固体撮像装置
【課題】固定パターンノイズの発生を防止する
【解決手段】 一方導電型の基板５０と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート４と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域５と、前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域３と、前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケット７と、前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域９とを含む固体撮像装置。
【解決手段】 一方導電型の基板５０と、前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲート４と、前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域５と、前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域３と、前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケット７と、前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域９とを含む固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高画質特性及び低消費電力特性を有する固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などに搭載される固体撮像装置として、ＣＣＤ（電荷結合素子）型のイメージセンサと、ＣＭＯＳ型のイメージセンサと、がある。ＣＣＤ型のイメージセンサは画質に優れ、ＣＭＯＳ型のイメージセンサは消費電力が少なく、プロセスコストが低い。近年、高画質と低消費電力とを共に兼ね備えた閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置が提案されている。閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置については、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００３】
イメージセンサは、センサセルをマトリクス状に配列し、初期化、蓄積、読み出しの３つの状態を繰り返すことで、画像出力を得ている。特許文献１によって開示されたイメージセンサは、各単位画素が、蓄積を行うための受光ダイオードと、読み出しを行うためのトランジスタとを有している。
【０００４】
特許文献１のイメージセンサは、基板上において、各単位画素毎に、受光ダイオードと光信号検出用ＭＯＳトランジスタとが隣接配置されている。このトランジスタのゲート電極はリング状に形成されており、ゲート電極の中央の開口部分に、ソース領域が形成されている。ゲート電極の周辺にはドレイン領域が形成されている。
【０００５】
受光ダイオードの開口領域から入射した光によって発生した電荷（光発生電荷）は、ゲート電極下方のＰ型のウェル領域に転送されて、この部分に形成されたキャリアポケットに蓄積される。キャリアポケットに蓄積された光発生電荷によってトランジスタの閾値電圧が変化する。これにより、入射光に対応した信号（画素信号）を、トランジスタのソース領域から取り出すことができるようになっている。
【０００６】
なお、特許文献１の装置では、同一列に配列された単位画素の出力は、共通のソース線を介して取り出されるようになっている。トランジスタのゲートに印加する電圧をライン毎に制御することで、共通のソース線に接続された各単位画素のうち所定のラインの単位画素からの選択的な読み出しを可能にしている。即ち、読み出しを行う単位画素（選択画素）のトランジスタには比較的高いゲート電圧を印加し、他の読み出しを行わない単位画素（非選択画素）のトランジスタには比較的低いゲート電圧を印加する。高いゲート電圧を印加したトランジスタの出力の方が低いゲート電圧を印加したトランジスタの出力よりも高く、ソース線から選択画素の出力を得ることができる。
【０００７】
なお、特許文献２等においては、変調トランジスタを棒型で構成する技術が開示されている。しかしながら、棒型の変調トランジスタを構成する場合には、拡散層による分離又はＬＯＣＯＳによる分離領域を設ける必要がある。このため、ゲート電極を２層にする等、複雑な構造が要求され、駆動シーケンスも複雑となってしまうという欠点がある。
【特許文献１】特開２００２−５７３１５号公報
【特許文献２】特開平１０−６５１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、キャリアポケットは比較的高い濃度で形成されて、正孔のポテンシャルを基準にすると、そのポテンシャルは十分に低い値となる。これにより、受光ダイオードにおいて発生した光発生電荷がキャリアポケットに蓄積されるようになっている。ところが、キャリアポケットのポテンシャルは、ドレインやゲート等の周辺電位の影響を受ける。キャリアポケットの濃度が一定であるものとすると、周辺からの距離に比例してホールを基準としたポテンシャルは低下する。
【０００９】
ところで、特許文献１の装置においては、キャリアポケットは平面的には四角形状に形成されている。従って、キャリアポケットの角部と辺部とではキャリアポケットの幅が異なり、ポテンシャルはキャリアポケットの角部において他の部分よりも部分的に低下してしまう。なお、拡散工程におけるマスク形状を考慮すると、キャリアポケットを完全な円形状に形成することは困難であり、キャリアポケットにはポテンシャルが部分的に低い部分が必ず生じてしまう。また、キャリアポケットの濃度の不均一性等によっても、キャリアポケット内に部分的に他の部分よりもポテンシャルが低い部分が存在することもある。
【００１０】
キャリアポケットは、光発生電荷が蓄積されることでポテンシャルが高くなり、これにより表面チャネル電位を変化させてチャネル電流を流れやすくする。ところが、例えば、低照度の場合のように、光発生電荷の発生量が比較的少ない場合には、キャリアポケットのポテンシャルが低い部分のみに、光発生電荷が蓄積される。
【００１１】
即ち、低照度時には、キャリアポケットの一部の領域のみに光発生電荷が蓄積されて閾値変調が行われるが、キャリアポケットの大部分の領域については、光発生電荷が蓄積されず閾値変調は行われない。
【００１２】
このため、光発生電荷の発生量が比較的少ない状態では、信号出力の立上りが鈍く、リニアリティも悪い。このような画素が１次元又は２次元に配列されて画面が構成される場合には、例えば低照度時には、画素毎に出力にばらつきが生じやすく、固定パターンノイズが現れてしまうという問題点があった。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、キャリアポケットの形状を変形させることによって、光発生電荷の発生量が少ない場合でも信号出力のリニアリティを確保することができ、固定パターンノイズの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る固体撮像装置は、
一方導電型の基板と、
前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、
前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲートと、
前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域と、
前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域と、
前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケットと、
前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、
前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域とを含む固体撮像装置。
【００１５】
本発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、入射した光に応じた光発生電荷を発生する。光電変換素子には変調トランジスタが隣接配置されており、変調トランジスタを構成する環状のゲートの中央開口には、ソース領域が形成される。このソース領域と光電変換素子との間には、直線的な形状を有するキャリアポケットが形成される。光電変換素子からの光発生電荷は、キャリアポケットに保持される。こうして、変調トランジスタの閾値が変化て、変調トランジスタから入射光量に応じた出力が得られる。この場合には、キャリアポケットが直線的な形状を有しており、キャリアポケット上の表面チャネルにはいずれの部分においても一様な電流が流れる。これにより、出力のリニアリティが得られる。また、キャリアポケットが形成されていないソース領域の周辺には、ゲート下方の基板表面に一方導電型の領域が形成される。これにより、この部分においては、変調トランジスタはエンハンスメント型として動作し寄生電流が流れることはない。これにより、出力のリニアリティが確保される。
【００１６】
また、前記ソース領域は、平面的には前記光電変換素子に対向する辺を有し、前記キャリアポケットは、前記ソース領域の前記光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有する。
【００１７】
本発明の実施の形態によれば、キャリアポケットは、ソース領域の光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有していることから、キャリアポケットのポケット長は、キャリアポケット上の表面チャネル幅方向の全域において等しく、キャリアポケットのポテンシャルは一様である。従って、光発生電荷の量が小さい場合でも、キャリアポケット上の表面チャネルの全域において一様にチャネル電流が流れる。これにより、出力のリニアリティが確保される。
【００１８】
また、前記キャリアポケットは、一方導電型ウェル内に形成され、前記一方導電型ウェルは、他方導電型の拡散層によって周囲を囲まれて前記光電変換素子からの光発生電荷を前記キャリアポケットに転送する。
【００１９】
本発明の実施の形態によれば、一方導電型ウェルは他方導電型の拡散層によって囲まれているので、光電変換素子からの光発生電荷は確実にキャリアポケットに転送されて保持される。これにより、入射光量に応じた出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図、図２は変調トランジスタの平面形状が８角形の例を示す説明図である。図３は固定パターンノイズを回避するための基本構造を示す説明図である。
【００２１】
先ず、図３を参照して、固定パターンノイズを回避するための変調トランジスタの構造について説明する。本実施の形態における固体撮像装置は、単位画素であるセンサセルがマトリクス状に配列されて構成されたセンサセルアレイを有している。各センサセルは、入射光に応じて発生させた光発生電荷を収集・蓄積し、蓄積した光発生電荷に基づくレベルの画素信号を出力する。センサセルをマトリクス状に配列することで１画面の画像信号が得られる。
【００２２】
図３は固定パターンノイズを回避可能にしたセンサセル３１，４１の構造を示している。図３（ａ）は変調トランジスタが４角形状の例を示し、図３（ｂ）は変調トランジスタが８角形状の例を示している。なお、図３（ａ），図３（ｂ）のセンサセル３１，４１は、変調トランジスタの平面形状が４角形状である８角形状であるかが相違するのみである。
【００２３】
図３に示すセンサセル３１，４１は、半導体基板上に半導体プロセスによって構成されている。センサセル３１，４１は、夫々フォトダイオード形成領域３２，４２において、入射光に応じて光発生電荷を発生させるフォトダイオードが形成されている。また、センサセル３１，４１は、このフォトダイオード形成領域３２，４２に隣接して、光発生電荷に応じた画素信号を出力するための変調トランジスタの形成領域（変調トランジスタ形成領域）が設けられる。
【００２４】
フォトダイオード形成領域３２，４２において、入射光に応じた光発生電荷が発生する。フォトダイオード形成領域３２，４２に隣接して、変調トランジスタを構成する環状のリングゲート３４，４４が形成されている。リングゲート３４の平面形状は４角形であり、リングゲート４４の平面形状は８角形である。リングゲート３４，４４は中央が開口しており、この開口部分に夫々ソース領域３５，４５が設けられる。ソース領域３５，４５は夫々コンタクト部３６，４６を介して図示しないソース線（データ線）に接続される。
【００２５】
なお、フォトダイオード形成領域３２及び変調トランジスタのリングゲート３４の外側の領域はドレイン領域３３であり、ドレイン領域３３はコンタクト部３８を介して図示しないドレイン配線に接続される。また、フォトダイオード形成領域４２及び変調トランジスタのリングゲート４４の外側の領域はドレイン領域４３であり、ドレイン領域４３はコンタクト部４８を介して図示しないドレイン配線に接続される。なお、基板表面においては、フォトダイオード形成領域３２，４２上にも、夫々ドレイン領域３３，４３が形成されている。
【００２６】
図３（ａ）の例では、リングゲート３４の下方（基板内）に、光発生電荷が蓄積されるキャリアポケット３７が形成されている。キャリアポケット３７は、フォトダイオード形成領域３２に対向するソース領域３５の一辺に沿って、平面的には所定幅を有する直線形状に構成される。キャリアポケット３７は、屈曲した形状を有していないことから、ドレイン領域３３からソース領域３５への表面チャネルの形成方向の距離（以下、ポケット長という）は、いずれの部分においても等距離に形成される。
【００２７】
従って、キャリアポケット３７のポテンシャルは、表面チャネルの形成方向に対して垂直な方向（ポケット長方向に垂直な方向）のいずれの部分においても、略均一である。これにより、図３（ａ）のセンサセル３１を用いて固体撮像装置を構成した場合には、低照度時においても光量に応じた出力を発生することができ、低照度時から高照度時まで出力のリニアリティを得ることができる。
【００２８】
また、図３（ｂ）の例では、リングゲート４４の下方（基板内）に、光発生電荷が蓄積されるキャリアポケット４７が形成されている。キャリアポケット４７も、フォトダイオード形成領域４２に対向するソース領域４５の一辺に沿って、平面的には所定幅を有する直線形状に構成される。キャリアポケット４７は、屈曲した形状を有していないことから、ポケット長はいずれの部分においても等距離に形成される。
【００２９】
従って、キャリアポケット４７のポテンシャルは、ポケット長方向に垂直な方向のいずれの部分においても略均一である。これにより、図３（ｂ）のセンサセル４１を用いて固体撮像装置を構成した場合には、低照度時においても光量に応じた出力を発生することができ、低照度時から高照度時まで出力のリニアリティを得ることができる。
【００３０】
ところが、図３（ａ），（ｂ）の例においては、ソース領域３５，４５には、夫々キャリアポケット３７，４７の形成領域以外の部分においても、ドレイン領域３３，４３からの寄生電流がチャネル電流として流れる。この寄生電流によって、実際には、出力のリニアリティが悪化する。
【００３１】
そこで、本実施の形態においては、ソース領域周辺のキャリアポケットが形成されない部分、即ち、寄生電流の経路となる部分については、変調トランジスタをエンハンスメント型で構成するようになっている。
【００３２】
図１において、センサセル１は図３（ａ）のセンサセル３１と同様に４角形状の変調トランジスタＴＭを有している。また、図２のセンサセル１１は、図４（ｂ）のセンサセル４１と同様に８角形状の変調トランジスタＴＭ’を有している。これらのセンサセル１，１１は相互に変調トランジスタの平面形状が異なるのみである。即ち、図２中のフォトダイオード形成領域１２、ドレイン領域１３、リングゲート１４、ソース領域１５、コンタクト部１６，１８、キャリアポケット１７、エンハンスメント型のトランジスタが形成されるエンハンスメント領域１９は、夫々図１中のフォトダイオード形成領域２、ドレイン領域３、リングゲート４、ソース領域５、コンタクト部６，８、キャリアポケット７、エンハンスメント型のトランジスタが形成されるエンハンスメント領域９と同一の機能を有するものである。以下、説明の簡略化のために、主に図１のセンサセル１について説明し、図２のセンサセル１１については相違点のみを説明する。なお、センサセル１又はセンサセル１１がマトリクス状に配列されて、センサセルアレイが構成される。
【００３３】
＜各センサセルの断面構造＞
先ず、図４を参照してセンサセル１，１１の断面構造を説明する。図４はセンサセル１の断面構造を示す模式的断面図である。図４は図１のＡ−Ａ’線の断面構造を示している。なお、図２のセンサセル１１についても、図２のＡ−Ａ’線で切断した断面形状は図４と同様であり、説明を省略する。本実施の形態は光発生電荷として正孔を用いる例を示している。光発生電荷として電子を用いる場合でも同様に構成可能である。
【００３４】
各セルは、フォトダイオード形成領域と変調トランジスタ形成領域とを有している。Ｐ型基板５０上にはＮ型ウェル５１，５２が形成されている。フォトダイオード形成領域のＮ型ウェル５１上には、Ｐ型の収集ウェル５３が形成されている。収集ウェル５３上の基板表面側には、ピニング層であるＮ型の拡散層５５が形成されている。Ｎ型ウェル５１は基板の比較的深い位置まで形成されている。
【００３５】
一方、変調トランジスタＴＭ形成領域においては、Ｎ型ウェル５２は基板５０の比較的浅い位置までに制限される。Ｎ型ウェル５２上には、Ｐ型の変調用ウェル５４が形成されている。図１及び図２においては、収集ウェル５３及び変調用ウェル５４の形成領域を破線太線にて囲って示してある。
【００３６】
変調用ウェル５４内には、キャリアポケット７が形成されている。キャリアポケット７は、Ｐ+拡散による比較的濃い濃度の拡散層である。基板表面の変調トランジスタ形成領域には、環状のリングゲート４が形成されている。図１の例ではリングゲート４は平面的には４角形状に形成されている。また、図２の例ではリングゲート１４は、平面的には８角形状に形成されている。
【００３７】
リングゲート４の中央開口部の基板表面にはＮ+拡散層が形成されてソース領域５を構成する。また、リングゲート４の周囲の基板表面にはＮ型拡散層が形成されてドレイン領域３を構成する。同様に、リングゲート１４の中央開口部の基板表面にはＮ+拡散層が形成されてソース領域１５を構成する。また、リングゲート１４の周囲の基板表面にはＮ型拡散層が形成されてドレイン領域１３を構成する。
【００３８】
リングゲート４下の基板表面にはチャネルを構成するＮ型の拡散層５６が形成され、Ｎ型拡散層５６はソース領域５とドレイン領域３とに電気的に接続される。同様に、リングゲート１４下の基板表面にはチャネルを構成するＮ型の拡散層５６が形成され、Ｎ型拡散層５６はソース領域１５とドレイン領域１３とに電気的に接続される。
【００３９】
本実施の形態においては、フォトダイオード形成領域２に隣接するリングゲート４の一部の下方にのみ、変調用ウェル５４ａ及び拡散層５６が形成されている。これにより、この一部においては、変調トランジスタは、Ｎチャネルのディプレッション型として動作する。これに対し、リングゲート４の他の部分であるエンハンスメント領域４’（図１の斜線で囲った領域）の下方には、変調用ウェル５４ａ及び拡散層５６が形成されておらず、基板５０が突出したＰ型領域９が形成されている。即ち、エンハンスメント領域４’においては、リングゲート４の下方の基板表面はＰ型領域９が形成されて、この部分は変調トランジスタはエンハンスメント型として動作する。
【００４０】
同様に、図２において、フォトダイオード形成領域１２に隣接するリングゲート１４の一部の下方にのみ、変調用ウェル５４ｂ及び拡散層５６が形成されている。これにより、この一部においては、変調トランジスタは、Ｎチャネルのディプレッション型として動作する。これに対し、リングゲート１４の他の部分であるエンハンスメント領域１４’（図２の斜線で囲った領域）の下方には、変調用ウェル５４ｂ及び拡散層５６が形成されておらず、基板５０が突出したＰ型領域１９が形成されている。即ち、エンハンスメント領域１４’においては、リングゲート１４の下方の基板表面はＰ型領域１９’が形成されて、この部分は変調トランジスタはエンハンスメント型として動作する。
【００４１】
ドレイン領域３、ウェル５１、ウェル５２及び拡散層５５がドレイン電圧の印加によって正の電位にバイアスされることによって、フォトダイオードの開口領域下方においては、拡散層５５と収集ウェル５３ａとの境界面、ウェル５１と収集ウェル５３ａの境界面から空乏層が収集ウェル５３ａの全体およびその周囲に広がる。空乏領域において、開口領域を介して入射した光による光発生電荷が生じる。そして、上述したように、発生した光発生電荷は収集ウェル５３ａに収集され、更に変調用ウェル５４ａに転送されてキャリアポケット７に保持される。これにより、変調トランジスタＴＭのソース電位は、変調用ウェル５４に転送された電荷の量、即ち、フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたものとなる。
【００４２】
なお、変調トランジスタ形成領域のリングゲート１４を８角形状に構成した図２のセンサセル１１についての他の構成も、図１のセンサセル１と同様に図４に示す断面構造を有する。
【００４３】
＜装置全体の回路構成＞
図５はセンサセル１をマトリクス状に配置して構成したセンサセルアレイを用いた固体撮像装置全体の回路構成を等価回路によって示す回路ブロック図である。
【００４４】
図５に示すように、図１のセンサセル１をマトリクス状に配置してセンサセルアレイ６２が構成される。本実施の形態における固体撮像装置６１は、センサセルアレイ６２とセンサセルアレイ６２中の各センサセル１を駆動する回路６３〜６５とを有している。センサセルアレイ６２は、例えば、６４０×４８０のセル１と、オプティカルブラック（ＯＢ）のための領域（ＯＢ領域）を含む。ＯＢ領域を含めると、センサセルアレイ６２は例えば７１２×５００のセル１で構成される。なお、本実施の形態の固体撮像装置６１は、センサセル１に代えて、図２のセンサセル１１を用いても、同様に構成可能である。
【００４５】
図１のフォトダイオード形成領域２又は図２のフォトダイオード形成領域１２に構成されるフォトダイオードは、図５におけるフォトダイオードＰＤに相当する。また、センサセル１，１１の変調トランジスタ形成領域（図４参照）に構成される変調トランジスタは、図５において変調トランジスタＴＭで示している。
【００４６】
上述したように、各センサセル１は、光電変換を行うフォトダイオードＰＤと、光信号を検出して読み出すための変調トランジスタＴＭとを含む。フォトダイオードＰＤは入射光に応じた電荷（光発生電荷）を生じさせ、生じた電荷は収集ウェル５３ａ（図５では接続点ＰＤＷに相当）を介して変調トランジスタＴＭの閾値変調用の変調用ウェル５４ａ（図５では接続点ＴＭＷに相当）内のキャリアポケット７に転送されて保持される。
【００４７】
変調トランジスタＴＭは、キャリアポケット７に光発生電荷が保持されることでバックゲートバイアスが変化したことと等価となり、キャリアポケット７内の電荷量に応じてチャネルの閾値電圧が変化する。これにより、変調トランジスタＴＭのソース電圧は、キャリアポケット７内の電荷に応じたもの、即ち、フォトダイオードＰＤの入射光の明るさに対応したものとなる。
【００４８】
このように各セル１は、変調トランジスタＴＭのリングゲート４、ソース領域５及びドレイン領域３に駆動信号が印加されることで、蓄積、転送、読み出し及びクリア等の動作を呈する。セル１の各部には図５に示すように、垂直駆動走査回路６３、ドレイン駆動回路６４及び水平駆動走査回路６５から信号が供給されるようになっている。垂直駆動走査回路６３は、各行のゲート線６７に走査信号を供給し、ドレイン駆動回路６４は各列のドレイン領域３にドレイン電圧を印加する。また、水平駆動走査回路６５は、各ソース線６６に接続されたスイッチ６８に駆動信号を供給する。
【００４９】
各セル１は、センサセルアレイ６２に水平方向に配列された複数のソース線６６と垂直方向に配列された複数のゲート線６７との交点に対応して設けられている。水平方向に配列された各ラインの各セル１は、変調トランジスタＴＭのリングゲート４が共通のゲート線６７に接続され、垂直方向に配列された各列の各セル１は、変調トランジスタＴＭのソース領域５が共通のソース線６６に接続される。
【００５０】
複数のゲート線６７の１つにオン信号（選択ゲート電圧）を供給することで、オン信号が供給されたゲート線６７に共通接続された各セルが同時に選択されて、これらの選択されたセルの各ソース領域５から各ソース線６６を介して画素信号が出力される。垂直駆動走査回路６３は１フレーム期間においてゲート線６７にオン信号を順次シフトさせながら供給する。オン信号が供給されたラインの各セルからの画素信号が１ライン分同時に各ソース線６６から読み出されて各スイッチ６８に供給される。１ライン分の画素信号は水平駆動走査回路６５によって、スイッチ６８から画素毎に順次出力（ライン出力）される。
【００５１】
各ソース線６６に接続されたスイッチ６８は、共通の定電流源（負荷回路）６９を介して映像信号出力端子７０に接続されている。各センサセル１の変調トランジスタＴＭのソース領域５は定電流源６９に接続されることになり、センサセル１のソースフォロワ回路が構成される。
【００５２】
＜センサセルの平面形状＞
図１は変調トランジスタのリングゲート４が４角形状の例を示し、図２は変調トランジスタのリングゲート１４が８角形状の例を示している。
【００５３】
図１の平面図に示すように、単位画素であるセンサセル１内に、フォトダイオード形成領域２と変調トランジスタＴＭの形成領域とが隣接して設けられている。フォトダイオードＰＤ形成領域においては、基板５０の表面に配線層を形成する工程において、光を透過する開口領域が形成される。基板５０表面の比較的浅い位置には前記開口領域よりも広い領域にＰ型のウェルであり、光電変換素子によって発生した光発生電荷を収集する収集ウェル５３ａが形成されている。開口領域下のＮ型ウェル５１及び収集ウェル５３ａによってフォトダイオード形成領域２が構成される。
【００５４】
フォトダイオード形成領域２に隣接して、４角形状のリングゲート４が配置される。リングゲート４下方の基板の比較的浅い位置には、変調用ウェル５４ａが形成される。この変調用ウェル５４ａは、収集ウェル５３ａと略連続的に形成されており、収集ウェル５３ａにおいて収集された光発生電荷が変調用ウェル５４ａに転送されるようになっている。なお、図４の例では、収集ウェル５３ａと変調用ウェル５４ａとは、一体的に形成されているが、別々に形成してもよい。
【００５５】
リングゲート４の中央の開口部分の基板５０表面近傍領域には、高濃度Ｎ型領域であるソース領域５が形成されている。リングゲート４の周囲にはＮ型のドレイン領域３が形成されている。ドレイン領域３の所定位置には、基板５０表面近傍にＮ+層のコンタクト部８が形成される。
【００５６】
本実施の形態においては、変調用ウェル５４ａは、収集ウェル５３ａ側からソース領域５の略中央の位置までの領域に形成されている。そして、この変調用ウェル５４ａ内に変調トランジスタのチャネルの閾値電圧を制御するためのキャリアポケット７が形成されている。キャリアポケット７は、変調用ウェル５４ａ内においてリングゲート４の下方に高濃度のＰ型領域として形成される。
【００５７】
本実施の形態においては、キャリアポケット７は、リングゲート４のフォトダイオード形成領域２に対向する辺に沿って、直線的に形成されている。キャリアポケット７のポケット長は、いずれの位置においても等距離である。
【００５８】
なお、変調用ウェル５４ａは、変調用ウェル５４ａ内に光発生電荷を保持させるために、Ｎ型ウェル５１，５２に接続されるＮ型領域によって囲まれている。この構成によって、収集ウェル５３ａからの光発生電荷は、フォトダイオード形成領域に対向するリングゲート４の一部の下方のみに存在することになる。
【００５９】
リングゲート４の他の部分（図１の斜線で囲まれた領域）は、リングゲート４下方の基板表面までＰ型領域９が形成され、この部分は変調トランジスタをエンハンスメント型で動作させるエンハンスメント領域４’を構成する。
【００６０】
変調トランジスタＴＭは、変調用ウェル５４ａ、リングゲート４、ソース領域５及びドレイン領域３によって構成されて、キャリアポケット７に蓄積された電荷に応じてチャネルの閾値電圧が変化するようになっている。この場合には、変調用ウェル５４ａ上においては、変調トランジスタＴＭは、チャネルを構成する拡散層５６によってデプレション型で動作する。
【００６１】
一方、エンハンスメント領域４’においては、上述したように、変調トランジスタＴＭは、ゲート４下方においてＰ型領域９が形成されて、エンハンスメント型で動作する。
【００６２】
なお、図２のセンサセル１１についても、リングゲート１４が８角形である点、及び各部がリングゲート１４の形状に沿った形状となる点を除いて、図１のセンサセル１と同様の構成である。
【００６３】
また、図１及び図２においては、変調用ウェル５４ａ，５４ｂは、ソース領域５の略中央まで形成した例を示したが、変調用ウェル５４ａ，５４ｂはリングゲート４，１４の中央開口部分まで形成されていればよい。
【００６４】
＜動作＞
次に、このように構成された実施の形態の作用について図６及び図７を参照して説明する。図６は図４のＢ−Ｂ’線の位置におけるホールを基準としたポテンシャルを示す説明図であり、図７は横軸にゲート電圧Ｖｇをとり縦軸にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓをとって、変調トランジスタの特性を示すグラフである。
【００６５】
変調トランジスタＴＭのリングゲート４に低いゲート電圧を印加し、ドレイン領域３にトランジスタの動作に必要な例えば約０〜２Ｖの電圧（ＶＤＤ）を印加する。これにより、収集ウェル５３ａおよびその周囲が空乏化する。また、ドレイン領域３とソース領域５との間に電界が生じる。
【００６６】
フォトダイオード形成領域２に入射した光が、空乏化したＮ型ウェル５１に入射することで、電子−正孔対（光発生電荷）が生じる。Ｐ型の収集ウェル５３ａは高濃度のＰ型不純物が導入されてポテンシャルが低くなっており、Ｎ型ウェル５１に発生した光発生電荷は収集ウェル５３ａに収集される。更に、光発生電荷は収集ウェル５３ａから変調トランジスタ形成領域内の変調用ウェル５４ａに転送されて、キャリアポケット７に蓄積される。
【００６７】
即ち、フォトダイオード形成領域に対向する部分に高濃度拡散層であるキャリアポケット７が形成されており、収集ウェル５３ａから変調用ウェル５４ａ側に転送された光発生電荷は、先ずキャリアポケット７に蓄積される。そして、キャリアポケット７は、トランジスタ形成領域のうち、ソース領域５とフォトダイオード形成領域との間にのみ存在する。従って、フォトダイオード形成領域に対向する部分のみにおいて、キャリアポケット７による閾値変調が行われる。
【００６８】
図６に示すように、キャリアポケット７は、基板深さ方向にはＮ型ウェル５２の高いポテンシャルに比べて十分に低いポテンシャルとなっている。また、キャリアポケット７は、基板水平方向にはソース領域な比べて十分に低いポテンシャルとなっており、収集ウェル５３ａから転送されたホール（図６の黒丸）を蓄積する。
【００６９】
そして、キャリアポケット７は、線状に形成されており、ポケット長は一様である。即ち、キャリアポケット７の全域において、一様に光発生電荷が蓄積される。キャリアポケット７に蓄積された光発生電荷によって、変調トランジスタＴＭの閾値電圧が変化する。この状態で、選択画素のリングゲート４に例えば約２〜４Ｖのゲート電圧（選択ゲート電圧）を印加し、ドレイン領域３に例えば約２〜４Ｖの電圧ＶＤＤを印加する。更に、変調トランジスタＴＭのソース領域５に定電流源６９によって一定の電流を流す。これにより、変調トランジスタＴＭはソースフォロワ回路を形成し、光発生電荷による変調トランジスタＴＭの閾値電圧の変動に追随してソース電位が変化して、出力電圧が変化する。即ち、入射光に応じた出力が得られる。
【００７０】
この場合において、キャリアポケット７の全域において一様に光発生電荷が蓄積されるので、表面チャネルはいずれの位置においても同様に電流が流れやすくなって均一にチャネル電流が流れる。こうして、低照度時であっても、入射光量に応じたリニアリティに優れた出力（ソース電位）を得ることができる。これにより、低照度時のように光発生電荷の発生量が少ない場合でも、固定パターンノイズの発生を防止することができる。
【００７１】
しかも、キャリアポケット７に対向する辺以外のソース領域５の３辺は、平面的にはコ字状に形成されたＰ型領域９によって囲まれており、この部分はエンハンスメント領域４’となって、寄生電流を抑制することができる。
【００７２】
つまり、キャリアポット７側においては、図７のデプレション型で動作して、蓄積された光発生電荷に基づく表面チャネル電流が流れ、エンハンスメント領域４’側においては、図７のエンハンスメント型で動作して表面チャネル電流（寄生電流）はキャリアポケット上方でデプレッション型トランジスタの領域で流れる表面電流に比較して極めて小さい。こうして、寄生電流のソース領域５への流込を確実に防止することができる。従って、入射光量に応じて各センサセル１の出力のリニアリティを確保することができる。
【００７３】
なお、初期化時には、キャリアポケット７、収集ウェル５３ａ及び変調用ウェル５４ａ内に残留する電荷は排出される。例えば、変調トランジスタＴＭのドレイン領域３及びリングゲート４に５Ｖ以上の正電圧を印加する。変調用ウェル５４ａ下方のＮ型ウェル５２の厚さは薄く、リングゲート４に印加した電圧は変調用ウェル５４ａ及びその隣接領域にのみ作用する。即ち、変調用ウェル５４ａに急激なポテンシャル変化が生じ、光発生電荷を基板５０側に掃き出すような強い電界が主として変調用ウェル５４ａに印加されて、残留した光発生電荷は、比較的低いリセット電圧でより確実に基板５０に排出される。
【００７４】
初期化後において、非選択画素のリングゲートには、比較的低い電圧値の非選択ゲート電圧を印加すると共に、選択画素のリングゲート４には比較的高い電圧値の選択ゲート電圧を印加する。そして、共通接続されたソース線６６から、選択画素の初期化後の信号出力を得る。
【００７５】
このように、本実施の形態においては、フォトダイオード形成領域に対向させて直線状のキャリアポケットを形成すると共に、キャリアポケットが形成されていないソース領域の３辺に沿ったエンハンスメント領域には、Ｐ型ウェル、キャリアポケットを形成せずに、リングゲート下の基板表面をＰ型領域とする。こうして、ポテンシャルが一様なキャリアポケットに光発生電荷を蓄積して基板変調させることで、リニアリティに優れた出力を得る。また、エンハンスメント領域４’からチャネル電流が流れることを防止して寄生電流を抑制する。これにより、出力のリニアリティを確保することができる。従って、本実施の形態を採用することで、固定パターンノイズが生じない高画質の画像を得ることができる。
【００７６】
なお、図１では４角形状のリングゲート４を用いる例を説明したが、図２の８角形状であっても、同様に構成可能であることは明らかである。更に、環状であれは、任意の多角形状を採用することができる。
【００７７】
図８及び図９は本発明の第２の実施の形態に係り、図８は第２の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図であり、図９は図８のセンサセルの断面形状を示す模式的な断面図である。図９は図８のＡ−Ａ’線の断面を示している。図８及び図９において、図２及び図４と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００７８】
本実施の形態はリングゲートの平面形状が図２の第１の実施の形態と異なる。上述したように、エンハンスメント領域においては、寄生電流は流れない。即ち、エンハンスメント領域のリングゲートはチャネル電流に寄与しない。従って、この部分のリングゲートは不要である。
【００７９】
本実施の形態においては、第１の実施の形態におけるリングゲート１４（図８の破線）のうち、チャネル電流に寄与しないエンハンスメント領域１４ｂ（斜線で囲った部分）の部分を除去して、リングゲート１４ａを構成している。
【００８０】
このような構成によれば、基板変調に影響を与えることなく、チャネル電流に寄与しないリングゲートの一部を除去する。これにより、微細化を促進することができる。
【００８１】
他の構成及び作用は第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
なお、本実施の形態においても、リングゲートを含む変調トランジスタの形状として、例えば４角形状等の任意の多角形状を採用することができることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図２】変調トランジスタの平面形状が８角形の例を示す説明図。
【図３】固定パターンノイズを回避するための基本構造を示す説明図。
【図４】センサセル１の断面構造を示す模式的断面図。
【図５】センサセル１をマトリクス状に配置して構成したセンサセルアレイを用いた固体撮像装置全体の回路構成を等価回路によって示す回路ブロック図。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線の位置におけるホールを基準としたポテンシャルを示す説明図。
【図７】横軸にゲート電圧Ｖｇをとり縦軸にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓをとって、変調トランジスタの特性を示すグラフ。
【図８】第２の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図９】センサセルの断面形状を示す模式的な断面図。
【符号の説明】
【００８４】
１…センサセル、２…フォトダイオード形成領域、３…ドレイン領域、４…リングゲート、４’…エンハンスメント領域、５…ソース領域、７…キャリアポケット、９…Ｐ型領域、５３ａ…収集ウェル、５４ａ…変調用ウェル。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高画質特性及び低消費電力特性を有する固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などに搭載される固体撮像装置として、ＣＣＤ（電荷結合素子）型のイメージセンサと、ＣＭＯＳ型のイメージセンサと、がある。ＣＣＤ型のイメージセンサは画質に優れ、ＣＭＯＳ型のイメージセンサは消費電力が少なく、プロセスコストが低い。近年、高画質と低消費電力とを共に兼ね備えた閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置が提案されている。閾値電圧変調方式のＭＯＳ型固体撮像装置については、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００３】
イメージセンサは、センサセルをマトリクス状に配列し、初期化、蓄積、読み出しの３つの状態を繰り返すことで、画像出力を得ている。特許文献１によって開示されたイメージセンサは、各単位画素が、蓄積を行うための受光ダイオードと、読み出しを行うためのトランジスタとを有している。
【０００４】
特許文献１のイメージセンサは、基板上において、各単位画素毎に、受光ダイオードと光信号検出用ＭＯＳトランジスタとが隣接配置されている。このトランジスタのゲート電極はリング状に形成されており、ゲート電極の中央の開口部分に、ソース領域が形成されている。ゲート電極の周辺にはドレイン領域が形成されている。
【０００５】
受光ダイオードの開口領域から入射した光によって発生した電荷（光発生電荷）は、ゲート電極下方のＰ型のウェル領域に転送されて、この部分に形成されたキャリアポケットに蓄積される。キャリアポケットに蓄積された光発生電荷によってトランジスタの閾値電圧が変化する。これにより、入射光に対応した信号（画素信号）を、トランジスタのソース領域から取り出すことができるようになっている。
【０００６】
なお、特許文献１の装置では、同一列に配列された単位画素の出力は、共通のソース線を介して取り出されるようになっている。トランジスタのゲートに印加する電圧をライン毎に制御することで、共通のソース線に接続された各単位画素のうち所定のラインの単位画素からの選択的な読み出しを可能にしている。即ち、読み出しを行う単位画素（選択画素）のトランジスタには比較的高いゲート電圧を印加し、他の読み出しを行わない単位画素（非選択画素）のトランジスタには比較的低いゲート電圧を印加する。高いゲート電圧を印加したトランジスタの出力の方が低いゲート電圧を印加したトランジスタの出力よりも高く、ソース線から選択画素の出力を得ることができる。
【０００７】
なお、特許文献２等においては、変調トランジスタを棒型で構成する技術が開示されている。しかしながら、棒型の変調トランジスタを構成する場合には、拡散層による分離又はＬＯＣＯＳによる分離領域を設ける必要がある。このため、ゲート電極を２層にする等、複雑な構造が要求され、駆動シーケンスも複雑となってしまうという欠点がある。
【特許文献１】特開２００２−５７３１５号公報
【特許文献２】特開平１０−６５１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、キャリアポケットは比較的高い濃度で形成されて、正孔のポテンシャルを基準にすると、そのポテンシャルは十分に低い値となる。これにより、受光ダイオードにおいて発生した光発生電荷がキャリアポケットに蓄積されるようになっている。ところが、キャリアポケットのポテンシャルは、ドレインやゲート等の周辺電位の影響を受ける。キャリアポケットの濃度が一定であるものとすると、周辺からの距離に比例してホールを基準としたポテンシャルは低下する。
【０００９】
ところで、特許文献１の装置においては、キャリアポケットは平面的には四角形状に形成されている。従って、キャリアポケットの角部と辺部とではキャリアポケットの幅が異なり、ポテンシャルはキャリアポケットの角部において他の部分よりも部分的に低下してしまう。なお、拡散工程におけるマスク形状を考慮すると、キャリアポケットを完全な円形状に形成することは困難であり、キャリアポケットにはポテンシャルが部分的に低い部分が必ず生じてしまう。また、キャリアポケットの濃度の不均一性等によっても、キャリアポケット内に部分的に他の部分よりもポテンシャルが低い部分が存在することもある。
【００１０】
キャリアポケットは、光発生電荷が蓄積されることでポテンシャルが高くなり、これにより表面チャネル電位を変化させてチャネル電流を流れやすくする。ところが、例えば、低照度の場合のように、光発生電荷の発生量が比較的少ない場合には、キャリアポケットのポテンシャルが低い部分のみに、光発生電荷が蓄積される。
【００１１】
即ち、低照度時には、キャリアポケットの一部の領域のみに光発生電荷が蓄積されて閾値変調が行われるが、キャリアポケットの大部分の領域については、光発生電荷が蓄積されず閾値変調は行われない。
【００１２】
このため、光発生電荷の発生量が比較的少ない状態では、信号出力の立上りが鈍く、リニアリティも悪い。このような画素が１次元又は２次元に配列されて画面が構成される場合には、例えば低照度時には、画素毎に出力にばらつきが生じやすく、固定パターンノイズが現れてしまうという問題点があった。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、キャリアポケットの形状を変形させることによって、光発生電荷の発生量が少ない場合でも信号出力のリニアリティを確保することができ、固定パターンノイズの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る固体撮像装置は、
一方導電型の基板と、
前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、
前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲートと、
前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域と、
前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域と、
前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケットと、
前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、
前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域とを含む固体撮像装置。
【００１５】
本発明の実施の形態によれば、光電変換素子は、入射した光に応じた光発生電荷を発生する。光電変換素子には変調トランジスタが隣接配置されており、変調トランジスタを構成する環状のゲートの中央開口には、ソース領域が形成される。このソース領域と光電変換素子との間には、直線的な形状を有するキャリアポケットが形成される。光電変換素子からの光発生電荷は、キャリアポケットに保持される。こうして、変調トランジスタの閾値が変化て、変調トランジスタから入射光量に応じた出力が得られる。この場合には、キャリアポケットが直線的な形状を有しており、キャリアポケット上の表面チャネルにはいずれの部分においても一様な電流が流れる。これにより、出力のリニアリティが得られる。また、キャリアポケットが形成されていないソース領域の周辺には、ゲート下方の基板表面に一方導電型の領域が形成される。これにより、この部分においては、変調トランジスタはエンハンスメント型として動作し寄生電流が流れることはない。これにより、出力のリニアリティが確保される。
【００１６】
また、前記ソース領域は、平面的には前記光電変換素子に対向する辺を有し、前記キャリアポケットは、前記ソース領域の前記光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有する。
【００１７】
本発明の実施の形態によれば、キャリアポケットは、ソース領域の光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有していることから、キャリアポケットのポケット長は、キャリアポケット上の表面チャネル幅方向の全域において等しく、キャリアポケットのポテンシャルは一様である。従って、光発生電荷の量が小さい場合でも、キャリアポケット上の表面チャネルの全域において一様にチャネル電流が流れる。これにより、出力のリニアリティが確保される。
【００１８】
また、前記キャリアポケットは、一方導電型ウェル内に形成され、前記一方導電型ウェルは、他方導電型の拡散層によって周囲を囲まれて前記光電変換素子からの光発生電荷を前記キャリアポケットに転送する。
【００１９】
本発明の実施の形態によれば、一方導電型ウェルは他方導電型の拡散層によって囲まれているので、光電変換素子からの光発生電荷は確実にキャリアポケットに転送されて保持される。これにより、入射光量に応じた出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図、図２は変調トランジスタの平面形状が８角形の例を示す説明図である。図３は固定パターンノイズを回避するための基本構造を示す説明図である。
【００２１】
先ず、図３を参照して、固定パターンノイズを回避するための変調トランジスタの構造について説明する。本実施の形態における固体撮像装置は、単位画素であるセンサセルがマトリクス状に配列されて構成されたセンサセルアレイを有している。各センサセルは、入射光に応じて発生させた光発生電荷を収集・蓄積し、蓄積した光発生電荷に基づくレベルの画素信号を出力する。センサセルをマトリクス状に配列することで１画面の画像信号が得られる。
【００２２】
図３は固定パターンノイズを回避可能にしたセンサセル３１，４１の構造を示している。図３（ａ）は変調トランジスタが４角形状の例を示し、図３（ｂ）は変調トランジスタが８角形状の例を示している。なお、図３（ａ），図３（ｂ）のセンサセル３１，４１は、変調トランジスタの平面形状が４角形状である８角形状であるかが相違するのみである。
【００２３】
図３に示すセンサセル３１，４１は、半導体基板上に半導体プロセスによって構成されている。センサセル３１，４１は、夫々フォトダイオード形成領域３２，４２において、入射光に応じて光発生電荷を発生させるフォトダイオードが形成されている。また、センサセル３１，４１は、このフォトダイオード形成領域３２，４２に隣接して、光発生電荷に応じた画素信号を出力するための変調トランジスタの形成領域（変調トランジスタ形成領域）が設けられる。
【００２４】
フォトダイオード形成領域３２，４２において、入射光に応じた光発生電荷が発生する。フォトダイオード形成領域３２，４２に隣接して、変調トランジスタを構成する環状のリングゲート３４，４４が形成されている。リングゲート３４の平面形状は４角形であり、リングゲート４４の平面形状は８角形である。リングゲート３４，４４は中央が開口しており、この開口部分に夫々ソース領域３５，４５が設けられる。ソース領域３５，４５は夫々コンタクト部３６，４６を介して図示しないソース線（データ線）に接続される。
【００２５】
なお、フォトダイオード形成領域３２及び変調トランジスタのリングゲート３４の外側の領域はドレイン領域３３であり、ドレイン領域３３はコンタクト部３８を介して図示しないドレイン配線に接続される。また、フォトダイオード形成領域４２及び変調トランジスタのリングゲート４４の外側の領域はドレイン領域４３であり、ドレイン領域４３はコンタクト部４８を介して図示しないドレイン配線に接続される。なお、基板表面においては、フォトダイオード形成領域３２，４２上にも、夫々ドレイン領域３３，４３が形成されている。
【００２６】
図３（ａ）の例では、リングゲート３４の下方（基板内）に、光発生電荷が蓄積されるキャリアポケット３７が形成されている。キャリアポケット３７は、フォトダイオード形成領域３２に対向するソース領域３５の一辺に沿って、平面的には所定幅を有する直線形状に構成される。キャリアポケット３７は、屈曲した形状を有していないことから、ドレイン領域３３からソース領域３５への表面チャネルの形成方向の距離（以下、ポケット長という）は、いずれの部分においても等距離に形成される。
【００２７】
従って、キャリアポケット３７のポテンシャルは、表面チャネルの形成方向に対して垂直な方向（ポケット長方向に垂直な方向）のいずれの部分においても、略均一である。これにより、図３（ａ）のセンサセル３１を用いて固体撮像装置を構成した場合には、低照度時においても光量に応じた出力を発生することができ、低照度時から高照度時まで出力のリニアリティを得ることができる。
【００２８】
また、図３（ｂ）の例では、リングゲート４４の下方（基板内）に、光発生電荷が蓄積されるキャリアポケット４７が形成されている。キャリアポケット４７も、フォトダイオード形成領域４２に対向するソース領域４５の一辺に沿って、平面的には所定幅を有する直線形状に構成される。キャリアポケット４７は、屈曲した形状を有していないことから、ポケット長はいずれの部分においても等距離に形成される。
【００２９】
従って、キャリアポケット４７のポテンシャルは、ポケット長方向に垂直な方向のいずれの部分においても略均一である。これにより、図３（ｂ）のセンサセル４１を用いて固体撮像装置を構成した場合には、低照度時においても光量に応じた出力を発生することができ、低照度時から高照度時まで出力のリニアリティを得ることができる。
【００３０】
ところが、図３（ａ），（ｂ）の例においては、ソース領域３５，４５には、夫々キャリアポケット３７，４７の形成領域以外の部分においても、ドレイン領域３３，４３からの寄生電流がチャネル電流として流れる。この寄生電流によって、実際には、出力のリニアリティが悪化する。
【００３１】
そこで、本実施の形態においては、ソース領域周辺のキャリアポケットが形成されない部分、即ち、寄生電流の経路となる部分については、変調トランジスタをエンハンスメント型で構成するようになっている。
【００３２】
図１において、センサセル１は図３（ａ）のセンサセル３１と同様に４角形状の変調トランジスタＴＭを有している。また、図２のセンサセル１１は、図４（ｂ）のセンサセル４１と同様に８角形状の変調トランジスタＴＭ’を有している。これらのセンサセル１，１１は相互に変調トランジスタの平面形状が異なるのみである。即ち、図２中のフォトダイオード形成領域１２、ドレイン領域１３、リングゲート１４、ソース領域１５、コンタクト部１６，１８、キャリアポケット１７、エンハンスメント型のトランジスタが形成されるエンハンスメント領域１９は、夫々図１中のフォトダイオード形成領域２、ドレイン領域３、リングゲート４、ソース領域５、コンタクト部６，８、キャリアポケット７、エンハンスメント型のトランジスタが形成されるエンハンスメント領域９と同一の機能を有するものである。以下、説明の簡略化のために、主に図１のセンサセル１について説明し、図２のセンサセル１１については相違点のみを説明する。なお、センサセル１又はセンサセル１１がマトリクス状に配列されて、センサセルアレイが構成される。
【００３３】
＜各センサセルの断面構造＞
先ず、図４を参照してセンサセル１，１１の断面構造を説明する。図４はセンサセル１の断面構造を示す模式的断面図である。図４は図１のＡ−Ａ’線の断面構造を示している。なお、図２のセンサセル１１についても、図２のＡ−Ａ’線で切断した断面形状は図４と同様であり、説明を省略する。本実施の形態は光発生電荷として正孔を用いる例を示している。光発生電荷として電子を用いる場合でも同様に構成可能である。
【００３４】
各セルは、フォトダイオード形成領域と変調トランジスタ形成領域とを有している。Ｐ型基板５０上にはＮ型ウェル５１，５２が形成されている。フォトダイオード形成領域のＮ型ウェル５１上には、Ｐ型の収集ウェル５３が形成されている。収集ウェル５３上の基板表面側には、ピニング層であるＮ型の拡散層５５が形成されている。Ｎ型ウェル５１は基板の比較的深い位置まで形成されている。
【００３５】
一方、変調トランジスタＴＭ形成領域においては、Ｎ型ウェル５２は基板５０の比較的浅い位置までに制限される。Ｎ型ウェル５２上には、Ｐ型の変調用ウェル５４が形成されている。図１及び図２においては、収集ウェル５３及び変調用ウェル５４の形成領域を破線太線にて囲って示してある。
【００３６】
変調用ウェル５４内には、キャリアポケット７が形成されている。キャリアポケット７は、Ｐ+拡散による比較的濃い濃度の拡散層である。基板表面の変調トランジスタ形成領域には、環状のリングゲート４が形成されている。図１の例ではリングゲート４は平面的には４角形状に形成されている。また、図２の例ではリングゲート１４は、平面的には８角形状に形成されている。
【００３７】
リングゲート４の中央開口部の基板表面にはＮ+拡散層が形成されてソース領域５を構成する。また、リングゲート４の周囲の基板表面にはＮ型拡散層が形成されてドレイン領域３を構成する。同様に、リングゲート１４の中央開口部の基板表面にはＮ+拡散層が形成されてソース領域１５を構成する。また、リングゲート１４の周囲の基板表面にはＮ型拡散層が形成されてドレイン領域１３を構成する。
【００３８】
リングゲート４下の基板表面にはチャネルを構成するＮ型の拡散層５６が形成され、Ｎ型拡散層５６はソース領域５とドレイン領域３とに電気的に接続される。同様に、リングゲート１４下の基板表面にはチャネルを構成するＮ型の拡散層５６が形成され、Ｎ型拡散層５６はソース領域１５とドレイン領域１３とに電気的に接続される。
【００３９】
本実施の形態においては、フォトダイオード形成領域２に隣接するリングゲート４の一部の下方にのみ、変調用ウェル５４ａ及び拡散層５６が形成されている。これにより、この一部においては、変調トランジスタは、Ｎチャネルのディプレッション型として動作する。これに対し、リングゲート４の他の部分であるエンハンスメント領域４’（図１の斜線で囲った領域）の下方には、変調用ウェル５４ａ及び拡散層５６が形成されておらず、基板５０が突出したＰ型領域９が形成されている。即ち、エンハンスメント領域４’においては、リングゲート４の下方の基板表面はＰ型領域９が形成されて、この部分は変調トランジスタはエンハンスメント型として動作する。
【００４０】
同様に、図２において、フォトダイオード形成領域１２に隣接するリングゲート１４の一部の下方にのみ、変調用ウェル５４ｂ及び拡散層５６が形成されている。これにより、この一部においては、変調トランジスタは、Ｎチャネルのディプレッション型として動作する。これに対し、リングゲート１４の他の部分であるエンハンスメント領域１４’（図２の斜線で囲った領域）の下方には、変調用ウェル５４ｂ及び拡散層５６が形成されておらず、基板５０が突出したＰ型領域１９が形成されている。即ち、エンハンスメント領域１４’においては、リングゲート１４の下方の基板表面はＰ型領域１９’が形成されて、この部分は変調トランジスタはエンハンスメント型として動作する。
【００４１】
ドレイン領域３、ウェル５１、ウェル５２及び拡散層５５がドレイン電圧の印加によって正の電位にバイアスされることによって、フォトダイオードの開口領域下方においては、拡散層５５と収集ウェル５３ａとの境界面、ウェル５１と収集ウェル５３ａの境界面から空乏層が収集ウェル５３ａの全体およびその周囲に広がる。空乏領域において、開口領域を介して入射した光による光発生電荷が生じる。そして、上述したように、発生した光発生電荷は収集ウェル５３ａに収集され、更に変調用ウェル５４ａに転送されてキャリアポケット７に保持される。これにより、変調トランジスタＴＭのソース電位は、変調用ウェル５４に転送された電荷の量、即ち、フォトダイオードＰＤへの入射光に応じたものとなる。
【００４２】
なお、変調トランジスタ形成領域のリングゲート１４を８角形状に構成した図２のセンサセル１１についての他の構成も、図１のセンサセル１と同様に図４に示す断面構造を有する。
【００４３】
＜装置全体の回路構成＞
図５はセンサセル１をマトリクス状に配置して構成したセンサセルアレイを用いた固体撮像装置全体の回路構成を等価回路によって示す回路ブロック図である。
【００４４】
図５に示すように、図１のセンサセル１をマトリクス状に配置してセンサセルアレイ６２が構成される。本実施の形態における固体撮像装置６１は、センサセルアレイ６２とセンサセルアレイ６２中の各センサセル１を駆動する回路６３〜６５とを有している。センサセルアレイ６２は、例えば、６４０×４８０のセル１と、オプティカルブラック（ＯＢ）のための領域（ＯＢ領域）を含む。ＯＢ領域を含めると、センサセルアレイ６２は例えば７１２×５００のセル１で構成される。なお、本実施の形態の固体撮像装置６１は、センサセル１に代えて、図２のセンサセル１１を用いても、同様に構成可能である。
【００４５】
図１のフォトダイオード形成領域２又は図２のフォトダイオード形成領域１２に構成されるフォトダイオードは、図５におけるフォトダイオードＰＤに相当する。また、センサセル１，１１の変調トランジスタ形成領域（図４参照）に構成される変調トランジスタは、図５において変調トランジスタＴＭで示している。
【００４６】
上述したように、各センサセル１は、光電変換を行うフォトダイオードＰＤと、光信号を検出して読み出すための変調トランジスタＴＭとを含む。フォトダイオードＰＤは入射光に応じた電荷（光発生電荷）を生じさせ、生じた電荷は収集ウェル５３ａ（図５では接続点ＰＤＷに相当）を介して変調トランジスタＴＭの閾値変調用の変調用ウェル５４ａ（図５では接続点ＴＭＷに相当）内のキャリアポケット７に転送されて保持される。
【００４７】
変調トランジスタＴＭは、キャリアポケット７に光発生電荷が保持されることでバックゲートバイアスが変化したことと等価となり、キャリアポケット７内の電荷量に応じてチャネルの閾値電圧が変化する。これにより、変調トランジスタＴＭのソース電圧は、キャリアポケット７内の電荷に応じたもの、即ち、フォトダイオードＰＤの入射光の明るさに対応したものとなる。
【００４８】
このように各セル１は、変調トランジスタＴＭのリングゲート４、ソース領域５及びドレイン領域３に駆動信号が印加されることで、蓄積、転送、読み出し及びクリア等の動作を呈する。セル１の各部には図５に示すように、垂直駆動走査回路６３、ドレイン駆動回路６４及び水平駆動走査回路６５から信号が供給されるようになっている。垂直駆動走査回路６３は、各行のゲート線６７に走査信号を供給し、ドレイン駆動回路６４は各列のドレイン領域３にドレイン電圧を印加する。また、水平駆動走査回路６５は、各ソース線６６に接続されたスイッチ６８に駆動信号を供給する。
【００４９】
各セル１は、センサセルアレイ６２に水平方向に配列された複数のソース線６６と垂直方向に配列された複数のゲート線６７との交点に対応して設けられている。水平方向に配列された各ラインの各セル１は、変調トランジスタＴＭのリングゲート４が共通のゲート線６７に接続され、垂直方向に配列された各列の各セル１は、変調トランジスタＴＭのソース領域５が共通のソース線６６に接続される。
【００５０】
複数のゲート線６７の１つにオン信号（選択ゲート電圧）を供給することで、オン信号が供給されたゲート線６７に共通接続された各セルが同時に選択されて、これらの選択されたセルの各ソース領域５から各ソース線６６を介して画素信号が出力される。垂直駆動走査回路６３は１フレーム期間においてゲート線６７にオン信号を順次シフトさせながら供給する。オン信号が供給されたラインの各セルからの画素信号が１ライン分同時に各ソース線６６から読み出されて各スイッチ６８に供給される。１ライン分の画素信号は水平駆動走査回路６５によって、スイッチ６８から画素毎に順次出力（ライン出力）される。
【００５１】
各ソース線６６に接続されたスイッチ６８は、共通の定電流源（負荷回路）６９を介して映像信号出力端子７０に接続されている。各センサセル１の変調トランジスタＴＭのソース領域５は定電流源６９に接続されることになり、センサセル１のソースフォロワ回路が構成される。
【００５２】
＜センサセルの平面形状＞
図１は変調トランジスタのリングゲート４が４角形状の例を示し、図２は変調トランジスタのリングゲート１４が８角形状の例を示している。
【００５３】
図１の平面図に示すように、単位画素であるセンサセル１内に、フォトダイオード形成領域２と変調トランジスタＴＭの形成領域とが隣接して設けられている。フォトダイオードＰＤ形成領域においては、基板５０の表面に配線層を形成する工程において、光を透過する開口領域が形成される。基板５０表面の比較的浅い位置には前記開口領域よりも広い領域にＰ型のウェルであり、光電変換素子によって発生した光発生電荷を収集する収集ウェル５３ａが形成されている。開口領域下のＮ型ウェル５１及び収集ウェル５３ａによってフォトダイオード形成領域２が構成される。
【００５４】
フォトダイオード形成領域２に隣接して、４角形状のリングゲート４が配置される。リングゲート４下方の基板の比較的浅い位置には、変調用ウェル５４ａが形成される。この変調用ウェル５４ａは、収集ウェル５３ａと略連続的に形成されており、収集ウェル５３ａにおいて収集された光発生電荷が変調用ウェル５４ａに転送されるようになっている。なお、図４の例では、収集ウェル５３ａと変調用ウェル５４ａとは、一体的に形成されているが、別々に形成してもよい。
【００５５】
リングゲート４の中央の開口部分の基板５０表面近傍領域には、高濃度Ｎ型領域であるソース領域５が形成されている。リングゲート４の周囲にはＮ型のドレイン領域３が形成されている。ドレイン領域３の所定位置には、基板５０表面近傍にＮ+層のコンタクト部８が形成される。
【００５６】
本実施の形態においては、変調用ウェル５４ａは、収集ウェル５３ａ側からソース領域５の略中央の位置までの領域に形成されている。そして、この変調用ウェル５４ａ内に変調トランジスタのチャネルの閾値電圧を制御するためのキャリアポケット７が形成されている。キャリアポケット７は、変調用ウェル５４ａ内においてリングゲート４の下方に高濃度のＰ型領域として形成される。
【００５７】
本実施の形態においては、キャリアポケット７は、リングゲート４のフォトダイオード形成領域２に対向する辺に沿って、直線的に形成されている。キャリアポケット７のポケット長は、いずれの位置においても等距離である。
【００５８】
なお、変調用ウェル５４ａは、変調用ウェル５４ａ内に光発生電荷を保持させるために、Ｎ型ウェル５１，５２に接続されるＮ型領域によって囲まれている。この構成によって、収集ウェル５３ａからの光発生電荷は、フォトダイオード形成領域に対向するリングゲート４の一部の下方のみに存在することになる。
【００５９】
リングゲート４の他の部分（図１の斜線で囲まれた領域）は、リングゲート４下方の基板表面までＰ型領域９が形成され、この部分は変調トランジスタをエンハンスメント型で動作させるエンハンスメント領域４’を構成する。
【００６０】
変調トランジスタＴＭは、変調用ウェル５４ａ、リングゲート４、ソース領域５及びドレイン領域３によって構成されて、キャリアポケット７に蓄積された電荷に応じてチャネルの閾値電圧が変化するようになっている。この場合には、変調用ウェル５４ａ上においては、変調トランジスタＴＭは、チャネルを構成する拡散層５６によってデプレション型で動作する。
【００６１】
一方、エンハンスメント領域４’においては、上述したように、変調トランジスタＴＭは、ゲート４下方においてＰ型領域９が形成されて、エンハンスメント型で動作する。
【００６２】
なお、図２のセンサセル１１についても、リングゲート１４が８角形である点、及び各部がリングゲート１４の形状に沿った形状となる点を除いて、図１のセンサセル１と同様の構成である。
【００６３】
また、図１及び図２においては、変調用ウェル５４ａ，５４ｂは、ソース領域５の略中央まで形成した例を示したが、変調用ウェル５４ａ，５４ｂはリングゲート４，１４の中央開口部分まで形成されていればよい。
【００６４】
＜動作＞
次に、このように構成された実施の形態の作用について図６及び図７を参照して説明する。図６は図４のＢ−Ｂ’線の位置におけるホールを基準としたポテンシャルを示す説明図であり、図７は横軸にゲート電圧Ｖｇをとり縦軸にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓをとって、変調トランジスタの特性を示すグラフである。
【００６５】
変調トランジスタＴＭのリングゲート４に低いゲート電圧を印加し、ドレイン領域３にトランジスタの動作に必要な例えば約０〜２Ｖの電圧（ＶＤＤ）を印加する。これにより、収集ウェル５３ａおよびその周囲が空乏化する。また、ドレイン領域３とソース領域５との間に電界が生じる。
【００６６】
フォトダイオード形成領域２に入射した光が、空乏化したＮ型ウェル５１に入射することで、電子−正孔対（光発生電荷）が生じる。Ｐ型の収集ウェル５３ａは高濃度のＰ型不純物が導入されてポテンシャルが低くなっており、Ｎ型ウェル５１に発生した光発生電荷は収集ウェル５３ａに収集される。更に、光発生電荷は収集ウェル５３ａから変調トランジスタ形成領域内の変調用ウェル５４ａに転送されて、キャリアポケット７に蓄積される。
【００６７】
即ち、フォトダイオード形成領域に対向する部分に高濃度拡散層であるキャリアポケット７が形成されており、収集ウェル５３ａから変調用ウェル５４ａ側に転送された光発生電荷は、先ずキャリアポケット７に蓄積される。そして、キャリアポケット７は、トランジスタ形成領域のうち、ソース領域５とフォトダイオード形成領域との間にのみ存在する。従って、フォトダイオード形成領域に対向する部分のみにおいて、キャリアポケット７による閾値変調が行われる。
【００６８】
図６に示すように、キャリアポケット７は、基板深さ方向にはＮ型ウェル５２の高いポテンシャルに比べて十分に低いポテンシャルとなっている。また、キャリアポケット７は、基板水平方向にはソース領域な比べて十分に低いポテンシャルとなっており、収集ウェル５３ａから転送されたホール（図６の黒丸）を蓄積する。
【００６９】
そして、キャリアポケット７は、線状に形成されており、ポケット長は一様である。即ち、キャリアポケット７の全域において、一様に光発生電荷が蓄積される。キャリアポケット７に蓄積された光発生電荷によって、変調トランジスタＴＭの閾値電圧が変化する。この状態で、選択画素のリングゲート４に例えば約２〜４Ｖのゲート電圧（選択ゲート電圧）を印加し、ドレイン領域３に例えば約２〜４Ｖの電圧ＶＤＤを印加する。更に、変調トランジスタＴＭのソース領域５に定電流源６９によって一定の電流を流す。これにより、変調トランジスタＴＭはソースフォロワ回路を形成し、光発生電荷による変調トランジスタＴＭの閾値電圧の変動に追随してソース電位が変化して、出力電圧が変化する。即ち、入射光に応じた出力が得られる。
【００７０】
この場合において、キャリアポケット７の全域において一様に光発生電荷が蓄積されるので、表面チャネルはいずれの位置においても同様に電流が流れやすくなって均一にチャネル電流が流れる。こうして、低照度時であっても、入射光量に応じたリニアリティに優れた出力（ソース電位）を得ることができる。これにより、低照度時のように光発生電荷の発生量が少ない場合でも、固定パターンノイズの発生を防止することができる。
【００７１】
しかも、キャリアポケット７に対向する辺以外のソース領域５の３辺は、平面的にはコ字状に形成されたＰ型領域９によって囲まれており、この部分はエンハンスメント領域４’となって、寄生電流を抑制することができる。
【００７２】
つまり、キャリアポット７側においては、図７のデプレション型で動作して、蓄積された光発生電荷に基づく表面チャネル電流が流れ、エンハンスメント領域４’側においては、図７のエンハンスメント型で動作して表面チャネル電流（寄生電流）はキャリアポケット上方でデプレッション型トランジスタの領域で流れる表面電流に比較して極めて小さい。こうして、寄生電流のソース領域５への流込を確実に防止することができる。従って、入射光量に応じて各センサセル１の出力のリニアリティを確保することができる。
【００７３】
なお、初期化時には、キャリアポケット７、収集ウェル５３ａ及び変調用ウェル５４ａ内に残留する電荷は排出される。例えば、変調トランジスタＴＭのドレイン領域３及びリングゲート４に５Ｖ以上の正電圧を印加する。変調用ウェル５４ａ下方のＮ型ウェル５２の厚さは薄く、リングゲート４に印加した電圧は変調用ウェル５４ａ及びその隣接領域にのみ作用する。即ち、変調用ウェル５４ａに急激なポテンシャル変化が生じ、光発生電荷を基板５０側に掃き出すような強い電界が主として変調用ウェル５４ａに印加されて、残留した光発生電荷は、比較的低いリセット電圧でより確実に基板５０に排出される。
【００７４】
初期化後において、非選択画素のリングゲートには、比較的低い電圧値の非選択ゲート電圧を印加すると共に、選択画素のリングゲート４には比較的高い電圧値の選択ゲート電圧を印加する。そして、共通接続されたソース線６６から、選択画素の初期化後の信号出力を得る。
【００７５】
このように、本実施の形態においては、フォトダイオード形成領域に対向させて直線状のキャリアポケットを形成すると共に、キャリアポケットが形成されていないソース領域の３辺に沿ったエンハンスメント領域には、Ｐ型ウェル、キャリアポケットを形成せずに、リングゲート下の基板表面をＰ型領域とする。こうして、ポテンシャルが一様なキャリアポケットに光発生電荷を蓄積して基板変調させることで、リニアリティに優れた出力を得る。また、エンハンスメント領域４’からチャネル電流が流れることを防止して寄生電流を抑制する。これにより、出力のリニアリティを確保することができる。従って、本実施の形態を採用することで、固定パターンノイズが生じない高画質の画像を得ることができる。
【００７６】
なお、図１では４角形状のリングゲート４を用いる例を説明したが、図２の８角形状であっても、同様に構成可能であることは明らかである。更に、環状であれは、任意の多角形状を採用することができる。
【００７７】
図８及び図９は本発明の第２の実施の形態に係り、図８は第２の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図であり、図９は図８のセンサセルの断面形状を示す模式的な断面図である。図９は図８のＡ−Ａ’線の断面を示している。図８及び図９において、図２及び図４と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００７８】
本実施の形態はリングゲートの平面形状が図２の第１の実施の形態と異なる。上述したように、エンハンスメント領域においては、寄生電流は流れない。即ち、エンハンスメント領域のリングゲートはチャネル電流に寄与しない。従って、この部分のリングゲートは不要である。
【００７９】
本実施の形態においては、第１の実施の形態におけるリングゲート１４（図８の破線）のうち、チャネル電流に寄与しないエンハンスメント領域１４ｂ（斜線で囲った部分）の部分を除去して、リングゲート１４ａを構成している。
【００８０】
このような構成によれば、基板変調に影響を与えることなく、チャネル電流に寄与しないリングゲートの一部を除去する。これにより、微細化を促進することができる。
【００８１】
他の構成及び作用は第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
なお、本実施の形態においても、リングゲートを含む変調トランジスタの形状として、例えば４角形状等の任意の多角形状を採用することができることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図２】変調トランジスタの平面形状が８角形の例を示す説明図。
【図３】固定パターンノイズを回避するための基本構造を示す説明図。
【図４】センサセル１の断面構造を示す模式的断面図。
【図５】センサセル１をマトリクス状に配置して構成したセンサセルアレイを用いた固体撮像装置全体の回路構成を等価回路によって示す回路ブロック図。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線の位置におけるホールを基準としたポテンシャルを示す説明図。
【図７】横軸にゲート電圧Ｖｇをとり縦軸にドレイン・ソース間電流Ｉｄｓをとって、変調トランジスタの特性を示すグラフ。
【図８】第２の実施の形態に係る固体撮像装置の１センサセルの平面形状を示す平面図。
【図９】センサセルの断面形状を示す模式的な断面図。
【符号の説明】
【００８４】
１…センサセル、２…フォトダイオード形成領域、３…ドレイン領域、４…リングゲート、４’…エンハンスメント領域、５…ソース領域、７…キャリアポケット、９…Ｐ型領域、５３ａ…収集ウェル、５４ａ…変調用ウェル。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方導電型の基板と、
前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、
前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲートと、
前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域と、
前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域と、
前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケットと、
前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、
前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域とを含む固体撮像装置。
【請求項２】
前記ソース領域は、平面的には前記光電変換素子に対向する辺を有し、
前記キャリアポケットは、前記ソース領域の前記光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記キャリアポケットは、一方導電型ウェル内に形成され、
前記一方導電型ウェルは、他方導電型の拡散層によって周囲を囲まれて前記光電変換素子からの光発生電荷を前記キャリアポケットに転送する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１】
一方導電型の基板と、
前記基板内に設けられ、入射した光に応じた光発生電荷を発生させる光電変換素子と、
前記光電変換素子に隣接配置される変調トランジスタを構成する環状のゲートと、
前記環状のゲートの中央開口の前記基板表面に形成される他方導電型のソース領域と、
前記ゲートの周辺に形成される他方導電型のドレイン領域と、
前記ソース領域と前記光電変換素子との間に直線的な形状を有して形成されて前記光電変換素子からの光発生電荷を保持して前記変調トランジスタの閾値を変化させるキャリアポケットと、
前記キャリアポケット上において前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の基板表面にチャネルとして形成される他方導電型の拡散層と、
前記キャリアポケットが形成されていない前記ソース領域の周辺において、前記ゲート下方の基板表面に形成される一方導電型の領域とを含む固体撮像装置。
【請求項２】
前記ソース領域は、平面的には前記光電変換素子に対向する辺を有し、
前記キャリアポケットは、前記ソース領域の前記光電変換素子に対向する辺に沿って直線的な形状を有する請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記キャリアポケットは、一方導電型ウェル内に形成され、
前記一方導電型ウェルは、他方導電型の拡散層によって周囲を囲まれて前記光電変換素子からの光発生電荷を前記キャリアポケットに転送する請求項１に記載の固体撮像装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００６−３２５３７（Ｐ２００６−３２５３７Ａ）
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２０７１８２（Ｐ２００４−２０７１８２）
【出願日】平成１６年７月１４日（２００４．７．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月２日（２００６．２．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月１４日（２００４．７．１４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]