成膜装置、電気光学装置の製造方法
【課題】異物に起因するピンホールの発生を抑制し、欠陥のない膜を形成可能な成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓに膜材料を成膜する成膜部１０と、成膜部１０に接続され被処理面Ｘｓに付着する異物Ｆを除去する異物除去部２０と、を備え、異物除去部２０は、被処理基板Ｘを収納する処理室２１と、処理室２１内に設けられ、被処理面Ｘｓの異物Ｆを除去する噴出ノズル２２と、を有することを特徴とする。
【解決手段】被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓに膜材料を成膜する成膜部１０と、成膜部１０に接続され被処理面Ｘｓに付着する異物Ｆを除去する異物除去部２０と、を備え、異物除去部２０は、被処理基板Ｘを収納する処理室２１と、処理室２１内に設けられ、被処理面Ｘｓの異物Ｆを除去する噴出ノズル２２と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下「有機ＥＬ装置」という）が知られている。
【０００３】
有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に有機発光層（発光層）や、電子注入層などの機能層が挟持される構成の有機発光素子（有機ＥＬ素子）を複数備えている。これらのうち、陰極や電子注入層は、電子を放出しやすい特性を備える材料で形成することから、大気中に存在する水分と反応し劣化しやすい。これらが劣化すると、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を形成してしまう。そのため、有機ＥＬ装置では、有機発光素子から大気中の水分を遮断する封止構造が重要となる。
【０００４】
近年では、数μｍの厚みの薄い無機封止膜を用いて有機発光素子を外部雰囲気と遮断することが可能となっている。このような封止技術を用いると、内部に気体や液体を封入するための中空構造を備えず完全な固体構造が実現可能となる。固体構造を備える有機ＥＬ装置は、大幅な薄型化や軽量化が可能となり、更なる高機能・高品質な有機ＥＬ装置とすることが期待できる。
【０００５】
上述した薄膜の無機封止膜は、透光性が高く透湿性の低い無機化合物を積層して形成されている。このような無機封止膜は、通常、スパッタや蒸着などの気相反応を用いて成膜を行っている。このような気相反応を行う成膜装置では、チャンバー内に有機ＥＬ装置を戴置し、所定のプロセスガスを導入して反応を行うが、プロセスガス導入の際の気流でチャンバー内の異物が巻き上げられ、有機ＥＬ装置の表面に付着しやすい。
【０００６】
無機封止膜を形成する際に、例えば無機封止膜の成膜面に異物が存在すると、異物の陰となる部分で成膜不良となりピンホールを生じる。無機封止膜がピンホールを有していると、ピンホールから水分が浸入し、発光素子が劣化し続けることになる。すると、封止膜のピンホールにダークスポットが発生するのみならず、ピンホールを中心としてダークスポットが成長し、非発光部分を周囲に広げてしまうため、製品寿命が著しく短くなってしまう。
【０００７】
このような気相反応による成膜時のピンホール抑制技術として、膜表面の異物を溶剤で洗浄して除去する洗浄工程を挟みながら成膜を複数回繰り返す方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１１８４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記方法を有機ＥＬ装置の無機封止膜の形成に適用する場合、ピンホールが生じている状態で膜表面を溶剤で洗浄すると、ピンホールから溶剤が浸入し、かえって欠陥を成長させることになってしまう。
【００１０】
また、例えば半導体基板における層間絶縁膜のように、有機ＥＬ装置以外にも薄膜を有する機器は多数存在するが、このような薄膜の成膜においても溶剤洗浄により成膜を行う基板が劣化してしまう場合には上記特許文献の方法を用いることができない。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、異物に起因するピンホールの発生を抑制し、封止欠陥のない成膜が可能な成膜装置を提供することを目的とする。また、異物に起因するピンホールの発生を抑制した電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明の成膜装置は、被処理基板の被処理面に膜材料を成膜する成膜部と、前記成膜部に接続され前記被処理面に付着する異物を除去する異物除去部と、を備え、前記異物除去部は、前記被処理基板を収納する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記被処理面の異物を除去する異物除去手段と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、成膜部内で異物が付着するおそれがあるとしても、併設された異物除去部における異物の除去とその後の成膜とを、連続した１つの装置内で繰り返し行うことができる。したがって、例えば、異物が付着した状態で成膜すると異物に起因する成膜の欠陥（ピンホール）が生じるが、異物除去を行った後に再度成膜を行うことで、欠陥部分が修復された良好な成膜を実現することが可能な成膜装置とすることができる。
【００１３】
本発明においては、前記異物除去手段は、前記被処理面に不活性ガスを吹き付ける吹き付け手段を有し、前記異物除去部は、前記処理室内を脱気し、前記不活性ガスおよび吹き付けられる前記不活性ガスで飛散する前記異物を吸引する脱気手段を有することが望ましい。
この構成によれば、被処理面に付着する異物を吹き飛ばすことで良好な異物除去を実現することができる。
【００１４】
本発明においては、前記吹き付け手段は、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることが望ましい。
この構成によれば、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばし、より確実に異物を除去することができる。
【００１５】
本発明においては、前記異物除去手段は、前記被処理面の異物に当接し、前記異物を粘着させて除去する粘着部材を有するが望ましい。
この構成によれば、粘着部材が異物に直接作用することで確実に異物を取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【００１６】
本発明においては、前記処理室内に、前記被処理基板を戴置する戴置部と、前記戴置部に前記被処理基板を固定する保持部と、を有する基板保持手段が設けられていることが望ましい。
この構成によれば、保持部により被処理基板が固定されているために、異物除去手段が作用しても被処理基板がずれることなく、安定した異物除去が可能となる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、被処理基板における被処理面に膜材料の薄膜を成膜する薄膜形成工程と、前記被処理面に対して乾式の異物除去を行う異物除去工程と、を交互に繰り返す成膜工程を備えることを特徴とする。
この方法によれば、異物が付着した状態で成膜すると生じる成膜の欠陥（ピンホール）を修復しながら成膜を行うことができ、欠陥部分の無い良好な成膜を実現することができる。また、溶剤を用いない乾式の異物除去を行うため、被処理基板が溶剤に対して活性である場合であっても、被処理基板を劣化させることなく、良好に成膜を行うことができる。
【００１８】
本発明においては、前記異物除去工程では、前記被処理面に不活性ガスを吹き付けることが望ましい。
この方法によれば、被処理面に付着する異物を吹き飛ばすことで良好な異物除去を実現することができる。
【００１９】
本発明においては、前記異物除去工程では、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることが望ましい。
この方法によれば、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばし、より確実に異物を除去することができる。
【００２０】
本発明においては 前記異物除去工程では、前記被処理面の異物を粘着させる粘着部材を当接させて除去することが望ましい。
この方法によれば、粘着部材が異物に直接作用することで確実に異物を取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る成膜装置を示す概略図である。
【図３】本発明の成膜装置の動作を示す説明図である。
【図４】本発明の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る成膜装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［第１実施形態］
以下、図を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２３】
まず、図１を用いて、本発明が製造に適用される有機ＥＬ装置について説明した後に、図２，３を用いて成膜装置１を用いた成膜工程について説明を行う。
【００２４】
図１は、有機ＥＬ装置１００の構成を示す断面図である。有機ＥＬ装置１００は、基材１０１ａに素子層１０１ｂが設けられた素子基板１０１と、素子層１０１ｂ上に設けられた画素電極１０２と、画素電極１０２上に設けられた有機発光層１０３と、有機発光層１０３を覆って設けられた共通電極１０４と、を有している。
【００２５】
有機発光層１０３は、複数の隔壁１０５で分割されており、分割された有機発光層１０３は、これを挟持する画素電極１０２，共通電極１０４と複数の有機ＥＬ素子１１０を形成している。また、素子基板１０１に対向配置され有機ＥＬ素子１１０を保護する保護基板１２０を備えており、素子基板１０１と保護基板１２０とは、シール層１３０および接着層１３５を介して貼り合わされている。
【００２６】
また、複数の有機ＥＬ素子１１０は、順に積層して形成される電極保護層１０７と有機緩衝層１０８とガスバリア層１０９と、からなる保護層に覆われている。
【００２７】
これらの保護層のうち、有機緩衝層１０８は、隔壁１０５の形状を反映して凹凸状に形成された電極保護層１０７の凹凸部分を埋め平坦化するために設けられ、エポキシ樹脂などの樹脂材料を用いて形成される。また、電極保護層１０７およびガスバリア層１０９は、透明性や密着性、耐水性、絶縁性、更にはガスバリア性を考慮し、無機材料を形成材料として形成されており、有機ＥＬ素子１１０への水分浸入を防ぐ機能を有している。本実施形態では、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などのケイ素化合物を用いて形成される。
【００２８】
このような電極保護層１０７およびガスバリア層１０９は、蒸着やスパッタなどの気相反応を用いて形成されるが、上述のように形成面に異物が付着した状態で成膜を行うと、ピンホールを生じやすく、信頼性が低下する。本発明の成膜装置は、隔壁１０５、有機ＥＬ素子１１０が形成された素子基板１０１（被処理基板Ｘ）に対し、このような電極保護層１０７およびガスバリア層１０９を形成する際に好適に用いられる。
【００２９】
図２は、本実施形態の成膜装置１を示す概略図である。図に示すように、本実施形態の成膜装置１は、被処理基板Ｘの被処理面に所望の成膜を行う成膜部１０と、成膜部１０の壁面に接続され、被処理基板Ｘ表面に付着した異物を除去する異物除去部２０と、異物除去部２０内の真空度を制御する排気装置３０とを有している。
【００３０】
成膜部１０は、密閉可能なチャンバー１１と、加熱されることで膜材料を放出する材料源１２と、チャンバー１１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入ライン１３と、被処理基板Ｘを戴置して保持するホルダー１４と、チャンバー１１内の圧力を測定する圧力計１５と、を有している。成膜部１０では、不図示の真空装置を用いてチャンバー１１内を減圧し、材料源１２を加熱することで、材料源１２から放出される各種の膜材料を用いて被処理基板Ｘ上に成膜を行う。成膜部１０には、スパッタ、蒸着など、通常知られた真空成膜法を実施可能な装置構成を用いることができる。
【００３１】
ホルダー１４は、被処理基板Ｘを戴置する戴置部１４ａと、被処理基板Ｘを背面から支持する保持部１４ｂと、を有し、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓを材料源１２に対向させて保持する。図では、鈎状の保持部１４ｂを用いて被処理基板Ｘを押さえることとしているが、被処理基板Ｘの固定が可能であれば、保持部１４ｂの構成はこれに限らない。被処理面Ｘｓには、材料源１２から放出される膜材料が積層され、成膜が行われる。
【００３２】
異物除去部２０は、密閉可能なチャンバー２１と、異物除去に用いるガスｇを噴出する噴出ノズル２２と、チャンバー２１内の圧力を測定する圧力計２５と、を有している。ガスｇとしては、窒素や二酸化炭素、ヘリウム、アルゴンといった希ガスなどの不活性ガスを用いることができる。本実施形態の成膜装置１では、ガスｇに窒素を用いる。
【００３３】
成膜部１０と異物除去部２０との接続部は、ゲートバルブ２４で密閉可能となっており、当該接続部を介して、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４が、成膜部１０と異物除去部２０との間を移動可能に設けられている。
【００３４】
排気装置３０は、第１排気ライン３３を介してチャンバー２１に接続された第１ポンプ３１と、第２排気ライン３４を介して接続された第２ポンプ３２と、第１ポンプ３１と第２ポンプ３２とを接続する第３排気ライン３５と、を有している。また、第１排気ライン３３に設けられたメインバルブ３６と、第２排気ライン３４に設けられたラフバルブ３７と、第３排気ライン３５に設けられたフォアバルブ３８と、によりライン開度が調整されている。
【００３５】
第１ポンプ３１は、主にチャンバー２１内を低い真空度で減圧する際の粗引きポンプとして用い、第２ポンプ３２は、チャンバー２１内を高い真空度で減圧する際に用いる。第１ポンプ３１には、ドライポンプを好適に用いることができ、第２ポンプ３２には、ドライポンプの中でもターボ分子ポンプを好適に用いることができる。
本実施形態の成膜装置１は、以上のような構成となっている。
【００３６】
本実施形態の成膜装置１は、被処理基板Ｘに付着する異物の除去と、被処理基板Ｘに対する成膜と、を繰り返し行うことで、ピンホールのない成膜を可能とする構成となっている。
【００３７】
被処理基板Ｘに付着する異物としては、次のようなものが挙げられる。通常、成膜部１０のチャンバー１１の内壁には、成膜処理時に膜材料が付着して堆積しており、この内壁に堆積した膜材料が剥がれ落ちることで細かな異物となる。このようにして生じる異物が、成膜時に成膜部１０内へ導入されるプロセスガスの気流により巻きあげられ、被処理基板Ｘの表面に付着することで、被処理基板Ｘへの成膜時にピンホールの原因となる。
【００３８】
また、スプラッシュと呼ばれる現象に由来して成膜時に材料源１２から飛来し付着する粒子もピンホールの原因となる。スプラッシュとは、例えば、膜材料として酸化シリコンを用いスパッタ法にて成膜を行う場合に、膜材料の過熱部分においてケイ素が析出し、水しぶきのように弾けたＳｉ粒子が基板の表面に付着する現象である。
【００３９】
本実施形態の成膜装置１は、被処理面Ｘｓに付着するこれらの異物の除去と、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓへの膜材料の成膜と、を交互に行うことで、異物を除去しながら複数回に分けて成膜を行う。以下、図３、４を用いて成膜装置１の動作および、成膜工程について説明する。
【００４０】
図３は、成膜装置１の動作を示す説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、成膜部１０において、所定の膜材料を用いて被処理基板Ｘに成膜を行う。被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓには、成膜時に付着した異物Ｆが存在している。成膜後、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、ゲートバルブ２４を介して異物除去部２０へ移動し、移動後にはゲートバルブ２４を閉じて、異物除去部２０を密閉状態とする。
【００４１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ラフバルブ３７を開き、第１ポンプ３１を用いてチャンバー２１内から排気する。排気しながら噴出ノズル２２からガスｇを噴出させると共に、噴出ノズル２２に被処理面Ｘｓを対向させて被処理基板Ｘを移動させると、ガスｇにて被処理面Ｘｓに付着する異物Ｆを吹き飛ばすことができる。吹き飛ばされた異物Ｆは、ガスｇと共に、第２排気ライン３４を介して排気される。
【００４２】
この際、被処理基板Ｘは、ホルダー１４の保持部１４ｂにて裏面から押さえられる構成となっているため、ガスｇの吹きつけによって被処理基板Ｘがずれることなく、異物除去が可能である。
【００４３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、一定時間の異物除去作業後に、噴出ノズル２２からのガスｇ噴出を終了する。その後、第１ポンプ３１を用いてチャンバー２１内を減圧にした後に、ラフバルブ３７を閉じ、メインバルブ３６およびフォアバルブ３８を開いて、第２ポンプ３２を用いてチャンバー２１内を更に減圧にする。成膜部１０のチャンバー１１内は、０．２〜０．３Ｐａ程度の圧力となっており、チャンバー２１内の圧力が同等の圧力となるまで減圧する。
【００４４】
その後、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、ゲートバルブ２４を介して成膜部１０へ移動し、再び成膜を行う。後は、図３（ａ）から図３（ｃ）の操作を繰り返し、必要とする膜厚となるまで成膜を行う。
【００４５】
図４は、本実施形態の成膜装置１を用いた有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。ここでは、図１に示した有機ＥＬ装置１００において、被処理基板Ｘ上に電極保護層１０７を形成する成膜工程について説明する。被処理基板Ｘは、従来公知の方法を用いて製造することができる。
【００４６】
まず、図４（ａ）に示すように、成膜部１０において異物Ｆが付着した被処理基板Ｘに対してＳｉＯＮを成膜すると、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓおよび異物Ｆの表面に無機膜１０７ａが成膜される。この際、図において符号Ａで示す異物Ｆの陰となる部分では、無機膜１０７ａが形成されず残される。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、異物除去部２０において窒素を吹き付け、異物Ｆを吹き飛ばして除去する。異物が除去された後には、無機膜１０７ａに異物に起因するピンホールＨ１が形成される。
【００４８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、異物を除去した被処理基板Ｘは、成膜部１０へ再度移動し成膜処理が行われる。成膜部１０の内部には、異物Ｆと成り得る膜材料の堆積物が浮遊しているため、成膜部１０内に導入する被処理基板Ｘの表面には、再度異物Ｆが付着する。しかしこの時、微小なピンホールＨ１を埋没するように異物Ｆが付着することは略有り得ないため、異物ＦはピンホールＨ１と異なる位置である無機膜１０７ａの表面に付着する。
【００４９】
このような状態でＳｉＯＮを成膜すると、無機膜１０７ａの表面および異物Ｆの表面に無機膜１０７ｂが成膜される。この際、ピンホールＨ１は、形成される無機膜１０７ｂにより埋没し、同時に、異物Ｆの陰となる部分では、ピンホールＨ２が生じる。
【００５０】
その後、異物除去と成膜とを繰り返すことで、図４（ｄ）に示すように、複数（図では４層）の無機膜が積層してなる電極保護層１０７が形成される。各無機膜を成膜する毎に形成されるピンホールは、上層に形成される無機膜により埋没するため、電極保護層１０７の表面から被処理基板Ｘの表面に達する貫通孔は形成されず、封止性能が高い電極保護層１０７とすることができる。
以上のようにして、電極保護層１０７を形成する。
【００５１】
以上のような構成の成膜装置１によれば、異物Ｆの除去を行った後に再度成膜を行うことで、ピンホールが修復された良好な成膜を実現することが可能な成膜装置１とすることができる。
【００５２】
また、以上のような製造方法によれば、異物Ｆが付着した状態で成膜すると生じる成膜のピンホールＨ１，Ｈ２を修復しながら成膜を行うことができ、欠陥部分の無い良好な電極保護層１０７を成膜することができる。また、溶剤を用いない乾式の異物除去を行うため、溶剤に対して活性な有機発光層を劣化させることなく、良好に成膜を行うことができる。
【００５３】
なお、本実施形態においては、電極保護層１０７の形成工程を示したが、同様にしてガスバリア層１０９を形成することができる。
【００５４】
また、本実施形態においては、噴出ノズル２２に被処理面Ｘｓを対向させて被処理基板Ｘを移動させることとしたが、噴出ノズル２２が移動して被処理基板Ｘ表面にガスｇを吹き付ける構成としても構わない。
【００５５】
また、本実施形態においては、噴出ノズル２２からはガスｇを噴出することとしたが、高圧のガスｇを用いてドライアイス粉末を吹きつけ、ドライアイス洗浄を行うこととしても構わない。ドライアイス洗浄を行うと、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばすことができ、より確実に異物を除去することができる。
【００５６】
［第２実施形態］
図４は、本発明の第２実施形態に係る成膜装置２の説明図である。本実施形態の成膜装置２は、第１実施形態の成膜装置１と一部共通している。異なるのは、粘着フィルムを基板表面に接触させて異物を吸着除去することである。したがって、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５７】
異物除去部２０内には、粘着除去手段２６が設けられている。粘着除去手段２６は、被処理基板Ｘ上の異物を粘着除去する粘着フィルム（粘着部材）ＦＬ、使用前の粘着フィルムＦＬが巻かれている第１ローラー２７、粘着フィルムＦＬを被処理基板Ｘに押しつけ、異物を除去する第２ローラー２８、異物が付着した粘着フィルムＦＬを巻き取る第３ローラー２９、を有している。
【００５８】
粘着フィルムＦＬとしては、微小な異物を除去するためには十分な接着力を有し、被処理基板Ｘに無用な粘着成分を残存させない、微粘着性の粘着フィルムを用いることができる。このような粘着フィルムとしては、例えば、パナプロテクトＥＴ（パナック株式会社製）やパナプロテクトＭＫ３８（同社製）を例示することができる。
【００５９】
被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、第２ローラー２８において粘着フィルムＦＬと被処理基板Ｘとが接した状態で移動することで、被処理面Ｘｓ上に粘着フィルムＦＬを走査させ、異物を除去する。
本実施形態の成膜装置２は、以上のような構成となっている。
【００６０】
この構成によれば、粘着フィルムＦＬが異物Ｆに直接作用することで確実に異物Ｆを取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６２】
例えば、上述の実施形態においては、本発明の成膜装置を有機エレクトロルミネッセンス装置の製造に用いることとしたが、これに限るものではなく、他の装置の製造においても好適に用いることが出来る。
【符号の説明】
【００６３】
１，２…成膜装置、１０…成膜部、１４…ホルダー（基板保持手段）、１４ａ…戴置部、１４ｂ…保持部、２０…異物除去部、２１…チャンバー（処理室）、２２…噴出ノズル（吹き付け手段、異物除去手段）、３０…脱気手段（排気装置）、Ｆ…異物、ＦＬ…粘着フィルム（粘着部材、異物除去手段）、ｇ…ガス（不活性ガス）、Ｘ…被処理基板、Ｘｓ…被処理面、
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置、電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。この様な平面表示装置の一つとして、有機発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下「有機ＥＬ装置」という）が知られている。
【０００３】
有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に有機発光層（発光層）や、電子注入層などの機能層が挟持される構成の有機発光素子（有機ＥＬ素子）を複数備えている。これらのうち、陰極や電子注入層は、電子を放出しやすい特性を備える材料で形成することから、大気中に存在する水分と反応し劣化しやすい。これらが劣化すると、ダークスポットと呼ばれる非発光領域を形成してしまう。そのため、有機ＥＬ装置では、有機発光素子から大気中の水分を遮断する封止構造が重要となる。
【０００４】
近年では、数μｍの厚みの薄い無機封止膜を用いて有機発光素子を外部雰囲気と遮断することが可能となっている。このような封止技術を用いると、内部に気体や液体を封入するための中空構造を備えず完全な固体構造が実現可能となる。固体構造を備える有機ＥＬ装置は、大幅な薄型化や軽量化が可能となり、更なる高機能・高品質な有機ＥＬ装置とすることが期待できる。
【０００５】
上述した薄膜の無機封止膜は、透光性が高く透湿性の低い無機化合物を積層して形成されている。このような無機封止膜は、通常、スパッタや蒸着などの気相反応を用いて成膜を行っている。このような気相反応を行う成膜装置では、チャンバー内に有機ＥＬ装置を戴置し、所定のプロセスガスを導入して反応を行うが、プロセスガス導入の際の気流でチャンバー内の異物が巻き上げられ、有機ＥＬ装置の表面に付着しやすい。
【０００６】
無機封止膜を形成する際に、例えば無機封止膜の成膜面に異物が存在すると、異物の陰となる部分で成膜不良となりピンホールを生じる。無機封止膜がピンホールを有していると、ピンホールから水分が浸入し、発光素子が劣化し続けることになる。すると、封止膜のピンホールにダークスポットが発生するのみならず、ピンホールを中心としてダークスポットが成長し、非発光部分を周囲に広げてしまうため、製品寿命が著しく短くなってしまう。
【０００７】
このような気相反応による成膜時のピンホール抑制技術として、膜表面の異物を溶剤で洗浄して除去する洗浄工程を挟みながら成膜を複数回繰り返す方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１１８４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記方法を有機ＥＬ装置の無機封止膜の形成に適用する場合、ピンホールが生じている状態で膜表面を溶剤で洗浄すると、ピンホールから溶剤が浸入し、かえって欠陥を成長させることになってしまう。
【００１０】
また、例えば半導体基板における層間絶縁膜のように、有機ＥＬ装置以外にも薄膜を有する機器は多数存在するが、このような薄膜の成膜においても溶剤洗浄により成膜を行う基板が劣化してしまう場合には上記特許文献の方法を用いることができない。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、異物に起因するピンホールの発生を抑制し、封止欠陥のない成膜が可能な成膜装置を提供することを目的とする。また、異物に起因するピンホールの発生を抑制した電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明の成膜装置は、被処理基板の被処理面に膜材料を成膜する成膜部と、前記成膜部に接続され前記被処理面に付着する異物を除去する異物除去部と、を備え、前記異物除去部は、前記被処理基板を収納する処理室と、前記処理室内に設けられ、前記被処理面の異物を除去する異物除去手段と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、成膜部内で異物が付着するおそれがあるとしても、併設された異物除去部における異物の除去とその後の成膜とを、連続した１つの装置内で繰り返し行うことができる。したがって、例えば、異物が付着した状態で成膜すると異物に起因する成膜の欠陥（ピンホール）が生じるが、異物除去を行った後に再度成膜を行うことで、欠陥部分が修復された良好な成膜を実現することが可能な成膜装置とすることができる。
【００１３】
本発明においては、前記異物除去手段は、前記被処理面に不活性ガスを吹き付ける吹き付け手段を有し、前記異物除去部は、前記処理室内を脱気し、前記不活性ガスおよび吹き付けられる前記不活性ガスで飛散する前記異物を吸引する脱気手段を有することが望ましい。
この構成によれば、被処理面に付着する異物を吹き飛ばすことで良好な異物除去を実現することができる。
【００１４】
本発明においては、前記吹き付け手段は、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることが望ましい。
この構成によれば、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばし、より確実に異物を除去することができる。
【００１５】
本発明においては、前記異物除去手段は、前記被処理面の異物に当接し、前記異物を粘着させて除去する粘着部材を有するが望ましい。
この構成によれば、粘着部材が異物に直接作用することで確実に異物を取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【００１６】
本発明においては、前記処理室内に、前記被処理基板を戴置する戴置部と、前記戴置部に前記被処理基板を固定する保持部と、を有する基板保持手段が設けられていることが望ましい。
この構成によれば、保持部により被処理基板が固定されているために、異物除去手段が作用しても被処理基板がずれることなく、安定した異物除去が可能となる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、被処理基板における被処理面に膜材料の薄膜を成膜する薄膜形成工程と、前記被処理面に対して乾式の異物除去を行う異物除去工程と、を交互に繰り返す成膜工程を備えることを特徴とする。
この方法によれば、異物が付着した状態で成膜すると生じる成膜の欠陥（ピンホール）を修復しながら成膜を行うことができ、欠陥部分の無い良好な成膜を実現することができる。また、溶剤を用いない乾式の異物除去を行うため、被処理基板が溶剤に対して活性である場合であっても、被処理基板を劣化させることなく、良好に成膜を行うことができる。
【００１８】
本発明においては、前記異物除去工程では、前記被処理面に不活性ガスを吹き付けることが望ましい。
この方法によれば、被処理面に付着する異物を吹き飛ばすことで良好な異物除去を実現することができる。
【００１９】
本発明においては、前記異物除去工程では、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることが望ましい。
この方法によれば、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばし、より確実に異物を除去することができる。
【００２０】
本発明においては 前記異物除去工程では、前記被処理面の異物を粘着させる粘着部材を当接させて除去することが望ましい。
この方法によれば、粘着部材が異物に直接作用することで確実に異物を取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明が適用される有機ＥＬ装置の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る成膜装置を示す概略図である。
【図３】本発明の成膜装置の動作を示す説明図である。
【図４】本発明の製造方法を示す工程図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る成膜装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［第１実施形態］
以下、図を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００２３】
まず、図１を用いて、本発明が製造に適用される有機ＥＬ装置について説明した後に、図２，３を用いて成膜装置１を用いた成膜工程について説明を行う。
【００２４】
図１は、有機ＥＬ装置１００の構成を示す断面図である。有機ＥＬ装置１００は、基材１０１ａに素子層１０１ｂが設けられた素子基板１０１と、素子層１０１ｂ上に設けられた画素電極１０２と、画素電極１０２上に設けられた有機発光層１０３と、有機発光層１０３を覆って設けられた共通電極１０４と、を有している。
【００２５】
有機発光層１０３は、複数の隔壁１０５で分割されており、分割された有機発光層１０３は、これを挟持する画素電極１０２，共通電極１０４と複数の有機ＥＬ素子１１０を形成している。また、素子基板１０１に対向配置され有機ＥＬ素子１１０を保護する保護基板１２０を備えており、素子基板１０１と保護基板１２０とは、シール層１３０および接着層１３５を介して貼り合わされている。
【００２６】
また、複数の有機ＥＬ素子１１０は、順に積層して形成される電極保護層１０７と有機緩衝層１０８とガスバリア層１０９と、からなる保護層に覆われている。
【００２７】
これらの保護層のうち、有機緩衝層１０８は、隔壁１０５の形状を反映して凹凸状に形成された電極保護層１０７の凹凸部分を埋め平坦化するために設けられ、エポキシ樹脂などの樹脂材料を用いて形成される。また、電極保護層１０７およびガスバリア層１０９は、透明性や密着性、耐水性、絶縁性、更にはガスバリア性を考慮し、無機材料を形成材料として形成されており、有機ＥＬ素子１１０への水分浸入を防ぐ機能を有している。本実施形態では、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などのケイ素化合物を用いて形成される。
【００２８】
このような電極保護層１０７およびガスバリア層１０９は、蒸着やスパッタなどの気相反応を用いて形成されるが、上述のように形成面に異物が付着した状態で成膜を行うと、ピンホールを生じやすく、信頼性が低下する。本発明の成膜装置は、隔壁１０５、有機ＥＬ素子１１０が形成された素子基板１０１（被処理基板Ｘ）に対し、このような電極保護層１０７およびガスバリア層１０９を形成する際に好適に用いられる。
【００２９】
図２は、本実施形態の成膜装置１を示す概略図である。図に示すように、本実施形態の成膜装置１は、被処理基板Ｘの被処理面に所望の成膜を行う成膜部１０と、成膜部１０の壁面に接続され、被処理基板Ｘ表面に付着した異物を除去する異物除去部２０と、異物除去部２０内の真空度を制御する排気装置３０とを有している。
【００３０】
成膜部１０は、密閉可能なチャンバー１１と、加熱されることで膜材料を放出する材料源１２と、チャンバー１１内にプロセスガスを導入するプロセスガス導入ライン１３と、被処理基板Ｘを戴置して保持するホルダー１４と、チャンバー１１内の圧力を測定する圧力計１５と、を有している。成膜部１０では、不図示の真空装置を用いてチャンバー１１内を減圧し、材料源１２を加熱することで、材料源１２から放出される各種の膜材料を用いて被処理基板Ｘ上に成膜を行う。成膜部１０には、スパッタ、蒸着など、通常知られた真空成膜法を実施可能な装置構成を用いることができる。
【００３１】
ホルダー１４は、被処理基板Ｘを戴置する戴置部１４ａと、被処理基板Ｘを背面から支持する保持部１４ｂと、を有し、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓを材料源１２に対向させて保持する。図では、鈎状の保持部１４ｂを用いて被処理基板Ｘを押さえることとしているが、被処理基板Ｘの固定が可能であれば、保持部１４ｂの構成はこれに限らない。被処理面Ｘｓには、材料源１２から放出される膜材料が積層され、成膜が行われる。
【００３２】
異物除去部２０は、密閉可能なチャンバー２１と、異物除去に用いるガスｇを噴出する噴出ノズル２２と、チャンバー２１内の圧力を測定する圧力計２５と、を有している。ガスｇとしては、窒素や二酸化炭素、ヘリウム、アルゴンといった希ガスなどの不活性ガスを用いることができる。本実施形態の成膜装置１では、ガスｇに窒素を用いる。
【００３３】
成膜部１０と異物除去部２０との接続部は、ゲートバルブ２４で密閉可能となっており、当該接続部を介して、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４が、成膜部１０と異物除去部２０との間を移動可能に設けられている。
【００３４】
排気装置３０は、第１排気ライン３３を介してチャンバー２１に接続された第１ポンプ３１と、第２排気ライン３４を介して接続された第２ポンプ３２と、第１ポンプ３１と第２ポンプ３２とを接続する第３排気ライン３５と、を有している。また、第１排気ライン３３に設けられたメインバルブ３６と、第２排気ライン３４に設けられたラフバルブ３７と、第３排気ライン３５に設けられたフォアバルブ３８と、によりライン開度が調整されている。
【００３５】
第１ポンプ３１は、主にチャンバー２１内を低い真空度で減圧する際の粗引きポンプとして用い、第２ポンプ３２は、チャンバー２１内を高い真空度で減圧する際に用いる。第１ポンプ３１には、ドライポンプを好適に用いることができ、第２ポンプ３２には、ドライポンプの中でもターボ分子ポンプを好適に用いることができる。
本実施形態の成膜装置１は、以上のような構成となっている。
【００３６】
本実施形態の成膜装置１は、被処理基板Ｘに付着する異物の除去と、被処理基板Ｘに対する成膜と、を繰り返し行うことで、ピンホールのない成膜を可能とする構成となっている。
【００３７】
被処理基板Ｘに付着する異物としては、次のようなものが挙げられる。通常、成膜部１０のチャンバー１１の内壁には、成膜処理時に膜材料が付着して堆積しており、この内壁に堆積した膜材料が剥がれ落ちることで細かな異物となる。このようにして生じる異物が、成膜時に成膜部１０内へ導入されるプロセスガスの気流により巻きあげられ、被処理基板Ｘの表面に付着することで、被処理基板Ｘへの成膜時にピンホールの原因となる。
【００３８】
また、スプラッシュと呼ばれる現象に由来して成膜時に材料源１２から飛来し付着する粒子もピンホールの原因となる。スプラッシュとは、例えば、膜材料として酸化シリコンを用いスパッタ法にて成膜を行う場合に、膜材料の過熱部分においてケイ素が析出し、水しぶきのように弾けたＳｉ粒子が基板の表面に付着する現象である。
【００３９】
本実施形態の成膜装置１は、被処理面Ｘｓに付着するこれらの異物の除去と、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓへの膜材料の成膜と、を交互に行うことで、異物を除去しながら複数回に分けて成膜を行う。以下、図３、４を用いて成膜装置１の動作および、成膜工程について説明する。
【００４０】
図３は、成膜装置１の動作を示す説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、成膜部１０において、所定の膜材料を用いて被処理基板Ｘに成膜を行う。被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓには、成膜時に付着した異物Ｆが存在している。成膜後、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、ゲートバルブ２４を介して異物除去部２０へ移動し、移動後にはゲートバルブ２４を閉じて、異物除去部２０を密閉状態とする。
【００４１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ラフバルブ３７を開き、第１ポンプ３１を用いてチャンバー２１内から排気する。排気しながら噴出ノズル２２からガスｇを噴出させると共に、噴出ノズル２２に被処理面Ｘｓを対向させて被処理基板Ｘを移動させると、ガスｇにて被処理面Ｘｓに付着する異物Ｆを吹き飛ばすことができる。吹き飛ばされた異物Ｆは、ガスｇと共に、第２排気ライン３４を介して排気される。
【００４２】
この際、被処理基板Ｘは、ホルダー１４の保持部１４ｂにて裏面から押さえられる構成となっているため、ガスｇの吹きつけによって被処理基板Ｘがずれることなく、異物除去が可能である。
【００４３】
次いで、図３（ｃ）に示すように、一定時間の異物除去作業後に、噴出ノズル２２からのガスｇ噴出を終了する。その後、第１ポンプ３１を用いてチャンバー２１内を減圧にした後に、ラフバルブ３７を閉じ、メインバルブ３６およびフォアバルブ３８を開いて、第２ポンプ３２を用いてチャンバー２１内を更に減圧にする。成膜部１０のチャンバー１１内は、０．２〜０．３Ｐａ程度の圧力となっており、チャンバー２１内の圧力が同等の圧力となるまで減圧する。
【００４４】
その後、被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、ゲートバルブ２４を介して成膜部１０へ移動し、再び成膜を行う。後は、図３（ａ）から図３（ｃ）の操作を繰り返し、必要とする膜厚となるまで成膜を行う。
【００４５】
図４は、本実施形態の成膜装置１を用いた有機ＥＬ装置の製造工程を示す工程図である。ここでは、図１に示した有機ＥＬ装置１００において、被処理基板Ｘ上に電極保護層１０７を形成する成膜工程について説明する。被処理基板Ｘは、従来公知の方法を用いて製造することができる。
【００４６】
まず、図４（ａ）に示すように、成膜部１０において異物Ｆが付着した被処理基板Ｘに対してＳｉＯＮを成膜すると、被処理基板Ｘの被処理面Ｘｓおよび異物Ｆの表面に無機膜１０７ａが成膜される。この際、図において符号Ａで示す異物Ｆの陰となる部分では、無機膜１０７ａが形成されず残される。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、異物除去部２０において窒素を吹き付け、異物Ｆを吹き飛ばして除去する。異物が除去された後には、無機膜１０７ａに異物に起因するピンホールＨ１が形成される。
【００４８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、異物を除去した被処理基板Ｘは、成膜部１０へ再度移動し成膜処理が行われる。成膜部１０の内部には、異物Ｆと成り得る膜材料の堆積物が浮遊しているため、成膜部１０内に導入する被処理基板Ｘの表面には、再度異物Ｆが付着する。しかしこの時、微小なピンホールＨ１を埋没するように異物Ｆが付着することは略有り得ないため、異物ＦはピンホールＨ１と異なる位置である無機膜１０７ａの表面に付着する。
【００４９】
このような状態でＳｉＯＮを成膜すると、無機膜１０７ａの表面および異物Ｆの表面に無機膜１０７ｂが成膜される。この際、ピンホールＨ１は、形成される無機膜１０７ｂにより埋没し、同時に、異物Ｆの陰となる部分では、ピンホールＨ２が生じる。
【００５０】
その後、異物除去と成膜とを繰り返すことで、図４（ｄ）に示すように、複数（図では４層）の無機膜が積層してなる電極保護層１０７が形成される。各無機膜を成膜する毎に形成されるピンホールは、上層に形成される無機膜により埋没するため、電極保護層１０７の表面から被処理基板Ｘの表面に達する貫通孔は形成されず、封止性能が高い電極保護層１０７とすることができる。
以上のようにして、電極保護層１０７を形成する。
【００５１】
以上のような構成の成膜装置１によれば、異物Ｆの除去を行った後に再度成膜を行うことで、ピンホールが修復された良好な成膜を実現することが可能な成膜装置１とすることができる。
【００５２】
また、以上のような製造方法によれば、異物Ｆが付着した状態で成膜すると生じる成膜のピンホールＨ１，Ｈ２を修復しながら成膜を行うことができ、欠陥部分の無い良好な電極保護層１０７を成膜することができる。また、溶剤を用いない乾式の異物除去を行うため、溶剤に対して活性な有機発光層を劣化させることなく、良好に成膜を行うことができる。
【００５３】
なお、本実施形態においては、電極保護層１０７の形成工程を示したが、同様にしてガスバリア層１０９を形成することができる。
【００５４】
また、本実施形態においては、噴出ノズル２２に被処理面Ｘｓを対向させて被処理基板Ｘを移動させることとしたが、噴出ノズル２２が移動して被処理基板Ｘ表面にガスｇを吹き付ける構成としても構わない。
【００５５】
また、本実施形態においては、噴出ノズル２２からはガスｇを噴出することとしたが、高圧のガスｇを用いてドライアイス粉末を吹きつけ、ドライアイス洗浄を行うこととしても構わない。ドライアイス洗浄を行うと、ドライアイスの微粉末が衝突するエネルギーを利用して異物をはじき飛ばすことができ、より確実に異物を除去することができる。
【００５６】
［第２実施形態］
図４は、本発明の第２実施形態に係る成膜装置２の説明図である。本実施形態の成膜装置２は、第１実施形態の成膜装置１と一部共通している。異なるのは、粘着フィルムを基板表面に接触させて異物を吸着除去することである。したがって、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５７】
異物除去部２０内には、粘着除去手段２６が設けられている。粘着除去手段２６は、被処理基板Ｘ上の異物を粘着除去する粘着フィルム（粘着部材）ＦＬ、使用前の粘着フィルムＦＬが巻かれている第１ローラー２７、粘着フィルムＦＬを被処理基板Ｘに押しつけ、異物を除去する第２ローラー２８、異物が付着した粘着フィルムＦＬを巻き取る第３ローラー２９、を有している。
【００５８】
粘着フィルムＦＬとしては、微小な異物を除去するためには十分な接着力を有し、被処理基板Ｘに無用な粘着成分を残存させない、微粘着性の粘着フィルムを用いることができる。このような粘着フィルムとしては、例えば、パナプロテクトＥＴ（パナック株式会社製）やパナプロテクトＭＫ３８（同社製）を例示することができる。
【００５９】
被処理基板Ｘを戴置したホルダー１４は、第２ローラー２８において粘着フィルムＦＬと被処理基板Ｘとが接した状態で移動することで、被処理面Ｘｓ上に粘着フィルムＦＬを走査させ、異物を除去する。
本実施形態の成膜装置２は、以上のような構成となっている。
【００６０】
この構成によれば、粘着フィルムＦＬが異物Ｆに直接作用することで確実に異物Ｆを取り除き、良好な異物除去を実現することができる。
【００６１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００６２】
例えば、上述の実施形態においては、本発明の成膜装置を有機エレクトロルミネッセンス装置の製造に用いることとしたが、これに限るものではなく、他の装置の製造においても好適に用いることが出来る。
【符号の説明】
【００６３】
１，２…成膜装置、１０…成膜部、１４…ホルダー（基板保持手段）、１４ａ…戴置部、１４ｂ…保持部、２０…異物除去部、２１…チャンバー（処理室）、２２…噴出ノズル（吹き付け手段、異物除去手段）、３０…脱気手段（排気装置）、Ｆ…異物、ＦＬ…粘着フィルム（粘着部材、異物除去手段）、ｇ…ガス（不活性ガス）、Ｘ…被処理基板、Ｘｓ…被処理面、
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の被処理面に膜材料を成膜する成膜部と、
前記成膜部に接続され前記被処理面に付着する異物を除去する異物除去部と、を備え、
前記異物除去部は、
前記被処理基板を収納する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記被処理面の異物を除去する異物除去手段と、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記異物除去手段は、前記被処理面に不活性ガスを吹き付ける吹き付け手段を有し、
前記異物除去部は、前記処理室内を脱気し、前記不活性ガスおよび吹き付けられる前記不活性ガスで飛散する前記異物を吸引する脱気手段を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記吹き付け手段は、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記異物除去手段は、前記被処理面の異物に当接し、異物を粘着させて除去する粘着部材を有する請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記処理室内に、前記被処理基板を戴置する戴置部と、前記戴置部に前記被処理基板を固定する保持部と、を有する基板保持手段が設けられていることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
被処理基板における被処理面に膜材料の薄膜を成膜する薄膜形成工程と、
前記被処理面に対して乾式の異物除去を行う異物除去工程と、を交互に繰り返す成膜工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記異物除去工程では、前記被処理面に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記異物除去工程では、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記異物除去工程では、前記被処理面の異物に粘着部材を当接させることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１】
被処理基板の被処理面に膜材料を成膜する成膜部と、
前記成膜部に接続され前記被処理面に付着する異物を除去する異物除去部と、を備え、
前記異物除去部は、
前記被処理基板を収納する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記被処理面の異物を除去する異物除去手段と、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記異物除去手段は、前記被処理面に不活性ガスを吹き付ける吹き付け手段を有し、
前記異物除去部は、前記処理室内を脱気し、前記不活性ガスおよび吹き付けられる前記不活性ガスで飛散する前記異物を吸引する脱気手段を有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記吹き付け手段は、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記異物除去手段は、前記被処理面の異物に当接し、異物を粘着させて除去する粘着部材を有する請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記処理室内に、前記被処理基板を戴置する戴置部と、前記戴置部に前記被処理基板を固定する保持部と、を有する基板保持手段が設けられていることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
被処理基板における被処理面に膜材料の薄膜を成膜する薄膜形成工程と、
前記被処理面に対して乾式の異物除去を行う異物除去工程と、を交互に繰り返す成膜工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記異物除去工程では、前記被処理面に不活性ガスを吹き付けることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記異物除去工程では、前記不活性ガスと共にドライアイスの微粉末を吹き付けることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記異物除去工程では、前記被処理面の異物に粘着部材を当接させることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１７５６２９（Ｐ２０１０−１７５６２９Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５５２６（Ｐ２００９−１５５２６）
【出願日】平成２１年１月２７日（２００９．１．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２７日（２００９．１．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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