多層プリント配線板の製造方法
【課題】 信頼性の高い半導体素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法を提案する。
【解決手段】 ＩＣチップ２０をダイパッド３８がＵＶテープ４０に接するように載置して、充填剤４１を充填した後、該ＵＶテープ４０を剥がしてから、ＩＣチップ２０にビルドアップ層を形成する。このため、ＩＣチップとビルドアップ層のバイアホールとを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【解決手段】 ＩＣチップ２０をダイパッド３８がＵＶテープ４０に接するように載置して、充填剤４１を充填した後、該ＵＶテープ４０を剥がしてから、ＩＣチップ２０にビルドアップ層を形成する。このため、ＩＣチップとビルドアップ層のバイアホールとを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にＩＣチップなどの半導体素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
【０００３】ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００４】しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。また、それぞれの実装方法は、ＩＣチップを保護するためにエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂によって封止を行っているが、その樹脂を充填する際に気泡を含有すると、気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまう。熱可塑性樹脂による封止は、それぞれの部品に合わせて樹脂装填用プランジャー、金型を作成する必要が有り、また、熱硬化性樹脂であってもリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮した樹脂を選定しなくては成らないために、それぞれにおいてコスト的にも高くなる原因にもなった。
【０００５】一方、上述したようにＩＣチップをプリント配線板（パッケージ基板）の外部に取り付けるのではなく、基板に半導体素子を埋め込んで、その上層に、ビルドアップ層を形成させることにより電気的接続を取る従来技術として、特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−１２６９７８号などが提案されている。
【０００６】特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）には、ダイパッド上に、スタッドバンプを形成した半導体素子をプリント配線板に埋め込んで、スタッドバンプ上に配線を形成して電気的接続を取っていた。しかしながら、該スタッドバンプはタマネギ状であり高さのバラツキが大きいために、層間絶縁層を形成させると、平滑性が低下し、バイアホールを形成させても未接続になりやすい。また、スタッドバンプをボンディングにより一つ一つ植設しており、一括して配設することができず、生産性という点でも難点があった。
【０００７】特開平１０−２５６４２９号には、セラミック基板に半導体素子を収容し、フリップチップ形態によって電気的接続されている構造が示されている。しかしながら、セラミックは外形加工性が悪く、半導体素子の納まりがよくない。また、該バンプでは、高さのバラツキも大きくなった。そのために、層間絶縁層の平滑性が損なわれ、接続が低下してしまう。
【０００８】特開平１１−１２６９７８号には、空隙の収容部に半導体素子などの電子部品埋め込んで、導体回路と接続して、バイアホールを介して積蔵している多層プリント配線板が示されている。しかしながら、収容部が空隙であるために、位置ずれを引き起こしやすく、半導体素子のパッドとの未接続が起き易い。また、ダイパッドと導体回路とを直接接続させているので、ダイパッドに酸化被膜ができやすく、絶縁抵抗が上昇してしまう問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、信頼性の高い半導体素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法を提案することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、少なくとも以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを技術的特徴とする：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【００１１】請求項１の発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００１２】請求項２の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を有することを技術的特徴とする：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び仮硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記コア基板の底部側を研磨し、前記半導体素子の底部を露出させる工程；
（ｇ）前記樹脂を本硬化する工程；
（ｈ）前記半導体素子の底部に放熱板を取り付ける工程；
（ｉ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【００１３】請求項２の発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。また、コア基板の底部側を研磨し、半導体素子の底部を露出させるため、半導体素子の底部に放熱板を取り付けることが可能になり、半導体素子の動作の安定性を向上させることができる。
【００１４】ＩＣチップのダイパッドにトランジション層を設ける理由を説明する。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウムなどで製造されている。トランジション層を形成させていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、ダイパッドのままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを形成させた場合にもダイパッドを焼損しない条件で行うと、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１５】これに対して、ダイパッド上に銅等からなるトランジション層を設けることで、溶剤の使用が可能となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上に４０μｍよりも大きな径のトランジション層を介在させることで、バイアホールを確実に接続させることができる。望ましいのは、トランジション層は、バイアホール径と同等以上のものがよい。
【００１６】さらに、トランジション層が形成されているので、半導体素子をプリント配線板に収納する前、もしくはその後にでも半導体素子の動作や電気検査を容易に行なえるようになった。それは、ダイパッドよりも大きいトランジション層が形成されているので、プローブピンが接触し易くなったからである。それにより、予め製品の可否が判定することができ、生産性やコスト面でも向上させることができる。
【００１７】故に、トランジションを形成することによって、半導体素子をプリント配線に収納することが好適に行える。つまり、トランジション層を有する半導体素子は、プリント配線板に埋め込むため半導体素子であるともいえる。該トランジション層は、ダイパッド上に、薄膜層を形成し、その上に厚付け層を形成して成る。少なくとも２層以上で形成することができる。
【００１８】本発明で定義されるトランジション層について説明する。トランジション層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００１９】それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００２０】本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂は、溶解、炭化をしてしまう。
【００２１】ＩＣチップの全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。特に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからである。
【００２２】該金属膜の上に、更に無電解めっき等により金属膜を設けることもできる。上側の金属膜は、ニッケル、銅、金、銀などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．０１〜５．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．１〜３．０μｍの間が望ましい。
【００２３】その金属膜上に、無電解あるいは電解めっきにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類としてはニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いることがよい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が発生することがある。その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成させる。
【００２４】また、上記トランジション層の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成してトランジション層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成させることもできる。
【００２５】コア基板の通孔を塞ぐシートとして、ＵＶ照射により粘着力が低下するＵＶテープを用いることが好適である。ＵＶ照射により、半導体素子の端子に接着剤が残ることなく剥がれるため、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００２６】また、樹脂の加圧を減圧下で行うことが好適である。減圧することで、コア基板と樹脂との間、及び、樹脂中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００２７】コア基板に形成した通孔にテーパを設けることも好適である。これにより、コア基板の通孔と樹脂との間に気泡や溝が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。また、コア基板の平坦性を確保できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。図９に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。ＩＣチップ２０の裏面には放熱板４４が取り付けられている。
【００２９】層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６が設けられている。
【００３０】上述した多層プリント配線板１０に収容された半導体素子（ＩＣチップ）の構成について、ＩＣチップ２０の断面を示す図３（Ｂ）、及び、平面図を示す図４（Ｂ）を参照して説明する。
【００３１】図３（Ｂ）に示すようにＩＣチップ２０の上面には、ダイパッド２２及び配線（図示せず）が配設されており、該ダイパッド２２及び配線の上に、パッシベーション膜２４が被覆され、該ダイパッド２２には、パッシベーション膜２４の開口が形成されている。ダイパッド２２の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。トランジション層３８は、薄膜層３３と電解めっき膜３７とからなる。
【００３２】本実施形態の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２２にはトランジション層３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層３８が形成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一になる。更に、トランジション層によって、上層のバイアホール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができる。
【００３３】更に、ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。
【００３４】引き続き、図９を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について説明する。先ず、図３（Ｂ）を参照して上述した半導体素子の製造方法について、図１〜図４を参照して説明する。
【００３５】（１）先ず、図１（Ａ）に示すシリコンウエハー２０Ａに、定法により配線２１及びダイパッド２２を形成する（図１（Ｂ）及び図１（Ｂ）の平面図を示す図４（Ａ）参照、なお、図１（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ−Ｂ断面を表している）。
（２）次に、ダイパッド２２及び配線２１の上に、パッシベーション膜２４を形成し、ダイパッド２２上に開口２４ａを設ける（図１（Ｃ））。
【００３６】（３）シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ））。その厚みは、０．００１〜２．０μｍの範囲で形成させるのがよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍである。形成する金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、かつ、電気特性を劣化させることがない。第１実施形態では、薄膜層３３は、クロムにより形成される。
【００３７】（４）その後、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルムのいずれかのレジスト層を薄膜層３３上に形成させる。トランジション層３８を形成する部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上に、載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を設ける（図２（Ｂ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよく、第１実施形態では、銅を用いる。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００３８】（５）メッキレジスト３５をアルカリ溶液等で除去した後、メッキレジスト３５下の金属膜３３を硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去することで、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８を形成する（図２（Ｃ））。
【００３９】（６）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ａ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００４０】（７）最後に、トランジション層３８が形成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどによって個片に分割してＩＣチップ２０を形成する（図３（Ｂ）及び図３（Ｂ）の平面図である図４（Ｂ）参照）。その後、必要に応じて、分割されたＩＣチップ２０の動作確認や電気検査を行なってもよい。ＩＣチップ２０は、ダイパッド２２よりも大きなトランジション層３８が形成されているので、プローブピンが当てやすく、検査の精度が高くなっている。
【００４１】なお、図３（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態に係る半導体素子では、トランジション層３８が、薄膜層３３と電解めっき膜３７とからなる２層構造であった。これに対して、トランジション層を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造として構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。
【００４２】また、図３（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態では、セミアディテブ工程を用い、レジスト非形成部に厚付け層３７を形成することでトランジション層３８を形成した。これに対して、フルアディテブ工程を用い、厚付け層を均一に形成した後、レジストを設け、レジスト非形成部をエッチングで除去することでトランジション層３８を形成することもできる。
【００４３】引き続き、図３（Ｂ）に示すＩＣチップ２０を収容する多層プリント配線板の製造工程について説明する。
（１）ガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、エポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層して硬化させた厚さ０．５mmのコア基板３０を出発材料とする。先ず、コア基板３０にＩＣチップ収容用の通孔３２を形成する（図５（Ａ）参照）。ここでは、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板３０を用いているが、心材を備えない樹脂基板を用いることもできる。なお、通孔３２の下端開口部には、テーパ３２ａを設けることが好適である。テーパ３２ａにより、後述する加圧において、ＩＣチップ２０、充填樹脂４１、基板３０の間に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００４４】（２）その後、コア基板３０の通孔３２の底面にＵＶテープ４０を張り付ける（図５（Ｂ））。このＵＶテープ４０としては、リンテック株式会社のAdwillＤ−２０１、Ｄ−２０３、Ｄ２３０３ＤＦ、Ｄ−２０４、Ｄ２１０、Ｄ２１８等のＵＶ照射により接着面の接着力を失い綺麗に剥がせる接着テープを用いることができる。ここでは、ＵＶテープを用いるが、仮硬化の際に加える８０℃以上の高熱でも粘着性が低下しない種々の接着テープ、例えば、ポリイミドテープ等を用いることができる。
【００４５】（３）コア基板３０に形成された通孔３２のＵＶテープ４０上に、図３（Ｂ）を参照して上述したＩＣチップ２０を、ダイパッド３８がＵＶテープ４０の接着面に接するように載置する（図５（Ｃ）参照）。
【００４６】（４）コア基板３０に形成された通孔３２内へ充填剤４１を充填する（図５（Ｄ））。充填は、印刷、マスク印刷、ポッチング等により行う。この充填剤は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などに、イミダゾール系、アミン系、無水酸系などの硬化剤と、フィラー（有機粒子、無機粒子、金属粒子）と、所望により溶剤（ケトン系、トルエン系など）とが配合された粘度０．１〜５０Ｐａ・Ｓの樹脂を好適に用いることができる。充填剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
【００４７】（５）充填剤４１の充填後、１０分程度減圧室で減圧し、充填剤４１中の気泡抜きを行う。これにより、充填剤４１中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００４８】（６）ステンレス（ＳＵＳ）プレス板１００Ａ、１００Ｂで、上述したコア基板３０を上下方向から１０分間加圧する（図５（Ｅ））。その後、加圧を続けながら、７０℃〜１２０°で３０分程度加熱し、充填剤４１を仮硬化させる。加圧、加圧及び／又は仮硬化は、減圧下で行うことが好適である。減圧することで、ＩＣチップ２０、コア基板３０、充填剤４１の間、及び、充填剤４１中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。この加圧の際にダイパッド３８には、ＵＶテープ４０を緩衝材として圧力が加わるため、ダイパッド３８を損傷することがない。
【００４９】（７）充填剤４１を仮硬化させたコア基板３０のＵＶテープ４０を、ＶＵ照射して粘着力を失わせてから剥がす（図６（Ａ））。本実施形態では、ＵＶテープ４０を用いるため、ＩＣチップのダイパッド３８上に接着剤が残る事無く、また、ダイパッド３９を傷つけることなく綺麗に剥がすことができる。このため、後工程でダイパッド３８に適正にバイアホール６０を接続させることができる。
【００５０】（８）その後、ＩＣチップ２０の裏面側の充填剤４１及びコア基板３０を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により研磨し、ＩＣチップの裏面側を露出させる（図６（Ｂ））。本実施形態では、充填剤４１を仮硬化した状態で研磨するため、容易に研磨を行うことができる。
【００５１】（９）この後、更に加熱して、充填材４１を本硬化させることでＩＣチップ２０を収容するコア基板３０を形成する。この本硬化は、減圧下で行うことが好適である。減圧することで、充填剤４１中に気泡や残ることがなくなり、溝が形成されない。また、多層プリント配線板の信頼性や平坦性を高めることができる。
【００５２】（１０）ＩＣチップ２０の裏面側に、熱伝導性接着剤（例えば金属粒子を含む樹脂）４２を介して放熱板４４を取り付ける（図６（Ｃ））。放熱板としては、アルミニウム、銅等の金属板、セラミック板を用いることができる。本実施形態では、コア基板３０の底部側を研磨し、ＩＣチップ２０の底部を露出させるため、ＩＣチップの底部に放熱板４４を取り付けることが可能になり、ＩＣチップ２０の動作の安定性を向上させることができる。
【００５３】（１１）上記工程を経たＩＣチップの表面側に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図６（Ｄ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００５４】（１２）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径６０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図６（Ｅ）参照）。クロム酸や過マンガン酸などの酸化剤を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、酸化剤を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００５５】（１３）次に、次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図７（Ａ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００５６】（１４）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図７（Ｂ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌα、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００５７】（１５）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図７（Ｃ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００５８】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２ 時間 ６５分 温度 ２２±２℃
【００５９】（１６）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図７（Ｄ）参照）。本実施形態では、図５（Ｅ）を参照して上述したように、コア基板３０の上面が完全に平滑に形成されているため、バイアホール６０によりトランジション層３８に適切に接続を取ることができる。このため、多層プリント配線板の信頼性を高めることが可能となる。
【００６０】（１７）次いで、上記（１１）〜（１６）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図８（Ａ）参照）。
【００６１】（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダーレジストを用いることもできる。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。
【００６２】（１９）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図８（Ｂ）参照）。
【００６３】（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８（Ｃ）参照）。
【００６４】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図９参照）。
【００６５】本実施形態では、ＩＣチップ２０をダイパッ３８がＵＶテープ４０に接するように載置して、該ＵＶテープ４０を剥がしてから、ＩＣチップ２０にビルドアップ層を形成する。このため、ＩＣチップとビルドアップ層のバイアホール６０とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００６６】上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６７】本発明の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６８】上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６９】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００７０】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００７１】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００７２】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００７３】上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００７４】上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７５】上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７６】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７７】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７８】上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００８０】本発明で用いる樹脂シートにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによって、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００８１】上記樹脂シートにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００８２】上記樹脂シートは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００８３】上記硬化剤の含有量は、樹脂シートに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きくなり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００８４】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８５】また、上記樹脂シートは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００８６】
【発明の効果】以上記述したように発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係るシリコンウエハーの平面図であり、（Ｂ）は、個片化されたＩＣチップの平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ（半導体素子）
２２ ダイパッド
２４ パッシベーション膜
３０ コア基板
３２ 通孔
３２ａ テーパ
３６ 樹脂層
３８ トランジション層
４０ ＵＶフィルム
４１ 充填剤
４４ 放熱板
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ
９０ ドータボード
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にＩＣチップなどの半導体素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
【０００３】ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００４】しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。また、それぞれの実装方法は、ＩＣチップを保護するためにエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂によって封止を行っているが、その樹脂を充填する際に気泡を含有すると、気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまう。熱可塑性樹脂による封止は、それぞれの部品に合わせて樹脂装填用プランジャー、金型を作成する必要が有り、また、熱硬化性樹脂であってもリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮した樹脂を選定しなくては成らないために、それぞれにおいてコスト的にも高くなる原因にもなった。
【０００５】一方、上述したようにＩＣチップをプリント配線板（パッケージ基板）の外部に取り付けるのではなく、基板に半導体素子を埋め込んで、その上層に、ビルドアップ層を形成させることにより電気的接続を取る従来技術として、特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−１２６９７８号などが提案されている。
【０００６】特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）には、ダイパッド上に、スタッドバンプを形成した半導体素子をプリント配線板に埋め込んで、スタッドバンプ上に配線を形成して電気的接続を取っていた。しかしながら、該スタッドバンプはタマネギ状であり高さのバラツキが大きいために、層間絶縁層を形成させると、平滑性が低下し、バイアホールを形成させても未接続になりやすい。また、スタッドバンプをボンディングにより一つ一つ植設しており、一括して配設することができず、生産性という点でも難点があった。
【０００７】特開平１０−２５６４２９号には、セラミック基板に半導体素子を収容し、フリップチップ形態によって電気的接続されている構造が示されている。しかしながら、セラミックは外形加工性が悪く、半導体素子の納まりがよくない。また、該バンプでは、高さのバラツキも大きくなった。そのために、層間絶縁層の平滑性が損なわれ、接続が低下してしまう。
【０００８】特開平１１−１２６９７８号には、空隙の収容部に半導体素子などの電子部品埋め込んで、導体回路と接続して、バイアホールを介して積蔵している多層プリント配線板が示されている。しかしながら、収容部が空隙であるために、位置ずれを引き起こしやすく、半導体素子のパッドとの未接続が起き易い。また、ダイパッドと導体回路とを直接接続させているので、ダイパッドに酸化被膜ができやすく、絶縁抵抗が上昇してしまう問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、信頼性の高い半導体素子を内蔵する多層プリント配線板の製造方法を提案することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、少なくとも以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを技術的特徴とする：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【００１１】請求項１の発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００１２】請求項２の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を有することを技術的特徴とする：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び仮硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記コア基板の底部側を研磨し、前記半導体素子の底部を露出させる工程；
（ｇ）前記樹脂を本硬化する工程；
（ｈ）前記半導体素子の底部に放熱板を取り付ける工程；
（ｉ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【００１３】請求項２の発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。また、コア基板の底部側を研磨し、半導体素子の底部を露出させるため、半導体素子の底部に放熱板を取り付けることが可能になり、半導体素子の動作の安定性を向上させることができる。
【００１４】ＩＣチップのダイパッドにトランジション層を設ける理由を説明する。ＩＣチップのパッドは一般的にアルミニウムなどで製造されている。トランジション層を形成させていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、ダイパッドのままであれば露光、現像後にパッドの表層に樹脂が残りやすかった。それに、現像液の付着によりパッドの変色を引き起こした。一方、レーザによりバイアホールを形成させた場合にもダイパッドを焼損しない条件で行うと、パッド上に樹脂残りが発生した。また、後工程に、酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ると、ＩＣチップのパッドの変色、溶解が発生した。更に、ＩＣチップのパッドは、４０μｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１５】これに対して、ダイパッド上に銅等からなるトランジション層を設けることで、溶剤の使用が可能となりパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッドの変色、溶解が発生しない。これにより、パッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのパッド上に４０μｍよりも大きな径のトランジション層を介在させることで、バイアホールを確実に接続させることができる。望ましいのは、トランジション層は、バイアホール径と同等以上のものがよい。
【００１６】さらに、トランジション層が形成されているので、半導体素子をプリント配線板に収納する前、もしくはその後にでも半導体素子の動作や電気検査を容易に行なえるようになった。それは、ダイパッドよりも大きいトランジション層が形成されているので、プローブピンが接触し易くなったからである。それにより、予め製品の可否が判定することができ、生産性やコスト面でも向上させることができる。
【００１７】故に、トランジションを形成することによって、半導体素子をプリント配線に収納することが好適に行える。つまり、トランジション層を有する半導体素子は、プリント配線板に埋め込むため半導体素子であるともいえる。該トランジション層は、ダイパッド上に、薄膜層を形成し、その上に厚付け層を形成して成る。少なくとも２層以上で形成することができる。
【００１８】本発明で定義されるトランジション層について説明する。トランジション層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００１９】それぞれに多層プリント配線板だけで機能を果たしてもいるが、場合によっては半導体装置としてのパッケージ基板としての機能させるために外部基板であるマザーボードやドーターボードとの接続のため、ＢＧＡ、半田バンプやＰＧＡ（導電性接続ピン）を配設させてもよい。また、この構成は、従来の実装方法で接続した場合よりも配線長を短くできて、ループインダクタンスも低減できる。
【００２０】本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂シートを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂は、溶解、炭化をしてしまう。
【００２１】ＩＣチップの全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜を形成させる。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍの間が望ましい。特に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからである。
【００２２】該金属膜の上に、更に無電解めっき等により金属膜を設けることもできる。上側の金属膜は、ニッケル、銅、金、銀などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．０１〜５．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．１〜３．０μｍの間が望ましい。
【００２３】その金属膜上に、無電解あるいは電解めっきにより、厚付けさせる。形成されるメッキの種類としてはニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いることがよい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が発生することがある。その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成させる。
【００２４】また、上記トランジション層の製造方法以外にも、ＩＣチップ及びコア基板の上に形成した金属膜上にドライフィルムレジストを形成してトランジション層に該当する部分を除去させて、電解めっきによって厚付けした後、レジストを剥離してエッチング液によって、同様にＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成させることもできる。
【００２５】コア基板の通孔を塞ぐシートとして、ＵＶ照射により粘着力が低下するＵＶテープを用いることが好適である。ＵＶ照射により、半導体素子の端子に接着剤が残ることなく剥がれるため、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００２６】また、樹脂の加圧を減圧下で行うことが好適である。減圧することで、コア基板と樹脂との間、及び、樹脂中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００２７】コア基板に形成した通孔にテーパを設けることも好適である。これにより、コア基板の通孔と樹脂との間に気泡や溝が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。また、コア基板の平坦性を確保できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。図９に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。ＩＣチップ２０の裏面には放熱板４４が取り付けられている。
【００２９】層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６が設けられている。
【００３０】上述した多層プリント配線板１０に収容された半導体素子（ＩＣチップ）の構成について、ＩＣチップ２０の断面を示す図３（Ｂ）、及び、平面図を示す図４（Ｂ）を参照して説明する。
【００３１】図３（Ｂ）に示すようにＩＣチップ２０の上面には、ダイパッド２２及び配線（図示せず）が配設されており、該ダイパッド２２及び配線の上に、パッシベーション膜２４が被覆され、該ダイパッド２２には、パッシベーション膜２４の開口が形成されている。ダイパッド２２の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。トランジション層３８は、薄膜層３３と電解めっき膜３７とからなる。
【００３２】本実施形態の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２２にはトランジション層３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層３８が形成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層の層間絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一になる。更に、トランジション層によって、上層のバイアホール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができる。
【００３３】更に、ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。
【００３４】引き続き、図９を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について説明する。先ず、図３（Ｂ）を参照して上述した半導体素子の製造方法について、図１〜図４を参照して説明する。
【００３５】（１）先ず、図１（Ａ）に示すシリコンウエハー２０Ａに、定法により配線２１及びダイパッド２２を形成する（図１（Ｂ）及び図１（Ｂ）の平面図を示す図４（Ａ）参照、なお、図１（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ−Ｂ断面を表している）。
（２）次に、ダイパッド２２及び配線２１の上に、パッシベーション膜２４を形成し、ダイパッド２２上に開口２４ａを設ける（図１（Ｃ））。
【００３６】（３）シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ））。その厚みは、０．００１〜２．０μｍの範囲で形成させるのがよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍである。形成する金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、かつ、電気特性を劣化させることがない。第１実施形態では、薄膜層３３は、クロムにより形成される。
【００３７】（４）その後、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルムのいずれかのレジスト層を薄膜層３３上に形成させる。トランジション層３８を形成する部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上に、載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を設ける（図２（Ｂ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよく、第１実施形態では、銅を用いる。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００３８】（５）メッキレジスト３５をアルカリ溶液等で除去した後、メッキレジスト３５下の金属膜３３を硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去することで、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８を形成する（図２（Ｃ））。
【００３９】（６）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ａ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。
【００４０】（７）最後に、トランジション層３８が形成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどによって個片に分割してＩＣチップ２０を形成する（図３（Ｂ）及び図３（Ｂ）の平面図である図４（Ｂ）参照）。その後、必要に応じて、分割されたＩＣチップ２０の動作確認や電気検査を行なってもよい。ＩＣチップ２０は、ダイパッド２２よりも大きなトランジション層３８が形成されているので、プローブピンが当てやすく、検査の精度が高くなっている。
【００４１】なお、図３（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態に係る半導体素子では、トランジション層３８が、薄膜層３３と電解めっき膜３７とからなる２層構造であった。これに対して、トランジション層を、薄膜層（第１薄膜層）と無電解めっき膜（第２薄膜層）と電解めっき膜（厚付け層）とからなる３層構造として構成することもできる。３層構造の場合、第２薄膜層を、第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって積層する。その厚みは、０．０１〜５μｍが良く、特に０．１〜３．０μｍが望ましい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。
【００４２】また、図３（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態では、セミアディテブ工程を用い、レジスト非形成部に厚付け層３７を形成することでトランジション層３８を形成した。これに対して、フルアディテブ工程を用い、厚付け層を均一に形成した後、レジストを設け、レジスト非形成部をエッチングで除去することでトランジション層３８を形成することもできる。
【００４３】引き続き、図３（Ｂ）に示すＩＣチップ２０を収容する多層プリント配線板の製造工程について説明する。
（１）ガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、エポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層して硬化させた厚さ０．５mmのコア基板３０を出発材料とする。先ず、コア基板３０にＩＣチップ収容用の通孔３２を形成する（図５（Ａ）参照）。ここでは、心材に樹脂を含浸させた樹脂基板３０を用いているが、心材を備えない樹脂基板を用いることもできる。なお、通孔３２の下端開口部には、テーパ３２ａを設けることが好適である。テーパ３２ａにより、後述する加圧において、ＩＣチップ２０、充填樹脂４１、基板３０の間に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００４４】（２）その後、コア基板３０の通孔３２の底面にＵＶテープ４０を張り付ける（図５（Ｂ））。このＵＶテープ４０としては、リンテック株式会社のAdwillＤ−２０１、Ｄ−２０３、Ｄ２３０３ＤＦ、Ｄ−２０４、Ｄ２１０、Ｄ２１８等のＵＶ照射により接着面の接着力を失い綺麗に剥がせる接着テープを用いることができる。ここでは、ＵＶテープを用いるが、仮硬化の際に加える８０℃以上の高熱でも粘着性が低下しない種々の接着テープ、例えば、ポリイミドテープ等を用いることができる。
【００４５】（３）コア基板３０に形成された通孔３２のＵＶテープ４０上に、図３（Ｂ）を参照して上述したＩＣチップ２０を、ダイパッド３８がＵＶテープ４０の接着面に接するように載置する（図５（Ｃ）参照）。
【００４６】（４）コア基板３０に形成された通孔３２内へ充填剤４１を充填する（図５（Ｄ））。充填は、印刷、マスク印刷、ポッチング等により行う。この充填剤は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などに、イミダゾール系、アミン系、無水酸系などの硬化剤と、フィラー（有機粒子、無機粒子、金属粒子）と、所望により溶剤（ケトン系、トルエン系など）とが配合された粘度０．１〜５０Ｐａ・Ｓの樹脂を好適に用いることができる。充填剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはそれらの複合体を用いることができる。
【００４７】（５）充填剤４１の充填後、１０分程度減圧室で減圧し、充填剤４１中の気泡抜きを行う。これにより、充填剤４１中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。
【００４８】（６）ステンレス（ＳＵＳ）プレス板１００Ａ、１００Ｂで、上述したコア基板３０を上下方向から１０分間加圧する（図５（Ｅ））。その後、加圧を続けながら、７０℃〜１２０°で３０分程度加熱し、充填剤４１を仮硬化させる。加圧、加圧及び／又は仮硬化は、減圧下で行うことが好適である。減圧することで、ＩＣチップ２０、コア基板３０、充填剤４１の間、及び、充填剤４１中に気泡が残ることがなくなり、多層プリント配線板の信頼性を高めることができる。この加圧の際にダイパッド３８には、ＵＶテープ４０を緩衝材として圧力が加わるため、ダイパッド３８を損傷することがない。
【００４９】（７）充填剤４１を仮硬化させたコア基板３０のＵＶテープ４０を、ＶＵ照射して粘着力を失わせてから剥がす（図６（Ａ））。本実施形態では、ＵＶテープ４０を用いるため、ＩＣチップのダイパッド３８上に接着剤が残る事無く、また、ダイパッド３９を傷つけることなく綺麗に剥がすことができる。このため、後工程でダイパッド３８に適正にバイアホール６０を接続させることができる。
【００５０】（８）その後、ＩＣチップ２０の裏面側の充填剤４１及びコア基板３０を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により研磨し、ＩＣチップの裏面側を露出させる（図６（Ｂ））。本実施形態では、充填剤４１を仮硬化した状態で研磨するため、容易に研磨を行うことができる。
【００５１】（９）この後、更に加熱して、充填材４１を本硬化させることでＩＣチップ２０を収容するコア基板３０を形成する。この本硬化は、減圧下で行うことが好適である。減圧することで、充填剤４１中に気泡や残ることがなくなり、溝が形成されない。また、多層プリント配線板の信頼性や平坦性を高めることができる。
【００５２】（１０）ＩＣチップ２０の裏面側に、熱伝導性接着剤（例えば金属粒子を含む樹脂）４２を介して放熱板４４を取り付ける（図６（Ｃ））。放熱板としては、アルミニウム、銅等の金属板、セラミック板を用いることができる。本実施形態では、コア基板３０の底部側を研磨し、ＩＣチップ２０の底部を露出させるため、ＩＣチップの底部に放熱板４４を取り付けることが可能になり、ＩＣチップ２０の動作の安定性を向上させることができる。
【００５３】（１１）上記工程を経たＩＣチップの表面側に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図６（Ｄ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００５４】（１２）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径６０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図６（Ｅ）参照）。クロム酸や過マンガン酸などの酸化剤を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、酸化剤を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００５５】（１３）次に、次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図７（Ａ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００５６】（１４）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図７（Ｂ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4 ０．００３ ｍｏｌ／ｌ酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌα、α′−ビピルジル １００ ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。
【００５７】（１５）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図７（Ｃ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００５８】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２ 時間 ６５分 温度 ２２±２℃
【００５９】（１６）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図７（Ｄ）参照）。本実施形態では、図５（Ｅ）を参照して上述したように、コア基板３０の上面が完全に平滑に形成されているため、バイアホール６０によりトランジション層３８に適切に接続を取ることができる。このため、多層プリント配線板の信頼性を高めることが可能となる。
【００６０】（１７）次いで、上記（１１）〜（１６）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図８（Ａ）参照）。
【００６１】（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダーレジストを用いることもできる。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。
【００６２】（１９）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図８（Ｂ）参照）。
【００６３】（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８（Ｃ）参照）。
【００６４】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図９参照）。
【００６５】本実施形態では、ＩＣチップ２０をダイパッ３８がＵＶテープ４０に接するように載置して、該ＵＶテープ４０を剥がしてから、ＩＣチップ２０にビルドアップ層を形成する。このため、ＩＣチップとビルドアップ層のバイアホール６０とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【００６６】上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００６７】本発明の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００６８】上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００６９】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００７０】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００７１】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００７２】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００７３】上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００７４】上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７５】上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００７６】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂シートの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００７７】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【００７８】上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【００７９】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００８０】本発明で用いる樹脂シートにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂シートにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂シートを用いてもよい。それによって、樹脂シートの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００８１】上記樹脂シートにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂シートに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂シートの深部まで溶解してしまい、樹脂シートからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【００８２】上記樹脂シートは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００８３】上記硬化剤の含有量は、樹脂シートに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂シートの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂シートに侵入する度合いが大きくなり、樹脂シートの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【００８４】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【００８５】また、上記樹脂シートは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【００８６】
【発明の効果】以上記述したように発明では、コア基板の通孔の底部のシートに、端子がシートに接するように半導体素子を載置し、該通孔内に樹脂を充填してから、シートを剥がし、ビルドアップ層を形成する。即ち、半導体素子を端子がシートに接するように載置して、該シートを剥がしてから、半導体素子にビルドアップ層を形成するので、端子とビルドアップ層の配線とを適切に電気接続させることができ、信頼性の高い半導体素子内蔵多層プリント配線板を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係るシリコンウエハーの平面図であり、（Ｂ）は、個片化されたＩＣチップの平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
２０ ＩＣチップ（半導体素子）
２２ ダイパッド
２４ パッシベーション膜
３０ コア基板
３２ 通孔
３２ａ テーパ
３６ 樹脂層
３８ トランジション層
４０ ＵＶフィルム
４１ 充填剤
４４ 放熱板
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７６ 半田バンプ
９０ ドータボード
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【請求項２】 少なくとも以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び仮硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記コア基板の底部側を研磨し、前記半導体素子の底部を露出させる工程；
（ｇ）前記樹脂を本硬化する工程；
（ｈ）前記半導体素子の底部に放熱板を取り付ける工程；
（ｉ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【請求項３】 前記半導体素子の前記端子上にトランジション層を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】 前記シートとして、ＵＶ照射により粘着力が低下するＵＶテープを用いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】 前記樹脂の加圧を減圧下で行うことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】 前記コア基板に形成した前記通孔にテーパを設けることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１】 少なくとも以下の（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【請求項２】 少なくとも以下の（ａ）〜（ｉ）の工程を有することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に形成した通孔の底部にシートを張る工程；
（ｂ）前記通孔の底部の前記シートに、端子が前記シートに接するように半導体素子を載置する工程；
（ｃ）前記通孔内に樹脂を充填する工程；
（ｄ）前記樹脂を加圧及び仮硬化する工程；
（ｅ）前記シートを剥離する工程；
（ｆ）前記コア基板の底部側を研磨し、前記半導体素子の底部を露出させる工程；
（ｇ）前記樹脂を本硬化する工程；
（ｈ）前記半導体素子の底部に放熱板を取り付ける工程；
（ｉ）前記半導体素子の上面にビルドアップ層を形成する工程。
【請求項３】 前記半導体素子の前記端子上にトランジション層を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】 前記シートとして、ＵＶ照射により粘着力が低下するＵＶテープを用いることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】 前記樹脂の加圧を減圧下で行うことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】 前記コア基板に形成した前記通孔にテーパを設けることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図８】
【公開番号】特開２００２−２４６７５７（Ｐ２００２−２４６７５７Ａ）
【公開日】平成１４年８月３０日（２００２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００１−１０４０５０（Ｐ２００１−１０４０５０）
【出願日】平成１３年４月３日（２００１．４．３）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１４年８月３０日（２００２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１３年４月３日（２００１．４．３）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]