画像パターン形成方法および画像パターン並びに半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子

【課題】パターンの粗密や押圧条件、塗布インキの溶液特性によらず、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能な画像パターン形成方法を提供する。
【解決手段】画像パターン形成方法は、転写ブランケット１の主表面１ａにインキ材料を塗布するインキ塗布工程と、前記インキ塗布工程を経た前記主表面１ａを、インキ親液部５とインキ撥液部４とが所望のパターンで互いに区分された印刷版３に密着させることによって、前記主表面１ａに塗布された前記インキ材料のうち前記インキ親液部５に対応する領域に塗布されていたものを前記印刷版３に転写させる部分的インキ除去工程と、前記部分的インキ除去工程を経た前記主表面１ａを被印刷基材に密着させることによって、前記主表面１ａ上に残存している前記インキ材料を前記被印刷基材の表面に転写するインキ転写工程とを含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像パターン形成方法および画像パターン並びに半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子に関するものである。
【０００２】
本発明は、レジスト剤や導電性ペースト材料などといった機能性樹脂材料、あるいは液晶用カラーフィルタ材料などを、印刷法を用いて所望のパターンに形成する際、従来のフォトリソグラフィ品質に近い高精細かつ樹脂表面の平坦性に優れた高品質画像を得るための画像パターン形成方法に関するものである。さらにその画像パターン形成方法により形成された画像パターン、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ、発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
近年の平版オフセット印刷では、印刷版の非画線部をインキに対して撥液性を有する材料、すなわちシリコーンゴムやフッ素化合物などで形成することにより、いわゆる「湿し水」を使用せずにインキを画線部のみに選択的に付着させる水なし平版を用いた平版水なしオフセット印刷が主流となっている。一般的に平版オフセット印刷機は、多くの練りローラーと印刷版面にインキを塗布する付けローラーとを装備しており、インキはローラー間で練り合わせることにより均一に広げられ、付けローラーを介して印刷版面に塗布され、さらに印刷版からブランケット、ブランケットから被印刷基材へと転写されることにより所望の画像パターンが形成される。このとき、インキは両側に引き裂かれて凝集破壊することにより転写しているため、インキ間に糸引き現象が生じる場合がある。そのため、転写後の画像パターンに膜厚ムラや体積ムラが発生し、結果的に画像パターンの解像度や平坦性の劣化の原因となっていた。
【０００４】
このような糸引き現象による解像度や平坦性の劣化を解決する方法として、特許第３６８９５３６号公報（特許文献１）では、インキ層が塗布形成されたシリコーン樹脂性ブランケットを、所定形状に凸部が形成された凸版印刷版上に転動／接触させることにより、前記凸部に対応する部分のインキのみを全量転写除去し、その後、ブランケット上に残ったインキを被印刷基材に転写することによって、前記糸引き現象を解消する画像パターン形成方法が開示されている。しかしながら、前記特許文献１に記載の画像パターン形成方法では、非画線部／画線部をブランケットと凸版印刷版との接触／非接触によりパターニングしているため、転写時の押圧によるブランケット歪みや凸版印刷版上のパターン粗密の程度によって該ブランケットと該凸版印刷版との誤接触が生じてしまった場合、正確な画像パターンを形成できなくなるおそれがある。この問題を解消するための画像パターン形成方法として、インキに対する親液性／撥液性を利用して非画線部／画線部パターンを形成し、画線部インキのみを分断／転写する画像パターン形成方法が特許文献１および特公平７−８０３４２号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００５】
さらに、関連する技術が特開２００４−２４９６９６号公報（特許文献３）に開示されている。
【特許文献１】特許第３６８９５３６号公報
【特許文献２】特公平７−８０３４２号公報
【特許文献３】特開２００４−２４９６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されている画像パターン形成方法について、図９〜図１１を参照して以下に詳細に説明する。
【０００７】
まず、図９に示すように、親液性／撥液性パターンが形成された印刷版１００上に、キャップコーター、ダイコーター、またはドクターブレードなどを用いてインキ層１０１を形成する。続いて、表面にインキ撥液性を付与した画像転写シート１０４をインキ層１０１を介して印刷版１００に対して密着させ、押圧する。
【０００８】
その後、印刷版１００と画像転写シート１０４とを引き離すことにより、図１０に示すように、インキ親液部１０２上においてはインキが印刷版１００側に残り、インキ撥液部１０３上にあったインキ１０１ｂ１，１０１ｃ１のみが画像転写シート１０４上に転写される。その後さらに、画像転写シート１０４を被印刷基材１０５に密着させ、押圧する。その後、図１１に示すように、画像転写シート１０４と被印刷基材１０５とを引き離すことにより、画像転写シート１０４上にあったインキ１０１ｂ１，１０１ｃ１が被印刷基材１０５上に転写される。このようにして、被印刷基材１０５上に所望の画像パターンが形成される。
【０００９】
しかしながら、印刷版１００上にインキ層１０１を形成する際、印刷版１００の表面は均質ではなく、印刷版１００の表面にはインキ親液部１０２とインキ撥液部１０３とが形成されている。そのため、塗布インキの溶液特性によっては、図９に示すようにインキ親液部１０２にインキが多く偏在してインキ撥液部１０３上のインキが少なくなり、その結果、インキ層１０１にインキ厚膜部１０１ａとインキ薄膜部１０１ｂ，１０１ｃとが形成されてしまう。このインキ厚膜部１０１ａとインキ薄膜部１０１ｂ，１０１ｃとの各膜厚は、印刷版１００上の画像パターンの粗密により変化し、周辺のインキ親液部が大きいほどインキの偏在が激しく、インキ薄膜部のインキ膜厚がより薄くなってしまう。図９に示した例では、インキ薄膜部１０１ｃでの膜厚はインキ薄膜部１０１ｂでの膜厚よりも薄くなっている。図１０、図１１におけるインキ１０１ｂ１，１０１ｃ１はそれぞれインキ薄膜部１０１ｂ，１０１ｃから転写されるインキである。
【００１０】
このように画像パターンの粗密によってインキの膜厚がばらついてしまうことによって、最終的に被印刷基材１０５上に形成される画像パターンの膜厚均一性が低下し、平坦性が低下するおそれがある。さらには、インキ溶液特性が極端な場合、特にインキの表面張力が非常に高く、親液／撥液のコントラストが非常に高い場合、具体的にはインキ親液部１０２に対する接触角が１５°以下、かつインキ撥液部１０３に対する接触角が４０°以上という特性を満たす場合には、インキ親液部１０２へのインキ凝集が激しくなるためにインキ撥液部１０３にインキが塗布できず、印刷版１００上に全域にわたるインキ層１０１を形成することができないという事態になる。このような事態に陥ると画像パターンを形成することができない。
【００１１】
これに対し、特許文献２に開示されている画像パターン形成方法では、まず最初に、親液性／撥液性パターンが形成された印刷媒体（印刷版）ではなく、図１２に示すように、不要インキ除去体２００を用意し、その表面にインキ層２０１を形成する。続いて、インキ親液部（インキ受容体部）２０３およびインキ撥液部２０４が形成された印刷媒体（印刷版）２０２をインキ層２０１を介して前記不要インキ除去体２００に密着させて押圧し、その後で印刷媒体（印刷版）２０２と不要インキ除去体２００とを引き離すことにより、図１３に示すように、インキ親液部２０３部分にのみインキ層が転写される。さらに、この印刷媒体（印刷版）２０２を被印刷基材２０５に密着させて押圧し、その後で印刷媒体（印刷版）２０２と被印刷基材２０５とを引き離すことにより、図１４に示すようにインキ親液部２０３部分のインキが被印刷基材２０５に転写され、所望の画像パターンが形成される。
【００１２】
ここで、特許文献２に開示されている画像パターン形成方法では、不要インキ除去体２００の表面は一様な材質からなる面であるので、不要インキ除去体２００の表面においては、塗布インキの溶液特性によらず、均一なインキ層２０１を形成することが可能となる。しかしながら、ガラス基板やプリント基板のような非可撓性の被印刷基材表面への画像パターンの追従を考慮した場合、印刷媒体（印刷版）２０２はゴムや樹脂などの可撓性材料によって構成されている必要があるため、印刷媒体（印刷版）２０２上に形成できる親液性／撥液性パターンのパターン精度は、従来のオフセット印刷版材料であるＡｌ基板やガラス基板などのような非可撓性材料上でのパターン精度に比べて、解像度、平坦性ともに大きく低下してしまう。
【００１３】
また、特許文献２に開示されている画像パターン形成方法では、インキ転写の際、インキ層を挟んで、印刷媒体（印刷版）２０２と不要インキ除去体２００とが、あるいは、印刷媒体（印刷版）２０２と被印刷基材２０５とが、図１５（ａ）に示すように密着する状態となるが、このとき、ゴムや樹脂などの可撓性材料からなる印刷媒体（印刷版）の場合、インキ転写時の押圧圧力により図１５（ｂ）に示すように印刷媒体（印刷版）２０２が伸びてしまう。したがって、この印刷媒体２０２上に形成された画像パターンも同様に伸びてしまう。すなわち、図１５（ｂ）に示すように長さＬから長さＬ′に変化してしまう。印刷媒体２０２を不要インキ除去体２００から離すと、図１５（ｃ）に示すようにインキが付着している部分は長さＬに戻るが、被印刷基材２０５に押し当てた際には、図１５（ｄ）に示すように印刷媒体２０２のインキが付着している部分は長さＬ′に伸びる。その結果、図１５（ｅ）に示すように被印刷基材２０５上に長さＬ′の画像パターンとして印刷されてしまう。これは、画像パターンの解像度が低下することを意味する。
【００１４】
さらに、特許文献２に開示されている画像パターン形成方法では、最終的に印刷媒体（印刷版）上に形成されたインキ親液部（インキ受容体）に残ったインキ層を被印刷基材に転写する必要があるため、被印刷基材表面は前記インキ親液部に比べてさらにインキ親液性を有する材料で構成されていなければならず、被印刷基材の材料がきわめて限定されてしまう、あるいは被印刷基材の表面に表面粗面化などの処理を行なってインキ親液性を予め向上させておく必要が生じるなどの問題がある。さらにまた、インキ親液部からよりインキ親液性の高い被印刷基材への転写であるため、インキの全量転写が困難であり、インキの凝集破壊による糸引き現象が発生するおそれがある。そのため、高精細かつ平坦性に優れた画像を形成することができないという問題をも有する。
【００１５】
本発明は上述の諸問題点に鑑みてなされたものであり、パターンの粗密や押圧条件、塗布インキの溶液特性によらず、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能な画像パターン形成方法、およびその方法より製造された画像パターンを提供することを目的とする。さらに、前記画像パターン形成方法により製造された半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ、発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明に基づく画像パターン形成方法は、転写ブランケットの主表面にインキ材料を塗布するインキ塗布工程と、前記インキ塗布工程を経た前記主表面を、インキ親液部とインキ撥液部とが所望のパターンで互いに区分された印刷版に密着させることによって、前記主表面に塗布された前記インキ材料のうち前記インキ親液部に対応する領域に塗布されていたものを前記印刷版に転写させる部分的インキ除去工程と、前記部分的インキ除去工程を経た前記主表面を被印刷基材に密着させることによって、前記主表面上に残存している前記インキ材料を前記被印刷基材の表面に転写するインキ転写工程とを含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、パターンの粗密や押圧条件、塗布インキの溶液特性によらず、均一なインキ層を形成/転写することができるため、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施の形態１）
（構成）
本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法について説明する。画像パターン形成方法は、転写ブランケットの主表面にインキ材料を塗布するインキ塗布工程と、前記インキ塗布工程を経た前記主表面を、インキ親液部とインキ撥液部とが所望のパターンで互いに区分された印刷版に密着させることによって、前記主表面に塗布された前記インキ材料のうち前記インキ親液部に対応する領域に塗布されていたものを前記印刷版に転写させる部分的インキ除去工程と、前記部分的インキ除去工程を経た前記主表面を被印刷基材に密着させることによって、前記主表面上に残存している前記インキ材料を前記被印刷基材の表面に転写するインキ転写工程とを含む。
【００１９】
言い換えれば、本発明に基づく画像パターン形成方法は、インキ材料を全面に塗布した転写ブランケットをインキ親液部とインキ撥液部とによる画像パターンが形成された印刷版上に密着させ、該印刷版のインキ親液部に対応する前記転写ブランケット上のインキ材料を印刷版上に転写させることによって除去した後、前記転写ブランケット上に残存しているインキ材料を被印刷基材表面に転写することを特徴としている。
【００２０】
（作用・効果）
本実施の形態における画像パターン形成方法によれば、パターンの粗密や押圧条件、塗布インキの溶液特性によらず、均一なインキ層を形成/転写することができるため、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することができる。
【００２１】
（実施例１）
図１〜図７を参照して、さらに具体的な実施例について説明する。
【００２２】
本実施例では、インキ材料としてＣＦ用インキ（緑）とＡｇナノ粒子分散インキを用い、塗布膜厚を約１．５μｍとし、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍパターンの印刷版を用いてガラス基板上に画像パターンを形成した。「Ｌ／Ｓ」とは、Line/Spaceの意味であり、最終的な印刷対象物上においてインキを載せるべき部分の幅と空白となるべき部分（インキを載せない部分）の幅との比率である。また、各インキのインキ撥液部４（シリコーン樹脂）および、インキ親液部５（レジスト樹脂）に対する接触角は、ＣＦ用インキ（緑）ではそれぞれ５°，３５°であり、Ａｇナノ粒子分散インキではそれぞれ１０°，５５°であった。
【００２３】
まず、図１に示すように、シリコーン樹脂製ゴムからなる表面層とウレタン樹脂からなるクッション層との積層体からなる転写ブランケット１の主表面１ａの全面にスリットコータを用いてインキ層２を塗布形成した。なお、インキ層２の別の形成方法として、図２に示すように、転写ブランケット１よりもインキ撥液性の高い表面を有するインキ展延シート１１上にインキ層２を形成し、図３に示すように前記転写ブランケット１をインキ層２を介してインキ展延シート１１と密着させて押圧することにより、図４に示すように転写ブランケット１上に均一なインキ層２を形成することも可能である。
【００２４】
また、転写ブランケット１の材質としては、印刷版や被印刷基材の表面形状に追従して密着する必要があるとともに、最終的にインキ材料を被印刷基材に全量転写する必要があるため、シリコーン樹脂製ゴムやフッ素樹脂系ゴムなどの離型性および可撓性に優れた表面層とウレタン樹脂や織布などのクッション層材料との積層体を用いることができる。
【００２５】
続いて、図５に示すように、Ａｌ薄板からなる支持体上にシリコーン樹脂からなるインキ撥液部４とレジスト樹脂からなるインキ親液部５によって画像パターンが形成された印刷版３にインキ層２を介して転写ブランケット１を密着させる。密着させて押圧した後で剥離することにより、図６に示すように、インキ親液部５上のインキ層だけが印刷版３上に全量転写された状態となり、インキ撥液部４上のインキ層２だけが転写ブランケット１上に全量残留する。すなわち、転写ブランケット１からはインキ層２が部分的に除去された形となる。
【００２６】
なお、本実施例で用いた前記印刷版３は、シリコーン樹脂からなるインキ撥液部４とレジスト樹脂からなるインキ親液部５との段差が約０．５μｍであって、塗布膜厚１．５μｍよりも小さくなっている。この印刷版３は、略平板印刷版である。
【００２７】
また、印刷版３の支持体としては、印刷時にかかる荷重に耐え得る材質である必要があるため、一般的にはＡl薄板のような金属薄板、ポリエチレンテレフタレートのようなプラスチックフィルム、ゴム、石英ガラスなど、あるいはそれらの複合体を用いることができる。また、インキ撥液部４にはシリコーン樹脂、あるいはフッ素系樹脂を熱硬化させたものを用いることが可能であり、インキ親液部５にはＡｌ、Ｔｉ薄膜などの金属薄膜層、あるいはレジスト樹脂やエポキシ樹脂、ゼラチン、ウレタン樹脂などを熱硬化させたものを用いることができる。
【００２８】
さらに、図７に示すように、ガラス基板であるところの被印刷基材６に対して前記転写ブランケット１を密着させて押圧した後で剥離することにより、前記転写ブランケット１上に残存するインキ層が被印刷基材６上に転写された。これにより、ＣＦ用インキ（緑）とＡｇナノ粒子分散インキとの両方ともガラス基板上にＬ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの画像パターンとして形成することができた。その後、各インキ材料に適した焼成処理を行ない、溶媒を蒸発させてインキを固化することにより各インキ材料からなる画像パターンを完成させた。
【００２９】
なお、それぞれの画像パターンの膜厚は、ＣＦ用インキ（緑）が１．２μｍであり、Ａｇナノ粒子分散インキが１．０μｍであり、表面平坦性はどちらも約０．１μｍ以下であった。
【００３０】
（比較例１）
比較例１として、インキ撥液部とインキ親液部の間の段差が塗布膜厚よりも大きく、約２．５μｍとなっている印刷版を用いて、実施例１と同様の画像パターン形成方法に従って、ガラス基板上に画像パターンを形成した。なお、その他の材料および使用インキなどは全て実施例１と同じものを用いた。
【００３１】
本比較例においては、インキ撥液部とインキ親液部との間の段差が約２．５μｍと、インキ膜厚の１．５μｍよりも大きいため、印刷版と転写ブランケットとを、インキ層２を介して密着させて押圧した際に均一なインキ層が形成されず、転写ブランケット上に残留したインキ撥液部上のインキ層の膜厚が不均一になり、最終的に得られた画像パターンの膜厚均一性が実施例１に比べて大きく低下した。
【００３２】
（比較例２）
比較例２として、インキ撥液部、あるいは転写ブランケット表面層に通常の紙印刷などに用いられるＮＢＲゴムを用いて、実施例１と同様の画像パターン形成方法に従って、ガラス基板上に画像パターンを形成した。なお、その他の材料および使用インキなどは全て実施例１と同じものを用いた。
【００３３】
本比較例においては、ＮＢＲゴムはシリコーン樹脂、あるいはフッ素系樹脂と同等の高撥液性を有するものの離型性が低いため、インキ転写の過程においてインキの全量転写が行なわれず、両側に引き裂かれて凝集破壊することにより部分転写してしまい、転写後の画像パターンに膜厚ムラや体積ムラが発生し、最終的に得られた画像パターンの解像度や平坦性が大きく低下した。
【００３４】
（比較例３）
比較例３として、実施例１と同様のインキを用いて、特許文献１に記載の画像パターン形成方法に従って、ガラス基板上に画像パターンを形成した。なお、印刷版の基材、インキ撥液部、インキ親液部および画像転写シートについては実施例１と同じ材料を用いた。
【００３５】
本比較例においては、前記ＣＦ用インキ（緑）を用いた場合には、ガラス基板上にＬ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの画像パターンを形成することができ、膜厚１．２μｍ、表面平坦性は約０．２μｍであった。
【００３６】
一方、前記Ａｇナノ粒子分散インキを用いた場合には、インキ撥液部（シリコーン樹脂）に対する接触角が１０°、インキ親液部（レジスト樹脂）に対する接触角が５５°と接触角のコントラストが非常に高いためにインキ親液部にインキが偏在してしまい、印刷版上に均一なインキ層を形成することができず、画像パターンを形成することができなかった。
【００３７】
（比較例４）
比較例４として、実施例１と同様のインキを用いて、特許文献２に記載の画像パターン形成方法に従って、ガラス基板上に画像パターンを形成した。なお、不要インキ除去体、および印刷媒体の基材、インキ撥液部、インキ親液部および画像転写シートについては実施例１と同じ材料を用いた。
【００３８】
本比較例においては、ＣＦ用インキ（緑）、Ａｇナノ粒子分散インキのどちらを用いた場合においても、不要インキ除去体へのインキ層形成工程、印刷媒体（印刷版）インキ親液部へのインキ転写工程に関しては問題なくインキ塗布／転写が行われた。しかしながら、どちらのインキを用いた場合においても、表面処理を施していないガラス基板上に対して部分的にしかインキを転写することができず、転写された画像パターンの膜厚は０．５〜０．６μｍ程度と非常に薄く、表面平坦性も０．３〜０．４μｍ以上と非常に劣ったものであった。
【００３９】
（作用・効果）
以上のように、本発明に基づく画像パターン形成方法では、まず最初に均一表面である転写ブランケット表面にインキ材料を塗布し、インキに対する親液性／撥液性コントラストにより非画線部／画線部をパターニングし、画像パターンを形成することを特徴としている。したがって、パターンの粗密や押圧条件、塗布インキの溶液特性によらず、均一、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となる
また、本発明に基づく印刷版は、インキ撥液部とインキ親液部との段差が塗布インキ層膜厚よりも小さい略平板印刷版であるため、転写ブランケット上のインキ層が印刷版の表面形状に追従して全面、かつ均一圧力で密着／押圧されるため、膜厚の面内均一性に優れた画像パターンを形成することができる。さらに、本発明に基づく印刷版は略平板印刷版であるため、インキ撥液部とインキ親液部のインキを分断する際に上下対称に力がかかるので、分断されたインキの断面形状が略長方形となり、従来に比べて高アスペクト比のパターンを形成することが可能となる。
【００４０】
また、転写ブランケット表面層がシリコーン樹脂製ゴムやフッ素樹脂系ゴムなどの材料で形成されているが、これらの材料は離型性および可撓性に優れ、かつ印刷版上のインキ親液部よりもインキ撥液性が高く、インキ撥液部よりもインキ親液性が高い材料であるので、被印刷基材としてプラスチック材料、ガラス基板、金属材料など一般的なインキ親液材料を幅広く用いることができると同時に、インキの全量転写が可能となるため、糸引き現象が発生せず、従来に比べて高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となる。
【００４１】
さらに、本発明では、転写ブランケット上ではなく印刷版上にインキ親液性／撥液性パターンを形成しているため、インキ転写時の押圧圧力により転写ブランケットが伸びてしまった場合にも、印刷版上に形成された画像パターンは伸びることはない。その理由は図８（ａ）〜（ｅ）に示されるとおりである。すなわち、図８（ａ）に示すように印刷版３上に長さＬのインキ撥液部４が形成されているとき、図８（ｂ）に示すように押圧されて伸びたインキ層２がこの長さＬのインキ撥液部４に当接することになる。転写ブランケット１を印刷版３から離したときには図８（ｃ）に示すようにインキ層２は長さＬではなくより短い長さＬ′になる。しかし、このインキ層を被印刷基材６に密着させて押圧したときには図８（ｄ）に示すように長さＬ′であったインキ層は再び伸びて長さＬとなるので、図８（ｅ）に示すように、最終的に被印刷基材６には長さＬの画像パターンが形成される。すなわち、最終的に印刷版上と同様の解像度、平坦性を有する画像パターンを形成することが可能となる。
【００４２】
さらに、インキ転写時のブランケット変形に関しても、親液性／撥液性パターンが変形するブランケット上ではなく印刷版上に形成されているため、特許文献２に記載の画像パターン形成方法のように、画線部の線幅がインキ転写時の押圧圧力によるブランケット変形により増大することがない。
【００４３】
本発明によれば、被印刷基材への転写の際、インキ撥液性を有するブランケット表面に残ったインキを被印刷基材へ転写するため、被印刷基材の選択の幅が広がると同時にインキの全量転写が可能となる。これにより、特許文献２に記載の画像パターン形成方法に比べてより多くの被印刷基材に対して、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となり、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ、発光素子など幅広い応用製品の更なる高性能化、および低コスト化を実現することが可能となる。
【００４４】
（さらに好ましい形態）
本実施の形態における画像パターン形成方法のより好ましい条件について説明する。
【００４５】
前記インキ塗布工程は、前記転写ブランケットの前記主表面よりもインキ撥液性の高い表面を有するインキ展延材上に全面塗布されたインキ層を前記主表面上に転写する工程を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、転写ブランケットが平板形状でなく円筒形状であるような場合においても、転写ブランケット上に均一なインキ層を形成することができる。
【００４６】
さらに、前記インキ材料が、前記印刷版のインキ親液部に対する接触角が２０°以下であり、かつ前記印刷版のインキ撥液部に対する接触角が４０°以上であるようなインキ材料であることが好ましい。このような接触角特性を有するインキ材料、すなわち、特許文献１に記載の方法では印刷版上に均一なインキ層を形成できないような特性のインキ材料においては、本発明を適用することにより均一なインキ層を形成することが可能となり、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することができる。
【００４７】
前記印刷版における前記インキ親液部と前記インキ撥液部との段差が、前記転写ブランケットから前記印刷版に転写されることによって塗布された前記インキ材料の膜厚よりも小さくなっていることが好ましい。この構成を採用することにより、均一なインキ層を形成することが可能となり、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することができる。
【００４８】
前記印刷版の前記インキ撥液部および前記転写ブランケットの前記主表面がシリコーン樹脂材料からなることが好ましい。この構成を採用することにより、高撥液性と高離型性を併せ持つシリコーン樹脂材料が前記印刷版のインキ撥液部および転写ブランケット表面に用いられているので、インクの全量転写を実現し、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となる。
【００４９】
前記印刷版の前記インキ撥液部および前記転写ブランケットの前記主表面がフッ素化合物樹脂材料からなることが好ましい。この構成を採用することにより、高撥液性と高離型性を併せ持つフッ素系化合物樹脂材料が前記印刷版のインキ撥液部および転写ブランケット表面層に用いられているので、インクの全量転写を実現し、高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となる。
【００５０】
（画像パターン）
本発明に基づく画像パターンは、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造した画像パターンである。このような画像パターンとすることにより、低コストな印刷法により高精細かつ平坦性に優れた画像パターンを形成することが可能となる。したがって、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタ、発光素子などの応用製品のさらなる高性能化および低コスト化を実現することができる。
【００５１】
本発明に基づく半導体デバイスは、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造された半導体デバイスである。
【００５２】
本発明に基づく電気回路は、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造された電気回路である。
【００５３】
本発明に基づく表示体モジュールは、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造された表示体モジュールである。
【００５４】
本発明に基づくカラーフィルタは、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造されたカラーフィルタである。
【００５５】
本発明に基づく発光素子は、上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造された発光素子である。
【００５６】
これらの製品に関しても上述のいずれかの画像パターン形成方法を用いて製造することによって、容易に均一なインキ層を形成／転写することができるため、高性能化および低コスト化を実現することができる。
【００５７】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第１の工程の説明図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第２の工程の説明図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第３の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第４の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第５の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第６の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法の第７の工程の説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明に基づく実施の形態１における画像パターン形成方法に伴って転写ブランケットが伸びることと最終的に得られる画像パターンとの関係の説明図である。
【図９】従来技術に基づく第１の画像パターン形成方法の第１の工程の説明図である。
【図１０】従来技術に基づく第１の画像パターン形成方法の第２の工程の説明図である。
【図１１】従来技術に基づく第１の画像パターン形成方法の第３の工程の説明図である。
【図１２】従来技術に基づく第２の画像パターン形成方法の第１の工程の説明図である。
【図１３】従来技術に基づく第２の画像パターン形成方法の第２の工程の説明図である。
【図１４】従来技術に基づく第２の画像パターン形成方法の第３の工程の説明図である。
【図１５】従来技術に基づく第２の画像パターン形成方法に伴って転写ブランケットが伸びることと最終的に得られる画像パターンとの関係の説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１転写ブランケット、１ａ主表面、２インキ層、３印刷版、４インキ撥液部、５インキ親液部、６，２０５被印刷基材、１００印刷版、１０１インキ層、１０１ａインキ厚膜部、１０１ｂ，１０１ｃインキ薄膜部、１０１ｂ１，１０１ｃ１インキ、１０２インキ親液部、１０３，２０４インキ撥液部、２００不要インキ除去体、２０１インキ層、２０２印刷媒体（印刷版）、２０３インキ親液部（インキ受容体部）。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写ブランケットの主表面にインキ材料を塗布するインキ塗布工程と、
前記インキ塗布工程を経た前記主表面を、インキ親液部とインキ撥液部とが所望のパターンで互いに区分された印刷版に密着させることによって、前記主表面に塗布された前記インキ材料のうち前記インキ親液部に対応する領域に塗布されていたものを前記印刷版に転写させる部分的インキ除去工程と、
前記部分的インキ除去工程を経た前記主表面を被印刷基材に密着させることによって、前記主表面上に残存している前記インキ材料を前記被印刷基材の表面に転写するインキ転写工程とを含む、画像パターン形成方法。
【請求項２】
前記インキ塗布工程は、前記転写ブランケットの前記主表面よりもインキ撥液性の高い表面を有するインキ展延材上に全面塗布されたインキ層を前記主表面上に転写する工程を含む、請求項１に記載の画像パターン形成方法。
【請求項３】
前記インキ材料が、前記印刷版のインキ親液部に対する接触角が２０°以下であり、かつ前記印刷版のインキ撥液部に対する接触角が４０°以上であるようなインキ材料である、請求項１または２に記載の画像パターン形成方法。
【請求項４】
前記印刷版における前記インキ親液部と前記インキ撥液部との段差が、前記転写ブランケットから前記印刷版に転写されることによって塗布された前記インキ材料の膜厚よりも小さくなっている、請求項１から３のいずれかに記載の画像パターン形成方法。
【請求項５】
前記印刷版の前記インキ撥液部および前記転写ブランケットの前記主表面がシリコーン樹脂材料からなる、請求項１から４のいずれかに記載の画像パターン形成方法。
【請求項６】
前記印刷版の前記インキ撥液部および前記転写ブランケットの前記主表面がフッ素化合物樹脂材料からなる、請求項１から４のいずれかに記載の画像パターン形成方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、画像パターン。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、電気回路。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、表示体モジュール。
【請求項１１】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、カラーフィルタ。
【請求項１２】
請求項１から６のいずれかに記載の画像パターン形成方法を用いて製造された、発光素子。

【図１】