粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープ
【課題】接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックア
ップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提
供する。
【解決手段】本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘
着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である
。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設け
られた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有する
ウエハ加工用テープであって、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下で
ある。
ップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープを提
供する。
【解決手段】本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘
着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である
。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設け
られた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有する
ウエハ加工用テープであって、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下で
ある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハを半導体チップに切断し、半導体装置を製造するために使用す
る粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程に使用される半導体ウエハ加工用テープとして、粘着フィルム（
ダイシングテープ）に、接着剤層（ダイボンディングフィルム）が積層された構造を有す
る半導体ウエハ加工用テープが提案され（例えば、特許文献１参照）、既に実用化されて
いる。
【０００３】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後
、半導体ウエハをダイシングブレードを用いてチップ単位に切断（ダイシング）する工程
、半導体ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップを接着剤
層とともに粘着剤層からピックアップする工程、チップに付着した接着剤層を介してチッ
プを基板等に実装する工程が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０２−３２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の半導体ウエハ加工用テープでは、輸送中や保管
中に接着剤層が空気中の水分を吸収して軟らかくなり、切削性が低下する場合があった。
このような場合には、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑が発生し、これらの切削屑が基材
フィルムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピッ
クアップ時に、ピックアップしようとするチップに隣接するチップが付随してピックアッ
プされてしまうピックアップミス（ダブルダイ）が発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化すること
を低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエ
ハ加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上
に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄ
ａｙ以下であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設け
られた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有
するウエハ加工用テープであって、前記粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａ
ｙ以下であることを特徴とする。
【０００９】
また、前記半導体ウエハ加工用テープにおいて、前記粘着フィルムと前記接着剤層とを
合わせた吸水率が２．０体積％以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープは、粘着フィルムに接着剤層が接
合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化す
ることを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の半導体ウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、半導体ウエハ加工用テープに、半導体ウエハＷとリングフレームが貼り合わされた状態を示す断面図であり、（ｂ）は、ダイシング後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図であり、（ｃ）は、エキスパンド後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の形態に係る半導体ウエハ加工用テープ１５は、図１に示すように、基材フィル
ム１１の上に、粘着剤層１２が積層された粘着フィルム１４を有し、粘着剤層１２の上に
接着剤層１３が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムである。なお、粘着剤
層１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット
）されていてもよい。ウエハＷ（図２（ａ）参照）に応じてプリカットされた接着剤層１
３を積層した場合、ウエハＷが貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング
用のリングフレーム２０（図２（ａ）参照）が貼り合わされる部分には接着剤層１３がな
く粘着剤層１２のみが存在することになる。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにく
いため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着剤
層１２に貼り合わすことができ、使用後のリングフレーム２０への糊残りを生じにくいと
いう効果が得られる。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５は、ウエハ１枚分ご
とに切断され積層された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取
った形態とを含む。以下に、基材フィルム１１、粘着剤層１２、及び接着剤層１３につい
てそれぞれ詳細に説明する。
【００１３】
＜基材フィルム＞
基材フィルムを構成する材料としては、特に限定されないが、ポリオレフィン及びポリ
塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【００１４】
上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共
重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００１５】
後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着力が低下するタイプを用いる場
合には、基材フィルムは、放射線透過性であることが好ましい。基材フィルムの厚さは、
強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３００μｍであることが好ま
しい。また、基材フィルムは、単層であっても、複数層で構成されていてもよい。
【００１６】
＜粘着剤層＞
粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層とし
ては特に制限はなく、エキスパンドの際に接着剤層及び半導体ウエハが剥離したりしない
程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであ
ればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好まし
い。
【００１７】
例えば、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹
脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸
エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体
、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマ
ー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好まし
い。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定さ
れるものではなく適宜に設定してよいが、１〜３０μｍが好ましい。
【００１８】
重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合
基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトール
テトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、
１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オ
リゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エ
ステル類の共重合体等が適用可能である。
【００１９】
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマ
ーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型または
ポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４
−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレン
ジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジ
イソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピル
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘
着剤層には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。また、以上に
挙げた粘着剤の材料は、表面自由エネルギーを４０ｍJ／ｍ２以下とするうえで、トリフ
ルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構
造中に含むことが望ましい。
【００２０】
なお、粘着剤層の樹脂には、放射線を基材フィルムに照射して粘着剤層を硬化させる放
射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着
剤を調製することもできる。
【００２１】
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベ
ンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシ
ルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重
合体１００質量部に対して０．０１〜３０質量部が好ましく、１〜１０重量部がより好ま
しい。
【００２２】
なお、粘着剤中に低分子成分が存在していると、基材フィルム製造後に長期保管してい
る間に、低分子成分が粘着剤層表面に移行し粘接着特性を損なう恐れがあるため、ゲル分
率が高いことが望ましく、通常６０％以上、好ましくは７０％以上である。ここで、ゲル
分率とは、以下のように算出されるものをいう。粘着剤層約０．０５ｇを秤取し、キシレ
ン５０ｍｌに１２０℃で２４時間浸漬した後、２００メッシュのステンレス製金網で濾過
し、金網上の不溶解分を１１０℃にて１２０分間乾燥する。次に、乾燥した不溶解分の質
量を秤量し、下記に示す式１にてゲル分率を算出する。
ゲル分率（％）＝（不溶解分の質量／秤取した粘着剤層の質量）×１００ （式１）
【００２３】
粘着フィルムの透湿度は、１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である。このように、粘着フ
ィルムの透湿度を１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下とすることにより、半導体ウエハ加工用
テープが、ウエハ１枚分ごとに切断され積層された状態、あるいは長尺のシートをロール
状に巻き取った状態で輸送・保管される最中に、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過し
にくくなるため、接着剤層に到達する水分量が減少し、接着剤層の軟化が低減される。こ
のため、ダイシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、これらの切削屑が基材フィル
ムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピックアッ
プ時にピックアップミスが発生するのを抑制することができる。
【００２４】
粘着フィルムの透湿度を低下させるには、基材フィルムに用いるポリマーとして、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンナフタレート等透湿度の低いポリマーを使用す
るとよい。また、基材フィルムの厚みを大きくすることにより、粘着フィルムの透湿度を
低下させることもできる。さらに、粘着フィルムの透湿度を低下させるには、粘着剤層の
厚さを厚くするとよい。また、粘着剤層の架橋密度を上げることにより透湿度を低下させ
ることもできる。架橋密度を下げるためには、硬化剤量を増加、または粘着剤層に水酸基
の多いポリマーを使用すればよい。
【００２５】
＜接着剤層＞
接着剤層は、半導体ウエハが貼り合わされ切断された後、チップをピックアップする際
に、切断された接着剤層が粘着剤層から剥離してチップに付着しており、チップをパッケ
ージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものであ
る。
【００２６】
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公
知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂
、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポ
リエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、
塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアク
リルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができるが、接着剤層１３
の分断性をよくするためには、アクリル系共重合体、エポキシ樹脂を含み、アクリル系共
重合体のＴｇが１０℃以上であることが好ましい。さらには、無機フィラーを５０％以上
含有することが好ましい。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するため
に、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその
混合物に加えることが望ましい。接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常
５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００２７】
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基
以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂
が使用できる。また、好ましくは分子量が５００以上、より好ましくは８００以上のエポ
キシ樹脂が使用できる。
【００２８】
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオー
ルのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール
類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加
物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エ
ポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもでき
る。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性
を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００２９】
アクリル系共重合体としては、例えば、エポキシ基含有アクリル共重合体を用いること
ができる。エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレ
ート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含む。高い接着力を得るためには
、０．５重量％以上が好ましく、６重量％以下であればゲル化を抑制できる。
【００３０】
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの
量は０．５〜６重量％の共重合体比である。つまり、本発明においてエポキシ基含有アク
リル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、
得られる共重合体に対し０．５〜６重量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その
残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有
するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリ
ルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び
／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮
して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重
合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。エポキシ基含有アクリル共重
合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、
３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。
３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材
に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準
ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３１】
無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸
化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミ
ウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、１種
又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。特性のバラン
スの観点ではシリカが好ましい。
【００３２】
フィラーの平均粒径は、０．００２〜２μｍであることが好ましく、０．００８〜０．
５μｍであることがより好ましく、０．０１〜０．０５μｍであることがさらに好ましい
。フィラーの平均粒径が０．００２μｍ未満であると被着体へのぬれ性が低下し、接着性
が低下する傾向があり、２μｍを超えるとフィラー添加による補強効果が小さくなり、耐
熱性が低下する傾向がある。ここで、平均粒径とは、ＴＥＭ、ＳＥＭ等により測定したフ
ィラー１００個の粒径から求められる平均値をいう。
【００３３】
半導体ウエハ加工用テープは、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性を良くする観点から
、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下とすることが好ましい
。従来、ピックアップ時に、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をしやすくするために、ウ
エハ加工用テープの下側からピンによって半導体チップを突き上げ力や突き上げ高さを大
きくすることが行われているが、近年、半導体チップが薄くなる傾向にあり、半導体チッ
プが薄い場合に、突き上げ力を大きくすると、チップが破損してしまうという問題もあっ
た。粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下であると、接着剤層
が軟化して、切削の際に粘着剤層と共に癒着したり、粘着フィルムが吸収した水分が接着
剤層へと移行して、両者が癒着するのを低減することができるので、粘着剤層と接着剤層
との間の剥離性が良くなる。このため、ピンによる突き上げ力を大きくする必要がないた
め、半導体チップが薄い場合であっても、良好にピックアップすることができる。
【００３４】
粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率を低下させるためには、基材フィルムに用
いるポリマーとして、ポリプロピレン、ポリエチレン等吸水率の低いポリマーを使用する
とよい。また、基材フィルムの厚みを小さくすることにより、吸水率を低下させることも
できる。また、粘着剤層は、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシル基などの
官能基やアミド結合、エーテル結合部分を少なくし、メチル基やアリール基の導入量を増
やすことで、吸水率を低下させることができる。また、接着剤層に、アクリル等吸水率の
低いポリマーを用いることにより、吸水率を低下させることもできる。また、接着剤層に
用いるエポキシやフェノール等について、分子量の低いものを用いることにより、吸水率
を低下させることもできる。さらには、接着剤層に含まれる無機フィラーの量を低減する
ことによっても、吸水率を低下させることもできる。
【００３５】
次に、図１に示す本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５を使用して、接着剤層付き半
導体チップを製造する方法について、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
（貼合工程）
まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ加工用テープ１５の接着剤層１３に半導
体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層１２の所定位置にリングフレーム２
０を貼り合わせる。
【００３７】
（ダイシング工程）
吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１５を基材フィルム１１面側から吸着支
持し、図示しないブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チ
ップＣに分割する（図２（ｂ））。なお、このとき、接着剤層１３や粘着剤層１２、基材
フィルム１１の一部も適宜ダイシングされる。このとき、粘着フィルムの透湿度を１０．
０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるため、半導体ウエハ加工用テープの輸送・保管中に、空気
中の水蒸気が外側から内側へ透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ヒゲ
状の切削屑の発生が低減される。
【００３８】
（照射工程）
そして、放射線を基材フィルム１１の下面から粘着剤層１２に照射して粘着剤層１２を
硬化させる。硬化させた粘着剤層１２は粘着力が低下するため、粘着剤層１２上の接着剤
層１３を剥離させることが可能となる。なお、粘着剤層を複数の層で構成する場合、接着
剤層１３を粘着剤層１２から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少
なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。
【００３９】
（エキスパンド工程）
照射工程の後、分割された複数の半導体チップＣを保持する半導体ウエハ加工用テープ
１５をエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。そして、図２（ｃ）に示すように
、中空円柱形状の突き上げ部材２３を、半導体ウエハ加工用テープ１５の下面側から上昇
させ、上記粘着フィルム１４をリングフレーム２０の径方向及び周方向に引き伸ばす。
【００４０】
（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルム１４をエキスパンドした状態のままで、
チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１
４の下側からチップＣをピン（図示しない）によって突き上げるとともに、粘着フィルム
１４の上面側から吸着冶具（図示しない）でチップＣを吸着することで、個片化されたチ
ップＣを接着剤層１３とともにピックアップする。ダイシング工程において接着剤層１３
のヒゲ状の切削屑の発生が低減されるため、これらの切削屑が基材フィルム１１や粘着剤
層１２の切削屑とともに隣接するチップ間で融着して、ピックアップミスが発生するのを
抑制することができる。さらに、粘着フィルム１４と接着剤層１３とを合わせた吸水率が
２．０体積％以下である場合は、粘着剤層１２と接着剤層１３との間の剥離がし易くなる
ため、半導体チップＣの厚みが薄い場合であっても、良好にピックアップされる。
【００４１】
（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的に
は、ピックアップ工程でチップＣとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チ
ップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
【００４２】
以上より、粘着フィルムに接着剤層が接合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が
空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑
制することができる。
【００４３】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００４４】
（粘着フィルムの調製）
（粘着フィルム１）
５０℃で４８時間、あらかじめ乾燥した低密度ポリエチレン（ノバテックＬＬ（日本ポ
リエチレン株式会社製、商品名））を溶融し、押出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フ
ィルム状に基材フィルムを成形した。溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ−ブチルアクリレ
ート１２８ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７
ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜
、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつポリマー溶液を得た
。次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合
物として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反
応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ
）の溶液を得た。続いて、化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリ
イソシアネート（コロネートＬ（日本ポリウレタン社製、商品名））１質量部を加え、光
重合開始剤（イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製、商品名））０．５質量部、
溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、放射線硬化性
の粘着剤組成物を調製した。成形した基材フィルム上に、前記粘着剤組成物を乾燥後の膜
厚が１０μｍとなるように塗工し、１１０℃で１０分間乾燥して粘着フィルム１を得た。
（粘着フィルム２）
低密度ポリエチレンに代えて高密度ポリエチレン（ノバテックＨＤ（日本ポリエチレン
株式会社製、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム２を
得た。
（粘着フィルム３）
基材フィルムの膜厚を７０μｍとした他は、粘着フィルム２と同様にして粘着フィルム
３を得た。
（粘着フィルム４）
基材フィルムの膜厚を７０μｍとした他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム
４を得た。
（粘着フィルム５）
低密度ポリエチレンに代えてＥＶＡ（ノバテックＥＶＡ（日本ポリエチレン株式会社製
、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム５を得た。
（粘着フィルム６）
低密度ポリエチレンに代えてポリプロピレン（ノバテックＰＰ（日本ポリプロ株式会社
製、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム６を得た。
（粘着フィルム７）
低密度ポリエチレンに代えてポリアミド（ナイロンＭＸＤ６（三菱ガス化学株式会社製
、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム７を得た。
【００４５】
（接着フィルムの調整）
（接着フィルム１）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子
量１２００、軟化点７０℃）１５重量部、アクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラ
ス転移温度−１７℃）７０重量部、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基当量
１０４、軟化点８０℃）１５重量部、促進剤として２−フェニルイミダゾール（キュアゾ
ール２ＰＺ（四国化成株式会社製、商品名））１部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを
得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルム上に塗布し、１２０℃で１０分間加熱乾燥して接着フィルム１を作製した。
（接着フィルム２）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子
量１２００、軟化点７０℃）５重量部、シランカップリング剤として３−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン０．５質量部、平均粒径１．０μmのシリカフィラー５０質量
部、アクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）４０質量部、硬
化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点８０℃）５重量部、促
進剤として２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ（四国化成株式会社製、商品
名））１部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ５
０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１２０℃で１０分
間加熱乾燥して接着フィルム２を作製した。
（接着フィルム３）
アクリル樹脂の代わりに２，２´−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリッ
ト酸より合成された質量平均分子量５万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム
２と同様に作製した。
（接着フィルム４）
アクリル樹脂の代わりに２，２´−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリッ
ト酸より合成された質量平均分子量５万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム
１と同様に作製した。
【００４６】
（第１実施例）
粘着フィルム１〜５及び接着フィルム１を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円
形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最
後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表１の組合せのダイシング
・ダイボンディングフィルム（実施例１〜３、比較例１〜２）を得た。
【００４７】
＜透湿度＞
粘着フィルム１〜５について、ＪＩＳ Ｋ７１２９−Ｃ（ガスクロマトグラフ法による
水蒸気透過度測定）に基づいて透湿度を測定した。測定条件は温度２５±０．５℃、相対
湿度差９０±２％とした。その結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
＜ピックアップ性試験＞
上記実施例１〜３、比較例１〜２に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを３０
０枚ずつ重ね、７２時間、温度２５度、湿度７０％ＲＨの雰囲気中に放置した後、それぞ
れ上から１０枚目のダイシングダイボンドフィルムを、厚み１００μｍ及び７５μｍのウ
エハに７０℃で１０秒間加熱し貼合した後、１０×１０ｍｍにダイシングした。その後、
粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した後、ウエハ中央
部のチップ２５０個について、ダイボンダー装置（ＣＰＳ−１００ＦＭ（ＮＥＣマシナリ
ー株式会社製、商品名））によるピックアップ試験を行った。粘着剤層から剥離した接着
剤層が保持されたチップが、隣接するチップが付随することなくピックアップされた場合
をピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が９９％以上であれば良として
判定して○印で表し、９９％未満の場合は不良と判定して×印で表した。これらの結果を
表２に示す。
【００５０】
【表２】
【００５１】
比較例１〜２では、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙを越えているた
め、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過して接着剤層が吸水することにより軟化し、ダ
イシング時にヒゲ状の切削屑が発生して、ダブルダイによるピックアップミスが多発した
。これに対して、実施例１〜３では、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ
以下であり、空気中の水蒸気が透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ダ
イシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、ピックアップミスが十分に減少した。
【００５２】
（第２実施例）
粘着フィルム１，６〜７及び接着フィルム１〜４を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍ
ｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせ
た。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表３の組合せのダイ
シング・ダイボンディングフィルム（実施例４〜７、比較例３〜４）を得た。粘着フィル
ム１，６〜７について、第１実施例と同様に透湿度試験を行い、全ての粘着フィルムにつ
いて透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを確認した。
【００５３】
＜吸水率＞
上記実施例４〜７、比較例３〜４に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを、５
０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り出してサンプルとした。このサンプルを５０℃のオーブ
ンで２４時間乾燥させたものを、デシケーターで室温まで冷却し重量を測定した。その後
、２３±１．０℃の蒸留水中にサンプルを２４時間浸漬し、取り出してカールフィッシャ
ー水分計により吸水率を算出した。その結果を表３に示す。
【００５４】
【表３】
【００５５】
＜ピックアップ性試験＞
実施例１，４〜６、比較例３〜４に係るダイシング・ダイボンディングフィルムについ
て、上述の第１実施例と同様にピックアップ試験を行った。ただし、ウエハの厚みは１０
０μｍ及び５０μｍとした。ピックアップされたチップに粘着剤層から剥離した接着フィ
ルムが保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が９
９％以上であれば良として判定して○印で表し、９９％未満の場合は不良と判定して×印
で表した。これらの結果を表４に示す。
【００５６】
【表４】
【００５７】
比較例３〜４は、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるため、
厚みが１００μｍのウエハについては、良好にピックアップできたが、粘着フィルムと接
着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％を越えているため、粘着剤層と接着剤層との間
の剥離性が悪く、厚みが５０μｍのウエハについてはピックアップミスが多発した。これ
に対して、実施例４〜７では、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積
％以下であり、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性が良いため、厚みが５０μｍと薄いウ
エハについてもピックアップミスが十分に減少した。
【符号の説明】
【００５８】
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１４：粘着フィルム
１５：半導体ウエハ加工用テープ
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：吸着ステージ
２３：突き上げ部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハを半導体チップに切断し、半導体装置を製造するために使用す
る粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程に使用される半導体ウエハ加工用テープとして、粘着フィルム（
ダイシングテープ）に、接着剤層（ダイボンディングフィルム）が積層された構造を有す
る半導体ウエハ加工用テープが提案され（例えば、特許文献１参照）、既に実用化されて
いる。
【０００３】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハに半導体ウエハ加工用テープを貼り付けた後
、半導体ウエハをダイシングブレードを用いてチップ単位に切断（ダイシング）する工程
、半導体ウエハ加工用テープをエキスパンドする工程、さらに切断されたチップを接着剤
層とともに粘着剤層からピックアップする工程、チップに付着した接着剤層を介してチッ
プを基板等に実装する工程が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０２−３２１８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載の半導体ウエハ加工用テープでは、輸送中や保管
中に接着剤層が空気中の水分を吸収して軟らかくなり、切削性が低下する場合があった。
このような場合には、ダイシング時に、ヒゲ状の切削屑が発生し、これらの切削屑が基材
フィルムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピッ
クアップ時に、ピックアップしようとするチップに隣接するチップが付随してピックアッ
プされてしまうピックアップミス（ダブルダイ）が発生するという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化すること
を低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる粘着フィルム及び半導体ウエ
ハ加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の粘着フィルムは、基材フィルムと該基材フィルム上
に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであって、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄ
ａｙ以下であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体ウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設け
られた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有
するウエハ加工用テープであって、前記粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａ
ｙ以下であることを特徴とする。
【０００９】
また、前記半導体ウエハ加工用テープにおいて、前記粘着フィルムと前記接着剤層とを
合わせた吸水率が２．０体積％以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の粘着フィルム及び半導体ウエハ加工用テープは、粘着フィルムに接着剤層が接
合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が空気中の水分を吸収することにより軟化す
ることを低減し、ピックアップミスの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の半導体ウエハ加工用テープの一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、半導体ウエハ加工用テープに、半導体ウエハＷとリングフレームが貼り合わされた状態を示す断面図であり、（ｂ）は、ダイシング後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図であり、（ｃ）は、エキスパンド後の半導体ウエハ加工用テープと半導体ウエハを示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本実施の形態に係る半導体ウエハ加工用テープ１５は、図１に示すように、基材フィル
ム１１の上に、粘着剤層１２が積層された粘着フィルム１４を有し、粘着剤層１２の上に
接着剤層１３が積層されたダイシング・ダイボンディングフィルムである。なお、粘着剤
層１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット
）されていてもよい。ウエハＷ（図２（ａ）参照）に応じてプリカットされた接着剤層１
３を積層した場合、ウエハＷが貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング
用のリングフレーム２０（図２（ａ）参照）が貼り合わされる部分には接着剤層１３がな
く粘着剤層１２のみが存在することになる。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにく
いため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着剤
層１２に貼り合わすことができ、使用後のリングフレーム２０への糊残りを生じにくいと
いう効果が得られる。また、本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５は、ウエハ１枚分ご
とに切断され積層された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール状に巻き取
った形態とを含む。以下に、基材フィルム１１、粘着剤層１２、及び接着剤層１３につい
てそれぞれ詳細に説明する。
【００１３】
＜基材フィルム＞
基材フィルムを構成する材料としては、特に限定されないが、ポリオレフィン及びポリ
塩化ビニルから選択されることが好ましい。
【００１４】
上記ポリオレフィンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン
共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エ
チレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共
重合体あるいはこれらの混合物などが挙げられる。
【００１５】
後述する粘着剤層として放射線照射により硬化し、粘着力が低下するタイプを用いる場
合には、基材フィルムは、放射線透過性であることが好ましい。基材フィルムの厚さは、
強度およびチップのピックアップ性確保の観点から、５０〜３００μｍであることが好ま
しい。また、基材フィルムは、単層であっても、複数層で構成されていてもよい。
【００１６】
＜粘着剤層＞
粘着剤層は、基材フィルム上に粘着剤を塗工して製造することができる。粘着剤層とし
ては特に制限はなく、エキスパンドの際に接着剤層及び半導体ウエハが剥離したりしない
程度の保持性や、ピックアップ時には接着剤層と剥離が容易とする特性を有するものであ
ればよい。ピックアップ性を向上させるために、粘着剤層は放射線硬化性のものが好まし
い。
【００１７】
例えば、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹
脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸
エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体
、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマ
ー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好まし
い。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定さ
れるものではなく適宜に設定してよいが、１〜３０μｍが好ましい。
【００１８】
重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合
基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトール
テトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、
１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オ
リゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エ
ステル類の共重合体等が適用可能である。
【００１９】
また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマ
ーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型または
ポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４
−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレン
ジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジ
イソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピル
アクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリ
レート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘
着剤層には、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。また、以上に
挙げた粘着剤の材料は、表面自由エネルギーを４０ｍJ／ｍ２以下とするうえで、トリフ
ルオロメチル基、ジメチルシリル基、長鎖アルキル基等の無極性基をなるべく多く分子構
造中に含むことが望ましい。
【００２０】
なお、粘着剤層の樹脂には、放射線を基材フィルムに照射して粘着剤層を硬化させる放
射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着
剤を調製することもできる。
【００２１】
光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベ
ンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシ
ルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェ
ニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重
合体１００質量部に対して０．０１〜３０質量部が好ましく、１〜１０重量部がより好ま
しい。
【００２２】
なお、粘着剤中に低分子成分が存在していると、基材フィルム製造後に長期保管してい
る間に、低分子成分が粘着剤層表面に移行し粘接着特性を損なう恐れがあるため、ゲル分
率が高いことが望ましく、通常６０％以上、好ましくは７０％以上である。ここで、ゲル
分率とは、以下のように算出されるものをいう。粘着剤層約０．０５ｇを秤取し、キシレ
ン５０ｍｌに１２０℃で２４時間浸漬した後、２００メッシュのステンレス製金網で濾過
し、金網上の不溶解分を１１０℃にて１２０分間乾燥する。次に、乾燥した不溶解分の質
量を秤量し、下記に示す式１にてゲル分率を算出する。
ゲル分率（％）＝（不溶解分の質量／秤取した粘着剤層の質量）×１００ （式１）
【００２３】
粘着フィルムの透湿度は、１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である。このように、粘着フ
ィルムの透湿度を１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下とすることにより、半導体ウエハ加工用
テープが、ウエハ１枚分ごとに切断され積層された状態、あるいは長尺のシートをロール
状に巻き取った状態で輸送・保管される最中に、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過し
にくくなるため、接着剤層に到達する水分量が減少し、接着剤層の軟化が低減される。こ
のため、ダイシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、これらの切削屑が基材フィル
ムや粘着剤層の切削屑とともにダイシングされ隣接するチップ間で融着して、ピックアッ
プ時にピックアップミスが発生するのを抑制することができる。
【００２４】
粘着フィルムの透湿度を低下させるには、基材フィルムに用いるポリマーとして、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンナフタレート等透湿度の低いポリマーを使用す
るとよい。また、基材フィルムの厚みを大きくすることにより、粘着フィルムの透湿度を
低下させることもできる。さらに、粘着フィルムの透湿度を低下させるには、粘着剤層の
厚さを厚くするとよい。また、粘着剤層の架橋密度を上げることにより透湿度を低下させ
ることもできる。架橋密度を下げるためには、硬化剤量を増加、または粘着剤層に水酸基
の多いポリマーを使用すればよい。
【００２５】
＜接着剤層＞
接着剤層は、半導体ウエハが貼り合わされ切断された後、チップをピックアップする際
に、切断された接着剤層が粘着剤層から剥離してチップに付着しており、チップをパッケ
ージ基板やリードフレームに固定する際のボンディングフィルムとして機能するものであ
る。
【００２６】
接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公
知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂
、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポ
リエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、
塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアク
リルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができるが、接着剤層１３
の分断性をよくするためには、アクリル系共重合体、エポキシ樹脂を含み、アクリル系共
重合体のＴｇが１０℃以上であることが好ましい。さらには、無機フィラーを５０％以上
含有することが好ましい。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するため
に、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその
混合物に加えることが望ましい。接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常
５〜１００μｍ程度が好ましい。
【００２７】
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであれば特に制限はないが、二官能基
以上で、好ましくは分子量が５０００未満、より好ましくは３０００未満のエポキシ樹脂
が使用できる。また、好ましくは分子量が５００以上、より好ましくは８００以上のエポ
キシ樹脂が使用できる。
【００２８】
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオー
ルのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール
類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加
物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エ
ポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもでき
る。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性
を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００２９】
アクリル系共重合体としては、例えば、エポキシ基含有アクリル共重合体を用いること
ができる。エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレ
ート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６重量％含む。高い接着力を得るためには
、０．５重量％以上が好ましく、６重量％以下であればゲル化を抑制できる。
【００３０】
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの
量は０．５〜６重量％の共重合体比である。つまり、本発明においてエポキシ基含有アク
リル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、
得られる共重合体に対し０．５〜６重量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その
残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有
するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリ
ルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び
／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮
して調整することが好ましい。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重
合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。エポキシ基含有アクリル共重
合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、
３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。
３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材
に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準
ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３１】
無機フィラーとしては特に制限が無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシ
ウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸
化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミ
ウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられる。これらは、１種
又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。特性のバラン
スの観点ではシリカが好ましい。
【００３２】
フィラーの平均粒径は、０．００２〜２μｍであることが好ましく、０．００８〜０．
５μｍであることがより好ましく、０．０１〜０．０５μｍであることがさらに好ましい
。フィラーの平均粒径が０．００２μｍ未満であると被着体へのぬれ性が低下し、接着性
が低下する傾向があり、２μｍを超えるとフィラー添加による補強効果が小さくなり、耐
熱性が低下する傾向がある。ここで、平均粒径とは、ＴＥＭ、ＳＥＭ等により測定したフ
ィラー１００個の粒径から求められる平均値をいう。
【００３３】
半導体ウエハ加工用テープは、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性を良くする観点から
、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下とすることが好ましい
。従来、ピックアップ時に、粘着剤層と接着剤層との間の剥離をしやすくするために、ウ
エハ加工用テープの下側からピンによって半導体チップを突き上げ力や突き上げ高さを大
きくすることが行われているが、近年、半導体チップが薄くなる傾向にあり、半導体チッ
プが薄い場合に、突き上げ力を大きくすると、チップが破損してしまうという問題もあっ
た。粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下であると、接着剤層
が軟化して、切削の際に粘着剤層と共に癒着したり、粘着フィルムが吸収した水分が接着
剤層へと移行して、両者が癒着するのを低減することができるので、粘着剤層と接着剤層
との間の剥離性が良くなる。このため、ピンによる突き上げ力を大きくする必要がないた
め、半導体チップが薄い場合であっても、良好にピックアップすることができる。
【００３４】
粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率を低下させるためには、基材フィルムに用
いるポリマーとして、ポリプロピレン、ポリエチレン等吸水率の低いポリマーを使用する
とよい。また、基材フィルムの厚みを小さくすることにより、吸水率を低下させることも
できる。また、粘着剤層は、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシル基などの
官能基やアミド結合、エーテル結合部分を少なくし、メチル基やアリール基の導入量を増
やすことで、吸水率を低下させることができる。また、接着剤層に、アクリル等吸水率の
低いポリマーを用いることにより、吸水率を低下させることもできる。また、接着剤層に
用いるエポキシやフェノール等について、分子量の低いものを用いることにより、吸水率
を低下させることもできる。さらには、接着剤層に含まれる無機フィラーの量を低減する
ことによっても、吸水率を低下させることもできる。
【００３５】
次に、図１に示す本発明の半導体ウエハ加工用テープ１５を使用して、接着剤層付き半
導体チップを製造する方法について、図２を参照しながら説明する。
【００３６】
（貼合工程）
まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ加工用テープ１５の接着剤層１３に半導
体ウエハＷの裏面を貼り合わせるとともに、粘着剤層１２の所定位置にリングフレーム２
０を貼り合わせる。
【００３７】
（ダイシング工程）
吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１５を基材フィルム１１面側から吸着支
持し、図示しないブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チ
ップＣに分割する（図２（ｂ））。なお、このとき、接着剤層１３や粘着剤層１２、基材
フィルム１１の一部も適宜ダイシングされる。このとき、粘着フィルムの透湿度を１０．
０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるため、半導体ウエハ加工用テープの輸送・保管中に、空気
中の水蒸気が外側から内側へ透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ヒゲ
状の切削屑の発生が低減される。
【００３８】
（照射工程）
そして、放射線を基材フィルム１１の下面から粘着剤層１２に照射して粘着剤層１２を
硬化させる。硬化させた粘着剤層１２は粘着力が低下するため、粘着剤層１２上の接着剤
層１３を剥離させることが可能となる。なお、粘着剤層を複数の層で構成する場合、接着
剤層１３を粘着剤層１２から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少
なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。
【００３９】
（エキスパンド工程）
照射工程の後、分割された複数の半導体チップＣを保持する半導体ウエハ加工用テープ
１５をエキスパンド装置のステージ２１上に載置する。そして、図２（ｃ）に示すように
、中空円柱形状の突き上げ部材２３を、半導体ウエハ加工用テープ１５の下面側から上昇
させ、上記粘着フィルム１４をリングフレーム２０の径方向及び周方向に引き伸ばす。
【００４０】
（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルム１４をエキスパンドした状態のままで、
チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１
４の下側からチップＣをピン（図示しない）によって突き上げるとともに、粘着フィルム
１４の上面側から吸着冶具（図示しない）でチップＣを吸着することで、個片化されたチ
ップＣを接着剤層１３とともにピックアップする。ダイシング工程において接着剤層１３
のヒゲ状の切削屑の発生が低減されるため、これらの切削屑が基材フィルム１１や粘着剤
層１２の切削屑とともに隣接するチップ間で融着して、ピックアップミスが発生するのを
抑制することができる。さらに、粘着フィルム１４と接着剤層１３とを合わせた吸水率が
２．０体積％以下である場合は、粘着剤層１２と接着剤層１３との間の剥離がし易くなる
ため、半導体チップＣの厚みが薄い場合であっても、良好にピックアップされる。
【００４１】
（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的に
は、ピックアップ工程でチップＣとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チ
ップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
【００４２】
以上より、粘着フィルムに接着剤層が接合されて輸送・保管された場合に、接着剤層が
空気中の水分を吸収することにより軟化することを低減し、ピックアップミスの発生を抑
制することができる。
【００４３】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００４４】
（粘着フィルムの調製）
（粘着フィルム１）
５０℃で４８時間、あらかじめ乾燥した低密度ポリエチレン（ノバテックＬＬ（日本ポ
リエチレン株式会社製、商品名））を溶融し、押出し機を用いて厚さ１００μｍの長尺フ
ィルム状に基材フィルムを成形した。溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ−ブチルアクリレ
ート１２８ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７
ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜
、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつポリマー溶液を得た
。次にこのポリマー溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合
物として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート２．５ｇ、重合禁止剤としてハイドロキノンを適宜滴下量を調整して加え反
応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ
）の溶液を得た。続いて、化合物（Ａ）溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリ
イソシアネート（コロネートＬ（日本ポリウレタン社製、商品名））１質量部を加え、光
重合開始剤（イルガキュアー１８４（日本チバガイギー社製、商品名））０．５質量部、
溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、放射線硬化性
の粘着剤組成物を調製した。成形した基材フィルム上に、前記粘着剤組成物を乾燥後の膜
厚が１０μｍとなるように塗工し、１１０℃で１０分間乾燥して粘着フィルム１を得た。
（粘着フィルム２）
低密度ポリエチレンに代えて高密度ポリエチレン（ノバテックＨＤ（日本ポリエチレン
株式会社製、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム２を
得た。
（粘着フィルム３）
基材フィルムの膜厚を７０μｍとした他は、粘着フィルム２と同様にして粘着フィルム
３を得た。
（粘着フィルム４）
基材フィルムの膜厚を７０μｍとした他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム
４を得た。
（粘着フィルム５）
低密度ポリエチレンに代えてＥＶＡ（ノバテックＥＶＡ（日本ポリエチレン株式会社製
、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム５を得た。
（粘着フィルム６）
低密度ポリエチレンに代えてポリプロピレン（ノバテックＰＰ（日本ポリプロ株式会社
製、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム６を得た。
（粘着フィルム７）
低密度ポリエチレンに代えてポリアミド（ナイロンＭＸＤ６（三菱ガス化学株式会社製
、商品名））を使用した他は、粘着フィルム１と同様にして粘着フィルム７を得た。
【００４５】
（接着フィルムの調整）
（接着フィルム１）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子
量１２００、軟化点７０℃）１５重量部、アクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラ
ス転移温度−１７℃）７０重量部、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基当量
１０４、軟化点８０℃）１５重量部、促進剤として２−フェニルイミダゾール（キュアゾ
ール２ＰＺ（四国化成株式会社製、商品名））１部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを
得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルム上に塗布し、１２０℃で１０分間加熱乾燥して接着フィルム１を作製した。
（接着フィルム２）
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子
量１２００、軟化点７０℃）５重量部、シランカップリング剤として３−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン０．５質量部、平均粒径１．０μmのシリカフィラー５０質量
部、アクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）４０質量部、硬
化剤としてフェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点８０℃）５重量部、促
進剤として２−フェニルイミダゾール（キュアゾール２ＰＺ（四国化成株式会社製、商品
名））１部を有機溶剤中で攪拌し接着剤ワニスを得た。得られた接着剤ワニスを、厚さ５
０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、１２０℃で１０分
間加熱乾燥して接着フィルム２を作製した。
（接着フィルム３）
アクリル樹脂の代わりに２，２´−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリッ
ト酸より合成された質量平均分子量５万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム
２と同様に作製した。
（接着フィルム４）
アクリル樹脂の代わりに２，２´−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プ
ロパン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び無水ピロメリッ
ト酸より合成された質量平均分子量５万のポリイミド樹脂を使用した他は、接着フィルム
１と同様に作製した。
【００４６】
（第１実施例）
粘着フィルム１〜５及び接着フィルム１を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円
形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最
後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表１の組合せのダイシング
・ダイボンディングフィルム（実施例１〜３、比較例１〜２）を得た。
【００４７】
＜透湿度＞
粘着フィルム１〜５について、ＪＩＳ Ｋ７１２９−Ｃ（ガスクロマトグラフ法による
水蒸気透過度測定）に基づいて透湿度を測定した。測定条件は温度２５±０．５℃、相対
湿度差９０±２％とした。その結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】
＜ピックアップ性試験＞
上記実施例１〜３、比較例１〜２に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを３０
０枚ずつ重ね、７２時間、温度２５度、湿度７０％ＲＨの雰囲気中に放置した後、それぞ
れ上から１０枚目のダイシングダイボンドフィルムを、厚み１００μｍ及び７５μｍのウ
エハに７０℃で１０秒間加熱し貼合した後、１０×１０ｍｍにダイシングした。その後、
粘着剤層に紫外線を空冷式高圧水銀灯により２００ｍＪ／ｃｍ２照射した後、ウエハ中央
部のチップ２５０個について、ダイボンダー装置（ＣＰＳ−１００ＦＭ（ＮＥＣマシナリ
ー株式会社製、商品名））によるピックアップ試験を行った。粘着剤層から剥離した接着
剤層が保持されたチップが、隣接するチップが付随することなくピックアップされた場合
をピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が９９％以上であれば良として
判定して○印で表し、９９％未満の場合は不良と判定して×印で表した。これらの結果を
表２に示す。
【００５０】
【表２】
【００５１】
比較例１〜２では、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙを越えているた
め、空気中の水蒸気が外側から内側へ透過して接着剤層が吸水することにより軟化し、ダ
イシング時にヒゲ状の切削屑が発生して、ダブルダイによるピックアップミスが多発した
。これに対して、実施例１〜３では、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ
以下であり、空気中の水蒸気が透過しにくく、接着剤層の軟化が低減されているため、ダ
イシング時のヒゲ状の切削屑の発生が低減され、ピックアップミスが十分に減少した。
【００５２】
（第２実施例）
粘着フィルム１，６〜７及び接着フィルム１〜４を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍ
ｍの円形にカットし、粘着フィルムの粘着剤層と接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせ
た。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表３の組合せのダイ
シング・ダイボンディングフィルム（実施例４〜７、比較例３〜４）を得た。粘着フィル
ム１，６〜７について、第１実施例と同様に透湿度試験を行い、全ての粘着フィルムにつ
いて透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを確認した。
【００５３】
＜吸水率＞
上記実施例４〜７、比較例３〜４に係るダイシング・ダイボンディングフィルムを、５
０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに切り出してサンプルとした。このサンプルを５０℃のオーブ
ンで２４時間乾燥させたものを、デシケーターで室温まで冷却し重量を測定した。その後
、２３±１．０℃の蒸留水中にサンプルを２４時間浸漬し、取り出してカールフィッシャ
ー水分計により吸水率を算出した。その結果を表３に示す。
【００５４】
【表３】
【００５５】
＜ピックアップ性試験＞
実施例１，４〜６、比較例３〜４に係るダイシング・ダイボンディングフィルムについ
て、上述の第１実施例と同様にピックアップ試験を行った。ただし、ウエハの厚みは１０
０μｍ及び５０μｍとした。ピックアップされたチップに粘着剤層から剥離した接着フィ
ルムが保持されているものをピックアップが成功したものとし、ピックアップ成功率が９
９％以上であれば良として判定して○印で表し、９９％未満の場合は不良と判定して×印
で表した。これらの結果を表４に示す。
【００５６】
【表４】
【００５７】
比較例３〜４は、粘着フィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であるため、
厚みが１００μｍのウエハについては、良好にピックアップできたが、粘着フィルムと接
着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％を越えているため、粘着剤層と接着剤層との間
の剥離性が悪く、厚みが５０μｍのウエハについてはピックアップミスが多発した。これ
に対して、実施例４〜７では、粘着フィルムと接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積
％以下であり、粘着剤層と接着剤層との間の剥離性が良いため、厚みが５０μｍと薄いウ
エハについてもピックアップミスが十分に減少した。
【符号の説明】
【００５８】
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：接着剤層
１４：粘着フィルム
１５：半導体ウエハ加工用テープ
２０：リングフレーム
２１：ステージ
２２：吸着ステージ
２３：突き上げ部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであっ
て、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする粘着フィルム。
【請求項２】
基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前
記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着フ
ィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする半導体ウエハ加
工用テープ。
【請求項３】
前記粘着フィルムと前記接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下であることを
特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
【請求項１】
基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムであっ
て、透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする粘着フィルム。
【請求項２】
基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前
記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着フ
ィルムの透湿度が１０．０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることを特徴とする半導体ウエハ加
工用テープ。
【請求項３】
前記粘着フィルムと前記接着剤層とを合わせた吸水率が２．０体積％以下であることを
特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハ加工用テープ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−２７５５０９（Ｐ２０１０−２７５５０９Ａ）
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３２３２１（Ｐ２００９−１３２３２１）
【出願日】平成２１年６月１日（２００９．６．１）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月９日（２０１０．１２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１日（２００９．６．１）
【出願人】（０００００５２９０）古河電気工業株式会社 (4,457)
【Ｆターム（参考）】
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