流量制御弁
【課題】弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を提供すること。
【解決手段】ＥＧＲバルブ１は、ハウジング２の流路３に設けられた弁座４と、弁座４に着座可能な弁体５と、弁体５と一体をなす弁軸６と、弁体５と共に弁軸６を駆動するアクチュエータ７と、弁座４に対する弁体７の位置を非接触で検出するリフトセンサ８とを備える。リフトセンサ８は、アクチュエータ７と弁体５との間でハウジング２に取り付けられる。リフトセンサ８は、弁軸６に対しエアギャップを介して対向配置された磁石とホールＩＣを含み、磁石とオールＩＣはヨークに固定される。弁軸６、磁石、ホールＩＣ及びヨークにより磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、弁軸６の動きに伴い磁気回路の磁界の強さが変化し、その磁界の強さがホールＩＣで検出される。
【解決手段】ＥＧＲバルブ１は、ハウジング２の流路３に設けられた弁座４と、弁座４に着座可能な弁体５と、弁体５と一体をなす弁軸６と、弁体５と共に弁軸６を駆動するアクチュエータ７と、弁座４に対する弁体７の位置を非接触で検出するリフトセンサ８とを備える。リフトセンサ８は、アクチュエータ７と弁体５との間でハウジング２に取り付けられる。リフトセンサ８は、弁軸６に対しエアギャップを介して対向配置された磁石とホールＩＣを含み、磁石とオールＩＣはヨークに固定される。弁軸６、磁石、ホールＩＣ及びヨークにより磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、弁軸６の動きに伴い磁気回路の磁界の強さが変化し、その磁界の強さがホールＩＣで検出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、弁座に対する弁体の位置を調節することで流体の流量を制御する流量制御弁に係り、詳しくは、弁体の位置を非接触で検出する非接触式検出手段を備えた流量制御弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術として、例えば、下記の特許文献１に記載される排気ガス再循環バルブ（ＥＧＲバルブ）が知られている。このＥＧＲバルブは、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体と一体的に設けられた弁軸と、弁体と共に弁軸を駆動する駆動手段と、弁軸の端部に設けられたセンシング部と、センシング部の接近・離間によって弁体の位置を検出する検出部とを備える。センシング部のセンサブラシが検出部の電気抵抗体と接触し、その接触位置が弁軸の移動に伴って変わることで、弁座に対する弁体の位置を接触式で検出するようになっている。
【０００３】
ここで、上記接触式検出手段は、電気抵抗とセンサブラシとの間に摺動部分を有することから、摺動部分の接触不良や摩耗等の経時変化により検出精度の安定性に懸念があり、検出信頼性の点で問題があった。これに対し、例えば、下記の特許文献２には、非接触式検出手段を備えた電磁式制御弁が記載されている。この制御弁は、電磁式の駆動手段により弁体と共に弁軸を駆動するように構成される。駆動手段は、弁軸を駆動するプランジャと、プランジャの周囲に固定して設けられたソレノイドと、ソレノイドにより磁化される鉄心とを備え、それらの部材により磁気回路が形成される。この磁気回路の一部となる位置に磁界の強さを検出するホールＩＣが設けられる。これらプランジャ、ソレノイド、鉄心及びホールＩＣにより非接触式検出手段（リフトセンサ）が構成される。そして、弁体を駆動するためにソレノイドを励磁することで、磁気回路に弁体の位置（リフト量）に対応した量の磁束が発生し、その磁界の強さがホールＩＣにより検出され、その検出値に基づいて弁体のリフト量を推定するようになっている。
【０００４】
また、下記の特許文献３には、同じく非接触式検出手段を備えたダイアフラム式のＥＧＲバルブが記載されている。このＥＧＲバルブは、ハウジングに設けられたダイアフラムと、ダイアフラムに一端が固定され、他端が弁座に着座可能に設けられた弁棒とを備える。このＥＧＲバルブの非接触式検出手段は、ダイアフラム上に固定された磁石と、磁石とエアギャップを介して対向配置され、ハウジングに固定されたホール素子とを備える。そして、ダイアフラムが弁棒と一体に変位して磁石とホール素子との間隔が変わることで、ホール素子で感知される磁気の強さが変わり、その磁気の強さに基づいて弁座に対する弁棒の位置、すなわちリフト量を検出するようになっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−５６４１４号公報
【特許文献２】特開２００２−２５０４６８号公報
【特許文献３】特開平７−１８９８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献２に記載の非接触式検出手段では、ホールＩＣで検出されるのが弁体のリフト量を推定するための磁界の強さであり、弁体のリフト量を間接的に検出することしかできず、弁体のリフト量をダイレクトに検出することはできなかった。このため、ソレノイドの励磁に応じて弁体が円滑に動いているときは問題ないものの、ソレノイドを励磁しても弁体が円滑に動かない場合、例えば、弁体が弁座に固着したような場合には、弁体が動かないにもかかわらず磁気回路に磁束が発生することから、弁体の動きが誤って検出されることとなり、弁体のリフト量を正確に検出することができなかった。
【０００７】
一方、特許文献３に記載の非接触式検出手段では、弁棒と一体に磁石が移動することから、ホールＩＣでは、弁棒の移動量をダイレクトに反映した磁界の強さを検出することができ、弁体のリフト量をダイレクトに検出することが可能である。しかしながら、この非接触式検出手段では、ダイアフラムに磁石が固定され、ハウジングにホール素子が固定されるので、ＥＧＲバルブに振動が加わった場合に、ダイアフラムとハウジングがそれぞれ別個の挙動で不規則に振動することがある。この場合、磁石とホールＩＣとの距離が振動によって不規則に変わり、弁体のリフト量を安定的に検出できなくなる。
【０００８】
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、流体の流路を有するハウジングと、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体と一体的に設けられた弁軸と、弁体と共に弁軸を駆動するための駆動手段と、弁座に対する弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段とを備えた流量制御弁において、非接触式検出手段は、エアギャップを介して弁軸に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、磁石及び感磁素子は、固定部材に固定され、弁軸、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、弁軸の動作に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、磁界の強さが感磁素子により検出されるように構成されたことを趣旨とする。
【００１０】
上記発明の構成によれば、駆動手段により弁体と共に弁軸が駆動されることにより、弁座に対する弁体の位置が変わり、流路における流体の流量が変わる。このとき、弁座に対する弁体の位置は、非接触式検出手段により非接触で検出される。ここで、非接触式検出手段を構成する磁石及び感磁素子が、エアギャップを介して弁軸に対向して配置され、弁軸、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成される。この磁気回路の磁界の強さは、弁軸の動作に伴って可変となり、その磁界の強さが感磁素子により検出される。従って、感磁素子では、弁体と一体的に動作する弁軸の動作をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。また、磁石及び感磁素子が共に固定部材に固定されるので、流量制御弁に振動が加わっても、磁石及び感磁素子が同じ挙動で振動することとなり、磁石と感磁素子との距離が振動によって不規則に変わることがない。
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、弁軸は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、磁石及び感磁素子のうち少なくとも一方との間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さが可変に構成されたことを趣旨とする。
【００１２】
上記発明の構成によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、エアギャップの大きさを部分的に変えることで、磁界の強さを任意に変更可能となる。
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、弁軸は、駆動手段と弁体との間に設けられ、磁石及び感磁素子が弁軸の外周に対向して配置されたことを趣旨とする。
【００１４】
上記発明の構成によれば、請求項１又は２に記載の発明の作用に加え、磁石、感磁素子及び固定部材が駆動手段と弁体との間に配置されるので、これらの部材のために別途スペースを確保する必要がない。
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明において、ハウジングに冷却水通路が設けられられ、冷却水通路の近傍に磁石及び感磁素子が配置されたことを趣旨とする。
【００１６】
上記発明の構成によれば、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明の作用に加え、磁石及び感磁素子が、冷却水通路を流れる冷却水により冷やされる。
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項５に記載の発明は、流体の流路を有するハウジングと、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体を駆動するための駆動手段と、弁体の駆動に同期して駆動手段の駆動力を出力する出力部材と、弁座に対する弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段とを備えた流量制御弁において、非接触式検出手段は、エアギャップを介して出力部材に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、磁石及び感磁素子は、固定部材に固定され、出力部材、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、出力部材の動作に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、磁界の強さが感磁素子により検出されるように構成されたことを趣旨とする。
【００１８】
上記発明の構成によれば、駆動手段により弁体と共に弁軸が駆動されることにより、弁座に対する弁体の位置が変わり、流路における流体の流量が変わる。このとき、弁座に対する弁体の位置は、非接触式検出手段により非接触で検出される。ここで、非接触式検出手段を構成する磁石及び感磁素子が、エアギャップを介して出力部材に対向して配置され、出力部材、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成される。出力部材は、弁体の駆動に同期して駆動手段の駆動力を出力する。この磁気回路の磁界の強さは、出力部材の動作に伴って可変となり、その磁界の強さが感磁素子により検出される。従って、感磁素子では、弁体の駆動と同期する出力部材の動作をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。また、磁石及び感磁素子が共に固定部材に固定されるので、流量制御弁に振動が加わっても、磁石及び感磁素子が同じ挙動で振動することとなり、磁石と感磁素子との距離が振動により不規則に変わることがない。
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、出力部材は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、磁石又は感磁素子との間のエアギャップの大きさを出力部材の移動方向において可変とすることで磁界の強さが可変に構成されたことを趣旨とする。
【００２０】
上記発明の構成によれば、請求項５に記載の発明の作用に加え、エアギャップの大きさを部分的に変えることで、磁界の強さが任意に変更可能となる。
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、駆動手段に対し弁体とは反対側の位置に出力部材が配置され、磁石及び感磁素子の一方が出力部材の先端に対向して配置され、他方が出力部材の外周に対向して配置されたことを趣旨とする。
【００２２】
上記発明の構成によれば、請求項６に記載の発明の作用に加え、磁石、感磁素子及び固定部材が、流路から最も離されることとなる。
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明において、感磁素子は、ホールＩＣであることを趣旨とする。
【００２４】
上記発明の構成によれば、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明の作用に加え、感磁素子として小型で軽量なホールＩＣが用いられる。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に記載の発明によれば、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を得ることができる。
【００２６】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、感磁素子による磁界の強さの検出特性の調整が可能となる。
【００２７】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明の効果に加え、非接触式検出手段を備えた流量制御弁として小型化を図ることができる。
【００２８】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明の効果に加え、流路に高温の流体が流れても、磁石及び感磁素子の熱害を低減することができる。
【００２９】
請求項５に記載の発明によれば、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を得ることができる。
【００３０】
請求項６に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明の効果に加え、感磁素子による磁界の強さの検出特性の調整が可能となる。
【００３１】
請求項７に記載の発明によれば、請求項６に記載の発明の効果に加え、流路に高温の流体が流れても、磁石及び感磁素子の熱害を低減することができる。
【００３２】
請求項８に記載の発明によれば、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明の効果に加え、非接触式検出手段を小型化及び軽量化することができ、延いては流量制御弁の小型化及び軽量化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
［第１実施形態］
以下、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第１実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図１に、ＥＧＲバルブ１を正断面図により示す。ＥＧＲバルブ１は、エンジンから排出される排気ガスの一部（ＥＧＲガス）を吸気系へ戻すＥＧＲ通路に設けられ、ＥＧＲガス流量を制御するために使用される。ＥＧＲバルブ１は、ハウジング２と、ハウジング２に形成された流路３と、流路３の途中に設けられた弁座４と、弁座４に着座可能に設けられた弁体５と、弁体５と一体的に設けられた弁軸６と、弁体５と共に弁軸６を駆動するための駆動手段としてのアクチュエータ７と、弁座４に対する弁体５の位置（弁体５のリフト量）を非接触で検出するための非接触式検出手段としてのリフトセンサ８とを備える。
【００３５】
ハウジング２に形成された流路３の両端は、ＥＧＲガスが導入される入口３ａと、ＥＧＲガスが導出される出口３ｂとなっている。弁座４は、流路３の途中に設けられ、流路３に連通する弁孔４ａを有する。
【００３６】
弁軸６は、アクチュエータ７と弁体５との間に設けられ、ハウジング２を垂直に貫通して配置される。弁体５は、弁軸６の下端に固定され、円錐形状をなし、その円錐面が弁座４に対して当接又は離間するようになっている。弁軸６の上端には、スプリング受９が一体に設けられる。弁軸６は、ハウジング２に対しスラスト軸受１０，１１を介して上下動可能に設けられる。
【００３７】
アクチュエータ７は、コイル２１を含むステータ２２と、ステータ２２の内側に設けられたマグネットロータ２３と、マグネットロー２３の内側に設けられた出力部材として出力軸２４とを含む。これらの部材２１〜２４等が樹脂製のケーシング２５によりモールドされて覆われる。ケーシング２５には、横へ突出したコネクタ２６が一体に形成される。コネクタ２６には、コイル２１から延びる端子２７が設けられる。
【００３８】
出力軸２４は、外周に雄ネジ２４ａを有する。出力軸２４の下端部は、弁軸６のスプリング受９に連結される。マグネットロータ２３は、ロータ本体２８と、ロータ本体２８の外周に一体的に設けられた円環状のプラスチックマグネット２９とを含む。ロータ本体２８の上端部外周には、ケーシング２５との間にラジアル軸受３０が設けられる。プラスチックマグネット２９の下端部内周には、スラスト軸受１０との間にラジアル軸受３１が設けられる。これら上下のラジアル軸受３０，３１によりマグネットロータ２３がステータ２２の内側で回転可能に支持される。ロータ本体２８の中心には、出力軸２４の雄ネジ２４ａに螺合する雌ネジ２８ａが形成される。マグネットロータ２３と、下側のラジアル軸受３１との間には、圧縮スプリング３２が設けられる。弁軸６のスプリング受９と、下側のラジアル軸受３１との間には、弁軸６をマグネットロータ２３へ付勢する圧縮スプリング３３が設けられる。出力軸２４の雄ネジ２４ａとロータ本体２８の雌ネジ２８ａとの螺合状態において、ロータ本体２８と共にマグネットロータ２３が回転することにより、出力軸２４が回転しながらスラスト方向へ、すなわち図１において上下方向へストローク運動する。この出力軸２４のストローク運動により、弁体５と共に弁軸６が上下方向へストローク運動する。このように、マグネットロータ２３の回転運動を弁体５と弁軸６のストローク運動へ直接に変換できることから、変換時にマグネットロータ２３と弁軸６との位置関係や作動タイミングのズレを最小限に抑えることができる。この結果、弁体５のリフト量を精度良く制御することができる。
【００３９】
図１に示すように、弁体５が弁座４に着座した全閉状態では、スプリング受９がロータ本体２８に係合して回り止めされるようになっている。これにより、全閉時を基準として、弁軸６及び出力軸２４の回転位置とロータ本体２８の回転位置との相互関係を常に一定状態に保つようになっている。この結果、弁体５のリフト量を長期間にわたって高精度に制御することができる。
【００４０】
リフトセンサ８は、別部品として構成され、ハウジング２に形成された組付穴１２に組み付けられる。この組付状態において、リフトセンサ８の先端部は、弁軸６と垂直に交差している。図２に、リフトセンサ８を一部破断して平面図により示す。図３に、リフトセンサ８を側面図により示す。リフトセンサ８は、弁体５のリフト量を検出するセンサ部４１と、外部配線に接続されるコネクタ部４２とから構成される。センサ部４１は、平面視でコ字状（チャネル状）をなす固定部材としての金属製のヨーク４３と、そのヨーク４３の一方の開放端内側に固定された磁石４４と、そのヨーク４３の他方の開放端内側に固定された感磁素子としてのホールＩＣ４５と、ホールＩＣ４５に接続された配線４６とを含む。これらの部品４３〜４６が、樹脂製のケーシング４７によりモールドされて覆われる。コネクタ部４２は、センサ部４１の配線４６に接続される端子４８を備え、その端子４８が樹脂製のケーシング４９によりモールドされて覆われる。
【００４１】
センサ部４１の先端部には、図２に示すように、ヨーク４３の形状に合わせた溝５０が設けられる。この溝４０は、上下方向に貫通すると共に、開放側がセンサ部４１の先端側へ向いている。このリフトセンサ８は、ＥＧＲバルブ１の製造過程の最後に、組付穴１２に差し込むことで組み付けることができる。このとき、センサ部４１の溝５０に弁軸６を受け入れ、溝５０の中を弁軸６が貫通するように、センサ部４１が弁軸６に組み付けられる。この組み付け状態において、弁軸６は、溝５０の中で磁石４４とホールＩＣ４５との間にエアギャップ５１ａ，５１ｂを介して配置される。このように、リフトセンサ８は、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置された磁石４４及びホールＩＣ４５を含み、磁石４４及びホールＩＣ４５はヨーク４３に固定される。そして、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。図４に、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路５２を概念図により示す。磁気回路５２の磁界は、ホールＩＣ４５を貫通するようにホールＩＣ４５に作用する。このときホールＩＣ４５に電流を流すことにより、磁界の強さに応じた起電力がホールＩＣ４５に発生する。この起電力の大きさは、ホールＩＣ４５を通る磁界の強さに比例することとなる。
【００４２】
図５及び図６に、センサ部４１の先端部分を図３のＡ−Ａ線断面図により示す。図５は、「バルブ閉」のとき、すなわち弁体５が弁座４に着座した全閉状態のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。図６は、「バルブ開」のとき、すなわち弁体５が弁座４から最大限離間した全開状態のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。センサ部４１と対応する弁軸６の外周の一部には、所定幅の切欠き６ａが形成される。この切欠き６ａは、図５に示すように、「バルブ閉」（全閉状態）のときは、わずかに端の部分のみが磁石４４と対向し、図６に示すように、「バルブ開」（全開状態）のときは、大部分が最大限に磁石４４と対向するようになっている。磁石４４と切欠き６ａの対向面積は、図５に示す状態から図６に示す状態までの間で、弁軸６のストローク運動に伴い、すなわち弁体５のリフト量の変化に応じて可変となっている。このように磁石４４と切欠き６ａの対向面積が変化することで、上記した磁気回路５２の磁界の強さが変化するように構成される。すなわち、弁軸６の動作に伴い磁気回路５２の磁界の強さが可変に構成される。この実施形態では、弁軸６は、その軸線方向へストローク運動可能に設けられ、弁軸６の外周と磁石４４との間のエアギャップ５１ａの大きさを弁軸６のストローク運動の方向において可変とすることで磁気回路５２の磁界の強さが可変に構成される。そして、磁気回路５２の磁界の強さの変化がホールＩＣ４５により検出されるように構成される。このホールＩＣ４５の検出値から弁体５のリフト量を換算できるようになっている。
【００４３】
また、この実施形態では、図１に示すように、ＥＧＲバルブ１を冷却するために、ハウジング２に冷却水通路１３が設けられられる。この冷却水通路１３には、エンジンの運転時に冷却水が流れるようになっている。冷却水通路１３は、センサ部４１の先端部に近接して配置される。これにより、上記した磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３の近傍に配置されるようになっている。
【００４４】
以上説明したこの実施形態のＥＧＲバルブ１によれば、アクチュエータ７により弁体５と共に弁軸６がストローク運動することにより、弁座４に対する弁体５の位置、すなわち弁体５のリフト量が変わり、流路３におけるＥＧＲガスの流量が変わる。このとき、弁体５のリフト量は、リフトセンサ８により非接触で検出される。ここで、リフトセンサ８を構成する磁石４４及びホールＩＣ４５が、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置され、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路５２が構成される。この磁気回路５２の磁界の強さは、弁軸６のストローク運動に伴って可変となり、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出される。従って、ホールＩＣ４５では、弁体５と一体的に動作する弁軸６のストローク運動をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。このため、この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触でダイレクトに正確に検出することができる。また、磁石４４及びホールＩＣ４５が共にヨーク４３に固定されるので、ＥＧＲバルブ１に振動が加わっても、磁石４４及びホールＩＣ４５が同じ挙動で振動することとなり、磁石４４とホールＩＣ４５との距離が振動により不規則に変わることがない。このため、この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で安定的に検出することができる。つまり、この実施形態では、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できるリフトセンサ８を備えたＥＧＲバルブ１を得ることができる。
【００４５】
この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁体５のリフト量を非接触で検出できることから、接触不良による誤検出がなく、リフトセンサ８としての信頼性を向上させることができる。また、この実施形態では、リフトセンサ８を構成するセンサ部４１の先端部に溝５０が設けられ、リフトセンサ８を組付穴１２に組み付けるときに、この溝５０に弁軸６を受け入れるように、溝５０の中を弁軸６が貫通するように、センサ部４１が弁軸６に組み付けられる。このため、組付穴１２にリフトセンサ８を差し込むだけでリフトセンサ８をハウジング２に組み付けることができ、リフトセンサ８の組付性を向上させることができる。
【００４６】
この実施形態では、弁軸６の一部に切欠き６ａを設け、弁軸６のストローク運動に伴い磁石４４との間のエアギャップ５１ａの対向面積を変えるようになっている。このため、切欠き６ａの大きさや形状を任意に変えることで、エアギャップの大きさを部分的に変更することが可能となり、これにより磁気回路５２の磁界の強さを任意に変更することが可能となる。このため、ホールＩＣ４５による磁界の強さの検出特性を、必要に応じて任意に調整することが可能となる。
【００４７】
この実施形態では、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３を含むリフトセンサ８のセンサ部４１が、アクチュエータ７と弁体５との間に配置される。従って、センサ部４１をハウジング２の中のスペースに設けることができ、センサ部４１のために別途スペースを確保する必要がない。このため、リフトセンサ８を備えたＥＧＲバルブ１として小型化を図ることができる。
【００４８】
この実施形態では、センサ部４１の磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３の近傍に配置されるので、磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３を流れる冷却水により冷やされる。このため、ハウジング２の流路３に高温のＥＧＲガスが流れても、磁石４４及びホールＩＣ４５の熱害を低減することができる。
【００４９】
また、この実施形態では、感磁素子として小型で軽量なホールＩＣ４５が用いられるので、リフトセンサ８を小型化及び軽量化することができ、延いてはＥＧＲバルブ１の小型化及び軽量化を図ることができる。
【００５０】
［第２実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第２実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、第１実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を省略し、異なった点を中心に説明する。
【００５１】
この実施形態では、主としてリフトセンサ１８の構成の点で第１実施形態と構成が異なる。図７に、ＥＧＲバルブ１を正断面図により示す。図８に、リフトセンサ１８を正面図により示す。図９に、リフトセンサ１８を図８のＢ−Ｂ線断面図により示す。リフトセンサ１８は、ハウジング２の組付穴１２に組み付けられる。この組付状態において、リフトセンサ１８の先端部は、弁軸６と垂直に交差するように設けられる。リフトセンサ１８は、センサ部４１とコネクタ部４２を備える。センサ部４１が、ヨーク４３、磁石４４、ホールＩＣ４５及び配線４６を含み、これらの部品４３〜４６がケーシング４７により覆われているのは、第１実施形態のそれと同じである。コネクタ部４２が、端子４８を備え、その端子４８がケーシング４９により覆われているのも、第１実施形態のそれと同じである。
【００５２】
この実施形態では、図９に示すように、センサ部４１のヨーク４３の向きが第１実施形態とそれと逆になっており、これによりヨーク４３の形状に合わせた溝５０の向きも第１実施形態のそれとは逆になっている。すなわち、この溝４０は、上下方向に貫通すると共に、開放側がコネクタ部４２へ向いている。このため、このリフトセンサ１８は、ＥＧＲバルブ１の製造過程の途中で、ハウジング２に弁軸６を組み付ける前に組付穴１２に差し込むことになる。その後、センサ部４１の溝５０を貫通するように弁軸６をハウジング２に組み付ける。この組み付け状態において、弁軸６は、溝５０の中で磁石４４とホールＩＣ４５との間にエアギャップ５１ａ，５１ｂを介して配置される。このように、リフトセンサ１８は、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置された磁石４４及びホールＩＣ４５を含み、磁石４４及びホールＩＣ４５はヨーク４３に固定される。そして、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。
【００５３】
図１０及び図１１に、センサ部４１の先端部分を図８のＣ−Ｃ線断面図により示す。図１０は、「バルブ閉」のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。図１１は、「バルブ開」のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。この実施形態でも、センサ部４１と対応する弁軸６の外周の一部には、所定幅の切欠き６ａが形成される。この切欠き６ａは、図１０に示すように、「バルブ閉」（全閉状態）のときは、わずかに端の部分のみが磁石４４と対向し、図１１に示すように、「バルブ開」（全開状態）のときは、大部分が最大限に磁石４４と対向するようになっている。磁石４４と切欠き６ａの対向面積は、図１０に示す状態から図１１に示す状態までの間で、弁軸６のストローク運動に伴い、すなわち弁体５のリフト量の変化に応じて可変となっている。このように磁石４４と切欠き６ａの対向面積が変化することで、上記した磁気回路５２の磁界の強さが変化する構成は、第１実施形態のそれと同じである。
【００５４】
この実施形態のＥＧＲバルブ１では、リフトセンサ１８に係る構成以外の点では第１実施形態のそれと同じである。従って、この実施形態でも、第１実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
【００５５】
［第３実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第３実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００５６】
図１２に、この実施形態のＥＧＲバルブ６１を正断面図により示す。図１３に、リフトセンサ６２の主要構成を正断面図により示す。図１４に、リフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。この実施形態では、リフトセンサ６２がアクチュエータ７の上部に一体に設けられる点で前記各実施形態と構成が異なる。すなわち、この実施形態では、出力軸２４の上端に雄ネジ２４ａのない円柱形のストレートニードル６３が一体に形成される。このニードル６３は、上側のラジアル軸受３１よりも上方へ突出して配置される。つまり、アクチュエータ７に対し弁体５とは反対側の位置に出力軸２４のニードル６３が配置される。このニードル６３を上から囲むように、正面視でコ字状（チャネル状）をなす金属製のヨーク４３が開放端を下へ向けて配置される。このヨーク４３の両開放端内側にはそれぞれ磁石４４が固定され、ヨーク４３の中間部内側に対応してホールＩＣ４５が配置される。ヨーク４３の内側はモールドされたケーシング２５の樹脂により覆われ、ヨーク４３の形状に合わせた溝６４が設けられる。この溝６４の中を、ニードル６３が出力軸２４と共に軸線方向へストローク運動可能に設けられる。２つの磁石４４は、エアギャップ６５ａ，６５ｂを介してニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５は、エアギャップ６５ｃを介してニードル６３の先端に対向して配置される。これらの部品４３〜４５が、ケーシング２５によりモールドされて覆われることでリフトセンサ６２が構成される。ホールＩＣ４５から延びる配線（図示略）は、コネクタ２６に配置される。
【００５７】
図１５〜図１７に、リフトセンサ６２の主要構成と作用を正断面図により示す。図１５〜図１７に示すように、ニードル６３は、溝６４の中を、軸線方向へストローク運動する。このニードル６３のストローク運動は、出力軸２４、弁軸６及び弁体５のストローク運動と同期したものである。ニードル６３のストローク運動に伴い、ニードル６３の先端とホールＩＣ４５との間のエアギャップ６５ｃは変化するが、各磁石４４とニードル６３の外周との間のエアギャップ６５ａ，６５ｂは変化しない。そして、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。図１８に、リフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。図１９に、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路６６Ａ，６６Ｂを概念図により示す。この実施形態では、図１８に示すように、各磁石４４のＮ極側がヨーク４３に接し、Ｓ極側が溝６４に面して配置される。磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界は、各磁石４４ごとに形成され、ホールＩＣ４５からニードル６３へ、ニードル６３から各磁石４４へ、各磁石４４からヨーク４３へ、ヨーク４３からホールＩＣ４５へ向けて磁束が流れる。この磁束は、ホールＩＣ４５を貫通するようにホールＩＣ４５に作用する。このときホールＩＣ４５に電流を流すことにより、磁界の強さに応じた起電力が発生する。この起電力の大きさは、ホールＩＣ４５を通る磁界の強さ（感磁力）に比例することとなる。図２０に、ストレートニードル６３の先端からホールＩＣ４５までの距離（ニードル距離）と、ホールＩＣ４５による感磁力との関係をグラフにより示す。このグラフから明らかなように、ホールＩＣ４５の感磁力は、ニードル距離の増加に伴い反比例して減少することが分かる。このように、ニードル６３のストローク運動に伴い磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さが可変に構成され、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出されるように構成される。このように、ホールＩＣ４５との間のエアギャップ６５ｃの大きさをニードル６３のストローク運動の方向において可変とすることで、磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さが可変に構成される。
【００５８】
なお、図２１に、図１８に準ずるリフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。図２２に、図１９に準ずるニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路６６Ａ，６６Ｂを概念図により示す。図２１に示すように、図１８とは逆に、各磁石４４のＳ極側がヨーク４３に接し、Ｎ極側が溝６４に面して配置される。この場合は、図２２に示すように、磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁束の流れは、図１９に示す向きとは逆向きとなる。
【００５９】
以上説明したこの実施形態のＥＧＲバルブ６１によれば、アクチュエータ７により弁体５と共に弁軸６がストローク運動することにより、弁体５のリフト量が変わり、流路３におけるＥＧＲガスの流量が変わる。このとき、弁体５のリフト量は、アクチュエータ７と一体に設けられたリフトセンサ６２により非接触で検出される。ここで、リフトセンサ６２を構成する２つの磁石４４が、エアギャップ６５ａ，６５ｂを介してニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５が、エアギャップ６５ｃを介してニードル６３の先端に対向して配置される。また、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路６６Ａ，６６Ｂが構成される。ニードル６３を備えた出力軸２４は、弁体５のストローク運動に同期してアクチュエータ７の駆動力を出力するものである。この磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さは、出力軸２４と一体のニードル６３の動作に伴って可変となり、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出される。従って、ホールＩＣ４５では、弁体５のストローク運動と同期するニードル６３のストローク運動をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。このため、この実施形態のリフトセンサ６２によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触でダイレクトに正確に検出することができる。また、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５が共にヨーク４３に固定されるので、ＥＧＲバルブ６１に振動が加わっても、２つの磁石４４及びオールＩＣ４５が同じ挙動で振動することとなり、２つの磁石４４とホールＩＣ４５との距離が振動により不規則に変わることがない。このため、この実施形態のリフトセンサ６２によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で安定的に検出することができる。つまり、この実施形態では、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できるリフトセンサ６２を備えたＥＧＲバルブ６１を得ることができる。
【００６０】
また、この実施形態では、アクチュエータ７に対し弁体５とは反対側の位置にニードル６３が配置され、２つの磁石４４がニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５がニードル６３の先端に対向して配置される。従って、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３が、ハウジング２の流路３から最も離される。このため、流路３に高温のＥＧＲガスが流れても、磁石４４及びホールＩＣ４５の熱害を低減することができる。この実施形態のその他の作用効果は、第１実施形態のそれと同じである。
【００６１】
［第４実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第４実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００６２】
図２３に、この実施形態のＥＧＲバルブ６１を正断面図により示す。図２４〜図２６に、リフトセンサ６２の主要構成及び作用を正断面図により示す。この実施形態では、リフトセンサ６２のニードル６７の形状の点で前記第３実施形態と構成が異なる。すなわち、前記第３実施形態では、円柱形のストレートニードル６３が使用されたのに対し、この実施形態では、先端へ向かって拡径するテーパ形状をなすテーパ状ニードル６７が使用される。このようにテーパ状ニードル６７を使用することから、図２４〜図２６に示すように、ニードル６７がストローク運動することで、ニードル６７の先端とホールＩＣ４５とのエアギャップ６５ｃが大きくなる、すなわちニードル距離が大きくなる。また、このニードル距離の増加に伴い、ニードル６７の外周と各磁石４４とのエアギャップ６５ａ，６５ｂが小さくなる。図２７に、図２０に準ずるニードル距離と感磁力との関係をグラフにより示す。このグラフから明らかなように、この実施形態のテーパ状ニードル６７による感磁力の特性は、ニードル距離の増加に伴い反比例的に減少するが、第３実施形態のストレートニードル６３のそれに比べて特性に直線性が出ることが分かる。このように、テーパ状ニードル６７のストローク運動に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出されるように構成される。
【００６３】
この実施形態のＥＧＲバルブ６１では、テーパ状ニードル６７以外の構成は、第３実施形態のそれと同じである。従って、この実施形態でも、第３実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
【００６４】
なお、この発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱することのない範囲で以下のように実施することができる。
【００６５】
（１）前記各実施形態では、感磁素子としてホールＩＣ４５を使用したが、感磁素子としてホール素子、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）及び磁気抵抗ＩＣ等を使用してもよい。
【００６６】
（２）前記第１及び第２の実施形態では、磁石４４及びホールＩＣ４５のうち磁石４４との間のエアギャップ５１ａの大きさを弁軸６の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成した。これに対し、磁石及びホールＩＣのうちホールＩＣとの間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成してもよい。あるいは、磁石４４及びホールＩＣ４５との間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成してもよい。
【００６７】
（３）前記第３及び第４の実施形態では、ニードル６３，６７の外周に２つの磁石４４を対向して配置したが、１つの磁石を対向して配置してもよい。
【００６８】
（４）前記第３及び第４の実施形態では、ニードル６３，６７の先端にホールＩＣ４５を対向して配置し、ニードル６３，６７の外周に２つの磁石４４を対向して配置したが、１つの磁石をニードルの先端に対向して配置し、１つのホールＩＣをニードルの外周に対向して配置してもよい。
【００６９】
（５）前記各実施形態では、本発明の流量制御弁をＥＧＲバルブ１，６１に具体化したが、ＥＧＲバルブ以外の弁に具体化することもできる。
【００７０】
（６）前記第３及び第４の実施形態では、図１３に示すように、ヨーク４３と、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５をケーシング２５の樹脂と一体にモールドした。ここで、ヨーク４３の内側では、ホールＩＣ４５のみが樹脂に囲まれ、２つの磁石４４は、樹脂の端に接するだけとなっている。これに対し、図２８に示すように、ヨーク４３、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５を予めモールド樹脂６８で覆ってアッセンブリ化し、そのアッセンブリをケーシング２５の樹脂と一体にモールドしてもよい。この場合、ヨーク４３の内側にて、ホールＩＣ４５をモールド樹脂６８で囲み、２つの磁石４４をモールド樹脂６８で覆う。また、ヨーク４３の開放端には、外側に突起４３ａを形成し、この突起４３ａを巻き込むようにヨーク４３の開放端部をモールド樹脂６８で覆う。
【００７１】
（７）前記第３及び第４の実施形態において、図２９に示すように、ヨーク４３、磁石４４及びホールＩＣ４５を予めモールド樹脂６８で覆ってアッセンブリ化し、そのアッセンブリをケーシング２５の樹脂と一体にモールドしてもよい。この場合、ヨーク４３の内側にて、ホールＩＣ４５をモールド樹脂６８で囲み、２つの磁石４４をモールド樹脂６８で覆う。また、ヨーク４３の開放端もモールド樹脂６８で覆うが、図２８とは異なり、ヨーク４３の開放端の外面にはモールド樹脂６８をはみ出さない。ここで、ヨーク４３からの樹脂抜けを防止するために、ヨーク４３の内面に凹み４３ｂを形成し、樹脂をモールドするときに樹脂の一部を凹み４３ｂに流れ込ませて係合させる。
【００７２】
（８）前記（６）の別例では、図２８に示すように、ヨーク４３と、２つの磁石４４及び１つのホール素子４５をモールド樹脂６８で覆ったが、図３０に示すように、ヨーク４３Ａと、１つの磁石４４と、１つのホール素子４５をモールド樹脂６８で覆ってもよい。この場合、ヨーク４３ＡをＬ字形に形成するが、モールド樹脂６８を含めて全体を左右対称のコ字状（チャネル状）に形成することで、その内側に溝６４を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第１実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図２】第１実施形態に係り、リフトセンサを一部破断して示す平面図。
【図３】第１実施形態に係り、リフトセンサを示す側面図。
【図４】第１実施形態に係り、弁軸、磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図５】第１実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図３のＡ−Ａ線断面図。
【図６】第１実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図３のＡ−Ａ線断面図。
【図７】第２実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図８】第２実施形態に係り、リフトセンサを示す正面図。
【図９】第２実施形態に係り、リフトセンサを示す図８のＢ−Ｂ線断面図。
【図１０】第２実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図８のＣ−Ｃ線断面図。
【図１１】第２実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図８のＣ−Ｃ線断面図。
【図１２】第３実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図１３】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図１４】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図１５】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１６】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１７】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１８】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図１９】第３実施形態に係り、ニードル、２つの磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図２０】第３実施形態に係り、ニードル距離と感磁力との関係を示すグラフ。
【図２１】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図２２】第３実施形態に係り、ニードル、２つの磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図２３】第４実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図２４】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２５】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２６】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２７】第４実施形態に係り、ニードル距離と感磁力との関係を示すグラフ。
【図２８】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図２９】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図３０】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【符号の説明】
【００７４】
１ ＥＧＲバルブ（流量制御弁）
２ ハウジング
３ 流路
４ 弁座
５ 弁体
６ 弁軸
７ アクチュエータ（駆動手段）
８ リフトセンサ（非接触式検出手段）
９ スプリング受
１３ 冷却水通路
１８ リフトセンサ（非接触式検出手段）
２４ 出力軸（出力部材）
４３ ヨーク（固定部材）
４３Ａ ヨーク（固定部材）
４４ 磁石
４５ ホールＩＣ（感磁素子）
５１ａ エアギャップ
５１ｂ エアギャップ
５２ 磁気回路
６１ ＥＧＲバルブ（流量制御弁）
６２ リフトセンサ（非接触式検出手段）
６３ ストレートニードル
６５ａ エアギャップ
６５ｂ エアギャップ
６５ｃ エアギャップ
６６Ａ 磁気回路
６６Ｂ 磁気回路
６７ テーパ状ニードル
【技術分野】
【０００１】
この発明は、弁座に対する弁体の位置を調節することで流体の流量を制御する流量制御弁に係り、詳しくは、弁体の位置を非接触で検出する非接触式検出手段を備えた流量制御弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の技術として、例えば、下記の特許文献１に記載される排気ガス再循環バルブ（ＥＧＲバルブ）が知られている。このＥＧＲバルブは、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体と一体的に設けられた弁軸と、弁体と共に弁軸を駆動する駆動手段と、弁軸の端部に設けられたセンシング部と、センシング部の接近・離間によって弁体の位置を検出する検出部とを備える。センシング部のセンサブラシが検出部の電気抵抗体と接触し、その接触位置が弁軸の移動に伴って変わることで、弁座に対する弁体の位置を接触式で検出するようになっている。
【０００３】
ここで、上記接触式検出手段は、電気抵抗とセンサブラシとの間に摺動部分を有することから、摺動部分の接触不良や摩耗等の経時変化により検出精度の安定性に懸念があり、検出信頼性の点で問題があった。これに対し、例えば、下記の特許文献２には、非接触式検出手段を備えた電磁式制御弁が記載されている。この制御弁は、電磁式の駆動手段により弁体と共に弁軸を駆動するように構成される。駆動手段は、弁軸を駆動するプランジャと、プランジャの周囲に固定して設けられたソレノイドと、ソレノイドにより磁化される鉄心とを備え、それらの部材により磁気回路が形成される。この磁気回路の一部となる位置に磁界の強さを検出するホールＩＣが設けられる。これらプランジャ、ソレノイド、鉄心及びホールＩＣにより非接触式検出手段（リフトセンサ）が構成される。そして、弁体を駆動するためにソレノイドを励磁することで、磁気回路に弁体の位置（リフト量）に対応した量の磁束が発生し、その磁界の強さがホールＩＣにより検出され、その検出値に基づいて弁体のリフト量を推定するようになっている。
【０００４】
また、下記の特許文献３には、同じく非接触式検出手段を備えたダイアフラム式のＥＧＲバルブが記載されている。このＥＧＲバルブは、ハウジングに設けられたダイアフラムと、ダイアフラムに一端が固定され、他端が弁座に着座可能に設けられた弁棒とを備える。このＥＧＲバルブの非接触式検出手段は、ダイアフラム上に固定された磁石と、磁石とエアギャップを介して対向配置され、ハウジングに固定されたホール素子とを備える。そして、ダイアフラムが弁棒と一体に変位して磁石とホール素子との間隔が変わることで、ホール素子で感知される磁気の強さが変わり、その磁気の強さに基づいて弁座に対する弁棒の位置、すなわちリフト量を検出するようになっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−５６４１４号公報
【特許文献２】特開２００２−２５０４６８号公報
【特許文献３】特開平７−１８９８１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献２に記載の非接触式検出手段では、ホールＩＣで検出されるのが弁体のリフト量を推定するための磁界の強さであり、弁体のリフト量を間接的に検出することしかできず、弁体のリフト量をダイレクトに検出することはできなかった。このため、ソレノイドの励磁に応じて弁体が円滑に動いているときは問題ないものの、ソレノイドを励磁しても弁体が円滑に動かない場合、例えば、弁体が弁座に固着したような場合には、弁体が動かないにもかかわらず磁気回路に磁束が発生することから、弁体の動きが誤って検出されることとなり、弁体のリフト量を正確に検出することができなかった。
【０００７】
一方、特許文献３に記載の非接触式検出手段では、弁棒と一体に磁石が移動することから、ホールＩＣでは、弁棒の移動量をダイレクトに反映した磁界の強さを検出することができ、弁体のリフト量をダイレクトに検出することが可能である。しかしながら、この非接触式検出手段では、ダイアフラムに磁石が固定され、ハウジングにホール素子が固定されるので、ＥＧＲバルブに振動が加わった場合に、ダイアフラムとハウジングがそれぞれ別個の挙動で不規則に振動することがある。この場合、磁石とホールＩＣとの距離が振動によって不規則に変わり、弁体のリフト量を安定的に検出できなくなる。
【０００８】
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、流体の流路を有するハウジングと、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体と一体的に設けられた弁軸と、弁体と共に弁軸を駆動するための駆動手段と、弁座に対する弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段とを備えた流量制御弁において、非接触式検出手段は、エアギャップを介して弁軸に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、磁石及び感磁素子は、固定部材に固定され、弁軸、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、弁軸の動作に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、磁界の強さが感磁素子により検出されるように構成されたことを趣旨とする。
【００１０】
上記発明の構成によれば、駆動手段により弁体と共に弁軸が駆動されることにより、弁座に対する弁体の位置が変わり、流路における流体の流量が変わる。このとき、弁座に対する弁体の位置は、非接触式検出手段により非接触で検出される。ここで、非接触式検出手段を構成する磁石及び感磁素子が、エアギャップを介して弁軸に対向して配置され、弁軸、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成される。この磁気回路の磁界の強さは、弁軸の動作に伴って可変となり、その磁界の強さが感磁素子により検出される。従って、感磁素子では、弁体と一体的に動作する弁軸の動作をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。また、磁石及び感磁素子が共に固定部材に固定されるので、流量制御弁に振動が加わっても、磁石及び感磁素子が同じ挙動で振動することとなり、磁石と感磁素子との距離が振動によって不規則に変わることがない。
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、弁軸は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、磁石及び感磁素子のうち少なくとも一方との間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さが可変に構成されたことを趣旨とする。
【００１２】
上記発明の構成によれば、請求項１に記載の発明の作用に加え、エアギャップの大きさを部分的に変えることで、磁界の強さを任意に変更可能となる。
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、弁軸は、駆動手段と弁体との間に設けられ、磁石及び感磁素子が弁軸の外周に対向して配置されたことを趣旨とする。
【００１４】
上記発明の構成によれば、請求項１又は２に記載の発明の作用に加え、磁石、感磁素子及び固定部材が駆動手段と弁体との間に配置されるので、これらの部材のために別途スペースを確保する必要がない。
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明において、ハウジングに冷却水通路が設けられられ、冷却水通路の近傍に磁石及び感磁素子が配置されたことを趣旨とする。
【００１６】
上記発明の構成によれば、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明の作用に加え、磁石及び感磁素子が、冷却水通路を流れる冷却水により冷やされる。
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項５に記載の発明は、流体の流路を有するハウジングと、流路に設けられた弁座と、弁座に着座可能に設けられた弁体と、弁体を駆動するための駆動手段と、弁体の駆動に同期して駆動手段の駆動力を出力する出力部材と、弁座に対する弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段とを備えた流量制御弁において、非接触式検出手段は、エアギャップを介して出力部材に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、磁石及び感磁素子は、固定部材に固定され、出力部材、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、出力部材の動作に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、磁界の強さが感磁素子により検出されるように構成されたことを趣旨とする。
【００１８】
上記発明の構成によれば、駆動手段により弁体と共に弁軸が駆動されることにより、弁座に対する弁体の位置が変わり、流路における流体の流量が変わる。このとき、弁座に対する弁体の位置は、非接触式検出手段により非接触で検出される。ここで、非接触式検出手段を構成する磁石及び感磁素子が、エアギャップを介して出力部材に対向して配置され、出力部材、磁石、感磁素子及び固定部材により磁石の磁気が通る磁気回路が構成される。出力部材は、弁体の駆動に同期して駆動手段の駆動力を出力する。この磁気回路の磁界の強さは、出力部材の動作に伴って可変となり、その磁界の強さが感磁素子により検出される。従って、感磁素子では、弁体の駆動と同期する出力部材の動作をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。また、磁石及び感磁素子が共に固定部材に固定されるので、流量制御弁に振動が加わっても、磁石及び感磁素子が同じ挙動で振動することとなり、磁石と感磁素子との距離が振動により不規則に変わることがない。
【００１９】
上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、出力部材は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、磁石又は感磁素子との間のエアギャップの大きさを出力部材の移動方向において可変とすることで磁界の強さが可変に構成されたことを趣旨とする。
【００２０】
上記発明の構成によれば、請求項５に記載の発明の作用に加え、エアギャップの大きさを部分的に変えることで、磁界の強さが任意に変更可能となる。
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、駆動手段に対し弁体とは反対側の位置に出力部材が配置され、磁石及び感磁素子の一方が出力部材の先端に対向して配置され、他方が出力部材の外周に対向して配置されたことを趣旨とする。
【００２２】
上記発明の構成によれば、請求項６に記載の発明の作用に加え、磁石、感磁素子及び固定部材が、流路から最も離されることとなる。
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明において、感磁素子は、ホールＩＣであることを趣旨とする。
【００２４】
上記発明の構成によれば、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明の作用に加え、感磁素子として小型で軽量なホールＩＣが用いられる。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に記載の発明によれば、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を得ることができる。
【００２６】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加え、感磁素子による磁界の強さの検出特性の調整が可能となる。
【００２７】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１又は２に記載の発明の効果に加え、非接触式検出手段を備えた流量制御弁として小型化を図ることができる。
【００２８】
請求項４に記載の発明によれば、請求項１乃至３の何れか一つに記載の発明の効果に加え、流路に高温の流体が流れても、磁石及び感磁素子の熱害を低減することができる。
【００２９】
請求項５に記載の発明によれば、弁座に対する弁体の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できる非接触式検出手段を備えた流量制御弁を得ることができる。
【００３０】
請求項６に記載の発明によれば、請求項５に記載の発明の効果に加え、感磁素子による磁界の強さの検出特性の調整が可能となる。
【００３１】
請求項７に記載の発明によれば、請求項６に記載の発明の効果に加え、流路に高温の流体が流れても、磁石及び感磁素子の熱害を低減することができる。
【００３２】
請求項８に記載の発明によれば、請求項１乃至７の何れか一つに記載の発明の効果に加え、非接触式検出手段を小型化及び軽量化することができ、延いては流量制御弁の小型化及び軽量化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
［第１実施形態］
以下、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第１実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図１に、ＥＧＲバルブ１を正断面図により示す。ＥＧＲバルブ１は、エンジンから排出される排気ガスの一部（ＥＧＲガス）を吸気系へ戻すＥＧＲ通路に設けられ、ＥＧＲガス流量を制御するために使用される。ＥＧＲバルブ１は、ハウジング２と、ハウジング２に形成された流路３と、流路３の途中に設けられた弁座４と、弁座４に着座可能に設けられた弁体５と、弁体５と一体的に設けられた弁軸６と、弁体５と共に弁軸６を駆動するための駆動手段としてのアクチュエータ７と、弁座４に対する弁体５の位置（弁体５のリフト量）を非接触で検出するための非接触式検出手段としてのリフトセンサ８とを備える。
【００３５】
ハウジング２に形成された流路３の両端は、ＥＧＲガスが導入される入口３ａと、ＥＧＲガスが導出される出口３ｂとなっている。弁座４は、流路３の途中に設けられ、流路３に連通する弁孔４ａを有する。
【００３６】
弁軸６は、アクチュエータ７と弁体５との間に設けられ、ハウジング２を垂直に貫通して配置される。弁体５は、弁軸６の下端に固定され、円錐形状をなし、その円錐面が弁座４に対して当接又は離間するようになっている。弁軸６の上端には、スプリング受９が一体に設けられる。弁軸６は、ハウジング２に対しスラスト軸受１０，１１を介して上下動可能に設けられる。
【００３７】
アクチュエータ７は、コイル２１を含むステータ２２と、ステータ２２の内側に設けられたマグネットロータ２３と、マグネットロー２３の内側に設けられた出力部材として出力軸２４とを含む。これらの部材２１〜２４等が樹脂製のケーシング２５によりモールドされて覆われる。ケーシング２５には、横へ突出したコネクタ２６が一体に形成される。コネクタ２６には、コイル２１から延びる端子２７が設けられる。
【００３８】
出力軸２４は、外周に雄ネジ２４ａを有する。出力軸２４の下端部は、弁軸６のスプリング受９に連結される。マグネットロータ２３は、ロータ本体２８と、ロータ本体２８の外周に一体的に設けられた円環状のプラスチックマグネット２９とを含む。ロータ本体２８の上端部外周には、ケーシング２５との間にラジアル軸受３０が設けられる。プラスチックマグネット２９の下端部内周には、スラスト軸受１０との間にラジアル軸受３１が設けられる。これら上下のラジアル軸受３０，３１によりマグネットロータ２３がステータ２２の内側で回転可能に支持される。ロータ本体２８の中心には、出力軸２４の雄ネジ２４ａに螺合する雌ネジ２８ａが形成される。マグネットロータ２３と、下側のラジアル軸受３１との間には、圧縮スプリング３２が設けられる。弁軸６のスプリング受９と、下側のラジアル軸受３１との間には、弁軸６をマグネットロータ２３へ付勢する圧縮スプリング３３が設けられる。出力軸２４の雄ネジ２４ａとロータ本体２８の雌ネジ２８ａとの螺合状態において、ロータ本体２８と共にマグネットロータ２３が回転することにより、出力軸２４が回転しながらスラスト方向へ、すなわち図１において上下方向へストローク運動する。この出力軸２４のストローク運動により、弁体５と共に弁軸６が上下方向へストローク運動する。このように、マグネットロータ２３の回転運動を弁体５と弁軸６のストローク運動へ直接に変換できることから、変換時にマグネットロータ２３と弁軸６との位置関係や作動タイミングのズレを最小限に抑えることができる。この結果、弁体５のリフト量を精度良く制御することができる。
【００３９】
図１に示すように、弁体５が弁座４に着座した全閉状態では、スプリング受９がロータ本体２８に係合して回り止めされるようになっている。これにより、全閉時を基準として、弁軸６及び出力軸２４の回転位置とロータ本体２８の回転位置との相互関係を常に一定状態に保つようになっている。この結果、弁体５のリフト量を長期間にわたって高精度に制御することができる。
【００４０】
リフトセンサ８は、別部品として構成され、ハウジング２に形成された組付穴１２に組み付けられる。この組付状態において、リフトセンサ８の先端部は、弁軸６と垂直に交差している。図２に、リフトセンサ８を一部破断して平面図により示す。図３に、リフトセンサ８を側面図により示す。リフトセンサ８は、弁体５のリフト量を検出するセンサ部４１と、外部配線に接続されるコネクタ部４２とから構成される。センサ部４１は、平面視でコ字状（チャネル状）をなす固定部材としての金属製のヨーク４３と、そのヨーク４３の一方の開放端内側に固定された磁石４４と、そのヨーク４３の他方の開放端内側に固定された感磁素子としてのホールＩＣ４５と、ホールＩＣ４５に接続された配線４６とを含む。これらの部品４３〜４６が、樹脂製のケーシング４７によりモールドされて覆われる。コネクタ部４２は、センサ部４１の配線４６に接続される端子４８を備え、その端子４８が樹脂製のケーシング４９によりモールドされて覆われる。
【００４１】
センサ部４１の先端部には、図２に示すように、ヨーク４３の形状に合わせた溝５０が設けられる。この溝４０は、上下方向に貫通すると共に、開放側がセンサ部４１の先端側へ向いている。このリフトセンサ８は、ＥＧＲバルブ１の製造過程の最後に、組付穴１２に差し込むことで組み付けることができる。このとき、センサ部４１の溝５０に弁軸６を受け入れ、溝５０の中を弁軸６が貫通するように、センサ部４１が弁軸６に組み付けられる。この組み付け状態において、弁軸６は、溝５０の中で磁石４４とホールＩＣ４５との間にエアギャップ５１ａ，５１ｂを介して配置される。このように、リフトセンサ８は、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置された磁石４４及びホールＩＣ４５を含み、磁石４４及びホールＩＣ４５はヨーク４３に固定される。そして、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。図４に、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路５２を概念図により示す。磁気回路５２の磁界は、ホールＩＣ４５を貫通するようにホールＩＣ４５に作用する。このときホールＩＣ４５に電流を流すことにより、磁界の強さに応じた起電力がホールＩＣ４５に発生する。この起電力の大きさは、ホールＩＣ４５を通る磁界の強さに比例することとなる。
【００４２】
図５及び図６に、センサ部４１の先端部分を図３のＡ−Ａ線断面図により示す。図５は、「バルブ閉」のとき、すなわち弁体５が弁座４に着座した全閉状態のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。図６は、「バルブ開」のとき、すなわち弁体５が弁座４から最大限離間した全開状態のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。センサ部４１と対応する弁軸６の外周の一部には、所定幅の切欠き６ａが形成される。この切欠き６ａは、図５に示すように、「バルブ閉」（全閉状態）のときは、わずかに端の部分のみが磁石４４と対向し、図６に示すように、「バルブ開」（全開状態）のときは、大部分が最大限に磁石４４と対向するようになっている。磁石４４と切欠き６ａの対向面積は、図５に示す状態から図６に示す状態までの間で、弁軸６のストローク運動に伴い、すなわち弁体５のリフト量の変化に応じて可変となっている。このように磁石４４と切欠き６ａの対向面積が変化することで、上記した磁気回路５２の磁界の強さが変化するように構成される。すなわち、弁軸６の動作に伴い磁気回路５２の磁界の強さが可変に構成される。この実施形態では、弁軸６は、その軸線方向へストローク運動可能に設けられ、弁軸６の外周と磁石４４との間のエアギャップ５１ａの大きさを弁軸６のストローク運動の方向において可変とすることで磁気回路５２の磁界の強さが可変に構成される。そして、磁気回路５２の磁界の強さの変化がホールＩＣ４５により検出されるように構成される。このホールＩＣ４５の検出値から弁体５のリフト量を換算できるようになっている。
【００４３】
また、この実施形態では、図１に示すように、ＥＧＲバルブ１を冷却するために、ハウジング２に冷却水通路１３が設けられられる。この冷却水通路１３には、エンジンの運転時に冷却水が流れるようになっている。冷却水通路１３は、センサ部４１の先端部に近接して配置される。これにより、上記した磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３の近傍に配置されるようになっている。
【００４４】
以上説明したこの実施形態のＥＧＲバルブ１によれば、アクチュエータ７により弁体５と共に弁軸６がストローク運動することにより、弁座４に対する弁体５の位置、すなわち弁体５のリフト量が変わり、流路３におけるＥＧＲガスの流量が変わる。このとき、弁体５のリフト量は、リフトセンサ８により非接触で検出される。ここで、リフトセンサ８を構成する磁石４４及びホールＩＣ４５が、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置され、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路５２が構成される。この磁気回路５２の磁界の強さは、弁軸６のストローク運動に伴って可変となり、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出される。従って、ホールＩＣ４５では、弁体５と一体的に動作する弁軸６のストローク運動をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。このため、この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触でダイレクトに正確に検出することができる。また、磁石４４及びホールＩＣ４５が共にヨーク４３に固定されるので、ＥＧＲバルブ１に振動が加わっても、磁石４４及びホールＩＣ４５が同じ挙動で振動することとなり、磁石４４とホールＩＣ４５との距離が振動により不規則に変わることがない。このため、この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で安定的に検出することができる。つまり、この実施形態では、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できるリフトセンサ８を備えたＥＧＲバルブ１を得ることができる。
【００４５】
この実施形態のリフトセンサ８によれば、弁体５のリフト量を非接触で検出できることから、接触不良による誤検出がなく、リフトセンサ８としての信頼性を向上させることができる。また、この実施形態では、リフトセンサ８を構成するセンサ部４１の先端部に溝５０が設けられ、リフトセンサ８を組付穴１２に組み付けるときに、この溝５０に弁軸６を受け入れるように、溝５０の中を弁軸６が貫通するように、センサ部４１が弁軸６に組み付けられる。このため、組付穴１２にリフトセンサ８を差し込むだけでリフトセンサ８をハウジング２に組み付けることができ、リフトセンサ８の組付性を向上させることができる。
【００４６】
この実施形態では、弁軸６の一部に切欠き６ａを設け、弁軸６のストローク運動に伴い磁石４４との間のエアギャップ５１ａの対向面積を変えるようになっている。このため、切欠き６ａの大きさや形状を任意に変えることで、エアギャップの大きさを部分的に変更することが可能となり、これにより磁気回路５２の磁界の強さを任意に変更することが可能となる。このため、ホールＩＣ４５による磁界の強さの検出特性を、必要に応じて任意に調整することが可能となる。
【００４７】
この実施形態では、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３を含むリフトセンサ８のセンサ部４１が、アクチュエータ７と弁体５との間に配置される。従って、センサ部４１をハウジング２の中のスペースに設けることができ、センサ部４１のために別途スペースを確保する必要がない。このため、リフトセンサ８を備えたＥＧＲバルブ１として小型化を図ることができる。
【００４８】
この実施形態では、センサ部４１の磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３の近傍に配置されるので、磁石４４及びホールＩＣ４５が冷却水通路１３を流れる冷却水により冷やされる。このため、ハウジング２の流路３に高温のＥＧＲガスが流れても、磁石４４及びホールＩＣ４５の熱害を低減することができる。
【００４９】
また、この実施形態では、感磁素子として小型で軽量なホールＩＣ４５が用いられるので、リフトセンサ８を小型化及び軽量化することができ、延いてはＥＧＲバルブ１の小型化及び軽量化を図ることができる。
【００５０】
［第２実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第２実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の各実施形態では、第１実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を省略し、異なった点を中心に説明する。
【００５１】
この実施形態では、主としてリフトセンサ１８の構成の点で第１実施形態と構成が異なる。図７に、ＥＧＲバルブ１を正断面図により示す。図８に、リフトセンサ１８を正面図により示す。図９に、リフトセンサ１８を図８のＢ−Ｂ線断面図により示す。リフトセンサ１８は、ハウジング２の組付穴１２に組み付けられる。この組付状態において、リフトセンサ１８の先端部は、弁軸６と垂直に交差するように設けられる。リフトセンサ１８は、センサ部４１とコネクタ部４２を備える。センサ部４１が、ヨーク４３、磁石４４、ホールＩＣ４５及び配線４６を含み、これらの部品４３〜４６がケーシング４７により覆われているのは、第１実施形態のそれと同じである。コネクタ部４２が、端子４８を備え、その端子４８がケーシング４９により覆われているのも、第１実施形態のそれと同じである。
【００５２】
この実施形態では、図９に示すように、センサ部４１のヨーク４３の向きが第１実施形態とそれと逆になっており、これによりヨーク４３の形状に合わせた溝５０の向きも第１実施形態のそれとは逆になっている。すなわち、この溝４０は、上下方向に貫通すると共に、開放側がコネクタ部４２へ向いている。このため、このリフトセンサ１８は、ＥＧＲバルブ１の製造過程の途中で、ハウジング２に弁軸６を組み付ける前に組付穴１２に差し込むことになる。その後、センサ部４１の溝５０を貫通するように弁軸６をハウジング２に組み付ける。この組み付け状態において、弁軸６は、溝５０の中で磁石４４とホールＩＣ４５との間にエアギャップ５１ａ，５１ｂを介して配置される。このように、リフトセンサ１８は、エアギャップ５１ａ，５１ｂを介して弁軸６に対向して配置された磁石４４及びホールＩＣ４５を含み、磁石４４及びホールＩＣ４５はヨーク４３に固定される。そして、弁軸６、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。
【００５３】
図１０及び図１１に、センサ部４１の先端部分を図８のＣ−Ｃ線断面図により示す。図１０は、「バルブ閉」のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。図１１は、「バルブ開」のときの弁軸６とセンサ部４１の関係を示す。この実施形態でも、センサ部４１と対応する弁軸６の外周の一部には、所定幅の切欠き６ａが形成される。この切欠き６ａは、図１０に示すように、「バルブ閉」（全閉状態）のときは、わずかに端の部分のみが磁石４４と対向し、図１１に示すように、「バルブ開」（全開状態）のときは、大部分が最大限に磁石４４と対向するようになっている。磁石４４と切欠き６ａの対向面積は、図１０に示す状態から図１１に示す状態までの間で、弁軸６のストローク運動に伴い、すなわち弁体５のリフト量の変化に応じて可変となっている。このように磁石４４と切欠き６ａの対向面積が変化することで、上記した磁気回路５２の磁界の強さが変化する構成は、第１実施形態のそれと同じである。
【００５４】
この実施形態のＥＧＲバルブ１では、リフトセンサ１８に係る構成以外の点では第１実施形態のそれと同じである。従って、この実施形態でも、第１実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
【００５５】
［第３実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第３実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００５６】
図１２に、この実施形態のＥＧＲバルブ６１を正断面図により示す。図１３に、リフトセンサ６２の主要構成を正断面図により示す。図１４に、リフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。この実施形態では、リフトセンサ６２がアクチュエータ７の上部に一体に設けられる点で前記各実施形態と構成が異なる。すなわち、この実施形態では、出力軸２４の上端に雄ネジ２４ａのない円柱形のストレートニードル６３が一体に形成される。このニードル６３は、上側のラジアル軸受３１よりも上方へ突出して配置される。つまり、アクチュエータ７に対し弁体５とは反対側の位置に出力軸２４のニードル６３が配置される。このニードル６３を上から囲むように、正面視でコ字状（チャネル状）をなす金属製のヨーク４３が開放端を下へ向けて配置される。このヨーク４３の両開放端内側にはそれぞれ磁石４４が固定され、ヨーク４３の中間部内側に対応してホールＩＣ４５が配置される。ヨーク４３の内側はモールドされたケーシング２５の樹脂により覆われ、ヨーク４３の形状に合わせた溝６４が設けられる。この溝６４の中を、ニードル６３が出力軸２４と共に軸線方向へストローク運動可能に設けられる。２つの磁石４４は、エアギャップ６５ａ，６５ｂを介してニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５は、エアギャップ６５ｃを介してニードル６３の先端に対向して配置される。これらの部品４３〜４５が、ケーシング２５によりモールドされて覆われることでリフトセンサ６２が構成される。ホールＩＣ４５から延びる配線（図示略）は、コネクタ２６に配置される。
【００５７】
図１５〜図１７に、リフトセンサ６２の主要構成と作用を正断面図により示す。図１５〜図１７に示すように、ニードル６３は、溝６４の中を、軸線方向へストローク運動する。このニードル６３のストローク運動は、出力軸２４、弁軸６及び弁体５のストローク運動と同期したものである。ニードル６３のストローク運動に伴い、ニードル６３の先端とホールＩＣ４５との間のエアギャップ６５ｃは変化するが、各磁石４４とニードル６３の外周との間のエアギャップ６５ａ，６５ｂは変化しない。そして、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路が構成される。図１８に、リフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。図１９に、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路６６Ａ，６６Ｂを概念図により示す。この実施形態では、図１８に示すように、各磁石４４のＮ極側がヨーク４３に接し、Ｓ極側が溝６４に面して配置される。磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界は、各磁石４４ごとに形成され、ホールＩＣ４５からニードル６３へ、ニードル６３から各磁石４４へ、各磁石４４からヨーク４３へ、ヨーク４３からホールＩＣ４５へ向けて磁束が流れる。この磁束は、ホールＩＣ４５を貫通するようにホールＩＣ４５に作用する。このときホールＩＣ４５に電流を流すことにより、磁界の強さに応じた起電力が発生する。この起電力の大きさは、ホールＩＣ４５を通る磁界の強さ（感磁力）に比例することとなる。図２０に、ストレートニードル６３の先端からホールＩＣ４５までの距離（ニードル距離）と、ホールＩＣ４５による感磁力との関係をグラフにより示す。このグラフから明らかなように、ホールＩＣ４５の感磁力は、ニードル距離の増加に伴い反比例して減少することが分かる。このように、ニードル６３のストローク運動に伴い磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さが可変に構成され、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出されるように構成される。このように、ホールＩＣ４５との間のエアギャップ６５ｃの大きさをニードル６３のストローク運動の方向において可変とすることで、磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さが可変に構成される。
【００５８】
なお、図２１に、図１８に準ずるリフトセンサ６２の主要構成を底面図により示す。図２２に、図１９に準ずるニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３の間で構成される磁気回路６６Ａ，６６Ｂを概念図により示す。図２１に示すように、図１８とは逆に、各磁石４４のＳ極側がヨーク４３に接し、Ｎ極側が溝６４に面して配置される。この場合は、図２２に示すように、磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁束の流れは、図１９に示す向きとは逆向きとなる。
【００５９】
以上説明したこの実施形態のＥＧＲバルブ６１によれば、アクチュエータ７により弁体５と共に弁軸６がストローク運動することにより、弁体５のリフト量が変わり、流路３におけるＥＧＲガスの流量が変わる。このとき、弁体５のリフト量は、アクチュエータ７と一体に設けられたリフトセンサ６２により非接触で検出される。ここで、リフトセンサ６２を構成する２つの磁石４４が、エアギャップ６５ａ，６５ｂを介してニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５が、エアギャップ６５ｃを介してニードル６３の先端に対向して配置される。また、ニードル６３、２つの磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３により磁石４４の磁気が通る磁気回路６６Ａ，６６Ｂが構成される。ニードル６３を備えた出力軸２４は、弁体５のストローク運動に同期してアクチュエータ７の駆動力を出力するものである。この磁気回路６６Ａ，６６Ｂの磁界の強さは、出力軸２４と一体のニードル６３の動作に伴って可変となり、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出される。従って、ホールＩＣ４５では、弁体５のストローク運動と同期するニードル６３のストローク運動をダイレクトに反映した磁界の強さが検出される。このため、この実施形態のリフトセンサ６２によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触でダイレクトに正確に検出することができる。また、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５が共にヨーク４３に固定されるので、ＥＧＲバルブ６１に振動が加わっても、２つの磁石４４及びオールＩＣ４５が同じ挙動で振動することとなり、２つの磁石４４とホールＩＣ４５との距離が振動により不規則に変わることがない。このため、この実施形態のリフトセンサ６２によれば、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で安定的に検出することができる。つまり、この実施形態では、弁座４に対する弁体５の動きを非接触で正確かつ安定的に検出できるリフトセンサ６２を備えたＥＧＲバルブ６１を得ることができる。
【００６０】
また、この実施形態では、アクチュエータ７に対し弁体５とは反対側の位置にニードル６３が配置され、２つの磁石４４がニードル６３の外周に対向して配置され、ホールＩＣ４５がニードル６３の先端に対向して配置される。従って、磁石４４、ホールＩＣ４５及びヨーク４３が、ハウジング２の流路３から最も離される。このため、流路３に高温のＥＧＲガスが流れても、磁石４４及びホールＩＣ４５の熱害を低減することができる。この実施形態のその他の作用効果は、第１実施形態のそれと同じである。
【００６１】
［第４実施形態］
次に、本発明の流量制御弁を「ＥＧＲバルブ」に具体化した第４実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。
【００６２】
図２３に、この実施形態のＥＧＲバルブ６１を正断面図により示す。図２４〜図２６に、リフトセンサ６２の主要構成及び作用を正断面図により示す。この実施形態では、リフトセンサ６２のニードル６７の形状の点で前記第３実施形態と構成が異なる。すなわち、前記第３実施形態では、円柱形のストレートニードル６３が使用されたのに対し、この実施形態では、先端へ向かって拡径するテーパ形状をなすテーパ状ニードル６７が使用される。このようにテーパ状ニードル６７を使用することから、図２４〜図２６に示すように、ニードル６７がストローク運動することで、ニードル６７の先端とホールＩＣ４５とのエアギャップ６５ｃが大きくなる、すなわちニードル距離が大きくなる。また、このニードル距離の増加に伴い、ニードル６７の外周と各磁石４４とのエアギャップ６５ａ，６５ｂが小さくなる。図２７に、図２０に準ずるニードル距離と感磁力との関係をグラフにより示す。このグラフから明らかなように、この実施形態のテーパ状ニードル６７による感磁力の特性は、ニードル距離の増加に伴い反比例的に減少するが、第３実施形態のストレートニードル６３のそれに比べて特性に直線性が出ることが分かる。このように、テーパ状ニードル６７のストローク運動に伴い磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、その磁界の強さがホールＩＣ４５により検出されるように構成される。
【００６３】
この実施形態のＥＧＲバルブ６１では、テーパ状ニードル６７以外の構成は、第３実施形態のそれと同じである。従って、この実施形態でも、第３実施形態と同等の作用効果を得ることができる。
【００６４】
なお、この発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱することのない範囲で以下のように実施することができる。
【００６５】
（１）前記各実施形態では、感磁素子としてホールＩＣ４５を使用したが、感磁素子としてホール素子、磁気抵抗素子（ＭＲ素子）及び磁気抵抗ＩＣ等を使用してもよい。
【００６６】
（２）前記第１及び第２の実施形態では、磁石４４及びホールＩＣ４５のうち磁石４４との間のエアギャップ５１ａの大きさを弁軸６の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成した。これに対し、磁石及びホールＩＣのうちホールＩＣとの間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成してもよい。あるいは、磁石４４及びホールＩＣ４５との間のエアギャップの大きさを弁軸の移動方向において可変とすることで磁界の強さを可変に構成してもよい。
【００６７】
（３）前記第３及び第４の実施形態では、ニードル６３，６７の外周に２つの磁石４４を対向して配置したが、１つの磁石を対向して配置してもよい。
【００６８】
（４）前記第３及び第４の実施形態では、ニードル６３，６７の先端にホールＩＣ４５を対向して配置し、ニードル６３，６７の外周に２つの磁石４４を対向して配置したが、１つの磁石をニードルの先端に対向して配置し、１つのホールＩＣをニードルの外周に対向して配置してもよい。
【００６９】
（５）前記各実施形態では、本発明の流量制御弁をＥＧＲバルブ１，６１に具体化したが、ＥＧＲバルブ以外の弁に具体化することもできる。
【００７０】
（６）前記第３及び第４の実施形態では、図１３に示すように、ヨーク４３と、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５をケーシング２５の樹脂と一体にモールドした。ここで、ヨーク４３の内側では、ホールＩＣ４５のみが樹脂に囲まれ、２つの磁石４４は、樹脂の端に接するだけとなっている。これに対し、図２８に示すように、ヨーク４３、２つの磁石４４及びホールＩＣ４５を予めモールド樹脂６８で覆ってアッセンブリ化し、そのアッセンブリをケーシング２５の樹脂と一体にモールドしてもよい。この場合、ヨーク４３の内側にて、ホールＩＣ４５をモールド樹脂６８で囲み、２つの磁石４４をモールド樹脂６８で覆う。また、ヨーク４３の開放端には、外側に突起４３ａを形成し、この突起４３ａを巻き込むようにヨーク４３の開放端部をモールド樹脂６８で覆う。
【００７１】
（７）前記第３及び第４の実施形態において、図２９に示すように、ヨーク４３、磁石４４及びホールＩＣ４５を予めモールド樹脂６８で覆ってアッセンブリ化し、そのアッセンブリをケーシング２５の樹脂と一体にモールドしてもよい。この場合、ヨーク４３の内側にて、ホールＩＣ４５をモールド樹脂６８で囲み、２つの磁石４４をモールド樹脂６８で覆う。また、ヨーク４３の開放端もモールド樹脂６８で覆うが、図２８とは異なり、ヨーク４３の開放端の外面にはモールド樹脂６８をはみ出さない。ここで、ヨーク４３からの樹脂抜けを防止するために、ヨーク４３の内面に凹み４３ｂを形成し、樹脂をモールドするときに樹脂の一部を凹み４３ｂに流れ込ませて係合させる。
【００７２】
（８）前記（６）の別例では、図２８に示すように、ヨーク４３と、２つの磁石４４及び１つのホール素子４５をモールド樹脂６８で覆ったが、図３０に示すように、ヨーク４３Ａと、１つの磁石４４と、１つのホール素子４５をモールド樹脂６８で覆ってもよい。この場合、ヨーク４３ＡをＬ字形に形成するが、モールド樹脂６８を含めて全体を左右対称のコ字状（チャネル状）に形成することで、その内側に溝６４を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第１実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図２】第１実施形態に係り、リフトセンサを一部破断して示す平面図。
【図３】第１実施形態に係り、リフトセンサを示す側面図。
【図４】第１実施形態に係り、弁軸、磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図５】第１実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図３のＡ−Ａ線断面図。
【図６】第１実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図３のＡ−Ａ線断面図。
【図７】第２実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図８】第２実施形態に係り、リフトセンサを示す正面図。
【図９】第２実施形態に係り、リフトセンサを示す図８のＢ−Ｂ線断面図。
【図１０】第２実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図８のＣ−Ｃ線断面図。
【図１１】第２実施形態に係り、センサ部の先端部分を示す図８のＣ−Ｃ線断面図。
【図１２】第３実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図１３】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図１４】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図１５】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１６】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１７】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図１８】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図１９】第３実施形態に係り、ニードル、２つの磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図２０】第３実施形態に係り、ニードル距離と感磁力との関係を示すグラフ。
【図２１】第３実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す底面図。
【図２２】第３実施形態に係り、ニードル、２つの磁石、ホール及びヨークの間で構成される磁気回路を示す概念図。
【図２３】第４実施形態に係り、ＥＧＲバルブを示す正断面図。
【図２４】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２５】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２６】第４実施形態に係り、リフトセンサの主要構成と作用を示す正断面図。
【図２７】第４実施形態に係り、ニードル距離と感磁力との関係を示すグラフ。
【図２８】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図２９】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【図３０】別の実施形態に係り、リフトセンサの主要構成を示す正断面図。
【符号の説明】
【００７４】
１ ＥＧＲバルブ（流量制御弁）
２ ハウジング
３ 流路
４ 弁座
５ 弁体
６ 弁軸
７ アクチュエータ（駆動手段）
８ リフトセンサ（非接触式検出手段）
９ スプリング受
１３ 冷却水通路
１８ リフトセンサ（非接触式検出手段）
２４ 出力軸（出力部材）
４３ ヨーク（固定部材）
４３Ａ ヨーク（固定部材）
４４ 磁石
４５ ホールＩＣ（感磁素子）
５１ａ エアギャップ
５１ｂ エアギャップ
５２ 磁気回路
６１ ＥＧＲバルブ（流量制御弁）
６２ リフトセンサ（非接触式検出手段）
６３ ストレートニードル
６５ａ エアギャップ
６５ｂ エアギャップ
６５ｃ エアギャップ
６６Ａ 磁気回路
６６Ｂ 磁気回路
６７ テーパ状ニードル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流路を有するハウジングと、
前記流路に設けられた弁座と、
前記弁座に着座可能に設けられた弁体と、
前記弁体と一体的に設けられた弁軸と、
前記弁体と共に前記弁軸を駆動するための駆動手段と、
前記弁座に対する前記弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段と
を備えた流量制御弁において、
前記非接触式検出手段は、エアギャップを介して前記弁軸に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、前記磁石及び前記感磁素子は、固定部材に固定され、前記弁軸、前記磁石、前記感磁素子及び前記固定部材により前記磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、前記弁軸の動作に伴い前記磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、前記磁界の強さが前記感磁素子により検出されるように構成されたことを特徴とする流量制御弁。
【請求項２】
前記弁軸は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、前記磁石及び前記感磁素子のうち少なくとも一方との間の前記エアギャップの大きさを前記弁軸の移動方向において可変とすることで前記磁界の強さが可変に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の流量制御弁。
【請求項３】
前記弁軸は、前記駆動手段と前記弁体との間に設けられ、前記磁石及び前記感磁素子が前記弁軸の外周に対向して配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の流量制御弁。
【請求項４】
前記ハウジングに冷却水通路が設けられられ、前記冷却水通路の近傍に前記磁石及び前記感磁素子が配置されたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の流量制御弁。
【請求項５】
流体の流路を有するハウジングと、
前記流路に設けられた弁座と、
前記弁座に着座可能に設けられた弁体と、
前記弁体を駆動するための駆動手段と、
前記弁体の駆動に同期して前記駆動手段の駆動力を出力する出力部材と、
前記弁座に対する前記弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段と
を備えた流量制御弁において、
前記非接触式検出手段は、エアギャップを介して前記出力部材に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、前記磁石及び前記感磁素子は、固定部材に固定され、前記出力部材、前記磁石、前記感磁素子及び前記固定部材により前記磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、前記出力部材の動作に伴い前記磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、前記磁界の強さが前記感磁素子により検出されるように構成されたことを特徴とする流量制御弁。
【請求項６】
前記出力部材は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、前記磁石又は前記感磁素子との間の前記エアギャップの大きさを前記出力部材の移動方向において可変とすることで前記磁界の強さが可変に構成されたことを特徴とする請求項５に記載の流量制御弁。
【請求項７】
前記駆動手段に対し前記弁体とは反対側の位置に前記出力部材が配置され、前記磁石及び前記感磁素子の一方が前記出力部材の先端に対向して配置され、他方が前記出力部材の外周に対向して配置されたことを特徴とする請求項６に記載の流量制御弁。
【請求項８】
前記感磁素子は、ホールＩＣであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一つに記載の流量制御弁。
【請求項１】
流体の流路を有するハウジングと、
前記流路に設けられた弁座と、
前記弁座に着座可能に設けられた弁体と、
前記弁体と一体的に設けられた弁軸と、
前記弁体と共に前記弁軸を駆動するための駆動手段と、
前記弁座に対する前記弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段と
を備えた流量制御弁において、
前記非接触式検出手段は、エアギャップを介して前記弁軸に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、前記磁石及び前記感磁素子は、固定部材に固定され、前記弁軸、前記磁石、前記感磁素子及び前記固定部材により前記磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、前記弁軸の動作に伴い前記磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、前記磁界の強さが前記感磁素子により検出されるように構成されたことを特徴とする流量制御弁。
【請求項２】
前記弁軸は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、前記磁石及び前記感磁素子のうち少なくとも一方との間の前記エアギャップの大きさを前記弁軸の移動方向において可変とすることで前記磁界の強さが可変に構成されたことを特徴とする請求項１に記載の流量制御弁。
【請求項３】
前記弁軸は、前記駆動手段と前記弁体との間に設けられ、前記磁石及び前記感磁素子が前記弁軸の外周に対向して配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の流量制御弁。
【請求項４】
前記ハウジングに冷却水通路が設けられられ、前記冷却水通路の近傍に前記磁石及び前記感磁素子が配置されたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の流量制御弁。
【請求項５】
流体の流路を有するハウジングと、
前記流路に設けられた弁座と、
前記弁座に着座可能に設けられた弁体と、
前記弁体を駆動するための駆動手段と、
前記弁体の駆動に同期して前記駆動手段の駆動力を出力する出力部材と、
前記弁座に対する前記弁体の位置を非接触で検出するための非接触式検出手段と
を備えた流量制御弁において、
前記非接触式検出手段は、エアギャップを介して前記出力部材に対向して配置された磁石及び感磁素子を含み、前記磁石及び前記感磁素子は、固定部材に固定され、前記出力部材、前記磁石、前記感磁素子及び前記固定部材により前記磁石の磁気が通る磁気回路が構成され、前記出力部材の動作に伴い前記磁気回路の磁界の強さが可変に構成され、前記磁界の強さが前記感磁素子により検出されるように構成されたことを特徴とする流量制御弁。
【請求項６】
前記出力部材は、その軸線方向へ移動可能に設けられ、前記磁石又は前記感磁素子との間の前記エアギャップの大きさを前記出力部材の移動方向において可変とすることで前記磁界の強さが可変に構成されたことを特徴とする請求項５に記載の流量制御弁。
【請求項７】
前記駆動手段に対し前記弁体とは反対側の位置に前記出力部材が配置され、前記磁石及び前記感磁素子の一方が前記出力部材の先端に対向して配置され、他方が前記出力部材の外周に対向して配置されたことを特徴とする請求項６に記載の流量制御弁。
【請求項８】
前記感磁素子は、ホールＩＣであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一つに記載の流量制御弁。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１０−７８００２（Ｐ２０１０−７８００２Ａ）
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４４３９０（Ｐ２００８−２４４３９０）
【出願日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（０００１１６５７４）愛三工業株式会社 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月２４日（２００８．９．２４）
【出願人】（０００１１６５７４）愛三工業株式会社 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
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