帯電防止性絶縁材フィルム及びその製造方法
【課題】本発明の目的は、帯電防止性に優れた絶縁材フィルムを提供する。
【解決手段】支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムである。
【解決手段】支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電防止性絶縁材フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化を背景に、電子機器に組み込まれる半導体部品や装置も軽薄短小化が求められている。そのため、半導体部品や装置を構成する配線板等にも薄型化が要求されている。
【０００３】
例えば、多層配線板の層間を絶縁するためには、従来は熱硬化性樹脂をガラス布等に含浸させたプリプレグが使用されていたが、薄くするのにも限度があるため、ガラス布等を用いない絶縁材フィルムが研究されている。例えば、支持体上に、エポキシ樹脂等の絶縁材からなる絶縁材層を備えた絶縁材フィルムが知られており、内層回路基板に絶縁材フィルムを積層した後、支持体を剥離して使用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、絶縁材フィルムの支持体には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）材料が汎用されるが、それ自体帯電しやすく、使用の際のみならず、絶縁材フィルムの製造においても問題になる。
【０００５】
一般的なフィルムの帯電防止処理としては、帯電防止剤を配合した剥離剤を使用して剥離層を形成したり、帯電防止剤を塗布した支持体を使用したりすることが挙げられる（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
しかし、これらの処理を絶縁材フィルムに採用すると、帯電防止剤に由来する不純物、特にイオン性不純物が絶縁材層に移行し、例えば多層配線板等の製造に用いた場合、その性能に悪影響を及ぼし、最終の電子機器の性能を低下させることにもなりかねない。
【特許文献１】特開平１１−３２３２９８号公報
【特許文献２】特開２００３−２５１７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、帯電防止性に優れた絶縁材フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムに関する。
【０００９】
また、本発明は、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を準備し、次いで支持体の他方の面に絶縁材層を形成することを特徴とする、上記の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、帯電防止性に優れており、多層配線板の層間絶縁膜の製造等の用途に適している。
【００１１】
また、本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法は、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を用いて、その他方の面に絶縁材層を形成するため、絶縁材層の形成工程での帯電が抑制され、取り扱いしやすい。加えて、得られるフィルムは、帯電防止性に優れており、多層配線板の層間絶縁膜の製造等の用途に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムに関する。図１に、模式図を示す。本発明の帯電防止性絶縁材フィルム１においては、絶縁材層４と帯電防止層２とが、支持体３をはさんで反対側に配置されているため、帯電防止層２が絶縁材層４に直接、接触して影響を与えることをも抑制することができる。
【００１３】
〔支持体〕
本発明の絶縁材フィルムにおける支持体は、特に限定されず、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等が挙げられる。好ましくは、ポリエステルフィルム、特にＰＥＴフィルムである。支持体の厚みは、作業性の点から、好ましくは１０〜１００μｍであり、より好ましくは１０〜５０μｍであり、例えば２５μｍ及び３８μｍとすることができる。支持体は、適宜、シリコーン化合物等で離型処理されていることができる。
【００１４】
〔帯電防止層〕
本発明の絶縁材フィルムは、支持体の一方の面に帯電防止層を備える。帯電防止層としては、例えば、金属膜が挙げられ、具体的には、アルミニウム、スズ、チタン、及びそれらの２種以上を含む混合物又は合金が挙げられ、好ましくは、アルミニウムである。あるいは、帯電防止層は、無機酸化物膜であってもよく、具体的には、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等が挙げられる。さらには、帯電防止層は、グラファイトや導電性ポリマー等の導電性物質からなる膜であってもよい。本発明の絶縁材フィルムは、支持体の一方の面に、導電性の帯電防止層を設けて、絶縁材フィルムに帯電防止性を付与するものである。
【００１５】
帯電防止層の厚みは、層を形成する材料によって適宜、選択することができるが、絶縁材フィルムの柔軟性の点から０．５μｍ以下が好ましく、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。
【００１６】
帯電防止層が、金属膜又は無機酸化物膜である場合、例えば、真空蒸着法を用いて、これらの蒸着膜を支持体上に形成することができる。その他の薄膜形成方法である、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＰＣＶＤ）等によって形成することも可能である。また、支持体上に、グラファイトや導電性ポリマーをコーティングしてもよい。
【００１７】
〔絶縁材層〕
本発明の絶縁材フィルムは、支持体の他方の面に絶縁材層を備える。絶縁材層は、フィルム形成能があり、かつ硬化後に絶縁性を示す樹脂材料から形成される。
【００１８】
絶縁材層の厚みは、１００μｍ以下であることが好ましく、例えば２〜９０μｍとすることができる。昨今の電子部品の薄型化への対応の点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましく２０μｍ以下である。
【００１９】
絶縁材層は、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成することができる。一の態様においてワニスは、（I）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、及び重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂よりなる群から選択される１種以上のエポキシ樹脂と、（II）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラックと、場合により（III）イソシアナート化合物とを含む。このようなワニスを用いて、高周波領域での誘電特性に優れた硬化物を与えるフィルムを形成することができる。
【００２０】
成分（I）におけるフェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂としては、具体的には、式（Ａ）：
【００２１】
【化３】
【００２２】
で示され、式中、ｎは平均値を表し、１〜１０、好ましくは１〜５、特に好ましくは１である、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２３】
成分（I）における重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂としては、好ましくは重量平均分子量が１５，０００〜７０，０００のものが挙げられる。数平均分子量は、好ましくは、３，７００〜７４，０００、より好ましくは、５，５００〜２６，０００であり、エポキシ当量が、５０００ｇ／当量以上のものである。重量平均分子量、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。重量平均分子量／数平均分子量が２〜３の範囲のものが特に好ましい。
【００２４】
このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、式（Ｂ）：
【００２５】
【化４】
【００２６】
で示され、式中、Ｘは、同一であっても、異なっていてもよく、単結合、炭素数１〜７の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−又は基：
【００２７】
【化５】
【００２８】
であり、ここで、
Ｒ２は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり；
Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり、；
ｑは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜５の整数であり；
Ｒ１は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり；
ｐは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜４の整数であり；
ｎは、平均値を表し、２５〜５００である、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２９】
特に、式（Ｂ）において、ｐが０である、式（Ｂ’）：
【００３０】
【化６】
【００３１】
で示され、式中、Ｘ、ｎは式（Ｂ）と同義である、エポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
これらのエポキシ樹脂は、単独でも２種以上を併用してもよい。
【００３３】
成分（II）としては、例えば、式（Ｃ）：
【００３４】
【化７】
【００３５】
で示され、式中、Ｒ５は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基であり、好ましくはメチル基であり、
Ｒ６は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基、置換若しくは非置換のフェニル基、置換若しくは非置換のアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
Ｒ７は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基、置換若しくは非置換のフェニル基、置換若しくは非置換のアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
ｒは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜３の整数であり、
ｓは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜３の整数であり、
ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１であることができる、変性フェノールノボラックが挙げられる。
【００３６】
式（Ｃ）におけるｎ、ｍは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。また、式（Ｃ）において、ｎとｍの比は、約１：１であることがより好ましい。ｎとｍの合計としては、例えば２〜４とすることができる。
【００３７】
好ましくは、式（Ｃ）において、ｒ及びｓが０である式（Ｃ’）：
【００３８】
【化８】
【００３９】
で示され、式中、Ｒ５、ｎ及びｍは上記と同義である、変性フェノールノボラックが挙げられる。特に好ましくは、Ｒ５がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
【００４０】
これらの変性フェノールノボラックは、単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４１】
場合によりワニスに含まれる成分（III）としては、２個以上のイソシアナト基を有するイソシアナート化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、テトラメチルキシレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート、トリジンジイソシアナート、ｐ−フェニレンジイソシアナート、シクロへキシレンジイソシアナート、ダイマー酸ジイソシアナート、水素化キシリレンジイソシアナート、リシンジイソシアナート、トリフェニルメタントリイソシアナート、トリ（イソシアナトフェニル）トリホスファート等である。好ましくは、ＨＭＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアナート）、ＤＰＭＤＩ（ジフェニルメタンジイソシアナート）である。また、イソシアナート化合物には、イソシアナート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアナート化合物の３量体を含むプレポリマーが挙げられる。
【００４２】
ワニス中の成分（I）と（II）の重量比は、成分（I）１００重量部に対して、成分（II）が３０〜２００重量部であることが好ましく、より好ましくは５０〜１８０重量部である。なお、成分（I）が上記のフェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂の場合、成分（II）は３０〜７０重量部であることが好ましく、上記の二官能性直鎖状エポキシ樹脂の場合、成分（II）は１２０〜１８０重量部であることが好ましい。成分（III）は、成分１００重量部（I）に対して、１００〜４００重量部で使用することができ、好ましくは３００〜３５０重量部である。
【００４３】
他の態様において、ワニスは、(ｉ) 以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、
【化９】
【化１０】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ１６、Ｒ１７は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（ii）ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーとを含む。このようなワニスを用いて、高周波領域での誘電特性に優れた硬化物を与えるフィルムを形成することができる。
【００４４】
成分（ｉ）の一般式（１）で示されるビニル化合物の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−についての構造式（２）において、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（４）が挙げられる。
【００４５】
【化１１】
【００４６】
−（Ｙ−Ｏ）−についての構造式（３）において、Ｒ１６、Ｒ１７は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（５）又は（６）が挙げられる。
【００４７】
【化１２】
【００４８】
Ｚは、炭素数３以下のアルキレン基が挙げられ、具体的には、メチレン基である。
【００４９】
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、好ましくは０〜３０の整数を示す。
【００５０】
数平均分子量１０００〜３０００である一般式（１）のビニル化合物が好ましい。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。
【００５１】
上記の一般式（１）のビニル化合物は、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
成分（ii）のゴムとしては、スチレン−ブタジエンゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴム等が挙げられ、好ましくは、スチレン−ブタジエンゴムである。
【００５３】
熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系熱可塑性エラストマー、例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体等、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。弾性率の点から、好ましくは、熱可塑性エラストマーであり、さらに誘電特性も勘案して、中でもスチレン系熱可塑性エラストマーが好ましい。
【００５４】
ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーは、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５５】
ワニス中の成分（ｉ）と（ii）の重量比は、１０：９０〜９０：１０であることが好ましく、硬化物が低誘電率・低誘電正接と低弾性率をバランスよく備えるためには、より好ましくは４０：６０〜６０：４０であり、特に好ましくは、４５：５５〜５５：４５である。
【００５６】
ワニスには、必要に応じて、粘着付与剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を配合することができる。
【００５７】
ワニスには、上記の成分（I）、成分（II）及び場合により成分（III）並びに任意の添加剤、あるいは成分（ｉ）及び（ii）並びに任意の添加剤を、溶剤で希釈して得られる。溶剤は、適宜、選択することができ、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族類、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート等の高沸点溶媒等が挙げられる。溶剤の使用量は、固形分濃度が１〜９５重量％となる範囲で使用することができる。
【００５８】
ワニスは、１〜１０，０００ｍＰａ・ｓの粘度の範囲で使用することができ、良好な転写の点からは、好ましくは１０〜１，０００ｍＰａ・ｓである。厚みの均一性の点から、好ましくは、１００〜６００ｍＰａ・ｓである。粘度は、Ｅ型粘度 計を用いて、回転数６０ｒｐｍ、２５℃で測定した値とする。
【００５９】
ワニスを支持体に塗布する方法は、特に限定されないが、薄膜化・膜厚制御の点からはマイクログラビア法、スロットダイ法が好ましい。マイクログラビア法を採用した場合、固形分濃度が小さいワニスの使用、セル容積の小さいグラビアロールの選択等により、２０μｍ以下の厚みの絶縁材層を得ることができる。
【００６０】
乾燥条件は、ワニスに使用される有機溶剤の種類や量、塗布の厚み等に応じて、適宜、設定することができ、例えば、８０〜１２０℃で、１〜３０分程度とすることができる。
【００６１】
このようにして得られた絶縁材フィルムの絶縁層は未硬化の状態であり、さらに硬化させることができる。硬化条件は、適宜、設定することができ、例えば、１５０〜２５０℃で、１０〜１５０分程度とすることができる。
【００６２】
本発明の絶縁材フィルムを製造するに当たっては、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を用いて、その他方の面に絶縁材層を形成することが好ましい。これにより、絶縁材層の形成工程においても帯電が抑制されているため、取り扱いしやく、製造が容易である。
【００６３】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、絶縁材層上に保護フィルムを備えることができる。保護フィルムは、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリピロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等が挙げられる。
【００６４】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、配線板、モジュール基板の製造（例えば、配線板の層間絶縁膜の形成）や電子部品製造プロセスでの接着（例えば、異種材料の接着）に用いることができる。また、金属箔を支持体とした金属箔付きフィルム（例えば、銅箔付きフィルム）とすることもできる。
【００６５】
図２を用いて、本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの使用方法の一例として、第一の被着体と第二の被着体の接着方法を示す。図２（Ａ）は、絶縁材フィルムの一態様であり、保護フィルム１５が絶縁材層１４の上に設けられている。接着方法においては、まず、保護フィルム１５を除去し（図２（Ｂ））、第一の被着体１６上に配置し（図３（Ｃ））、仮熱圧着させる。この際の条件は、適宜、選択することができ、１５０〜１８０℃の温度でローラーを通過させることに行うことができる。次いで、帯電防止層１２を備えた支持体１３を除去する（図２（Ｄ））。その後、絶縁材層１４が対向するようにして、第二の被着体１７に真空プレスして、絶縁材層１４を硬化させ、第一の被着体１６と第二の被着体１７とを接着する。真空プレスの条件は、適宜、設定することができる、例えば温度１５０〜２１０℃、実圧力５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲で選択することができる。
【００６６】
上記の使用において、仮に帯電防止処理がなされていないとすると、図２（Ｂ）の保護フィルム１５を剥離する際に静電気が発生するため、絶縁材層１４が帯電し、埃等を吸い寄せる等の問題が生じる。さらに、図２（Ｃ）の仮熱圧着のローラーは、通常、金属製なので静電気が発生し、絶縁材層１４がこれによっても帯電し、第一の被着体１６にダメージを与えかない。また、その後の工程において、第二の被着体１７にもダメージを与えかねない。本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、帯電防止層が設けられているため、上記の帯電の問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの模式図である。
【図２】本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの使用方法の一例である。
【符号の説明】
【００６８】
１ 絶縁材フィルム
２ 帯電防止層
３ 支持体
４ 絶縁材層
１１ 絶縁材フィルム
１２ 帯電防止層
１３ 支持体
１４ 絶縁材層
１５ 保護フィルム
１６ 第一の被着体
１７ 第二の被着体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電防止性絶縁材フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化を背景に、電子機器に組み込まれる半導体部品や装置も軽薄短小化が求められている。そのため、半導体部品や装置を構成する配線板等にも薄型化が要求されている。
【０００３】
例えば、多層配線板の層間を絶縁するためには、従来は熱硬化性樹脂をガラス布等に含浸させたプリプレグが使用されていたが、薄くするのにも限度があるため、ガラス布等を用いない絶縁材フィルムが研究されている。例えば、支持体上に、エポキシ樹脂等の絶縁材からなる絶縁材層を備えた絶縁材フィルムが知られており、内層回路基板に絶縁材フィルムを積層した後、支持体を剥離して使用される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、絶縁材フィルムの支持体には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）材料が汎用されるが、それ自体帯電しやすく、使用の際のみならず、絶縁材フィルムの製造においても問題になる。
【０００５】
一般的なフィルムの帯電防止処理としては、帯電防止剤を配合した剥離剤を使用して剥離層を形成したり、帯電防止剤を塗布した支持体を使用したりすることが挙げられる（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
しかし、これらの処理を絶縁材フィルムに採用すると、帯電防止剤に由来する不純物、特にイオン性不純物が絶縁材層に移行し、例えば多層配線板等の製造に用いた場合、その性能に悪影響を及ぼし、最終の電子機器の性能を低下させることにもなりかねない。
【特許文献１】特開平１１−３２３２９８号公報
【特許文献２】特開２００３−２５１７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、帯電防止性に優れた絶縁材フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムに関する。
【０００９】
また、本発明は、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を準備し、次いで支持体の他方の面に絶縁材層を形成することを特徴とする、上記の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、帯電防止性に優れており、多層配線板の層間絶縁膜の製造等の用途に適している。
【００１１】
また、本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法は、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を用いて、その他方の面に絶縁材層を形成するため、絶縁材層の形成工程での帯電が抑制され、取り扱いしやすい。加えて、得られるフィルムは、帯電防止性に優れており、多層配線板の層間絶縁膜の製造等の用途に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明は、支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルムに関する。図１に、模式図を示す。本発明の帯電防止性絶縁材フィルム１においては、絶縁材層４と帯電防止層２とが、支持体３をはさんで反対側に配置されているため、帯電防止層２が絶縁材層４に直接、接触して影響を与えることをも抑制することができる。
【００１３】
〔支持体〕
本発明の絶縁材フィルムにおける支持体は、特に限定されず、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等が挙げられる。好ましくは、ポリエステルフィルム、特にＰＥＴフィルムである。支持体の厚みは、作業性の点から、好ましくは１０〜１００μｍであり、より好ましくは１０〜５０μｍであり、例えば２５μｍ及び３８μｍとすることができる。支持体は、適宜、シリコーン化合物等で離型処理されていることができる。
【００１４】
〔帯電防止層〕
本発明の絶縁材フィルムは、支持体の一方の面に帯電防止層を備える。帯電防止層としては、例えば、金属膜が挙げられ、具体的には、アルミニウム、スズ、チタン、及びそれらの２種以上を含む混合物又は合金が挙げられ、好ましくは、アルミニウムである。あるいは、帯電防止層は、無機酸化物膜であってもよく、具体的には、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等が挙げられる。さらには、帯電防止層は、グラファイトや導電性ポリマー等の導電性物質からなる膜であってもよい。本発明の絶縁材フィルムは、支持体の一方の面に、導電性の帯電防止層を設けて、絶縁材フィルムに帯電防止性を付与するものである。
【００１５】
帯電防止層の厚みは、層を形成する材料によって適宜、選択することができるが、絶縁材フィルムの柔軟性の点から０．５μｍ以下が好ましく、例えば０．１〜０．３μｍとすることができる。
【００１６】
帯電防止層が、金属膜又は無機酸化物膜である場合、例えば、真空蒸着法を用いて、これらの蒸着膜を支持体上に形成することができる。その他の薄膜形成方法である、スパッタリング法、イオンプレーティング法、プラズマ気相成長法（ＰＣＶＤ）等によって形成することも可能である。また、支持体上に、グラファイトや導電性ポリマーをコーティングしてもよい。
【００１７】
〔絶縁材層〕
本発明の絶縁材フィルムは、支持体の他方の面に絶縁材層を備える。絶縁材層は、フィルム形成能があり、かつ硬化後に絶縁性を示す樹脂材料から形成される。
【００１８】
絶縁材層の厚みは、１００μｍ以下であることが好ましく、例えば２〜９０μｍとすることができる。昨今の電子部品の薄型化への対応の点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましく２０μｍ以下である。
【００１９】
絶縁材層は、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成することができる。一の態様においてワニスは、（I）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、及び重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂よりなる群から選択される１種以上のエポキシ樹脂と、（II）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラックと、場合により（III）イソシアナート化合物とを含む。このようなワニスを用いて、高周波領域での誘電特性に優れた硬化物を与えるフィルムを形成することができる。
【００２０】
成分（I）におけるフェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂としては、具体的には、式（Ａ）：
【００２１】
【化３】
【００２２】
で示され、式中、ｎは平均値を表し、１〜１０、好ましくは１〜５、特に好ましくは１である、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２３】
成分（I）における重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂としては、好ましくは重量平均分子量が１５，０００〜７０，０００のものが挙げられる。数平均分子量は、好ましくは、３，７００〜７４，０００、より好ましくは、５，５００〜２６，０００であり、エポキシ当量が、５０００ｇ／当量以上のものである。重量平均分子量、数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。重量平均分子量／数平均分子量が２〜３の範囲のものが特に好ましい。
【００２４】
このようなエポキシ樹脂としては、具体的には、式（Ｂ）：
【００２５】
【化４】
【００２６】
で示され、式中、Ｘは、同一であっても、異なっていてもよく、単結合、炭素数１〜７の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−又は基：
【００２７】
【化５】
【００２８】
であり、ここで、
Ｒ２は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり；
Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり、；
ｑは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜５の整数であり；
Ｒ１は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜１０の炭化水素基又はハロゲン原子であり；
ｐは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜４の整数であり；
ｎは、平均値を表し、２５〜５００である、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２９】
特に、式（Ｂ）において、ｐが０である、式（Ｂ’）：
【００３０】
【化６】
【００３１】
で示され、式中、Ｘ、ｎは式（Ｂ）と同義である、エポキシ樹脂が好ましい。
【００３２】
これらのエポキシ樹脂は、単独でも２種以上を併用してもよい。
【００３３】
成分（II）としては、例えば、式（Ｃ）：
【００３４】
【化７】
【００３５】
で示され、式中、Ｒ５は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基であり、好ましくはメチル基であり、
Ｒ６は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基、置換若しくは非置換のフェニル基、置換若しくは非置換のアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
Ｒ７は、同一であっても、異なっていてもよく、炭素数１〜５のアルキル基、置換若しくは非置換のフェニル基、置換若しくは非置換のアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子であり、
ｒは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜３の整数であり、
ｓは、同一であっても、異なっていてもよく、０〜３の整数であり、
ｎ：ｍは、１：１〜１．２：１であることができる、変性フェノールノボラックが挙げられる。
【００３６】
式（Ｃ）におけるｎ、ｍは、繰り返し単位の平均値であり、繰り返し単位の順序は限定されず、ブロックでもランダムでもよい。また、式（Ｃ）において、ｎとｍの比は、約１：１であることがより好ましい。ｎとｍの合計としては、例えば２〜４とすることができる。
【００３７】
好ましくは、式（Ｃ）において、ｒ及びｓが０である式（Ｃ’）：
【００３８】
【化８】
【００３９】
で示され、式中、Ｒ５、ｎ及びｍは上記と同義である、変性フェノールノボラックが挙げられる。特に好ましくは、Ｒ５がメチル基のアセチル化フェノールノボラックである。
【００４０】
これらの変性フェノールノボラックは、単独でも２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４１】
場合によりワニスに含まれる成分（III）としては、２個以上のイソシアナト基を有するイソシアナート化合物が挙げられる。例えば、ヘキサメチレンジイソシアナート、ジフェニルメタンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアナート、テトラメチルキシレンジイソシアナート、キシリレンジイソシアナート、ナフタレンジイソシアナート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアナート、トリジンジイソシアナート、ｐ−フェニレンジイソシアナート、シクロへキシレンジイソシアナート、ダイマー酸ジイソシアナート、水素化キシリレンジイソシアナート、リシンジイソシアナート、トリフェニルメタントリイソシアナート、トリ（イソシアナトフェニル）トリホスファート等である。好ましくは、ＨＭＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアナート）、ＤＰＭＤＩ（ジフェニルメタンジイソシアナート）である。また、イソシアナート化合物には、イソシアナート化合物の一部が環化反応により、イソシアヌレート環を形成したプレポリマーを含むものとする。例えば、イソシアナート化合物の３量体を含むプレポリマーが挙げられる。
【００４２】
ワニス中の成分（I）と（II）の重量比は、成分（I）１００重量部に対して、成分（II）が３０〜２００重量部であることが好ましく、より好ましくは５０〜１８０重量部である。なお、成分（I）が上記のフェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂の場合、成分（II）は３０〜７０重量部であることが好ましく、上記の二官能性直鎖状エポキシ樹脂の場合、成分（II）は１２０〜１８０重量部であることが好ましい。成分（III）は、成分１００重量部（I）に対して、１００〜４００重量部で使用することができ、好ましくは３００〜３５０重量部である。
【００４３】
他の態様において、ワニスは、(ｉ) 以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、
【化９】
【化１０】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ１６、Ｒ１７は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（ii）ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーとを含む。このようなワニスを用いて、高周波領域での誘電特性に優れた硬化物を与えるフィルムを形成することができる。
【００４４】
成分（ｉ）の一般式（１）で示されるビニル化合物の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−についての構造式（２）において、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（４）が挙げられる。
【００４５】
【化１１】
【００４６】
−（Ｙ−Ｏ）−についての構造式（３）において、Ｒ１６、Ｒ１７は、好ましくは、炭素数３以下のアルキル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は、好ましくは、水素原子又は炭素数３以下のアルキル基である。具体的には、構造式（５）又は（６）が挙げられる。
【００４７】
【化１２】
【００４８】
Ｚは、炭素数３以下のアルキレン基が挙げられ、具体的には、メチレン基である。
【００４９】
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、好ましくは０〜３０の整数を示す。
【００５０】
数平均分子量１０００〜３０００である一般式（１）のビニル化合物が好ましい。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレンによる検量線を用いた値とする。
【００５１】
上記の一般式（１）のビニル化合物は、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
成分（ii）のゴムとしては、スチレン−ブタジエンゴム、ブチルゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴム等が挙げられ、好ましくは、スチレン−ブタジエンゴムである。
【００５３】
熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系熱可塑性エラストマー、例えばスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体等、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。弾性率の点から、好ましくは、熱可塑性エラストマーであり、さらに誘電特性も勘案して、中でもスチレン系熱可塑性エラストマーが好ましい。
【００５４】
ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーは、単独でも、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５５】
ワニス中の成分（ｉ）と（ii）の重量比は、１０：９０〜９０：１０であることが好ましく、硬化物が低誘電率・低誘電正接と低弾性率をバランスよく備えるためには、より好ましくは４０：６０〜６０：４０であり、特に好ましくは、４５：５５〜５５：４５である。
【００５６】
ワニスには、必要に応じて、粘着付与剤、消泡剤、流動調整剤、成膜補助剤、分散助剤等の添加剤を配合することができる。
【００５７】
ワニスには、上記の成分（I）、成分（II）及び場合により成分（III）並びに任意の添加剤、あるいは成分（ｉ）及び（ii）並びに任意の添加剤を、溶剤で希釈して得られる。溶剤は、適宜、選択することができ、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香族類、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート等の高沸点溶媒等が挙げられる。溶剤の使用量は、固形分濃度が１〜９５重量％となる範囲で使用することができる。
【００５８】
ワニスは、１〜１０，０００ｍＰａ・ｓの粘度の範囲で使用することができ、良好な転写の点からは、好ましくは１０〜１，０００ｍＰａ・ｓである。厚みの均一性の点から、好ましくは、１００〜６００ｍＰａ・ｓである。粘度は、Ｅ型粘度 計を用いて、回転数６０ｒｐｍ、２５℃で測定した値とする。
【００５９】
ワニスを支持体に塗布する方法は、特に限定されないが、薄膜化・膜厚制御の点からはマイクログラビア法、スロットダイ法が好ましい。マイクログラビア法を採用した場合、固形分濃度が小さいワニスの使用、セル容積の小さいグラビアロールの選択等により、２０μｍ以下の厚みの絶縁材層を得ることができる。
【００６０】
乾燥条件は、ワニスに使用される有機溶剤の種類や量、塗布の厚み等に応じて、適宜、設定することができ、例えば、８０〜１２０℃で、１〜３０分程度とすることができる。
【００６１】
このようにして得られた絶縁材フィルムの絶縁層は未硬化の状態であり、さらに硬化させることができる。硬化条件は、適宜、設定することができ、例えば、１５０〜２５０℃で、１０〜１５０分程度とすることができる。
【００６２】
本発明の絶縁材フィルムを製造するに当たっては、帯電防止層を一方の面に備えた支持体を用いて、その他方の面に絶縁材層を形成することが好ましい。これにより、絶縁材層の形成工程においても帯電が抑制されているため、取り扱いしやく、製造が容易である。
【００６３】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、絶縁材層上に保護フィルムを備えることができる。保護フィルムは、例えば、ポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリピロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ナイロンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム等が挙げられる。
【００６４】
本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、配線板、モジュール基板の製造（例えば、配線板の層間絶縁膜の形成）や電子部品製造プロセスでの接着（例えば、異種材料の接着）に用いることができる。また、金属箔を支持体とした金属箔付きフィルム（例えば、銅箔付きフィルム）とすることもできる。
【００６５】
図２を用いて、本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの使用方法の一例として、第一の被着体と第二の被着体の接着方法を示す。図２（Ａ）は、絶縁材フィルムの一態様であり、保護フィルム１５が絶縁材層１４の上に設けられている。接着方法においては、まず、保護フィルム１５を除去し（図２（Ｂ））、第一の被着体１６上に配置し（図３（Ｃ））、仮熱圧着させる。この際の条件は、適宜、選択することができ、１５０〜１８０℃の温度でローラーを通過させることに行うことができる。次いで、帯電防止層１２を備えた支持体１３を除去する（図２（Ｄ））。その後、絶縁材層１４が対向するようにして、第二の被着体１７に真空プレスして、絶縁材層１４を硬化させ、第一の被着体１６と第二の被着体１７とを接着する。真空プレスの条件は、適宜、設定することができる、例えば温度１５０〜２１０℃、実圧力５〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲で選択することができる。
【００６６】
上記の使用において、仮に帯電防止処理がなされていないとすると、図２（Ｂ）の保護フィルム１５を剥離する際に静電気が発生するため、絶縁材層１４が帯電し、埃等を吸い寄せる等の問題が生じる。さらに、図２（Ｃ）の仮熱圧着のローラーは、通常、金属製なので静電気が発生し、絶縁材層１４がこれによっても帯電し、第一の被着体１６にダメージを与えかない。また、その後の工程において、第二の被着体１７にもダメージを与えかねない。本発明の帯電防止性絶縁材フィルムは、帯電防止層が設けられているため、上記の帯電の問題を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの模式図である。
【図２】本発明の帯電防止性絶縁材フィルムの使用方法の一例である。
【符号の説明】
【００６８】
１ 絶縁材フィルム
２ 帯電防止層
３ 支持体
４ 絶縁材層
１１ 絶縁材フィルム
１２ 帯電防止層
１３ 支持体
１４ 絶縁材層
１５ 保護フィルム
１６ 第一の被着体
１７ 第二の被着体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項２】
帯電防止層が、アルミニウム又はインジウム・スズ酸化物からなる、請求項１記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項３】
絶縁材層が、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成したものであり、ワニスが、（I）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、及び重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂よりなる群から選択される１種以上のエポキシ樹脂と、（II）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラックと、場合により（III）イソシアナート化合物と、を含む、請求項１又は２記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項４】
絶縁材層が、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成したものであり、ワニスが、（ｉ）以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、
【化１】
【化２】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ１６、Ｒ１７は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（ii）ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーと、
を含む、請求項１又は２記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項５】
絶縁材層が、厚み２０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項６】
帯電防止層を一方の面に備えた支持体を準備し、次いで支持体の他方の面に絶縁材層を形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１記載のフィルムを用いて得られる配線板の層間絶縁膜。
【請求項１】
支持体の一方の面に帯電防止層を備え、他方の面に絶縁材層を備えたことを特徴とする、帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項２】
帯電防止層が、アルミニウム又はインジウム・スズ酸化物からなる、請求項１記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項３】
絶縁材層が、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成したものであり、ワニスが、（I）フェノール骨格とビフェニル骨格を有するノボラック型エポキシ樹脂、及び重量平均分子量が１０，０００〜２００，０００であり、かつ水酸基を有する二官能性直鎖状エポキシ樹脂よりなる群から選択される１種以上のエポキシ樹脂と、（II）フェノール性水酸基の少なくとも一部を脂肪酸でエステル化した変性フェノールノボラックと、場合により（III）イソシアナート化合物と、を含む、請求項１又は２記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項４】
絶縁材層が、支持体上にワニスを塗布し、次いで乾燥させて形成したものであり、ワニスが、（ｉ）以下の一般式（１）で示されるビニル化合物と、
【化１】
【化２】
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は構造式（２）で示され、ここで、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ１５は、同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
−（Ｙ−Ｏ）−は構造式（３）で示される１種類の構造、又は構造式（３）で示される２種類以上の構造がランダムに配列したものであり、ここで、Ｒ１６、Ｒ１７は同一又は異なってもよく、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、Ｒ１８、Ｒ１９は同一又は異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数６以下のアルキル基又はフェニル基であり、
Ｚは炭素数１以上の有機基であり、場合により酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子を含むこともあり、
ａ、ｂは少なくともいずれか一方が０でない、０〜３００の整数を示し、
ｃ、ｄは０又は１の整数を示す。）
（ii）ゴム及び／又は熱可塑性エラストマーと、
を含む、請求項１又は２記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項５】
絶縁材層が、厚み２０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項記載の帯電防止性絶縁材フィルム。
【請求項６】
帯電防止層を一方の面に備えた支持体を準備し、次いで支持体の他方の面に絶縁材層を形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の帯電防止性絶縁材フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１記載のフィルムを用いて得られる配線板の層間絶縁膜。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００８−３６９９４（Ｐ２００８−３６９９４Ａ）
【公開日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２１５４６６（Ｐ２００６−２１５４６６）
【出願日】平成１８年８月８日（２００６．８．８）
【出願人】（５９１２５２８６２）ナミックス株式会社 (133)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月２１日（２００８．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月８日（２００６．８．８）
【出願人】（５９１２５２８６２）ナミックス株式会社 (133)
【Ｆターム（参考）】
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