有機電界発光表示素子及びその製造方法
【課題】発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを介在させ，ドナー基板と画素電極間の距離を最小化することによって，レーザ熱転写時にレーザエネルギーの効率を高めることができると共に，有機層の寿命及び効率を改善させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る有機電界発光表示素子は，基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，画素定義膜により定義される発光領域と，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と，下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と，を備え，上記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含む。
【解決手段】本発明に係る有機電界発光表示素子は，基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，画素定義膜により定義される発光領域と，ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と，下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と，を備え，上記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光表示素子及びその製造方法に関し，より詳細には，画素領域の段差を増加させて，レーザ転写方法を用いた有機層の蒸着を容易にする有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子において有機電界発光表示素子は，応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し，消費電力が低く，自ら発光するので，視野角に問題がないため，装置のサイズに関係なく，動画像表示媒体として長所がある。また，低温製作が可能であり，従来の半導体工程技術に基づくので，製造工程が簡単であることから，今後次世代平板表示素子として注目を集めている。
【０００３】
上記有機電界発光表示素子は，有機電界発光素子に使用する材料と工程によって，大きく，ウェット工程を使用する高分子型素子と，蒸着工程を使用する低分子型素子とに分けられる。
【０００４】
上記高分子または低分子発光層のパターニング方法のうちインクジェットプリント方法の場合，発光層以外の有機層の材料に制限があり，基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないので，煩わしい。また，蒸着工程による発光層のパターニング場合，金属マスクを使用するので，大型素子を製作することが難しい。
【０００５】
最近，前述のようなパターニングの方法を代えることができる技術として，レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）が開発されてきている。
【０００６】
上記レーザ熱転写法は，光源から発生するレーザを熱エネルギーに変換し，この熱エネルギーによりパターン形成物質を対象基板に転写させて，パターンを形成する方法である。この方法では，転写層が形成されたドナー基板と，光源，及び被写体としての基板が必要である。
【０００７】
上記レーザ熱転写法のために，上記ドナー基板と上記基板とをラミネーションするが，この場合，上記基板の最も高い部分に上記ドナー基板が接着される。
【０００８】
関連従来技術が特許文献１に開示されている。
【０００９】
以下，従来技術に係る有機電界発光表示素子の製造方法を説明する。
【００１０】
図１は，従来の有機電界発光表示素子を示す断面図であり，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに区分して示している。
【００１１】
基板１００上にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）１１０を形成する。上記バッファ層１１０は，後続工程において上記基板１００内の不純物が素子の内部に流入するのを防止するために形成することが好ましい。
【００１２】
次に，上記バッファ層１１０の上部に，半導体層である非晶質シリコン層（図示せず。）を所定の厚みで蒸着する。次いで，上記非晶質シリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ），ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ），ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法などを用いて結晶化し，フォトエッチング工程でパターニングして，単位画素内の薄膜トランジスタ領域ＩＩに多結晶シリコン層パターン１２０を形成する。この際，上記キャパシタ領域ＩＩＩに，キャパシタの電極としての多結晶シリコン層パターンをさらに形成することができる。
【００１３】
次に，全体表面の上部にゲート絶縁層１３０を形成する。この際，上記ゲート絶縁層１３０は，シリコン酸化膜ＳｉＯ２，シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはそれらの積層構造で形成することができる。
【００１４】
次に，上記ゲート絶縁層１３０の上部に，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩの多結晶シリコン層パターン１２０に不純物をイオン注入する。これにより，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩにソース／ドレイン領域１２６，１２４が形成される。上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４の中間部は，チャネル領域１２２である。
【００１５】
次に，全体表面の上部にゲート電極用導電層（図示せず。）を形成する。上記ゲート電極用導電層は，モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）のような合金の単一層，アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層，或るいはこれらの金属の二重層で形成することができる。
【００１６】
次に，フォトエッチング工程で上記ゲート電極用導電層をエッチングし，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々ゲート電極１３２及び下部電極１３４を形成する。
【００１７】
その後，上記薄膜トランジスタがＮＭＯＳである場合，上記ゲート電極１３２をイオン注入マスクとして使用して低濃度の不純物をイオン注入し，ＬＤＤ領域（図示せず。）を形成することもできる。
【００１８】
次に，全体表面の上部に層間絶縁層１４０を形成する。
【００１９】
次に，フォトエッチング工程で上記層間絶縁層１４０及びゲート絶縁層１３０をエッチングし，上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００２０】
次に，上記層間絶縁層１４０の上部にソース／ドレイン電極物質を形成する。
【００２１】
次に，フォトエッチング工程で上記ソース／ドレイン電極物質をエッチングし，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々上記コンタクトホールを介して上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４に接続されるソース／ドレイン電極１５０，１５２及び上部電極１５４を形成する。
【００２２】
次に，全体表面の上部に保護膜１６０及び平坦化膜１７０を形成する。
【００２３】
次に，フォトエッチング工程で上記平坦化膜１７０及び保護膜１６０をエッチングし，上記ソース／ドレイン電極１５０，１５２のいずれか１つ，例えば上記ドレイン電極１５２を露出させるビアコンタクトホールを形成する。
【００２４】
次に，上記ビアコンタクトホールを介して上記ドレイン電極１５２に接続される画素電極１８０を形成する。この際，上記画素電極１８０は，反射電極で形成される。
【００２５】
次に，全体表面の上部に，上記画素電極１８０の発光領域を露出させる画素定義膜１９０を形成する。
【００２６】
次に，上記画素電極１８０の上部に，少なくとも発光層を含む有機層（図示せず。）を形成する。上記有機層は，ベース基板２００，光熱変換層２１０及び転写層２２０よりなるドナー基板を用いたレーザ転写方法を利用して形成される。
【００２７】
その後，対向電極（図示せず。）を形成し，封止工程を行い，有機電界発光表示素子を完成する。
【００２８】
前述のような従来技術に係る有機電界発光表示素子は，上記発光領域Ｉに比べて薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩは，比較的段差が低く形成される。すなわち，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びコンデンサ領域ＩＩＩに積層された金属電極，ゲート電極１３２，ソース／ドレイン電極１５０，１５２，下部電極１３４及び上部電極１５４により，各領域毎に異なる段差が形成される。
【００２９】
このような構造は，上記単位画素周辺の配線及びその周辺部にも見られる。例えば，データラインの厚みに起因して，上記発光領域Ｉより上記データライン領域が相対的に高い段差を有する。
【００３０】
前述のような構造は，後続の有機層形成のためのレーザ熱転写時に問題を起こす場合がある。すなわち，上記発光領域Ｉと上記転写層２２０が上記ドナー基板から離脱する高さＴ１が大きくなることにより，転写に必要なレーザのエネルギーを上昇させなければならない場合が発生し得る。
【００３１】
これにより，上記レーザの高いエネルギーに起因して有機電界発光表示素子の発光層は損傷を受けるようになり，よって，有機電界発光表示素子の効率及び寿命が短縮する問題が発生し得る。
【００３２】
【特許文献１】米国特許第４，３７７，３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
このように，従来の有機電界発光表示素子によれば，発光領域よりデータライン領域が相対的に高い段差を有する構造のため，有機電界発光表示素子の効率及び寿命が短縮する問題がある。
【００３４】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを介在させ，ドナー基板と画素電極間の距離を最小化することによって，レーザ熱転写時にレーザエネルギーの効率を高めることができると共に，有機層の寿命及び効率を改善させることが可能な，新規かつ改良された有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，画素定義膜により定義される発光領域と；ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と；下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と；を備え，上記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含むことを特徴とする，有機電界発光表示素子が提供される。
【００３６】
また，上記画素電極は反射電極であり，上記対向電極は透明電極であってもよい。
【００３７】
また，上記画素電極は，上記薄膜トランジスタ領域及び上記キャパシタ領域までに延設されてもよい。
【００３８】
また，上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含んでもよい。
【００３９】
また，上記ダミーパターンは，多結晶シリコン層パターン，ゲート電極物質及びソース／ドレイン電極物質よりなる群から選ばれる２つ以上の積層構造を有してもよい。
【００４０】
また，上記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有してもよい。
【００４１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１の領域，第２の領域及び第３の領域に区分される基板の上部に，第１の導電層パターンを各々形成する工程と，上記第１の導電層パターンを含む基板の上部に，第１の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域，上記第２の領域及び上記第３の領域に第２の導電層パターンを各々形成する工程と；全体表面の上部に第２の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域，第２の領域及び第３の領域に第３の導電層パターンを各々形成する工程と；全体表面の上部に第３の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域に，上記第２の領域の第３の導電層パターンに接続される画素電極を形成する工程と；全体表面の上部に，上記画素電極を露出させる第４の絶縁層パターンを形成する工程と；上記画素電極の上部に，少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と；全体表面の上部に対向電極を形成する工程と；を備えることを特徴とする，有機電界発光表示素子の製造方法が提供される。
【００４２】
また，上記第１の領域は発光領域であり，上記第２の領域は薄膜トランジスタ領域であり，上記第３の領域はキャパシタ領域であってもよい。
【００４３】
また，上記第１の導電層パターンは，第１のダミーパターン，チャネル領域とソース／ドレイン領域を含む多結晶シリコン層パターン，及びキャパシタの第１の電極であってもよい。
【００４４】
また，上記第１の絶縁層は，ゲート絶縁層であってもよい。
【００４５】
また，上記第２の導電層パターンは，第２のダミーパターン，ゲート電極及びキャパシタの第２の電極であってもよい。
【００４６】
また，上記第２の絶縁層は，層間絶縁層であってもよい。
【００４７】
また，上記第３の導電層パターンは，第３のダミーパターン，ソース／ドレイン電極及びキャパシタの第３の電極であってもよい。
【００４８】
また，上記第３の絶縁層は，保護膜，平坦化膜またはそれらの積層構造であってもよい。
【００４９】
また，上記画素電極は，反射電極であってもよい。
【００５０】
また，上記画素電極は，第１の領域，第２の領域及び第３の領域にわたって形成されてもよい。
【００５１】
また，上記第４の絶縁層パターンは，画素定義膜であってもよい。
【００５２】
また，上記第４の絶縁層パターンは，３０００Å以下に形成されてもよい。
【００５３】
また,上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含んでもよい。
【００５４】
また，上記有機層は，レーザ転写方法で形成されてもよい。
【発明の効果】
【００５５】
以上説明したように，本発明は，発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを形成し，段差を高くして，有機層の形成時，画素電極とドナー基板間の距離を最小化することによって，レーザの転写エネルギーを最小化することができ，これにより，レーザ熱転写時にレーザエネルギーの効率を高めることができ，発光層の寿命及び効率を改善することができる。また，画素電極を薄膜トランジスタ領域及びキャパシタ領域までに延設することができるので，開口率を向上させることができる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００５７】
図２は，本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示素子を示す断面図であり，便宜上，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに分けて示した。
【００５８】
図２を参照すれば，基板３００の発光領域Ｉに，多結晶シリコン層で形成された第１のダミーパターン３２８，ゲート電極物質で形成された第２のダミーパターン３３６及びソース／ドレイン電極物質で形成された第３のダミーパターン３５６が積層されており，その上部に画素電極３８０が形成されている。また，基板３００の薄膜トランジスタ領域ＩＩに，ゲート電極３３２及びソース／ドレイン電極３５０，３５２よりなる薄膜トランジスタが形成されている。また，キャパシタ領域ＩＩＩに，多結晶シリコン層パターンで形成された第１の電極３２９，ゲート電極物質で形成された第２の電極３３４及び第１の電極３２９と第２の電極３３４間のゲート絶縁層３３０よりなる第１のキャパシタと；第２の電極３３４，ソース／ドレイン電極物質で形成された第３の電極３５４及び上記第２の電極３３４と第３の電極３５４間の層間絶縁層３４０よりなる第２のキャパシタが形成されている。上記発光領域Ｉに，有機層（図示せず。）をレーザ転写方法で形成するために，ベース基板４００，光熱変換層４１０及び転写層４２０よりなるドナー基板を上記基板３００に整列した後，ラミネーションしている。
【００５９】
図２に示すように，発光領域Ｉに，第１のダミーパターン３２８，第２のダミーパターン３３６及び第３のダミーパターン３５６の積層構造で形成されたダミーパターンが示されているが，上記ダミーパターンのうち２つ以上の積層構造で形成してもよい。ここで，上記画素電極３８０は，反射電極，または反射電極を含む積層構造であってもよい。これは，有機電界発光表示素子が前面発光型であることを意味し，上記画素電極３８０は，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩまでに延設されることができるので，開口率を向上させることができる。
【００６０】
また，上記キャパシタＩＩＩの二重構造のキャパシタは，第２の電極３３４及び第３の電極３５４よりなる単一のキャパシタ構造で形成してもよい。
【００６１】
上記構造において，画素電極３８０の上部に，発光領域を定義する画素定義膜３９０が設けられ，上記画素定義膜３９０は，３０００Å以下の厚さで形成される。
【００６２】
上記ドナー基板の転写層４２０と画素電極３８０間の距離Ｔ２は，３０００Å以下であることが好ましい。これは，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩが同じ段差を有するとしても，画素定義膜３９０が設けられているため，上記転写層４２０と画素電極３８０との間に上記画素定義膜３９０の厚みに相当する距離が発生するからである。
【００６３】
以下，本発明に係る有機電界発光表示素子の製造方法を説明する。
【００６４】
発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩを含む基板３００上に，バッファ層３１０を形成する。上記バッファ層３１０は，後続工程において上記基板３００内の不純物が素子内部に流入するのを防止するために形成することが好ましい。
【００６５】
次に，上記バッファ層３１０の上部に，半導体層である非晶質シリコン層（図示せず。）を所定の厚みで蒸着する。次いで，上記非晶質シリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ），ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ），ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法などを用いて結晶化し，フォトエッチング工程でパターニングして，単位画素内の発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々第１のダミーパターン３２８，多結晶シリコン層パターン３２０及び第１の電極３２９を形成する。
【００６６】
次に，全体表面の上部にゲート絶縁層３３０を形成する。この際，上記ゲート絶縁層３３０は，シリコン酸化膜ＳｉＯ２，シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはそれらの積層構造で形成することができる。
【００６７】
次に，上記ゲート絶縁層３３０の上部に，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩの多結晶シリコン層パターン３２０及び第１の電極３２９に不純物をイオン注入する。この際，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩに，ソース／ドレイン領域３２６，３２４が形成される。上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４の中間部は，チャネル領域３２２である。
【００６８】
次に，全体表面の上部にゲート電極用導電層（図示せず。）を形成する。上記ゲート電極用導電層は，モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）のような合金の単一層，アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層，或るいはこれらの金属の二重層で形成することができる。
【００６９】
次に，フォトエッチング工程で上記ゲート電極用導電層をエッチングし，上記発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩに，各々第２のダミーパターン３３６，ゲート電極３３２及び第２の電極３３４を形成する。
【００７０】
その後，上記薄膜トランジスタがＮＭＯＳである場合，上記ゲート電極３３２をイオン注入マスクとして使用して低濃度の不純物をイオン注入し，ＬＤＤ領域（図示せず。）を形成することができる。
【００７１】
次に，全体表面の上部に層間絶縁層３４０を形成する。
【００７２】
次に，フォトエッチング工程で上記層間絶縁層３４０及びゲート絶縁層３３０をエッチングし，上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００７３】
次に，上記層間絶縁層３４０の上部にソース／ドレイン電極物質を形成する。
【００７４】
次に，フォトエッチング工程で上記ソース／ドレイン電極物質をエッチングし，上記発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩに各々第３のダミーパターン３５６，上記コンタクトホールを介して上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４に接続されるソース／ドレイン電極３５０，３５２及び第３の電極３５４を形成する。
【００７５】
次に，全体表面の上部に保護膜３６０及び平坦化膜３７０を形成する。
【００７６】
次に，フォトエッチング工程で上記平坦化膜３７０及び保護膜３６０をエッチングし，上記ソース／ドレイン電極３５０，３５２のいずれか１つ，例えば上記ドレイン電極３５２を露出させるビアコンタクトホールを形成する。
【００７７】
次に，上記ビアコンタクトホールを介して上記ドレイン電極３５２に接続される画素電極３８０を形成する。この際，上記画素電極３８０は，反射電極で形成される。上記画素電極３８０は，反射電極の単一層であってもよく，反射電極を含む積層であってもよい。反射電極の単一層である場合，Ａｇ，またはＡｇ合金を使用することができる。また，積層である場合，透明電極／反射電極／透明電極または反射電極／透明電極の積層構造で構成することができ，この場合，反射電極は，ＡｇまたはＡｇ合金であり，透明電極は，ＩＴＯ，ＩＺＯまたはＩｎ２Ｏ３などである。上記画素電極３８０が反射電極であるから，上記画素電極３８０は，発光領域Ｉにのみ設けられることができ，又は，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩまでに延設されることができる。
【００７８】
次に，全体表面の上部に，上記画素電極３８０の発光領域を露出させる画素定義膜３９０を形成する。この際，上記画素定義膜３９０は，上記発光領域Ｉ上に３０００Å以下の厚みで形成する。これは，後続の有機層形成工程を容易にするためである。
【００７９】
次に，上記画素電極３８０の上部に，少なくとも発光層を含む有機層（図示せず。）を形成する。上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも１つ以上の層をさらに含むことができる。上記有機層は，レーザ熱転写法を用いて形成する。
【００８０】
上記レーザ熱転写法は，次のように実施される。
【００８１】
上記基板３００を，ベース基板４００，光熱変換層４１０及び転写層４２０よりなるドナー基板に対向するように位置させ，整列し，ラミネーションする。上記ラミネーションされたドナー基板のベース基板４００にレーザを照射し，上記光熱変換層４１０下部の転写層４２０を，上記基板の露出した画素電極３８０上に転写する。
【００８２】
この際，上記転写層４２０と上記画素電極３８０間の距離Ｔ２は，３０００Å以下であることが好ましい。上記転写層４２０の転写過程時に，転写に必要なレーザのエネルギーを減少させることができる。
【００８３】
その後，ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を形成して，薄膜トランジスタを完成し，上記薄膜トランジスタに接続される発光素子を形成し，平板表示素子を完成する。上記平板表示素子は，有機電界発光表示素子または液晶表示素子である。
【００８４】
上記画素定義膜３９０は，レーザ熱転写の実行時に，レーザの効率及び効果的なパターニングのために，３０００Å以下の厚みで形成することが好ましい。
【００８５】
次に，対向電極（図示せず。）を形成した後，封止し，有機電界発光表示素子を完成する。
【００８６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８７】
例えば，上述した実施形態においては，ダミーパターンが３つの場合について説明したが，所望のＴ２（ドナー基板の転写層４２０と画素電極３８０間の距離）を得る適当な数であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は，有機電界発光表示素子及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】従来技術に係る有機電界発光表示素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
３００ 基板
３１０ バッファ層
３２９ 第１の電極
３３０ ゲート絶縁層
３３４ 第２の電極
３４０ 層間絶縁層
３５４ 第３の電極
３６０ 保護膜
３７０ 平坦化膜
３９０ 画素定義膜
４２０ 転写層
４１０ 光熱変換層
４００ ベース基板
３２８ 第１のダミーパターン
３３６ 第２のダミーパターン
３５６ 第３のダミーパターン
３２０ 多結晶シリコン層パターン
３２６ ソース領域
３２４ ドレイン領域
３２２ チャネル領域
３３２ ゲート電極
３５０ ソース電極
３５２ ドレイン電極
３８０ 画素電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は，有機電界発光表示素子及びその製造方法に関し，より詳細には，画素領域の段差を増加させて，レーザ転写方法を用いた有機層の蒸着を容易にする有機電界発光表示素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示素子において有機電界発光表示素子は，応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し，消費電力が低く，自ら発光するので，視野角に問題がないため，装置のサイズに関係なく，動画像表示媒体として長所がある。また，低温製作が可能であり，従来の半導体工程技術に基づくので，製造工程が簡単であることから，今後次世代平板表示素子として注目を集めている。
【０００３】
上記有機電界発光表示素子は，有機電界発光素子に使用する材料と工程によって，大きく，ウェット工程を使用する高分子型素子と，蒸着工程を使用する低分子型素子とに分けられる。
【０００４】
上記高分子または低分子発光層のパターニング方法のうちインクジェットプリント方法の場合，発光層以外の有機層の材料に制限があり，基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないので，煩わしい。また，蒸着工程による発光層のパターニング場合，金属マスクを使用するので，大型素子を製作することが難しい。
【０００５】
最近，前述のようなパターニングの方法を代えることができる技術として，レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）が開発されてきている。
【０００６】
上記レーザ熱転写法は，光源から発生するレーザを熱エネルギーに変換し，この熱エネルギーによりパターン形成物質を対象基板に転写させて，パターンを形成する方法である。この方法では，転写層が形成されたドナー基板と，光源，及び被写体としての基板が必要である。
【０００７】
上記レーザ熱転写法のために，上記ドナー基板と上記基板とをラミネーションするが，この場合，上記基板の最も高い部分に上記ドナー基板が接着される。
【０００８】
関連従来技術が特許文献１に開示されている。
【０００９】
以下，従来技術に係る有機電界発光表示素子の製造方法を説明する。
【００１０】
図１は，従来の有機電界発光表示素子を示す断面図であり，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに区分して示している。
【００１１】
基板１００上にバッファ層（ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）１１０を形成する。上記バッファ層１１０は，後続工程において上記基板１００内の不純物が素子の内部に流入するのを防止するために形成することが好ましい。
【００１２】
次に，上記バッファ層１１０の上部に，半導体層である非晶質シリコン層（図示せず。）を所定の厚みで蒸着する。次いで，上記非晶質シリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ），ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ），ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法などを用いて結晶化し，フォトエッチング工程でパターニングして，単位画素内の薄膜トランジスタ領域ＩＩに多結晶シリコン層パターン１２０を形成する。この際，上記キャパシタ領域ＩＩＩに，キャパシタの電極としての多結晶シリコン層パターンをさらに形成することができる。
【００１３】
次に，全体表面の上部にゲート絶縁層１３０を形成する。この際，上記ゲート絶縁層１３０は，シリコン酸化膜ＳｉＯ２，シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはそれらの積層構造で形成することができる。
【００１４】
次に，上記ゲート絶縁層１３０の上部に，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩの多結晶シリコン層パターン１２０に不純物をイオン注入する。これにより，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩにソース／ドレイン領域１２６，１２４が形成される。上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４の中間部は，チャネル領域１２２である。
【００１５】
次に，全体表面の上部にゲート電極用導電層（図示せず。）を形成する。上記ゲート電極用導電層は，モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）のような合金の単一層，アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層，或るいはこれらの金属の二重層で形成することができる。
【００１６】
次に，フォトエッチング工程で上記ゲート電極用導電層をエッチングし，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々ゲート電極１３２及び下部電極１３４を形成する。
【００１７】
その後，上記薄膜トランジスタがＮＭＯＳである場合，上記ゲート電極１３２をイオン注入マスクとして使用して低濃度の不純物をイオン注入し，ＬＤＤ領域（図示せず。）を形成することもできる。
【００１８】
次に，全体表面の上部に層間絶縁層１４０を形成する。
【００１９】
次に，フォトエッチング工程で上記層間絶縁層１４０及びゲート絶縁層１３０をエッチングし，上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００２０】
次に，上記層間絶縁層１４０の上部にソース／ドレイン電極物質を形成する。
【００２１】
次に，フォトエッチング工程で上記ソース／ドレイン電極物質をエッチングし，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々上記コンタクトホールを介して上記ソース／ドレイン領域１２６，１２４に接続されるソース／ドレイン電極１５０，１５２及び上部電極１５４を形成する。
【００２２】
次に，全体表面の上部に保護膜１６０及び平坦化膜１７０を形成する。
【００２３】
次に，フォトエッチング工程で上記平坦化膜１７０及び保護膜１６０をエッチングし，上記ソース／ドレイン電極１５０，１５２のいずれか１つ，例えば上記ドレイン電極１５２を露出させるビアコンタクトホールを形成する。
【００２４】
次に，上記ビアコンタクトホールを介して上記ドレイン電極１５２に接続される画素電極１８０を形成する。この際，上記画素電極１８０は，反射電極で形成される。
【００２５】
次に，全体表面の上部に，上記画素電極１８０の発光領域を露出させる画素定義膜１９０を形成する。
【００２６】
次に，上記画素電極１８０の上部に，少なくとも発光層を含む有機層（図示せず。）を形成する。上記有機層は，ベース基板２００，光熱変換層２１０及び転写層２２０よりなるドナー基板を用いたレーザ転写方法を利用して形成される。
【００２７】
その後，対向電極（図示せず。）を形成し，封止工程を行い，有機電界発光表示素子を完成する。
【００２８】
前述のような従来技術に係る有機電界発光表示素子は，上記発光領域Ｉに比べて薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩは，比較的段差が低く形成される。すなわち，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びコンデンサ領域ＩＩＩに積層された金属電極，ゲート電極１３２，ソース／ドレイン電極１５０，１５２，下部電極１３４及び上部電極１５４により，各領域毎に異なる段差が形成される。
【００２９】
このような構造は，上記単位画素周辺の配線及びその周辺部にも見られる。例えば，データラインの厚みに起因して，上記発光領域Ｉより上記データライン領域が相対的に高い段差を有する。
【００３０】
前述のような構造は，後続の有機層形成のためのレーザ熱転写時に問題を起こす場合がある。すなわち，上記発光領域Ｉと上記転写層２２０が上記ドナー基板から離脱する高さＴ１が大きくなることにより，転写に必要なレーザのエネルギーを上昇させなければならない場合が発生し得る。
【００３１】
これにより，上記レーザの高いエネルギーに起因して有機電界発光表示素子の発光層は損傷を受けるようになり，よって，有機電界発光表示素子の効率及び寿命が短縮する問題が発生し得る。
【００３２】
【特許文献１】米国特許第４，３７７，３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３３】
このように，従来の有機電界発光表示素子によれば，発光領域よりデータライン領域が相対的に高い段差を有する構造のため，有機電界発光表示素子の効率及び寿命が短縮する問題がある。
【００３４】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを介在させ，ドナー基板と画素電極間の距離を最小化することによって，レーザ熱転写時にレーザエネルギーの効率を高めることができると共に，有機層の寿命及び効率を改善させることが可能な，新規かつ改良された有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，画素定義膜により定義される発光領域と；ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と；下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と；を備え，上記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含むことを特徴とする，有機電界発光表示素子が提供される。
【００３６】
また，上記画素電極は反射電極であり，上記対向電極は透明電極であってもよい。
【００３７】
また，上記画素電極は，上記薄膜トランジスタ領域及び上記キャパシタ領域までに延設されてもよい。
【００３８】
また，上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含んでもよい。
【００３９】
また，上記ダミーパターンは，多結晶シリコン層パターン，ゲート電極物質及びソース／ドレイン電極物質よりなる群から選ばれる２つ以上の積層構造を有してもよい。
【００４０】
また，上記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有してもよい。
【００４１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１の領域，第２の領域及び第３の領域に区分される基板の上部に，第１の導電層パターンを各々形成する工程と，上記第１の導電層パターンを含む基板の上部に，第１の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域，上記第２の領域及び上記第３の領域に第２の導電層パターンを各々形成する工程と；全体表面の上部に第２の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域，第２の領域及び第３の領域に第３の導電層パターンを各々形成する工程と；全体表面の上部に第３の絶縁層を形成する工程と；上記第１の領域に，上記第２の領域の第３の導電層パターンに接続される画素電極を形成する工程と；全体表面の上部に，上記画素電極を露出させる第４の絶縁層パターンを形成する工程と；上記画素電極の上部に，少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と；全体表面の上部に対向電極を形成する工程と；を備えることを特徴とする，有機電界発光表示素子の製造方法が提供される。
【００４２】
また，上記第１の領域は発光領域であり，上記第２の領域は薄膜トランジスタ領域であり，上記第３の領域はキャパシタ領域であってもよい。
【００４３】
また，上記第１の導電層パターンは，第１のダミーパターン，チャネル領域とソース／ドレイン領域を含む多結晶シリコン層パターン，及びキャパシタの第１の電極であってもよい。
【００４４】
また，上記第１の絶縁層は，ゲート絶縁層であってもよい。
【００４５】
また，上記第２の導電層パターンは，第２のダミーパターン，ゲート電極及びキャパシタの第２の電極であってもよい。
【００４６】
また，上記第２の絶縁層は，層間絶縁層であってもよい。
【００４７】
また，上記第３の導電層パターンは，第３のダミーパターン，ソース／ドレイン電極及びキャパシタの第３の電極であってもよい。
【００４８】
また，上記第３の絶縁層は，保護膜，平坦化膜またはそれらの積層構造であってもよい。
【００４９】
また，上記画素電極は，反射電極であってもよい。
【００５０】
また，上記画素電極は，第１の領域，第２の領域及び第３の領域にわたって形成されてもよい。
【００５１】
また，上記第４の絶縁層パターンは，画素定義膜であってもよい。
【００５２】
また，上記第４の絶縁層パターンは，３０００Å以下に形成されてもよい。
【００５３】
また,上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含んでもよい。
【００５４】
また，上記有機層は，レーザ転写方法で形成されてもよい。
【発明の効果】
【００５５】
以上説明したように，本発明は，発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを形成し，段差を高くして，有機層の形成時，画素電極とドナー基板間の距離を最小化することによって，レーザの転写エネルギーを最小化することができ，これにより，レーザ熱転写時にレーザエネルギーの効率を高めることができ，発光層の寿命及び効率を改善することができる。また，画素電極を薄膜トランジスタ領域及びキャパシタ領域までに延設することができるので，開口率を向上させることができる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００５７】
図２は，本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示素子を示す断面図であり，便宜上，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに分けて示した。
【００５８】
図２を参照すれば，基板３００の発光領域Ｉに，多結晶シリコン層で形成された第１のダミーパターン３２８，ゲート電極物質で形成された第２のダミーパターン３３６及びソース／ドレイン電極物質で形成された第３のダミーパターン３５６が積層されており，その上部に画素電極３８０が形成されている。また，基板３００の薄膜トランジスタ領域ＩＩに，ゲート電極３３２及びソース／ドレイン電極３５０，３５２よりなる薄膜トランジスタが形成されている。また，キャパシタ領域ＩＩＩに，多結晶シリコン層パターンで形成された第１の電極３２９，ゲート電極物質で形成された第２の電極３３４及び第１の電極３２９と第２の電極３３４間のゲート絶縁層３３０よりなる第１のキャパシタと；第２の電極３３４，ソース／ドレイン電極物質で形成された第３の電極３５４及び上記第２の電極３３４と第３の電極３５４間の層間絶縁層３４０よりなる第２のキャパシタが形成されている。上記発光領域Ｉに，有機層（図示せず。）をレーザ転写方法で形成するために，ベース基板４００，光熱変換層４１０及び転写層４２０よりなるドナー基板を上記基板３００に整列した後，ラミネーションしている。
【００５９】
図２に示すように，発光領域Ｉに，第１のダミーパターン３２８，第２のダミーパターン３３６及び第３のダミーパターン３５６の積層構造で形成されたダミーパターンが示されているが，上記ダミーパターンのうち２つ以上の積層構造で形成してもよい。ここで，上記画素電極３８０は，反射電極，または反射電極を含む積層構造であってもよい。これは，有機電界発光表示素子が前面発光型であることを意味し，上記画素電極３８０は，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩまでに延設されることができるので，開口率を向上させることができる。
【００６０】
また，上記キャパシタＩＩＩの二重構造のキャパシタは，第２の電極３３４及び第３の電極３５４よりなる単一のキャパシタ構造で形成してもよい。
【００６１】
上記構造において，画素電極３８０の上部に，発光領域を定義する画素定義膜３９０が設けられ，上記画素定義膜３９０は，３０００Å以下の厚さで形成される。
【００６２】
上記ドナー基板の転写層４２０と画素電極３８０間の距離Ｔ２は，３０００Å以下であることが好ましい。これは，発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩが同じ段差を有するとしても，画素定義膜３９０が設けられているため，上記転写層４２０と画素電極３８０との間に上記画素定義膜３９０の厚みに相当する距離が発生するからである。
【００６３】
以下，本発明に係る有機電界発光表示素子の製造方法を説明する。
【００６４】
発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩを含む基板３００上に，バッファ層３１０を形成する。上記バッファ層３１０は，後続工程において上記基板３００内の不純物が素子内部に流入するのを防止するために形成することが好ましい。
【００６５】
次に，上記バッファ層３１０の上部に，半導体層である非晶質シリコン層（図示せず。）を所定の厚みで蒸着する。次いで，上記非晶質シリコン層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ），ＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ），ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＭＩＬＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）法などを用いて結晶化し，フォトエッチング工程でパターニングして，単位画素内の発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタ領域ＩＩＩに各々第１のダミーパターン３２８，多結晶シリコン層パターン３２０及び第１の電極３２９を形成する。
【００６６】
次に，全体表面の上部にゲート絶縁層３３０を形成する。この際，上記ゲート絶縁層３３０は，シリコン酸化膜ＳｉＯ２，シリコン窒化膜ＳｉＮｘまたはそれらの積層構造で形成することができる。
【００６７】
次に，上記ゲート絶縁層３３０の上部に，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩの多結晶シリコン層パターン３２０及び第１の電極３２９に不純物をイオン注入する。この際，上記薄膜トランジスタ領域ＩＩに，ソース／ドレイン領域３２６，３２４が形成される。上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４の中間部は，チャネル領域３２２である。
【００６８】
次に，全体表面の上部にゲート電極用導電層（図示せず。）を形成する。上記ゲート電極用導電層は，モリブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）のような合金の単一層，アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎｄ）のようなアルミニウム合金の単一層，或るいはこれらの金属の二重層で形成することができる。
【００６９】
次に，フォトエッチング工程で上記ゲート電極用導電層をエッチングし，上記発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩに，各々第２のダミーパターン３３６，ゲート電極３３２及び第２の電極３３４を形成する。
【００７０】
その後，上記薄膜トランジスタがＮＭＯＳである場合，上記ゲート電極３３２をイオン注入マスクとして使用して低濃度の不純物をイオン注入し，ＬＤＤ領域（図示せず。）を形成することができる。
【００７１】
次に，全体表面の上部に層間絶縁層３４０を形成する。
【００７２】
次に，フォトエッチング工程で上記層間絶縁層３４０及びゲート絶縁層３３０をエッチングし，上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００７３】
次に，上記層間絶縁層３４０の上部にソース／ドレイン電極物質を形成する。
【００７４】
次に，フォトエッチング工程で上記ソース／ドレイン電極物質をエッチングし，上記発光領域Ｉ，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩに各々第３のダミーパターン３５６，上記コンタクトホールを介して上記ソース／ドレイン領域３２６，３２４に接続されるソース／ドレイン電極３５０，３５２及び第３の電極３５４を形成する。
【００７５】
次に，全体表面の上部に保護膜３６０及び平坦化膜３７０を形成する。
【００７６】
次に，フォトエッチング工程で上記平坦化膜３７０及び保護膜３６０をエッチングし，上記ソース／ドレイン電極３５０，３５２のいずれか１つ，例えば上記ドレイン電極３５２を露出させるビアコンタクトホールを形成する。
【００７７】
次に，上記ビアコンタクトホールを介して上記ドレイン電極３５２に接続される画素電極３８０を形成する。この際，上記画素電極３８０は，反射電極で形成される。上記画素電極３８０は，反射電極の単一層であってもよく，反射電極を含む積層であってもよい。反射電極の単一層である場合，Ａｇ，またはＡｇ合金を使用することができる。また，積層である場合，透明電極／反射電極／透明電極または反射電極／透明電極の積層構造で構成することができ，この場合，反射電極は，ＡｇまたはＡｇ合金であり，透明電極は，ＩＴＯ，ＩＺＯまたはＩｎ２Ｏ３などである。上記画素電極３８０が反射電極であるから，上記画素電極３８０は，発光領域Ｉにのみ設けられることができ，又は，薄膜トランジスタ領域ＩＩ及びキャパシタＩＩＩまでに延設されることができる。
【００７８】
次に，全体表面の上部に，上記画素電極３８０の発光領域を露出させる画素定義膜３９０を形成する。この際，上記画素定義膜３９０は，上記発光領域Ｉ上に３０００Å以下の厚みで形成する。これは，後続の有機層形成工程を容易にするためである。
【００７９】
次に，上記画素電極３８０の上部に，少なくとも発光層を含む有機層（図示せず。）を形成する。上記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層のうち少なくとも１つ以上の層をさらに含むことができる。上記有機層は，レーザ熱転写法を用いて形成する。
【００８０】
上記レーザ熱転写法は，次のように実施される。
【００８１】
上記基板３００を，ベース基板４００，光熱変換層４１０及び転写層４２０よりなるドナー基板に対向するように位置させ，整列し，ラミネーションする。上記ラミネーションされたドナー基板のベース基板４００にレーザを照射し，上記光熱変換層４１０下部の転写層４２０を，上記基板の露出した画素電極３８０上に転写する。
【００８２】
この際，上記転写層４２０と上記画素電極３８０間の距離Ｔ２は，３０００Å以下であることが好ましい。上記転写層４２０の転写過程時に，転写に必要なレーザのエネルギーを減少させることができる。
【００８３】
その後，ソース／ドレイン領域に接続されるソース／ドレイン電極を形成して，薄膜トランジスタを完成し，上記薄膜トランジスタに接続される発光素子を形成し，平板表示素子を完成する。上記平板表示素子は，有機電界発光表示素子または液晶表示素子である。
【００８４】
上記画素定義膜３９０は，レーザ熱転写の実行時に，レーザの効率及び効果的なパターニングのために，３０００Å以下の厚みで形成することが好ましい。
【００８５】
次に，対向電極（図示せず。）を形成した後，封止し，有機電界発光表示素子を完成する。
【００８６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８７】
例えば，上述した実施形態においては，ダミーパターンが３つの場合について説明したが，所望のＴ２（ドナー基板の転写層４２０と画素電極３８０間の距離）を得る適当な数であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は，有機電界発光表示素子及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】従来技術に係る有機電界発光表示素子を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９０】
３００ 基板
３１０ バッファ層
３２９ 第１の電極
３３０ ゲート絶縁層
３３４ 第２の電極
３４０ 層間絶縁層
３５４ 第３の電極
３６０ 保護膜
３７０ 平坦化膜
３９０ 画素定義膜
４２０ 転写層
４１０ 光熱変換層
４００ ベース基板
３２８ 第１のダミーパターン
３３６ 第２のダミーパターン
３５６ 第３のダミーパターン
３２０ 多結晶シリコン層パターン
３２６ ソース領域
３２４ ドレイン領域
３２２ チャネル領域
３３２ ゲート電極
３５０ ソース電極
３５２ ドレイン電極
３８０ 画素電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，
画素定義膜により定義される発光領域と；
ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と；
下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と；
を備え，
前記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含むことを特徴とする，有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記画素電極は,反射電極であり，前記対向電極は,透明電極であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記画素電極は，前記薄膜トランジスタ領域及び前記キャパシタ領域までに延設されることを特徴とする，請求項１または２に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記ダミーパターンは，多結晶シリコン層パターン，ゲート電極物質及びソース／ドレイン電極物質よりなる群から選ばれる２つ以上の積層構造を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
前記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項７】
第１の領域，第２の領域及び第３の領域に区分される基板の上部に，第１の導電層パターンを各々形成する工程と；
前記第１の導電層パターンを含む基板の上部に，第１の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域，前記第２の領域及び前記第３の領域に第２の導電層パターンを各々形成する工程と；
全体表面の上部に第２の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域，第２の領域及び第３の領域に第３の導電層パターンを各々形成する工程と；
全体表面の上部に第３の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域に，前記第２の領域の第３の導電層パターンに接続される画素電極を形成する工程と；
全体表面の上部に，前記画素電極を露出させる第４の絶縁層パターンを形成する工程と； 前記画素電極の上部に，少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と；
全体表面の上部に対向電極を形成する工程と；
を備えることを特徴とする，有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の領域は発光領域であり，前記第２の領域は薄膜トランジスタ領域であり，前記第３の領域はキャパシタ領域であることを特徴とする，請求項７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１の導電層パターンは，第１のダミーパターン，チャネル領域とソース／ドレイン領域を含む多結晶シリコン層パターン，及びキャパシタの第１の電極であることを特徴とする，請求項７または８に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁層は，ゲート絶縁層であることを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の導電層パターンは，第２のダミーパターン，ゲート電極及びキャパシタの第２の電極であることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁層は，層間絶縁層であることを特徴とする，請求項７〜１１のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の導電層パターンは，第３のダミーパターン，ソース／ドレイン電極及びキャパシタの第３の電極であることを特徴とする，請求項７〜１２のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第３の絶縁層は，保護膜，平坦化膜またはそれらの積層構造であることを特徴とする，請求項７〜１３のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極は，反射電極であることを特徴とする，請求項７〜１４のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１６】
前記画素電極は，第１の領域，第２の領域及び第３の領域にわたって形成されることを特徴とする，請求項７〜１５のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第４の絶縁層パターンは，画素定義膜であることを特徴とする，請求項７〜１６のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第４の絶縁層パターンは，３０００Å以下に形成されることを特徴とする,請求項７〜１７のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１９】
前記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする，請求項７〜１８のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２０】
前記有機層は，レーザ転写方法で形成されることを特徴とする，請求項７〜１９のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１】
基板の上部に，画素電極，少なくとも発光層を含む有機層，及び対向電極を含み，
画素定義膜により定義される発光領域と；
ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ領域と；
下部電極及び上部電極を含むキャパシタ領域と；
を備え，
前記発光領域における画素電極の下部にダミーパターンを含むことを特徴とする，有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記画素電極は,反射電極であり，前記対向電極は,透明電極であることを特徴とする，請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
前記画素電極は，前記薄膜トランジスタ領域及び前記キャパシタ領域までに延設されることを特徴とする，請求項１または２に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記ダミーパターンは，多結晶シリコン層パターン，ゲート電極物質及びソース／ドレイン電極物質よりなる群から選ばれる２つ以上の積層構造を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
前記画素定義膜は，３０００Å以下の厚みを有することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光表示素子。
【請求項７】
第１の領域，第２の領域及び第３の領域に区分される基板の上部に，第１の導電層パターンを各々形成する工程と；
前記第１の導電層パターンを含む基板の上部に，第１の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域，前記第２の領域及び前記第３の領域に第２の導電層パターンを各々形成する工程と；
全体表面の上部に第２の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域，第２の領域及び第３の領域に第３の導電層パターンを各々形成する工程と；
全体表面の上部に第３の絶縁層を形成する工程と；
前記第１の領域に，前記第２の領域の第３の導電層パターンに接続される画素電極を形成する工程と；
全体表面の上部に，前記画素電極を露出させる第４の絶縁層パターンを形成する工程と； 前記画素電極の上部に，少なくとも発光層を含む有機層を形成する工程と；
全体表面の上部に対向電極を形成する工程と；
を備えることを特徴とする，有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の領域は発光領域であり，前記第２の領域は薄膜トランジスタ領域であり，前記第３の領域はキャパシタ領域であることを特徴とする，請求項７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１の導電層パターンは，第１のダミーパターン，チャネル領域とソース／ドレイン領域を含む多結晶シリコン層パターン，及びキャパシタの第１の電極であることを特徴とする，請求項７または８に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の絶縁層は，ゲート絶縁層であることを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の導電層パターンは，第２のダミーパターン，ゲート電極及びキャパシタの第２の電極であることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁層は，層間絶縁層であることを特徴とする，請求項７〜１１のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の導電層パターンは，第３のダミーパターン，ソース／ドレイン電極及びキャパシタの第３の電極であることを特徴とする，請求項７〜１２のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第３の絶縁層は，保護膜，平坦化膜またはそれらの積層構造であることを特徴とする，請求項７〜１３のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極は，反射電極であることを特徴とする，請求項７〜１４のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１６】
前記画素電極は，第１の領域，第２の領域及び第３の領域にわたって形成されることを特徴とする，請求項７〜１５のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第４の絶縁層パターンは，画素定義膜であることを特徴とする，請求項７〜１６のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第４の絶縁層パターンは，３０００Å以下に形成されることを特徴とする,請求項７〜１７のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１９】
前記有機層は，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする，請求項７〜１８のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２０】
前記有機層は，レーザ転写方法で形成されることを特徴とする，請求項７〜１９のいずれかに記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２００６−１７３６１７（Ｐ２００６−１７３６１７Ａ）
【公開日】平成１８年６月２９日（２００６．６．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３５９４４１（Ｐ２００５−３５９４４１）
【出願日】平成１７年１２月１３日（２００５．１２．１３）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２９日（２００６．６．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月１３日（２００５．１２．１３）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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