機能シート
【課題】 高周波デバイスの追加又はマザー回路基板に設計変更があってもフィルタ回路等を容易に追加することが可能な機能シートを提供すること。
【解決手段】 複数の誘電体フィルム２〜５を積層してなる積層体１Ａの各電極間に設けた導電層６Ａ〜６Ｅを所定の形状にパターン形成することにより、コンデンサＣ1，Ｃ２が形成されるとともに導電層６Ｃにはコイル７が形成されている。各誘電体フィルム内に形成したビアホール８ａ〜８ｃの導体８Ａを用いてコンデンサＣ１、コイル７および各電極１ａ〜１ｃ間を接続すると、ローパスフィルタが形成される。第１，第４層に高い誘電率εHからなる誘電体フィルム２を、第２，３層に低い誘電率εLからなる誘電体フィルム３，４をそれぞれ積層して積層体１Ａを形成すると、ハイパスフィルタ等のそれ以外の回路も形成することができる。機能シート１０Ａを高周波デバイスとマザー回路基板との間に配置することにより、フィルタ回路等を容易に追加することが可能となる。
【解決手段】 複数の誘電体フィルム２〜５を積層してなる積層体１Ａの各電極間に設けた導電層６Ａ〜６Ｅを所定の形状にパターン形成することにより、コンデンサＣ1，Ｃ２が形成されるとともに導電層６Ｃにはコイル７が形成されている。各誘電体フィルム内に形成したビアホール８ａ〜８ｃの導体８Ａを用いてコンデンサＣ１、コイル７および各電極１ａ〜１ｃ間を接続すると、ローパスフィルタが形成される。第１，第４層に高い誘電率εHからなる誘電体フィルム２を、第２，３層に低い誘電率εLからなる誘電体フィルム３，４をそれぞれ積層して積層体１Ａを形成すると、ハイパスフィルタ等のそれ以外の回路も形成することができる。機能シート１０Ａを高周波デバイスとマザー回路基板との間に配置することにより、フィルタ回路等を容易に追加することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波デバイスが実装されるマザー回路基板上に設けられて、高周波デバイスに対してフィルタ機能を提供する機能シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの電子機器においては、例えば高周波増幅器（ＲＦアンプ）などの高周波デバイスを備えるが、このような高周波デバイスから放出される高周波ノイズがマザー回路基板上に配線された信号線に重畳すると誤動作を生じる虞があることから、マザー回路基板上には複数のフィルタ回路を設けておくことが一般的である。
【０００３】
この種のフィルタ回路は、チップ型のコンデンサとコイルを組み合わせて形成されるが、マザー回路基板上に設けられた複数の各部門（端子）ごとに複数のチップ部品を搭載すると、小型化、薄型化または軽量化などの妨げになるとともに、製造コストを低減しにくいという問題がある。
【０００４】
そこで、以下の特許文献に示すように、従来においては多層配線技術を用いて、フィルタ回路を構成するコンデンサやコイルを、積層基板の内部に形成するようにしている。
【特許文献１】特開平６−２０８７０号公報
【特許文献２】特開２０００−３４９２２５号公報
【特許文献３】特開２００３−３７４６５号公報
【特許文献４】特開２００４−２８９１９５号公報
【特許文献５】特開２００４−３５６２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、高周波デバイスとマザー回路基板とは別々に設計されることが多い。しかもフィルタ回路は一つのマザー回路基板上の複数の位置に実装されることから、マザー回路基板ごとにフィルタ回路の設計を行う必要がある。
【０００６】
このため、高周波デバイスを追加する設計変更又はマザー回路基板自体の設計変更があると、フィルタ回路についても煩雑な設計変更作業を強いられるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、高周波デバイスの追加又はマザー回路基板に設計変更があってもフィルタ回路等を容易に追加することが可能な機能シートを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の誘電体フィルムが積層された積層体と、各誘電体フィルムの上下の面上にそれぞれ所定のパターンで形成された導電層と、を備えた機能シートであって、
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも高い誘電率からなる誘電体フィルムで形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明では、フィルタなどの各種の回路を、フィルムの中に形成し、高周波デバイスとマザー回路基板との間に挟み込む構成としたこと、および小径のビアホールと、微細導体パターンからなる高密度化により、高周波デバイスとマザー回路基板との接続を行うランドを同程度の面積で構成したことなどにより、機能シートの内部に複数のフィルタ回路を形成することができる。このため、高周波デバイスおよびマザー回路基板の設計変更を行うことなく、必要なフィルタ回路を配置することができる。これにより、高周波デバイスの汎用化を図ることができる。
【００１０】
前記積層体の複数の箇所に、コンデンサとコイルの一方または双方が形成されているものが好ましく、さらに前記コンデンサは、少なくとも１つ以上の誘電フィルムを挟んで対向配置された導電層によって形成されるものが好ましい。
上記において、前記積層体が４層構造であるものが好ましい。
【００１１】
上記手段では、一枚の積層体の複数の箇所にコンデンサとコイルを配置することができる。このため、フィルタ回路の個々の設計を最適化することができるようになる。よって、高周波デバイスと特定のマザー回路基板との間に生じる相互の影響を小さくすることができ、製品の性能の向上と、性能の安定化を図ることができる。
【００１２】
また前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも薄く形成されているものが好ましい。
上記手段では、コンデンサの容量を大きくすることができる。
【００１３】
また前記コイルが平面螺旋状であるものが好ましい。
上記手段では、薄型の機能シートの中にインダクタンスを形成することとができる。
【００１４】
前記コイルが、前記最上層及び前記最下層以外の層とのみ接するように形成されているものが好ましい。
【００１５】
上記手段では、寄生容量を小さくでき、インダクタンスとして有効に機能させることが可能となる。
【００１６】
また前記誘電体フィルムには、内部に導体が埋設されたビアホールが形成されており、前記コンデンサの一端と前記コイルの一端とが、前記ビアホール内の導体を介して導通接続されるものが好ましい。
上記構成ではコンデンサとコイルとを電気的に導通接続することとができる。
【００１７】
複数の前記コンデンサと複数の前記コイルとにより、複数のフィルタ回路が設けられているのが好ましく、例えば前記フィルタ回路は、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、トラップのいずれかを含むものである。
【００１８】
また前記最上層の積層体の外面に形成された導電層には、他の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されており、前記最下層の積層体の外面に形成された導電層には、前記入出力電極に対応する位置に、別の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されているものが好ましい。
【００１９】
マザー基板と他の基板と接続したときに、これらの間のインピーダンスを容易にマッチングさせることができる。
【００２０】
さらには、前記積層体の最上層または最下層の内面に形成され、前記入出力電極とコンデンサを形成する前記導電層の少なくとも一部がグランド端子と接続されているものが好ましい。
上記手段では、多様なフィルタを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、誘電体フィルムからなる積層体上に複数のコンデンサやコイルを形成することができ、任意の箇所にフィルタ回路が配置された機能シートを提供することができる。
【００２２】
このため、マザー回路基板上にフィルタ回路を形成するためのスペースを確保する必要がなくなる。しかも多数のチップ部品を配置する必要がなくなるため、高周波デバイスを備えたマザー回路基板を小型化、薄型化または軽量化することができる。
【００２３】
また高周波デバイスの追加又はマザー回路基板に設計変更があってもフィルタ回路の追加等を容易に追加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、機能シートについて図面を参照しつつ説明する
（基本的構成）
図１は本発明の機能シート１０の基本的構成を示す断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本発明の機能シート１０は、第１層から第４層からなる複数の誘電体フィルム２，３，４，５を厚さ（Ｚ）方向に積層することにより形成された積層体１Ａが設けられ、各誘電体フィルム２，３，４，５の上下の面上には薄膜状の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅがパターンニングされている。導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅには、金、銀、銅、またはこれらの合金などの導電性材料を用いることにより、微細導体パターン（図示せず）が形成されている。
【００２６】
本発明として示す機能シート１０は、積層体の最下層に位置する誘電体フィルム２と最上層に位置する誘電体フィルム５の誘電率が高く（εH）、これらの間に配置された誘電体フィルム３，４の誘電率は低く（εL）形成されている。あるいは積層体の最下層（誘電体フィルム２）および最上層（誘電体フィルム５）の厚み寸法が、それ以外の層である誘電体フィルム３，４の厚み寸法よりも薄く形成されている。
【００２７】
各導電層６Ａないし６Ｅは、各誘電体フィルム２，３，４，５の面上に、スクリーン印刷処理工程により、またはエッチング処理工程などを経ることにより、所定の形状にパターン形成されている。
【００２８】
このような機能シート１０は全体としても薄いシート状であり、機能シート１０の任意の箇所に様々な特性からなるフィルタ回路が形成されている。このような機能シート１０はマザー回路基板上に固定され、機能シート１０上の回路パターンと高周波デバイス回路との間に接続されて目的とする回路特性を発揮する。
【００２９】
以下には、上記基本的構成を有する機能シート１０内に形成される回路について説明する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図２は本発明の第１の実施の形態としての機能シートに形成されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示し、（Ａ）はローパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００３１】
図２（Ａ）に第１の実施の形態として示す機能シート１０Ａは、一例としてローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示している。このようなローパスフィルタは、機能シート１０Ａの一部の領域に形成されている。
【００３２】
図２（Ａ）に示すように、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１０Ａは，入力端子１ａとグランド端子１ｃとの間に設けられたコンデンサＣ１と、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間に設けられたコイルＬ１とを有している。
【００３３】
図２（Ｂ）に示すように、積層体１Ａの下面、すなわち最下層である第１層を形成する誘電体フィルム２の下面には導電層６Ａをパターン形成することにより形成された入力電極６ａとグランド電極６ｃが形成されている。同様に、積層体１Ａの上面、すなわち最上層である第４層の上面には導電層６Ｅをパターン形成することにより形成された出力電極６ｂが形成されている。
【００３４】
入力電極６ａ、出力電極６ｂおよびグランド電極６ｃは所定の面積を有し、例えば円形または四角形などの形状で形成されている。図２（Ｂ）に示す入力電極６ａが図２（Ａ）に示す入力端子１ａを形成し、同様に出力電極６ｂが出力端子１ｂを形成し、グランド電極６ｃがグランド端子１ｃを形成している。
【００３５】
図２（Ｂ）に示すように、入力端子１ａを形成する入力電極６ａ、さらにはグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃには、例えば半田ボール１１，１１が形成されている。
【００３６】
入力電極６ａは、最下層の誘電体フィルム２の上側に設けられた導電層６Ｂの一部で形成される対向電極６ｄに対向しており、この間にコンデンサＣ１が形成されている。すなわち、コンデンサＣ１は、積層体１Ａの下面に形成された導電層６Ａの一部である入力電極６ａと、その上層側に設けられた導電層６Ｂの一部に設けられた対向電極６ｄと、これらの間に設けられた高い誘電率εHの誘電体フィルム２とからなる平行平板型のコンデンサとして形成されている。
【００３７】
積層体１Ａの中間部に設けられた導電層６Ｃには、平面螺旋状からなる平面コイル７がパターン形成されている。平面コイル７の中心側には端子７ａが形成され、外周側には端子７ｂが形成されている。この平面コイル７が、図２（Ａ）に示す等価回路上のコイルＬ１を形成している。
【００３８】
導電層６Ｂ上で、且つ平面コイル７の端子７ａと対向する位置には、貫通孔６Ｂ１が形成されており、この貫通孔６Ｂ１の内部には第２層である誘電体フィルム２と第３層である誘電体フィルム３とを板厚（Ｚ）方向に貫通するビアホール８ａが形成されている。ビアホール８ａの下端は導電層６Ａに達し、上端は導電層６Ｃまで延びている。ビアホール８ａの内部には金、銀、銅、またはこれらの合金などからなる導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、導電層６Ａに形成された入力電極６ａ（入力端子１ａ）と導電層６Ｃに形成された平面コイル７の中心側の端子７ａとの間が導通接続されている。
【００３９】
また誘電体フィルム２の他の箇所には、導電層６Ｂと導電層６Ａに形成されたグランド電極６ｃとの間を貫通するビアホール８ｂが形成され、その内部には導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、導電層６Ｂとグランド電極６ｃ（グランド端子１ｃ）との間が導通接続されている。
【００４０】
同様に、第３層を形成する誘電体フィルム４と第４層を形成する誘電体フィルム５との間にも板厚方向に貫通するビアホール８ｃが形成されており、この内部には導体８Ａが埋設されている。
【００４１】
導電層６Ｄには貫通孔６Ｄ１が形成されており、この貫通孔６Ｄ１の内部には、誘電体フィルム４と誘電体フィルム５とを板厚（Ｚ）方向に貫通するビアホール８ｃが形成されている。ビアホール８ｃの内部には導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、平面コイル７の外周側の端子７ｂと出力電極６ｂ（出力端子６ｂ）との間が導通接続されている。なお、導電層６Ｄはいずれにも接続されておらず、電気的には浮いた状態に設定されている。
【００４２】
このようにして形成された機能シート１０Ａにおいては、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高い。
【００４３】
このため、入力電極６ａと対向電極６ｄとの間に形成されたコンデンサＣ１の静電容量を大きくすることができる。一方、平面コイル７は、低い誘電率（εL）からなる第３，４層の誘電体フィルム３，４の間に形成されている。このため、平面コイル７は最下層（第１層の誘電体フィルム２）および最上層（第４層の誘電体フィルム５）以外の誘電率の低い層とのみ接するようになるため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることが可能となり、コイルＬ１としての機能、さらにはローパスフィルタ（ＬＰＦ）としての機能を充分に発揮することが可能となる。これにより、図２（Ａ）に実線で示すようなＬＰＦを有する機能シート１０Ａとすることができる。
【００４４】
なお、２以上のＬＰＦを連結させることで形成されるローパスフィルタの等価回路は、図２（Ａ）に点線で示すように出力端子１ｂとグランド端子１ｃとの間にコンデンサＣ２を配置したπ型となる。このようなπ型のローパスフィルタとするには、図２（Ｂ）に点線で示すように導電層６Ｄと導電層６Ｂとの間を導通接続し、導電層６Ｄがグランド電極６ｃ（グランド端子１ｃ）に接続されるように配線すると、導電層６Ｄと出力電極６ｂ（出力端子６ｂ）との間にコンデンサＣ２を形成することができる。具体的には、第３，４層の誘電体フィルム３，４の間に上記同様のビアホール８ｄを形成し、その内部に埋設した導体８Ａによって導電層６Ｄと導電層６Ｂとの間を導通接続すればよい。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図３は本発明の第２の実施の形態としての機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００４６】
図３（Ａ）に示すように、第２の実施の形態に示す機能シート１０Ｂには、入力端子１ａとグランド端子１ｃとの間に設けられたコイル７と、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間に設けられたコンデンサＣ１が形成されている。このようなハイパスフィルタＨＰＦは、機能シート１０Ｂ上の領域内の複数の箇所に形成されている。
【００４７】
図３（Ｂ）に示すように、機能シート１０Ｂは、５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層から第４層までの誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。
【００４８】
最下層の導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、最上層の導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。この実施の形態でも、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている。
【００４９】
第４層の誘電体フィルム５の下面に位置する導電層６Ｄには、出力電極６ｂとの間で平行平板型のコンデンサＣ１を形成する対向電極６ｄが形成されている。この対向電極６ｄと入力電極６ａとの間には第１ないし第３の誘電体フィルム２，３、４が配置されており、これらの誘電体フィルム２，３，４には板厚（Ｚ）方向に連続して貫通するビアホール８ａ，８ｂ，８ｃがそれぞれ形成されている。これらのビアホール８ａ，８ｂ，８ｃの内部には導体８Ａがそれぞれ埋設されており、入力電極６ａとコンデンサＣ１の一方の端子である対向電極６ｄとの間が導通接続されている。
【００５０】
図３（Ｂ）に示すように、積層体１Ａの中間に設けられた導電層６Ｃには、第１の実施の形態同様の平面螺旋状からなる平面コイル７が形成されている。なお、この平面コイル７が図３（Ａ）の等価回路上のコイルＬ１を形成している。
【００５１】
そして、この平面コイル７の中心側の端子７ａは、上下の面がビアホール８ｂ内に埋設された導体８Ａ、およびビアホール８ｃ内に埋設された導体８Ａにそれぞれ導通接続されている。また平面コイル７の外周側の端子７ｂは、第２層の誘電体フィルム３に形成されたビアホール８ｄ内の導体８Ａ、導電層６Ｂの一部に形成された中継部９および第１層の誘電体フィルム２に形成されたビアホール８ｅ内の導体８Ａを介して、積層体１Ａの最下面である導電層６Ａに形成されたグランド端子１ｃであるグランド電極６ｃに導通接続されている。
【００５２】
この実施の形態でも、高い誘電率（εH）からなる第４層の誘電体フィルム５が、コンデンサＣ１を形成する一対の出力電極６ｂと対向電極６ｄとの間に介在するように形成されている。このため、コンデンサＣ１の静電容量を大きくすることができる。
【００５３】
さらに平面コイル７は、低い誘電率（εL）からなる第２，３層の誘電体フィルム３，４の間に形成され、高い誘電率（εH）からなる第１層および第４層の誘電フィルム２，５には接しない構成である。このため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることができ、コイルＬ１として、さらにはハイパスフィルタとしての充分な機能を発揮することが可能である。
【００５４】
（第３の実施の形態）
図４は本発明の第３の実施の形態として機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００５５】
第３の実施の形態に示す機能シート１０Ｃには、Ｔ型のハイパスフィルタが形成されている。すなわち、図４（Ａ）に示すように、このハイパスフィルタは、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間にコンデンサＣ１，Ｃ２が直列に接続され、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２とが接続された接続部とグランド端子１ｃとの間にコイルＬ１が設けられた構成である。
【００５６】
図４（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｃも上記同様に５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層ないし第４層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００５７】
最下層（第１層）の誘電体フィルム２の一方の面に形成された導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、他方の面に形成された導電層６Ｂに第１の対向電極６ｄが設けられており、これらにより平行平板型のコンデンサＣ１が形成されている。同様に、最上層（第４層）の誘電体フィルム５の一方の面に形成された導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが設けられ、他方の面に形成された導電層６Ｄに第２の対向電極６ｅが設けられており、これらにより平行平板型のコンデンサＣ２が形成されている。そして、第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間にコイルＬ１を形成する平面コイル７が設けられている。
【００５８】
コンデンサＣ１を形成する第１の対向電極６ｄと平面コイル７の中心側の端子７ａとの間、およびコンデンサＣ２を形成する第２の対向電極６ｅと平面コイル７の中心側の端子７ａとの間が、ビアホール８ａ，８ｂおよびこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａによりそれぞれ導通接続されている。
【００５９】
平面コイル７の外周側の端子７ｂは、第２層の誘電体フィルム３に形成されたビアホール８ｃの導体８Ａ、導電層６Ｂに形成された中継部９、第１層の誘電体フィルム２に形成されたビアホール８ｄの導体８Ａを介してグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されている。
【００６０】
この実施の形態でも、コンデンサＣ１，Ｃ２を誘電率の高い誘電体フィルム２，５からなる第１，第４層の上下の面に設けた一対の電極により形成されるようにしたため、コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量を大きくすることができる。
【００６１】
さらに平面コイル７は、低い誘電率（εL）の誘電体フィルム３，４の間に形成され、高い誘電率（εH）の第１層および第４層の誘電フィルム２，５には接しない構成である。このため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることが可能となり、コイルＬ１として、さらにはハイパスフィルタとして充分な機能を発揮することができる。
【００６２】
（第４の実施の形態）
図５は本発明の第４の実施の形態として機能シートに形成されたバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の一部を示しており、（Ａ）はバンドパスフィルタの一部の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００６３】
図５（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｄには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１とコイルＬ１とが並列に接続されてなるバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）が設けられている。
【００６４】
図５（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｄも上記同様に５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１ないし第４層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００６５】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａとグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃとが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００６６】
そして、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間には導電層６Ｂが設けられており、これらの間に設けられた高い誘電率からなる誘電体フィルム２を介して対向する部分に平行平板型のコンデンサＣ１が形成されている。
【００６７】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層の誘電体フィルム２，３，４，５に板厚方向に形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃおよび８ｄとこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。なお、導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂは貫通孔６Ｂ１内に形成されている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にある。
【００６８】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に設けられた導電層６Ｃには、コイルＬ１を形成する螺旋状の平面コイル７が設けられている。平面コイル７の中心側の一方の端子はビアホール８ｂ，８ｃ内に埋設された導体８Ａ，８Ａに導通接続されている。そして、平面コイル７の外周側に位置する他方の端子７ｂは、第２層である誘電体フィルム３に形成された導電層６Ｂにビアホール８ｄおよび導体８Ａを介して接続され、さらに第１層である誘電体フィルム２に形成されたグランド電極６ｃにビアホール８ｅおよび導体８Ａを介して接続されている。
【００６９】
この実施の形態でもコンデンサＣ１は、高い誘電率（εH）を有する第１層の誘電体フィルム２の上下の面に一対の電極をそれぞれ対向配置することにより形成されるため、コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量を大きくすることができる。
【００７０】
さらに平面コイル７を、低い誘電率（εL）を有する第２，３層の誘電体フィルム３，４の間に形成するようにしたため、平面コイル７のコイルＬ１に結合される寄生容量を小さくすることができ、コイルＣ１としての機能、さらにはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）としての機能を十分に発揮することが可能である。
【００７１】
（第５の実施の形態）
図６は本発明の第５の実施の形態として機能シートに形成されたトラップ回路を示しており、（Ａ）はトラップ回路の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００７２】
図６（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｅには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１とコイルＬ１とが直列に接続されてなるトラップ回路が形成されている。
【００７３】
図６（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｅも上記同様に５層の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１ないし第４の誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００７４】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａとグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃとが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００７５】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層である誘電体フィルム２，３，４，５に板厚方向に形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃおよび８ｄとこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。
【００７６】
なお、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間に形成された導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂはこの中を通っている。同様に、第３層の誘電体フィルム４と第４層の誘電体フィルム５との間に形成された導電層６Ｄにも貫通孔６Ｄ１が形成されており、ビアホール８ｃ，８ｄはこの中を通っている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にあり、同様にビアホール８ｃ，８ｄの導体８Ａと導電層６Ｄとは絶縁された状態にある。
【００７７】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に設けられた導電層６Ｃには、コイルＬ１を形成する螺旋状の平面コイル７が設けられている。平面コイル７の中心側の一方の端子７ａの上下の面は、ビアホール８ｂ，８ｃ内の導体８Ａ，８Ａにそれぞれ導通接続されている。そして、平面コイル７の外周側に位置する他方の端子７ｂは、同じ導電層６Ｃに形成された平面電極７Ａに接続されている。な、平面コイル７の端子７ｂは平面電極７Ａの一部を形成している。すなわち、平面電極７Ａは，平面コイル７の他方の端子７ｂに連続するとともに比較的広い面積を有して形成されている。このため、平面電極７Ａの下面と第２層の誘電体フィルム３を介して対向する導電部６Ｂの上面との間にはコンデンサＣ１１が形成され、同じく平面電極７Ａの上面と第３層の誘電体フィルム４を介して対向する導電部６Ｄの下面との間にはコンデンサＣ１２が形成されている。
【００７８】
導電層６Ｂと導電層６Ｄとは、ビアホール８ｅおよび導体８Ａを介して互いに接続されてグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されている。このため、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２とは並列接続されており、これにより１つのコンデンサＣ１（＝Ｃ１１＋Ｃ１２）が形成されている。
【００７９】
この実施の形態では、平面電極７Ａと、その上下に位置する誘電率の低い誘電体フィルム３，４を挟んで対向する導電層６Ｂ，６Ｄと間にコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２がそれぞれ形成されているが、これらを並列接続する構成とすることにより、結果としてコンデンサＣ１の静電容量を大きくすることが可能である。
【００８０】
また平面コイル７は、上記同様に低い誘電率（εL）の誘電体フィルム３，４の間に形成されているため、平旋状コイル７に結合される寄生容量が大きくなることがなく、トラップ回路として十分な機能を発揮することが可能である
【００８１】
（第６の実施の形態）
図７は本発明の第６の実施の形態として機能シートに形成された貫通コンデンサを示しており、（Ａ）は貫通コンデンサの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００８２】
図７（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｆには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１を接続することにより形成される貫通コンデンサが形成されている。
【００８３】
図７（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｆも上記同様に５層の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層ないし第３層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。さらに最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００８４】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００８５】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層の誘電体フィルム２，３，４，５を板厚方向に貫いて形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃ，ｄと，これらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。
【００８６】
なお、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間に形成された導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂはこの中を通っている。同様に、第３層の誘電体フィルム４と第４層の誘電体フィルム５との間に形成されたの導電層６Ｄには貫通孔６Ｄ１が形成されており、ビアホール８ｃ，８ｄこの中を通っている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にあり、同様にビアホール８ｃ，８ｄの導体８Ａと導電層６Ｄとは絶縁された状態にある。
【００８７】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に形成された導電層６Ｃには平面電極６ｆが形成されている。この平面電極６ｆの下面にはビアホール８ｂの導体８Ａが接続され、平面電極６ｆの上面にはビアホール８ｃの導体８Ａが接続されている。したがって、入力電極６ａ、平面電極６ｆおよび出力電極６ｂは同電位に設定されている。
【００８８】
そして、入力電極６ａと導電層６Ｂとが第１層の誘電体フィルム２を介して対向する領域にコンデンサＣ１１が形成され、導電層６Ｂと平面電極６ｆとが第２層の誘電体フィルム３を介して対向する領域にコンデンサＣ１２が形成され、平面電極６ｆと導電層６Ｄとが第３層の誘電体フィルム４を介して対向する領域にコンデンサＣ１３が形成され、導電層６Ｄと出力電極６ｂが第４層の誘電体フィルム５を介して対向する領域にコンデンサＣ１４が形成されている。
【００８９】
そして、導電層６Ｂと導電層６Ｄが、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａ，８Ａによりグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されることにより、コンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４が並列接続されて１つのコンデンサＣ１が形成されている。
【００９０】
この実施の形態では、第１層と第４層に誘電率の高い誘電体フィルム２，５による静電容量の大きなコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１４が形成され、第２層と第３層に誘電率の低い誘電体フィルム３，４による静電容量の小さなコンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３が形成されている。この貫通コンデンサＣ１の全体容量は、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４となり、静電容量の大きな貫通コンデンサとすることが可能である。
【００９１】
以上のように本願発明では、積層体１Ａの内部に様々な積層構造とすることにより、一枚の機能シート１０に様々な電気回路を備えることができる。
【００９２】
次に、機能シート１０の使用方法について説明する。
図８は機能シートの使用状態の一例を示す斜視図である。
【００９３】
図８に示すように、機能シート１０は、マザー回路基板３０と高周波デバイス２０との間に設置されて使用される。すなわち、マザー回路基板３０の上に機能シート１０が固定され、機能シート１０の上に高周波デバイス２０が固定される。マザー回路基板３０と機能シート１０との固定は、マザー回路基板３０上に形成されている接続電極３１と、機能シート１０Ａの下面側に設けられた入力電極６ａまたはグランド電極６ｃとの間が半田ボール１１，１１を介してそれぞれ半田付けされる。
【００９４】
また機能シート１０と高周波デバイス２０との間は、高周波デバイス２０の底面に設けられた半田ボール２１が機能シート１０Ａの上面側に設けられた出力電極６ｂに半田付けされることにより固定される。
【００９５】
このように、マザー回路基板３０と高周波デバイス２０との間に機能シート１０を介在させるだけで、高周波デバイス２０の各端子とマザー回路基板３０上の端子との間に上記実施の形態に示したいずれかの回路を配置することができ、フィルタ回路を形成するチップ部品を搭載するためのスペースを確保する必要がなくなる。このため、高周波デバイス２０を搭載したマザー回路基板全体の小型化、薄型化または軽量化することができる。しかも高周波デバイス２０やマザー回路基板３０の仕様が変更された場合であっても、介在させる機能シート１０を選択し直すだけで必要な回路を容易に提供することができる。
【００９６】
また本発明では、第１，４層を誘電率の高い誘電体フィルム２，５とし、第２，３層を誘電率の低い誘電体フィルム３，４とした積層体１Ａとすることにより、上述したような複数種類の回路を一枚の機能シート上に配設することが可能である。
【００９７】
このため、このような一枚の機能シートをマザー回路基板上に設置するだけで、マザー回路基板３０上の必要な箇所に必要な回路を容易に提供することが可能となる。
【００９８】
このため、マザー回路基板とマザー回路基板の設置される他の電子部品、またはマザー回路基板に接続されるその他の回路基板との間のインピーダンスとを容易にマッチングさせることが可能となる。またマザー回路基板自体の設計変更や高周波デバイスの追加などによる設計変更があっても、柔軟に対処することができるようになる。
【００９９】
なお、上記各実施の形態では積層体１Ａが、第１ないし第４の誘電体フィルムからなるものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、それ以上の多層構造であってもよい。
【０１００】
また上記各実施の形態では、グランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃを、機能シート１０の下面（最下層の下面）側に設けた構成を示して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、グランド電極６ｃは機能シート１０の上面（最上層の上面）側に設けた構成とするものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の機能シート１の基本的構成を示す断面図、
【図２】本発明の第１の実施の形態としての機能シートに形成されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示し、（Ａ）はローパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図３】本発明の第２の実施の形態としての機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図４】本発明の第３の実施の形態として機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図５】本発明の第４の実施の形態として機能シートに形成されたバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の一部を示しており、（Ａ）はバンドパスフィルタの一部の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図６】本発明の第５の実施の形態として機能シートに形成されたトラップ回路を示しており、（Ａ）はトラップ回路の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図７】本発明の第６の実施の形態として機能シートに形成された貫通コンデンサを示しており、（Ａ）は貫通コンデンサの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図８】機能シートの使用状態の一例を示す斜視図、
【符号の説明】
【０１０２】
１Ａ 積層体
１ａ 入力端子
１ｂ 出力端子
１ｃ グランド端子
２ 誘電率の高い誘電体フィルム（第１層）
３ 誘電率の低い誘電体フィルム（第２層）
４ 誘電率の低い誘電体フィルム（第３層）
５ 誘電率の高い誘電体フィルム（第４層）
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ 導電層
６ａ 入力電極
６ｂ 出力電極
６ｃ グランド電極
７ 平面コイル
７ａ コイルの中心側の端部
７ｂ コイルの外周側の端部
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ ビアホール
８Ａ ビアホール内の導体
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ 機能シート
２０ 高周波デバイス
３０ マザー回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波デバイスが実装されるマザー回路基板上に設けられて、高周波デバイスに対してフィルタ機能を提供する機能シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機などの電子機器においては、例えば高周波増幅器（ＲＦアンプ）などの高周波デバイスを備えるが、このような高周波デバイスから放出される高周波ノイズがマザー回路基板上に配線された信号線に重畳すると誤動作を生じる虞があることから、マザー回路基板上には複数のフィルタ回路を設けておくことが一般的である。
【０００３】
この種のフィルタ回路は、チップ型のコンデンサとコイルを組み合わせて形成されるが、マザー回路基板上に設けられた複数の各部門（端子）ごとに複数のチップ部品を搭載すると、小型化、薄型化または軽量化などの妨げになるとともに、製造コストを低減しにくいという問題がある。
【０００４】
そこで、以下の特許文献に示すように、従来においては多層配線技術を用いて、フィルタ回路を構成するコンデンサやコイルを、積層基板の内部に形成するようにしている。
【特許文献１】特開平６−２０８７０号公報
【特許文献２】特開２０００−３４９２２５号公報
【特許文献３】特開２００３−３７４６５号公報
【特許文献４】特開２００４−２８９１９５号公報
【特許文献５】特開２００４−３５６２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、高周波デバイスとマザー回路基板とは別々に設計されることが多い。しかもフィルタ回路は一つのマザー回路基板上の複数の位置に実装されることから、マザー回路基板ごとにフィルタ回路の設計を行う必要がある。
【０００６】
このため、高周波デバイスを追加する設計変更又はマザー回路基板自体の設計変更があると、フィルタ回路についても煩雑な設計変更作業を強いられるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、高周波デバイスの追加又はマザー回路基板に設計変更があってもフィルタ回路等を容易に追加することが可能な機能シートを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の誘電体フィルムが積層された積層体と、各誘電体フィルムの上下の面上にそれぞれ所定のパターンで形成された導電層と、を備えた機能シートであって、
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも高い誘電率からなる誘電体フィルムで形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明では、フィルタなどの各種の回路を、フィルムの中に形成し、高周波デバイスとマザー回路基板との間に挟み込む構成としたこと、および小径のビアホールと、微細導体パターンからなる高密度化により、高周波デバイスとマザー回路基板との接続を行うランドを同程度の面積で構成したことなどにより、機能シートの内部に複数のフィルタ回路を形成することができる。このため、高周波デバイスおよびマザー回路基板の設計変更を行うことなく、必要なフィルタ回路を配置することができる。これにより、高周波デバイスの汎用化を図ることができる。
【００１０】
前記積層体の複数の箇所に、コンデンサとコイルの一方または双方が形成されているものが好ましく、さらに前記コンデンサは、少なくとも１つ以上の誘電フィルムを挟んで対向配置された導電層によって形成されるものが好ましい。
上記において、前記積層体が４層構造であるものが好ましい。
【００１１】
上記手段では、一枚の積層体の複数の箇所にコンデンサとコイルを配置することができる。このため、フィルタ回路の個々の設計を最適化することができるようになる。よって、高周波デバイスと特定のマザー回路基板との間に生じる相互の影響を小さくすることができ、製品の性能の向上と、性能の安定化を図ることができる。
【００１２】
また前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも薄く形成されているものが好ましい。
上記手段では、コンデンサの容量を大きくすることができる。
【００１３】
また前記コイルが平面螺旋状であるものが好ましい。
上記手段では、薄型の機能シートの中にインダクタンスを形成することとができる。
【００１４】
前記コイルが、前記最上層及び前記最下層以外の層とのみ接するように形成されているものが好ましい。
【００１５】
上記手段では、寄生容量を小さくでき、インダクタンスとして有効に機能させることが可能となる。
【００１６】
また前記誘電体フィルムには、内部に導体が埋設されたビアホールが形成されており、前記コンデンサの一端と前記コイルの一端とが、前記ビアホール内の導体を介して導通接続されるものが好ましい。
上記構成ではコンデンサとコイルとを電気的に導通接続することとができる。
【００１７】
複数の前記コンデンサと複数の前記コイルとにより、複数のフィルタ回路が設けられているのが好ましく、例えば前記フィルタ回路は、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、トラップのいずれかを含むものである。
【００１８】
また前記最上層の積層体の外面に形成された導電層には、他の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されており、前記最下層の積層体の外面に形成された導電層には、前記入出力電極に対応する位置に、別の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されているものが好ましい。
【００１９】
マザー基板と他の基板と接続したときに、これらの間のインピーダンスを容易にマッチングさせることができる。
【００２０】
さらには、前記積層体の最上層または最下層の内面に形成され、前記入出力電極とコンデンサを形成する前記導電層の少なくとも一部がグランド端子と接続されているものが好ましい。
上記手段では、多様なフィルタを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、誘電体フィルムからなる積層体上に複数のコンデンサやコイルを形成することができ、任意の箇所にフィルタ回路が配置された機能シートを提供することができる。
【００２２】
このため、マザー回路基板上にフィルタ回路を形成するためのスペースを確保する必要がなくなる。しかも多数のチップ部品を配置する必要がなくなるため、高周波デバイスを備えたマザー回路基板を小型化、薄型化または軽量化することができる。
【００２３】
また高周波デバイスの追加又はマザー回路基板に設計変更があってもフィルタ回路の追加等を容易に追加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、機能シートについて図面を参照しつつ説明する
（基本的構成）
図１は本発明の機能シート１０の基本的構成を示す断面図である。
【００２５】
図１に示すように、本発明の機能シート１０は、第１層から第４層からなる複数の誘電体フィルム２，３，４，５を厚さ（Ｚ）方向に積層することにより形成された積層体１Ａが設けられ、各誘電体フィルム２，３，４，５の上下の面上には薄膜状の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅがパターンニングされている。導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅには、金、銀、銅、またはこれらの合金などの導電性材料を用いることにより、微細導体パターン（図示せず）が形成されている。
【００２６】
本発明として示す機能シート１０は、積層体の最下層に位置する誘電体フィルム２と最上層に位置する誘電体フィルム５の誘電率が高く（εH）、これらの間に配置された誘電体フィルム３，４の誘電率は低く（εL）形成されている。あるいは積層体の最下層（誘電体フィルム２）および最上層（誘電体フィルム５）の厚み寸法が、それ以外の層である誘電体フィルム３，４の厚み寸法よりも薄く形成されている。
【００２７】
各導電層６Ａないし６Ｅは、各誘電体フィルム２，３，４，５の面上に、スクリーン印刷処理工程により、またはエッチング処理工程などを経ることにより、所定の形状にパターン形成されている。
【００２８】
このような機能シート１０は全体としても薄いシート状であり、機能シート１０の任意の箇所に様々な特性からなるフィルタ回路が形成されている。このような機能シート１０はマザー回路基板上に固定され、機能シート１０上の回路パターンと高周波デバイス回路との間に接続されて目的とする回路特性を発揮する。
【００２９】
以下には、上記基本的構成を有する機能シート１０内に形成される回路について説明する。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図２は本発明の第１の実施の形態としての機能シートに形成されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示し、（Ａ）はローパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００３１】
図２（Ａ）に第１の実施の形態として示す機能シート１０Ａは、一例としてローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示している。このようなローパスフィルタは、機能シート１０Ａの一部の領域に形成されている。
【００３２】
図２（Ａ）に示すように、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）１０Ａは，入力端子１ａとグランド端子１ｃとの間に設けられたコンデンサＣ１と、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間に設けられたコイルＬ１とを有している。
【００３３】
図２（Ｂ）に示すように、積層体１Ａの下面、すなわち最下層である第１層を形成する誘電体フィルム２の下面には導電層６Ａをパターン形成することにより形成された入力電極６ａとグランド電極６ｃが形成されている。同様に、積層体１Ａの上面、すなわち最上層である第４層の上面には導電層６Ｅをパターン形成することにより形成された出力電極６ｂが形成されている。
【００３４】
入力電極６ａ、出力電極６ｂおよびグランド電極６ｃは所定の面積を有し、例えば円形または四角形などの形状で形成されている。図２（Ｂ）に示す入力電極６ａが図２（Ａ）に示す入力端子１ａを形成し、同様に出力電極６ｂが出力端子１ｂを形成し、グランド電極６ｃがグランド端子１ｃを形成している。
【００３５】
図２（Ｂ）に示すように、入力端子１ａを形成する入力電極６ａ、さらにはグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃには、例えば半田ボール１１，１１が形成されている。
【００３６】
入力電極６ａは、最下層の誘電体フィルム２の上側に設けられた導電層６Ｂの一部で形成される対向電極６ｄに対向しており、この間にコンデンサＣ１が形成されている。すなわち、コンデンサＣ１は、積層体１Ａの下面に形成された導電層６Ａの一部である入力電極６ａと、その上層側に設けられた導電層６Ｂの一部に設けられた対向電極６ｄと、これらの間に設けられた高い誘電率εHの誘電体フィルム２とからなる平行平板型のコンデンサとして形成されている。
【００３７】
積層体１Ａの中間部に設けられた導電層６Ｃには、平面螺旋状からなる平面コイル７がパターン形成されている。平面コイル７の中心側には端子７ａが形成され、外周側には端子７ｂが形成されている。この平面コイル７が、図２（Ａ）に示す等価回路上のコイルＬ１を形成している。
【００３８】
導電層６Ｂ上で、且つ平面コイル７の端子７ａと対向する位置には、貫通孔６Ｂ１が形成されており、この貫通孔６Ｂ１の内部には第２層である誘電体フィルム２と第３層である誘電体フィルム３とを板厚（Ｚ）方向に貫通するビアホール８ａが形成されている。ビアホール８ａの下端は導電層６Ａに達し、上端は導電層６Ｃまで延びている。ビアホール８ａの内部には金、銀、銅、またはこれらの合金などからなる導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、導電層６Ａに形成された入力電極６ａ（入力端子１ａ）と導電層６Ｃに形成された平面コイル７の中心側の端子７ａとの間が導通接続されている。
【００３９】
また誘電体フィルム２の他の箇所には、導電層６Ｂと導電層６Ａに形成されたグランド電極６ｃとの間を貫通するビアホール８ｂが形成され、その内部には導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、導電層６Ｂとグランド電極６ｃ（グランド端子１ｃ）との間が導通接続されている。
【００４０】
同様に、第３層を形成する誘電体フィルム４と第４層を形成する誘電体フィルム５との間にも板厚方向に貫通するビアホール８ｃが形成されており、この内部には導体８Ａが埋設されている。
【００４１】
導電層６Ｄには貫通孔６Ｄ１が形成されており、この貫通孔６Ｄ１の内部には、誘電体フィルム４と誘電体フィルム５とを板厚（Ｚ）方向に貫通するビアホール８ｃが形成されている。ビアホール８ｃの内部には導体８Ａが埋設されている。この導体８Ａにより、平面コイル７の外周側の端子７ｂと出力電極６ｂ（出力端子６ｂ）との間が導通接続されている。なお、導電層６Ｄはいずれにも接続されておらず、電気的には浮いた状態に設定されている。
【００４２】
このようにして形成された機能シート１０Ａにおいては、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高い。
【００４３】
このため、入力電極６ａと対向電極６ｄとの間に形成されたコンデンサＣ１の静電容量を大きくすることができる。一方、平面コイル７は、低い誘電率（εL）からなる第３，４層の誘電体フィルム３，４の間に形成されている。このため、平面コイル７は最下層（第１層の誘電体フィルム２）および最上層（第４層の誘電体フィルム５）以外の誘電率の低い層とのみ接するようになるため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることが可能となり、コイルＬ１としての機能、さらにはローパスフィルタ（ＬＰＦ）としての機能を充分に発揮することが可能となる。これにより、図２（Ａ）に実線で示すようなＬＰＦを有する機能シート１０Ａとすることができる。
【００４４】
なお、２以上のＬＰＦを連結させることで形成されるローパスフィルタの等価回路は、図２（Ａ）に点線で示すように出力端子１ｂとグランド端子１ｃとの間にコンデンサＣ２を配置したπ型となる。このようなπ型のローパスフィルタとするには、図２（Ｂ）に点線で示すように導電層６Ｄと導電層６Ｂとの間を導通接続し、導電層６Ｄがグランド電極６ｃ（グランド端子１ｃ）に接続されるように配線すると、導電層６Ｄと出力電極６ｂ（出力端子６ｂ）との間にコンデンサＣ２を形成することができる。具体的には、第３，４層の誘電体フィルム３，４の間に上記同様のビアホール８ｄを形成し、その内部に埋設した導体８Ａによって導電層６Ｄと導電層６Ｂとの間を導通接続すればよい。
【００４５】
（第２の実施の形態）
図３は本発明の第２の実施の形態としての機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００４６】
図３（Ａ）に示すように、第２の実施の形態に示す機能シート１０Ｂには、入力端子１ａとグランド端子１ｃとの間に設けられたコイル７と、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間に設けられたコンデンサＣ１が形成されている。このようなハイパスフィルタＨＰＦは、機能シート１０Ｂ上の領域内の複数の箇所に形成されている。
【００４７】
図３（Ｂ）に示すように、機能シート１０Ｂは、５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層から第４層までの誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。
【００４８】
最下層の導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、最上層の導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。この実施の形態でも、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている。
【００４９】
第４層の誘電体フィルム５の下面に位置する導電層６Ｄには、出力電極６ｂとの間で平行平板型のコンデンサＣ１を形成する対向電極６ｄが形成されている。この対向電極６ｄと入力電極６ａとの間には第１ないし第３の誘電体フィルム２，３、４が配置されており、これらの誘電体フィルム２，３，４には板厚（Ｚ）方向に連続して貫通するビアホール８ａ，８ｂ，８ｃがそれぞれ形成されている。これらのビアホール８ａ，８ｂ，８ｃの内部には導体８Ａがそれぞれ埋設されており、入力電極６ａとコンデンサＣ１の一方の端子である対向電極６ｄとの間が導通接続されている。
【００５０】
図３（Ｂ）に示すように、積層体１Ａの中間に設けられた導電層６Ｃには、第１の実施の形態同様の平面螺旋状からなる平面コイル７が形成されている。なお、この平面コイル７が図３（Ａ）の等価回路上のコイルＬ１を形成している。
【００５１】
そして、この平面コイル７の中心側の端子７ａは、上下の面がビアホール８ｂ内に埋設された導体８Ａ、およびビアホール８ｃ内に埋設された導体８Ａにそれぞれ導通接続されている。また平面コイル７の外周側の端子７ｂは、第２層の誘電体フィルム３に形成されたビアホール８ｄ内の導体８Ａ、導電層６Ｂの一部に形成された中継部９および第１層の誘電体フィルム２に形成されたビアホール８ｅ内の導体８Ａを介して、積層体１Ａの最下面である導電層６Ａに形成されたグランド端子１ｃであるグランド電極６ｃに導通接続されている。
【００５２】
この実施の形態でも、高い誘電率（εH）からなる第４層の誘電体フィルム５が、コンデンサＣ１を形成する一対の出力電極６ｂと対向電極６ｄとの間に介在するように形成されている。このため、コンデンサＣ１の静電容量を大きくすることができる。
【００５３】
さらに平面コイル７は、低い誘電率（εL）からなる第２，３層の誘電体フィルム３，４の間に形成され、高い誘電率（εH）からなる第１層および第４層の誘電フィルム２，５には接しない構成である。このため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることができ、コイルＬ１として、さらにはハイパスフィルタとしての充分な機能を発揮することが可能である。
【００５４】
（第３の実施の形態）
図４は本発明の第３の実施の形態として機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００５５】
第３の実施の形態に示す機能シート１０Ｃには、Ｔ型のハイパスフィルタが形成されている。すなわち、図４（Ａ）に示すように、このハイパスフィルタは、入力端子１ａと出力端子１ｂとの間にコンデンサＣ１，Ｃ２が直列に接続され、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２とが接続された接続部とグランド端子１ｃとの間にコイルＬ１が設けられた構成である。
【００５６】
図４（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｃも上記同様に５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層ないし第４層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００５７】
最下層（第１層）の誘電体フィルム２の一方の面に形成された導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、他方の面に形成された導電層６Ｂに第１の対向電極６ｄが設けられており、これらにより平行平板型のコンデンサＣ１が形成されている。同様に、最上層（第４層）の誘電体フィルム５の一方の面に形成された導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが設けられ、他方の面に形成された導電層６Ｄに第２の対向電極６ｅが設けられており、これらにより平行平板型のコンデンサＣ２が形成されている。そして、第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間にコイルＬ１を形成する平面コイル７が設けられている。
【００５８】
コンデンサＣ１を形成する第１の対向電極６ｄと平面コイル７の中心側の端子７ａとの間、およびコンデンサＣ２を形成する第２の対向電極６ｅと平面コイル７の中心側の端子７ａとの間が、ビアホール８ａ，８ｂおよびこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａによりそれぞれ導通接続されている。
【００５９】
平面コイル７の外周側の端子７ｂは、第２層の誘電体フィルム３に形成されたビアホール８ｃの導体８Ａ、導電層６Ｂに形成された中継部９、第１層の誘電体フィルム２に形成されたビアホール８ｄの導体８Ａを介してグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されている。
【００６０】
この実施の形態でも、コンデンサＣ１，Ｃ２を誘電率の高い誘電体フィルム２，５からなる第１，第４層の上下の面に設けた一対の電極により形成されるようにしたため、コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量を大きくすることができる。
【００６１】
さらに平面コイル７は、低い誘電率（εL）の誘電体フィルム３，４の間に形成され、高い誘電率（εH）の第１層および第４層の誘電フィルム２，５には接しない構成である。このため、平面コイル７に結合される寄生容量を小さくすることが可能となり、コイルＬ１として、さらにはハイパスフィルタとして充分な機能を発揮することができる。
【００６２】
（第４の実施の形態）
図５は本発明の第４の実施の形態として機能シートに形成されたバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の一部を示しており、（Ａ）はバンドパスフィルタの一部の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００６３】
図５（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｄには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１とコイルＬ１とが並列に接続されてなるバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）が設けられている。
【００６４】
図５（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｄも上記同様に５層からなる導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１ないし第４層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００６５】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａとグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃとが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００６６】
そして、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間には導電層６Ｂが設けられており、これらの間に設けられた高い誘電率からなる誘電体フィルム２を介して対向する部分に平行平板型のコンデンサＣ１が形成されている。
【００６７】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層の誘電体フィルム２，３，４，５に板厚方向に形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃおよび８ｄとこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。なお、導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂは貫通孔６Ｂ１内に形成されている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にある。
【００６８】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に設けられた導電層６Ｃには、コイルＬ１を形成する螺旋状の平面コイル７が設けられている。平面コイル７の中心側の一方の端子はビアホール８ｂ，８ｃ内に埋設された導体８Ａ，８Ａに導通接続されている。そして、平面コイル７の外周側に位置する他方の端子７ｂは、第２層である誘電体フィルム３に形成された導電層６Ｂにビアホール８ｄおよび導体８Ａを介して接続され、さらに第１層である誘電体フィルム２に形成されたグランド電極６ｃにビアホール８ｅおよび導体８Ａを介して接続されている。
【００６９】
この実施の形態でもコンデンサＣ１は、高い誘電率（εH）を有する第１層の誘電体フィルム２の上下の面に一対の電極をそれぞれ対向配置することにより形成されるため、コンデンサＣ１，Ｃ２の静電容量を大きくすることができる。
【００７０】
さらに平面コイル７を、低い誘電率（εL）を有する第２，３層の誘電体フィルム３，４の間に形成するようにしたため、平面コイル７のコイルＬ１に結合される寄生容量を小さくすることができ、コイルＣ１としての機能、さらにはバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）としての機能を十分に発揮することが可能である。
【００７１】
（第５の実施の形態）
図６は本発明の第５の実施の形態として機能シートに形成されたトラップ回路を示しており、（Ａ）はトラップ回路の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００７２】
図６（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｅには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１とコイルＬ１とが直列に接続されてなるトラップ回路が形成されている。
【００７３】
図６（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｅも上記同様に５層の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１ないし第４の誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。そして、最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００７４】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａとグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃとが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００７５】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層である誘電体フィルム２，３，４，５に板厚方向に形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃおよび８ｄとこれらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。
【００７６】
なお、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間に形成された導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂはこの中を通っている。同様に、第３層の誘電体フィルム４と第４層の誘電体フィルム５との間に形成された導電層６Ｄにも貫通孔６Ｄ１が形成されており、ビアホール８ｃ，８ｄはこの中を通っている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にあり、同様にビアホール８ｃ，８ｄの導体８Ａと導電層６Ｄとは絶縁された状態にある。
【００７７】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に設けられた導電層６Ｃには、コイルＬ１を形成する螺旋状の平面コイル７が設けられている。平面コイル７の中心側の一方の端子７ａの上下の面は、ビアホール８ｂ，８ｃ内の導体８Ａ，８Ａにそれぞれ導通接続されている。そして、平面コイル７の外周側に位置する他方の端子７ｂは、同じ導電層６Ｃに形成された平面電極７Ａに接続されている。な、平面コイル７の端子７ｂは平面電極７Ａの一部を形成している。すなわち、平面電極７Ａは，平面コイル７の他方の端子７ｂに連続するとともに比較的広い面積を有して形成されている。このため、平面電極７Ａの下面と第２層の誘電体フィルム３を介して対向する導電部６Ｂの上面との間にはコンデンサＣ１１が形成され、同じく平面電極７Ａの上面と第３層の誘電体フィルム４を介して対向する導電部６Ｄの下面との間にはコンデンサＣ１２が形成されている。
【００７８】
導電層６Ｂと導電層６Ｄとは、ビアホール８ｅおよび導体８Ａを介して互いに接続されてグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されている。このため、コンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２とは並列接続されており、これにより１つのコンデンサＣ１（＝Ｃ１１＋Ｃ１２）が形成されている。
【００７９】
この実施の形態では、平面電極７Ａと、その上下に位置する誘電率の低い誘電体フィルム３，４を挟んで対向する導電層６Ｂ，６Ｄと間にコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１２がそれぞれ形成されているが、これらを並列接続する構成とすることにより、結果としてコンデンサＣ１の静電容量を大きくすることが可能である。
【００８０】
また平面コイル７は、上記同様に低い誘電率（εL）の誘電体フィルム３，４の間に形成されているため、平旋状コイル７に結合される寄生容量が大きくなることがなく、トラップ回路として十分な機能を発揮することが可能である
【００８１】
（第６の実施の形態）
図７は本発明の第６の実施の形態として機能シートに形成された貫通コンデンサを示しており、（Ａ）は貫通コンデンサの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図である。
【００８２】
図７（Ａ）に示すように、この機能シート１０Ｆには、入力端子１ａと出力端子１ｂとを結ぶ信号ラインとグランド端子１ｃと間にコンデンサＣ１を接続することにより形成される貫通コンデンサが形成されている。
【００８３】
図７（Ｂ）に示すように、この機能シート１０Ｆも上記同様に５層の導電層６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅの間に、第１層ないし第３層からなる誘電体フィルム２，３，４，５がそれぞれ配置された構成である。さらに最下層（第１層）に位置する誘電体フィルム２と最上層（第４層）に位置する誘電体フィルム５の誘電率（εH）が、これらの間に配置された第２層の誘電体フィルム３および第３層の誘電体フィルム４の誘電率（εL）よりも高くなるように形成されている点も上記同様である。
【００８４】
第１層の誘電体フィルム２の一方の下面に設けられた導電層６Ａに入力端子１ａを形成する入力電極６ａが設けられ、第４層の誘電体フィルム５の一方の上面に設けられた導電層６Ｅに出力端子１ｂを形成する出力電極６ｂが形成されている。
【００８５】
入力電極６ａと出力電極６ｂとの間は、積層体１Ａを形成する第１層ないし第４層の誘電体フィルム２，３，４，５を板厚方向に貫いて形成されたビアホール８ａ，８ｂ，８ｃ，ｄと，これらの内部に埋設された導体８Ａ，８Ａにより導通接続されている。
【００８６】
なお、第１層の誘電体フィルム２と第２層の誘電体フィルム３との間に形成された導電層６Ｂには貫通孔６Ｂ１が形成されており、ビアホール８ａ，８ｂはこの中を通っている。同様に、第３層の誘電体フィルム４と第４層の誘電体フィルム５との間に形成されたの導電層６Ｄには貫通孔６Ｄ１が形成されており、ビアホール８ｃ，８ｄこの中を通っている。したがって、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａと導電層６Ｂとは絶縁された状態にあり、同様にビアホール８ｃ，８ｄの導体８Ａと導電層６Ｄとは絶縁された状態にある。
【００８７】
また第２層の誘電体フィルム３と第３層の誘電体フィルム４との間に形成された導電層６Ｃには平面電極６ｆが形成されている。この平面電極６ｆの下面にはビアホール８ｂの導体８Ａが接続され、平面電極６ｆの上面にはビアホール８ｃの導体８Ａが接続されている。したがって、入力電極６ａ、平面電極６ｆおよび出力電極６ｂは同電位に設定されている。
【００８８】
そして、入力電極６ａと導電層６Ｂとが第１層の誘電体フィルム２を介して対向する領域にコンデンサＣ１１が形成され、導電層６Ｂと平面電極６ｆとが第２層の誘電体フィルム３を介して対向する領域にコンデンサＣ１２が形成され、平面電極６ｆと導電層６Ｄとが第３層の誘電体フィルム４を介して対向する領域にコンデンサＣ１３が形成され、導電層６Ｄと出力電極６ｂが第４層の誘電体フィルム５を介して対向する領域にコンデンサＣ１４が形成されている。
【００８９】
そして、導電層６Ｂと導電層６Ｄが、ビアホール８ａ，８ｂの導体８Ａ，８Ａによりグランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃに接続されることにより、コンデンサＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４が並列接続されて１つのコンデンサＣ１が形成されている。
【００９０】
この実施の形態では、第１層と第４層に誘電率の高い誘電体フィルム２，５による静電容量の大きなコンデンサＣ１１とコンデンサＣ１４が形成され、第２層と第３層に誘電率の低い誘電体フィルム３，４による静電容量の小さなコンデンサＣ１２とコンデンサＣ１３が形成されている。この貫通コンデンサＣ１の全体容量は、Ｃ１＝Ｃ１１＋Ｃ１２＋Ｃ１３＋Ｃ１４となり、静電容量の大きな貫通コンデンサとすることが可能である。
【００９１】
以上のように本願発明では、積層体１Ａの内部に様々な積層構造とすることにより、一枚の機能シート１０に様々な電気回路を備えることができる。
【００９２】
次に、機能シート１０の使用方法について説明する。
図８は機能シートの使用状態の一例を示す斜視図である。
【００９３】
図８に示すように、機能シート１０は、マザー回路基板３０と高周波デバイス２０との間に設置されて使用される。すなわち、マザー回路基板３０の上に機能シート１０が固定され、機能シート１０の上に高周波デバイス２０が固定される。マザー回路基板３０と機能シート１０との固定は、マザー回路基板３０上に形成されている接続電極３１と、機能シート１０Ａの下面側に設けられた入力電極６ａまたはグランド電極６ｃとの間が半田ボール１１，１１を介してそれぞれ半田付けされる。
【００９４】
また機能シート１０と高周波デバイス２０との間は、高周波デバイス２０の底面に設けられた半田ボール２１が機能シート１０Ａの上面側に設けられた出力電極６ｂに半田付けされることにより固定される。
【００９５】
このように、マザー回路基板３０と高周波デバイス２０との間に機能シート１０を介在させるだけで、高周波デバイス２０の各端子とマザー回路基板３０上の端子との間に上記実施の形態に示したいずれかの回路を配置することができ、フィルタ回路を形成するチップ部品を搭載するためのスペースを確保する必要がなくなる。このため、高周波デバイス２０を搭載したマザー回路基板全体の小型化、薄型化または軽量化することができる。しかも高周波デバイス２０やマザー回路基板３０の仕様が変更された場合であっても、介在させる機能シート１０を選択し直すだけで必要な回路を容易に提供することができる。
【００９６】
また本発明では、第１，４層を誘電率の高い誘電体フィルム２，５とし、第２，３層を誘電率の低い誘電体フィルム３，４とした積層体１Ａとすることにより、上述したような複数種類の回路を一枚の機能シート上に配設することが可能である。
【００９７】
このため、このような一枚の機能シートをマザー回路基板上に設置するだけで、マザー回路基板３０上の必要な箇所に必要な回路を容易に提供することが可能となる。
【００９８】
このため、マザー回路基板とマザー回路基板の設置される他の電子部品、またはマザー回路基板に接続されるその他の回路基板との間のインピーダンスとを容易にマッチングさせることが可能となる。またマザー回路基板自体の設計変更や高周波デバイスの追加などによる設計変更があっても、柔軟に対処することができるようになる。
【００９９】
なお、上記各実施の形態では積層体１Ａが、第１ないし第４の誘電体フィルムからなるものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、それ以上の多層構造であってもよい。
【０１００】
また上記各実施の形態では、グランド端子１ｃを形成するグランド電極６ｃを、機能シート１０の下面（最下層の下面）側に設けた構成を示して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、グランド電極６ｃは機能シート１０の上面（最上層の上面）側に設けた構成とするものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の機能シート１の基本的構成を示す断面図、
【図２】本発明の第１の実施の形態としての機能シートに形成されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）を示し、（Ａ）はローパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図３】本発明の第２の実施の形態としての機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図４】本発明の第３の実施の形態として機能シートに形成されたハイパスフィルタ（ＨＰＦ）を示し、（Ａ）はハイパスフィルタの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図５】本発明の第４の実施の形態として機能シートに形成されたバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の一部を示しており、（Ａ）はバンドパスフィルタの一部の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図６】本発明の第５の実施の形態として機能シートに形成されたトラップ回路を示しており、（Ａ）はトラップ回路の等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図７】本発明の第６の実施の形態として機能シートに形成された貫通コンデンサを示しており、（Ａ）は貫通コンデンサの等価回路図、（Ｂ）は機能シートの断面図、
【図８】機能シートの使用状態の一例を示す斜視図、
【符号の説明】
【０１０２】
１Ａ 積層体
１ａ 入力端子
１ｂ 出力端子
１ｃ グランド端子
２ 誘電率の高い誘電体フィルム（第１層）
３ 誘電率の低い誘電体フィルム（第２層）
４ 誘電率の低い誘電体フィルム（第３層）
５ 誘電率の高い誘電体フィルム（第４層）
６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ 導電層
６ａ 入力電極
６ｂ 出力電極
６ｃ グランド電極
７ 平面コイル
７ａ コイルの中心側の端部
７ｂ コイルの外周側の端部
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ ビアホール
８Ａ ビアホール内の導体
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ 機能シート
２０ 高周波デバイス
３０ マザー回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体フィルムが積層された積層体と、各誘電体フィルムの上下の面上にそれぞれ所定のパターンで形成された導電層と、を備えた機能シートであって、
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも高い誘電率からなる誘電体フィルムで形成されていることを特徴とする機能シート。
【請求項２】
前記積層体が４層構造である請求項１記載の機能シート。
【請求項３】
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも薄く形成されている請求項１または２記載の機能シート。
【請求項４】
前記積層体の複数の箇所に、コンデンサとコイルの一方または双方が形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の機能シート。
【請求項５】
前記コンデンサは、少なくとも１つ以上の誘電フィルムを挟んで対向配置された導電層によって形成される請求項４記載の機能シート。
【請求項６】
前記コイルが平面螺旋状である請求項４記載の機能シート。
【請求項７】
前記コイルが、前記最上層及び前記最下層以外の層とのみ接するように形成されている請求項６記載の機能シート。
【請求項８】
前記誘電体フィルムには、内部に導体が埋設されたビアホールが形成されており、前記コンデンサの一端と前記コイルの一端とが、前記ビアホール内の導体を介して導通接続される請求項４ないし７のいずれかに記載の機能シート。
【請求項９】
複数の前記コンデンサと複数の前記コイルとにより、複数のフィルタ回路が設けられている請求項４ないし８のいずれかに記載の機能シート。
【請求項１０】
前記フィルタ回路は、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、トラップのいずれかを含む請求項９記載の機能シート。
【請求項１１】
前記最上層の積層体の外面に形成された導電層には、他の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されており、前記最下層の積層体の外面に形成された導電層には、前記入出力電極に対応する位置に、別の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の機能シート。
【請求項１２】
前記積層体の最上層または最下層の内面に形成され、前記入出力電極とコンデンサを形成する前記導電層の少なくとも一部がグランド端子と接続されている請求項１１記載の機能シート。
【請求項１】
複数の誘電体フィルムが積層された積層体と、各誘電体フィルムの上下の面上にそれぞれ所定のパターンで形成された導電層と、を備えた機能シートであって、
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも高い誘電率からなる誘電体フィルムで形成されていることを特徴とする機能シート。
【請求項２】
前記積層体が４層構造である請求項１記載の機能シート。
【請求項３】
前記積層体の最上層と最下層が、それ以外の層よりも薄く形成されている請求項１または２記載の機能シート。
【請求項４】
前記積層体の複数の箇所に、コンデンサとコイルの一方または双方が形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の機能シート。
【請求項５】
前記コンデンサは、少なくとも１つ以上の誘電フィルムを挟んで対向配置された導電層によって形成される請求項４記載の機能シート。
【請求項６】
前記コイルが平面螺旋状である請求項４記載の機能シート。
【請求項７】
前記コイルが、前記最上層及び前記最下層以外の層とのみ接するように形成されている請求項６記載の機能シート。
【請求項８】
前記誘電体フィルムには、内部に導体が埋設されたビアホールが形成されており、前記コンデンサの一端と前記コイルの一端とが、前記ビアホール内の導体を介して導通接続される請求項４ないし７のいずれかに記載の機能シート。
【請求項９】
複数の前記コンデンサと複数の前記コイルとにより、複数のフィルタ回路が設けられている請求項４ないし８のいずれかに記載の機能シート。
【請求項１０】
前記フィルタ回路は、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、トラップのいずれかを含む請求項９記載の機能シート。
【請求項１１】
前記最上層の積層体の外面に形成された導電層には、他の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されており、前記最下層の積層体の外面に形成された導電層には、前記入出力電極に対応する位置に、別の基板との入出力に用いる入出力電極が形成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の機能シート。
【請求項１２】
前記積層体の最上層または最下層の内面に形成され、前記入出力電極とコンデンサを形成する前記導電層の少なくとも一部がグランド端子と接続されている請求項１１記載の機能シート。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−１９４５６７（Ｐ２００９−１９４５６７Ａ）
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３２３２７（Ｐ２００８−３２３２７）
【出願日】平成２０年２月１３日（２００８．２．１３）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月２７日（２００９．８．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月１３日（２００８．２．１３）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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