硬質皮膜被覆切削工具
【課題】２層構造を有する硬質皮膜層１、２において、硬質皮膜層１は残留圧縮応力により亀裂の伝播抑制を図り、硬質皮膜層２は残留圧縮応力の低減化により厚膜化を可能とし、基材との密着強度を改善して硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図る。
【解決手段】超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層１、基材側に硬質皮膜層２が被覆され、硬質皮膜層１は（ＡｌａＣｒ１−ａ）Ｎｘ、但し、０．５≦ａ≦０．７５、０．９≦ｘ≦１．１であり、硬質皮膜層２は（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）Ｎｙ、但し、０．４≦ｂ≦０．６、０．９≦ｙ≦１．１であり、Ｘ線回折における硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）、硬質皮膜層２の（２００）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【解決手段】超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層１、基材側に硬質皮膜層２が被覆され、硬質皮膜層１は（ＡｌａＣｒ１−ａ）Ｎｘ、但し、０．５≦ａ≦０．７５、０．９≦ｘ≦１．１であり、硬質皮膜層２は（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）Ｎｙ、但し、０．４≦ｂ≦０．６、０．９≦ｙ≦１．１であり、Ｘ線回折における硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）、硬質皮膜層２の（２００）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属部品や金型等の加工に用いられ、耐摩耗性や耐欠損性の向上が要求される硬質皮膜被覆切削工具に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、（ＴｉＡｌ）Ｎ膜と（ＡｌＣｒ）Ｎ膜とから構成される多層膜が開示されている（表１中試料番号２等を参照）。
【０００３】
特許文献２には、所定組成の（ＡｌＣｒ）Ｎ系硬質皮膜であって、（１１１）面又は（２００）面のいずれかのＸ線回折ピークの２θの半価幅が０．５〜２度であること（請求項１、表１等参照）、及び（２００）面と（１１１）面とのＸ線回折強度比Ｉ（２００）／（１１１）が、０．３＜Ｉ（２００）／（１１１）＜１２であること（請求項３、表１を参照）が開示されている。
【０００４】
特許文献３には、基材の上に、結晶の配向性が異なる第１被覆層と第２被覆層とを積層被覆されており、両層はチタンとアルミニウムとの窒化物、炭窒化物、窒酸化物、炭酸化物、炭窒酸化物のうちの１種又は２種以上の多層からなり、第１被覆層はＸ線回折ピーク強度が（２００）面に最大高さを有し、第２被覆層はＸ線回折ピーク強度が（１１１）面に最大高さを有する旨が開示されている（請求項１を参照）。
【０００５】
特許文献４には、基体上に、０．０５〜０．５μｍの平均層厚を有する所定組成の（ＴｉＡｌ）Ｎ層であって、（１１１）面にＸ線回折の最高ピークが現われ、かつ前記最高ピークの半価幅が２θで０．８度以下であるものと、２〜１０μｍの平均層厚を有する所定組成の（ＴｉＡｌ）Ｎ層であって、（１１１）面にＸ線回折の最高ピークが現われ、かつ前記最高ピークの半価幅が２θで０．８度以下であるものを、物理蒸着してなる、表面被覆超硬合金製切削工具が開示されている（請求項１、表３等を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９３７６０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２６７３６号公報
【特許文献３】特開平１０−３３０９１４号公報
【特許文献４】特開２００３−１１７７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１〜４のいずれにも、物理蒸着法により、超硬合金基材上に、特定の適正範囲に調整された組成、Ｘ線回折パターン及び格子定数を有する（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜層と（ＡｌＣｒ）Ｎ皮膜層とを総膜厚で５μｍ以上に積層することにより、従来に比べて格段に高性能の硬質皮膜被覆切削工具が得られることについて何ら記載及び示唆がされていない。
【０００８】
本発明は、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した硬質皮膜を有する硬質皮膜被覆切削工具において、前記硬質皮膜が新規高性能な硬質皮膜層１及び２から構成される２層構造を有することにより、硬質皮膜層１では残留圧縮応力により切削時に発生する亀裂の伝播抑制を図り、また硬質皮膜層２では残留圧縮応力の低減化により厚膜化を可能とし、更に基材との密着強度を改善することによって、従来の硬質皮膜被覆切削工具に比べて長寿命化を実現できる新規高性能な硬質皮膜被覆切削工具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の硬質皮膜被覆切削工具は、超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は物理的蒸着によって成膜された２層構造を有し、該２層構造は表面側に被覆された硬質皮膜層１及び基材側に被覆された硬質皮膜層２を有して構成され、該硬質皮膜層１の組成は（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．５≦ａ≦０．７５、及び０．４５≦ｘ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層１のＸ線回折における（１１１）面の半価幅をＷ１（度）としたとき、０．７≦Ｗ１≦１．１であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｒ、（２００）面のピーク強度Ｉｓ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｔとしたとき、０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１であり、該硬質皮膜層２の組成は、（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．４≦ｂ≦０．６、及び０．４５≦ｙ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層２のＸ線回折における（２００）面の半価幅をＷ２（度）としたとき、０．４≦Ｗ２≦０．６であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｕ、（２００）面のピーク強度Ｉｖ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｗとしたとき、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４であり、Ｘ線回折における該硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）および該硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であり、該硬質皮膜層１の膜厚をＴ１（μｍ）、および該硬質皮膜層２の膜厚をＴ２（μｍ）としたとき、５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２、Ｔ１＜Ｔ２、であることを特徴とする。
前記本発明によって、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した硬質皮膜における硬質皮膜層１の亀裂の伝播抑制と、硬質皮膜層２の厚膜化及び基材との密着強度の改善を図ることができる。前記２層構造を有する硬質皮膜層１、２の特徴を反映し、従来に比べて硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図ることができる。
【００１０】
前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜が高い密着性を有するように、膜厚方向が長手方向となる柱状結晶粒を有し、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１との界面において、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１とを横断する柱状結晶粒を有していることが好ましい。
【００１１】
前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換することが好ましい。
また、前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した新規で高性能な２層構造を有する硬質皮膜において、上層側の硬質皮膜層１における亀裂の伝播抑制と、下層側の硬質皮膜層２における厚膜化および基材との密着強度の改善を図ることができる。前記２層構造を有する硬質皮膜層１、２により、従来に比べて硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の硬質皮膜被覆切削工具を模式的に説明する図である。
【図２】本発明例１の被膜の破断面写真を示す。
【図３】図２のＡ部の拡大写真を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
硬質皮膜被覆切削工具において硬質皮膜の耐摩耗性は重要な要素であり、更なる向上が望まれている。硬質皮膜の耐摩耗性を向上させる手段として、概略２通りの手段が考えられ、１つは硬質皮膜の厚膜化、他の１つは硬質皮膜の高硬度化である。
硬質皮膜の厚膜化により構成元素に関わらず耐摩耗性を向上することが可能であるが、厚膜化した際に発生する残留応力を緩和する必要がある。硬質皮膜の高硬度化は硬質皮膜の構成元素や成膜条件に大きく依存する。
本発明は、物理的蒸着（以下、ＰＶＤと記す場合がある。）法による硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、基材と接する下層側の硬質皮膜層２において厚膜化を図り、また上層側の硬質皮膜層１において高硬度化と亀裂の伝播抑制を実現した。硬質皮膜は残留圧縮応力が２ＧＰａを超えると硬質皮膜の自己破壊を発生し易くなることから、硬質皮膜層２を厚膜化した際の残留圧縮応力を２ＧＰａ以下に低減化した。さらに、２層構造を有する硬質皮膜層間の密着性の改善についても実現した。
【００１５】
本発明が採用する硬質皮膜を構成する硬質皮膜層１は、ＡｌとＣｒを金属成分とする窒化物皮膜であり、潤滑性に優れ、溶着に起因する脱落やチッピングを抑制する効果を発揮する。
そこで硬質皮膜層１を高硬度に維持するために組成（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘを次のように規定した。Ａｌの含有量はａ＞０．７５である場合、六方最密構造（以下、ｈｃｐ構造と記す。）のＡｌＮが生成しやすくなり、密着強度が劣化するだけでなく硬度低下が生じる。また、Ａｌ含有量よりＣｒ含有量が多い場合も、残留圧縮応力が増大して密着強度が低下する傾向にある。以上より、０．５≦ａ≦０．７５と規定した。より好ましくは、０．６≦ａ≦０．７である。
【００１６】
次に、硬質皮膜層１の金属成分と非金属成分の組成比に関しては、０．４５≦ｘ≦０．５５の範囲に制御することにより、残留圧縮応力を１ＧＰａから２ＧＰａの範囲に制御することができる。一方、ｘ＜０．４５の場合は、結晶格子中において（ＡｌａＣｒ１−ａ）元素同士が結合する割合が増加し結晶格子の歪が大きくなる。したがって、硬質皮膜層１の断面組織が微細化して粒界欠陥が増大し、残留圧縮応力が増大して基材と硬質皮膜間の密着性が劣化してしまう。例えば、切削工具用の硬質皮膜では、粒界欠陥が密度低下や被加工物を構成する元素の内向拡散を生じ機械的特性、硬度や耐欠損性を低下させる。従って、粒界欠陥の低減のためにｘ値を０．４５以上に制御しなければならない。他方、ｘ＞０．５５の場合、硬質皮膜層１の結晶組織形態は柱状組織を有するが、粒界部に不純物が取り込まれやすくなる。この不純物は成膜処理装置の内部残留物に由来する。その結果、結晶粒界における接合強度が劣化し、外部衝撃によって容易に硬質皮膜層１が破壊されてしまう。ｘ値は、成膜時のガス圧力に大きく依存する。ｘ値の最適制御に関して、成膜装置のガス圧力を１〜７Ｐａに調節した場合、硬質皮膜の残留圧縮応力を１〜２ＧＰａに制御することが可能となる。
【００１７】
硬質皮膜層１のＷ１値が、０．７≦Ｗ１≦１．１の範囲において、結晶組織は微細な粒状を形成する。一般に、ホールペッチの法則から、結晶粒径が小さいほど硬度が高くなる傾向にある。よって、Ｗ１値が上記範囲内にある硬質皮膜層１では、高硬度を有する硬質皮膜が得られる。Ｗ１＜０．７の場合、結晶組織は柱状結晶を形成し、切削加工時に発生した亀裂が粒界を伝播することにより、亀裂が基材へ到達しやすくなり、切削工具の欠損を生じる可能性が高い。また、Ｗ１＞１．１の場合、皮膜組織が非晶質化しやすく皮膜硬度の低下に繋がる。Ｗ１値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、バイアス電圧印加条件、反応ガス圧力条件に加え、３００〜５５０℃の範囲で成膜する必要がある。３００℃未満では、Ｗ１値が１．１を超え、５５０℃を超えると０．７未満となる。
【００１８】
硬質皮膜層１の耐摩耗性を改善するためには、皮膜を高硬度化するのが好ましい。ここで、面心立方構造では(１１１)面が原子の最密面であるため、硬質皮膜のＸ線回折における最強ピークが（１１１）面である場合に高密度化し、高硬度化しやすい。この硬質皮膜の高硬度化によって切削加工時に発生する亀裂の伝播抑制を実現した。０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１とすることで、Ｘ線回折により測定した硬質皮膜層１の最強ピークが（１１１）面にあり、高硬度化するため耐摩耗性と亀裂の伝播抑制に優れる。
一方、Ｉｓ／Ｉｒ＜０．３、及びＩｔ／Ｉｒ＜０．３である場合、結晶粒界が増大し残留圧縮応力が増大しすぎるため、硬質皮膜の自己破壊に繋がってしまう。さらに、Ｉｓ／Ｉｒ≧１、及びＩｔ／Ｉｒ≧１である場合、太い柱状の結晶組織が形成され、亀裂が粒界を伝播して基材へ到達しやすく、切削工具のチッピングや欠損に至りやすい。Ｉｓ／Ｉｒ値、及びＩｔ／Ｉｒ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を１．５Ｐａ以上、３．５Ｐａ以下に設定すれば実現できる。１．５Ｐａ未満では結晶配向を制御することが困難となる。また、３．５Ｐａを超えると皮膜硬度が低下する。
【００１９】
本発明が採用する硬質皮膜を構成する硬質皮膜層２は、ＴｉとＡｌを金属成分とする窒化物皮膜であり、耐摩耗性や密着強度に優れ、切削工具としての寿命向上に効果を発揮する。一般に、皮膜硬度が高いほど耐摩耗性は大きい。そこで硬質皮膜層２を高硬度に維持するために組成（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙについて、Ｔｉの含有量は、０．４≦ｂ≦０．６に規定した。ｂ＞０．６の場合、十分な耐摩耗性や耐酸化性が得られない。ｂ＜０．４である場合、結晶構造が面心立方晶の（ＴｉＡｌ）Ｎにｈｃｐ構造のＡｌＮが含まれるようになり皮膜硬度が低下し耐摩耗性が劣化する。より好ましくは、０．４５≦ｂ≦０．５５である。
【００２０】
次に、硬質皮膜層２の金属成分と非金属成分の組成比に関しては、０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御することにより、残留圧縮応力を０．５〜２ＧＰａの範囲に制御することができる。数値範囲の規定理由は硬質皮膜層１の場合と同様である。ｙ値を０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御するには、成膜時の反応ガス圧力を２．５Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２．５Ｐａ未満では、ｙ値は０．４５未満となり、７Ｐａを超えると０．５５を超える。
【００２１】
硬質皮膜層２のＷ２値は、０．４≦Ｗ２≦０．６の範囲に規定した。これにより、硬質皮膜層２は結晶粒界における結合強度と靭性が確保され、切削時の耐摩耗性が発揮されるからである。W２＜０．４の場合、結晶組織は柱状結晶の結晶性が高まるが、硬度が低下してしまう。また、Ｗ２＞０．６の場合、結晶組織は微細化組織を形成して高硬度化する一方、皮膜靭性が不足して切削時のチッピングを誘発する。また、残留圧縮応力が増大するため、密着強度が劣化する。Ｗ２値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、バイアス電圧印加条件、反応ガス圧力条件に加え、４００〜６５０℃の範囲で成膜する必要がある。４００℃未満では、Ｗ２値が０．６を超え、６５０℃を超えると０．４未満となる。
【００２２】
硬質皮膜層２の残留圧縮応力は、Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値と相関性があるので、残留圧縮応力値を低減化するためには、Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値を制御すれば可能である。最強ピーク面は（２００）面であるのが好ましく、（１１１）面への配向が強くなると残留圧縮応力が増大し密着性が低下する傾向にある。そこで、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４に規定することにより、残留圧縮応力が最適範囲に制御され、高い密着強度を有する厚膜の硬質皮膜が実現できる。一方、Ｉｖ／Ｉｕ＜５の場合、Ｉｗ／Ｉｕ＜２の場合は、原子密度の高い（１１１）面への配向が強い状態であるため、残留圧縮応力が高くなる。また硬質皮膜層２の断面組織が微細化し、結晶粒界が多くなり欠陥が多く含まれる状態となって残留圧縮応力が増大する。また、Ｉｖ／Ｉｕ＞１５の場合、Ｉｗ／Ｉｕ＞４の場合は、残留圧縮応力は低減するが、皮膜硬度が減少し、耐摩耗性を阻害する。断面組織における粒界の密着強度が低下し、外部衝撃に対して硬質皮膜表面が容易に破壊したり、剥離したりする。Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を２Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２Ｐａ未満、７Ｐａを超えると結晶配向を制御することが困難となる。
【００２３】
本発明において、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の皮膜界面からの皮膜破壊を抑制し、切削工具としての優れた耐摩耗性を発揮させるため、界面の密着強度改善を実現した。硬質皮膜層１および２は共に面心立方構造を有しており、切削工具としての耐摩耗性を改善するために、硬質皮膜層１は、高硬度化が可能な（１１１）面に強く配向する成膜条件を選定した。一方、硬質皮膜層２は、残留圧縮応力の低減化が可能な（２００）面に強く配向する成膜条件を選定した。
さらに、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の界面における密着強度を確保するため、各々の格子定数を整合させる検討を行った。つまり、硬質皮膜層１、２の格子定数を近似させることで、硬質皮膜層１、２の界面における結晶成長に連続性を持たせることができる。ただし、本発明においては硬質皮膜層１、２の組成が異なるため、両者の格子定数を整合させることは困難である。この理由は、硬質皮膜層１がＣｒを含み、硬質皮膜層２がＴｉを含む硬質皮膜であり、夫々のイオン半径が異なることによる。例えば、本発明例の硬質皮膜層１、２が含有するＡｌを、何れも７０原子％を超えて多くすれば、両者の格子定数を完全に整合させることは可能である。しかし、Ａｌ含有量が７０原子％を超えると、ｈｃｐ構造のＡｌＮ結晶が含まれるため、硬度低下をもたらし、耐摩耗性が極度に劣化する。
また、本発明においては硬質皮膜層１、２の配向が異なるため、硬質皮膜層界面でエピタキシャル成長させることは困難である。そこで、硬質皮膜層界面での密着性を確保するため、硬質皮膜層１、２の（１１１）面から算出した格子定数を近似させる検討を行った。上述のように、硬質皮膜層１、２の組成の違いから、（１１１）面から算出した格子定数は全般にａ１＜ａ２であった。そこで、硬質皮膜層１に対しては、格子定数が大きくなるような成膜条件として、バイアス電圧値を高めた。バイアス電圧を高めることで、プラズマ中でイオン化された元素が基材に到達する際の運動エネルギーが高まり、硬質皮膜に歪を与えながら成膜されるため、格子定数が大きくなる。また、硬質皮膜層２に対しては、バイアス電圧を低めに設定し、格子定数がなるべく大きくならない条件を選定した。
【００２４】
なお、硬質皮膜層１、２の成膜にあたっては、バイアス電圧をパルス化（間欠化）させて印加した。ここで、バイアス電圧のパルス化について説明する。一般的に、バイアス電圧は負の直流電圧として基材に印加される。この場合、膜厚の増大に伴って残留圧縮応力が増大する。とくに本願発明に規定するような膜厚範囲（５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２）おいては、残留圧縮応力が過大となって、硬質皮膜の自己破壊を招く。そこで、バイアス電圧をパルス化させることで、バイアス電圧が低い瞬間に、格子歪が生成されにくくなり、残留圧縮応力の低減化につながる。
【００２５】
また、バイアス電圧をパルス化する際の周波数が、残留圧縮応力の制御に重要である。本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、パルス周波数５〜３０ｋＨｚのときに、硬質皮膜層１では（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が０．３０≦Ｉｔ／Ｉｒ≦１．０、および硬質皮膜層２では（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が２．０≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４．０となり、硬質皮膜の残留圧縮応力を０．５０〜２．０ＧＰａの最適な範囲に制御できることを見出した。パルス周波数が５ｋＨｚより低くなるとＩｔ／Ｉｒは１．０を超え、Ｉｗ／Ｉｕ値は４．０を超える。このとき、柱状組織からなる低圧縮応力の硬質皮膜が得られるが、柱状組織間の密着強度が低く、耐欠損性が高まらない。また、パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｔ／Ｉｒは０．３未満となり、Ｉｗ／Ｉｕは２．０未満となる。その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。
【００２６】
さらに、バイアス電圧のパルス化方法について説明する。パルス化方式は、ユニポーラー方式とバイポーラー方式に大別される。ユニポーラー方式は、負もしくはゼロの範囲でバイアス電圧をパルス化させて印加する方法である。このとき、上述のように、バイアス電圧が低い瞬間に、格子歪が生成されにくくなり、残留圧縮応力の低減化につながる。一方、バイポーラー方式は、正の範囲でバイアス電圧をパルス化させて印加する方法である。このとき、正のバイアス電圧が印加された瞬間に、格子歪の一部が緩和されるため、さらなる残留圧縮応力の低減化を図ることが可能となる。
【００２７】
以上より、硬質皮膜層１、２の界面における密着性を改善するために、硬質皮膜層１ではバイアス電圧値を高く設定し、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。また、硬質皮膜層２ではバイアス電圧値を低く設定し、ユニポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。すなわち、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９に制御することで、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の密着強度を高めた。硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の格子定数は、成膜条件によって近似させることが可能である。
【００２８】
Ｔ１＜Ｔ２とする理由について説明する。構成元素の観点から、硬質皮膜層１の残留圧縮応力は硬質皮膜層２より高い傾向にある。Ｔ１値が２μｍを超えて厚い場合は、工具の刃先稜線部において皮膜の自己破壊が起こりやすくなる。また、硬質皮膜層１の潤滑性を得るには、０．１μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは０．３μｍ≦Ｔ１≦２μｍである。また、硬質皮膜層２は耐摩耗性に優れるが、Ｔ２＜４μｍの場合、耐摩耗性が発揮されない。Ｔ２値の増加に伴って残留圧縮応力は徐々に上昇する傾向にあり、Ｔ２＞１０μｍの場合、残留圧縮応力が過大となり、基材と硬質皮膜界面での密着強度が低下し、硬質皮膜がはく離しやすくなる。より好ましくは、５μｍ≦Ｔ２≦８μｍである。したがって、本発明における硬質皮膜層１の潤滑性や耐欠損性と、硬質皮膜層２の耐摩耗性を両立するためには、Ｔ１＜Ｔ２として、硬質皮膜層全体の残留圧縮応力を抑制することが必要である。
【００２９】
該硬質皮膜は少なくとも該硬質皮膜層１と該硬質皮膜層２とを横断する結晶粒を有し、この場合、同一結晶粒内での硬質皮膜層１、２界面における密着強度が改善される。よって、本発明の硬質皮膜は切削加工時の層間はく離の抑制に効果を発揮する。
【００３０】
硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒ、硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌにおいて、それらの夫々の金属成分の少なくとも１種の元素を１０原子％以下の範囲で置換を行うことによって硬質皮膜の機能を十分に発揮させることに有効である。Ｓｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素の添加によって、結晶組織内に元素置換による格子歪みが生じ皮膜の高硬度化が図られる。しかしながら、前記元素の添加に伴い、残留圧縮応力は増大する傾向にあるため、その置換比率は１０原子％以下にすることが好ましい。Ｓｉを添加した場合には、皮膜の高硬度化、耐酸化性の改善に効果がある。同様に、Ｎｂ又はＷの添加も耐熱性向上に効果的である。更にＶ又はＢの添加は、皮膜の潤滑性向上に有効であり好ましい。高速、高送りといった過酷な切削条件に耐えることが可能となる。
【００３１】
＜成膜条件＞
本発明は、成膜時のバイアス電圧、反応圧力及び成膜温度を最適化させることによって、硬質皮膜層１、２の結晶構造を前記の範囲に制御でき、厚膜化された硬質皮膜は最適な残留圧縮応力が内在し、かつ高硬度を維持できる。
例えば、バイアス電圧値が大きい程残留圧縮応力は増大傾向にある。ここで、１μｍ／時間以下の比較的遅い成膜速度で、皮膜を結晶成長させることが重要である。このとき、最適化された残留圧縮応力値の範囲は０．５〜２ＧＰａである。残留圧縮応力値が０．５ＧＰａ未満であると耐摩耗性は確保できるものの耐欠損性が不十分であり、２ＧＰａを超えて大きいと硬質皮膜のチッピングを生じやすくなる。
【００３２】
また、硬質皮膜層１の成膜時のバイアス電圧を負の値で３０〜２００Ｖに制御することにより、Ｉｓ／Ｉｒ値を０．３以上に制御でき、硬質皮膜層２の成膜時のバイアス電圧を３０〜１００Ｖに制御することにより、Ｉｖ／Ｉｕ値を５以上に制御できる。バイアス電圧が２００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｓ／Ｉｒ値は大きくなり、バイアス電圧が１００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｖ／Ｉｕ値は大きくなるが、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化する。面心立方構造を有する硬質皮膜層１においては、原子の最密面である（１１１）面に配向したほうが、より皮膜密度が高くなり高硬度化する。さらに、硬質皮膜層１に残留する圧縮応力が高まり、切削加工時の亀裂伝播抑制に効果を発揮する。そのため、成膜時のバイアス電圧を上記範囲内に制御することが重要である。
更に、成膜時のバイアス電圧をパルス化して印加する方法により、Ｉｔ／Ｉｒ値を制御することができる。このとき、硬質皮膜層を厚膜化した際に顕著となる残留圧縮応力の増大を抑制し、硬質皮膜層の厚膜化による耐摩耗性の改善が実現できる。
【００３３】
バイアス電圧の印加方法を、バイポーラー方式またはユニポーラー方式のパルス波とすることにより、直流のバイアス電圧で成膜した場合と比較して、特に（２２０）面のピーク強度が変化する。これは、成膜時にプラズマ中でイオン化された元素が被処理物に到達する際に、運動する余地があるため、結晶構造が変化するものと思われる。
さらに、本発明において、硬質皮膜層１、２の耐摩耗性改善のために厚膜化した際に生じる残留圧縮応力を制御するには、バイアス電圧をパルス化しパルス周波数を制御する必要がある。本発明ではパルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できる。パルス周波数が５ｋＨｚ未満の場合は、Ｉｗ／Ｉｕ値は４を超える。このときの皮膜断面組織は、低残留圧縮応力を有する柱状組織が得られるが、柱状組織内における粒界間の密着強度が低く、切削加工時に発生した亀裂が容易に粒界を通って伝播するため、工具の欠損が生じてしまう。一方、３０ｋＨｚを超えて大きい場合は、イオンが被処理物に到達する際の運動エネルギーが低減できないためＩｗ／Ｉｕ値は２未満となる。Ｉｖ／Ｉｕ値が１５を超えて大きい場合であっても、硬質皮膜層２の残留圧縮応力が２ＧＰａを超える様になり密着性が著しく低下する。より好ましくは、１５〜３０ｋＨｚである。
【００３４】
バイアス電圧が高いほど、成膜時に基材に到達するイオンのエネルギーが高まり（１１１）配向しやすくなるとともに、格子間に歪が発生しながら成膜されることから、格子定数が大きくなる。すなわち、バイアス電圧を調整することで、硬質皮膜層の格子定数を制御することができる。そこで本発明では、硬質皮膜層１と硬質皮膜層２の格子定数差を整合させる検討を行った。本発明に規定される硬質皮膜層１と硬質皮膜層２の格子定数を測定すると、全般にａ１＜ａ２であった。これは、硬質皮膜層を構成する金属原子の中で相対的に小さな原子であるＡｌの含有量の差によると思われる。そこで、硬質皮膜層１に対しては、格子定数が大きくなるような成膜条件として、バイアス電圧値を高めた。また、バイアス電圧を高めたことで残留圧縮応力が過大となるのを抑制するため、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧として基材に印加した。一方、硬質皮膜層２に対しては、ユニポーラー方式のパルス波でバイアス電圧を印加し、厚膜化した際の残留圧縮応力が過大となるのを抑制した。
以下、本発明を下記の実施例により詳細に説明するが、下記の実施例により本発明が限定されるものではない。
【実施例】
【００３５】
[１] 成膜装置
物理蒸着法の成膜装置として、アークイオンプレーティング（ＡＩＰ）装置、フィルター方式アークイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置等が好適である。これより、本発明例１に用いる硬質皮膜の作製方法について以下に説明する。
被覆に使用した装置は、ＡＩＰ装置であり、ＡＩＰ装置内には基材装着用回転治具（プラネタリー方式）と、下層形成用のアークカソード２及びそのシャッターと、上層形成用のアークカソード１及びそのシャッターと、反応ガス供給口と、基材にバイアス電圧を印加するためのバイアス電源と、減圧容器とを具備する。アークカソード１は、組成が原子％で、Ａｌ：６０％、Ｃｒ：４０％のターゲットを、アークカソード２は、Ｔｉ：５０％、Ａｌ：５０％のターゲットを装着した。基材装着用回転治具には、切削評価用として超硬合金製インサート工具を装着した。
【００３６】
[２] 製造方法
（Ａ） 基体のクリーニング
まずＡＩＰ装置内を２Ｐａ以下の減圧状態に保ちながら、基材を６００℃まで加熱した。続いてＡｒガス流量を１００ｓｃｃｍで導入し、ＡＩＰ装置内を２．５Ｐａ程度の真空に保ちながら、基材に負の電圧で２００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、Ａｒイオンによる基材表面のエッチング処理を行った。
【００３７】
（Ｂ） 硬質皮膜層２の形成
（１）硬質皮膜層２の成膜温度
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜温度は、６００℃に設定した。Ｗ２値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、４００〜６５０℃の範囲で成膜する必要がある。４００℃未満では、Ｗ２値が０．６を超え、６５０℃を超えると０．４未満となるからである。
【００３８】
（２）硬質皮膜層２の成膜雰囲気の圧力
本発明例１における硬質皮膜層２は、窒素ガスを導入して圧力を３Ｐａとした。このとき、窒素ガス流量は７５０ｓｃｃｍに設定し、一定に保ちながら、真空排気系のメインバルブの開口率により減圧容器内の圧力制御を行った。硬質皮膜層２のｙ値を０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御するには、成膜時の反応ガス圧力を２．５Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２．５Ｐａ未満では、ｙ値は０．４５未満となり、７Ｐａを超えると０．５５を超えてしまう。Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を２Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。一方、２Ｐａ未満、７Ｐａを超えると結晶配向を制御することが困難となる。好ましい窒素ガス圧力は、３Ｐａ以上、４Ｐａ以下である。
【００３９】
（３）硬質皮膜層２のバイアス電圧
本発明例１における硬質皮膜層２のバイアス電圧は、負の電圧で５０Ｖに設定した。硬質皮膜層２はバイアス電圧値を低く設定し、ユニポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。これは、バイアス電圧を低めに設定して格子定数がなるべく大きくならないようにするためである。成膜時のバイアス電圧を３０〜１００Ｖに制御することにより、Ｉｖ／Ｉｕ値を５以上に制御できる。バイアス電圧が１００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｖ／Ｉｕ値は大きくなるが、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化してしまう。
【００４０】
（４）硬質皮膜層２のパルス周波数
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜にあたっては、バイアス電圧をパルス化（間欠化）させて印加した。硬質皮膜層２におけるバイアス電圧は、負の電圧５０Ｖと０Ｖの間で周期的に振幅させて基材に印加させた。このユニポーラー方式のパルス波でバイアス電圧を印加し、パルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できるから、厚膜化した際の残留圧縮応力が過大となるのを抑制できる。パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｗ／Ｉｕは２．０未満となる。その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。パルス周波数が５ｋＨｚ未満の場合は、Ｉｗ／Ｉｕ値は４を超える。より好ましくは、パルス周波数は１５〜３０ｋＨｚである。
【００４１】
(５) 硬質皮膜層２のアーク電流
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜にあたっては、アークカソード２に１５０Ａの電流を流してアーク放電を発生させ、Ｔ２値が５．８μｍとなるまで成膜した。
【００４２】
（Ｃ）硬質皮膜層１の形成
（１）硬質皮膜層１の成膜温度
硬質皮膜層２の成膜終了時から硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、両層界面における格子定数の比を規定の数値範囲内に制御し、また連続した柱状結晶を成長させるために、緻密な制御が必要となる。そこで、成膜温度の制御に当たっては、硬質皮膜層２の成膜終了と同時に設定温度を６００℃から５００℃へ変更した。実際の温度下降は、ヒーター制御により２分以内に設定温度の５００℃となるようにした。
硬質皮膜層１の成膜における定常期も、５００℃に設定した。硬質皮膜層１の成膜温度は、３００〜５５０℃の範囲で成膜する必要がある。３００℃未満では、Ｗ１値が１．１を超え、５５０℃を超えると０．７未満となるからである。
【００４３】
（２）硬質皮膜層１の成膜雰囲気の圧力
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、硬質皮膜層２の成膜終了と同時に窒素ガスの設定流量を７５０ｓｃｃｍから８００ｓｃｃｍへと変更したが、真空排気系メインバルブの開口率制御により、圧力は３Ｐａに調整した。
硬質皮膜層１の成膜の定常期も、８００ｓｃｃｍに設定し、圧力は３Ｐａを維持した。硬質皮膜層１のｘ値の最適制御に関して、成膜装置のガス圧力を１〜７Ｐａに調節した場合、硬質皮膜の残留圧縮応力を１〜２ＧＰａに制御することが可能となる。また、Ｉｓ／Ｉｒ値、及びＩｔ／Ｉｒ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を１．５Ｐａ以上、３．５Ｐａ以下に設定すれば実現できる。１．５Ｐａ未満では結晶配向を制御することが困難となる。また、３．５Ｐａを超えると皮膜硬度が低下する。
【００４４】
（３）硬質皮膜層１のバイアス電圧
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、硬質皮膜層１、２の界面における密着性を改善するために、硬質皮膜層２の条件よりも硬質皮膜層１の負のバイアス電圧値を高く設定し、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。ここで、負のバイアス電圧値を高くするとは、電圧値の絶対値が大きいことである。しかし、バイアス電圧値が高い程、残留圧縮応力は増大傾向にある。これは、バイアス電圧値が高いほど、成膜時に基材に到達するイオンのエネルギーが高まり（１１１）配向しやすくなるとともに、格子間に歪が発生しながら成膜されるためである。また、格子定数が大きくなるといった効果もある。そこで、本発明例１は、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加した。このときの設定は、負の電圧を１５０Ｖ、正の電圧を１０Ｖとし、周期的に振幅させて基材に印加させた。
硬質皮膜層１の成膜の定常期も、バイアス電圧をパルス化させて印加した。成膜時の負のバイアス電圧を３０〜２００Ｖに制御することにより、Ｉｓ／Ｉｒ値を０．３以上に制御でき、バイアス電圧が２００Ｖ以下の範囲で低いほど、Ｉｓ／Ｉｒ値は大きくなり、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化する。
【００４５】
（４）硬質皮膜層１のパルス周波数
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、短時間のうちに、ユニポーラー方式からバイポーラー方式へと切り替え操作を行った。
本発明例１における硬質皮膜層１の成膜では、パルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１、となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できる。
パルス周波数５〜３０ｋＨｚのときに、硬質皮膜層１の（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が０．３０≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１．０、となりパルス周波数が５ｋＨｚより低くなるとＩｔ／Ｉｒは１．０を超える。パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｔ／Ｉｒは０．３未満となり、その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。
【００４６】
（５) 硬質皮膜層１のアーク電流
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、両層界面における格子定数の比を規定の数値範囲内に制御し、また連続した柱状結晶を成長させるために、緻密な制御が必要となるが、特に成膜速度の制御が重要である。そこで、硬質皮膜層２の成膜終了するために、アークカソード２のシャッター操作により閉状態とする３０秒前からアークカソード１も稼働させ、シャッターは閉状態を維持したままで１５０Ａの電流を流し始めた。アークカソード２のシャッター操作により閉状態とするのと同時に、アークカソード１はシャッター操作により開状態とした。これら一連の操作は、５秒以内に完了させることが好ましい。その後、アークカソード２の電流を止めるとよい。
ここで、アークカソード１、２の電流値を１５０Ａとした理由は、１（μｍ／時間）程度の最適な成膜速度を得ることによって、両層の皮膜の柱状結晶を成長させることが重要だからである。このとき、硬質皮膜層２と硬質皮膜層１との界面では、硬質皮膜層２の（２００）面の配向から硬質皮膜層の（１１１）面の配向への連続した柱状結晶の成長が可能となる。また、残留圧縮応力値も最適化され、その範囲は０．５〜２ＧＰａとなる。しかし、１２０Ａ以下では、成膜速度が遅いため、成膜時間が長くなり、非効率となる。一方、１８０Ａ以上では、成膜速度が速くなると伴に、アークスポットにより局所的に高いエネルギーがターゲット表面に供給されるため、硬質皮膜層２と硬質皮膜層１との界面において、巨大粒子（ドロップレット）の存在比率が高まってしまう。その影響により、（２００）面の配向から（１１１）面への配向へ連続した柱状結晶の成長が困難となる。
硬質皮膜層１の成膜の定常期は、バイポーラー方式のパルスバイアス電圧を印加しながらアークカソード１に１５０Ａの電流を流してＴ１値が１．６μｍとなるまで成膜した。
上記の被覆プロセスによって、本発明例１を作製した。
【００４７】
また、本発明例２から１０、比較例１１から２０では、各アークカソード１、２のターゲット組成、各バイアス電圧値、各バイアス電圧印加方式の設定以外の条件は、本発明例１の被覆プロセスに準拠した。成膜条件を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
表１（続き）
【００５０】
表１（続き）
【００５１】
表１（続き）
【００５２】
得られた硬質皮膜の硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の組成、Ｘ線回折ピーク強度比、（２００）面、（１１１）面での格子定数、皮膜硬度、及び残留圧縮応力値を測定した。以下に測定方法を述べる。
硬質皮膜の組成測定は、各試料の切削用テストピースの膜断面を平面に研削・研磨し、その研磨部をＥＰＭＡ（例えば日本電子（株）製ＪＸＡ−８５００Ｒ型）を用いて、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１μＡで分析した。膜厚は、各試料の切削用テストピースを垂直方向に破断して、電解放射走査型電子顕微鏡（例えば日立製作所製Ｓ−４２００型）で観察し、測定した。硬質皮膜のＸ線回折ピーク強度比、（２００）面、（１１１）面の格子定数の測定は、Ｘ線回折装置（理学電気（株）製ＲＵ−２００ＢＨ型）を用いて、薄膜測定法では角度を１度に固定した薄膜設定（θ＝５度を標準とし、必要に応じてθ＝１度でも測定を行った）により２θを３０〜７０度の範囲で測定した。Ｘ線源にはλが０．１５４１ｎｍのＣｕＫα線を用い、バックグランドノイズは装置に内蔵されたソフトにより除去した。
本発明例１から３６の硬質皮膜層１における（１１１）面から算出した格子定数の測定結果において、ａ１値は、０．４１０≦ａ１≦０．４１３であり、硬質皮膜層２における（１１１）面から算出した格子定数の測定結果において、ａ２値は、０．４１３≦ａ２≦０．４１６の範囲内であった。硬質皮膜の残留圧縮応力の測定は、曲率測定法により行い、残留応力測定用のテストピースを用いた。これは、縦１０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ１ｍｍの微粒超硬合金製の基材上下面を鏡面研磨することにより作製し、鏡面部の反り量（δ０）を測定した。このテストピースの片面にのみ硬質皮膜が被覆されるように、成膜装置に装着し成膜した。成膜後、同様に反り量（δ１）を測定し、テストピース厚さ（Ｄ）、破断面膜厚（ｄ）を測定した。これらの数値から、（数１）によって残留応力値を算出した。（数１）において、Ｅｓ値は基板のヤング率として５１８ＧＰａ、νｓ値は基板のポアッソン比として０．２３８、ｌ値は最大たわみ量までの基板長さを１２．５ｍｍとした。測定結果を表２に示す。
【００５３】
【数１】
【００５４】
本発明例１〜３６は、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと記す。）による倍率５０ｋ倍の硬質皮膜の断面観察の結果、硬質皮膜層１と硬質皮膜層２とを横断する柱状結晶粒が存在していることを確認した。この柱状結晶粒は、膜厚方向が長手方向となる形状をしていた。例えば、図２に本発明例１の被膜の破断面写真を示し、また、図３には、図２のＡ部の拡大写真を示した。図３では、硬質皮膜層１と２との界面を横断する２つの柱状結晶粒の輪郭を点線で示した。また、観察により、柱状結晶粒内に硬質皮膜層１と２との界面が存在していることを確認した。
【００５５】
【表２】
【００５６】
表２（続き）
【００５７】
表２（続き）
【００５８】
表２（続き）
【００５９】
次に、得られた硬質皮膜被覆インサートの切削性能を、下記の試験条件を用い評価した。工具寿命の評価方法は、切削加工時に欠損が発生しやすい断続環境において、インサート逃げ面における最大摩耗幅が０．３ｍｍに達するまでの加工時間とした。切削評価において発生する損傷も確認した。注目すべき損傷を摩耗量（幅）、硬質皮膜剥離、硬質皮膜破壊、チッピングとした。
（試験条件）
切削方法： 断続加工
被削材： ＳＫＤ１１、５０ｍｍ×２５０ｍｍの板材を２本（加工方向に対し平行に並べた）
切削速度： ２００ｍ／ｍｉｎ
一刃送り量：０．３５ｍｍ／刃
切り込み量：１．０ｍｍ
切削油：なし、乾式切削
【００６０】
本発明例１および比較例３７、３８では残留圧縮応力が切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例３７では、残留圧縮応力が４．２ＧＰａであり、比較例３８では、残留圧縮応力が３．４ＧＰａであった。これらは、いずれも加工初期（５分）で刃先稜線部でのチッピングが確認され、工具寿命も短かった。一方、本発明例１では残留圧縮応力は１．７ＧＰａに低減された。そのため、切削加工時に適度な残留圧縮応力が付与され、皮膜の亀裂伝播やチッピングが抑制されたため、工具寿命は長くなった。さらに、切削途中（１０分）の刃先表面をＥＰＭＡにより元素マッピングした結果、例えば従来例７３のような（ＴｉＡｌ）Ｎ膜が硬質皮膜層表面に存在する場合と比較して、Ｆｅ元素の検出量が少なかった。すなわち、硬質皮膜層１の組成から、被削材の溶着が抑制され、硬質皮膜層の溶着に伴うチッピングを防いだものと思われる。
【００６１】
本発明例２、３および比較例３９、４０では硬質皮膜層１の組成比が切削性能に及ぼす影響を確認した。比較例３９では、相対的にＡｌ含有量が多く、部分的にｈｃｐ構造のＡｌＮの存在が確認された。ｈｃｐ構造のＡｌＮは、皮膜硬度が低く、切削加工時の逃げ面摩耗が大幅に進行し、短寿命であった。また、比較例４０では相対的にＣｒ含有量が多く、残留圧縮応力が高くなったため硬質皮膜層２との密着性が劣化した。したがって、切削加工時の逃げ面摩耗が進行し、工具寿命は短くなった。
一方、本発明例２ではｈｃｐ構造のＡｌＮは確認されず、硬質皮膜層１として充分な高硬度を維持した。また本発明例３では、残留圧縮応力が適切な範囲に制御されていた。したがって、これらの工具寿命は比較例より長くなった。
【００６２】
本発明例４、５および比較例４１、４２では硬質皮膜層１の成膜に対するガス（窒素）圧力の検討を行った。比較例４１ではガス圧力を７Ｐａに設定した。このとき、ｘ値が０．５９であったため、硬質皮膜層１が軟化してしまい、耐摩耗性が低下した。また、比較例４２ではガス圧力を１Ｐａに設定した。このとき、ｘ値が０．４２であり、硬質皮膜層１は高硬度化したものの残留圧縮応力が増大しすぎたために、切削初期からのチッピングが多く、短寿命であった。
一方、本発明例４ではガス圧力を３．５Ｐａに設定した。また、本発明例５ではガス圧力を１．５ＧＰａに設定した。いずれの場合も硬質皮膜層１の残留圧縮応力が適切に制御され、工具寿命は長くなった。
【００６３】
本発明例６、７および比較例４３では、硬質皮膜層１の膜厚と切削性能の関係を調査した。比較例４３は、硬質皮膜層１が５．９μｍ、硬質皮膜層２が５．６μｍであり、残留圧縮応力が２．７ＧＰａであった。構成元素の観点から、硬質皮膜層２と比較して硬質皮膜層１の残留圧縮応力が高くなった。したがって、切削初期からのチッピングが目立ち、工具寿命は短かった。
本発明例６では硬質皮膜層１の膜厚が本発明例１と比較して厚かったが、残留圧縮応力は１．９ＧＰａに低減され、亀裂伝播抑制の効果から、工具寿命も長くなった。一方、本発明例７は硬質皮膜層１の膜厚は０．３μｍであり、本発明例１と比較して薄かったが、硬質皮膜層１としての潤滑性は充分に機能した。
したがって、硬質皮膜層１の潤滑性や耐欠損性と、後述する硬質皮膜層２の耐摩耗性を両立するためには、残留圧縮応力のバランスが重要であり、本発明では相対的に残留圧縮応力が高い硬質皮膜層１の膜厚を、硬質皮膜層２よりも薄く設定する、すなわちＴ１＜Ｔ２であることが必要であることが分かった。
【００６４】
本発明例８、９および比較例４４、４５では、硬質皮膜層１で印加したバイアス電圧の大きさが切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例４４では、バイアス電圧が高すぎたために、バイポーラー方式でバイアス電圧をパルス化したものの、残留圧縮応力を２ＧＰａ以下に低減することができず、切削加工時のチッピングが多くなり、工具寿命は短かった。また、比較例４５では、バイアス電圧が低く、残留圧縮応力が低減され密着性が高まったものの、皮膜硬度が低下し、耐摩耗性が劣化した。そのため、工具寿命は短かった。
一方、本発明例８、９では残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、工具寿命は長くなった。とくに、本発明例８では成膜条件の点で、格子定数比ａ１／ａ２が０．９９９で本発明例の中でも最も近接し、硬質皮膜層１、２の界面における密着性が高まっていたと考えられ、工具寿命も長かった。
【００６５】
本発明例１０、１１および比較例４６、４７では、硬質皮膜層１にバイアス電圧を印加した際のパルス波印加方式およびパルス部分での電圧設定値が切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例４６では、残留圧縮応力が０．８ＧＰａに低減されたものの、バイポーラー方式で正の電圧（＋４０Ｖ）にパルス化したことにより、硬質皮膜層１の結晶性が失われ、皮膜硬度の低下につながった。また、比較例４７ではユニポーラー方式で負の電圧（−５０Ｖ）にパルス化したことにより、残留圧縮応力が低減されず、切削加工時のチッピングが発生し、短寿命であった。
一方、本発明例１０、１１では残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、硬質皮膜層１がもつ、優れた耐欠損性が発揮され、長寿命化した。
【００６６】
本発明例１２、１３および比較例４８、４９ではバイアス電圧をパルス化した際の周波数の影響を調査した。比較例４８では、パルス波の周波数を５０ｋＨｚと高く設定したため、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが極度に減じてしまい、硬質皮膜の軟質化につながった。また、比較例４９ではパルス波の周波数を５ｋＨｚと低く設定したため、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーを低減することができず、残留圧縮応力が増大し、硬質皮膜層１、２界面での密着性が劣化し、工具寿命は短かった。
一方、本発明例１２、１３では成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが適切に制御され、残留圧縮応力が２ＧＰａ以下に低減されたため、硬質皮膜層１のチッピングが抑制され、工具寿命は長くなった。
また、本発明例１２、１３におけるＩｔ／Ｉｒ値は、いずれも０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ≦１．０を満たしたが、比較例４８ではＩｔ／Ｉｒ＜０．３、比較例４９ではＩｔ／Ｉｒ＞１であった。したがって、パルス波をバイアス電圧に印加する際には、Ｉｔ／Ｉｒ値の制御が重要であることが分かった。
【００６７】
本発明例１５〜１９および比較例５０〜５４では、硬質皮膜層１に対する添加元素の影響を調査した。本発明例１５〜１９では、添加元素量がいずれも１０原子％以下であり、硬質皮膜層１を構成する（ＡｌＣｒ）Ｎ結晶格子内に、添加元素が進入あるいは置換することで、適度な歪みが発生し、皮膜の高硬度化が促進され、耐摩耗性が高まり、工具寿命も長くなったと推察される。また、Ｂ、Ｖ、Ｓｉ元素を硬質皮膜層に添加することで、切削加工時に切刃に生成する被削材の溶着成分が減少していることが確認され、耐溶着性の改善に効果的であった。さらに、ＮｂやＷの添加で硬質皮膜層の耐酸化性が改善され、工具寿命の改善に効果的であった。
しかしながら、比較例５０〜５４のように添加元素量が１０原子％を超えると、工具寿命は低下した。これは、（ＡｌＣｒ）Ｎもしくは（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜結晶構造内に、添加元素が進入型あるいは置換型で取り込まれるが、添加元素量が多いために（ＡｌＣｒ）Ｎもしくは（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜の結晶構造が崩れ、皮膜の低硬度化につながるためと思われる。また、比較例５０のようにＳｉ元素が多い場合には、皮膜組織がアモルファス化しやすくなり、同時に皮膜が軟質化した。
【００６８】
本発明例２０、２１および比較例５５、５６では硬質皮膜層２の組成比が切削性能に及ぼす影響を確認した。比較例５５では、相対的にＡｌ含有量が多く、部分的にｈｃｐ構造のＡｌＮの存在が確認された。ｈｃｐ構造のＡｌＮは、皮膜硬度が低く、切削加工時の逃げ面摩耗が大幅に進行し、短寿命であった。また、比較例５６では相対的にＴｉ含有量が多く、残留圧縮応力が低減されたものの、基材から硬質皮膜層１の膜厚方向へ柱状晶が成長したが、柱状晶の粒界強度が弱く、チッピングが多く確認され、工具寿命は短くなった。
一方、本発明例２０ではｈｃｐ構造のＡｌＮは確認されず、硬質皮膜層１として充分な高硬度を維持した。また本発明例２１では、残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、基材との密着性が高まったため、工具寿命は長くなった。
【００６９】
本発明例２２、２３および比較例５７、５８では硬質皮膜層２の成膜に対するガス（窒素）圧力の検討を行った。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７０】
本発明例２４、２５および比較例５９、６０では、硬質皮膜層２の膜厚と切削性能の関係を調査した。比較例５９では硬質皮膜層２を１２．２μｍと厚くした。このとき、硬質皮膜層２の残留圧縮応力が（ＴｉＡｌ）Ｎ組成では比較的低くなるものの、厚膜化しすぎると無効化されてしまうことが示された。また、比較例６０では硬質皮膜層２を１．３μｍとし薄くした。これは、硬質皮膜層１の１．６μｍより薄かった。この場合、残留圧縮応力が低減され、基材との密着性は高まったものの、逃げ面摩耗が急速に進行し短寿命であった。
一方、本発明例２４では硬質皮膜層２の膜厚が１０．１μｍであった。このとき、残留圧縮応力は２ＧＰａ以下には低減されたものの、本発明例１と比較して大幅な耐摩耗性の改善には至らなかった。これは、硬質皮膜層２の膜厚が厚いほど、残留圧縮応力が増大し、基材との密着性を阻害したと考えられる。工業上の生産性を考慮すると、切削工具としての用途に適した硬質皮膜層の膜厚範囲に制御することが肝要である。また、本発明例２５の硬質皮膜層２の膜厚は３．５μｍであり、これは本発明例１の硬質皮膜層２の膜厚５．８μｍよりも薄かった。このとき、残留圧縮応力は１．２ＧＰａに低減され、基材との密着性が改善されたものの、本発明例１と比較して耐摩耗性が低下した。したがって、残留圧縮応力を適切な範囲に制御したうえで厚膜化を行うことで、工具寿命の改善につながることが示唆された。
【００７１】
本発明例２６、２７および比較例６１、６２では、硬質皮膜層２で印加したバイアス電圧の大きさが切削性能に及ぼす影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７２】
本発明例２８、２９および比較例６３、６４では、硬質皮膜層２にバイアス電圧を印加した際のパルス波印加方式およびパルス部分での電圧設定値が切削性能に及ぼす影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７３】
本発明例３０、３１および比較例６５、６６ではバイアス電圧をパルス化した際の周波数の影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７４】
本発明例３２〜３６および比較例６７〜７１では、硬質皮膜層１に対する添加元素の影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様であった。
【００７５】
従来例７２、７３は何れも直流バイアス電圧条件下にて成膜を行い、膜厚が３μｍ程度であったため、工具寿命は短かった。膜厚は工具寿命に大きな影響を及ぼすが、硬質皮膜の物性を適正な範囲に制御できなければ、産業上の優位点は得られないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の硬質皮膜被覆切削工具は、例えば、金属部品や金型等の加工などの用途に好適であり、特に高送り切削加工や高送りの高速切削加工等の非常に厳しい耐摩耗性や耐欠損性が要求される用途に使用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１ 硬質皮膜層１
２ 硬質皮膜層２
３ 基材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属部品や金型等の加工に用いられ、耐摩耗性や耐欠損性の向上が要求される硬質皮膜被覆切削工具に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、（ＴｉＡｌ）Ｎ膜と（ＡｌＣｒ）Ｎ膜とから構成される多層膜が開示されている（表１中試料番号２等を参照）。
【０００３】
特許文献２には、所定組成の（ＡｌＣｒ）Ｎ系硬質皮膜であって、（１１１）面又は（２００）面のいずれかのＸ線回折ピークの２θの半価幅が０．５〜２度であること（請求項１、表１等参照）、及び（２００）面と（１１１）面とのＸ線回折強度比Ｉ（２００）／（１１１）が、０．３＜Ｉ（２００）／（１１１）＜１２であること（請求項３、表１を参照）が開示されている。
【０００４】
特許文献３には、基材の上に、結晶の配向性が異なる第１被覆層と第２被覆層とを積層被覆されており、両層はチタンとアルミニウムとの窒化物、炭窒化物、窒酸化物、炭酸化物、炭窒酸化物のうちの１種又は２種以上の多層からなり、第１被覆層はＸ線回折ピーク強度が（２００）面に最大高さを有し、第２被覆層はＸ線回折ピーク強度が（１１１）面に最大高さを有する旨が開示されている（請求項１を参照）。
【０００５】
特許文献４には、基体上に、０．０５〜０．５μｍの平均層厚を有する所定組成の（ＴｉＡｌ）Ｎ層であって、（１１１）面にＸ線回折の最高ピークが現われ、かつ前記最高ピークの半価幅が２θで０．８度以下であるものと、２〜１０μｍの平均層厚を有する所定組成の（ＴｉＡｌ）Ｎ層であって、（１１１）面にＸ線回折の最高ピークが現われ、かつ前記最高ピークの半価幅が２θで０．８度以下であるものを、物理蒸着してなる、表面被覆超硬合金製切削工具が開示されている（請求項１、表３等を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９３７６０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２６７３６号公報
【特許文献３】特開平１０−３３０９１４号公報
【特許文献４】特開２００３−１１７７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１〜４のいずれにも、物理蒸着法により、超硬合金基材上に、特定の適正範囲に調整された組成、Ｘ線回折パターン及び格子定数を有する（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜層と（ＡｌＣｒ）Ｎ皮膜層とを総膜厚で５μｍ以上に積層することにより、従来に比べて格段に高性能の硬質皮膜被覆切削工具が得られることについて何ら記載及び示唆がされていない。
【０００８】
本発明は、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した硬質皮膜を有する硬質皮膜被覆切削工具において、前記硬質皮膜が新規高性能な硬質皮膜層１及び２から構成される２層構造を有することにより、硬質皮膜層１では残留圧縮応力により切削時に発生する亀裂の伝播抑制を図り、また硬質皮膜層２では残留圧縮応力の低減化により厚膜化を可能とし、更に基材との密着強度を改善することによって、従来の硬質皮膜被覆切削工具に比べて長寿命化を実現できる新規高性能な硬質皮膜被覆切削工具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の硬質皮膜被覆切削工具は、超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は物理的蒸着によって成膜された２層構造を有し、該２層構造は表面側に被覆された硬質皮膜層１及び基材側に被覆された硬質皮膜層２を有して構成され、該硬質皮膜層１の組成は（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．５≦ａ≦０．７５、及び０．４５≦ｘ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層１のＸ線回折における（１１１）面の半価幅をＷ１（度）としたとき、０．７≦Ｗ１≦１．１であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｒ、（２００）面のピーク強度Ｉｓ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｔとしたとき、０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１であり、該硬質皮膜層２の組成は、（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．４≦ｂ≦０．６、及び０．４５≦ｙ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層２のＸ線回折における（２００）面の半価幅をＷ２（度）としたとき、０．４≦Ｗ２≦０．６であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｕ、（２００）面のピーク強度Ｉｖ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｗとしたとき、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４であり、Ｘ線回折における該硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）および該硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であり、該硬質皮膜層１の膜厚をＴ１（μｍ）、および該硬質皮膜層２の膜厚をＴ２（μｍ）としたとき、５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２、Ｔ１＜Ｔ２、であることを特徴とする。
前記本発明によって、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した硬質皮膜における硬質皮膜層１の亀裂の伝播抑制と、硬質皮膜層２の厚膜化及び基材との密着強度の改善を図ることができる。前記２層構造を有する硬質皮膜層１、２の特徴を反映し、従来に比べて硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図ることができる。
【００１０】
前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜が高い密着性を有するように、膜厚方向が長手方向となる柱状結晶粒を有し、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１との界面において、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１とを横断する柱状結晶粒を有していることが好ましい。
【００１１】
前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換することが好ましい。
また、前記本発明の硬質皮膜被覆切削工具において、実用性の観点から、該硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、物理的蒸着によって成膜して５μｍ以上に厚膜化した新規で高性能な２層構造を有する硬質皮膜において、上層側の硬質皮膜層１における亀裂の伝播抑制と、下層側の硬質皮膜層２における厚膜化および基材との密着強度の改善を図ることができる。前記２層構造を有する硬質皮膜層１、２により、従来に比べて硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の硬質皮膜被覆切削工具を模式的に説明する図である。
【図２】本発明例１の被膜の破断面写真を示す。
【図３】図２のＡ部の拡大写真を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
硬質皮膜被覆切削工具において硬質皮膜の耐摩耗性は重要な要素であり、更なる向上が望まれている。硬質皮膜の耐摩耗性を向上させる手段として、概略２通りの手段が考えられ、１つは硬質皮膜の厚膜化、他の１つは硬質皮膜の高硬度化である。
硬質皮膜の厚膜化により構成元素に関わらず耐摩耗性を向上することが可能であるが、厚膜化した際に発生する残留応力を緩和する必要がある。硬質皮膜の高硬度化は硬質皮膜の構成元素や成膜条件に大きく依存する。
本発明は、物理的蒸着（以下、ＰＶＤと記す場合がある。）法による硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、基材と接する下層側の硬質皮膜層２において厚膜化を図り、また上層側の硬質皮膜層１において高硬度化と亀裂の伝播抑制を実現した。硬質皮膜は残留圧縮応力が２ＧＰａを超えると硬質皮膜の自己破壊を発生し易くなることから、硬質皮膜層２を厚膜化した際の残留圧縮応力を２ＧＰａ以下に低減化した。さらに、２層構造を有する硬質皮膜層間の密着性の改善についても実現した。
【００１５】
本発明が採用する硬質皮膜を構成する硬質皮膜層１は、ＡｌとＣｒを金属成分とする窒化物皮膜であり、潤滑性に優れ、溶着に起因する脱落やチッピングを抑制する効果を発揮する。
そこで硬質皮膜層１を高硬度に維持するために組成（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘを次のように規定した。Ａｌの含有量はａ＞０．７５である場合、六方最密構造（以下、ｈｃｐ構造と記す。）のＡｌＮが生成しやすくなり、密着強度が劣化するだけでなく硬度低下が生じる。また、Ａｌ含有量よりＣｒ含有量が多い場合も、残留圧縮応力が増大して密着強度が低下する傾向にある。以上より、０．５≦ａ≦０．７５と規定した。より好ましくは、０．６≦ａ≦０．７である。
【００１６】
次に、硬質皮膜層１の金属成分と非金属成分の組成比に関しては、０．４５≦ｘ≦０．５５の範囲に制御することにより、残留圧縮応力を１ＧＰａから２ＧＰａの範囲に制御することができる。一方、ｘ＜０．４５の場合は、結晶格子中において（ＡｌａＣｒ１−ａ）元素同士が結合する割合が増加し結晶格子の歪が大きくなる。したがって、硬質皮膜層１の断面組織が微細化して粒界欠陥が増大し、残留圧縮応力が増大して基材と硬質皮膜間の密着性が劣化してしまう。例えば、切削工具用の硬質皮膜では、粒界欠陥が密度低下や被加工物を構成する元素の内向拡散を生じ機械的特性、硬度や耐欠損性を低下させる。従って、粒界欠陥の低減のためにｘ値を０．４５以上に制御しなければならない。他方、ｘ＞０．５５の場合、硬質皮膜層１の結晶組織形態は柱状組織を有するが、粒界部に不純物が取り込まれやすくなる。この不純物は成膜処理装置の内部残留物に由来する。その結果、結晶粒界における接合強度が劣化し、外部衝撃によって容易に硬質皮膜層１が破壊されてしまう。ｘ値は、成膜時のガス圧力に大きく依存する。ｘ値の最適制御に関して、成膜装置のガス圧力を１〜７Ｐａに調節した場合、硬質皮膜の残留圧縮応力を１〜２ＧＰａに制御することが可能となる。
【００１７】
硬質皮膜層１のＷ１値が、０．７≦Ｗ１≦１．１の範囲において、結晶組織は微細な粒状を形成する。一般に、ホールペッチの法則から、結晶粒径が小さいほど硬度が高くなる傾向にある。よって、Ｗ１値が上記範囲内にある硬質皮膜層１では、高硬度を有する硬質皮膜が得られる。Ｗ１＜０．７の場合、結晶組織は柱状結晶を形成し、切削加工時に発生した亀裂が粒界を伝播することにより、亀裂が基材へ到達しやすくなり、切削工具の欠損を生じる可能性が高い。また、Ｗ１＞１．１の場合、皮膜組織が非晶質化しやすく皮膜硬度の低下に繋がる。Ｗ１値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、バイアス電圧印加条件、反応ガス圧力条件に加え、３００〜５５０℃の範囲で成膜する必要がある。３００℃未満では、Ｗ１値が１．１を超え、５５０℃を超えると０．７未満となる。
【００１８】
硬質皮膜層１の耐摩耗性を改善するためには、皮膜を高硬度化するのが好ましい。ここで、面心立方構造では(１１１)面が原子の最密面であるため、硬質皮膜のＸ線回折における最強ピークが（１１１）面である場合に高密度化し、高硬度化しやすい。この硬質皮膜の高硬度化によって切削加工時に発生する亀裂の伝播抑制を実現した。０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１とすることで、Ｘ線回折により測定した硬質皮膜層１の最強ピークが（１１１）面にあり、高硬度化するため耐摩耗性と亀裂の伝播抑制に優れる。
一方、Ｉｓ／Ｉｒ＜０．３、及びＩｔ／Ｉｒ＜０．３である場合、結晶粒界が増大し残留圧縮応力が増大しすぎるため、硬質皮膜の自己破壊に繋がってしまう。さらに、Ｉｓ／Ｉｒ≧１、及びＩｔ／Ｉｒ≧１である場合、太い柱状の結晶組織が形成され、亀裂が粒界を伝播して基材へ到達しやすく、切削工具のチッピングや欠損に至りやすい。Ｉｓ／Ｉｒ値、及びＩｔ／Ｉｒ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を１．５Ｐａ以上、３．５Ｐａ以下に設定すれば実現できる。１．５Ｐａ未満では結晶配向を制御することが困難となる。また、３．５Ｐａを超えると皮膜硬度が低下する。
【００１９】
本発明が採用する硬質皮膜を構成する硬質皮膜層２は、ＴｉとＡｌを金属成分とする窒化物皮膜であり、耐摩耗性や密着強度に優れ、切削工具としての寿命向上に効果を発揮する。一般に、皮膜硬度が高いほど耐摩耗性は大きい。そこで硬質皮膜層２を高硬度に維持するために組成（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙについて、Ｔｉの含有量は、０．４≦ｂ≦０．６に規定した。ｂ＞０．６の場合、十分な耐摩耗性や耐酸化性が得られない。ｂ＜０．４である場合、結晶構造が面心立方晶の（ＴｉＡｌ）Ｎにｈｃｐ構造のＡｌＮが含まれるようになり皮膜硬度が低下し耐摩耗性が劣化する。より好ましくは、０．４５≦ｂ≦０．５５である。
【００２０】
次に、硬質皮膜層２の金属成分と非金属成分の組成比に関しては、０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御することにより、残留圧縮応力を０．５〜２ＧＰａの範囲に制御することができる。数値範囲の規定理由は硬質皮膜層１の場合と同様である。ｙ値を０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御するには、成膜時の反応ガス圧力を２．５Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２．５Ｐａ未満では、ｙ値は０．４５未満となり、７Ｐａを超えると０．５５を超える。
【００２１】
硬質皮膜層２のＷ２値は、０．４≦Ｗ２≦０．６の範囲に規定した。これにより、硬質皮膜層２は結晶粒界における結合強度と靭性が確保され、切削時の耐摩耗性が発揮されるからである。W２＜０．４の場合、結晶組織は柱状結晶の結晶性が高まるが、硬度が低下してしまう。また、Ｗ２＞０．６の場合、結晶組織は微細化組織を形成して高硬度化する一方、皮膜靭性が不足して切削時のチッピングを誘発する。また、残留圧縮応力が増大するため、密着強度が劣化する。Ｗ２値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、バイアス電圧印加条件、反応ガス圧力条件に加え、４００〜６５０℃の範囲で成膜する必要がある。４００℃未満では、Ｗ２値が０．６を超え、６５０℃を超えると０．４未満となる。
【００２２】
硬質皮膜層２の残留圧縮応力は、Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値と相関性があるので、残留圧縮応力値を低減化するためには、Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値を制御すれば可能である。最強ピーク面は（２００）面であるのが好ましく、（１１１）面への配向が強くなると残留圧縮応力が増大し密着性が低下する傾向にある。そこで、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４に規定することにより、残留圧縮応力が最適範囲に制御され、高い密着強度を有する厚膜の硬質皮膜が実現できる。一方、Ｉｖ／Ｉｕ＜５の場合、Ｉｗ／Ｉｕ＜２の場合は、原子密度の高い（１１１）面への配向が強い状態であるため、残留圧縮応力が高くなる。また硬質皮膜層２の断面組織が微細化し、結晶粒界が多くなり欠陥が多く含まれる状態となって残留圧縮応力が増大する。また、Ｉｖ／Ｉｕ＞１５の場合、Ｉｗ／Ｉｕ＞４の場合は、残留圧縮応力は低減するが、皮膜硬度が減少し、耐摩耗性を阻害する。断面組織における粒界の密着強度が低下し、外部衝撃に対して硬質皮膜表面が容易に破壊したり、剥離したりする。Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を２Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２Ｐａ未満、７Ｐａを超えると結晶配向を制御することが困難となる。
【００２３】
本発明において、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の皮膜界面からの皮膜破壊を抑制し、切削工具としての優れた耐摩耗性を発揮させるため、界面の密着強度改善を実現した。硬質皮膜層１および２は共に面心立方構造を有しており、切削工具としての耐摩耗性を改善するために、硬質皮膜層１は、高硬度化が可能な（１１１）面に強く配向する成膜条件を選定した。一方、硬質皮膜層２は、残留圧縮応力の低減化が可能な（２００）面に強く配向する成膜条件を選定した。
さらに、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の界面における密着強度を確保するため、各々の格子定数を整合させる検討を行った。つまり、硬質皮膜層１、２の格子定数を近似させることで、硬質皮膜層１、２の界面における結晶成長に連続性を持たせることができる。ただし、本発明においては硬質皮膜層１、２の組成が異なるため、両者の格子定数を整合させることは困難である。この理由は、硬質皮膜層１がＣｒを含み、硬質皮膜層２がＴｉを含む硬質皮膜であり、夫々のイオン半径が異なることによる。例えば、本発明例の硬質皮膜層１、２が含有するＡｌを、何れも７０原子％を超えて多くすれば、両者の格子定数を完全に整合させることは可能である。しかし、Ａｌ含有量が７０原子％を超えると、ｈｃｐ構造のＡｌＮ結晶が含まれるため、硬度低下をもたらし、耐摩耗性が極度に劣化する。
また、本発明においては硬質皮膜層１、２の配向が異なるため、硬質皮膜層界面でエピタキシャル成長させることは困難である。そこで、硬質皮膜層界面での密着性を確保するため、硬質皮膜層１、２の（１１１）面から算出した格子定数を近似させる検討を行った。上述のように、硬質皮膜層１、２の組成の違いから、（１１１）面から算出した格子定数は全般にａ１＜ａ２であった。そこで、硬質皮膜層１に対しては、格子定数が大きくなるような成膜条件として、バイアス電圧値を高めた。バイアス電圧を高めることで、プラズマ中でイオン化された元素が基材に到達する際の運動エネルギーが高まり、硬質皮膜に歪を与えながら成膜されるため、格子定数が大きくなる。また、硬質皮膜層２に対しては、バイアス電圧を低めに設定し、格子定数がなるべく大きくならない条件を選定した。
【００２４】
なお、硬質皮膜層１、２の成膜にあたっては、バイアス電圧をパルス化（間欠化）させて印加した。ここで、バイアス電圧のパルス化について説明する。一般的に、バイアス電圧は負の直流電圧として基材に印加される。この場合、膜厚の増大に伴って残留圧縮応力が増大する。とくに本願発明に規定するような膜厚範囲（５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２）おいては、残留圧縮応力が過大となって、硬質皮膜の自己破壊を招く。そこで、バイアス電圧をパルス化させることで、バイアス電圧が低い瞬間に、格子歪が生成されにくくなり、残留圧縮応力の低減化につながる。
【００２５】
また、バイアス電圧をパルス化する際の周波数が、残留圧縮応力の制御に重要である。本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、パルス周波数５〜３０ｋＨｚのときに、硬質皮膜層１では（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が０．３０≦Ｉｔ／Ｉｒ≦１．０、および硬質皮膜層２では（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が２．０≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４．０となり、硬質皮膜の残留圧縮応力を０．５０〜２．０ＧＰａの最適な範囲に制御できることを見出した。パルス周波数が５ｋＨｚより低くなるとＩｔ／Ｉｒは１．０を超え、Ｉｗ／Ｉｕ値は４．０を超える。このとき、柱状組織からなる低圧縮応力の硬質皮膜が得られるが、柱状組織間の密着強度が低く、耐欠損性が高まらない。また、パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｔ／Ｉｒは０．３未満となり、Ｉｗ／Ｉｕは２．０未満となる。その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。
【００２６】
さらに、バイアス電圧のパルス化方法について説明する。パルス化方式は、ユニポーラー方式とバイポーラー方式に大別される。ユニポーラー方式は、負もしくはゼロの範囲でバイアス電圧をパルス化させて印加する方法である。このとき、上述のように、バイアス電圧が低い瞬間に、格子歪が生成されにくくなり、残留圧縮応力の低減化につながる。一方、バイポーラー方式は、正の範囲でバイアス電圧をパルス化させて印加する方法である。このとき、正のバイアス電圧が印加された瞬間に、格子歪の一部が緩和されるため、さらなる残留圧縮応力の低減化を図ることが可能となる。
【００２７】
以上より、硬質皮膜層１、２の界面における密着性を改善するために、硬質皮膜層１ではバイアス電圧値を高く設定し、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。また、硬質皮膜層２ではバイアス電圧値を低く設定し、ユニポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。すなわち、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９に制御することで、硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の密着強度を高めた。硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の格子定数は、成膜条件によって近似させることが可能である。
【００２８】
Ｔ１＜Ｔ２とする理由について説明する。構成元素の観点から、硬質皮膜層１の残留圧縮応力は硬質皮膜層２より高い傾向にある。Ｔ１値が２μｍを超えて厚い場合は、工具の刃先稜線部において皮膜の自己破壊が起こりやすくなる。また、硬質皮膜層１の潤滑性を得るには、０．１μｍ以上であることが好ましい。より好ましくは０．３μｍ≦Ｔ１≦２μｍである。また、硬質皮膜層２は耐摩耗性に優れるが、Ｔ２＜４μｍの場合、耐摩耗性が発揮されない。Ｔ２値の増加に伴って残留圧縮応力は徐々に上昇する傾向にあり、Ｔ２＞１０μｍの場合、残留圧縮応力が過大となり、基材と硬質皮膜界面での密着強度が低下し、硬質皮膜がはく離しやすくなる。より好ましくは、５μｍ≦Ｔ２≦８μｍである。したがって、本発明における硬質皮膜層１の潤滑性や耐欠損性と、硬質皮膜層２の耐摩耗性を両立するためには、Ｔ１＜Ｔ２として、硬質皮膜層全体の残留圧縮応力を抑制することが必要である。
【００２９】
該硬質皮膜は少なくとも該硬質皮膜層１と該硬質皮膜層２とを横断する結晶粒を有し、この場合、同一結晶粒内での硬質皮膜層１、２界面における密着強度が改善される。よって、本発明の硬質皮膜は切削加工時の層間はく離の抑制に効果を発揮する。
【００３０】
硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒ、硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌにおいて、それらの夫々の金属成分の少なくとも１種の元素を１０原子％以下の範囲で置換を行うことによって硬質皮膜の機能を十分に発揮させることに有効である。Ｓｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素の添加によって、結晶組織内に元素置換による格子歪みが生じ皮膜の高硬度化が図られる。しかしながら、前記元素の添加に伴い、残留圧縮応力は増大する傾向にあるため、その置換比率は１０原子％以下にすることが好ましい。Ｓｉを添加した場合には、皮膜の高硬度化、耐酸化性の改善に効果がある。同様に、Ｎｂ又はＷの添加も耐熱性向上に効果的である。更にＶ又はＢの添加は、皮膜の潤滑性向上に有効であり好ましい。高速、高送りといった過酷な切削条件に耐えることが可能となる。
【００３１】
＜成膜条件＞
本発明は、成膜時のバイアス電圧、反応圧力及び成膜温度を最適化させることによって、硬質皮膜層１、２の結晶構造を前記の範囲に制御でき、厚膜化された硬質皮膜は最適な残留圧縮応力が内在し、かつ高硬度を維持できる。
例えば、バイアス電圧値が大きい程残留圧縮応力は増大傾向にある。ここで、１μｍ／時間以下の比較的遅い成膜速度で、皮膜を結晶成長させることが重要である。このとき、最適化された残留圧縮応力値の範囲は０．５〜２ＧＰａである。残留圧縮応力値が０．５ＧＰａ未満であると耐摩耗性は確保できるものの耐欠損性が不十分であり、２ＧＰａを超えて大きいと硬質皮膜のチッピングを生じやすくなる。
【００３２】
また、硬質皮膜層１の成膜時のバイアス電圧を負の値で３０〜２００Ｖに制御することにより、Ｉｓ／Ｉｒ値を０．３以上に制御でき、硬質皮膜層２の成膜時のバイアス電圧を３０〜１００Ｖに制御することにより、Ｉｖ／Ｉｕ値を５以上に制御できる。バイアス電圧が２００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｓ／Ｉｒ値は大きくなり、バイアス電圧が１００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｖ／Ｉｕ値は大きくなるが、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化する。面心立方構造を有する硬質皮膜層１においては、原子の最密面である（１１１）面に配向したほうが、より皮膜密度が高くなり高硬度化する。さらに、硬質皮膜層１に残留する圧縮応力が高まり、切削加工時の亀裂伝播抑制に効果を発揮する。そのため、成膜時のバイアス電圧を上記範囲内に制御することが重要である。
更に、成膜時のバイアス電圧をパルス化して印加する方法により、Ｉｔ／Ｉｒ値を制御することができる。このとき、硬質皮膜層を厚膜化した際に顕著となる残留圧縮応力の増大を抑制し、硬質皮膜層の厚膜化による耐摩耗性の改善が実現できる。
【００３３】
バイアス電圧の印加方法を、バイポーラー方式またはユニポーラー方式のパルス波とすることにより、直流のバイアス電圧で成膜した場合と比較して、特に（２２０）面のピーク強度が変化する。これは、成膜時にプラズマ中でイオン化された元素が被処理物に到達する際に、運動する余地があるため、結晶構造が変化するものと思われる。
さらに、本発明において、硬質皮膜層１、２の耐摩耗性改善のために厚膜化した際に生じる残留圧縮応力を制御するには、バイアス電圧をパルス化しパルス周波数を制御する必要がある。本発明ではパルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できる。パルス周波数が５ｋＨｚ未満の場合は、Ｉｗ／Ｉｕ値は４を超える。このときの皮膜断面組織は、低残留圧縮応力を有する柱状組織が得られるが、柱状組織内における粒界間の密着強度が低く、切削加工時に発生した亀裂が容易に粒界を通って伝播するため、工具の欠損が生じてしまう。一方、３０ｋＨｚを超えて大きい場合は、イオンが被処理物に到達する際の運動エネルギーが低減できないためＩｗ／Ｉｕ値は２未満となる。Ｉｖ／Ｉｕ値が１５を超えて大きい場合であっても、硬質皮膜層２の残留圧縮応力が２ＧＰａを超える様になり密着性が著しく低下する。より好ましくは、１５〜３０ｋＨｚである。
【００３４】
バイアス電圧が高いほど、成膜時に基材に到達するイオンのエネルギーが高まり（１１１）配向しやすくなるとともに、格子間に歪が発生しながら成膜されることから、格子定数が大きくなる。すなわち、バイアス電圧を調整することで、硬質皮膜層の格子定数を制御することができる。そこで本発明では、硬質皮膜層１と硬質皮膜層２の格子定数差を整合させる検討を行った。本発明に規定される硬質皮膜層１と硬質皮膜層２の格子定数を測定すると、全般にａ１＜ａ２であった。これは、硬質皮膜層を構成する金属原子の中で相対的に小さな原子であるＡｌの含有量の差によると思われる。そこで、硬質皮膜層１に対しては、格子定数が大きくなるような成膜条件として、バイアス電圧値を高めた。また、バイアス電圧を高めたことで残留圧縮応力が過大となるのを抑制するため、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧として基材に印加した。一方、硬質皮膜層２に対しては、ユニポーラー方式のパルス波でバイアス電圧を印加し、厚膜化した際の残留圧縮応力が過大となるのを抑制した。
以下、本発明を下記の実施例により詳細に説明するが、下記の実施例により本発明が限定されるものではない。
【実施例】
【００３５】
[１] 成膜装置
物理蒸着法の成膜装置として、アークイオンプレーティング（ＡＩＰ）装置、フィルター方式アークイオンプレーティング装置又はスパッタリング装置等が好適である。これより、本発明例１に用いる硬質皮膜の作製方法について以下に説明する。
被覆に使用した装置は、ＡＩＰ装置であり、ＡＩＰ装置内には基材装着用回転治具（プラネタリー方式）と、下層形成用のアークカソード２及びそのシャッターと、上層形成用のアークカソード１及びそのシャッターと、反応ガス供給口と、基材にバイアス電圧を印加するためのバイアス電源と、減圧容器とを具備する。アークカソード１は、組成が原子％で、Ａｌ：６０％、Ｃｒ：４０％のターゲットを、アークカソード２は、Ｔｉ：５０％、Ａｌ：５０％のターゲットを装着した。基材装着用回転治具には、切削評価用として超硬合金製インサート工具を装着した。
【００３６】
[２] 製造方法
（Ａ） 基体のクリーニング
まずＡＩＰ装置内を２Ｐａ以下の減圧状態に保ちながら、基材を６００℃まで加熱した。続いてＡｒガス流量を１００ｓｃｃｍで導入し、ＡＩＰ装置内を２．５Ｐａ程度の真空に保ちながら、基材に負の電圧で２００Ｖのバイアス電圧を印加しながら、Ａｒイオンによる基材表面のエッチング処理を行った。
【００３７】
（Ｂ） 硬質皮膜層２の形成
（１）硬質皮膜層２の成膜温度
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜温度は、６００℃に設定した。Ｗ２値の制御には、成膜温度を最適化する必要があり、４００〜６５０℃の範囲で成膜する必要がある。４００℃未満では、Ｗ２値が０．６を超え、６５０℃を超えると０．４未満となるからである。
【００３８】
（２）硬質皮膜層２の成膜雰囲気の圧力
本発明例１における硬質皮膜層２は、窒素ガスを導入して圧力を３Ｐａとした。このとき、窒素ガス流量は７５０ｓｃｃｍに設定し、一定に保ちながら、真空排気系のメインバルブの開口率により減圧容器内の圧力制御を行った。硬質皮膜層２のｙ値を０．４５≦ｙ≦０．５５の範囲に制御するには、成膜時の反応ガス圧力を２．５Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。２．５Ｐａ未満では、ｙ値は０．４５未満となり、７Ｐａを超えると０．５５を超えてしまう。Ｉｖ／Ｉｕ値、Ｉｗ／Ｉｕ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を２Ｐａ以上、７Ｐａ以下に設定すれば実現できる。一方、２Ｐａ未満、７Ｐａを超えると結晶配向を制御することが困難となる。好ましい窒素ガス圧力は、３Ｐａ以上、４Ｐａ以下である。
【００３９】
（３）硬質皮膜層２のバイアス電圧
本発明例１における硬質皮膜層２のバイアス電圧は、負の電圧で５０Ｖに設定した。硬質皮膜層２はバイアス電圧値を低く設定し、ユニポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。これは、バイアス電圧を低めに設定して格子定数がなるべく大きくならないようにするためである。成膜時のバイアス電圧を３０〜１００Ｖに制御することにより、Ｉｖ／Ｉｕ値を５以上に制御できる。バイアス電圧が１００Ｖ以下の範囲で低いほどＩｖ／Ｉｕ値は大きくなるが、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化してしまう。
【００４０】
（４）硬質皮膜層２のパルス周波数
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜にあたっては、バイアス電圧をパルス化（間欠化）させて印加した。硬質皮膜層２におけるバイアス電圧は、負の電圧５０Ｖと０Ｖの間で周期的に振幅させて基材に印加させた。このユニポーラー方式のパルス波でバイアス電圧を印加し、パルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できるから、厚膜化した際の残留圧縮応力が過大となるのを抑制できる。パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｗ／Ｉｕは２．０未満となる。その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。パルス周波数が５ｋＨｚ未満の場合は、Ｉｗ／Ｉｕ値は４を超える。より好ましくは、パルス周波数は１５〜３０ｋＨｚである。
【００４１】
(５) 硬質皮膜層２のアーク電流
本発明例１における硬質皮膜層２の成膜にあたっては、アークカソード２に１５０Ａの電流を流してアーク放電を発生させ、Ｔ２値が５．８μｍとなるまで成膜した。
【００４２】
（Ｃ）硬質皮膜層１の形成
（１）硬質皮膜層１の成膜温度
硬質皮膜層２の成膜終了時から硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、両層界面における格子定数の比を規定の数値範囲内に制御し、また連続した柱状結晶を成長させるために、緻密な制御が必要となる。そこで、成膜温度の制御に当たっては、硬質皮膜層２の成膜終了と同時に設定温度を６００℃から５００℃へ変更した。実際の温度下降は、ヒーター制御により２分以内に設定温度の５００℃となるようにした。
硬質皮膜層１の成膜における定常期も、５００℃に設定した。硬質皮膜層１の成膜温度は、３００〜５５０℃の範囲で成膜する必要がある。３００℃未満では、Ｗ１値が１．１を超え、５５０℃を超えると０．７未満となるからである。
【００４３】
（２）硬質皮膜層１の成膜雰囲気の圧力
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、硬質皮膜層２の成膜終了と同時に窒素ガスの設定流量を７５０ｓｃｃｍから８００ｓｃｃｍへと変更したが、真空排気系メインバルブの開口率制御により、圧力は３Ｐａに調整した。
硬質皮膜層１の成膜の定常期も、８００ｓｃｃｍに設定し、圧力は３Ｐａを維持した。硬質皮膜層１のｘ値の最適制御に関して、成膜装置のガス圧力を１〜７Ｐａに調節した場合、硬質皮膜の残留圧縮応力を１〜２ＧＰａに制御することが可能となる。また、Ｉｓ／Ｉｒ値、及びＩｔ／Ｉｒ値の制御には、成膜時の反応ガス圧力を１．５Ｐａ以上、３．５Ｐａ以下に設定すれば実現できる。１．５Ｐａ未満では結晶配向を制御することが困難となる。また、３．５Ｐａを超えると皮膜硬度が低下する。
【００４４】
（３）硬質皮膜層１のバイアス電圧
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、硬質皮膜層１、２の界面における密着性を改善するために、硬質皮膜層２の条件よりも硬質皮膜層１の負のバイアス電圧値を高く設定し、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加して成膜を行った。ここで、負のバイアス電圧値を高くするとは、電圧値の絶対値が大きいことである。しかし、バイアス電圧値が高い程、残留圧縮応力は増大傾向にある。これは、バイアス電圧値が高いほど、成膜時に基材に到達するイオンのエネルギーが高まり（１１１）配向しやすくなるとともに、格子間に歪が発生しながら成膜されるためである。また、格子定数が大きくなるといった効果もある。そこで、本発明例１は、バイポーラー方式でパルス化させたバイアス電圧を印加した。このときの設定は、負の電圧を１５０Ｖ、正の電圧を１０Ｖとし、周期的に振幅させて基材に印加させた。
硬質皮膜層１の成膜の定常期も、バイアス電圧をパルス化させて印加した。成膜時の負のバイアス電圧を３０〜２００Ｖに制御することにより、Ｉｓ／Ｉｒ値を０．３以上に制御でき、バイアス電圧が２００Ｖ以下の範囲で低いほど、Ｉｓ／Ｉｒ値は大きくなり、３０Ｖよりも低い電圧では、残留圧縮応力は低減され密着性は高まるが、皮膜硬度は低下し耐摩耗性が劣化する。
【００４５】
（４）硬質皮膜層１のパルス周波数
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、短時間のうちに、ユニポーラー方式からバイポーラー方式へと切り替え操作を行った。
本発明例１における硬質皮膜層１の成膜では、パルス周波数を２５ｋＨｚに設定した。これにより、０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１、となり、残留圧縮応力値を０．５〜２ＧＰａの最適な範囲に制御できる。
パルス周波数５〜３０ｋＨｚのときに、硬質皮膜層１の（２２０）面と（１１１）面のピーク強度比が０．３０≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１．０、となりパルス周波数が５ｋＨｚより低くなるとＩｔ／Ｉｒは１．０を超える。パルス周波数が３０ｋＨｚを超えると、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが低減できず、Ｉｔ／Ｉｒは０．３未満となり、その結果、残留圧縮応力が２．０ＧＰａを超えてしまう。
【００４６】
（５) 硬質皮膜層１のアーク電流
硬質皮膜層２の成膜終了時から、硬質皮膜層１の成膜開始時への移行期は、両層界面における格子定数の比を規定の数値範囲内に制御し、また連続した柱状結晶を成長させるために、緻密な制御が必要となるが、特に成膜速度の制御が重要である。そこで、硬質皮膜層２の成膜終了するために、アークカソード２のシャッター操作により閉状態とする３０秒前からアークカソード１も稼働させ、シャッターは閉状態を維持したままで１５０Ａの電流を流し始めた。アークカソード２のシャッター操作により閉状態とするのと同時に、アークカソード１はシャッター操作により開状態とした。これら一連の操作は、５秒以内に完了させることが好ましい。その後、アークカソード２の電流を止めるとよい。
ここで、アークカソード１、２の電流値を１５０Ａとした理由は、１（μｍ／時間）程度の最適な成膜速度を得ることによって、両層の皮膜の柱状結晶を成長させることが重要だからである。このとき、硬質皮膜層２と硬質皮膜層１との界面では、硬質皮膜層２の（２００）面の配向から硬質皮膜層の（１１１）面の配向への連続した柱状結晶の成長が可能となる。また、残留圧縮応力値も最適化され、その範囲は０．５〜２ＧＰａとなる。しかし、１２０Ａ以下では、成膜速度が遅いため、成膜時間が長くなり、非効率となる。一方、１８０Ａ以上では、成膜速度が速くなると伴に、アークスポットにより局所的に高いエネルギーがターゲット表面に供給されるため、硬質皮膜層２と硬質皮膜層１との界面において、巨大粒子（ドロップレット）の存在比率が高まってしまう。その影響により、（２００）面の配向から（１１１）面への配向へ連続した柱状結晶の成長が困難となる。
硬質皮膜層１の成膜の定常期は、バイポーラー方式のパルスバイアス電圧を印加しながらアークカソード１に１５０Ａの電流を流してＴ１値が１．６μｍとなるまで成膜した。
上記の被覆プロセスによって、本発明例１を作製した。
【００４７】
また、本発明例２から１０、比較例１１から２０では、各アークカソード１、２のターゲット組成、各バイアス電圧値、各バイアス電圧印加方式の設定以外の条件は、本発明例１の被覆プロセスに準拠した。成膜条件を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
表１（続き）
【００５０】
表１（続き）
【００５１】
表１（続き）
【００５２】
得られた硬質皮膜の硬質皮膜層１および硬質皮膜層２の組成、Ｘ線回折ピーク強度比、（２００）面、（１１１）面での格子定数、皮膜硬度、及び残留圧縮応力値を測定した。以下に測定方法を述べる。
硬質皮膜の組成測定は、各試料の切削用テストピースの膜断面を平面に研削・研磨し、その研磨部をＥＰＭＡ（例えば日本電子（株）製ＪＸＡ−８５００Ｒ型）を用いて、加速電圧１０ｋＶ、試料電流１μＡで分析した。膜厚は、各試料の切削用テストピースを垂直方向に破断して、電解放射走査型電子顕微鏡（例えば日立製作所製Ｓ−４２００型）で観察し、測定した。硬質皮膜のＸ線回折ピーク強度比、（２００）面、（１１１）面の格子定数の測定は、Ｘ線回折装置（理学電気（株）製ＲＵ−２００ＢＨ型）を用いて、薄膜測定法では角度を１度に固定した薄膜設定（θ＝５度を標準とし、必要に応じてθ＝１度でも測定を行った）により２θを３０〜７０度の範囲で測定した。Ｘ線源にはλが０．１５４１ｎｍのＣｕＫα線を用い、バックグランドノイズは装置に内蔵されたソフトにより除去した。
本発明例１から３６の硬質皮膜層１における（１１１）面から算出した格子定数の測定結果において、ａ１値は、０．４１０≦ａ１≦０．４１３であり、硬質皮膜層２における（１１１）面から算出した格子定数の測定結果において、ａ２値は、０．４１３≦ａ２≦０．４１６の範囲内であった。硬質皮膜の残留圧縮応力の測定は、曲率測定法により行い、残留応力測定用のテストピースを用いた。これは、縦１０ｍｍ、横２５ｍｍ、厚さ１ｍｍの微粒超硬合金製の基材上下面を鏡面研磨することにより作製し、鏡面部の反り量（δ０）を測定した。このテストピースの片面にのみ硬質皮膜が被覆されるように、成膜装置に装着し成膜した。成膜後、同様に反り量（δ１）を測定し、テストピース厚さ（Ｄ）、破断面膜厚（ｄ）を測定した。これらの数値から、（数１）によって残留応力値を算出した。（数１）において、Ｅｓ値は基板のヤング率として５１８ＧＰａ、νｓ値は基板のポアッソン比として０．２３８、ｌ値は最大たわみ量までの基板長さを１２．５ｍｍとした。測定結果を表２に示す。
【００５３】
【数１】
【００５４】
本発明例１〜３６は、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと記す。）による倍率５０ｋ倍の硬質皮膜の断面観察の結果、硬質皮膜層１と硬質皮膜層２とを横断する柱状結晶粒が存在していることを確認した。この柱状結晶粒は、膜厚方向が長手方向となる形状をしていた。例えば、図２に本発明例１の被膜の破断面写真を示し、また、図３には、図２のＡ部の拡大写真を示した。図３では、硬質皮膜層１と２との界面を横断する２つの柱状結晶粒の輪郭を点線で示した。また、観察により、柱状結晶粒内に硬質皮膜層１と２との界面が存在していることを確認した。
【００５５】
【表２】
【００５６】
表２（続き）
【００５７】
表２（続き）
【００５８】
表２（続き）
【００５９】
次に、得られた硬質皮膜被覆インサートの切削性能を、下記の試験条件を用い評価した。工具寿命の評価方法は、切削加工時に欠損が発生しやすい断続環境において、インサート逃げ面における最大摩耗幅が０．３ｍｍに達するまでの加工時間とした。切削評価において発生する損傷も確認した。注目すべき損傷を摩耗量（幅）、硬質皮膜剥離、硬質皮膜破壊、チッピングとした。
（試験条件）
切削方法： 断続加工
被削材： ＳＫＤ１１、５０ｍｍ×２５０ｍｍの板材を２本（加工方向に対し平行に並べた）
切削速度： ２００ｍ／ｍｉｎ
一刃送り量：０．３５ｍｍ／刃
切り込み量：１．０ｍｍ
切削油：なし、乾式切削
【００６０】
本発明例１および比較例３７、３８では残留圧縮応力が切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例３７では、残留圧縮応力が４．２ＧＰａであり、比較例３８では、残留圧縮応力が３．４ＧＰａであった。これらは、いずれも加工初期（５分）で刃先稜線部でのチッピングが確認され、工具寿命も短かった。一方、本発明例１では残留圧縮応力は１．７ＧＰａに低減された。そのため、切削加工時に適度な残留圧縮応力が付与され、皮膜の亀裂伝播やチッピングが抑制されたため、工具寿命は長くなった。さらに、切削途中（１０分）の刃先表面をＥＰＭＡにより元素マッピングした結果、例えば従来例７３のような（ＴｉＡｌ）Ｎ膜が硬質皮膜層表面に存在する場合と比較して、Ｆｅ元素の検出量が少なかった。すなわち、硬質皮膜層１の組成から、被削材の溶着が抑制され、硬質皮膜層の溶着に伴うチッピングを防いだものと思われる。
【００６１】
本発明例２、３および比較例３９、４０では硬質皮膜層１の組成比が切削性能に及ぼす影響を確認した。比較例３９では、相対的にＡｌ含有量が多く、部分的にｈｃｐ構造のＡｌＮの存在が確認された。ｈｃｐ構造のＡｌＮは、皮膜硬度が低く、切削加工時の逃げ面摩耗が大幅に進行し、短寿命であった。また、比較例４０では相対的にＣｒ含有量が多く、残留圧縮応力が高くなったため硬質皮膜層２との密着性が劣化した。したがって、切削加工時の逃げ面摩耗が進行し、工具寿命は短くなった。
一方、本発明例２ではｈｃｐ構造のＡｌＮは確認されず、硬質皮膜層１として充分な高硬度を維持した。また本発明例３では、残留圧縮応力が適切な範囲に制御されていた。したがって、これらの工具寿命は比較例より長くなった。
【００６２】
本発明例４、５および比較例４１、４２では硬質皮膜層１の成膜に対するガス（窒素）圧力の検討を行った。比較例４１ではガス圧力を７Ｐａに設定した。このとき、ｘ値が０．５９であったため、硬質皮膜層１が軟化してしまい、耐摩耗性が低下した。また、比較例４２ではガス圧力を１Ｐａに設定した。このとき、ｘ値が０．４２であり、硬質皮膜層１は高硬度化したものの残留圧縮応力が増大しすぎたために、切削初期からのチッピングが多く、短寿命であった。
一方、本発明例４ではガス圧力を３．５Ｐａに設定した。また、本発明例５ではガス圧力を１．５ＧＰａに設定した。いずれの場合も硬質皮膜層１の残留圧縮応力が適切に制御され、工具寿命は長くなった。
【００６３】
本発明例６、７および比較例４３では、硬質皮膜層１の膜厚と切削性能の関係を調査した。比較例４３は、硬質皮膜層１が５．９μｍ、硬質皮膜層２が５．６μｍであり、残留圧縮応力が２．７ＧＰａであった。構成元素の観点から、硬質皮膜層２と比較して硬質皮膜層１の残留圧縮応力が高くなった。したがって、切削初期からのチッピングが目立ち、工具寿命は短かった。
本発明例６では硬質皮膜層１の膜厚が本発明例１と比較して厚かったが、残留圧縮応力は１．９ＧＰａに低減され、亀裂伝播抑制の効果から、工具寿命も長くなった。一方、本発明例７は硬質皮膜層１の膜厚は０．３μｍであり、本発明例１と比較して薄かったが、硬質皮膜層１としての潤滑性は充分に機能した。
したがって、硬質皮膜層１の潤滑性や耐欠損性と、後述する硬質皮膜層２の耐摩耗性を両立するためには、残留圧縮応力のバランスが重要であり、本発明では相対的に残留圧縮応力が高い硬質皮膜層１の膜厚を、硬質皮膜層２よりも薄く設定する、すなわちＴ１＜Ｔ２であることが必要であることが分かった。
【００６４】
本発明例８、９および比較例４４、４５では、硬質皮膜層１で印加したバイアス電圧の大きさが切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例４４では、バイアス電圧が高すぎたために、バイポーラー方式でバイアス電圧をパルス化したものの、残留圧縮応力を２ＧＰａ以下に低減することができず、切削加工時のチッピングが多くなり、工具寿命は短かった。また、比較例４５では、バイアス電圧が低く、残留圧縮応力が低減され密着性が高まったものの、皮膜硬度が低下し、耐摩耗性が劣化した。そのため、工具寿命は短かった。
一方、本発明例８、９では残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、工具寿命は長くなった。とくに、本発明例８では成膜条件の点で、格子定数比ａ１／ａ２が０．９９９で本発明例の中でも最も近接し、硬質皮膜層１、２の界面における密着性が高まっていたと考えられ、工具寿命も長かった。
【００６５】
本発明例１０、１１および比較例４６、４７では、硬質皮膜層１にバイアス電圧を印加した際のパルス波印加方式およびパルス部分での電圧設定値が切削性能に及ぼす影響を調査した。比較例４６では、残留圧縮応力が０．８ＧＰａに低減されたものの、バイポーラー方式で正の電圧（＋４０Ｖ）にパルス化したことにより、硬質皮膜層１の結晶性が失われ、皮膜硬度の低下につながった。また、比較例４７ではユニポーラー方式で負の電圧（−５０Ｖ）にパルス化したことにより、残留圧縮応力が低減されず、切削加工時のチッピングが発生し、短寿命であった。
一方、本発明例１０、１１では残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、硬質皮膜層１がもつ、優れた耐欠損性が発揮され、長寿命化した。
【００６６】
本発明例１２、１３および比較例４８、４９ではバイアス電圧をパルス化した際の周波数の影響を調査した。比較例４８では、パルス波の周波数を５０ｋＨｚと高く設定したため、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが極度に減じてしまい、硬質皮膜の軟質化につながった。また、比較例４９ではパルス波の周波数を５ｋＨｚと低く設定したため、成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーを低減することができず、残留圧縮応力が増大し、硬質皮膜層１、２界面での密着性が劣化し、工具寿命は短かった。
一方、本発明例１２、１３では成膜物質が基材に到達する際の運動エネルギーが適切に制御され、残留圧縮応力が２ＧＰａ以下に低減されたため、硬質皮膜層１のチッピングが抑制され、工具寿命は長くなった。
また、本発明例１２、１３におけるＩｔ／Ｉｒ値は、いずれも０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ≦１．０を満たしたが、比較例４８ではＩｔ／Ｉｒ＜０．３、比較例４９ではＩｔ／Ｉｒ＞１であった。したがって、パルス波をバイアス電圧に印加する際には、Ｉｔ／Ｉｒ値の制御が重要であることが分かった。
【００６７】
本発明例１５〜１９および比較例５０〜５４では、硬質皮膜層１に対する添加元素の影響を調査した。本発明例１５〜１９では、添加元素量がいずれも１０原子％以下であり、硬質皮膜層１を構成する（ＡｌＣｒ）Ｎ結晶格子内に、添加元素が進入あるいは置換することで、適度な歪みが発生し、皮膜の高硬度化が促進され、耐摩耗性が高まり、工具寿命も長くなったと推察される。また、Ｂ、Ｖ、Ｓｉ元素を硬質皮膜層に添加することで、切削加工時に切刃に生成する被削材の溶着成分が減少していることが確認され、耐溶着性の改善に効果的であった。さらに、ＮｂやＷの添加で硬質皮膜層の耐酸化性が改善され、工具寿命の改善に効果的であった。
しかしながら、比較例５０〜５４のように添加元素量が１０原子％を超えると、工具寿命は低下した。これは、（ＡｌＣｒ）Ｎもしくは（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜結晶構造内に、添加元素が進入型あるいは置換型で取り込まれるが、添加元素量が多いために（ＡｌＣｒ）Ｎもしくは（ＴｉＡｌ）Ｎ皮膜の結晶構造が崩れ、皮膜の低硬度化につながるためと思われる。また、比較例５０のようにＳｉ元素が多い場合には、皮膜組織がアモルファス化しやすくなり、同時に皮膜が軟質化した。
【００６８】
本発明例２０、２１および比較例５５、５６では硬質皮膜層２の組成比が切削性能に及ぼす影響を確認した。比較例５５では、相対的にＡｌ含有量が多く、部分的にｈｃｐ構造のＡｌＮの存在が確認された。ｈｃｐ構造のＡｌＮは、皮膜硬度が低く、切削加工時の逃げ面摩耗が大幅に進行し、短寿命であった。また、比較例５６では相対的にＴｉ含有量が多く、残留圧縮応力が低減されたものの、基材から硬質皮膜層１の膜厚方向へ柱状晶が成長したが、柱状晶の粒界強度が弱く、チッピングが多く確認され、工具寿命は短くなった。
一方、本発明例２０ではｈｃｐ構造のＡｌＮは確認されず、硬質皮膜層１として充分な高硬度を維持した。また本発明例２１では、残留圧縮応力が適切な範囲に制御され、基材との密着性が高まったため、工具寿命は長くなった。
【００６９】
本発明例２２、２３および比較例５７、５８では硬質皮膜層２の成膜に対するガス（窒素）圧力の検討を行った。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７０】
本発明例２４、２５および比較例５９、６０では、硬質皮膜層２の膜厚と切削性能の関係を調査した。比較例５９では硬質皮膜層２を１２．２μｍと厚くした。このとき、硬質皮膜層２の残留圧縮応力が（ＴｉＡｌ）Ｎ組成では比較的低くなるものの、厚膜化しすぎると無効化されてしまうことが示された。また、比較例６０では硬質皮膜層２を１．３μｍとし薄くした。これは、硬質皮膜層１の１．６μｍより薄かった。この場合、残留圧縮応力が低減され、基材との密着性は高まったものの、逃げ面摩耗が急速に進行し短寿命であった。
一方、本発明例２４では硬質皮膜層２の膜厚が１０．１μｍであった。このとき、残留圧縮応力は２ＧＰａ以下には低減されたものの、本発明例１と比較して大幅な耐摩耗性の改善には至らなかった。これは、硬質皮膜層２の膜厚が厚いほど、残留圧縮応力が増大し、基材との密着性を阻害したと考えられる。工業上の生産性を考慮すると、切削工具としての用途に適した硬質皮膜層の膜厚範囲に制御することが肝要である。また、本発明例２５の硬質皮膜層２の膜厚は３．５μｍであり、これは本発明例１の硬質皮膜層２の膜厚５．８μｍよりも薄かった。このとき、残留圧縮応力は１．２ＧＰａに低減され、基材との密着性が改善されたものの、本発明例１と比較して耐摩耗性が低下した。したがって、残留圧縮応力を適切な範囲に制御したうえで厚膜化を行うことで、工具寿命の改善につながることが示唆された。
【００７１】
本発明例２６、２７および比較例６１、６２では、硬質皮膜層２で印加したバイアス電圧の大きさが切削性能に及ぼす影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７２】
本発明例２８、２９および比較例６３、６４では、硬質皮膜層２にバイアス電圧を印加した際のパルス波印加方式およびパルス部分での電圧設定値が切削性能に及ぼす影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７３】
本発明例３０、３１および比較例６５、６６ではバイアス電圧をパルス化した際の周波数の影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様の傾向であった。
【００７４】
本発明例３２〜３６および比較例６７〜７１では、硬質皮膜層１に対する添加元素の影響を調査した。これらは硬質皮膜層１の場合と同様であった。
【００７５】
従来例７２、７３は何れも直流バイアス電圧条件下にて成膜を行い、膜厚が３μｍ程度であったため、工具寿命は短かった。膜厚は工具寿命に大きな影響を及ぼすが、硬質皮膜の物性を適正な範囲に制御できなければ、産業上の優位点は得られないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の硬質皮膜被覆切削工具は、例えば、金属部品や金型等の加工などの用途に好適であり、特に高送り切削加工や高送りの高速切削加工等の非常に厳しい耐摩耗性や耐欠損性が要求される用途に使用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１ 硬質皮膜層１
２ 硬質皮膜層２
３ 基材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は物理的蒸着によって成膜された２層構造を有し、該２層構造は表面側に被覆された硬質皮膜層１、及び基材側に被覆された硬質皮膜層２を有して構成され、該硬質皮膜層１の組成は（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．５≦ａ≦０．７５、及び０．４５≦ｘ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層１のＸ線回折における（１１１）面の半価幅をＷ１（度）としたとき、０．７≦Ｗ１≦１．１であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｒ、（２００）面のピーク強度Ｉｓ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｔとしたとき、０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１であり、該硬質皮膜層２の組成は、（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．４≦ｂ≦０．６、及び０．４５≦ｙ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層２のＸ線回折における（２００）面の半価幅をＷ２（度）としたとき、０．４≦Ｗ２≦０．６であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｕ、（２００）面のピーク強度Ｉｖ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｗとしたとき、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４であり、Ｘ線回折における該硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）及び該硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であり、該硬質皮膜層１の膜厚をＴ１（μｍ）、および該硬質皮膜層２の膜厚をＴ２（μｍ）としたとき、５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２、Ｔ１＜Ｔ２、であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項２】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は膜厚方向が長手方向となる柱状結晶粒を有し、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１との界面において、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１とを横断する柱状結晶粒を有していることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項３】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換したことを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項４】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換したことを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項１】
超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は物理的蒸着によって成膜された２層構造を有し、該２層構造は表面側に被覆された硬質皮膜層１、及び基材側に被覆された硬質皮膜層２を有して構成され、該硬質皮膜層１の組成は（ＡｌａＣｒ１−ａ）１−ｘＮｘ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．５≦ａ≦０．７５、及び０．４５≦ｘ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層１のＸ線回折における（１１１）面の半価幅をＷ１（度）としたとき、０．７≦Ｗ１≦１．１であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｒ、（２００）面のピーク強度Ｉｓ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｔとしたとき、０．３≦Ｉｓ／Ｉｒ＜１、及び０．３≦Ｉｔ／Ｉｒ＜１であり、該硬質皮膜層２の組成は、（ＴｉｂＡｌ１−ｂ）１−ｙＮｙ（但し、夫々の元素の含有量は原子比であり、０．４≦ｂ≦０．６、及び０．４５≦ｙ≦０．５５である。）で表され、該硬質皮膜層２のＸ線回折における（２００）面の半価幅をＷ２（度）としたとき、０．４≦Ｗ２≦０．６であり、（１１１）面のピーク強度Ｉｕ、（２００）面のピーク強度Ｉｖ、及び（２２０）面のピーク強度Ｉｗとしたとき、５≦Ｉｖ／Ｉｕ≦１５、及び２≦Ｉｗ／Ｉｕ≦４であり、Ｘ線回折における該硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）及び該硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、０．９９０≦ａ１／ａ２≦０．９９９であり、該硬質皮膜層１の膜厚をＴ１（μｍ）、および該硬質皮膜層２の膜厚をＴ２（μｍ）としたとき、５≦Ｔ１＋Ｔ２≦１２、Ｔ１＜Ｔ２、であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項２】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜は膜厚方向が長手方向となる柱状結晶粒を有し、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１との界面において、該硬質皮膜層２と該硬質皮膜層１とを横断する柱状結晶粒を有していることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項３】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜層１のＡｌ及びＣｒのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換したことを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【請求項４】
請求項１に記載の硬質皮膜被覆切削工具において、該硬質皮膜層２のＴｉ及びＡｌのうちの少なくとも１種の元素について、夫々１０原子％以下の範囲でＳｉ、Ｂ、Ｖ、Ｎｂ、及びＷのうちから選択される少なくとも１種の元素で置換したことを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１１−１６７８３８（Ｐ２０１１−１６７８３８Ａ）
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７４３２（Ｐ２０１１−７４３２）
【出願日】平成２３年１月１８日（２０１１．１．１８）
【出願人】（０００２３３０６６）日立ツール株式会社 (299)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月１日（２０１１．９．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月１８日（２０１１．１．１８）
【出願人】（０００２３３０６６）日立ツール株式会社 (299)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]