有機ELディスプレイ及びその製造方法
【課題】接着型(adhesive type)有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2以上の隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、隔壁上部に形成されて第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備える。
【解決手段】薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2以上の隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、隔壁上部に形成されて第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機ELディスプレイに係り、特に、接着型(adhesive type)有機ELディスプレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、接着型有機ELディスプレイは、画素スイッチング素子、画素駆動用素子などが形成されている下板と、有機物が積層されている上板とから構成され、これら上板と下板を互いに接着して電気的に導通させることで、ディスプレイを完成する。
【0003】
次に、従来技術による接着型有機ELディスプレイの製作過程について説明する。
【0004】
図1は、一般の接着型有機ELディスプレイを示す断面図であり、薄膜トランジスタを持つ下板と有機EL素子を持つ上板とが接着されてなるディスプレイを示している。
【0005】
まず、図1を参照して有機ELディスプレイの下板の製造工程について説明する。
【0006】
透明基板1上に、多結晶シリコンなどからなる半導体層2を形成し、該半導体層2をパターニングして薄膜トランジスタの形成される領域にのみ残す。
【0007】
その後、全面にゲート絶縁膜3とゲート電極用導電膜を順に形成し、該ゲート電極用導電膜をパターニングしてゲート電極4を形成する。
【0008】
続いて、ゲート電極4をマスクとして半導体層2に燐(P)のような不純物を注入し熱処理して、薄膜トランジスタのソース/ドレーン領域を形成することによって、N−MOS薄膜トランジスタが完成する。
【0009】
このときに、不純物イオンの注入していない半導体層2は、チャネル領域となる。
【0010】
その後、全面に層間絶縁膜5を形成し、N−MOS薄膜トランジスタのソース/ドレーン領域が露出されるように層間絶縁膜5とゲート絶縁膜3を選択的に除去する。
【0011】
最後に、露出されたソース/ドレーン領域にそれぞれ電気的に接続されるように電極ライン6を形成することによって、下板製作を完了する。
【0012】
一方、図1を参照して有機ELディスプレイの上板の製造工程を説明すると、下記の通りである。
【0013】
まず、透明基板7上に、ITO、IZOのような仕事関数が高く、透明な伝導性物質からなるアノード8を形成する。
【0014】
このアノード8上の一部分に、ポリイミド(polyimide)のような絶縁性物質を使って絶縁膜9を形成した後、絶縁膜9上に隔壁10を形成する。
【0015】
その後、他の絶縁物質を使って島形のスペーサー11を画素領域に形成する。
【0016】
続いて、スペーサー11を含む全面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの有機物12を順に蒸着する。
【0017】
その後、電子注入層上にアルミニウムのような仕事関数の低い伝導性物質からなるカソード13を蒸着することで、上板の製作を完了する。
【0018】
このようにして製作された下板と上板を互いに組み合わせる。
【0019】
このときに、上板のスペーサー11上に形成されたカソード13と、下板の電極ライン6とを接触させて互いに電気的に導通するようにする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0020】
しかしながら、このように製作される接着型有機ELディスプレイは、次のような問題点があった。
【0021】
一般に、スペーサーは、隔壁よりも高く、スペーサーの側面角を緩やかに形成しなければならないので、その製作が難しい。
【0022】
また、シャドウマスク(shadow mask)を用いて有機物を形成する際に、シャドウマスクによりスペーサーが崩れたり損傷する恐れがあった。
【0023】
また、スペーサーが発光領域に形成されるので、開口率が小さくなるという問題があった。
【0024】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、スペーサーのない接着型有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【0025】
本発明の他の目的は、工程の単純化、信頼性の向上、高い光効率を実現できる有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0026】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ELディスプレイは、薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、第1基板の薄膜トランジスタと第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2つの隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、隔壁上部に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0027】
ここで、隔壁の下部には、基板/補助電極/第1電極が積層された構造、または、基板/第1電極/補助電極が積層された構造が形成されることができる。
【0028】
また、非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、基板/補助電極/第1電極/有機発光層/第2電極が積層された構造が形成されるか、または、基板/第1電極/第2電極が積層された構造が形成されることができる。
【0029】
また、ある隔壁の一部分を覆う絶縁膜と、該隔壁と隣接する隔壁の一部分を覆う絶縁膜は、互いに対称に形成されることができる。
【0030】
また、本発明に係る有機ELディスプレイは、発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、非発光領域の第2基板上に形成される補助電極と、補助電極を含む第2基板の全面に形成される第1電極と、非発光領域の第1電極上に形成される少なくとも2つの隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、発光領域の第1電極上に形成される発光層と、発光層を含む第2基板の全面に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0031】
本発明に係る有機ELディスプレイは、発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、第2基板上に形成される第1電極と、非発光領域の第1電極上に形成される補助電極と、補助電極上に形成される隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、発光領域の第1電極上に形成される発光層と、発光層を含む第2基板の全面に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0032】
本発明に係る有機ELディスプレイの製造方法は、第2基板の非発光領域上に補助電極を形成する段階と、補助電極上部または下部を含む第2基板の全面に、第1電極を形成する段階と、補助電極の形成される領域上に、隔壁を形成する段階と、隔壁の一部分を覆うように絶縁膜を形成する段階と、発光領域の第1電極上に発光層を形成する段階と、発光層を含む第2基板の全面に、第2電極を形成する段階と、第2電極を、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続する段階と、を備えてなることができる。
【発明の効果】
【0033】
本発明によれば、スペーサーを使用しないので、開口率が確保できるだけでなく、製造工程の単純化、信頼性の向上、光効率の向上が図られるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0034】
以下、添付の図面に基づき、本発明に係る有機ELディスプレイ及びその製造方法の好適な実施形態について説明する。
【0035】
図2は、本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【0036】
図2に示すように、本実施形態による接着型有機ELディスプレイは、a−Si薄膜トランジスタ39を持つ第1基板31と、有機EL素子を持つ第2基板32とが接着されてなる。
【0037】
そして、第1基板31の薄膜トランジスタの電極と第2基板32の有機EL素子の電極は、電気的に接続される。
【0038】
ここで、第2基板32上には、補助電極35、アノードの第1電極36、隔壁33、絶縁膜34、有機発光層37、カソードの第2電極38が形成される。
【0039】
また、第2基板32の非発光領域には少なくとも2以上の隔壁33が形成され、隔壁33の下部(紙面では上側部分)には第1電極36と補助電極35が形成される。
【0040】
その後、絶縁膜34は、隔壁33の一部を覆うように形成される。
【0041】
ここで、ある隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34と、この隔壁33と隣接する隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34は、互いに対称に形成される。
【0042】
すなわち、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面と反対側の側面に形成され、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37が形成される。
【0043】
このような構造を持つ本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイの製造方法を、図4A乃至図4Eの工程断面図を参照して説明すると、下記の通りである。
【0044】
まず、図4Aに示すように、第2基板32の非発光領域上に補助電極35を形成する。
【0045】
ここで、補助電極35は、導電性物質からなり、好ましくは、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuなどからなる。
【0046】
次いで、図4Bに示すように、補助電極35を含む第2基板32の全面に、第1電極36を形成する。
【0047】
このときに、第1電極36は、アノードであり、ITO、IZOからなると好ましい。
【0048】
続いて、図4Cに示すように、補助電極35の形成された第1電極36上に、少なくとも2以上の隔壁33を形成する。
【0049】
ここで、隔壁33は、図6Aに示すように、第2電極38が形成される上部面(紙面では下側の面)に比べて下部面(紙面では上側の面)がより狭い構造物とすることが好ましい。
【0050】
また、隔壁33は、図6Bに示すように、第2電極38が形成される上部面に比べて下部面がより広い第1構造物50と、第1構造物50の上部面上に形成され、第1構造物50の下部面よりも広い面を持つ第2構造物51とから構成されても良い。
【0051】
その後、図4Dに示すように、隔壁33の一部分を覆うように絶縁膜34を形成する。
【0052】
ここで、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面と反対側の側面に形成される。
【0053】
なお、絶縁膜34は、有機物や無機物からなり、好ましくは、ポリマーからなると良い。
【0054】
特に、絶縁膜34は、感光性ポリイミド(photosensitive Polyimide)、ポリアクリル(Polyacryl)、ノボラック(novolac)系有機絶縁膜などが好ましい。
【0055】
続いて、図4Eに示すように、発光領域の第1電極36上に有機発光層37を形成し、有機発光層37を含む第2基板32の全面に、カソードの第2電極38を形成する。
【0056】
その後、第2電極38が第1基板31の薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、薄膜トランジスタを持つ第1基板31と有機EL素子を持つ第2基板32とを組み合わせることで、有機ELディスプレイの製作が完了する。
【0057】
このときに、第1基板31と第2基板32は、密封剤(sealant)を使って合着し、第1基板31と第2基板32とが合着してなる有機ELディスプレイの内部は、真空となる。
【0058】
さらに、有機ELディスプレイの内部には、水分及び酸素を吸着させるゲッター(getter)を入れても良い。
【0059】
ここで、ゲッター材料としては、酸化性が非常に強いバリウムを用いることができる。
【0060】
図3は、本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【0061】
本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイは、図3に示すように、p−Si薄膜トランジスタ40を持つ第1基板31と、有機EL素子を持つ第2基板32とが接着されてなる。
【0062】
そして、第1基板31の薄膜トランジスタの電極と第2基板32の有機EL素子の電極とは、電気的に接続される。
【0063】
ここで、第2基板32上には、補助電極35、アノードの第1電極36、隔壁33、絶縁膜34、有機発光層37、カソードの第2電極38が形成される。
【0064】
そして、第2基板32の非発光領域には、少なくとも2以上の隔壁33が形成され、隔壁33の下部には島形の補助電極35と第1電極36が形成される。
【0065】
その後、絶縁膜34は、隔壁33の一部分を覆うように形成される。
【0066】
ここで、ある隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34と、該隔壁33と隣接する隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34とは、互いに対称に形成される。
【0067】
すなわち、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面に形成され、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37が形成されない。
【0068】
このような構造を有する本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造方法を、図5A乃至図5Dの工程断面図を参照して説明すると、下記の通りである。
【0069】
まず、図5Aに示すように、第2基板32上に第1電極36を形成し、第1電極36の非発光領域上に島形の補助電極35を形成する。
【0070】
ここで、補助電極35は、導電性物質からなり、好ましくは、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuなどからなると良い。
【0071】
また、第1電極36は、アノードであり、ITO、IZOからなることが好ましい。
【0072】
続いて、図5Bに示すように、補助電極35上に隔壁33を形成する。
【0073】
その後、図5Cに示すように、隔壁33の一部分を覆うように絶縁膜34を形成する。
【0074】
ここで、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面に形成される。
【0075】
そして、図5Dに示すように、発光領域の第1電極36上に有機発光層37を形成する。このとき、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37を形成しない。有機発光層37を含む第2基板32の全面に、カソードの第2電極38を形成する。
【0076】
続いで、第2電極38が第1基板31の薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、薄膜トランジスタを持つ第1基板31と有機EL素子を持つ第2基板32とを組み合わせることで、有機ELディスプレイの製作が完了する。
【0077】
以上説明してきた内容に基づいて本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということは、当分野で通常の知識をもつ者にとっては明らかである。したがって、本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載された内容に限定されるのではなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0078】
【図1】一般の接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図3】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図4A】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4B】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4C】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4D】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4E】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5A】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5B】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5C】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5D】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図6A】本発明に形成される隔壁の形状を示す図である。
【図6B】本発明に形成される隔壁の形状を示す図である。
【符号の説明】
【0079】
31 第1基板
32 第2基板
33 隔壁
34 絶縁膜
35 補助電極
36 第1電極
37 有機発光層
38 第2電極
39 a−Si薄膜トランジスタ
40 p−Si薄膜トランジスタ
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機ELディスプレイに係り、特に、接着型(adhesive type)有機ELディスプレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、接着型有機ELディスプレイは、画素スイッチング素子、画素駆動用素子などが形成されている下板と、有機物が積層されている上板とから構成され、これら上板と下板を互いに接着して電気的に導通させることで、ディスプレイを完成する。
【0003】
次に、従来技術による接着型有機ELディスプレイの製作過程について説明する。
【0004】
図1は、一般の接着型有機ELディスプレイを示す断面図であり、薄膜トランジスタを持つ下板と有機EL素子を持つ上板とが接着されてなるディスプレイを示している。
【0005】
まず、図1を参照して有機ELディスプレイの下板の製造工程について説明する。
【0006】
透明基板1上に、多結晶シリコンなどからなる半導体層2を形成し、該半導体層2をパターニングして薄膜トランジスタの形成される領域にのみ残す。
【0007】
その後、全面にゲート絶縁膜3とゲート電極用導電膜を順に形成し、該ゲート電極用導電膜をパターニングしてゲート電極4を形成する。
【0008】
続いて、ゲート電極4をマスクとして半導体層2に燐(P)のような不純物を注入し熱処理して、薄膜トランジスタのソース/ドレーン領域を形成することによって、N−MOS薄膜トランジスタが完成する。
【0009】
このときに、不純物イオンの注入していない半導体層2は、チャネル領域となる。
【0010】
その後、全面に層間絶縁膜5を形成し、N−MOS薄膜トランジスタのソース/ドレーン領域が露出されるように層間絶縁膜5とゲート絶縁膜3を選択的に除去する。
【0011】
最後に、露出されたソース/ドレーン領域にそれぞれ電気的に接続されるように電極ライン6を形成することによって、下板製作を完了する。
【0012】
一方、図1を参照して有機ELディスプレイの上板の製造工程を説明すると、下記の通りである。
【0013】
まず、透明基板7上に、ITO、IZOのような仕事関数が高く、透明な伝導性物質からなるアノード8を形成する。
【0014】
このアノード8上の一部分に、ポリイミド(polyimide)のような絶縁性物質を使って絶縁膜9を形成した後、絶縁膜9上に隔壁10を形成する。
【0015】
その後、他の絶縁物質を使って島形のスペーサー11を画素領域に形成する。
【0016】
続いて、スペーサー11を含む全面に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの有機物12を順に蒸着する。
【0017】
その後、電子注入層上にアルミニウムのような仕事関数の低い伝導性物質からなるカソード13を蒸着することで、上板の製作を完了する。
【0018】
このようにして製作された下板と上板を互いに組み合わせる。
【0019】
このときに、上板のスペーサー11上に形成されたカソード13と、下板の電極ライン6とを接触させて互いに電気的に導通するようにする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0020】
しかしながら、このように製作される接着型有機ELディスプレイは、次のような問題点があった。
【0021】
一般に、スペーサーは、隔壁よりも高く、スペーサーの側面角を緩やかに形成しなければならないので、その製作が難しい。
【0022】
また、シャドウマスク(shadow mask)を用いて有機物を形成する際に、シャドウマスクによりスペーサーが崩れたり損傷する恐れがあった。
【0023】
また、スペーサーが発光領域に形成されるので、開口率が小さくなるという問題があった。
【0024】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、スペーサーのない接着型有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【0025】
本発明の他の目的は、工程の単純化、信頼性の向上、高い光効率を実現できる有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0026】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ELディスプレイは、薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、第1基板の薄膜トランジスタと第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2つの隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、隔壁上部に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0027】
ここで、隔壁の下部には、基板/補助電極/第1電極が積層された構造、または、基板/第1電極/補助電極が積層された構造が形成されることができる。
【0028】
また、非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、基板/補助電極/第1電極/有機発光層/第2電極が積層された構造が形成されるか、または、基板/第1電極/第2電極が積層された構造が形成されることができる。
【0029】
また、ある隔壁の一部分を覆う絶縁膜と、該隔壁と隣接する隔壁の一部分を覆う絶縁膜は、互いに対称に形成されることができる。
【0030】
また、本発明に係る有機ELディスプレイは、発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、非発光領域の第2基板上に形成される補助電極と、補助電極を含む第2基板の全面に形成される第1電極と、非発光領域の第1電極上に形成される少なくとも2つの隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、発光領域の第1電極上に形成される発光層と、発光層を含む第2基板の全面に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0031】
本発明に係る有機ELディスプレイは、発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、第2基板上に形成される第1電極と、非発光領域の第1電極上に形成される補助電極と、補助電極上に形成される隔壁と、隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、発光領域の第1電極上に形成される発光層と、発光層を含む第2基板の全面に形成され、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、を備えてなることができる。
【0032】
本発明に係る有機ELディスプレイの製造方法は、第2基板の非発光領域上に補助電極を形成する段階と、補助電極上部または下部を含む第2基板の全面に、第1電極を形成する段階と、補助電極の形成される領域上に、隔壁を形成する段階と、隔壁の一部分を覆うように絶縁膜を形成する段階と、発光領域の第1電極上に発光層を形成する段階と、発光層を含む第2基板の全面に、第2電極を形成する段階と、第2電極を、第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続する段階と、を備えてなることができる。
【発明の効果】
【0033】
本発明によれば、スペーサーを使用しないので、開口率が確保できるだけでなく、製造工程の単純化、信頼性の向上、光効率の向上が図られるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0034】
以下、添付の図面に基づき、本発明に係る有機ELディスプレイ及びその製造方法の好適な実施形態について説明する。
【0035】
図2は、本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【0036】
図2に示すように、本実施形態による接着型有機ELディスプレイは、a−Si薄膜トランジスタ39を持つ第1基板31と、有機EL素子を持つ第2基板32とが接着されてなる。
【0037】
そして、第1基板31の薄膜トランジスタの電極と第2基板32の有機EL素子の電極は、電気的に接続される。
【0038】
ここで、第2基板32上には、補助電極35、アノードの第1電極36、隔壁33、絶縁膜34、有機発光層37、カソードの第2電極38が形成される。
【0039】
また、第2基板32の非発光領域には少なくとも2以上の隔壁33が形成され、隔壁33の下部(紙面では上側部分)には第1電極36と補助電極35が形成される。
【0040】
その後、絶縁膜34は、隔壁33の一部を覆うように形成される。
【0041】
ここで、ある隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34と、この隔壁33と隣接する隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34は、互いに対称に形成される。
【0042】
すなわち、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面と反対側の側面に形成され、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37が形成される。
【0043】
このような構造を持つ本発明の第1実施形態による有機ELディスプレイの製造方法を、図4A乃至図4Eの工程断面図を参照して説明すると、下記の通りである。
【0044】
まず、図4Aに示すように、第2基板32の非発光領域上に補助電極35を形成する。
【0045】
ここで、補助電極35は、導電性物質からなり、好ましくは、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuなどからなる。
【0046】
次いで、図4Bに示すように、補助電極35を含む第2基板32の全面に、第1電極36を形成する。
【0047】
このときに、第1電極36は、アノードであり、ITO、IZOからなると好ましい。
【0048】
続いて、図4Cに示すように、補助電極35の形成された第1電極36上に、少なくとも2以上の隔壁33を形成する。
【0049】
ここで、隔壁33は、図6Aに示すように、第2電極38が形成される上部面(紙面では下側の面)に比べて下部面(紙面では上側の面)がより狭い構造物とすることが好ましい。
【0050】
また、隔壁33は、図6Bに示すように、第2電極38が形成される上部面に比べて下部面がより広い第1構造物50と、第1構造物50の上部面上に形成され、第1構造物50の下部面よりも広い面を持つ第2構造物51とから構成されても良い。
【0051】
その後、図4Dに示すように、隔壁33の一部分を覆うように絶縁膜34を形成する。
【0052】
ここで、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面と反対側の側面に形成される。
【0053】
なお、絶縁膜34は、有機物や無機物からなり、好ましくは、ポリマーからなると良い。
【0054】
特に、絶縁膜34は、感光性ポリイミド(photosensitive Polyimide)、ポリアクリル(Polyacryl)、ノボラック(novolac)系有機絶縁膜などが好ましい。
【0055】
続いて、図4Eに示すように、発光領域の第1電極36上に有機発光層37を形成し、有機発光層37を含む第2基板32の全面に、カソードの第2電極38を形成する。
【0056】
その後、第2電極38が第1基板31の薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、薄膜トランジスタを持つ第1基板31と有機EL素子を持つ第2基板32とを組み合わせることで、有機ELディスプレイの製作が完了する。
【0057】
このときに、第1基板31と第2基板32は、密封剤(sealant)を使って合着し、第1基板31と第2基板32とが合着してなる有機ELディスプレイの内部は、真空となる。
【0058】
さらに、有機ELディスプレイの内部には、水分及び酸素を吸着させるゲッター(getter)を入れても良い。
【0059】
ここで、ゲッター材料としては、酸化性が非常に強いバリウムを用いることができる。
【0060】
図3は、本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【0061】
本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイは、図3に示すように、p−Si薄膜トランジスタ40を持つ第1基板31と、有機EL素子を持つ第2基板32とが接着されてなる。
【0062】
そして、第1基板31の薄膜トランジスタの電極と第2基板32の有機EL素子の電極とは、電気的に接続される。
【0063】
ここで、第2基板32上には、補助電極35、アノードの第1電極36、隔壁33、絶縁膜34、有機発光層37、カソードの第2電極38が形成される。
【0064】
そして、第2基板32の非発光領域には、少なくとも2以上の隔壁33が形成され、隔壁33の下部には島形の補助電極35と第1電極36が形成される。
【0065】
その後、絶縁膜34は、隔壁33の一部分を覆うように形成される。
【0066】
ここで、ある隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34と、該隔壁33と隣接する隔壁33の一部分を覆う絶縁膜34とは、互いに対称に形成される。
【0067】
すなわち、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面に形成され、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37が形成されない。
【0068】
このような構造を有する本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造方法を、図5A乃至図5Dの工程断面図を参照して説明すると、下記の通りである。
【0069】
まず、図5Aに示すように、第2基板32上に第1電極36を形成し、第1電極36の非発光領域上に島形の補助電極35を形成する。
【0070】
ここで、補助電極35は、導電性物質からなり、好ましくは、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuなどからなると良い。
【0071】
また、第1電極36は、アノードであり、ITO、IZOからなることが好ましい。
【0072】
続いて、図5Bに示すように、補助電極35上に隔壁33を形成する。
【0073】
その後、図5Cに示すように、隔壁33の一部分を覆うように絶縁膜34を形成する。
【0074】
ここで、絶縁膜34は、互いに隣接する隔壁33が向かい合う側面に形成される。
【0075】
そして、図5Dに示すように、発光領域の第1電極36上に有機発光層37を形成する。このとき、互いに隣接する隔壁33の間には有機発光層37を形成しない。有機発光層37を含む第2基板32の全面に、カソードの第2電極38を形成する。
【0076】
続いで、第2電極38が第1基板31の薄膜トランジスタと電気的に接続されるように、薄膜トランジスタを持つ第1基板31と有機EL素子を持つ第2基板32とを組み合わせることで、有機ELディスプレイの製作が完了する。
【0077】
以上説明してきた内容に基づいて本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということは、当分野で通常の知識をもつ者にとっては明らかである。したがって、本発明の技術的範囲は、上記の実施形態に記載された内容に限定されるのではなく、特許請求の範囲によって定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【0078】
【図1】一般の接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図3】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイを示す断面図である。
【図4A】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4B】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4C】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4D】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図4E】本発明の第1実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5A】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5B】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5C】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図5D】本発明の第2実施形態による接着型有機ELディスプレイの製造工程を示す工程断面図である。
【図6A】本発明に形成される隔壁の形状を示す図である。
【図6B】本発明に形成される隔壁の形状を示す図である。
【符号の説明】
【0079】
31 第1基板
32 第2基板
33 隔壁
34 絶縁膜
35 補助電極
36 第1電極
37 有機発光層
38 第2電極
39 a−Si薄膜トランジスタ
40 p−Si薄膜トランジスタ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
前記第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2つの隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記隔壁上部に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項2】
前記隔壁の下部には、基板/補助電極/第1電極が積層された構造、または、基板/第1電極/補助電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項3】
前記第1電極がアノードであり、前記第2電極がカソードであることを特徴とする請求項2に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項4】
前記補助電極が、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuのうち少なくとも1つからなり、前記第1電極は、ITO、IZOのうち少なくとも1つからなることを特徴とする請求項2に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項5】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、基板/補助電極/第1電極/有機発光層/第2電極が積層された構造が形成されるか、または、基板/第1電極/第2電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項6】
前記隔壁が、前記第2電極が形成される上部面に比べて下部面がより狭い構造物であることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項7】
前記隔壁が、
前記第2電極が形成される上部面に比べて下部面がより広い第1構造物と、
前記第1構造物の上部面上に形成され、前記第1構造物の下部面よりも広い面を持つ第2構造物と、
から構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項8】
前記ある隔壁の一部分を覆う絶縁膜と、該隔壁と隣接する隔壁の一部分を覆う絶縁膜とが、互いに対称に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項9】
前記絶縁膜は、感光性ポリイミド(photosensitive Polyimide)、ポリアクリル(Polyacryl)、ノボラック(novolac)系有機絶縁膜のうち少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項10】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、
前記非発光領域の第2基板上に形成される補助電極と、
前記補助電極を含む第2基板の全面に形成される第1電極と、
前記非発光領域の第1電極上に形成される少なくとも2つの隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記発光領域の第1電極上に形成される発光層と、
前記発光層を含む第2基板の全面に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項11】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、前記第1電極上に有機発光層と第2電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項10に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項12】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、
前記第2基板上に形成される第1電極と、
前記非発光領域の第1電極上に形成される補助電極と、
前記補助電極上に形成される隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記発光領域の第1電極上に形成される発光層と、
前記発光層を含む第2基板の全面に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項13】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間において、第1電極上に第2電極が形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項14】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とを備える有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記第2基板の非発光領域上に補助電極を形成する段階と、
前記補助電極上部または下部を含む前記第2基板の全面に、第1電極を形成する段階と、
前記補助電極の形成される領域上に、隔壁を形成する段階と、
前記隔壁の一部分を覆うように絶縁膜を形成する段階と、
前記発光領域の第1電極上に発光層を形成する段階と、
前記発光層を含む第2基板の全面に、第2電極を形成する段階と、
前記第2電極を、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続する段階と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ製造方法。
【請求項15】
前記補助電極上部に第1電極を形成する場合に、前記絶縁膜は、前記互いに隣接する隔壁が向かい合う側面と反対側の側面に形成し、前記互いに隣接する隔壁の間に発光層を形成することを特徴とする請求項14に記載の有機ELディスプレイ製造方法。
【請求項16】
前記補助電極下部に第1電極を形成する場合に、前記絶縁膜は、前記互いに隣接する隔壁が向かい合う側面に形成し、前記互いに隣接する隔壁の間には発光層を形成しないことを特徴とする請求項14に記載の有機ELディスプレイ製造方法。
【請求項1】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
前記第2基板の非発光領域に形成される少なくとも2つの隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記隔壁上部に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項2】
前記隔壁の下部には、基板/補助電極/第1電極が積層された構造、または、基板/第1電極/補助電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項3】
前記第1電極がアノードであり、前記第2電極がカソードであることを特徴とする請求項2に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項4】
前記補助電極が、Al、Mo、AnNd合金、Cr、Cuのうち少なくとも1つからなり、前記第1電極は、ITO、IZOのうち少なくとも1つからなることを特徴とする請求項2に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項5】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、基板/補助電極/第1電極/有機発光層/第2電極が積層された構造が形成されるか、または、基板/第1電極/第2電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項6】
前記隔壁が、前記第2電極が形成される上部面に比べて下部面がより狭い構造物であることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項7】
前記隔壁が、
前記第2電極が形成される上部面に比べて下部面がより広い第1構造物と、
前記第1構造物の上部面上に形成され、前記第1構造物の下部面よりも広い面を持つ第2構造物と、
から構成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項8】
前記ある隔壁の一部分を覆う絶縁膜と、該隔壁と隣接する隔壁の一部分を覆う絶縁膜とが、互いに対称に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項9】
前記絶縁膜は、感光性ポリイミド(photosensitive Polyimide)、ポリアクリル(Polyacryl)、ノボラック(novolac)系有機絶縁膜のうち少なくとも1つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項10】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、
前記非発光領域の第2基板上に形成される補助電極と、
前記補助電極を含む第2基板の全面に形成される第1電極と、
前記非発光領域の第1電極上に形成される少なくとも2つの隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記発光領域の第1電極上に形成される発光層と、
前記発光層を含む第2基板の全面に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項11】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間には、前記第1電極上に有機発光層と第2電極が積層された構造が形成されることを特徴とする請求項10に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項12】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とから構成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと前記第2基板の有機EL素子とが電気的に接続される有機ELディスプレイであって、
発光領域と非発光領域を持つ第2基板と、
前記第2基板上に形成される第1電極と、
前記非発光領域の第1電極上に形成される補助電極と、
前記補助電極上に形成される隔壁と、
前記隔壁の一部分を覆うように形成される絶縁膜と、
前記発光領域の第1電極上に形成される発光層と、
前記発光層を含む第2基板の全面に形成され、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続される第2電極と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ。
【請求項13】
前記非発光領域に形成された隔壁と隔壁の間において、第1電極上に第2電極が形成されることを特徴とする請求項12に記載の有機ELディスプレイ。
【請求項14】
薄膜トランジスタを持つ第1基板と、有機EL素子を持つ第2基板とを備える有機ELディスプレイの製造方法であって、
前記第2基板の非発光領域上に補助電極を形成する段階と、
前記補助電極上部または下部を含む前記第2基板の全面に、第1電極を形成する段階と、
前記補助電極の形成される領域上に、隔壁を形成する段階と、
前記隔壁の一部分を覆うように絶縁膜を形成する段階と、
前記発光領域の第1電極上に発光層を形成する段階と、
前記発光層を含む第2基板の全面に、第2電極を形成する段階と、
前記第2電極を、前記第1基板の薄膜トランジスタと電気的に接続する段階と、
を備えてなることを特徴とする有機ELディスプレイ製造方法。
【請求項15】
前記補助電極上部に第1電極を形成する場合に、前記絶縁膜は、前記互いに隣接する隔壁が向かい合う側面と反対側の側面に形成し、前記互いに隣接する隔壁の間に発光層を形成することを特徴とする請求項14に記載の有機ELディスプレイ製造方法。
【請求項16】
前記補助電極下部に第1電極を形成する場合に、前記絶縁膜は、前記互いに隣接する隔壁が向かい合う側面に形成し、前記互いに隣接する隔壁の間には発光層を形成しないことを特徴とする請求項14に記載の有機ELディスプレイ製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図6A】
【図6B】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図5D】
【図6A】
【図6B】
【公開番号】特開2006−164972(P2006−164972A)
【公開日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−345938(P2005−345938)
【出願日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【出願人】(590001669)エルジー電子株式会社 (296)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年6月22日(2006.6.22)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年11月30日(2005.11.30)
【出願人】(590001669)エルジー電子株式会社 (296)
【Fターム(参考)】
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