半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法

【課題】品質の低下を低減できる半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０と、ＣＯＦテープ１２０とを備える。ＣＯＦテープ１２０には、半導体基板１０がボンディングされている。半導体基板１０は、第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、ＣＯＦテープ１２０に向いている。ＣＯＦテープ１２０は、ＰＩフィルム１２１と、第１接着剤層１２８とを有する。ＰＩフィルム１２１は、第１接着剤層１２８を介して半導体基板１０に接着される。半導体基板１０の第１面１０ａとＣＯＦテープ１２０との間の距離は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い領域１０ａと第１面１０ａの端部１０ｂに近い領域とで異なる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＯＦ（ＣｈｉｐＯｎＦｉｌｍ）テープに半導体基板が実装された半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１２７９７４（第１−１６頁、第１−２３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１の技術では、ＣＯＦテープにおいて、半導体基板が搭載されるためのレジスト開口部の表面に、金属配線材からなるダミー配線が、レジスト開口部の辺方向に対して斜めに延びるように形成されている。しかし、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを抑制するためには複雑な条件設定が必要な傾向にあり、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制できないことがある。これにより、品質が低下することがある。
【０００４】
本発明の課題は、品質の低下を低減できる半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１発明に係る半導体装置は、半導体基板と、ＣＯＦテープとを備える。ＣＯＦテープは、半導体基板がボンディングされている。半導体基板は、第１面を有する。第１面は、ＣＯＦテープに向いている。ＣＯＦテープは、第１接着剤層と、絶縁層とを有する。絶縁層は、第１接着剤層を介して半導体基板に接着される。半導体基板の第１面とＣＯＦテープとの間の距離は、第１面の面積中心に近い領域と第１面の端部に近い領域とで異なる。
【０００６】
この半導体装置では、半導体基板の第１面とＣＯＦテープとの間の距離は、第１面の面積中心に近い領域と第１面の端部に近い領域とで異なる。これにより、第１面の面積中心に近い部分の第１面に対する距離が、第１面の端部に近い部分の第１面に対する距離よりも小さくなるように、第１接着剤層が第１面に接するようにすることができる。このため、第１面の面積中心の近傍においてＣＯＦテープを第１面に接着することができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【０００７】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【０００８】
第４発明に係るボンディングシステムは、第１発明の半導体装置と、熱圧着装置とを備える。熱圧着装置は、半導体基板とＣＯＦテープとを熱圧着する。熱圧着装置は、第１治具と、第２治具とを有する。第１治具は、半導体基板を保持するとともに加熱する。第２治具は、ＣＯＦテープの絶縁層を保持するとともに加熱する。第２治具は、絶縁層に対して第１面の面積中心に近い部分の接触面積が第１面の端部に近い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。
【０００９】
このボンディングシステムでは、第２治具は、絶縁層に対して第１面の面積中心に近い部分の接触面積が第１面の端部から遠い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。これにより、絶縁層は、第１面の面積中心に近い部分の温度が第１面の端部に近い部分の温度よりも高くなる。このため、第１面の面積中心に近い部分の第１面に対する距離が、第１面の端部に近い部分の第１面に対する距離よりも小さくなるように、絶縁層を湾曲させることができ、それに伴って、第１面の面積中心に近い部分の第１面に対する距離が、第１面の端部に近い部分の第１面に対する距離よりも小さくなるように、第１接着剤層を第１面に接するようにさせることができる。
【００１０】
また、半導体基板の第１面とＣＯＦテープとの間の距離は、第１面の面積中心に近い部分と第１面の端部に近い部分とで異なる。これにより、第１面の面積中心に近い部分の第１面に対する距離が、第１面の端部に近い部分の第１面に対する距離よりも小さくなるように、第１接着剤層が第１面に接するようにすることができる。このため、第１面の面積中心の近傍においてＣＯＦテープを第１面に接着することができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００１１】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００１２】
第５発明に係る半導体装置は、半導体基板と、ＣＯＦテープと、ボンディング部とを備える。ＣＯＦテープは、半導体基板がボンディングされている。ボンディング部は、半導体基板とＣＯＦテープとをボンディングする。半導体基板は、第１面を有する。第１面は、ＣＯＦテープに向いている。ＣＯＦテープは、絶縁層と、配線層と、補強層とを有する。配線層は、ボンディング部を介して半導体基板と電気的に接続されるように、絶縁層の上に形成される。補強層は、第１面の端部の付近において半導体基板と配線層とを機械的につないでいる。
【００１３】
この半導体装置では、補強層は、第１面の端部の付近において半導体基板と配線層とを機械的につないでいる。これにより、半導体基板とＣＯＦテープとの間において第１面の面積中心の近くの領域を樹脂封止しなくても、ボンディング部を補強することができる。すなわち、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００１４】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００１５】
第７発明に係るボンディングシステムは、第５発明の半導体装置と、熱圧着装置とを備える。熱圧着装置は、半導体基板とＣＯＦテープとを熱圧着する。熱圧着装置は、第１治具と、第２治具とを有する。第１治具は、半導体基板を保持するとともに加熱する。第２治具は、ＣＯＦテープの絶縁層を保持するとともに加熱する。第２治具は、絶縁層に対して第１面の端部に近い部分の接触面積が第１面の面積中心に近い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。
【００１６】
このボンディングシステムでは、第２治具は、絶縁層に対して第１面の端部に近い部分の接触面積が第１面の面積中心に近い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。これにより、絶縁層は、第１面の端部に近い部分の温度が第１面の面積中心に近い部分の温度よりも高くなる。このため、絶縁層を介して補強層を効果的に加熱することができるので、ボンディング部の付近で半導体基板と配線層とが機械的につながれるように補強層を形成ことができる。
【００１７】
また、補強層は、ボンディング部の付近で半導体基板と配線層とを機械的につないでいる。これにより、第１面と絶縁層との間を全面的に樹脂封止しなくても、ボンディング部を補強することができる。すなわち、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００１８】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００１９】
第８発明に係る半導体装置は、半導体基板と、ＣＯＦテープとを備える。ＣＯＦテープは、半導体基板がボンディングされている。半導体基板は、第１面を有する。第１面は、ＣＯＦテープに向いている。ＣＯＦテープは、絶縁層と、第２接着剤層とを有する。第２接着剤層は、第１面の面積中心の付近において、第１面に接するとともに、絶縁層と半導体基板との隙間を埋めるように形成されている。
【００２０】
この半導体装置では、第２接着剤層は、第１面の面積中心の付近において、第１面に接するとともに、絶縁層と半導体基板との隙間を埋めるように形成されている。これにより、第１面の面積中心の近傍において半導体基板とＣＯＦテープとの隙間を埋めることができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００２１】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００２２】
第１０発明に係るボンディングシステムは、第８発明の半導体装置と、熱圧着装置とを備える。熱圧着装置は、半導体基板とＣＯＦテープとを熱圧着する。熱圧着装置は、第１治具と、第２治具とを有する。第１治具は、半導体基板を保持するとともに加熱する。第２治具は、ＣＯＦテープの絶縁層を保持するとともに加熱する。第２治具は、絶縁層に対して第１面の面積中心に近い部分の接触面積が第１面の端部に近い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。
【００２３】
このボンディングシステムでは、第２治具は、絶縁層に対して第１面の面積中心に近い部分の接触面積が第１面の端部に近い部分の接触面積よりも多くなるように、絶縁層を加熱する。これにより、絶縁層は、第１面の面積中心に近い部分の温度が第１面の端部に近い部分の温度よりも高くなる。このため、絶縁層を介して第２接着剤層を効果的に加熱することができるので、絶縁層と半導体基板との隙間が埋められるように第２接着剤層を形成することができる。
【００２４】
また、第２接着剤層は、第１面の面積中心の付近において、第１面に接するとともに、絶縁層と半導体基板との隙間を埋めるように形成されている。これにより、第１面の面積中心の近傍において半導体基板とＣＯＦテープとの隙間を埋めることができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００２５】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００２６】
第１１発明に係る半導体装置の製造方法は、準備工程と、パターン形成工程と、ボンディング工程とを備える。準備工程では、半導体基板及びＣＯＦテープが準備される。パターン形成工程では、半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、ＣＯＦテープに配線パターンが形成される。ボンディング工程では、半導体基板とＣＯＦテープとが熱圧着されて、半導体基板がＣＯＦテープにボンディングされる。ボンディング工程では、ＣＯＦテープにおいて第１面の面積中心に近い部分が、ＣＯＦテープにおいて第１面の端部に近い部分よりも第１面に近づくように湾曲されて、第１面に接着される。
【００２７】
この半導体装置の製造方法では、ボンディング工程において、ＣＯＦテープにおいて第１面の面積中心に近い部分が、ＣＯＦテープにおいて第１面の端部に近い部分よりも第１面に近づくように湾曲されて、第１面に接着される。これにより、第１面の面積中心の近傍においてＣＯＦテープを第１面に接着することができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００２８】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００２９】
第１２発明に係る半導体装置の製造方法は、準備工程と、パターン形成工程と、ボンディング工程とを備える。準備工程では、半導体基板及びＣＯＦテープが準備される。パターン形成工程では、半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、ＣＯＦテープに配線パターンが形成される。ボンディング工程では、半導体基板とＣＯＦテープとが熱圧着されて、半導体基板がＣＯＦテープにボンディングされる。ボンディング工程では、第１面の端部の付近において半導体基板とＣＯＦテープとの間が機械的につながれる。
【００３０】
この半導体装置の製造方法では、ボンディング工程において、第１面の端部の付近で半導体基板とＣＯＦテープとの間が機械的につながれる。これにより、半導体基板とＣＯＦテープとの間において第１面の面積中心の近くの領域を樹脂封止しなくても、半導体基板とＣＯＦテープとのボンディングを補強することができる。すなわち、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００３１】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００３２】
第１３発明に係る半導体装置の製造方法は、準備工程と、パターン形成工程と、ボンディング工程とを備える。準備工程では、半導体基板及びＣＯＦテープが準備される。パターン形成工程では、半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、ＣＯＦテープに配線パターンが形成される。ボンディング工程では、半導体基板とＣＯＦテープとが熱圧着されて、半導体基板がＣＯＦテープにボンディングされる。ボンディング工程では、第１面の面積中心の付近において、半導体基板とＣＯＦテープとの隙間を埋めるように半導体基板とＣＯＦテープとが接着される。
【００３３】
この半導体装置の製造方法では、ボンディング工程において、第１面の面積中心の付近において、半導体基板とＣＯＦテープとの隙間を埋めるように半導体基板とＣＯＦテープとが接着される。これにより、第１面の面積中心の近傍において半導体基板とＣＯＦテープとの隙間を埋めることができ、半導体基板とＣＯＦテープとの間において空気だまりが残留しやすい領域である第１面の面積中心の近くの領域に樹脂が流れ込まないようにすることができる。
【００３４】
このように、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【発明の効果】
【００３５】
第１発明に係る半導体装置では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００３６】
第４発明に係るボンディングシステムでは、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００３７】
第５発明に係る半導体装置では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００３８】
第７発明に係るボンディングシステムでは、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００３９】
第８発明に係る半導体装置では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００４０】
第１０発明に係るボンディングシステムでは、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００４１】
第１１発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００４２】
第１２発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【００４３】
第１３発明に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板とＣＯＦテープとの間に空気だまりが残留することを十分に抑制することができるので、品質の低下を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
＜本発明の前提となる半導体装置＞
本発明の前提となる半導体装置の断面図を図１に示す。なお、図１には縦方向の断面が示されているが、横方向の断面も同様であるものとする。
【００４５】
（半導体装置の構成）
半導体装置１は、主として、半導体基板１０，ＣＯＦテープ２０，ボンディング部３０及び封止樹脂５０を備える。
【００４６】
半導体基板１０は、矩形の板形状であり、第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、ＣＯＦテープ２０に向く面である。第１面１０ａには、素子が形成されている。
【００４７】
ＣＯＦテープ２０は、半導体基板１０がボンディングされている。ＣＯＦテープ２０は、主として、ポリイミド（以下、「ＰＩ」とする）フィルム２１と配線層２７とを有する。ＰＩフィルム２１は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２１ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２１ｂよりも第１面１０ａに近づくように湾曲している。ＰＩフィルム２１は、主として、絶縁性の材質で形成されている。
【００４８】
一方、配線層２７は、ＰＩフィルム２１より半導体基板１０に近い層であり、主として、導電性の材質で形成されている。この配線層２７は、第１領域ＶＡ１を囲むようにパターンが形成されている。第１領域ＶＡ１は、半導体基板１０の第１面１０ａと配線層２７とＰＩフィルム２１とに囲まれた略直方体形状の領域である。そして、配線層２７は、主として、スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３，Ｃｕメッキ層２４，接続端子部２５及び接続端子部保護被膜部２６を有する。スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３及びＣｕメッキ層２４は、接続端子部２５に囲まれている。接続端子部２５に対して、スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３及びＣｕメッキ層２４はＰＩフィルム２１に近い側に形成されており、接続端子部保護被膜部２６はＰＩフィルム２１に遠い側に形成されている。
【００４９】
ボンディング部３０は、半導体基板１０とＣＯＦテープ２０とをボンディングしている。具体的には、ボンディング部３０は、導電性の材質で形成されており、半導体基板１０の第１面１０ａにおいて端部１０ｂ付近に形成されたボンディングパッド（図示せず）と、ＣＯＦテープ２０の接続端子部２５とを接続している。これにより、接続端子部２５及びボンディング部３０を介して、半導体基板１０の第１面１０ａに形成された素子に電気信号を供給することができるようになっている。
【００５０】
封止樹脂５０は、半導体基板１０とＣＯＦテープ２０との隙間に封止されている。これにより、半導体基板１０の第１面１０ａに形成された素子が保護されるとともに、ボンディング部３０が補強されている。ここで、封止樹脂５０は、第２領域ＶＡ２において、空気だまりＶ１ができる傾向にある。第２領域ＶＡ２は、半導体基板１０とＣＯＦテープ２０との間（第１領域ＶＡ１）において空気だまりが残留しやすい領域であって、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の近くの領域である。
【００５１】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法を図２及び図３に示す工程断面図を用いて説明する。
【００５２】
準備工程Ｓ１では、半導体基板とＣＯＦテープとが準備される。すなわち、半導体基板１０（図１参照）が準備される。また、図２（ａ）に示すように、ＣＯＦテープ２０ａが準備される。ＣＯＦテープ２０ａは、ＰＩフィルム２１ａの上に、スパッタシード層２２ａ，スパッタＣｕ層２３ａ及びＣｕメッキ層２４ａが全面に形成されており、接続端子部２５及び接続端子部保護被膜部２６を備えていない。
【００５３】
パターン形成工程Ｓ２では、半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、ＣＯＦテープに配線パターンが形成される。すなわち、半導体基板１０の第１面１０ａ（図１参照）に素子のパターンが形成される。一方、ＣＯＦテープ２０ａの第１領域ＶＡ１がエッチングされて、図２（ｂ）に示すように、フォト工程などにより接続端子部２５を含む配線パターンがＣＯＦテープ２０ｂに形成される。さらに、図２（ｃ）に示すように、接続端子部２５の上に、接続端子部保護被膜部２６が形成される。
【００５４】
ボンディング工程Ｓ３では、半導体基板とＣＯＦテープとが熱圧着されて、半導体基板がＣＯＦテープにボンディングされる。すなわち、熱圧着装置７０のボンディングステージ７１に半導体基板１０が設置され、ボンディングツール７２にＣＯＦテープ２０ｂが設置される。そして、図３（ａ）に示すように、半導体基板１０の第１面１０ａにおいて端部１０ｂの付近にボンディング部３０が置かれて、ボンディング部３０と接続端子部２５とが向かい合うように、半導体基板１０とＣＯＦテープ２０ｂとが熱圧着される（図３（ａ）の白抜き矢印参照）。すなわち、ボンディングステージ７１の熱が半導体基板１０に伝達され、ボンディングツール７２の熱がＰＩフィルム２１ｂを介して配線層２７に伝達され、半導体基板１０のボンディングパッドと、ボンディング部３０と、接続端子部２５とが共晶結合するようになる。
【００５５】
ここで、ボンディングステージ７１は１５０℃に加熱されおり、ボンディングツール７２は４００〜５００℃に加熱されている。ボンディングツール７２は、ＰＩフィルム２１ｂの裏面２１ｃに対して第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分７２ａの接触面積が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分７２ｂの接触面積と同等になるように、ＰＩフィルム２１ｂを加熱している。これにより、図２（ｂ）に示すように、ＰＩフィルム２１は、熱膨張して、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２１ａの第１面１０ａに対する距離ｄ２１ａが第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２１ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ２１ｂよりわずかに小さくなるように、わずかに湾曲する。
【００５６】
樹脂封止工程Ｓ４では、半導体基板とＣＯＦテープとの隙間に樹脂が封止される。すなわち、半導体基板１０の第１面１０ａと接続端子部２５との間には、第１面１０ａの端部１０ｂの付近に、ボンディング部３０の厚さに相当する隙間４０ができている。この隙間４０に、封止樹脂５０が溶融状態で流し込まれて封止される。このとき、ＰＩフィルム２１が第１面１０ａに接しておらず、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２１ａの第１面１０ａに対する距離ｄ２１ａが第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２１ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ２１ｂよりわずかに小さくなっているので、第２領域ＶＡ２に封止樹脂５０が部分的に入っていく傾向にあり、封止樹脂５０が固まった状態で空気だまりＶ１が残留する傾向にある。
【００５７】
このように、空気だまりＶ１が第２領域ＶＡ２に残留する傾向にあるので、空気だまりＶ１が第１面１０ａに形成された素子の動作に悪影響を与えることがある。これにより、品質が低下する傾向にある。
【００５８】
＜第１実施形態に係る半導体装置＞
第１実施形態に係る半導体装置の断面図を図４に示す。なお、本発明の前提となる半導体装置と異なる部分を中心に説明し、同様の部分は同じ記号を用いて表し説明を省略する。
【００５９】
（半導体装置の構成）
半導体装置１００は、ＣＯＦテープ２０の代わりにＣＯＦテープ１２０を備え、封止樹脂５０の代わりに封止樹脂１５０を備える。
【００６０】
ＣＯＦテープ１２０は、ＰＩフィルム２１の代わりにＰＩフィルム１２１を有し、第１接着剤層１２８をさらに有する。第１接着剤層１２８は、熱軟化性の樹脂で形成されており、ＰＩフィルム１２１と配線層２７との間に形成されている。第１接着剤層１２８は、第２領域ＶＡ２の近傍で第１面１０ａに近づくように湾曲して、第１面１０ａに接着されている。すなわち、第１接着剤層１２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２８ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ｂよりも小さくなっている。さらに、第１接着剤層１２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａが、第１面１０ａに接している。
【００６１】
ＰＩフィルム１２１は、第１接着剤層１２８を介して半導体基板１０の第１面１０ａに接着されている。ＰＩフィルム１２１は、第１接着剤層１２８と同様に、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２１ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２１ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ｂよりも小さくなっている。ここで、ＰＩフィルム１２１はＰＩフィルム２１（図１参照）よりも大きく湾曲しており、
ｄ１２１ｂ−ｄ１２１ａ＞ｄ２１ｂ−ｄ２１ａ（１）
となっている。
【００６２】
封止樹脂１５０は、半導体基板１０とＣＯＦテープ１２０との隙間に封止されている。すなわち、封止樹脂１５０は、半導体基板１０と第１接着剤層１２８との隙間に封止されている。ここで、第１接着剤層１２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ａが第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２８ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ｂよりも小さくなるように、第１面１０ａに接している。これにより、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の近傍においてＣＯＦテープ１２０が第１面１０ａに接着され、第２領域ＶＡ２に封止樹脂１５０が流れ込まないようになっている。また、封止樹脂１５０の使用量は封止樹脂５０の使用量より少なくすることができるようになっている。
【００６３】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【００６４】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法を図５に示す工程断面図を用いて説明する。
【００６５】
ボンディング工程Ｓ１０３では、熱圧着装置７０の代わりに熱圧着装置１７０を用いてボンディングが行われる。熱圧着装置１７０は、ボンディングツール７２の代わりにボンディングツール１７２を有する。ボンディングツール１７２は、ＰＩフィルム１２１ｂの裏面１２１ｃに対して第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１７２ａの接触面積が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１７２ｂの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム１２１ｂを加熱している。これにより、ＰＩフィルム１２１ｂは、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分の温度が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分の温度よりも高くなる。このため、図５（ｂ）に示すように、ＰＩフィルム１２１は、熱膨張して、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２１ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２１ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ｂよりも小さくなるように湾曲する。それに伴って、第１接着剤層１２８も、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２８ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ｂよりも小さくなるように湾曲する。ここで、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２１ａは、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２１ａ（図１参照）よりも第１面１０ａに近づくように（上記の式（１）参照）湾曲している。このため、第１接着剤層１２８は、第２領域ＶＡ２の近傍で、第１面１０ａに接するようになるまで湾曲される。このとき、第１接着剤層１２８は、熱軟化性の樹脂で形成されているので、容易に第１面１０ａに接着される。
【００６６】
樹脂封止工程Ｓ１０４では、隙間４０に、封止樹脂１５０が溶融状態で流し込まれて封止される。このとき、第１接着剤層１２８において第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａが第１面１０ａに接着されているので、第２領域ＶＡ２に封止樹脂１５０が流れ込まないようになっている。
【００６７】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【００６８】
（半導体装置に関する特徴）
（１）
ここでは、半導体基板１０の第１面１０ａとＣＯＦテープ１２０との間の距離は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い領域（図４に示す距離ｄ１２８ａ参照）と第１面１０ａの端部１０ｂに近い領域（図４に示す距離ｄ１２８ｂ参照）とで異なる。すなわち、第１接着剤層１２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２８ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ｂよりも小さくなるように、第１面１０ａに接している。これにより、空気だまりＶ１（図１参照）が残留しやすい領域である第２領域ＶＡ２に封止樹脂１５０が流れ込まないようになっている。
【００６９】
このように、半導体基板１０とＣＯＦテープ１２０との間に空気だまりＶ１が残留することが十分に抑制されているので、品質の低下は低減されている。
【００７０】
（２）
ここでは、ボンディング部３０は、熱圧着されて、半導体基板１０とＣＯＦテープ１２０とをボンディングする。また、第１接着剤層１２８は、熱軟化性の性質を有する。これらにより、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ１２０とをボンディングするようにする工程と、第１接着剤層１２８が第１面１０ａに接着される工程とは同時に行われている。
【００７１】
（３）
ここでは、ボンディングツール１７２は、ＰＩフィルム１２１の裏面１２１ｃに対して第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１７２ａの接触面積が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１７２ｂの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム１２１を加熱している。これにより、ＰＩフィルム１２１は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２１ａの温度が第１面１０ｂの端部１０ｂに近い部分１２１ｂの温度よりも高くなる。このため、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２１ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２１ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２１ｂよりも小さくなるように、ＰＩフィルム１２１は湾曲する。それに伴って、第１接着剤層１２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分１２８ａの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ａが、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分１２８ｂの第１面１０ａに対する距離ｄ１２８ｂよりも小さくなるように、第１面１０ａに接するようになる。
【００７２】
（第１実施形態の変形例）
（Ａ）第１接着剤層１２８は、熱軟化性の樹脂で形成されている代わりに、熱可塑性の樹脂で形成されていても良い。この場合でも、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ１２０とをボンディングするようにする工程と、第１接着剤層１２８が第１面１０ａに接着されるようにする工程とは同時に行われる。
【００７３】
（Ｂ）半導体装置１００ｉは、図６に示すように、配線層２７（図４参照）の代わりに配線層１２７ｉを有していても良い。配線層１２７ｉは、スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３及びＣｕメッキ層２４の代わりに、Ｃｕ箔層１２４ｉを有する。
【００７４】
＜第２実施形態に係る半導体装置＞
第２実施形態に係る半導体装置の断面図を図７に示す。なお、本発明の前提となる半導体装置と異なる部分を中心に説明し、同様の部分は同じ記号を用いて表し説明を省略する。
【００７５】
（半導体装置の構成）
半導体装置２００は、ＣＯＦテープ２０の代わりにＣＯＦテープ２２０を備え、封止樹脂５０を備えない。
【００７６】
ＣＯＦテープ２２０は、ＰＩフィルム２１の代わりにＰＩフィルム２２１を有し、補強層２２９をさらに有する。補強層２２９は、熱軟化性の樹脂で形成されており、第１面１０ａの端部１０ｂの付近において半導体基板１０と配線層２７とを機械的につないでいる。これにより、補強層２２９は、ボンディング部３０を補強することができるようになっている。
【００７７】
一方、第２領域ＶＡ２を含む第１領域ＶＡ１は、中空状態になっており、樹脂が封止されていない。
【００７８】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【００７９】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法を図８に示す工程断面図を用いて説明する。
【００８０】
パターン形成工程Ｓ２０２では、ＣＯＦテープ２２０において、接続端子部２５及び接続端子部保護被膜部２６の上に補強層２２９のパターンが、印刷技術を用いて形成される。具体的には、図８（ａ）に示すように、接続端子部２５においてボンディング部３０がボンディングされる箇所を中心にして、半球状に補強層２２９のパターンが形成される。
【００８１】
ボンディング工程Ｓ２０３では、熱圧着装置７０の代わりに熱圧着装置２７０が用いてボンディングが行われる。熱圧着装置２７０は、ボンディングツール７２の代わりにボンディングツール２７２を有する。ボンディングツール２７２は、ＰＩフィルム２２１の裏面２２１ｃに対して第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２７２ｂの接触面積が第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２７２ａの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム２２１を加熱している。これにより、図８（ｂ）に示すように、ボンディングツール７２の熱がＰＩフィルム２１ｂを介して配線層２７及び補強層２２９ｂに効率的に伝達されるので、補強層２２９ｂは、第１面１０ａの端部１０ｂの付近において半導体基板１０と配線層２７とを機械的につなぐように形成される。
【００８２】
樹脂封止工程Ｓ４は、削減されている。
【００８３】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【００８４】
（半導体装置に関する特徴）
（１）
ここでは、補強層２２９は、ボンディング部３０の付近で半導体基板１０と配線層２７とをつないでいる。これにより、第１面１０ａとＰＩフィルム２２１との間を全面的に樹脂封止しなくても、ボンディング部３０を補強することができるようになっている。すなわち、空気だまりＶ１が残留しやすい領域である第２領域ＶＡ２を樹脂封止しなくても、ボンディング部３０を補強することができるようになっている。すなわち、第２領域ＶＡ２に封止樹脂５０（図１参照）が流れ込まないようになっている。
【００８５】
このように、半導体基板１０とＣＯＦテープ２２０との間に空気だまりＶ１が残留することが十分に抑制されているので、品質の低下は低減されている。
【００８６】
（２）
ここでは、ボンディング部３０は、熱圧着されて、半導体基板１０とＣＯＦテープ２２０とをボンディングする。また、補強層２２９は、熱軟化性の性質を有する。これらにより、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ２２０とをボンディングするようにする工程と、補強層２２９が形成される工程とは同時に行われている。
【００８７】
（３）
ここでは、ボンディングツール２７２は、ＰＩフィルム２２１ｂの裏面２２１ｃに対して第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２７２ｂの接触面積が第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２７２ａの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム２２１ｂを加熱している。これにより、ＰＩフィルム２２１は、第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分２２１ｂの温度が第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分２２１ａの温度よりも高くなる。このため、ＰＩフィルム２２１を介して補強層２２９が効果的に加熱されるので、ボンディング部３０の付近で半導体基板１０と配線層２７とが機械的につながれるように補強層２２９は形成される。
【００８８】
（４）
ここでは、樹脂封止工程Ｓ４が削減されている。これにより、製造コストは低減している。
【００８９】
（第２実施形態の変形例）
（Ａ）補強層２２９は、熱軟化性の樹脂で形成されている代わりに、熱可塑性の樹脂で形成されていても良い。この場合でも、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ２２０とをボンディングするようにする工程と、補強層２２９が形成される工程とは同時に行われる。
【００９０】
（Ｂ）半導体装置２００ｉは、図９に示すように、配線層２７（図４参照）の代わりに配線層２２７ｉを有していても良い。配線層２２７ｉは、スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３及びＣｕメッキ層２４の代わりに、Ｃｕ箔層２２４ｉを有する。
【００９１】
＜第３実施形態に係る半導体装置＞
第３実施形態に係る半導体装置の断面図を図１０に示す。なお、本発明の前提となる半導体装置と異なる部分を中心に説明し、同様の部分は同じ記号を用いて表し説明を省略する。
【００９２】
（半導体装置の構成）
半導体装置３００は、ＣＯＦテープ２０の代わりにＣＯＦテープ３２０を備え、封止樹脂５０の代わりに封止樹脂３５０を備える。
【００９３】
ＣＯＦテープ３２０は、ＰＩフィルム２１の代わりにＰＩフィルム３２１を有し、第２接着剤層３２８をさらに有する。第２接着剤層３２８は、熱軟化性の樹脂で形成されている。また、第２接着剤層３２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の付近において、第１面１０ａに接するとともに、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との隙間である第１領域ＶＡ１を埋めるように形成されている。
【００９４】
封止樹脂３５０は、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との隙間に封止されている。すなわち、封止樹脂３５０は、第２接着剤層３２８が埋められた領域を除く半導体基板１０とＰＩフィルム３２１との隙間に封止されている。ここで、第２接着剤層３２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の付近において、第１面１０ａに接するとともに、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との隙間である第１領域ＶＡ１を埋めるように形成されている。これにより、第２領域ＶＡ２に第２接着剤層３２８が埋められており、第２領域ＶＡ２に封止樹脂１５０が流れ込まないようになっている。また、封止樹脂３５０の使用量は封止樹脂５０の使用量より少なくすることができるようになっている。
【００９５】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【００９６】
（半導体装置の製造方法）
半導体装置の製造方法を図１１に示す工程断面図を用いて説明する。
【００９７】
パターン形成工程Ｓ３０２では、ＣＯＦテープ２２０において、ＰＩフィルム３２１の上に補強層２２９のパターンが、印刷技術を用いて形成される。具体的には、図１１（ａ）に示すように、第１領域ＶＡ１と縦横の寸法が同様であり高さが若干高くなった部分に、略直方体状に第２接着剤層３２８のパターンが形成される。
【００９８】
ボンディング工程Ｓ３０３では、熱圧着装置７０の代わりに熱圧着装置３７０が用いてボンディングが行われる。熱圧着装置３７０は、ボンディングツール７２の代わりにボンディングツール３７２を有する。ボンディングツール３７２は、図１１（ｂ）に示すように、ＰＩフィルム３２１の裏面３２１ｃに対して第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分３７２ａの接触面積が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分３７２ｂの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム３２１を加熱している。これにより、図１１（ｃ）に示すように、第２接着剤層３２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の付近において、第１面１０ａに接するとともに、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との隙間である第１領域ＶＡ１を埋めるように変形する。このとき、第２接着剤層３２８は、熱軟化性の樹脂で形成されているので、第１領域ＶＡ１を埋めるように容易に変形するとともに、容易に第１面１０ａに接着される。これにより、半導体基板１０とＰＩフィルム３２１との隙間は、半導体基板１０とＰＩフィルム２１との隙間（図３（ｂ）参照）よりも大幅に小さくなっている。
【００９９】
樹脂封止工程Ｓ３０４では、隙間４０に、封止樹脂３５０が溶融状態で流し込まれて封止される。このとき、第２領域ＶＡ２を含む第１領域ＶＡ１を埋めるように第２接着剤層３２８が形成されているので、第２領域ＶＡ２に封止樹脂３５０が流れ込まないようになっている。
【０１００】
他の点は、本発明の前提となる半導体装置と同様である。
【０１０１】
（半導体装置に関する特徴）
（１）
ここでは、第２接着剤層３２８は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１の付近において、第１面１０ａに接するとともに、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との隙間である第１領域ＶＡ１を埋めるように形成されている。これにより、空気だまりＶ１（図１参照）が残留しやすい領域である第２領域ＶＡ２に封止樹脂３５０が流れ込まないようになっている。
【０１０２】
このように、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０との間に空気だまりＶ１が残留することが十分に抑制されているので、品質の低下は低減されている。
【０１０３】
（２）
ここでは、ボンディング部３０は、熱圧着されて、半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０とをボンディングする。また、第２接着剤層３２８は、熱軟化性の性質を有する。これらにより、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０とをボンディングするようにする工程と、第２接着剤層３２８が第１領域ＶＡ１を埋めるようにされる工程とは同時に行われている。
【０１０４】
（３）
ここでは、ボンディングツール３７２は、ＰＩフィルム３２１の裏面３２１ｃに対して第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分３７２ａの接触面積が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分３７２ｂの接触面積よりも多くなるように、ＰＩフィルム３２１を加熱している。これにより、ＰＩフィルム３２１は、第１面１０ａの面積中心ＡＣ１に近い部分３２１ａの温度が第１面１０ａの端部１０ｂに近い部分３２１ｂの温度よりも高くなる。このため、ＰＩフィルム３２１を介して第２接着剤層３２８が効果的に加熱されるので、ＰＩフィルム３２１と半導体基板１０との隙間が埋められるように第２接着剤層３２８は形成される。

（第３実施形態の変形例）
（Ａ）第２接着剤層３２８は、熱軟化性の樹脂で形成されている代わりに、熱可塑性の樹脂で形成されていても良い。この場合でも、ボンディング部３０が半導体基板１０とＣＯＦテープ３２０とをボンディングするようにする工程と、第２接着剤層３２８が第１領域ＶＡ１を埋めるようにされる工程とは同時に行われる。
【０１０５】
（Ｂ）半導体装置３００ｉは、図１２に示すように、配線層２７（図４参照）の代わりに配線層３２７ｉを有していても良い。配線層３２７ｉは、スパッタシード層２２，スパッタＣｕ層２３及びＣｕメッキ層２４の代わりに、Ｃｕ箔層３２４ｉを有する。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明に係る半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法は、品質の低下を低減できるという効果を有し、半導体装置、ボンディングシステム及び半導体装置の製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の前提となる半導体装置の断面図。
【図２】半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図３】半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図５】半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図８】半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図９】本発明の第２実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の断面図。
【図１１】半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図１２】本発明の第３実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【０１０８】
１、１００，２００，３００半導体装置
１０半導体基板
２０，１２０，２２０，３２０ＣＯＦテープ
３０ボンディング部
５０，１５０，３５０封止樹脂
７０，１７０，２７０，３７０熱圧着装置

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板がボンディングされたＣＯＦテープと、
を備え、
前記半導体基板は、前記ＣＯＦテープに向く第１面を有し、
前記ＣＯＦテープは、
第１接着剤層と、
前記第１接着剤層を介して前記半導体基板に接着される絶縁層と、
を有し、
前記半導体基板の前記第１面と前記ＣＯＦテープとの間の距離は、前記第１面の面積中心に近い領域と前記第１面の端部に近い領域とで異なる、
半導体装置。
【請求項２】
前記ＣＯＦテープは、前記第１面の面積中心に近い部分の前記第１面に対する距離が、前記第１面の端部に近い部分の前記第１面に対する距離よりも小さくなるように、前記第１面に接している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
熱圧着されて、前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとをボンディングするボンディング部をさらに備え、
前記第１接着剤層は、熱可塑性及び熱軟化性のいずれかの性質を有する、
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとを熱圧着する熱圧着装置と、
を備え、
前記熱圧着装置は、
前記半導体基板を保持するとともに加熱する第１治具と、
前記ＣＯＦテープの前記絶縁層を保持するとともに加熱する第２治具と、
を有し、
前記第２治具は、前記絶縁層に対して前記第１面の面積中心に近い部分の接触面積が前記第１面の端部に近い部分の接触面積よりも多くなるように、前記絶縁層を加熱する、
ボンディングシステム。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板がボンディングされたＣＯＦテープと、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとをボンディングするボンディング部と、
を備え、
前記半導体基板は、前記ＣＯＦテープに向く第１面を有し、
前記ＣＯＦテープは、
絶縁層と、
前記ボンディング部を介して前記半導体基板と電気的に接続されるように、前記絶縁層の上に形成される配線層と、
前記第１面の端部の付近において前記半導体基板と前記配線層とを機械的につなぐ補強層と、
を有する、
半導体装置。
【請求項６】
前記ボンディング部は、熱圧着されて、前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとをボンディングし、
前記補強層は、熱可塑性及び熱軟化性のいずれかの性質を有する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の半導体装置と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとを熱圧着する熱圧着装置と、
を備え、
前記熱圧着装置は、
前記半導体基板を保持するとともに加熱する第１治具と、
前記ＣＯＦテープの前記絶縁層を保持するとともに加熱する第２治具と、
を有し、
前記第２治具は、前記絶縁層に対して前記第１面の端部に近い部分の接触面積が前記第１面の面積中心に近い部分の接触面積よりも多くなるように、前記絶縁層を加熱する、
ボンディングシステム。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板がボンディングされたＣＯＦテープと、
を備え、
前記半導体基板は、前記ＣＯＦテープに向く第１面を有し、
前記ＣＯＦテープは、
絶縁層と、
前記第１面の面積中心の付近において、前記第１面に接するとともに、前記絶縁層と前記半導体基板との隙間を埋めるように形成された第２接着剤層と、
を有する、
半導体装置。
【請求項９】
熱圧着されて、前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとをボンディングするボンディング部をさらに備え、
前記第２接着剤層は、熱可塑性及び熱軟化性のいずれかの性質を有する、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の半導体装置と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとを熱圧着する熱圧着装置と、
を備え、
前記熱圧着装置は、
前記半導体基板を保持するとともに加熱する第１治具と、
前記ＣＯＦテープの前記絶縁層を保持するとともに加熱する第２治具と、
を有し、
前記第２治具は、前記絶縁層に対して前記第１面の面積中心に近い部分の接触面積が前記第１面の端部に近い部分の接触面積よりも多くなるように、前記絶縁層を加熱する、
ボンディングシステム。
【請求項１１】
半導体基板及びＣＯＦテープが準備される準備工程と、
前記半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、前記ＣＯＦテープに配線パターンが形成されるパターン形成工程と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとが熱圧着されて、前記半導体基板が前記ＣＯＦテープにボンディングされるボンディング工程と、
を備え、
前記ボンディング工程では、前記ＣＯＦテープにおいて前記第１面の面積中心に近い部分が、前記ＣＯＦテープにおいて前記第１面の端部に近い部分よりも前記第１面に近づくように湾曲されて、前記第１面に接着される、
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板及びＣＯＦテープが準備される準備工程と、
前記半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、前記ＣＯＦテープに配線パターンが形成されるパターン形成工程と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとが熱圧着されて、前記半導体基板が前記ＣＯＦテープにボンディングされるボンディング工程と、
を備え、
前記ボンディング工程では、前記第１面の端部の付近において前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとの間が機械的につながれる、
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板及びＣＯＦテープが準備される準備工程と、
前記半導体基板の第１面に素子のパターンが形成され、前記ＣＯＦテープに配線パターンが形成されるパターン形成工程と、
前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとが熱圧着されて、前記半導体基板が前記ＣＯＦテープにボンディングされるボンディング工程と、
を備え、
前記ボンディング工程では、前記第１面の面積中心の付近において、前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとの隙間を埋めるように前記半導体基板と前記ＣＯＦテープとが接着される、
半導体装置の製造方法。

【図１】