有機ＥＬ表示装置及びその製造方法
【課題】有機ＥＬ表示装置の製造で発光層をパターン成膜するための金属製ファインマスクを使用することなしに多色画像を表示可能とする。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々が画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間にホール輸送層ＨＴＬと発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層ＥＭＬとを積層した積層体を含む有機物層ＯＲＧを有している。第１発光層ＥＭＬ１は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料ＥＭ１を含む。第２発光層ＥＭＬ２は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料ＥＭ２を含む。ホール輸送層ＨＴＬは、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されている。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々が画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間にホール輸送層ＨＴＬと発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層ＥＭＬとを積層した積層体を含む有機物層ＯＲＧを有している。第１発光層ＥＭＬ１は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料ＥＭ１を含む。第２発光層ＥＭＬ２は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料ＥＭ２を含む。ホール輸送層ＨＴＬは、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表される平面表示装置は、ＣＲＴディスプレイと比較して、薄型、軽量、低消費電力であるといった特徴を活かして、需要が急速に伸びてきており、携帯情報端末機器を始め、大型テレビ等の種々のディスプレイに利用されるようになってきている。そして、近年では、液晶表示装置に比べて、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要があり、赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法としては、真空蒸着法で成膜する低分子有機ＥＬ材料の場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある。
【０００４】
しかしながら、この金属製のファインマスクを用いたマスク蒸着法では、表示装置として高い精細度（解像度）が要求され、画素が細かくなった場合には、十分な精度を出すことが困難となり、各色の発光材料が交じり合ってしまう、所謂、混色不良が多発して、正常な表示を得ることができない。これは、所謂、フォトリソグラフィに用いられるフォトマスクとは異なり、金属製のマスクの場合、初期の加工精度の低さに加え、蒸着源の輻射熱による熱膨張や歪みによって、開口の大きさや開口位置が大きく変わってしまうことなどが原因として挙げられる。
【０００５】
また、金属製のマスクを用いたマスク蒸着法は、マスクの大きさを大きくすればするほど、更に精度が低下し、表示装置の大形化にも制限が出てくる。
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、高精細な多色画像を表示可能とする有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様による有機ＥＬ表示装置によれば、
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様による有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
少なくとも１回の露光工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機ＥＬ表示装置の製造過程において発光層をパターン成膜するための金属製ファインマスクを使用することなしに、高精細な多色画像を表示可能とする有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図３は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図４は、図２の表示装置で採用可能な画素の配置の一例を概略的に示す平面図である。
【００１２】
図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１３】
表示パネルＤＰは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢ上には、図示しないアンダーコート層が形成されている。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板ＳＵＢ上にＳｉＮx層とＳｉＯx層とをこの順に積層してなる。
【００１４】
アンダーコート層上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。
【００１５】
なお、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、この順にＸ方向に並んでおり、トリプレットを構成している。表示領域内では、このトリプレットがＸ方向とＹ方向とに配列されている。すなわち、表示領域内では、画素ＰＸ１をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ２をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ３をＹ方向に並べてなる画素列とがこの順にＸ方向に並べられ、さらに、これら３つの画素列がＸ方向に繰り返し並べられている。
【００１６】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩによって被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）などを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延びており、Ｙ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷなどを用いて形成されている。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。上部電極は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列しており、下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷなどを用いて形成され、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１８】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、スイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、下部電極と上部電極とそれらの間に介在したゲート絶縁膜ＧＩとは、キャパシタＣを構成している。上部電極は、半導体層ＳＣと交差した延長部を含んでいる。延長部と半導体層ＳＣとの交差部は、駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００１９】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２において参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２０】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、層間絶縁膜ＩＩによって被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積させたＳｉＯxなどを用いて形成されている。
【００２１】
層間絶縁膜ＩＩ上には、映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々において素子同士を接続している。また、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに空けられたコンタクトホールにより、半導体層ＳＣに設けられた不純物拡散領域に接続されている。
【００２２】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。これらの映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳによって被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどを用いて形成されている。
【００２３】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極（例えば第１電極に相当する）ＰＥが、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥに接続されている。このドレイン電極は、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの光透過性を有する導電材料を使用することができる。
【００２４】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２５】
各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧは、典型的には、図２に示すように、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜である。すなわち、有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥと隔壁絶縁層ＰＩとを被覆している。
【００２６】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極（例えば第２電極に相当する）ＣＥによって被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極であり、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で共用する共通電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００２７】
画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥとは、画素電極ＰＥに対応して配列した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成している。なお、図４において、参照符号ＥＡ１乃至ＥＡ３は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光部をそれぞれ示している。発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の各々は、Ｙ方向に延びた直角四辺形である。図４の構造では、発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の面積は、互いに略等しい。
【００２８】
画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００２９】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３０】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００３１】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、絶縁基板ＳＵＢ上に配置されている。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）実装されている。なお、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）実装してもよい。或いは、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、絶縁基板ＳＵＢ上に直接形成してもよい。
【００３２】
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力するとともに、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。
【００３３】
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。
【００３４】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ２を順次走査する。すなわち、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を行毎に選択する。或る行を選択している選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対して書込動作を行なう。そして、その行を選択していない非選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で表示動作を行なう。
【００３５】
或る行の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を選択する選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを、先の映像信号Ｉｓｉｇに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００３６】
選択期間に続く非選択期間では、スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応した大きさの駆動電流Ｉｄｒｖが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉｄｒｖの大きさに対応した輝度で発光する。ここで、Ｉｄｒｖ≒Ｉｓｉｇとなり、各画素で、電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇに対応した発光を得ることができる。
【００３７】
尚、上記した例は、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したものであるが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能であり、特に上記の例に限定したものではない。また、本態様では、ｐチャネル薄膜トランジスタを使用したが、ｎチャネル薄膜トランジスタを使用しても、本発明の本質を変えるものではない。
【００３８】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの封止は、乾燥剤を付けたガラスなどによって形成した封止基板ＳＵＢ２を表示領域の周辺に塗布したシール材で貼り合わせて実施する。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの封止については、上述した例に限らず、表示領域の周辺にループ状に配置したフリットガラス（低融点ガラス）を用いてガラスである封止基板ＳＵＢ２を絶縁基板ＳＵＢに接合するものであっても良い。
【００３９】
以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
本実施例では、３．０型ＷＶＧＡ有機ＥＬディスプレイを作成した。画素サイズは８２．５μｍ×２７．５μｍであり、画素数は８００×３×４８０である。ここで、画素サイズは、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３のそれぞれの大きさを示しており、本実施例では全て同じ大きさとした。また、本実施例では、画素電極ＰＥのＩＴＯは厚さ５０ｎｍとした。
【００４０】
本実施例では、図３に示すように、有機物層ＯＲＧは、ホール輸送層ＨＴＬ、赤色発光層ＥＭＬ１、緑色発光層ＥＭＬ２、及び、青色発光層ＥＭＬ３を積層して形成した。ホール輸送層ＨＴＬ、赤色発光層ＥＭＬ１、緑色発光層ＥＭＬ２、及び、青色発光層ＥＭＬ３は、それぞれ、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜として形成した。
【００４１】
ここで、ホール輸送層ＨＴＬとしては、１，３，５，-トリス（３−メチルジフェニルアミノ）-ベンゼン（略称；ｍ-ＭＴＤＡＢ 1,3,5-Tris(3-methyldiphenylamino)-benzene）からなる厚さ３０ｎｍの層を真空蒸着法により形成した。このホール輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４２】
また、赤色発光層ＥＭＬ１は、第１ホスト材料ＨＭ１と、発光色が赤色の第１ドーパント材料ＥＭ１との混合物によって形成されている。第１ドーパント材料ＥＭ１は、赤色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる赤色発光材料である。本実施例では、赤色発光層ＥＭＬ１としては、第１ホスト材料ＨＭ１：９，９-ビス（９-フェニル-９H-カルバゾル）フルオレン（略称；ＦＬ-２ＣＢＰ）、及び、第１ドーパント材料ＥＭ１：４−（ジシアノメチレン）−２−メチル―６−(ジュロリジン―４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン（略称；ＤＣＭ２）からなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この赤色発光層ＥＭＬ１は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４３】
緑色発光層ＥＭＬ２は、第２ホスト材料ＨＭ２と、発光色が緑色の第２ドーパント材料ＥＭ２との混合物によって形成されている。第２ドーパント材料ＥＭ２は、緑色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる緑色発光材料である。本実施例では、緑色発光層ＥＭＬ２としては、第２ホスト材料ＨＭ２：ＦＬ−２ＣＢＰ、及び、第２ドーパント材料ＥＭ２：トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（略称；Ａｌｑ３）からなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この緑色発光層ＥＭＬ２は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４４】
青色発光層ＥＭＬ３は、発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜である。この青色発光層ＥＭＬ３は、例えば、第３ホスト材料ＨＭ３と、発光色が青色の第３ドーパント材料ＥＭ３との混合物によって形成されている。本実施例では、青色発光層ＥＭＬ３としては、第３ホスト材料ＨＭ３：４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル−エテン−１−イル）−ジフェニル（ＢＰＶＢＩ）、及び、第３ドーパント材料ＥＭ３：ペリレンからなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この青色発光層ＥＭＬ３は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４５】
なお、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２としては、上述した例の他に、１，３，５−トリス（カルバゾル−９−イル）ベンゼン（略称；ＴＣＰ）を用いても良い。
【００４６】
ホール輸送層ＨＴＬを形成する材料に要求される特性としては、その吸光度スペクトル特性において、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２のそれぞれの吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有していることである。
【００４７】
本実施例では、上述したように、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び、画素ＰＸ３が同一構成の有機物層ＯＲＧを有していながら、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び、画素ＰＸ３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは赤色に発光し、画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは緑色に発光し、画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは青色に発光する。
【００４８】
なお、波長が４００ｎｍ乃至４３５ｎｍの範囲内にある光の色を紫、波長が４３５ｎｍ乃至４８０ｎｍの範囲内にある光の色を青、波長が４８０ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を緑青、波長が４９０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にある光の色を青緑、波長が５００ｎｍ乃至５６０ｎｍの範囲内にある光の色を緑、波長が５６０ｎｍ乃至５８０ｎｍの範囲内にある光の色を黄緑、波長が５８０ｎｍ乃至５９５ｎｍの範囲内にある光の色を黄、波長が５９５ｎｍ乃至６１０ｎｍの範囲内にある光の色を橙、波長が６１０ｎｍ乃至７５０ｎｍの範囲内にある光の色を赤、波長が７５０ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤紫と定義するのが一般的であり、ここでは、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を青色、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い光の色を緑色、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤色と定義する。
【００４９】
本実施例で適用した第１ドーパント材料ＥＭ１：ＤＣＭ２、第２ドーパント材料ＥＭ２：Ａｌｑ３、及び、ホール輸送層ＨＴＬであるｍ-ＭＴＤＡＢのそれぞれについて規格化した吸光度スペクトル特性を図５に示す。
【００５０】
すなわち、第１ドーパント材料ＥＭ１であるＤＣＭ２は、図５において（ａ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長５００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している。また、第２ドーパント材料ＥＭ２であるＡｌｑ３は、図５において（ｂ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長４００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している。
【００５１】
ホール輸送層ＨＴＬであるｍ-ＭＴＤＡＢは、図５において（ｃ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長３００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している一方で、３４５ｎｍ以上の波長から実質的な吸光度ボトムを有している。ここで、吸光度ボトムとは、規格化した吸光度スペクトル特性において、概略Ｌ字状に連続的に分布したスペクトルのうちの底辺となり始める部分に相当し、また、概略Ｕ字状に連続的に分布したスペクトルのうちの最底となる部分に相当し、規格化した吸光度が１０％以下となっている。
【００５２】
このｍ-ＭＴＤＡＢについては、波長３４５ｎｍより長波長側においては、規格化吸光度が１０％以下であり、吸光度スペクトルはＬ字状に連続して低減しており、規格化吸光度が６％以下となる波長３５０ｎｍ付近が、吸光度ボトムである。
【００５３】
つまり、ｍ-ＭＴＤＡＢの吸光度ボトムは、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも短波長側にある。
【００５４】
以下に製造方法を記載する。図６にそのプロセスフローを示し、図７に図６中の露光工程の概略を示す。
【００５５】
まず、先に説明した表示パネルＤＰから対向電極ＣＥと有機物層ＯＲＧを除いた構造、すなわちアレイ基板を、アレイ工程で準備する。
【００５６】
次に、画素電極ＰＥ上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、ホール輸送層ＨＴＬを、真空蒸着法によって形成する。ここで、ホール輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜であり、画素毎に開口が形成されたファインマスクではなく、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを使用したマスク蒸着で形成する。この工程を図６中に、ＨＴＬ蒸着と示す。
【００５７】
次に、ホール輸送層ＨＴＬ上に、赤色発光層ＥＭＬ１を、真空蒸着法によって形成する。ここで、赤色発光層ＥＭＬ１は、表示領域に亘って広がった連続膜であり、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを使用したマスク蒸着で形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ１蒸着と示す。
【００５８】
次に、画素ＰＸ２乃至ＰＸ３の領域に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を、概略０．１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１（０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１）の強度で照射する。このとき、画素ＰＸ１の領域には、フォトマスク（図７中のＭＡＳＫ１）を用いて、光が照射されないようにする。この工程を図６中に、ＰＨＯＴＯ１露光と示す。
【００５９】
次に、赤色発光層ＥＭＬ１上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、緑色発光層ＥＭＬ２を、ラフマスクを用いた真空蒸着法によって、表示領域に亘って広がった連続膜として形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ２蒸着と示す。
【００６０】
次に、画素ＰＸ３の領域に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を、概略０．１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１（０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１）の強度で照射する。このとき、画素ＰＸ１乃至ＰＸ２には、フォトマスク（図７中のＭＡＳＫ２）を用いて、光が照射されないようにする。この工程を図６中に、ＰＨＯＴＯ２露光と示す。
【００６１】
次に、緑色発光層ＥＭＬ２上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、青色発光層ＥＭＬ３を、ラフマスクを用いた真空蒸着法によって、表示領域に亘って広がった連続膜として形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ３蒸着と示す。
【００６２】
その後、青色発光層ＥＭＬ３上に、対向電極ＣＥを形成する。この工程を図６中にＣＥ蒸着と示す。本実施例では、対向電極ＣＥとしては、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム層を形成した。対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。本実施例では、各発光層ＥＭＬでの発光を絶縁基板ＳＵＢ側に取り出すための反射層も兼ねている。
【００６３】
さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装する。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得る。
【００６４】
ここで、表示領域の開口に要求されるパターニング精度は、表示領域外に十分な寸法が取れるので、画素毎に塗り分けるパターニング精度よりも１桁以上低くても良い。したがって、ラフマスクに要求される開口精度は低く、金属製のマスクによるマスク蒸着でも十分に形成することができる。
【００６５】
一方、画素毎に光を照射する露光工程のパターニング精度は、フォトマスクを用いるので、照射する画素と照射しない画素とを高精度に分けることができる。すなわち、画素寸法の小さい場合でも、照射したい画素以外の領域に光を照射することがなく、処理することができる。
【００６６】
ところで、１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが複数の発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を含んでいると、１つの色だけでなく、他の色も発光する可能性がある。
【００６７】
通常、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を積層しただけの構成では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、全て同じ色に発光し、フルカラー表示を得ることができない。
【００６８】
そこで、本発明では、光を照射する画素と、光を照射しない画素とを、フォトマスクを用いた露光工程で分離し、各画素の発光色を制御する。
【００６９】
図８は、本発明の画素の発光色を制御する原理の一つを示した図である。
【００７０】
通常、ホール輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬ１及至ＥＭＬ３とが積層された構造では、基本的には、赤色発光層ＥＭＬ１が発光しやすい。なぜなら、エネルギーの高い青色および緑色は、エネルギーの最も低い赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１に吸収され、赤色に変換されるので、このようなＲＧＢの積層構造にした場合は、赤色が最も発光しやすい。したがって、光が照射されない画素ＰＸ１では、赤色が発光することになる。
【００７１】
次に、赤色発光層ＥＭＬ１の蒸着後の「ＰＨＯＴＯ１露光」工程において、ホール輸送層ＨＴＬ及び赤色発光層ＥＭＬ１に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射された画素ＰＸ２では、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度が小さく、また、光を吸収してもホール輸送層ＨＴＬが、分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【００７２】
それ故、３６０〜８００ｎｍの光は、エネルギーの最も低い赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１に吸収されることになり、この第１ドーパント材料ＥＭ１のみが分解または重合または分子構造が変わることにより、赤色の光を発光しなくなる、所謂、消光する。つまり、画素ＰＸ２における発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち、赤色発光層ＥＭＬ１における第１ドーパント材料ＥＭ１が発光能を喪失している。この状態で、積層構造になると、赤色の次にエネルギーの低い緑色が発光しやすくなり、画素ＰＸ２は、緑色に発光するようになる。
【００７３】
更に、緑色発光層ＥＭＬ２の蒸着後「ＰＨＯＴＯ２露光」工程において、緑色発光層ＥＭＬ２にも、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射された画素ＰＸ３では、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、緑色発光層ＥＭＬ２の第２ドーパント材料ＥＭ２が光吸収により分解または重合または分子構造が変わることにより、緑色の光を発光しなくなる。なお、この画素ＰＸ３については、「ＰＨＯＴＯ１露光」工程において、赤色発光層ＥＭＬ１にも、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射されているため、第１ドーパント材料ＥＭ１が光吸収により、赤色の光を発光しなくなっている。
【００７４】
つまり、画素ＰＸ３における発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち、赤色発光層ＥＭＬ１における第１ドーパント材料ＥＭ１及び緑色発光層ＥＭＬ２における第２ドーパント材料ＥＭ２が発光能を喪失している。この状態で、積層構造になると、青色よりエネルギーの低い発光をする層がなくなるので、青色が発光しやすくなり、画素ＰＸ３は、青色に発光するようになる。
【００７５】
このとき、画素ＰＸ２では、赤色発光層ＥＭＬ１が、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、第１ドーパント材料ＥＭ１を消光すると同時に、赤色発光層ＥＭＬ１のホール注入性またはホール輸送性が増し、光照射の無い場合、すなわち、画素ＰＸ１では、赤色発光層ＥＭＬ１にあった発光位置が、電子と正孔のバランスが変化することにより、緑色発光層ＥＭＬ２に移るようにする。これにより、画素ＰＸ２の発光効率が向上し、緑色の発光強度を増加させることができる。
【００７６】
また、同様に、画素ＰＸ３では、緑色発光層ＥＭＬ２が、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、第２ドーパント材料ＥＭ２を消光すると同時に緑色発光層ＥＭＬ２のホール注入性またはホール輸送性が増し、画素ＰＸ２では、緑色発光層ＥＭＬ２にあった発光位置が、更に、電子と正孔のバランスが変化することにより、青色発光層ＥＭＬ３に移るようにする。これにより、画素ＰＸ３の発光効率が向上し、青色の発光強度を増加させることができる。
【００７７】
また、この例では、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、赤色発光層ＥＭＬ１および緑色発光層ＥＭＬ２のホール注入性またはホール輸送性が増加する場合を記載したが、赤色発光層ＥＭＬ１および緑色発光層ＥＭＬ２の電子注入性または電子輸送性が低下することでも同様の効果を得ることができる。
【００７８】
上述したように、赤色発光層ＥＭＬ１に含まれる第１ドーパント材料ＥＭ１、及び、緑色発光層ＥＭＬ２に含まれる第２ドーパント材料ＥＭ２を、露光により消光させる際、露光時間が短いほど、有機ＥＬ表示装置の生産性を向上することができる。
【００７９】
露光時間を短くする手段としては、露光強度を高くする方法がある。一般的な露光装置の光源である高圧水銀ランプの照射光波長は、２００〜６００ｎｍの領域であり、その発光スペクトル特性において、発光強度が最大のピーク波長は３６５ｎｍである。
【００８０】
この高圧水銀ランプの全ての波長を露光すると、照射強度が高くなるが、赤色発光層ＥＭＬ１、及び、緑色発光層ＥＭＬ２だけでなく、ホール輸送層ＨＴＬも吸光する波長が含まれる。その故、ホール輸送層ＨＴＬの分解または重合または分子構造の変化が起こる可能性がある。そのため、ホール輸送層ＨＴＬのホール輸送性能が低減する可能性があり、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題が発生する。
【００８１】
そこで、ホール輸送層ＨＴＬがほとんど吸光することなく、赤色ドーパント材料または緑色ドーパント材料のみが吸光する波長を照射することが考えられる。しかしながら、このような場合には、波長を選択するための光学フィルターが適用されるため、露光の際には、照射波長を限定することによる照射強度の低減に加え、光学フィルター自身の吸収などにより光学フィルターを透過する際の照射強度の低減もあり、露光強度が低減し、露光時間が長くなるため、生産性が低減するおそれがある。
【００８２】
露光工程に用いる光の波長として、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムよりも長波長の光を照射することにより、ホール輸送層ＨＴＬを形成する材料の分解または重合または分子構造の変化が起きない。
【００８３】
一方で、発光能を消失させたい第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２は、その吸光度スペクトル特性においてホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムよりも長波長側に吸光度ピークを有している。このため、露光工程においては、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトム付近の波長を含み、その波長から長波長の光を照射する。
【００８４】
つまり、露光工程の露光波長は、紫外領域（２００〜４００ｎｍ）においてホール輸送層ＨＴＬの規格化吸光度が１０％以下となる波長よりも長波長領域（光源のピーク波長を含む）と、可視光領域が全て使用できるため、露光強度を高く維持することができ、露光時間の短縮による生産性の向上を図ることが可能となる。
【００８５】
このように、本発明を適用することにより、画素毎にＲＧＢを塗り分けるための金属製のファインマスクを使うことなく、ＲＧＢ各画素に対応した色を発光させ、フルカラー表示を得ることできる。
【００８６】
また、ファインマスクを使った蒸着の場合、マスク上に無駄な膜が形成されやすく、それにより、画素の開口の孔が塞いでしまう。それにより、画素に成膜される発光層ＥＭＬの成膜レートが低下し、より多くの材料を消費することになる。それに伴い、マスクを洗浄する回数が増える。これに対し、本発明では、開口が広く、マスク上に無駄な膜が形成され難いラフマスクのみを使うので、ファインマスクを使用した場合と比較して、より生産性が高く、環境負荷が少ない。
【００８７】
したがって、本発明では、高精細、大形のフルカラー有機ＥＬ表示装置を、環境に優しく、高い生産性を持って提供することが可能になる。
【００８８】
以上のようにして、図１および図２に示す本発明の有機ＥＬ表示装置を得た。
【００８９】
その結果、画素ＰＸ１では、赤色が発光し、画素ＰＸ２では、緑色が発光し、画素ＰＸ３では、青色が発光し、いずれも混色することはなかった。それぞれ、発光効率は、赤色が８ｃｄ／Ａ、（０．６５，０．３５）、緑色が１０ｃｄ／Ａ、（０．３０，０．６０）、青色が３ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．１２）であった。
【００９０】
なお、上述の値は、画面を正面から観察したときに１００ｃｄ／ｍ2の輝度で（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３１５）の基準白色（Ｃ）が表示されるようにし、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｘ，ｙ）とを測定した値である。
【００９１】
また、本実施例では、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３を全て同じ大きさとしたが、例えば、各画素の発光色の輝度劣化寿命を揃えるために、画素の大きさは、異ならせても良い。これにより、白色が着色しにくくすることができる。
【００９２】
以下、本発明の別の実施例を示す。
【００９３】
（実施例２：第１ドーパント材料と第２ドーパント材料の吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と第２ホスト材料を使用する場合）
この例の構造は、図３の構造と同様であり、プロセスフローも図６と同様である。
【００９４】
実施例１において、「ＰＨＯＴＯ１露光」及び「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射する際、ドーパント材料だけでなく、ホスト材料も吸光する波長が含まれる場合、ホスト材料が吸光したエネルギーの大部分は、エネルギーの低い赤色ドーパント材料、または緑色ドーパント材料に吸収されるが、ドーパント材料へ移行されなかったエネルギーによって、ホスト材料自身の分解または重合または分子構造の変化が起こる可能性がある。
【００９５】
ホスト材料は、ＥＬ発光時の電子やホールを輸送する機能や、ホスト材料自身が電子とホールのキャリア結合サイトとなり、フィルスター遷移によって励起エネルギーを、ドーパント材料に遷移する役割などがある。しかし、ホスト材料が、分解または重合または分子構造が変わることにより、このキャリア輸送性やキャリア結合サイトとしての性能が、低減する可能性があり、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題が発生する。
【００９６】
そこで、実施例１のホール輸送層ＨＴＬと同様に、第１ホスト材料ＨＭ１と第２ホスト材料ＨＭ２の吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムが、発光能を消失させたい第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも、短波長側にあれば、これらのホスト材料の分解または重合または分子構造の変化が起きない。それ故、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題は発生しない。
【００９７】
例えば、実施例１にて適用した第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２であるＦＬ-２ＣＢＰの規格化した吸光度スペクトル特性については、波長３００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している一方で、波長３５０ｎｍから４００ｎｍの間に実質的な吸光度ボトムを有している。波長３５０ｎｍより短波長側においては、規格化吸光度が１０％以上であるのに対して、波長３６０ｎｍ付近で吸光度ボトムとなり、それ以上の長波長においては概ね規格化吸光度が１０％以下である。
【００９８】
つまり、ＦＬ-２ＣＢＰの吸光度ボトムは、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも短波長側にある。それ故、「ＰＨＯＴＯ１露光」と「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射しても、実施例１のホール輸送層ＨＴＬと同様に、吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２の分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【００９９】
なお、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２としては、上述した例の他に、１，３，５−トリス（カルバゾル−９−イル）ベンゼン（略称；ＴＣＰ）を用いても良い。このＴＣＰの規格化した吸光度スペクトル特性については、波長３００ｎｍ付近に規格化吸光度のピークを有している一方で、波長３５０ｎｍから４００ｎｍの間に実質的な吸光度ボトムを有している。このＴＣＰについては、波長３５０ｎｍより短波長側においては、規格化吸光度が１０％以上であるのに対して、波長３５５ｎｍ付近で吸光度ボトムとなり、それ以上の長波長においては概ね規格化吸光度が１０％以下である。
【０１００】
それ故、「ＰＨＯＴＯ１露光」と「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射しても、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２の吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【０１０１】
（実施例３：露光工程の順番を変える場合）
この例の構造は、図３の構造と同様である。図９にそのプロセスフローを示す。
【０１０２】
この例では、ＰＨＯＴＯ１露光及びＰＨＯＴＯ２露光をＥＭＬ３蒸着後に連続して行なう。また、ＰＨＯＴＯ１露光及びＰＨＯＴＯ２露光では、照射する光の主波長を変える。
【０１０３】
すなわち、ＰＨＯＴＯ１露光では、画素ＰＸ２及びＰＸ３に対して、赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１のみが吸収する波長を主波長とした光を照射する。これにより、第１ドーパント材料ＥＭ１が分解または重合または分子構造が変わることにより、光を照射された領域の赤色発光層ＥＭＬ１が赤色に発光する発光能を喪失する。そして、本発明のように発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３が積層構造になっている場合には、赤色の次にエネルギーの低い緑色が発光しやすくなり、画素ＰＸ２は、緑色に発光するようになる。
【０１０４】
ＰＨＯＴＯ２露光では、画素ＰＸ３に対して、緑色発光層ＥＭＬ２の第２ドーパント材料ＥＭ２のみが吸収する波長を主波長とした光を照射する。これにより、第２ドーパント材料ＥＭ２が分解または重合または分子構造が変わることにより、光を照射された領域のＥＭＬ２が緑色に発光する発光能を喪失する。そして、本発明のように発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３が積層構造になっている場合には、一番エネルギーの高い青色が発光しやすくなり、画素ＰＸ３は、青色に発光するようになる。
【０１０５】
このように、露光工程を発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の蒸着後に連続して行なうことにより、真空蒸着装置に基板を出し入れすることを少なくでき、真空状態を達成するまでの待機時間も少なくなり、生産性が向上する。
【０１０６】
（実施例４：ホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ以外に、ＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬを付加した場合）
図１０に、この例の構造を示す。図１０は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。また、図１１にそのプロセスフローを示す。
【０１０７】
この例では、有機物層ＯＲＧは、ホール輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との積層体に加えて、ホール注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬを有している。
【０１０８】
ホール注入層ＨＩＬとしては、厚さ１０ｎｍのアモルファスカーボン層を形成した。このホール注入層ＨＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１０９】
電子輸送層ＥＴＬとしては、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ3層を使用した。この電子輸送層ＥＴＬは、真空蒸着法により形成し、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１１０】
電子注入層ＥＩＬとしては、厚さ１ｎｍの弗化リチウム層を使用した。この電子注入層ＥＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１１１】
これにより、発光層内でのホール、電子のバランスが改善され、発光効率が良くなる。また、ホール注入、電子注入および電子輸送が良好になり、駆動電圧が低減する。
【０１１２】
（実施例５：上面発光の場合）
図１２にこの例の構造を示す。図１２は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。
【０１１３】
この例では、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥの有機物層ＯＲＧにおける積層体（ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３）と対向する側とは反対側、つまり、画素電極ＰＥと絶縁基板ＳＵＢとの間に反射層ＲＥＦを備えている。これにより、対向電極ＣＥ側に発光が取り出される。対向電極ＣＥは、半透明電極とし、マグネシウムと銀の混合蒸着で作成した。対向電極ＣＥの厚さは、２０ｎｍとし、表示領域に亘って広がった連続膜とした。また、マグネシウムと銀との比率は、高光透過性を有するためには、銀を６０〜９８％含有する構成とした。
【０１１４】
これにより、絶縁基板ＳＵＢ側に発光を取り出す構造と異なり、薄膜トランジスタやその配線による開口率の制限を受けることなく、光を取り出すことができる。
【０１１５】
したがって、画素の小さい高精細のパネルでも有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光面積が十分に取れるようになり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの通電劣化（寿命）が改善する。
【０１１６】
（実施例６：上面発光で露光工程を、対向電極形成後に実施する場合）
図１３に本実施例のプロセスフローを示す。この例では、対向電極ＣＥを形成するための蒸着工程後に、露光工程ＰＨＯＴＯ１およびＰＨＯＴＯ２を実施する。本実施例のプロセスは、対向電極ＣＥに透過性が必要なため、図１２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造のような、ＥＬ発光を対向電極ＣＥ側に取り出す構造が必要になる。
【０１１７】
本実施例では、対向電極ＣＥまでの真空工程の途中に露光工程を追加しないため、工程間での真空引きなどのロスを減らすことができ、露光工程のトータルタクトタイムを減らすことができる。また、それに伴いより有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成するため製造装置の負荷を減らすことができる。
【０１１８】
（実施例７：上面発光構造にＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬおよび光学マッチング層ＭＣを付加した場合）
図１４にこの例の構造を示す。図１４は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。また、図１５には、そのプロセスフローを示す。図１４の構造は、図１２の構造に、ホール注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬを付加し、さらに、対向電極ＣＥの上（つまり、有機物層ＯＲＧにおける積層体と対向する側とは反対側）に光学マッチング層ＭＣを形成した。
【０１１９】
光学マッチング層ＭＣは、光透過性の層であって、絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＳＵＢ２との間隙にある窒素などの気体層との光学的なマッチングを図る。光学マッチング層ＭＣの屈折率は、有機物層ＯＲＧの屈折率とほぼ等しい。例えば、光学マッチング層ＭＣとしては、ＳｉＯＮ層などの透明無機絶縁層、ＩＴＯ層などの透明無機導電層、有機物層ＯＲＧが含んでいる層などの透明有機物層を使用することができる。光学マッチング層ＭＣを使用すると、光取り出し効率を高めることができる。
【０１２０】
本実施例では、画素電極ＰＥの膜厚を１００ｎｍ、ホール輸送層ＨＴＬを７５ｎｍとした。光学マッチング層ＭＣは７０ｎｍとした。
【０１２１】
これにより、実施例５と比較して、発光効率を４倍向上することができ、実施例５と同じ白輝度設定とした場合、消費電力を１/４にすることができた。
【０１２２】
（実施例８：上面発光構造にＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬおよび光学マッチング層ＭＣおよびＲＧＢ干渉条件調整層ＭＣ２を付加した場合）
図１６にこの例の構造を示す。図１６は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１６の構造は、図１４の構造に、ＲＧＢ各画素ＰＸ１、ＰＸ２およびＰＸ３の干渉条件を調整する干渉条件調整層ＭＣ２を対向電極ＣＥと反射層ＲＥＦとの間（ここでは、画素電極ＰＥと反射層ＲＥＦとの間）に形成した。
【０１２３】
干渉条件調整層ＭＣ２は、光透過性の層であって、この例のような上面発光構造の場合の反射層ＲＥＦと対向電極ＣＥとの間の光路長を発光色の波長に合せて最適化設計する必要がある。特に、赤色Ｒと緑色Ｇと青色Ｂでは、同じ干渉次数では、その発光波長の違いから、最適な光路長（共振条件）が異なるが、それら３色の各発光波長の１／４の最小公倍数に相当する光路長になるような干渉条件調整層ＭＣ２を反射層ＲＥＦと対向電極ＣＥの間に形成することにより、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の発光色、赤、緑、青の発光が効率よく取り出され、発光効率が向上し、より低消費電力化が図れる。
【０１２４】
干渉条件調整層ＭＣ２の屈折率は、有機物層ＯＲＧの屈折率とほぼ等しい。干渉条件調整層ＭＣ２は、例えば、ＳｉＮ層などの透明無機絶縁層、ＩＴＯ層などの透明無機導電層、有機物層ＯＲＧが含んでいる層などの透明有機物層を使用することができる。
【０１２５】
本実施例では、ホール輸送層ＨＴＬの膜厚を４０ｎｍとし、干渉条件調整層ＭＣ２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて形成し、膜厚を４１０ｎｍとした。
【０１２６】
これにより、実施例５と比較して、発光効率を６倍、実施例７と比較して、発行効率を１．５倍にすることができ、消費電力を低減することができた。また、本実施例では、赤、緑、青の各色の色純度が向上し、色再現性範囲を１００％以上（対ＮＴＳＣ比）にすることができた。
【０１２７】
（実施例９：上面発光構造の干渉条件調整層ＭＣ２を青画素ＰＸ３だけ抜き）
図１７にこの例の構造を示す。図１７は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１７の構造は、図１６の構造で画素ＰＸ３（青色）の干渉条件調整層ＭＣ２を抜く構造とした。
【０１２８】
これにより、干渉条件（共振条件）を、各色の画素で合せやすくなり、効率をより向上でき、各色の色純度も向上することができる。
【０１２９】
本実施例では、例えば窒化シリコンによって形成された干渉条件調整層ＭＣ２の膜厚を、赤色と緑色のみに合せ、３９０ｎｍとした。これにより、発光効率が向上し、実施例８と比較して、発光効率を更に１．５倍にすることができ、消費電力を低減することができた。
【０１３０】
（実施例１０：上面発光構造に凹凸散乱層を作成する）
図１８にこの例の構造を示す。図１８は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１８の構造は、図１４の構造に上面発光の共振状態をなくす散乱層を含む凹凸散乱層を、画素電極ＰＥと絶縁基板ＳＵＢとの間（つまり、画素電極ＰＥの有機物層ＯＲＧにおける積層体と対向する側とは反対側）に形成した。この凹凸散乱層は、反射層ＲＥＦと有機材料を用いて形成した。
【０１３１】
これにより、干渉条件（共振条件）が無くなり、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚調整が必要なくなる。
【０１３２】
（実施例１１：上面発光構造の画素ＰＸ１（赤）および画素ＰＸ２（緑）に凹凸散乱層を作成する）
図１９にこの例の構造を示す。図１９は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１９の構造は、図１４の構造の画素ＰＸ１（赤色）、画素ＰＸ２（緑色）に上面発光の共振状態をなくす凹凸散乱層構造を反射層ＲＥＦと有機材料を用いて形成した。
【０１３３】
これにより、干渉条件（共振条件）は、画素ＰＸ３（青色）に合せてのみ設計すればよく、特に効率が低く、電力を消費する青色の効率をより向上でき、青色の色純度も向上することができる。
【０１３４】
（実施例１２：ＥＴＬ蒸着後に露光ＰＨＯＴＯ３を追加する）
図２０にこの例のプロセスフローを示す。この例では、電子輸送層ＥＴＬを形成する蒸着工程の後に、露光ＰＨＯＴＯ３を実施することで、所望の画素（画素ＰＸ２または画素ＰＸ３のいずれか一方、あるいは、画素ＰＸ２及び画素ＰＸ３の両方）の電子輸送層ＥＴＬの電子移動度または電子注入度を変化させる。
【０１３５】
これにより、所望の画素のキャリアバランスを向上させ、発光効率を向上させることができる。
【０１３６】
（実施例１３：ＥＴＬ蒸着後に露光ＰＨＯＴＯ４，５を追加する）
図２１にこの例のプロセスフローを示す。この例では、電子輸送層ＥＴＬを形成する蒸着工程の後に、露光ＰＨＯＴＯ４および露光ＰＨＯＴＯ５を実施することで、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３それぞれの有機物層ＯＲＧの電気的特性を変化させ、キャリアバランスをそれぞれの画素（発光色）に最適になるように変化させる。
【０１３７】
なお、露光ＰＨＯＴＯ４および露光ＰＨＯＴＯ５では、照射する光の主波長を変えてもよい。
【０１３８】
これにより、画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のそれぞれのキャリアバランスが向上し、それぞれの発光効率を向上させることができる。
【０１３９】
（実施例１４：隔壁絶縁層ＰＩ（リブ）を使用しない場合）
本実施例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを用いた表示装置に通常用いる画素間に形成する隔壁絶縁層ＰＩを形成しない構成とした。これは、本発明では、金属製のマスクを使用しないため、真空蒸着の際にそれを支持するための隔壁絶縁層が不要なためである。
【０１４０】
これにより、隔壁絶縁層ＰＩを形成する工程を削減でき、使用材料を削減でき、環境負荷を更に減らすことができる。
【０１４１】
（実施例１５：ハーフトーン露光を使用する場合）
図２２にこの例のプロセスフローを示す。本実施例では，実施例１と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに、第３有機ＥＬ素子の露光強度より小さい強度の露光を、ハーフトーンマスクを利用して、１回の露光（ハーフトーン露光）工程で実施した。
【０１４２】
これにより、露光工程が簡略化され、生産性が向上する。
【０１４３】
なお、上記の実施例では、有機ＥＬ表示装置は、発光色が異なる３種の有機ＥＬ素子を含んでいる。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子として、発光色が異なる２種の有機ＥＬ素子のみを含んでいてもよく、発光色が異なる４種以上の有機ＥＬ素子を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図４】図２の表示装置で採用可能な画素の配置の一例を概略的に示す平面図。
【図５】図２の表示装置で採用したドーパント材料及びホール輸送層材料の吸光度スペクトル特性を示す図。
【図６】図３の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図７】露光工程の概略を示す図。
【図８】本発明の画素の発光色を制御する原理の一つを示した図である。
【図９】図３の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図１０】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１１】図１０の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図１２】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１３】図１２の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図１４】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１５】図１４の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図１６】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１７】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１８】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１９】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図２０】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図２１】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図２２】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【０１４５】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＡ１…発光部、ＥＡ２…発光部、ＥＡ３…発光部、ＥＩＬ…電子注入層、ＥＭＬ…発光層、ＥＭＬ１…赤色発光層、ＥＭＬ２…緑色発光層、ＥＭＬ３…青色発光層、ＥＭ１…第１ドーパント材料（赤色発光材料）、ＥＭ２…第２ドーパント材料（緑色発光材料）、ＥＭ３…第３ドーパント材料（青色発光材料）、ＥＴＬ…電子輸送層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＩＬ…ホール注入層、ＨＭ１…第１ホスト材料、ＨＭ２…第２ホスト材料、ＨＭ３…第３ホスト材料、ＨＴＬ…ホール輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＭＣ…光学マッチング層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ１…画素（赤色画素）、ＰＸ２…画素（緑色画素）、ＰＸ３…画素（青色画素）、ＲＥＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＵＢ２…封止基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ、干渉条件調整層…ＭＣ２。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表される平面表示装置は、ＣＲＴディスプレイと比較して、薄型、軽量、低消費電力であるといった特徴を活かして、需要が急速に伸びてきており、携帯情報端末機器を始め、大型テレビ等の種々のディスプレイに利用されるようになってきている。そして、近年では、液晶表示装置に比べて、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要があり、赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法としては、真空蒸着法で成膜する低分子有機ＥＬ材料の場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある。
【０００４】
しかしながら、この金属製のファインマスクを用いたマスク蒸着法では、表示装置として高い精細度（解像度）が要求され、画素が細かくなった場合には、十分な精度を出すことが困難となり、各色の発光材料が交じり合ってしまう、所謂、混色不良が多発して、正常な表示を得ることができない。これは、所謂、フォトリソグラフィに用いられるフォトマスクとは異なり、金属製のマスクの場合、初期の加工精度の低さに加え、蒸着源の輻射熱による熱膨張や歪みによって、開口の大きさや開口位置が大きく変わってしまうことなどが原因として挙げられる。
【０００５】
また、金属製のマスクを用いたマスク蒸着法は、マスクの大きさを大きくすればするほど、更に精度が低下し、表示装置の大形化にも制限が出てくる。
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、高精細な多色画像を表示可能とする有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様による有機ＥＬ表示装置によれば、
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様による有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
少なくとも１回の露光工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、有機ＥＬ表示装置の製造過程において発光層をパターン成膜するための金属製ファインマスクを使用することなしに、高精細な多色画像を表示可能とする有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図３は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。図４は、図２の表示装置で採用可能な画素の配置の一例を概略的に示す平面図である。
【００１２】
図１及び図２の表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１３】
表示パネルＤＰは、例えば、ガラス基板などの絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢ上には、図示しないアンダーコート層が形成されている。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板ＳＵＢ上にＳｉＮx層とＳｉＯx層とをこの順に積層してなる。
【００１４】
アンダーコート層上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタＣの下部電極として利用している。下部電極は、後述する画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。
【００１５】
なお、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、この順にＸ方向に並んでおり、トリプレットを構成している。表示領域内では、このトリプレットがＸ方向とＹ方向とに配列されている。すなわち、表示領域内では、画素ＰＸ１をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ２をＹ方向に並べてなる画素列と、画素ＰＸ３をＹ方向に並べてなる画素列とがこの順にＸ方向に並べられ、さらに、これら３つの画素列がＸ方向に繰り返し並べられている。
【００１６】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩによって被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）などを用いて形成することができる。ゲート絶縁膜ＧＩ上には、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、各々がＸ方向に延びており、Ｙ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷなどを用いて形成されている。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタＣの上部電極がさらに配置されている。上部電極は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列しており、下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷなどを用いて形成され、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１８】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、半導体層ＳＣと交差している。走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、スイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、下部電極と上部電極とそれらの間に介在したゲート絶縁膜ＧＩとは、キャパシタＣを構成している。上部電極は、半導体層ＳＣと交差した延長部を含んでいる。延長部と半導体層ＳＣとの交差部は、駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００１９】
なお、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２において参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２０】
ゲート絶縁膜ＧＩ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びに上部電極は、層間絶縁膜ＩＩによって被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積させたＳｉＯxなどを用いて形成されている。
【００２１】
層間絶縁膜ＩＩ上には、映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとが形成されている。映像信号線ＤＬは、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。また、層間絶縁膜ＩＩ上には、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々において素子同士を接続している。また、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、層間絶縁膜ＩＩに空けられたコンタクトホールにより、半導体層ＳＣに設けられた不純物拡散領域に接続されている。
【００２２】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。これらの映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとは、パッシベーション膜ＰＳによって被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxなどを用いて形成されている。
【００２３】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極（例えば第１電極に相当する）ＰＥが、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対応して配列している。各画素電極ＰＥは、パッシベーション膜ＰＳに設けたコンタクトホールを介してドレイン電極ＤＥに接続されている。このドレイン電極は、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。画素電極ＰＥは、この例では陽極である。画素電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などの光透過性を有する導電材料を使用することができる。
【００２４】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、画素電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２５】
各画素電極ＰＥ上には、有機物層ＯＲＧが形成されている。有機物層ＯＲＧは、典型的には、図２に示すように、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜である。すなわち、有機物層ＯＲＧは、画素電極ＰＥと隔壁絶縁層ＰＩとを被覆している。
【００２６】
隔壁絶縁層ＰＩ及び有機物層ＯＲＧは、対向電極（例えば第２電極に相当する）ＣＥによって被覆されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極であり、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で共用する共通電極である。対向電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。
【００２７】
画素電極ＰＥと有機物層ＯＲＧと対向電極ＣＥとは、画素電極ＰＥに対応して配列した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成している。なお、図４において、参照符号ＥＡ１乃至ＥＡ３は、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光部をそれぞれ示している。発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の各々は、Ｙ方向に延びた直角四辺形である。図４の構造では、発光部ＥＡ１乃至ＥＡ３の面積は、互いに略等しい。
【００２８】
画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の各々は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００２９】
駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３０】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００３１】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、絶縁基板ＳＵＢ上に配置されている。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｇｌａｓｓ）実装されている。なお、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）実装してもよい。或いは、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、絶縁基板ＳＵＢ上に直接形成してもよい。
【００３２】
映像信号線ドライバＸＤＲには、映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバＸＤＲには、電源線ＰＳＬがさらに接続されている。映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号として電流信号を出力するとともに、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。
【００３３】
走査信号線ドライバＹＤＲには、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２が接続されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号として電圧信号を出力する。
【００３４】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、走査信号線ＳＬ２を順次走査する。すなわち、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を行毎に選択する。或る行を選択している選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３に対して書込動作を行なう。そして、その行を選択していない非選択期間では、その行が含む画素ＰＸ１乃至ＰＸ３で表示動作を行なう。
【００３５】
或る行の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を選択する選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを、先の映像信号Ｉｓｉｇに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲは、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力し、続いて、先の画素ＰＸ１乃至ＰＸ３が接続された走査信号線ＳＬ１にスイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００３６】
選択期間に続く非選択期間では、スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓに対応した大きさの駆動電流Ｉｄｒｖが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉｄｒｖの大きさに対応した輝度で発光する。ここで、Ｉｄｒｖ≒Ｉｓｉｇとなり、各画素で、電流信号（書込電流）Ｉｓｉｇに対応した発光を得ることができる。
【００３７】
尚、上記した例は、画素回路に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用したものであるが、画素回路に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用することも可能であり、特に上記の例に限定したものではない。また、本態様では、ｐチャネル薄膜トランジスタを使用したが、ｎチャネル薄膜トランジスタを使用しても、本発明の本質を変えるものではない。
【００３８】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの封止は、乾燥剤を付けたガラスなどによって形成した封止基板ＳＵＢ２を表示領域の周辺に塗布したシール材で貼り合わせて実施する。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの封止については、上述した例に限らず、表示領域の周辺にループ状に配置したフリットガラス（低融点ガラス）を用いてガラスである封止基板ＳＵＢ２を絶縁基板ＳＵＢに接合するものであっても良い。
【００３９】
以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
本実施例では、３．０型ＷＶＧＡ有機ＥＬディスプレイを作成した。画素サイズは８２．５μｍ×２７．５μｍであり、画素数は８００×３×４８０である。ここで、画素サイズは、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３のそれぞれの大きさを示しており、本実施例では全て同じ大きさとした。また、本実施例では、画素電極ＰＥのＩＴＯは厚さ５０ｎｍとした。
【００４０】
本実施例では、図３に示すように、有機物層ＯＲＧは、ホール輸送層ＨＴＬ、赤色発光層ＥＭＬ１、緑色発光層ＥＭＬ２、及び、青色発光層ＥＭＬ３を積層して形成した。ホール輸送層ＨＴＬ、赤色発光層ＥＭＬ１、緑色発光層ＥＭＬ２、及び、青色発光層ＥＭＬ３は、それぞれ、全ての画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を含む表示領域に亘って広がった連続膜として形成した。
【００４１】
ここで、ホール輸送層ＨＴＬとしては、１，３，５，-トリス（３−メチルジフェニルアミノ）-ベンゼン（略称；ｍ-ＭＴＤＡＢ 1,3,5-Tris(3-methyldiphenylamino)-benzene）からなる厚さ３０ｎｍの層を真空蒸着法により形成した。このホール輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４２】
また、赤色発光層ＥＭＬ１は、第１ホスト材料ＨＭ１と、発光色が赤色の第１ドーパント材料ＥＭ１との混合物によって形成されている。第１ドーパント材料ＥＭ１は、赤色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる赤色発光材料である。本実施例では、赤色発光層ＥＭＬ１としては、第１ホスト材料ＨＭ１：９，９-ビス（９-フェニル-９H-カルバゾル）フルオレン（略称；ＦＬ-２ＣＢＰ）、及び、第１ドーパント材料ＥＭ１：４−（ジシアノメチレン）−２−メチル―６−(ジュロリジン―４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン（略称；ＤＣＭ２）からなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この赤色発光層ＥＭＬ１は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４３】
緑色発光層ＥＭＬ２は、第２ホスト材料ＨＭ２と、発光色が緑色の第２ドーパント材料ＥＭ２との混合物によって形成されている。第２ドーパント材料ＥＭ２は、緑色波長に発光中心を有するルミネセンス性有機化合物又は組成物からなる緑色発光材料である。本実施例では、緑色発光層ＥＭＬ２としては、第２ホスト材料ＨＭ２：ＦＬ−２ＣＢＰ、及び、第２ドーパント材料ＥＭ２：トリス（８−ヒドロキシキノラート）アルミニウム（略称；Ａｌｑ３）からなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この緑色発光層ＥＭＬ２は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４４】
青色発光層ＥＭＬ３は、発光色が青色のルミネセンス性有機化合物又は組成物を含んだ薄膜である。この青色発光層ＥＭＬ３は、例えば、第３ホスト材料ＨＭ３と、発光色が青色の第３ドーパント材料ＥＭ３との混合物によって形成されている。本実施例では、青色発光層ＥＭＬ３としては、第３ホスト材料ＨＭ３：４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル−エテン−１−イル）−ジフェニル（ＢＰＶＢＩ）、及び、第３ドーパント材料ＥＭ３：ペリレンからなる厚さ３０ｎｍの層を使用した。この青色発光層ＥＭＬ３は、真空蒸着法により形成され、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【００４５】
なお、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２としては、上述した例の他に、１，３，５−トリス（カルバゾル−９−イル）ベンゼン（略称；ＴＣＰ）を用いても良い。
【００４６】
ホール輸送層ＨＴＬを形成する材料に要求される特性としては、その吸光度スペクトル特性において、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２のそれぞれの吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有していることである。
【００４７】
本実施例では、上述したように、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び、画素ＰＸ３が同一構成の有機物層ＯＲＧを有していながら、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、及び、画素ＰＸ３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、画素ＰＸ１が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは赤色に発光し、画素ＰＸ２が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは緑色に発光し、画素ＰＸ３が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは青色に発光する。
【００４８】
なお、波長が４００ｎｍ乃至４３５ｎｍの範囲内にある光の色を紫、波長が４３５ｎｍ乃至４８０ｎｍの範囲内にある光の色を青、波長が４８０ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を緑青、波長が４９０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲内にある光の色を青緑、波長が５００ｎｍ乃至５６０ｎｍの範囲内にある光の色を緑、波長が５６０ｎｍ乃至５８０ｎｍの範囲内にある光の色を黄緑、波長が５８０ｎｍ乃至５９５ｎｍの範囲内にある光の色を黄、波長が５９５ｎｍ乃至６１０ｎｍの範囲内にある光の色を橙、波長が６１０ｎｍ乃至７５０ｎｍの範囲内にある光の色を赤、波長が７５０ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤紫と定義するのが一般的であり、ここでは、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲内にある光の色を青色、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い光の色を緑色、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲内にある光の色を赤色と定義する。
【００４９】
本実施例で適用した第１ドーパント材料ＥＭ１：ＤＣＭ２、第２ドーパント材料ＥＭ２：Ａｌｑ３、及び、ホール輸送層ＨＴＬであるｍ-ＭＴＤＡＢのそれぞれについて規格化した吸光度スペクトル特性を図５に示す。
【００５０】
すなわち、第１ドーパント材料ＥＭ１であるＤＣＭ２は、図５において（ａ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長５００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している。また、第２ドーパント材料ＥＭ２であるＡｌｑ３は、図５において（ｂ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長４００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している。
【００５１】
ホール輸送層ＨＴＬであるｍ-ＭＴＤＡＢは、図５において（ｃ）で示した吸光度スペクトル特性を有し、波長３００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している一方で、３４５ｎｍ以上の波長から実質的な吸光度ボトムを有している。ここで、吸光度ボトムとは、規格化した吸光度スペクトル特性において、概略Ｌ字状に連続的に分布したスペクトルのうちの底辺となり始める部分に相当し、また、概略Ｕ字状に連続的に分布したスペクトルのうちの最底となる部分に相当し、規格化した吸光度が１０％以下となっている。
【００５２】
このｍ-ＭＴＤＡＢについては、波長３４５ｎｍより長波長側においては、規格化吸光度が１０％以下であり、吸光度スペクトルはＬ字状に連続して低減しており、規格化吸光度が６％以下となる波長３５０ｎｍ付近が、吸光度ボトムである。
【００５３】
つまり、ｍ-ＭＴＤＡＢの吸光度ボトムは、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも短波長側にある。
【００５４】
以下に製造方法を記載する。図６にそのプロセスフローを示し、図７に図６中の露光工程の概略を示す。
【００５５】
まず、先に説明した表示パネルＤＰから対向電極ＣＥと有機物層ＯＲＧを除いた構造、すなわちアレイ基板を、アレイ工程で準備する。
【００５６】
次に、画素電極ＰＥ上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、ホール輸送層ＨＴＬを、真空蒸着法によって形成する。ここで、ホール輸送層ＨＴＬは、表示領域に亘って広がった連続膜であり、画素毎に開口が形成されたファインマスクではなく、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを使用したマスク蒸着で形成する。この工程を図６中に、ＨＴＬ蒸着と示す。
【００５７】
次に、ホール輸送層ＨＴＬ上に、赤色発光層ＥＭＬ１を、真空蒸着法によって形成する。ここで、赤色発光層ＥＭＬ１は、表示領域に亘って広がった連続膜であり、表示領域に対応した開口が形成されたラフマスクを使用したマスク蒸着で形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ１蒸着と示す。
【００５８】
次に、画素ＰＸ２乃至ＰＸ３の領域に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を、概略０．１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１（０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１）の強度で照射する。このとき、画素ＰＸ１の領域には、フォトマスク（図７中のＭＡＳＫ１）を用いて、光が照射されないようにする。この工程を図６中に、ＰＨＯＴＯ１露光と示す。
【００５９】
次に、赤色発光層ＥＭＬ１上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、緑色発光層ＥＭＬ２を、ラフマスクを用いた真空蒸着法によって、表示領域に亘って広がった連続膜として形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ２蒸着と示す。
【００６０】
次に、画素ＰＸ３の領域に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を、概略０．１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１（０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ−２・ｎｍ−１）の強度で照射する。このとき、画素ＰＸ１乃至ＰＸ２には、フォトマスク（図７中のＭＡＳＫ２）を用いて、光が照射されないようにする。この工程を図６中に、ＰＨＯＴＯ２露光と示す。
【００６１】
次に、緑色発光層ＥＭＬ２上に、有機物層ＯＲＧが含む各層のうち、青色発光層ＥＭＬ３を、ラフマスクを用いた真空蒸着法によって、表示領域に亘って広がった連続膜として形成する。この工程を図６中に、ＥＭＬ３蒸着と示す。
【００６２】
その後、青色発光層ＥＭＬ３上に、対向電極ＣＥを形成する。この工程を図６中にＣＥ蒸着と示す。本実施例では、対向電極ＣＥとしては、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム層を形成した。対向電極ＣＥは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。本実施例では、各発光層ＥＭＬでの発光を絶縁基板ＳＵＢ側に取り出すための反射層も兼ねている。
【００６３】
さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止し、表示パネルＤＰに映像信号線ドライバＸＤＲと走査信号線ドライバＹＤＲとを実装する。以上のようにして、図１及び図２の有機ＥＬ表示装置を得る。
【００６４】
ここで、表示領域の開口に要求されるパターニング精度は、表示領域外に十分な寸法が取れるので、画素毎に塗り分けるパターニング精度よりも１桁以上低くても良い。したがって、ラフマスクに要求される開口精度は低く、金属製のマスクによるマスク蒸着でも十分に形成することができる。
【００６５】
一方、画素毎に光を照射する露光工程のパターニング精度は、フォトマスクを用いるので、照射する画素と照射しない画素とを高精度に分けることができる。すなわち、画素寸法の小さい場合でも、照射したい画素以外の領域に光を照射することがなく、処理することができる。
【００６６】
ところで、１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが複数の発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を含んでいると、１つの色だけでなく、他の色も発光する可能性がある。
【００６７】
通常、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３を積層しただけの構成では、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、全て同じ色に発光し、フルカラー表示を得ることができない。
【００６８】
そこで、本発明では、光を照射する画素と、光を照射しない画素とを、フォトマスクを用いた露光工程で分離し、各画素の発光色を制御する。
【００６９】
図８は、本発明の画素の発光色を制御する原理の一つを示した図である。
【００７０】
通常、ホール輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬ１及至ＥＭＬ３とが積層された構造では、基本的には、赤色発光層ＥＭＬ１が発光しやすい。なぜなら、エネルギーの高い青色および緑色は、エネルギーの最も低い赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１に吸収され、赤色に変換されるので、このようなＲＧＢの積層構造にした場合は、赤色が最も発光しやすい。したがって、光が照射されない画素ＰＸ１では、赤色が発光することになる。
【００７１】
次に、赤色発光層ＥＭＬ１の蒸着後の「ＰＨＯＴＯ１露光」工程において、ホール輸送層ＨＴＬ及び赤色発光層ＥＭＬ１に、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射された画素ＰＸ２では、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度が小さく、また、光を吸収してもホール輸送層ＨＴＬが、分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【００７２】
それ故、３６０〜８００ｎｍの光は、エネルギーの最も低い赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１に吸収されることになり、この第１ドーパント材料ＥＭ１のみが分解または重合または分子構造が変わることにより、赤色の光を発光しなくなる、所謂、消光する。つまり、画素ＰＸ２における発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち、赤色発光層ＥＭＬ１における第１ドーパント材料ＥＭ１が発光能を喪失している。この状態で、積層構造になると、赤色の次にエネルギーの低い緑色が発光しやすくなり、画素ＰＸ２は、緑色に発光するようになる。
【００７３】
更に、緑色発光層ＥＭＬ２の蒸着後「ＰＨＯＴＯ２露光」工程において、緑色発光層ＥＭＬ２にも、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射された画素ＰＸ３では、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、緑色発光層ＥＭＬ２の第２ドーパント材料ＥＭ２が光吸収により分解または重合または分子構造が変わることにより、緑色の光を発光しなくなる。なお、この画素ＰＸ３については、「ＰＨＯＴＯ１露光」工程において、赤色発光層ＥＭＬ１にも、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光が照射されているため、第１ドーパント材料ＥＭ１が光吸収により、赤色の光を発光しなくなっている。
【００７４】
つまり、画素ＰＸ３における発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３のうち、赤色発光層ＥＭＬ１における第１ドーパント材料ＥＭ１及び緑色発光層ＥＭＬ２における第２ドーパント材料ＥＭ２が発光能を喪失している。この状態で、積層構造になると、青色よりエネルギーの低い発光をする層がなくなるので、青色が発光しやすくなり、画素ＰＸ３は、青色に発光するようになる。
【００７５】
このとき、画素ＰＸ２では、赤色発光層ＥＭＬ１が、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、第１ドーパント材料ＥＭ１を消光すると同時に、赤色発光層ＥＭＬ１のホール注入性またはホール輸送性が増し、光照射の無い場合、すなわち、画素ＰＸ１では、赤色発光層ＥＭＬ１にあった発光位置が、電子と正孔のバランスが変化することにより、緑色発光層ＥＭＬ２に移るようにする。これにより、画素ＰＸ２の発光効率が向上し、緑色の発光強度を増加させることができる。
【００７６】
また、同様に、画素ＰＸ３では、緑色発光層ＥＭＬ２が、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、第２ドーパント材料ＥＭ２を消光すると同時に緑色発光層ＥＭＬ２のホール注入性またはホール輸送性が増し、画素ＰＸ２では、緑色発光層ＥＭＬ２にあった発光位置が、更に、電子と正孔のバランスが変化することにより、青色発光層ＥＭＬ３に移るようにする。これにより、画素ＰＸ３の発光効率が向上し、青色の発光強度を増加させることができる。
【００７７】
また、この例では、概略３６０〜８００ｎｍの光が照射で、赤色発光層ＥＭＬ１および緑色発光層ＥＭＬ２のホール注入性またはホール輸送性が増加する場合を記載したが、赤色発光層ＥＭＬ１および緑色発光層ＥＭＬ２の電子注入性または電子輸送性が低下することでも同様の効果を得ることができる。
【００７８】
上述したように、赤色発光層ＥＭＬ１に含まれる第１ドーパント材料ＥＭ１、及び、緑色発光層ＥＭＬ２に含まれる第２ドーパント材料ＥＭ２を、露光により消光させる際、露光時間が短いほど、有機ＥＬ表示装置の生産性を向上することができる。
【００７９】
露光時間を短くする手段としては、露光強度を高くする方法がある。一般的な露光装置の光源である高圧水銀ランプの照射光波長は、２００〜６００ｎｍの領域であり、その発光スペクトル特性において、発光強度が最大のピーク波長は３６５ｎｍである。
【００８０】
この高圧水銀ランプの全ての波長を露光すると、照射強度が高くなるが、赤色発光層ＥＭＬ１、及び、緑色発光層ＥＭＬ２だけでなく、ホール輸送層ＨＴＬも吸光する波長が含まれる。その故、ホール輸送層ＨＴＬの分解または重合または分子構造の変化が起こる可能性がある。そのため、ホール輸送層ＨＴＬのホール輸送性能が低減する可能性があり、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題が発生する。
【００８１】
そこで、ホール輸送層ＨＴＬがほとんど吸光することなく、赤色ドーパント材料または緑色ドーパント材料のみが吸光する波長を照射することが考えられる。しかしながら、このような場合には、波長を選択するための光学フィルターが適用されるため、露光の際には、照射波長を限定することによる照射強度の低減に加え、光学フィルター自身の吸収などにより光学フィルターを透過する際の照射強度の低減もあり、露光強度が低減し、露光時間が長くなるため、生産性が低減するおそれがある。
【００８２】
露光工程に用いる光の波長として、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムよりも長波長の光を照射することにより、ホール輸送層ＨＴＬを形成する材料の分解または重合または分子構造の変化が起きない。
【００８３】
一方で、発光能を消失させたい第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２は、その吸光度スペクトル特性においてホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトムよりも長波長側に吸光度ピークを有している。このため、露光工程においては、ホール輸送層ＨＴＬの吸光度ボトム付近の波長を含み、その波長から長波長の光を照射する。
【００８４】
つまり、露光工程の露光波長は、紫外領域（２００〜４００ｎｍ）においてホール輸送層ＨＴＬの規格化吸光度が１０％以下となる波長よりも長波長領域（光源のピーク波長を含む）と、可視光領域が全て使用できるため、露光強度を高く維持することができ、露光時間の短縮による生産性の向上を図ることが可能となる。
【００８５】
このように、本発明を適用することにより、画素毎にＲＧＢを塗り分けるための金属製のファインマスクを使うことなく、ＲＧＢ各画素に対応した色を発光させ、フルカラー表示を得ることできる。
【００８６】
また、ファインマスクを使った蒸着の場合、マスク上に無駄な膜が形成されやすく、それにより、画素の開口の孔が塞いでしまう。それにより、画素に成膜される発光層ＥＭＬの成膜レートが低下し、より多くの材料を消費することになる。それに伴い、マスクを洗浄する回数が増える。これに対し、本発明では、開口が広く、マスク上に無駄な膜が形成され難いラフマスクのみを使うので、ファインマスクを使用した場合と比較して、より生産性が高く、環境負荷が少ない。
【００８７】
したがって、本発明では、高精細、大形のフルカラー有機ＥＬ表示装置を、環境に優しく、高い生産性を持って提供することが可能になる。
【００８８】
以上のようにして、図１および図２に示す本発明の有機ＥＬ表示装置を得た。
【００８９】
その結果、画素ＰＸ１では、赤色が発光し、画素ＰＸ２では、緑色が発光し、画素ＰＸ３では、青色が発光し、いずれも混色することはなかった。それぞれ、発光効率は、赤色が８ｃｄ／Ａ、（０．６５，０．３５）、緑色が１０ｃｄ／Ａ、（０．３０，０．６０）、青色が３ｃｄ／Ａ、（０．１４，０．１２）であった。
【００９０】
なお、上述の値は、画面を正面から観察したときに１００ｃｄ／ｍ2の輝度で（ｘ，ｙ）＝（０．３１，０．３１５）の基準白色（Ｃ）が表示されるようにし、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３を順次点灯し、発光色毎に輝度と色度（ｘ，ｙ）とを測定した値である。
【００９１】
また、本実施例では、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３を全て同じ大きさとしたが、例えば、各画素の発光色の輝度劣化寿命を揃えるために、画素の大きさは、異ならせても良い。これにより、白色が着色しにくくすることができる。
【００９２】
以下、本発明の別の実施例を示す。
【００９３】
（実施例２：第１ドーパント材料と第２ドーパント材料の吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と第２ホスト材料を使用する場合）
この例の構造は、図３の構造と同様であり、プロセスフローも図６と同様である。
【００９４】
実施例１において、「ＰＨＯＴＯ１露光」及び「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射する際、ドーパント材料だけでなく、ホスト材料も吸光する波長が含まれる場合、ホスト材料が吸光したエネルギーの大部分は、エネルギーの低い赤色ドーパント材料、または緑色ドーパント材料に吸収されるが、ドーパント材料へ移行されなかったエネルギーによって、ホスト材料自身の分解または重合または分子構造の変化が起こる可能性がある。
【００９５】
ホスト材料は、ＥＬ発光時の電子やホールを輸送する機能や、ホスト材料自身が電子とホールのキャリア結合サイトとなり、フィルスター遷移によって励起エネルギーを、ドーパント材料に遷移する役割などがある。しかし、ホスト材料が、分解または重合または分子構造が変わることにより、このキャリア輸送性やキャリア結合サイトとしての性能が、低減する可能性があり、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題が発生する。
【００９６】
そこで、実施例１のホール輸送層ＨＴＬと同様に、第１ホスト材料ＨＭ１と第２ホスト材料ＨＭ２の吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムが、発光能を消失させたい第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも、短波長側にあれば、これらのホスト材料の分解または重合または分子構造の変化が起きない。それ故、有機ＥＬ表示装置の性能が低減する問題は発生しない。
【００９７】
例えば、実施例１にて適用した第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２であるＦＬ-２ＣＢＰの規格化した吸光度スペクトル特性については、波長３００ｎｍ付近に吸光度ピークを有している一方で、波長３５０ｎｍから４００ｎｍの間に実質的な吸光度ボトムを有している。波長３５０ｎｍより短波長側においては、規格化吸光度が１０％以上であるのに対して、波長３６０ｎｍ付近で吸光度ボトムとなり、それ以上の長波長においては概ね規格化吸光度が１０％以下である。
【００９８】
つまり、ＦＬ-２ＣＢＰの吸光度ボトムは、第１ドーパント材料ＥＭ１及び第２ドーパント材料ＥＭ２の吸光度ピークよりも短波長側にある。それ故、「ＰＨＯＴＯ１露光」と「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射しても、実施例１のホール輸送層ＨＴＬと同様に、吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２の分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【００９９】
なお、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２としては、上述した例の他に、１，３，５−トリス（カルバゾル−９−イル）ベンゼン（略称；ＴＣＰ）を用いても良い。このＴＣＰの規格化した吸光度スペクトル特性については、波長３００ｎｍ付近に規格化吸光度のピークを有している一方で、波長３５０ｎｍから４００ｎｍの間に実質的な吸光度ボトムを有している。このＴＣＰについては、波長３５０ｎｍより短波長側においては、規格化吸光度が１０％以上であるのに対して、波長３５５ｎｍ付近で吸光度ボトムとなり、それ以上の長波長においては概ね規格化吸光度が１０％以下である。
【０１００】
それ故、「ＰＨＯＴＯ１露光」と「ＰＨＯＴＯ２露光」工程にて、波長が概略３６０〜８００ｎｍの光を照射しても、第１ホスト材料ＨＭ１及び第２ホスト材料ＨＭ２の吸光度ボトムより長い波長の光が照射されるため、分解または重合または分子構造の変化が起きることはない。
【０１０１】
（実施例３：露光工程の順番を変える場合）
この例の構造は、図３の構造と同様である。図９にそのプロセスフローを示す。
【０１０２】
この例では、ＰＨＯＴＯ１露光及びＰＨＯＴＯ２露光をＥＭＬ３蒸着後に連続して行なう。また、ＰＨＯＴＯ１露光及びＰＨＯＴＯ２露光では、照射する光の主波長を変える。
【０１０３】
すなわち、ＰＨＯＴＯ１露光では、画素ＰＸ２及びＰＸ３に対して、赤色発光層ＥＭＬ１の第１ドーパント材料ＥＭ１のみが吸収する波長を主波長とした光を照射する。これにより、第１ドーパント材料ＥＭ１が分解または重合または分子構造が変わることにより、光を照射された領域の赤色発光層ＥＭＬ１が赤色に発光する発光能を喪失する。そして、本発明のように発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３が積層構造になっている場合には、赤色の次にエネルギーの低い緑色が発光しやすくなり、画素ＰＸ２は、緑色に発光するようになる。
【０１０４】
ＰＨＯＴＯ２露光では、画素ＰＸ３に対して、緑色発光層ＥＭＬ２の第２ドーパント材料ＥＭ２のみが吸収する波長を主波長とした光を照射する。これにより、第２ドーパント材料ＥＭ２が分解または重合または分子構造が変わることにより、光を照射された領域のＥＭＬ２が緑色に発光する発光能を喪失する。そして、本発明のように発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３が積層構造になっている場合には、一番エネルギーの高い青色が発光しやすくなり、画素ＰＸ３は、青色に発光するようになる。
【０１０５】
このように、露光工程を発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３の蒸着後に連続して行なうことにより、真空蒸着装置に基板を出し入れすることを少なくでき、真空状態を達成するまでの待機時間も少なくなり、生産性が向上する。
【０１０６】
（実施例４：ホール輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ以外に、ＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬを付加した場合）
図１０に、この例の構造を示す。図１０は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。また、図１１にそのプロセスフローを示す。
【０１０７】
この例では、有機物層ＯＲＧは、ホール輸送層ＨＴＬと、発光層ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３との積層体に加えて、ホール注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬを有している。
【０１０８】
ホール注入層ＨＩＬとしては、厚さ１０ｎｍのアモルファスカーボン層を形成した。このホール注入層ＨＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１０９】
電子輸送層ＥＴＬとしては、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ3層を使用した。この電子輸送層ＥＴＬは、真空蒸着法により形成し、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１１０】
電子注入層ＥＩＬとしては、厚さ１ｎｍの弗化リチウム層を使用した。この電子注入層ＥＩＬは、表示領域に亘って広がった連続膜とした。
【０１１１】
これにより、発光層内でのホール、電子のバランスが改善され、発光効率が良くなる。また、ホール注入、電子注入および電子輸送が良好になり、駆動電圧が低減する。
【０１１２】
（実施例５：上面発光の場合）
図１２にこの例の構造を示す。図１２は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。
【０１１３】
この例では、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥの有機物層ＯＲＧにおける積層体（ＥＭＬ１乃至ＥＭＬ３）と対向する側とは反対側、つまり、画素電極ＰＥと絶縁基板ＳＵＢとの間に反射層ＲＥＦを備えている。これにより、対向電極ＣＥ側に発光が取り出される。対向電極ＣＥは、半透明電極とし、マグネシウムと銀の混合蒸着で作成した。対向電極ＣＥの厚さは、２０ｎｍとし、表示領域に亘って広がった連続膜とした。また、マグネシウムと銀との比率は、高光透過性を有するためには、銀を６０〜９８％含有する構成とした。
【０１１４】
これにより、絶縁基板ＳＵＢ側に発光を取り出す構造と異なり、薄膜トランジスタやその配線による開口率の制限を受けることなく、光を取り出すことができる。
【０１１５】
したがって、画素の小さい高精細のパネルでも有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光面積が十分に取れるようになり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの通電劣化（寿命）が改善する。
【０１１６】
（実施例６：上面発光で露光工程を、対向電極形成後に実施する場合）
図１３に本実施例のプロセスフローを示す。この例では、対向電極ＣＥを形成するための蒸着工程後に、露光工程ＰＨＯＴＯ１およびＰＨＯＴＯ２を実施する。本実施例のプロセスは、対向電極ＣＥに透過性が必要なため、図１２の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造のような、ＥＬ発光を対向電極ＣＥ側に取り出す構造が必要になる。
【０１１７】
本実施例では、対向電極ＣＥまでの真空工程の途中に露光工程を追加しないため、工程間での真空引きなどのロスを減らすことができ、露光工程のトータルタクトタイムを減らすことができる。また、それに伴いより有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成するため製造装置の負荷を減らすことができる。
【０１１８】
（実施例７：上面発光構造にＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬおよび光学マッチング層ＭＣを付加した場合）
図１４にこの例の構造を示す。図１４は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。また、図１５には、そのプロセスフローを示す。図１４の構造は、図１２の構造に、ホール注入層ＨＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ、電子注入層ＥＩＬを付加し、さらに、対向電極ＣＥの上（つまり、有機物層ＯＲＧにおける積層体と対向する側とは反対側）に光学マッチング層ＭＣを形成した。
【０１１９】
光学マッチング層ＭＣは、光透過性の層であって、絶縁基板ＳＵＢと封止基板ＳＵＢ２との間隙にある窒素などの気体層との光学的なマッチングを図る。光学マッチング層ＭＣの屈折率は、有機物層ＯＲＧの屈折率とほぼ等しい。例えば、光学マッチング層ＭＣとしては、ＳｉＯＮ層などの透明無機絶縁層、ＩＴＯ層などの透明無機導電層、有機物層ＯＲＧが含んでいる層などの透明有機物層を使用することができる。光学マッチング層ＭＣを使用すると、光取り出し効率を高めることができる。
【０１２０】
本実施例では、画素電極ＰＥの膜厚を１００ｎｍ、ホール輸送層ＨＴＬを７５ｎｍとした。光学マッチング層ＭＣは７０ｎｍとした。
【０１２１】
これにより、実施例５と比較して、発光効率を４倍向上することができ、実施例５と同じ白輝度設定とした場合、消費電力を１/４にすることができた。
【０１２２】
（実施例８：上面発光構造にＨＩＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬおよび光学マッチング層ＭＣおよびＲＧＢ干渉条件調整層ＭＣ２を付加した場合）
図１６にこの例の構造を示す。図１６は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１６の構造は、図１４の構造に、ＲＧＢ各画素ＰＸ１、ＰＸ２およびＰＸ３の干渉条件を調整する干渉条件調整層ＭＣ２を対向電極ＣＥと反射層ＲＥＦとの間（ここでは、画素電極ＰＥと反射層ＲＥＦとの間）に形成した。
【０１２３】
干渉条件調整層ＭＣ２は、光透過性の層であって、この例のような上面発光構造の場合の反射層ＲＥＦと対向電極ＣＥとの間の光路長を発光色の波長に合せて最適化設計する必要がある。特に、赤色Ｒと緑色Ｇと青色Ｂでは、同じ干渉次数では、その発光波長の違いから、最適な光路長（共振条件）が異なるが、それら３色の各発光波長の１／４の最小公倍数に相当する光路長になるような干渉条件調整層ＭＣ２を反射層ＲＥＦと対向電極ＣＥの間に形成することにより、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の発光色、赤、緑、青の発光が効率よく取り出され、発光効率が向上し、より低消費電力化が図れる。
【０１２４】
干渉条件調整層ＭＣ２の屈折率は、有機物層ＯＲＧの屈折率とほぼ等しい。干渉条件調整層ＭＣ２は、例えば、ＳｉＮ層などの透明無機絶縁層、ＩＴＯ層などの透明無機導電層、有機物層ＯＲＧが含んでいる層などの透明有機物層を使用することができる。
【０１２５】
本実施例では、ホール輸送層ＨＴＬの膜厚を４０ｎｍとし、干渉条件調整層ＭＣ２は、窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて形成し、膜厚を４１０ｎｍとした。
【０１２６】
これにより、実施例５と比較して、発光効率を６倍、実施例７と比較して、発行効率を１．５倍にすることができ、消費電力を低減することができた。また、本実施例では、赤、緑、青の各色の色純度が向上し、色再現性範囲を１００％以上（対ＮＴＳＣ比）にすることができた。
【０１２７】
（実施例９：上面発光構造の干渉条件調整層ＭＣ２を青画素ＰＸ３だけ抜き）
図１７にこの例の構造を示す。図１７は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１７の構造は、図１６の構造で画素ＰＸ３（青色）の干渉条件調整層ＭＣ２を抜く構造とした。
【０１２８】
これにより、干渉条件（共振条件）を、各色の画素で合せやすくなり、効率をより向上でき、各色の色純度も向上することができる。
【０１２９】
本実施例では、例えば窒化シリコンによって形成された干渉条件調整層ＭＣ２の膜厚を、赤色と緑色のみに合せ、３９０ｎｍとした。これにより、発光効率が向上し、実施例８と比較して、発光効率を更に１．５倍にすることができ、消費電力を低減することができた。
【０１３０】
（実施例１０：上面発光構造に凹凸散乱層を作成する）
図１８にこの例の構造を示す。図１８は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１８の構造は、図１４の構造に上面発光の共振状態をなくす散乱層を含む凹凸散乱層を、画素電極ＰＥと絶縁基板ＳＵＢとの間（つまり、画素電極ＰＥの有機物層ＯＲＧにおける積層体と対向する側とは反対側）に形成した。この凹凸散乱層は、反射層ＲＥＦと有機材料を用いて形成した。
【０１３１】
これにより、干渉条件（共振条件）が無くなり、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚調整が必要なくなる。
【０１３２】
（実施例１１：上面発光構造の画素ＰＸ１（赤）および画素ＰＸ２（緑）に凹凸散乱層を作成する）
図１９にこの例の構造を示す。図１９は、図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに採用可能な構造の他の一例を概略的に示す断面図である。図１９の構造は、図１４の構造の画素ＰＸ１（赤色）、画素ＰＸ２（緑色）に上面発光の共振状態をなくす凹凸散乱層構造を反射層ＲＥＦと有機材料を用いて形成した。
【０１３３】
これにより、干渉条件（共振条件）は、画素ＰＸ３（青色）に合せてのみ設計すればよく、特に効率が低く、電力を消費する青色の効率をより向上でき、青色の色純度も向上することができる。
【０１３４】
（実施例１２：ＥＴＬ蒸着後に露光ＰＨＯＴＯ３を追加する）
図２０にこの例のプロセスフローを示す。この例では、電子輸送層ＥＴＬを形成する蒸着工程の後に、露光ＰＨＯＴＯ３を実施することで、所望の画素（画素ＰＸ２または画素ＰＸ３のいずれか一方、あるいは、画素ＰＸ２及び画素ＰＸ３の両方）の電子輸送層ＥＴＬの電子移動度または電子注入度を変化させる。
【０１３５】
これにより、所望の画素のキャリアバランスを向上させ、発光効率を向上させることができる。
【０１３６】
（実施例１３：ＥＴＬ蒸着後に露光ＰＨＯＴＯ４，５を追加する）
図２１にこの例のプロセスフローを示す。この例では、電子輸送層ＥＴＬを形成する蒸着工程の後に、露光ＰＨＯＴＯ４および露光ＰＨＯＴＯ５を実施することで、画素ＰＸ１、画素ＰＸ２、画素ＰＸ３それぞれの有機物層ＯＲＧの電気的特性を変化させ、キャリアバランスをそれぞれの画素（発光色）に最適になるように変化させる。
【０１３７】
なお、露光ＰＨＯＴＯ４および露光ＰＨＯＴＯ５では、照射する光の主波長を変えてもよい。
【０１３８】
これにより、画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のそれぞれのキャリアバランスが向上し、それぞれの発光効率を向上させることができる。
【０１３９】
（実施例１４：隔壁絶縁層ＰＩ（リブ）を使用しない場合）
本実施例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを用いた表示装置に通常用いる画素間に形成する隔壁絶縁層ＰＩを形成しない構成とした。これは、本発明では、金属製のマスクを使用しないため、真空蒸着の際にそれを支持するための隔壁絶縁層が不要なためである。
【０１４０】
これにより、隔壁絶縁層ＰＩを形成する工程を削減でき、使用材料を削減でき、環境負荷を更に減らすことができる。
【０１４１】
（実施例１５：ハーフトーン露光を使用する場合）
図２２にこの例のプロセスフローを示す。本実施例では，実施例１と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに、第３有機ＥＬ素子の露光強度より小さい強度の露光を、ハーフトーンマスクを利用して、１回の露光（ハーフトーン露光）工程で実施した。
【０１４２】
これにより、露光工程が簡略化され、生産性が向上する。
【０１４３】
なお、上記の実施例では、有機ＥＬ表示装置は、発光色が異なる３種の有機ＥＬ素子を含んでいる。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子として、発光色が異なる２種の有機ＥＬ素子のみを含んでいてもよく、発光色が異なる４種以上の有機ＥＬ素子を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図３】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図４】図２の表示装置で採用可能な画素の配置の一例を概略的に示す平面図。
【図５】図２の表示装置で採用したドーパント材料及びホール輸送層材料の吸光度スペクトル特性を示す図。
【図６】図３の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図７】露光工程の概略を示す図。
【図８】本発明の画素の発光色を制御する原理の一つを示した図である。
【図９】図３の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図１０】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１１】図１０の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図１２】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１３】図１２の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図１４】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１５】図１４の有機ＥＬ素子のプロセスフローの一例を概略的に示す図。
【図１６】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１７】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１８】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図１９】図２の表示装置が含む有機ＥＬ素子に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
【図２０】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図２１】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【図２２】本発明の有機ＥＬ素子のプロセスフローの他の例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【０１４５】
Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＥＡ１…発光部、ＥＡ２…発光部、ＥＡ３…発光部、ＥＩＬ…電子注入層、ＥＭＬ…発光層、ＥＭＬ１…赤色発光層、ＥＭＬ２…緑色発光層、ＥＭＬ３…青色発光層、ＥＭ１…第１ドーパント材料（赤色発光材料）、ＥＭ２…第２ドーパント材料（緑色発光材料）、ＥＭ３…第３ドーパント材料（青色発光材料）、ＥＴＬ…電子輸送層、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＨＩＬ…ホール注入層、ＨＭ１…第１ホスト材料、ＨＭ２…第２ホスト材料、ＨＭ３…第３ホスト材料、ＨＴＬ…ホール輸送層、ＩＩ…層間絶縁膜、ＭＣ…光学マッチング層、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＯＲＧ…有機物層、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ１…画素（赤色画素）、ＰＸ２…画素（緑色画素）、ＰＸ３…画素（青色画素）、ＲＥＦ…反射層、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＵＢ２…封止基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ、干渉条件調整層…ＭＣ２。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記ホール輸送層の材料は、その規格化した吸光度スペクトル特性において３５０ｎｍ以上の波長で吸光度が１０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１有機ＥＬ素子の発光色は赤色であり、
前記第２有機ＥＬ素子の発光色は緑色であって、前記第１発光層における前記第１ドーパント材料は、発光能を喪失しており、
前記第３有機ＥＬ素子の発光色は青色であって、前記第１発光層における前記第１ドーパント材料及び前記第２発光層における前記第２ドーパント材料は、発光能を喪失していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ホール輸送層、及び、前記第１乃至第３発光層は、表示領域に亘って広がった連続膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極であり、
前記ホール輸送層は、前記第１電極と前記第１発光層との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記積層体は、前記第１電極側から、前記ホール輸送層、前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層の順で積層されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記有機物層は、前記積層体の前記第１電極側にホール注入層を有し、前記積層体の前記第２電極側に電子輸送層及び電子注入層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
さらに、前記第１電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、反射層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
さらに、前記第２電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、光学マッチング層を有することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
さらに、前記第１電極と前記反射層との間に、干渉条件調整層を有することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記干渉条件調整層の光路長は、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各発光波長の１／４の最小公倍数に相当する光路長になることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記干渉条件調整層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成され、膜厚が略４１０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記干渉条件調整層は、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、２つの有機ＥＬ素子のみ有することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記２つの有機ＥＬ素子は、前記第１有機ＥＬ素子と前記第２有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記干渉条件調整層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成され、膜厚が略３９０ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
さらに、前記第１電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、反射層を含む凹凸散乱層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
前記凹凸散乱層は、前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
少なくとも１回の露光工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
電子輸送層を形成後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第３露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
電子輸送層を形成後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第３露光工程と、
前記第３露光工程後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第４露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第３発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第１露光工程後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１回の露光工程は、
光透過性を有する第２電極を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第１露光工程後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１露光工程と前記第２露光工程とは、互いに波長の異なる照射光であることを特徴とする請求項１９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第３露光工程と前記第４露光工程は、互いに波長の異なる照射光であることを特徴とする請求項２１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記少なくとも１回の露光工程において、
前記第２有機ＥＬ素子には、前記第３有機ＥＬ素子の露光強度より小さい強度が、１回の露光強度で照射されるハーフトーン露光であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記露光工程に用いる光の波長は、前記ホール輸送層の材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムから長波長であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記露光工程に用いる光源は、その発光スペクトル特性において、発光強度が最大となる波長が３５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記光源は、高圧水銀ランプであることを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記露光工程においては、紫外光を、０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ-2・ｎｍ-1の強度で照射することを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記ホール輸送層の材料は、その規格化した吸光度スペクトル特性において３５０ｎｍ以上の波長で吸光度が１０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１有機ＥＬ素子の発光色は赤色であり、
前記第２有機ＥＬ素子の発光色は緑色であって、前記第１発光層における前記第１ドーパント材料は、発光能を喪失しており、
前記第３有機ＥＬ素子の発光色は青色であって、前記第１発光層における前記第１ドーパント材料及び前記第２発光層における前記第２ドーパント材料は、発光能を喪失していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記ホール輸送層、及び、前記第１乃至第３発光層は、表示領域に亘って広がった連続膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１電極は陽極であり、前記第２電極は陰極であり、
前記ホール輸送層は、前記第１電極と前記第１発光層との間に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記積層体は、前記第１電極側から、前記ホール輸送層、前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層の順で積層されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記有機物層は、前記積層体の前記第１電極側にホール注入層を有し、前記積層体の前記第２電極側に電子輸送層及び電子注入層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
さらに、前記第１電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、反射層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
さらに、前記第２電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、光学マッチング層を有することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
さらに、前記第１電極と前記反射層との間に、干渉条件調整層を有することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記干渉条件調整層の光路長は、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各発光波長の１／４の最小公倍数に相当する光路長になることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記干渉条件調整層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成され、膜厚が略４１０ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記干渉条件調整層は、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、２つの有機ＥＬ素子のみ有することを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記２つの有機ＥＬ素子は、前記第１有機ＥＬ素子と前記第２有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記干渉条件調整層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）によって形成され、膜厚が略３９０ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
さらに、前記第１電極の前記積層体と対向する側とは反対側に、反射層を含む凹凸散乱層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
前記凹凸散乱層は、前記第１有機ＥＬ素子及び前記第２有機ＥＬ素子に形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
基板上に、互いに発光色が異なる第１乃至第３有機ＥＬ素子を具備し、
前記第１乃至第３有機ＥＬ素子の各々は、第１電極と、前記第１電極と向き合った第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在した有機物層と、を含み、
前記有機物層は、ホール輸送層と、発光色の互いに異なる第１乃至第３発光層と、を積層した積層体を含み、
前記第１発光層は、赤色波長に発光中心を有する第１ドーパント材料を含み、
前記第２発光層は、緑色波長に発光中心を有する第２ドーパント材料を含み、
前記ホール輸送層は、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する材料によって形成されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
少なくとも１回の露光工程を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
電子輸送層を形成後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第３露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第１発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第２発光層を形成後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
電子輸送層を形成後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第３露光工程と、
前記第３露光工程後、前記第１乃至第３有機ＥＬ素子のうち、少なくとも一つの有機ＥＬ素子の領域を露光する第４露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記少なくとも１回の露光工程は、
前記第３発光層を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第１露光工程後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１回の露光工程は、
光透過性を有する第２電極を形成後、前記第２有機ＥＬ素子及び前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第１露光工程と、
前記第１露光工程後、前記第３有機ＥＬ素子を形成する領域を露光する第２露光工程と、
からなることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１露光工程と前記第２露光工程とは、互いに波長の異なる照射光であることを特徴とする請求項１９に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第３露光工程と前記第４露光工程は、互いに波長の異なる照射光であることを特徴とする請求項２１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記少なくとも１回の露光工程において、
前記第２有機ＥＬ素子には、前記第３有機ＥＬ素子の露光強度より小さい強度が、１回の露光強度で照射されるハーフトーン露光であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記露光工程に用いる光の波長は、前記ホール輸送層の材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ボトムから長波長であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記露光工程に用いる光源は、その発光スペクトル特性において、発光強度が最大となる波長が３５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記光源は、高圧水銀ランプであることを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記露光工程においては、紫外光を、０．００１〜１ｍＷ・ｍｍ-2・ｎｍ-1の強度で照射することを特徴とする請求項１８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１０−８０７３８（Ｐ２０１０−８０７３８Ａ）
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４８４８２（Ｐ２００８−２４８４８２）
【出願日】平成２０年９月２６日（２００８．９．２６）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月２６日（２００８．９．２６）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]