体層３０６の厚み及び／又はイオン注入エネルギは、注入領域３２０Ａが順方向バイアス電流を阻止するのを回避するために、注入領域３２０Ａがドープ量の多い半導体層３０６の深さ全体に亘って下方に延びないように選択される。また、１回のイオン注入量は、順方向バイアス電流のこのような阻止を防ぐように選択することができる。
【００４５】
有利な態様では、層３０８の注入領域は、ショットキー金属接点３１０に対して自己整列し、そのために保護リング３２０は、ショットキー金属接点並びに層３０８のメサのエッジ部に対して同様に自己整列する。更に、注入マスク層の堆積及びパターン化が不要となる。更に、横方向に導通する素子が図５Ａ及び図５Ｂに示されているが、保護リングは、ショットキー金属接点のエッジ部と最上層のエッジ部とに自己整列した垂直方向に導通する素子の層３０８内に同様に形成することができる。
【００４６】
図６は、複数のメサが形成される本発明の更に別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオード５００の断面を示すものである。基板５０２、任意的な緩衝層５０４、及びドープ量の多い層５０６は、図１に示す基板１０２、緩衝層１０４、及びドープ量の多い層１０６に対応するものであり、同じ材料で形成することができる。図１に示す半導体コンタクト層１０８に関連して上述したものと同じ材料で形成することができる半導体コンタクト層５０８をエッチングして、複数のメサを形成する。また、ドープ量の多い層５０６の上部は、ドープ量の多い層の残りの部分がメサ構造の一部を形成するようにエッチングすることができる。このような横方向に導通するショットキーダイオード及びその構造体を形成する方法は、２００４年２月１７日出願の米国特許出願第１０／７８０，３６３号で説明されており、その開示内容は、本明細書において引用により組み込まれている。
【００４７】
ショットキー金属接点のエッジ部が保護リング５２０の上に位置する状態で、ショットキー金属接点５１０を層５０８のメサの上に配置する。厚い方のボンドパッド層５１２をショットキー金属接点５１０の上に設置する。
層５０８のメサの少なくともいくつかの間で及び／又はメサの外側でドープ量の多い層５０６の上にオーム金属接点５１６を設置する。オーム金属接点は、メサのいくつか又は全てを少なくとも部分的に取り囲むか又は完全に取り囲むことができる。オーム金属接点５１６の上にボンドパッド金属層５１８を形成する。
半導体層５０８のメサのエッジ部に又はその近くに保護リング５２０を配置する。保護リングは、図３Ａから図３Ｃを参照して上述したように層５０８のエッチング後、図４Ａ及び図４Ｂを参照して上述したように層のエッチング前、又は、図５Ａ及び図５Ｂを参照して上述したようにショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することができる。
【００４８】
図７は、本発明の更に別の態様による横方向に導通するショットキーダイオード５５０の断面を示すものである。横方向に導通するショットキーダイオード５５０は、図６を参照して上述したものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。
しかし、保護リング５２２は、図３Ａから図３Ｃ、図４Ａから図４Ｂ、又は図５Ａから図５Ｂに関連して上述した方法で半導体層５０８のメサのエッジ部から離れた位置に形成される。メサの上に配置される各ショットキー接点５１０及び各ボンドパッド金属５１２の長さは、ショットキー金属接点５１０が保護リングの一部の上に配置されるか、又はショットキー金属接点５１０のエッジ部が保護リングに対して整列するか又は自己整列するように相応に低減される。
【００４９】
図８Ａは、本発明の別の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオード７００の断面を示すものである。このショットキーダイオードは、任意的な緩衝構造体７０４、ドープ量の多い半導体層７０６、及び半導体コンタクト層７０８が図３Ａを参照して上述したように基板７０２の前側に形成された導通基板７０２を含む。半導体層７０８をエッチングしてメサをドープ量の多い半導体層７０６の上に形成することができ、代替的に、層７０８は、ドープ量の多い半導体層と同じ長さを有することができる。ショットキー接点のエッジ部が保護リング７２０の上に配置されるように、ショットキー金属接点７１０及びボンドパッド金属層７１２を半導体層７０８の上に形成する。基板の裏側にオーム金属接点７１６及び更に別のボンドパッド金属７１８を形成する。図３Ｂから図３Ｃ、図４Ａから図４Ｂ、又は図５Ａから図５Ｂに関連して上述した方法で保護リング７２０を層７０８のエッジ部に形成する。代替的に、図８Ｂは、複数の保護リング７２１が上述の方法で層７０８内に形成される点を除いて、図８Ａに示すものと類似の構造を有するショットキーダイオード７３０を示している。
【００５０】
図９Ａは、本発明の更に別の実施形態による垂直方向に導通するショットキーダイオード７５０の断面を示すものである。この垂直方向に導通するショットキーダイオードは、図８Ａに示すものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。図３Ａから図３Ｃ、図４Ａ及び図４Ｂ、又は図５Ａ及び図５Ｂに関連して上述した方法で、保護リング７２２を半導体層７０８のエッジ部から隔てたところに形成する。ショットキー金属接点７１０及びボンドパッド金属層７１２の長さは、ショットキー金属接点７１０が保護リング７２２に重なり合うように、又はショットキー金属接点のエッジ部が保護リングに整列又は自己整列するように相応に低減される。図９Ｂは、複数の保護リング７２４が上述の方法で層７０８内に形成される点を除いて、ショットキーダイオード７６０が図９Ａに示すものと類似の構造を有する代替配置を示すものである。
【００５１】
図１０は、半導体本体の上面が平面構造を有する本発明の更に別の実施形態による横方向に導通するショットキーダイオードの断面を示すものである。この素子は、図１に示す基板１０２及び緩衝層１０４に対応し、かつ同じ材料で形成することができる絶縁基板９０２及び任意的な緩衝層９０４を含む。基板９０２及び／又は緩衝層９０４の上に、図１に関連して上述した層１０６と同じ層とすることができる半導体層９０６を配置する。層９０６の１つ又はそれ以上の領域の上にショットキー金属接点９１０を配置し、層９０６の１つ又はそれ以上の更に別の領域の上にオーム金属接点９１６を形成する。ショットキー金属接点及びオーム金属接点の両方は同じ半導体層上に配置されるので、接点の接合特性は、ショットキー金属接点及びオーム金属接点を形成するのに選択された金属によって判断される。
【００５２】
保護リング９２０は、ドープ半導体層９０６内に配置され、ショットキー金属接点９１０とオーム金属接点９１６のエッジ部との間に延びている。保護リングは、図４Ａ及び図４Ｂを参照して上述したように、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成の前に形成することができるが、保護リング９２０がショットキー金属接点及びオーム金属接点に自己整列するように、図５Ａ及び図５Ｂを参照して上述したようにショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することが好ましい。また、保護リング９２０は、ドープ層９２０の上面から下方に延びるが、順方向バイアス電流の阻止を回避するために部分的にのみ層９０６を通っている。
【００５３】
図１１は、本発明の更に別の態様による横方向に導通する平面ショットキーダイオードの断面を示すものである。このショットキーダイオードは、図１０を参照して上述したものと類似の構造を有し、同じ参照番号は、同じ領域を示すものである。しかし、保護リング９２４は、ドープ半導体層９０６内に設けられており、図１０に示すようにショットキー金属接点とオーム金属接点の間の領域全体に沿って延びるのではなく、ショットキー金属接点９１０のエッジ部の外側で数ミクロン延びるに過ぎない。また、保護リング９２４の一部分は、オーム金属接点９１０の下に延びることができる。保護リングは、図４Ａ及び図４を参照して上述したように、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成前に形成することが好ましい。代替的に、保護リングは、ショットキー金属接点とオーム金属接点の間の領域の一部分のみへの注入に制限するマスク層を利用して、ショットキー金属接点及びオーム金属接点の形成後に形成することができるが、好ましくは、それでもショットキー金属接点に対して自己整列するものである。
【００５４】
有利な態様では、本発明は、ショットキーダイオード又はショットキー障壁を有する他の素子の降伏電圧特性を改善し、並びにこのような素子の漏れ電流を低下させる保護リングを提供するものである。保護リングがイオン注入によって形成され、かつアニール処理されないか又は不完全にアニール処理されるために、半導体コンタクト層の上面での電荷が残り、素子の特性を改善する。
本発明を本明細書で特定的な実施形態を参照して説明したが、これらの実施形態は、本発明の原理及び用途を単に例示するものであることは理解されるものとする。従って、例示的な実施形態に対して多くの変更を行うことができ、特許請求の範囲によって規定された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の構成を考案することができることも理解されるものとする。
【符号の説明】
【００５５】
１００ ショットキーダイオード
１０２ 絶縁基板
１０４ 緩衝構造体
１０６ 半導体層
１０８ 半導体コンタクト層
１１０ ショットキー金属接点
１１２ ポンドパッド金属層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護リングを有する半導体構造を形成する方法であって、
半導体コンタクト層を含む半導体本体を準備する段階と、
少なくとも１つのイオン種を前記半導体コンタクト層の少なくとも１つの部分の中に注入し、そこに少なくとも１つの注入領域を形成する段階と、ここで、前記少なくとも１つの注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置されているか又は配置される前記半導体コンタクト層の表面の一部分に隣接して配置されており、
続いて、前記注入領域が高抵抗領域となるように、前記注入領域を完全にアニール処理することなく前記半導体本体を処理する段階と、
を含み、
前記処理する段階の前に、前記半導体本体の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングして、前記半導体本体の更に別の表面を形成し、そして、前記更に別の表面から上方に突出するとともに前記半導体コンタクト層の少なくとも一部を含む少なくとも１つのメサを形成する段階をさらに含み、ここで、前記パターン化及びエッチングは、前記イオン種の注入よりも前に実施され、前記イオン種は前記メサの側壁を通じて注入されるものである、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記イオン種は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2の量で注入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオン種は、最大１Ｅ１６ｃｍ-2の量で注入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体コンタクト層は、窒化ガリウムベースの半導体を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記半導体構造は、保護リングを含むショットキーダイオードであり、ここで、前記半導体本体を準備する段階は、少なくとも１つの半導体層を基板の表面上に形成する段階を含み、前記半導体層は、半導体コンタクト層を少なくとも含み、それによって前記半導体本体は前記基板と前記少なくとも１つの半導体層を含み、
さらに、前記金属接点を前記コンタクト層の少なくとも一部の上に形成し、それとのショットキー接合を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、さらに、少なくとも１つのイオン種を注入する前に、前記金属接点を前記半導体コンタクト層の少なくとも一部の上に形成し、それとのショットキー接合を形成する段階を含み、ここで、前記金属接点は、前記注入される領域が前記金属接点に対して自己整列するように、前記少なくとも１つのイオン種の前記注入をマスキングすることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
半導体構造であって、
少なくとも１つの半導体コンタクト層を含む半導体本体と、ここで、前記半導体本体は、更に別の表面を形成するとともに、前記更に別の表面から上方に突出した少なくとも１つのメサを含み、前記メサは、前記コンタクト層の少なくとも一部を含み、
少なくとも１つの注入されたイオンドーパント種を有する高抵抗の注入領域を含み、前記半導体コンタクト層の少なくとも一部分に形成され、前記半導体コンタクト層の前記メサのエッジ部に位置する少なくとも１つの保護リングと、ここで前記保護リングは、少なくとも１つの注入されたイオン種を有する注入領域を含むとともに、前記注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置される前記半導体コンタクト層の表面の一部分に少なくとも隣接して配置され、前記注入領域は、高抵抗領域となるよう不完全にアニール処理され、
を含むことを特徴とする半導体構造体。
【請求項８】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層の前記表面に隣接することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項９】
前記注入領域の端部は、前記ショットキー金属接点の前記エッジ部に接触することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
前記注入領域の端部は、前記半導体コンタクト層のエッジ部に位置することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層のエッジ部から少なくとも１μｍ離れて位置することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１２】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層の前記エッジ部から最大１０μｍ離れて位置することを特徴とする請求項１１に記載の半導体構造体。
【請求項１３】
前記イオン種の注入量は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2であることを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１４】
前記イオン種の注入量は、最大１Ｅ１６ｃｍ-2であることを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１５】
前記半導体コンタクト層は、窒化ガリウムベースの半導体を含んでいる、請求項７に記載の方法。
【請求項１】
保護リングを有する半導体構造を形成する方法であって、
半導体コンタクト層を含む半導体本体を準備する段階と、
少なくとも１つのイオン種を前記半導体コンタクト層の少なくとも１つの部分の中に注入し、そこに少なくとも１つの注入領域を形成する段階と、ここで、前記少なくとも１つの注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置されているか又は配置される前記半導体コンタクト層の表面の一部分に隣接して配置されており、
続いて、前記注入領域が高抵抗領域となるように、前記注入領域を完全にアニール処理することなく前記半導体本体を処理する段階と、
を含み、
前記処理する段階の前に、前記半導体本体の少なくとも１つの領域をパターン化及びエッチングして、前記半導体本体の更に別の表面を形成し、そして、前記更に別の表面から上方に突出するとともに前記半導体コンタクト層の少なくとも一部を含む少なくとも１つのメサを形成する段階をさらに含み、ここで、前記パターン化及びエッチングは、前記イオン種の注入よりも前に実施され、前記イオン種は前記メサの側壁を通じて注入されるものである、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記イオン種は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2の量で注入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオン種は、最大１Ｅ１６ｃｍ-2の量で注入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体コンタクト層は、窒化ガリウムベースの半導体を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記半導体構造は、保護リングを含むショットキーダイオードであり、ここで、前記半導体本体を準備する段階は、少なくとも１つの半導体層を基板の表面上に形成する段階を含み、前記半導体層は、半導体コンタクト層を少なくとも含み、それによって前記半導体本体は前記基板と前記少なくとも１つの半導体層を含み、
さらに、前記金属接点を前記コンタクト層の少なくとも一部の上に形成し、それとのショットキー接合を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、さらに、少なくとも１つのイオン種を注入する前に、前記金属接点を前記半導体コンタクト層の少なくとも一部の上に形成し、それとのショットキー接合を形成する段階を含み、ここで、前記金属接点は、前記注入される領域が前記金属接点に対して自己整列するように、前記少なくとも１つのイオン種の前記注入をマスキングすることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
半導体構造であって、
少なくとも１つの半導体コンタクト層を含む半導体本体と、ここで、前記半導体本体は、更に別の表面を形成するとともに、前記更に別の表面から上方に突出した少なくとも１つのメサを含み、前記メサは、前記コンタクト層の少なくとも一部を含み、
少なくとも１つの注入されたイオンドーパント種を有する高抵抗の注入領域を含み、前記半導体コンタクト層の少なくとも一部分に形成され、前記半導体コンタクト層の前記メサのエッジ部に位置する少なくとも１つの保護リングと、ここで前記保護リングは、少なくとも１つの注入されたイオン種を有する注入領域を含むとともに、前記注入領域は、ショットキー金属接点のエッジ部が配置される前記半導体コンタクト層の表面の一部分に少なくとも隣接して配置され、前記注入領域は、高抵抗領域となるよう不完全にアニール処理され、
を含むことを特徴とする半導体構造体。
【請求項８】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層の前記表面に隣接することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項９】
前記注入領域の端部は、前記ショットキー金属接点の前記エッジ部に接触することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
前記注入領域の端部は、前記半導体コンタクト層のエッジ部に位置することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１１】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層のエッジ部から少なくとも１μｍ離れて位置することを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１２】
前記注入領域は、前記半導体コンタクト層の前記エッジ部から最大１０μｍ離れて位置することを特徴とする請求項１１に記載の半導体構造体。
【請求項１３】
前記イオン種の注入量は、少なくとも５Ｅ１２ｃｍ-2であることを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１４】
前記イオン種の注入量は、最大１Ｅ１６ｃｍ-2であることを特徴とする請求項７に記載の半導体構造体。
【請求項１５】
前記半導体コンタクト層は、窒化ガリウムベースの半導体を含んでいる、請求項７に記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−４２１８３（Ｐ２０１３−４２１８３Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２５７８７１（Ｐ２０１２−２５７８７１）
【出願日】平成２４年１１月２６日（２０１２．１１．２６）
【分割の表示】特願２００５−２５３７３９（Ｐ２００５−２５３７３９）の分割
【原出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（５０１３１５７８４）パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド (125)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１１月２６日（２０１２．１１．２６）
【分割の表示】特願２００５−２５３７３９（Ｐ２００５−２５３７３９）の分割
【原出願日】平成１７年９月１日（２００５．９．１）
【出願人】（５０１３１５７８４）パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド (125)
【Ｆターム（参考）】
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