導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法
【課題】安価で、かつ信頼性が高い導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る導電性領域を有する絶縁層１０は、表裏両主面を電気的に接続する導電性領域４０と、表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域４１とを備える。導電性領域４０は、絶縁性樹脂２中に含有する導電性粒子３を接触、若しくは融着させることによって形成される。一方、絶縁性領域４１は、絶縁性樹脂２中に複数の空隙４が形成されている。
【解決手段】本発明に係る導電性領域を有する絶縁層１０は、表裏両主面を電気的に接続する導電性領域４０と、表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域４１とを備える。導電性領域４０は、絶縁性樹脂２中に含有する導電性粒子３を接触、若しくは融着させることによって形成される。一方、絶縁性領域４１は、絶縁性樹脂２中に複数の空隙４が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性領域を有する絶縁層、及びこれを備える電子部品に関する。さらに、導電性領域を有する絶縁層と電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージなどに用いられる多層高密度配線の一般的な形成方法として、セミアディティブ法がある。図１２Ａ〜図１２Ｇに、セミアディティブ法による多層高密度配線の製造工程断面図を示す。
【０００３】
まず、図１２Ａに示すように、表面に電極１１１を形成した基板１３０上に、絶縁性樹脂を用いて層間絶縁膜１０１を形成する。次に、電極１１１が配された層間絶縁膜１０１の所望の位置に、レーザ等を用いて穴１０２を開ける（図１２Ｂ参照）。続いて、メッキのシード層１０３をスパッタ等で成膜し（図１２Ｃ参照）、配線、ビア、ランドなどのメッキを析出させたいパターン部以外を、メッキレジスト１０４で覆う（図１２Ｄ参照）。メッキレジスト１０４は、一般的に感光性の樹脂を用い、基板表面に塗布後、フォトマスクにて露光し、現像後に露光部以外を除去することで形成する。
【０００４】
その後、Ｃｕなど所望の金属のメッキ処理を行い、パターン部にメッキ層１１２を形成する（図１２Ｅ参照）。メッキレジスト１０４を除去した後（図１２Ｆ参照）、エッチングして不要な部分のシード層１０３を除去する（図１２Ｇ参照）。上記工程を経て、ビア部１１２Ａを介して配線部１１２Ｂと電極１１１が電気的に接続された多層配線が完成する。
【０００５】
多層配線形成方法としては、上述したセミアディティブ法以外にも様々な製造方法が提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００６】
特許文献１においては、誘電層の中に複数のパターン開口とビア孔を形成し、さらにパターン開口とビア孔に導電金属を埋める方法が提案されている。
【０００７】
特許文献２においては、樹脂に導電性フィラーが含まれた導電性ペーストを配線基板の導通箇所に利用する技術が提案されている。図１３Ａ〜図１３Ｅに、特許文献２に開示された配線基板の製造工程断面図を示す。
【０００８】
まず、半硬化状の絶縁絶縁層２０１に穴あけ加工を施し、ビアホール２０２を設ける（図１３Ａ参照）。次に、そのビアホール２０２内に導電性ペースト２０３を充填する（図１３Ｂ参照）。その後、導電性ペースト２０３を充填したビアホール２０２の片側或いは両端部に、樹脂フィルム２０４に接着剤２０５を介して接着された金属箔からなる配線層２１１を位置あわせし、加熱と加圧を施す（図１３Ｃ参照）。そして、接着剤２０５と共に樹脂フィルム２０４を剥がすことで配線層２１１が絶縁絶縁層２０１に埋設される（図１３Ｄ参照）。 このようにして作製された配線ユニットａ（図１３Ｅ参照）を複数作製する。そして、配線ユニットａを積層させて、絶縁層中の熱硬化性樹脂が硬化するように加熱と加圧を施すことにより配線基板を作製する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−３２４５５９号公報
【特許文献２】特開２００５−７１８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
セミアディティブ法においては、シード層１０３をエッチングする工程（図１２Ｆ参照）において、基板表面全体をエッチング液に浸す。このため、シード層１０３とともにビア部１１２Ａ及び配線部１１２Ｂも浸食されてしまうという問題があった。配線部１１２Ｂの浸食は、配線が微細になるほど深刻となる。
【００１１】
また、セミアディティブ法や特許文献１に記載の方法においては、以下のような問題があった。すなわち、ビアを埋める際にメッキ時間を延ばしたり、ビア中に樹脂を埋め込む作業によって、工程増やコスト高が生じたりするという問題があった。また、複雑な工程を必要とするために、初期設備投資が多大となるという問題があった。さらに、多数の製造工程を必要とする点からも、コストアップが避けられないという問題があった。
【００１２】
一方、特許文献２のように導電性ペーストを用いて配線を形成した場合、導電性ペーストと版があれば導電パターンを形成することが可能となる。このため、製造工程が簡素で、設備投資も少ないというメリットがある。しかしながら、導電性ペーストを基材に印刷するため、印刷後の滲みなどにより、版と比較して配線が太くなったり、配線形状が崩れたりするという問題があった。また、予め配線が形成されている基板に印刷配線を形成して両者を接続する場合には、配線上に導電性ペーストを乗り上げて印刷する必要がある。この際、段差部で断線が発生する恐れもあった。
【００１３】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、安価で、かつ信頼性が高い導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る導電性領域を有する絶縁層は、表裏両主面を電気的に接続する導電性領域と、前記表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域とを備え、前記導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成され、前記絶縁性領域は、前記絶縁性樹脂中に複数の空隙が形成されているものである。
【００１５】
本発明に係る電子部品は、絶縁性樹脂中に、表裏両主面間を電気的に接続する導電性領域を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記表裏両主面のうちの少なくとも一方に形成され、前記導電性領域と接続された導電層とを備える。そして、前記絶縁層中の導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成された領域であり、前記絶縁層中の導電性領域以外には、複数の空隙が形成されているものである。
【００１６】
本発明に係る導電性領域を有する絶縁層の製造方法は、電性領域を有する絶縁層の製造方法であって、導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去するものである。
【００１７】
本発明に係る電子部品の製造方法は、導電性領域を有する絶縁層を備える電子部品の製造方法であって、導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、前記導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去することにより絶縁性領域を得、前記絶縁層の少なくとも片側主面上に、前記導電性領域と電気的に接続する導電層を配設するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、安価で、かつ信頼性が高い導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法を提供することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の模式的断面図。
【図２Ａ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｂ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｃ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｄ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図３】実施形態２に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図４】実施形態３に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図５】実施形態４に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図６Ａ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｂ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｃ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｄ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図７】実施形態５に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図８】実施形態６に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図９】実施形態７に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１０】実施形態８に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１１】実施形態９に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１２Ａ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｂ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｃ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｄ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｅ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｆ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｇ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ａ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｂ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｃ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｄ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｅ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、実際のものとは異なる。
［実施形態１］
【００２１】
図１に、本実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層（以下、単に「絶縁層」と略記する）の一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態１に係る絶縁層１０は、図１に示すように、絶縁性樹脂２、導電性粒子３を備える。
【００２２】
絶縁層１０は、表側主面１０Ａ及び裏側主面１０Ｂの両主面間を電気的に接続する導電性領域４０と、両主面間を電気的に絶縁する絶縁性領域４１を有する。絶縁性領域４１中の絶縁性樹脂２中には、複数の空隙４が設けられている。
【００２３】
導電性領域４０は、絶縁性樹脂２中に含有する導電性粒子３を接触、若しくは融着させることによって形成されている。換言すると、導電性領域４０には、接触、若しくは融着された導電性粒子３が、表側主面１０Ａから裏側主面１０Ｂに亘って形成されている。この導電性領域４０が、層間導電路５として機能する。
【００２４】
絶縁性領域４１は、絶縁層１０中に含有する導電性粒子３を実質的に除去した領域である。導電性粒子３が除去された領域は、複数の空隙４が形成されている。なお、図１においては、層間導電路５が１つ配設されている例を示しているが、説明の便宜上のものであって、絶縁層１０中に設ける層間導電路５の数は限定されず、任意の箇所に任意の数だけ設けることができる。
【００２５】
絶縁性樹脂２の材料は、成膜性に優れ、絶縁性を示す材料であればよく、特に限定されない。好適な例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂のいずれか１つ、或いはこれらの複数の組合せを挙げることができる。
【００２６】
導電性粒子３は、必要な導電性が確保できればよく、材質は特に限定されない。好適な一例としては、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金のいずれかから選ばれる単一金属、或いは合金を挙げることができる。また、銅、銅合金、及びニッケル、ニッケル合金などを銀で被覆したもののうちのいずれか１つ、或いは複数の組合せからなるものも好適な例として挙げることができる。また、導電性粒子３として、金属以外に導電性カーボン粒子、カーボンファイバー、カーボンナノチューブなどや、これらと金属の組み合わせからなるものであってもよい。低抵抗化を図る観点からは、導電性粒子３として、金属ナノ粒子焼結体を用いることが好ましい。
【００２７】
導電性粒子３の形状は、特に限定されないが、好適な例として球状、燐片状、針状のいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００２８】
導電性粒子３の粒子径は、５μｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下の金属微粒子とすることがより好ましい。導電性粒子３の粒子径が５μｍを超えると、絶縁性領域４１において導電性粒子を除去して形成する空隙４のサイズが大きくなり、膜強度が低下する恐れがあるためである。
【００２９】
導電性粒子３の粒度分布のピークは、１つであっても、複数であってもよい。例えば、ミクロンオーダの粒度分布のピークを有する導電性粒子と、１００ｎｍ以下の粒度分布のピークを有する導電性粒子３をともに含有していてもよい。導電性粒子３としてナノサイズの金属微粒子を用いると、低温で融着させることができる。このため、ナノサイズの金属微粒子を用いることにより、導電性粒子３間の接触を金属結合とし、低抵抗化を図ることができる。
【００３０】
以下、本実施形態１に係る絶縁層１０の製造方法の一例について、図２Ａ〜図２Ｄの製造工程断面図を用いつつ説明する。なお、絶縁層１０の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の方法を採用することができる。
【００３１】
まず、導電性粒子３が分散された未硬化樹脂層１１を用意する（図２Ａ参照）。未硬化樹脂層１１は、名称の如く、絶縁性樹脂２が硬化されていないものとする。導電性粒子３が分散された未硬化樹脂層１１の作製方法は、特に限定はされない。例えば、導電性粒子３が分散された液状タイプ、フィルムタイプなどの未硬化の絶縁性樹脂２を用いることができる。
【００３２】
次に、未硬化樹脂層１１を硬化することにより、硬化樹脂層１２を得る（図２Ｂ参照）。未硬化樹脂層１１の硬化方法は、特に限定されず、種々の方法を適用することができる。取り扱い容易性の観点からは、熱硬化タイプ、紫外線等の光照射による硬化タイプなど、物理的刺激により硬化する樹脂が好適である。導電性粒子３が熱により融着するタイプであれば、熱硬化性の樹脂を用いることが好ましい。導電性粒子同士を融着させる場合には、融着条件と絶縁性樹脂２の硬化条件を合わせることが、工程数を削減する観点から好ましい。
【００３３】
絶縁性樹脂２の硬化工程において、導電性粒子３は、未硬化樹脂層１１の硬化収縮によりお互いが接近する。導電性粒子３の粒径が比較的大きい場合には、未硬化樹脂層１１の硬化収縮により、導電性粒子３同士が接触する。また、導電性粒子３の粒子径が１００ｎｍ以下の場合には、導電性粒子３同士が融着する。これらにより、導電性粒子３が互いに電気的に接続される。従って、硬化処理後の硬化樹脂層１２は、導電性膜となる。
【００３４】
続いて、層間導電路５を形成したい所望の位置の硬化樹脂層１２の表側主面１０Ａ及び裏側主面１０Ｂにレジスト７を形成する（図２Ｃ参照）。その後、硬化樹脂層１２をエッチング処理することにより、レジスト７で保護されていない領域の導電性粒子３を除去する。換言すると、層間導電路５以外の部分の導電性粒子３が除去されて空隙４が形成される（図２Ｄ参照）。その後、レジスト７を剥離する。これらの工程を経て、図１に示すような絶縁層１０が完成する。
【００３５】
本実施形態１に係る絶縁層１０の製造方法によれば、上述したように導電性粒子３を含有する未硬化樹脂膜１１を硬化すると同時に、導電性粒子３同士の接触、融着を図る。その後、層間導電路５を形成したい所望の箇所（導電性領域４０としたい個所）以外の導電性粒子３を実質的に除去することで、絶縁性領域４１を形成する。従って、製造工程の簡便化を図ることができる。
【００３６】
上述したセミアディティブ法においては、ビア部１１２Ａを埋める際にメッキ時間を延ばしたり、ビア部１１２Ａ中に樹脂を埋め込んだりする作業が必要であった。一方、本実施形態１によれば、導電性粒子３を含有する未硬化樹脂層１１を硬化して、絶縁性領域４１の導電性粒子３をエッチングにより除去するという工程により製造するので、製造工程の簡便化を図ることができる。従って、セミアディティブ法や特許文献１の製造工程に比して、初期設備投資の費用を抑えることができるのみならず、工程数削減によるコストアップ抑制を図ることが可能となる。
【００３７】
また、本実施形態１においては、ビアの穴埋めに導電性ペーストや絶縁性樹脂を用いないので、樹脂の滲みやビア部のボイド発生を抑制できる。
【００３８】
従って、本実施形態１によれば、信頼性の高い導電性領域を有する絶縁層１０を安価に提供することができる。
【００３９】
[実施形態２]
次に、上記導電性領域を有する絶縁層１０を備える電子部品５０の一例について説明する。図３に、本実施形態２に係る電子部品５０の絶縁層１０近傍を部分拡大した模式的断面図を示す。なお、以降の図において、前述の図面と同一の要素部材については、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００４０】
本実施形態２に係る電子部品５０は、図３に示すように、絶縁層１０の表側主面１０Ａに導電層たる第１配線２１、絶縁層１０の裏側主面１０Ｂに導電層たる第２配線２２が配設されている。第１配線２１は、層間導電路５と電気的に接続されるように、層間導電路５の表面５Ａの少なくとも一部と当接するように配設されている。第２配線２２は、層間導電路５と電気的に接続されるように、層間導電路５の裏面５Ｂの少なくとも一部と当接するように配設されている。
【００４１】
第１配線２１及び第２配線２２の材料は、配線形成が可能な材料であればよく、特に限定はされない。一例として、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｄなどの単層、或いは積層からなるメッキ層を挙げることができる。
【００４２】
なお、図３においては、第１配線２１、第２配線２２が各々１つ設けられている例について説明しているが、説明の便宜上のものであって、これらの配線の本数は限定されない。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａ側のみに第１配線２１を設ける構成や、絶縁層１０の裏側主面１０Ｂ側のみに第２配線２２を設ける構成であってもよい。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａ、又は／及び裏側主面１０Ｂに配設する導電層は、配線に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、導電層は、電極パッド、半田等の導電性接合部などとすることができる。
【００４３】
セミアディティブ法においては、シード層１０３をエッチングする工程（図１２Ｆ参照）において、基板表面全体をエッチング液に浸すため、シード層１０３とともにビア部１１２Ａ及び配線部１１２Ｂも浸食されてしまうという問題があった。一方、本実施形態２においては、絶縁層１０を形成した後に、導電層である第１配線２１等を設けているので、配線が絶縁層１０の層間導電路５を形成する際に浸食されない。従って、信頼性の高い配線構造を有する電子部品５０を提供することができる。
【００４４】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する第１配線２１及び第２配線２２の密着性を向上させることができる。また、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となる。その結果、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００４５】
[実施形態３]
図４に、本実施形態３に係る電子部品５０ａの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態３に係る電子部品５０ａは、第１配線２１ａ及び第２配線２２ａの材料が導電性樹脂である点を特徴とする。
【００４６】
第１配線２１ａ及び第２配線２２ａは、導電性樹脂２３を印刷することにより形成することができる。
【００４７】
第１配線２１ａ及び第２配線２２ａを形成する導電性樹脂２３中の導電粒子２４は、必要な導電性が確保できれば材質は特に限定されない。好適な一例としては、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金いずれかの単一金属、或いは合金を挙げることができる。また、銅、銅合金、及びニッケル、ニッケル合金などを銀で被覆したもののいずれか１つ、或いは複数の組合せからなるものも好適な例として挙げることができる。
【００４８】
導電粒子２４の形状は、特に限定されないが、好適な例として球状、燐片状、針状のいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００４９】
導電粒子２４の粒子径は、導電性や印刷性の観点から５μｍ以下とすることが好ましい。また、導電粒子２４の粒度分布のピークは、1つであっても複数であってもよい。導電粒子２４として、例えば、１００ｎｍ以下の金属微粒子を用いてもよい。ナノサイズの導電粒子２４として金属微粒子を用いると、低温で融着させることができる。このため、ナノサイズの金属微粒子を用いることにより、導電粒子２４間の接触を金属結合とし、低抵抗化を図ることができる。
【００５０】
高密度配線化を図るには、配線間を狭ピッチ化することが有効である。そのためには、導電性樹脂２３の導電粒子２４が、粒子径１００ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも部分的に含有する導電性ペースト又は導電性インクを原料として用いることが好ましい。なお、導電粒子２４として、金属以外に導電性カーボン粒子、導電性カーボンファイバーを用いることもできる。
【００５１】
導電性樹脂２３を構成するバインダー樹脂についても、特に限定はされない。好適な一例として、エポキシ、アクリル、フェノール、シリコーン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドのいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００５２】
上記特許文献２においては、導電性樹脂２３の印刷により配線を形成する際、導電性樹脂のダレや滲みにより、所望の配線幅よりも太くなったり、配線形状が崩れたりする問題があった。一方、本実施形態３によれば、導電性樹脂２３の溶剤、及び樹脂が空隙４に適度に吸収され、浸透部６を形成する。これにより、配線が横に広がって太くなったり、配線形状が崩れたりすることを抑制できる。従って、本実施形態３によれば、特に狭ピッチの配線形成に有利である。
【００５３】
また、通常のメッキビアや貫通ビアを用いた多層配線基板では、絶縁層表面にランドを形成するため、ビア及びランドの比較的大きな凹凸により導電性樹脂の印刷性が悪化し、最悪の場合には、段差部で配線切れを起こす可能性があった。一方、本実施形態３によれば、絶縁層１０の表面に大きな段差が無く、凹凸による配線切れを抑制することができる。
【００５４】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。特に、本実施形態３のように、配線を導電性樹脂により形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００５５】
[実施形態４]
図５に、本実施形態４に係る電子部品５０ｂの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態４に係る電子部品５０ｂは、基板３０上に形成された基板上配線２５と、第１配線２１ｂ、絶縁層１０を備える。基板上配線２５と第１配線２１ｂの材料は、導電性樹脂により形成されている。
【００５６】
基板上配線２５と第１配線２１ｂは、層間導電路５により電気的に接続されている。なお、第１配線２１ｂと基板上配線２５は、通常のメッキ配線等により構成してもよいことは言うまでもない。
【００５７】
以下、本実施形態４に係る絶縁層１０の製造方法の一例について、図６Ａ〜図６Ｅの製造工程断面図を用いつつ説明する。なお、絶縁層１０の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の方法を採用することができる。
【００５８】
まず、基板３０の上に基板上配線２５等を形成する。そして、基板３０及び基板上配線２５の表面に、導電性粒子３を含む未硬化樹脂層１１ｂを形成する（図６Ａ参照）。絶縁性樹脂２は、液状の場合にはスピンコータやバーコータ等により、フィルムタイプの場合には、熱圧着などにより基板３０表面に形成することができる。なお、未硬化樹脂層１１ｂは、その名称の如く、絶縁性樹脂２が硬化されていないものとする。
【００５９】
次に、未硬化樹脂層１１ｂを硬化することにより、硬化樹脂層１２ｂを得る（図６Ｂ）。硬化手段、硬化方法等は、上記実施形態１で述べたとおりである。硬化処理後の硬化樹脂層１２ｂは、導電性膜となる。
【００６０】
続いて、層間導電路５を形成したい所望の位置の硬化樹脂層１２ｂの表側主面１０Ａにレジスト７ｂを形成する（図６Ｃ参照）。その後、硬化樹脂層１２をエッチング処理することにより、レジスト７ｂで保護されていない領域の導電性粒子３を実質的に除去する。換言すると、層間導電路５以外の部分の導電性粒子３が形成されていた個所に空隙４が形成される（図６Ｄ参照）。その後、レジスト７ｂを剥離する。これらの工程を経て、図５に示すような電子部品５０ｂが完成する。
【００６１】
電子部品５０ｂによれば、簡便に層間導電路５を有する絶縁層１０と接続する配線等の導電層を有する構造を提供することができる。また、予め用意した基板３０上に絶縁層１０を積層する構造であるため、基板３０の剛性を絶縁層１０よりも高いものとすることが容易となる。絶縁層１０よりも基板３０を高剛性とすることで、空隙からなる空隙４の膜強度低下を補うことができる。同様の観点から、ニーズに応じた材料の選定が可能となるという優れたメリットを有する。
【００６２】
また、基板３０をコアとして、空隙を含む低弾性な絶縁層１０を積層する構造であるため、絶縁層１０の熱膨張時に発生する応力を基板３０で吸収することができ、電子部品５０ｂの反りを抑制することができる。
【００６３】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。特に、本実施形態４のように、配線を導電性樹脂により形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００６４】
[実施形態５]
図７に、本実施形態５に係る電子部品５０ｃの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態５に係る電子部品５０ｃは、多層配線構造を有する。具体的には、３層の絶縁層１０とこれらの表面、及び間隙に形成された配線を有する。
【００６５】
電子部品５０ｃは、図３に示すような絶縁層１０の主面に第１配線２１、第２配線２２が形成されたものを１つ用意する。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａに第１配線２１を設けたものを２つ用意する。そして、これらを積層し、例えば、熱圧着により一体化する。熱圧着の際、配線部の凸部によりその周辺近傍の絶縁性樹脂２が押圧されることにより空隙４がつぶれる可能性がある。しかしながら、この工程では、既に絶縁性樹脂２は硬化されているので、特性上の大きな影響はない。
【００６６】
なお、本実施形態５においては、絶縁層１０を３層積層する例について述べたが、一例であって、積層数は任意であることは言うまでもない。また、上記例に代えて、上記図３に示すような絶縁層１０の両主面に配線を形成したものを複数層、積層することにより多層配線構造を製造してもよい。
【００６７】
本実施形態５によれば、簡便に層間導電路を有する多層配線構造を提供することができる。また、絶縁層１０の絶縁性領域分に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性が向上する。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することが可能となる。
【００６８】
[実施形態６]
図８に、本実施形態６に係る電子部品５０ｄの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態６に係る電子部品５０ｄは、以下の点を除く基本的な構成は上記実施形態５と同様である。すなわち、上記実施形態５においては、多層配線構造体を熱圧着により形成していたのに対し、本実施形態６においては、接着材を用いて、多層配線構造体を形成している点において相違する。
【００６９】
隣接する絶縁層１０間の導電層が配設されていない領域には、接着材３１を配設する。接着材３１の形成方法は、特に限定されず、公知の方法を適用することができる。絶縁層１０の表面に配線を形成した後、予め接着材３１を形成しておき、積層段階において、紫外線照射や加熱処理等により接着性を誘起させるようにしてもよい。
【００７０】
本実施形態６によれば、上記実施形態５と同様の効果を得ることができる。
[実施形態７]
図９に、本実施形態７に係る電子部品５０ｅの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。
本実施形態７に係る電子部品５０ｅは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ（Under Bump Metallization）３３、回路保護層３４等を備える。
【００７１】
ＵＢＭ３３は、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に形成された電極（不図示）上に配設されている。
【００７２】
回路保護層３４は、ＬＳＩチップ３２の素子形成面上に、例えば、８μｍ程度の厚みで形成されている。回路保護層３４の材料は、特に限定されないが、例えば、ポリイミドなどにより形成されている。
【００７３】
絶縁層１０は、ＵＢＭ３３及び回路保護層３４の上に配設される。絶縁層１０の積層方法は、特に限定されないが、例えば、回路保護層３４上に接着材（不図示）を形成して圧着することにより行う。接着材を用いずに、絶縁層１０を回路保護層３４及びＵＢＭ３３の上に熱圧着により積層してもよい。圧着工程により、層間導電路５の導電性粒子３及び絶縁性樹脂２がＵＢＭ３３の内部空間に入り込む（図９参照）。上記構成により、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に設けられた電極（不図示）と、層間導電路５がＵＢＭ３３を介して電気的に接続される。
【００７４】
本実施形態７によれば、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２からなる絶縁層１０を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２表面に掛かる応力を緩和することができる。
【００７５】
[実施形態８]
図１０に、本実施形態８に係る電子部品５０ｆの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態８に係る電子部品５０ｆは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ３３、回路保護層３４、パッド３５、はんだ３６等を備える。
【００７６】
パッド３５は、層間導電路５の上面に形成されている。はんだ３６は、パッド３５上に形成されている。このような構成により、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に形成された電極（不図示）とはんだ３６が電気的に接続される。絶縁層１０は、これらの電気的接続を仲介すると同時に応力緩和層として機能する。
【００７７】
本実施形態８によれば、ＬＳＩチップ３２とはんだ３６との間に絶縁層１０を設けることにより、これらのクリアランスを取ることができる。また、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２からなる絶縁層１０を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２表面に掛かる応力を緩和することができる。
【００７８】
[実施形態９]
図１１に、本実施形態９に係る電子部品５０ｇの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態９に係る電子部品５０ｇは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ３３、回路保護層３４、第１配線２１ｆ等を備える。第１配線２１ｆは、導電性樹脂層により形成する。
【００７９】
本実施形態９によれば、ＬＳＩチップ３２の上面に形成された第１配線２１ｆの他端に、ＬＳＩチップ３２の電極（不図示）ピッチよりも広いピッチのパッド（不図示）を形成することにより、ＬＳＩチップ３２の基板（不図示）への実装性を向上させることができる。
【００８０】
また、ＬＳＩチップ３２と第１配線２１ｆとのクリアランスを取ることができる。また、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２に掛かる応力を緩和することができる。また、空隙４によるアンカー効果により、絶縁層１０の表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。さらに、導電性樹脂から配線を形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。さらに、絶縁性領域４１（図１参照）が、低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００８１】
なお、絶縁層１０及び導電層は、１層である必要はなく、複数層設けることができる。また、第１配線層２１ｆを導電性樹脂層により形成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、メッキ配線としてもよい。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得る。本発明に係る絶縁層は、上記実施形態の構造例、用途例に限定されるものではなく、種々の構造、用途に制限なく用いることができる。
【符号の説明】
【００８３】
２ 絶縁性樹脂
３ 導電性粒子
４ 空隙
５ 層間導電路
７ レジスト
１０ 絶縁層
１１ 未硬化樹脂層
１２ 硬化樹脂層
２１ 第１配線
２２ 第２配線
２３ 導電性樹脂層
２４ 導電粒子
２５ 基板上配線
３０ 基板
３１ 接着材
３２ ＬＳＩチップ
３３ ＵＢＭ
３４ 回路保護層
３５ パッド
３６ はんだ
４０ 導電性領域
４１ 絶縁性領域
５０ 電子部品
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性領域を有する絶縁層、及びこれを備える電子部品に関する。さらに、導電性領域を有する絶縁層と電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージなどに用いられる多層高密度配線の一般的な形成方法として、セミアディティブ法がある。図１２Ａ〜図１２Ｇに、セミアディティブ法による多層高密度配線の製造工程断面図を示す。
【０００３】
まず、図１２Ａに示すように、表面に電極１１１を形成した基板１３０上に、絶縁性樹脂を用いて層間絶縁膜１０１を形成する。次に、電極１１１が配された層間絶縁膜１０１の所望の位置に、レーザ等を用いて穴１０２を開ける（図１２Ｂ参照）。続いて、メッキのシード層１０３をスパッタ等で成膜し（図１２Ｃ参照）、配線、ビア、ランドなどのメッキを析出させたいパターン部以外を、メッキレジスト１０４で覆う（図１２Ｄ参照）。メッキレジスト１０４は、一般的に感光性の樹脂を用い、基板表面に塗布後、フォトマスクにて露光し、現像後に露光部以外を除去することで形成する。
【０００４】
その後、Ｃｕなど所望の金属のメッキ処理を行い、パターン部にメッキ層１１２を形成する（図１２Ｅ参照）。メッキレジスト１０４を除去した後（図１２Ｆ参照）、エッチングして不要な部分のシード層１０３を除去する（図１２Ｇ参照）。上記工程を経て、ビア部１１２Ａを介して配線部１１２Ｂと電極１１１が電気的に接続された多層配線が完成する。
【０００５】
多層配線形成方法としては、上述したセミアディティブ法以外にも様々な製造方法が提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００６】
特許文献１においては、誘電層の中に複数のパターン開口とビア孔を形成し、さらにパターン開口とビア孔に導電金属を埋める方法が提案されている。
【０００７】
特許文献２においては、樹脂に導電性フィラーが含まれた導電性ペーストを配線基板の導通箇所に利用する技術が提案されている。図１３Ａ〜図１３Ｅに、特許文献２に開示された配線基板の製造工程断面図を示す。
【０００８】
まず、半硬化状の絶縁絶縁層２０１に穴あけ加工を施し、ビアホール２０２を設ける（図１３Ａ参照）。次に、そのビアホール２０２内に導電性ペースト２０３を充填する（図１３Ｂ参照）。その後、導電性ペースト２０３を充填したビアホール２０２の片側或いは両端部に、樹脂フィルム２０４に接着剤２０５を介して接着された金属箔からなる配線層２１１を位置あわせし、加熱と加圧を施す（図１３Ｃ参照）。そして、接着剤２０５と共に樹脂フィルム２０４を剥がすことで配線層２１１が絶縁絶縁層２０１に埋設される（図１３Ｄ参照）。 このようにして作製された配線ユニットａ（図１３Ｅ参照）を複数作製する。そして、配線ユニットａを積層させて、絶縁層中の熱硬化性樹脂が硬化するように加熱と加圧を施すことにより配線基板を作製する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−３２４５５９号公報
【特許文献２】特開２００５−７１８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
セミアディティブ法においては、シード層１０３をエッチングする工程（図１２Ｆ参照）において、基板表面全体をエッチング液に浸す。このため、シード層１０３とともにビア部１１２Ａ及び配線部１１２Ｂも浸食されてしまうという問題があった。配線部１１２Ｂの浸食は、配線が微細になるほど深刻となる。
【００１１】
また、セミアディティブ法や特許文献１に記載の方法においては、以下のような問題があった。すなわち、ビアを埋める際にメッキ時間を延ばしたり、ビア中に樹脂を埋め込む作業によって、工程増やコスト高が生じたりするという問題があった。また、複雑な工程を必要とするために、初期設備投資が多大となるという問題があった。さらに、多数の製造工程を必要とする点からも、コストアップが避けられないという問題があった。
【００１２】
一方、特許文献２のように導電性ペーストを用いて配線を形成した場合、導電性ペーストと版があれば導電パターンを形成することが可能となる。このため、製造工程が簡素で、設備投資も少ないというメリットがある。しかしながら、導電性ペーストを基材に印刷するため、印刷後の滲みなどにより、版と比較して配線が太くなったり、配線形状が崩れたりするという問題があった。また、予め配線が形成されている基板に印刷配線を形成して両者を接続する場合には、配線上に導電性ペーストを乗り上げて印刷する必要がある。この際、段差部で断線が発生する恐れもあった。
【００１３】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、安価で、かつ信頼性が高い導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る導電性領域を有する絶縁層は、表裏両主面を電気的に接続する導電性領域と、前記表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域とを備え、前記導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成され、前記絶縁性領域は、前記絶縁性樹脂中に複数の空隙が形成されているものである。
【００１５】
本発明に係る電子部品は、絶縁性樹脂中に、表裏両主面間を電気的に接続する導電性領域を有する絶縁層と、前記絶縁層の前記表裏両主面のうちの少なくとも一方に形成され、前記導電性領域と接続された導電層とを備える。そして、前記絶縁層中の導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成された領域であり、前記絶縁層中の導電性領域以外には、複数の空隙が形成されているものである。
【００１６】
本発明に係る導電性領域を有する絶縁層の製造方法は、電性領域を有する絶縁層の製造方法であって、導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去するものである。
【００１７】
本発明に係る電子部品の製造方法は、導電性領域を有する絶縁層を備える電子部品の製造方法であって、導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、前記導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去することにより絶縁性領域を得、前記絶縁層の少なくとも片側主面上に、前記導電性領域と電気的に接続する導電層を配設するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、安価で、かつ信頼性が高い導電性領域を有する絶縁層、及び電子部品、並びにこれらの製造方法を提供することができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の模式的断面図。
【図２Ａ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｂ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｃ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図２Ｄ】実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層の製造工程断面図。
【図３】実施形態２に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図４】実施形態３に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図５】実施形態４に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図６Ａ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｂ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｃ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図６Ｄ】実施形態４に係る電子部品の要部の製造工程断面図。
【図７】実施形態５に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図８】実施形態６に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図９】実施形態７に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１０】実施形態８に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１１】実施形態９に係る電子部品の要部を示す模式的断面図。
【図１２Ａ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｂ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｃ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｄ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｅ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｆ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１２Ｇ】セミアディティブ法に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ａ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｂ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｃ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｄ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【図１３Ｅ】特許文献２に係る多層配線体の製造工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、実際のものとは異なる。
［実施形態１］
【００２１】
図１に、本実施形態１に係る導電性領域を有する絶縁層（以下、単に「絶縁層」と略記する）の一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態１に係る絶縁層１０は、図１に示すように、絶縁性樹脂２、導電性粒子３を備える。
【００２２】
絶縁層１０は、表側主面１０Ａ及び裏側主面１０Ｂの両主面間を電気的に接続する導電性領域４０と、両主面間を電気的に絶縁する絶縁性領域４１を有する。絶縁性領域４１中の絶縁性樹脂２中には、複数の空隙４が設けられている。
【００２３】
導電性領域４０は、絶縁性樹脂２中に含有する導電性粒子３を接触、若しくは融着させることによって形成されている。換言すると、導電性領域４０には、接触、若しくは融着された導電性粒子３が、表側主面１０Ａから裏側主面１０Ｂに亘って形成されている。この導電性領域４０が、層間導電路５として機能する。
【００２４】
絶縁性領域４１は、絶縁層１０中に含有する導電性粒子３を実質的に除去した領域である。導電性粒子３が除去された領域は、複数の空隙４が形成されている。なお、図１においては、層間導電路５が１つ配設されている例を示しているが、説明の便宜上のものであって、絶縁層１０中に設ける層間導電路５の数は限定されず、任意の箇所に任意の数だけ設けることができる。
【００２５】
絶縁性樹脂２の材料は、成膜性に優れ、絶縁性を示す材料であればよく、特に限定されない。好適な例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂のいずれか１つ、或いはこれらの複数の組合せを挙げることができる。
【００２６】
導電性粒子３は、必要な導電性が確保できればよく、材質は特に限定されない。好適な一例としては、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金のいずれかから選ばれる単一金属、或いは合金を挙げることができる。また、銅、銅合金、及びニッケル、ニッケル合金などを銀で被覆したもののうちのいずれか１つ、或いは複数の組合せからなるものも好適な例として挙げることができる。また、導電性粒子３として、金属以外に導電性カーボン粒子、カーボンファイバー、カーボンナノチューブなどや、これらと金属の組み合わせからなるものであってもよい。低抵抗化を図る観点からは、導電性粒子３として、金属ナノ粒子焼結体を用いることが好ましい。
【００２７】
導電性粒子３の形状は、特に限定されないが、好適な例として球状、燐片状、針状のいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００２８】
導電性粒子３の粒子径は、５μｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下の金属微粒子とすることがより好ましい。導電性粒子３の粒子径が５μｍを超えると、絶縁性領域４１において導電性粒子を除去して形成する空隙４のサイズが大きくなり、膜強度が低下する恐れがあるためである。
【００２９】
導電性粒子３の粒度分布のピークは、１つであっても、複数であってもよい。例えば、ミクロンオーダの粒度分布のピークを有する導電性粒子と、１００ｎｍ以下の粒度分布のピークを有する導電性粒子３をともに含有していてもよい。導電性粒子３としてナノサイズの金属微粒子を用いると、低温で融着させることができる。このため、ナノサイズの金属微粒子を用いることにより、導電性粒子３間の接触を金属結合とし、低抵抗化を図ることができる。
【００３０】
以下、本実施形態１に係る絶縁層１０の製造方法の一例について、図２Ａ〜図２Ｄの製造工程断面図を用いつつ説明する。なお、絶縁層１０の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の方法を採用することができる。
【００３１】
まず、導電性粒子３が分散された未硬化樹脂層１１を用意する（図２Ａ参照）。未硬化樹脂層１１は、名称の如く、絶縁性樹脂２が硬化されていないものとする。導電性粒子３が分散された未硬化樹脂層１１の作製方法は、特に限定はされない。例えば、導電性粒子３が分散された液状タイプ、フィルムタイプなどの未硬化の絶縁性樹脂２を用いることができる。
【００３２】
次に、未硬化樹脂層１１を硬化することにより、硬化樹脂層１２を得る（図２Ｂ参照）。未硬化樹脂層１１の硬化方法は、特に限定されず、種々の方法を適用することができる。取り扱い容易性の観点からは、熱硬化タイプ、紫外線等の光照射による硬化タイプなど、物理的刺激により硬化する樹脂が好適である。導電性粒子３が熱により融着するタイプであれば、熱硬化性の樹脂を用いることが好ましい。導電性粒子同士を融着させる場合には、融着条件と絶縁性樹脂２の硬化条件を合わせることが、工程数を削減する観点から好ましい。
【００３３】
絶縁性樹脂２の硬化工程において、導電性粒子３は、未硬化樹脂層１１の硬化収縮によりお互いが接近する。導電性粒子３の粒径が比較的大きい場合には、未硬化樹脂層１１の硬化収縮により、導電性粒子３同士が接触する。また、導電性粒子３の粒子径が１００ｎｍ以下の場合には、導電性粒子３同士が融着する。これらにより、導電性粒子３が互いに電気的に接続される。従って、硬化処理後の硬化樹脂層１２は、導電性膜となる。
【００３４】
続いて、層間導電路５を形成したい所望の位置の硬化樹脂層１２の表側主面１０Ａ及び裏側主面１０Ｂにレジスト７を形成する（図２Ｃ参照）。その後、硬化樹脂層１２をエッチング処理することにより、レジスト７で保護されていない領域の導電性粒子３を除去する。換言すると、層間導電路５以外の部分の導電性粒子３が除去されて空隙４が形成される（図２Ｄ参照）。その後、レジスト７を剥離する。これらの工程を経て、図１に示すような絶縁層１０が完成する。
【００３５】
本実施形態１に係る絶縁層１０の製造方法によれば、上述したように導電性粒子３を含有する未硬化樹脂膜１１を硬化すると同時に、導電性粒子３同士の接触、融着を図る。その後、層間導電路５を形成したい所望の箇所（導電性領域４０としたい個所）以外の導電性粒子３を実質的に除去することで、絶縁性領域４１を形成する。従って、製造工程の簡便化を図ることができる。
【００３６】
上述したセミアディティブ法においては、ビア部１１２Ａを埋める際にメッキ時間を延ばしたり、ビア部１１２Ａ中に樹脂を埋め込んだりする作業が必要であった。一方、本実施形態１によれば、導電性粒子３を含有する未硬化樹脂層１１を硬化して、絶縁性領域４１の導電性粒子３をエッチングにより除去するという工程により製造するので、製造工程の簡便化を図ることができる。従って、セミアディティブ法や特許文献１の製造工程に比して、初期設備投資の費用を抑えることができるのみならず、工程数削減によるコストアップ抑制を図ることが可能となる。
【００３７】
また、本実施形態１においては、ビアの穴埋めに導電性ペーストや絶縁性樹脂を用いないので、樹脂の滲みやビア部のボイド発生を抑制できる。
【００３８】
従って、本実施形態１によれば、信頼性の高い導電性領域を有する絶縁層１０を安価に提供することができる。
【００３９】
[実施形態２]
次に、上記導電性領域を有する絶縁層１０を備える電子部品５０の一例について説明する。図３に、本実施形態２に係る電子部品５０の絶縁層１０近傍を部分拡大した模式的断面図を示す。なお、以降の図において、前述の図面と同一の要素部材については、同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００４０】
本実施形態２に係る電子部品５０は、図３に示すように、絶縁層１０の表側主面１０Ａに導電層たる第１配線２１、絶縁層１０の裏側主面１０Ｂに導電層たる第２配線２２が配設されている。第１配線２１は、層間導電路５と電気的に接続されるように、層間導電路５の表面５Ａの少なくとも一部と当接するように配設されている。第２配線２２は、層間導電路５と電気的に接続されるように、層間導電路５の裏面５Ｂの少なくとも一部と当接するように配設されている。
【００４１】
第１配線２１及び第２配線２２の材料は、配線形成が可能な材料であればよく、特に限定はされない。一例として、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｄなどの単層、或いは積層からなるメッキ層を挙げることができる。
【００４２】
なお、図３においては、第１配線２１、第２配線２２が各々１つ設けられている例について説明しているが、説明の便宜上のものであって、これらの配線の本数は限定されない。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａ側のみに第１配線２１を設ける構成や、絶縁層１０の裏側主面１０Ｂ側のみに第２配線２２を設ける構成であってもよい。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａ、又は／及び裏側主面１０Ｂに配設する導電層は、配線に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、導電層は、電極パッド、半田等の導電性接合部などとすることができる。
【００４３】
セミアディティブ法においては、シード層１０３をエッチングする工程（図１２Ｆ参照）において、基板表面全体をエッチング液に浸すため、シード層１０３とともにビア部１１２Ａ及び配線部１１２Ｂも浸食されてしまうという問題があった。一方、本実施形態２においては、絶縁層１０を形成した後に、導電層である第１配線２１等を設けているので、配線が絶縁層１０の層間導電路５を形成する際に浸食されない。従って、信頼性の高い配線構造を有する電子部品５０を提供することができる。
【００４４】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する第１配線２１及び第２配線２２の密着性を向上させることができる。また、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となる。その結果、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００４５】
[実施形態３]
図４に、本実施形態３に係る電子部品５０ａの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態３に係る電子部品５０ａは、第１配線２１ａ及び第２配線２２ａの材料が導電性樹脂である点を特徴とする。
【００４６】
第１配線２１ａ及び第２配線２２ａは、導電性樹脂２３を印刷することにより形成することができる。
【００４７】
第１配線２１ａ及び第２配線２２ａを形成する導電性樹脂２３中の導電粒子２４は、必要な導電性が確保できれば材質は特に限定されない。好適な一例としては、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金いずれかの単一金属、或いは合金を挙げることができる。また、銅、銅合金、及びニッケル、ニッケル合金などを銀で被覆したもののいずれか１つ、或いは複数の組合せからなるものも好適な例として挙げることができる。
【００４８】
導電粒子２４の形状は、特に限定されないが、好適な例として球状、燐片状、針状のいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００４９】
導電粒子２４の粒子径は、導電性や印刷性の観点から５μｍ以下とすることが好ましい。また、導電粒子２４の粒度分布のピークは、1つであっても複数であってもよい。導電粒子２４として、例えば、１００ｎｍ以下の金属微粒子を用いてもよい。ナノサイズの導電粒子２４として金属微粒子を用いると、低温で融着させることができる。このため、ナノサイズの金属微粒子を用いることにより、導電粒子２４間の接触を金属結合とし、低抵抗化を図ることができる。
【００５０】
高密度配線化を図るには、配線間を狭ピッチ化することが有効である。そのためには、導電性樹脂２３の導電粒子２４が、粒子径１００ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも部分的に含有する導電性ペースト又は導電性インクを原料として用いることが好ましい。なお、導電粒子２４として、金属以外に導電性カーボン粒子、導電性カーボンファイバーを用いることもできる。
【００５１】
導電性樹脂２３を構成するバインダー樹脂についても、特に限定はされない。好適な一例として、エポキシ、アクリル、フェノール、シリコーン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドのいずれか１つ、或いは複数の組合せを挙げることができる。
【００５２】
上記特許文献２においては、導電性樹脂２３の印刷により配線を形成する際、導電性樹脂のダレや滲みにより、所望の配線幅よりも太くなったり、配線形状が崩れたりする問題があった。一方、本実施形態３によれば、導電性樹脂２３の溶剤、及び樹脂が空隙４に適度に吸収され、浸透部６を形成する。これにより、配線が横に広がって太くなったり、配線形状が崩れたりすることを抑制できる。従って、本実施形態３によれば、特に狭ピッチの配線形成に有利である。
【００５３】
また、通常のメッキビアや貫通ビアを用いた多層配線基板では、絶縁層表面にランドを形成するため、ビア及びランドの比較的大きな凹凸により導電性樹脂の印刷性が悪化し、最悪の場合には、段差部で配線切れを起こす可能性があった。一方、本実施形態３によれば、絶縁層１０の表面に大きな段差が無く、凹凸による配線切れを抑制することができる。
【００５４】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。特に、本実施形態３のように、配線を導電性樹脂により形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００５５】
[実施形態４]
図５に、本実施形態４に係る電子部品５０ｂの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態４に係る電子部品５０ｂは、基板３０上に形成された基板上配線２５と、第１配線２１ｂ、絶縁層１０を備える。基板上配線２５と第１配線２１ｂの材料は、導電性樹脂により形成されている。
【００５６】
基板上配線２５と第１配線２１ｂは、層間導電路５により電気的に接続されている。なお、第１配線２１ｂと基板上配線２５は、通常のメッキ配線等により構成してもよいことは言うまでもない。
【００５７】
以下、本実施形態４に係る絶縁層１０の製造方法の一例について、図６Ａ〜図６Ｅの製造工程断面図を用いつつ説明する。なお、絶縁層１０の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の方法を採用することができる。
【００５８】
まず、基板３０の上に基板上配線２５等を形成する。そして、基板３０及び基板上配線２５の表面に、導電性粒子３を含む未硬化樹脂層１１ｂを形成する（図６Ａ参照）。絶縁性樹脂２は、液状の場合にはスピンコータやバーコータ等により、フィルムタイプの場合には、熱圧着などにより基板３０表面に形成することができる。なお、未硬化樹脂層１１ｂは、その名称の如く、絶縁性樹脂２が硬化されていないものとする。
【００５９】
次に、未硬化樹脂層１１ｂを硬化することにより、硬化樹脂層１２ｂを得る（図６Ｂ）。硬化手段、硬化方法等は、上記実施形態１で述べたとおりである。硬化処理後の硬化樹脂層１２ｂは、導電性膜となる。
【００６０】
続いて、層間導電路５を形成したい所望の位置の硬化樹脂層１２ｂの表側主面１０Ａにレジスト７ｂを形成する（図６Ｃ参照）。その後、硬化樹脂層１２をエッチング処理することにより、レジスト７ｂで保護されていない領域の導電性粒子３を実質的に除去する。換言すると、層間導電路５以外の部分の導電性粒子３が形成されていた個所に空隙４が形成される（図６Ｄ参照）。その後、レジスト７ｂを剥離する。これらの工程を経て、図５に示すような電子部品５０ｂが完成する。
【００６１】
電子部品５０ｂによれば、簡便に層間導電路５を有する絶縁層１０と接続する配線等の導電層を有する構造を提供することができる。また、予め用意した基板３０上に絶縁層１０を積層する構造であるため、基板３０の剛性を絶縁層１０よりも高いものとすることが容易となる。絶縁層１０よりも基板３０を高剛性とすることで、空隙からなる空隙４の膜強度低下を補うことができる。同様の観点から、ニーズに応じた材料の選定が可能となるという優れたメリットを有する。
【００６２】
また、基板３０をコアとして、空隙を含む低弾性な絶縁層１０を積層する構造であるため、絶縁層１０の熱膨張時に発生する応力を基板３０で吸収することができ、電子部品５０ｂの反りを抑制することができる。
【００６３】
また、絶縁層１０の絶縁性領域４１に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。特に、本実施形態４のように、配線を導電性樹脂により形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００６４】
[実施形態５]
図７に、本実施形態５に係る電子部品５０ｃの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態５に係る電子部品５０ｃは、多層配線構造を有する。具体的には、３層の絶縁層１０とこれらの表面、及び間隙に形成された配線を有する。
【００６５】
電子部品５０ｃは、図３に示すような絶縁層１０の主面に第１配線２１、第２配線２２が形成されたものを１つ用意する。また、絶縁層１０の表側主面１０Ａに第１配線２１を設けたものを２つ用意する。そして、これらを積層し、例えば、熱圧着により一体化する。熱圧着の際、配線部の凸部によりその周辺近傍の絶縁性樹脂２が押圧されることにより空隙４がつぶれる可能性がある。しかしながら、この工程では、既に絶縁性樹脂２は硬化されているので、特性上の大きな影響はない。
【００６６】
なお、本実施形態５においては、絶縁層１０を３層積層する例について述べたが、一例であって、積層数は任意であることは言うまでもない。また、上記例に代えて、上記図３に示すような絶縁層１０の両主面に配線を形成したものを複数層、積層することにより多層配線構造を製造してもよい。
【００６７】
本実施形態５によれば、簡便に層間導電路を有する多層配線構造を提供することができる。また、絶縁層１０の絶縁性領域分に空隙４が存在するため、アンカー効果により表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。加えて、絶縁層１０に空隙４が存在するために低誘電率となり、配線の信号特性が向上する。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することが可能となる。
【００６８】
[実施形態６]
図８に、本実施形態６に係る電子部品５０ｄの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態６に係る電子部品５０ｄは、以下の点を除く基本的な構成は上記実施形態５と同様である。すなわち、上記実施形態５においては、多層配線構造体を熱圧着により形成していたのに対し、本実施形態６においては、接着材を用いて、多層配線構造体を形成している点において相違する。
【００６９】
隣接する絶縁層１０間の導電層が配設されていない領域には、接着材３１を配設する。接着材３１の形成方法は、特に限定されず、公知の方法を適用することができる。絶縁層１０の表面に配線を形成した後、予め接着材３１を形成しておき、積層段階において、紫外線照射や加熱処理等により接着性を誘起させるようにしてもよい。
【００７０】
本実施形態６によれば、上記実施形態５と同様の効果を得ることができる。
[実施形態７]
図９に、本実施形態７に係る電子部品５０ｅの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。
本実施形態７に係る電子部品５０ｅは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ（Under Bump Metallization）３３、回路保護層３４等を備える。
【００７１】
ＵＢＭ３３は、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に形成された電極（不図示）上に配設されている。
【００７２】
回路保護層３４は、ＬＳＩチップ３２の素子形成面上に、例えば、８μｍ程度の厚みで形成されている。回路保護層３４の材料は、特に限定されないが、例えば、ポリイミドなどにより形成されている。
【００７３】
絶縁層１０は、ＵＢＭ３３及び回路保護層３４の上に配設される。絶縁層１０の積層方法は、特に限定されないが、例えば、回路保護層３４上に接着材（不図示）を形成して圧着することにより行う。接着材を用いずに、絶縁層１０を回路保護層３４及びＵＢＭ３３の上に熱圧着により積層してもよい。圧着工程により、層間導電路５の導電性粒子３及び絶縁性樹脂２がＵＢＭ３３の内部空間に入り込む（図９参照）。上記構成により、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に設けられた電極（不図示）と、層間導電路５がＵＢＭ３３を介して電気的に接続される。
【００７４】
本実施形態７によれば、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２からなる絶縁層１０を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２表面に掛かる応力を緩和することができる。
【００７５】
[実施形態８]
図１０に、本実施形態８に係る電子部品５０ｆの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態８に係る電子部品５０ｆは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ３３、回路保護層３４、パッド３５、はんだ３６等を備える。
【００７６】
パッド３５は、層間導電路５の上面に形成されている。はんだ３６は、パッド３５上に形成されている。このような構成により、ＬＳＩチップ３２の素子形成面に形成された電極（不図示）とはんだ３６が電気的に接続される。絶縁層１０は、これらの電気的接続を仲介すると同時に応力緩和層として機能する。
【００７７】
本実施形態８によれば、ＬＳＩチップ３２とはんだ３６との間に絶縁層１０を設けることにより、これらのクリアランスを取ることができる。また、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２からなる絶縁層１０を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２表面に掛かる応力を緩和することができる。
【００７８】
[実施形態９]
図１１に、本実施形態９に係る電子部品５０ｇの一例を部分拡大した模式的断面図を示す。本実施形態９に係る電子部品５０ｇは、絶縁層１０、ＬＳＩチップ３２、ＵＢＭ３３、回路保護層３４、第１配線２１ｆ等を備える。第１配線２１ｆは、導電性樹脂層により形成する。
【００７９】
本実施形態９によれば、ＬＳＩチップ３２の上面に形成された第１配線２１ｆの他端に、ＬＳＩチップ３２の電極（不図示）ピッチよりも広いピッチのパッド（不図示）を形成することにより、ＬＳＩチップ３２の基板（不図示）への実装性を向上させることができる。
【００８０】
また、ＬＳＩチップ３２と第１配線２１ｆとのクリアランスを取ることができる。また、空隙からなる空隙４を含む絶縁性樹脂２を介する構造を採用しているので、ＬＳＩチップ３２を基板（不図示）上に実装した場合に、ＬＳＩチップ３２に掛かる応力を緩和することができる。また、空隙４によるアンカー効果により、絶縁層１０の表面に形成する配線の密着性を向上させることができる。さらに、導電性樹脂から配線を形成する場合には、ダレ、滲みによる配線の太り、形状崩れを抑制することができる。さらに、絶縁性領域４１（図１参照）が、低誘電率となり、配線の信号特性を向上させることができる。これらの効果により、安価で信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００８１】
なお、絶縁層１０及び導電層は、１層である必要はなく、複数層設けることができる。また、第１配線層２１ｆを導電性樹脂層により形成した例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、メッキ配線としてもよい。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得る。本発明に係る絶縁層は、上記実施形態の構造例、用途例に限定されるものではなく、種々の構造、用途に制限なく用いることができる。
【符号の説明】
【００８３】
２ 絶縁性樹脂
３ 導電性粒子
４ 空隙
５ 層間導電路
７ レジスト
１０ 絶縁層
１１ 未硬化樹脂層
１２ 硬化樹脂層
２１ 第１配線
２２ 第２配線
２３ 導電性樹脂層
２４ 導電粒子
２５ 基板上配線
３０ 基板
３１ 接着材
３２ ＬＳＩチップ
３３ ＵＢＭ
３４ 回路保護層
３５ パッド
３６ はんだ
４０ 導電性領域
４１ 絶縁性領域
５０ 電子部品
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏両主面を電気的に接続する導電性領域と、前記表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域とを備え、
前記導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成され、
前記絶縁性領域は、前記絶縁性樹脂中に複数の空隙が形成されている、
導電性領域を有する絶縁層。
【請求項２】
前記空隙は、前記絶縁性樹脂中に含有する前記導電性粒子を実質的に除去することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の導電性領域を有する絶縁層。
【請求項３】
前記導電性粒子の径が、実質的に５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
絶縁性樹脂中に、表裏両主面間を電気的に接続する導電性領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記表裏両主面のうちの少なくとも一方に形成され、前記導電性領域と接続された導電層と
を備え、
前記絶縁層中の導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成された領域であり、
前記絶縁層中の導電性領域以外には、複数の空隙が形成されている電子部品。
【請求項５】
前記絶縁層と前記導電層が、膜厚方向に複数積層されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記絶縁層と前記導電層は、基板の少なくとも一主面上に配設されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記導電性粒子の径が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
導電性領域を有する絶縁層の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去する導電性領域を有する絶縁層の製造方法。
【請求項９】
前記導電性粒子を除去する工程は、前記導電性領域にエッチングレジストを形成し、その後、エッチング処理を実施することによって行うことを特徴とする請求項８に記載の導電性領域を有する絶縁層の製造方法。
【請求項１０】
導電性領域を有する絶縁層を備える電子部品の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
前記導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去することにより絶縁性領域を得、
前記絶縁層の少なくとも片側主面上に、前記導電性領域と電気的に接続する導電層を配設する電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層、及び前記導電層を複数積層することを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記導電層は、メッキ処理、若しくは、導電性樹脂の印刷にて形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
表裏両主面を電気的に接続する導電性領域と、前記表裏両主面を電気的に絶縁する絶縁性領域とを備え、
前記導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成され、
前記絶縁性領域は、前記絶縁性樹脂中に複数の空隙が形成されている、
導電性領域を有する絶縁層。
【請求項２】
前記空隙は、前記絶縁性樹脂中に含有する前記導電性粒子を実質的に除去することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の導電性領域を有する絶縁層。
【請求項３】
前記導電性粒子の径が、実質的に５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
絶縁性樹脂中に、表裏両主面間を電気的に接続する導電性領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記表裏両主面のうちの少なくとも一方に形成され、前記導電性領域と接続された導電層と
を備え、
前記絶縁層中の導電性領域は、絶縁性樹脂中に含有する導電性粒子を接触、若しくは融着させることによって形成された領域であり、
前記絶縁層中の導電性領域以外には、複数の空隙が形成されている電子部品。
【請求項５】
前記絶縁層と前記導電層が、膜厚方向に複数積層されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記絶縁層と前記導電層は、基板の少なくとも一主面上に配設されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記導電性粒子の径が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
導電性領域を有する絶縁層の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去する導電性領域を有する絶縁層の製造方法。
【請求項９】
前記導電性粒子を除去する工程は、前記導電性領域にエッチングレジストを形成し、その後、エッチング処理を実施することによって行うことを特徴とする請求項８に記載の導電性領域を有する絶縁層の製造方法。
【請求項１０】
導電性領域を有する絶縁層を備える電子部品の製造方法であって、
導電性粒子が分散された未硬化の絶縁性樹脂層を用意し、
前記絶縁性樹脂層を硬化することによって、前記導電性粒子を接触、若しくは融着させて当該絶縁性樹脂層に導電性を付与し、
前記導電性領域を形成したい領域以外について、実質的に前記導電性粒子を除去することにより絶縁性領域を得、
前記絶縁層の少なくとも片側主面上に、前記導電性領域と電気的に接続する導電層を配設する電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層、及び前記導電層を複数積層することを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記導電層は、メッキ処理、若しくは、導電性樹脂の印刷にて形成することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１２Ｅ】
【図１２Ｆ】
【図１２Ｇ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１３Ｅ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１２Ｃ】
【図１２Ｄ】
【図１２Ｅ】
【図１２Ｆ】
【図１２Ｇ】
【図１３Ａ】
【図１３Ｂ】
【図１３Ｃ】
【図１３Ｄ】
【図１３Ｅ】
【公開番号】特開２０１１−８２２０３（Ｐ２０１１−８２２０３Ａ）
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２３０６７９（Ｐ２００９−２３０６７９）
【出願日】平成２１年１０月２日（２００９．１０．２）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月２１日（２０１１．４．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１０月２日（２００９．１０．２）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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