表示パネルの製造方法、および、その装置
【課題】基板上に構造物を適切に形成可能な焼成装置の提供。
【解決手段】焼成装置１００は、焼成前形状測定部１１０にて、焼成前の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定し、焼成後形状測定部１５０にて、焼成後の基板1の寸法としてマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定する。そして、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の冷却分割ゾーン１３４の設定温度を補正する。このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて冷却分割ゾーン１３４の設定温度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。
【解決手段】焼成装置１００は、焼成前形状測定部１１０にて、焼成前の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定し、焼成後形状測定部１５０にて、焼成後の基板1の寸法としてマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定する。そして、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の冷却分割ゾーン１３４の設定温度を補正する。このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて冷却分割ゾーン１３４の設定温度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法、および、その装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やＦＥＤなどの表示パネルの製造時に、基板上に塗工された構造物の材料を焼成炉内にて焼成することにより、基板上に構造物を形成する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載のものは、焼成炉に設けられた複数の炉室のうち、基板の移動方向における最上流側に配置された炉室内の圧力を、炉外の圧力に対して負圧にした構成が採られている。
【０００３】
このような焼成炉を用いた焼成処理は、構造物の形成ごとに施されて１枚の基板に対して複数回実施されることが多い。例えば、ＰＤＰにおいては、前面基板では電極形成や誘電体層形成の際に各焼成処理が施され、背面基板ではアドレス電極保護層形成や隔壁形成の際に各焼成処理が施される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１２７５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、焼成処理において、加熱工程および冷却工程を経ると、基板が収縮してしまう。この収縮は、焼成炉の設定温度や設定搬送速度が同じであっても、基板の製造ロットごとの収縮率の違いにより大きく変化する場合がある。このような場合、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物が形成されないおそれがある。特に、前面基板と背面基板とを重ね合わせて形成する表示パネルにおいては、前面基板の構造物と背面基板の構造物とが設計通りのピッチで形成されなかった場合、所望の状態で重なり合わない不具合が発生する。この重ねたときのずれが大きくなると、表示パネルとして各種特性が悪化してしまうおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような点などに鑑みて、基板上に構造物を適切に形成可能な表示パネルの製造方法、および、その装置を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造方法であって、前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定し、この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正することを特徴とする表示パネルの製造方法である。
【０００８】
請求項５に記載の発明は、表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造装置であって、前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定する測定手段と、この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する補正手段と、を具備したことを特徴とする表示パネルの製造装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、表示パネルとしてのＰＤＰを構成する基板を焼成する構成を例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルの基板を焼成する場合などにも適用可能である。
【００１０】
［ＰＤＰの構成］
まず、本実施形態において製造するＰＤＰの概略構成について以下に説明する。
一般に、ＰＤＰにおいては、放電空間を介して前面基板と背面基板とが対向配置されている。
前面基板の内面側には、例えば、複数の透明電極、複数のバス電極、複数のブラックストライプ、誘電体層および保護膜がそれぞれ設けられている。
例えば、背面基板の内面側には、この背面基板上に複数のアドレス電極がそれぞれ平行に設けられ、これらアドレス電極を覆うように背面基板の内面側に絶縁体層であるアドレス電極保護層が設けられ、さらにこのアドレス電極保護層上に例えばストライプ形状の隔壁が設けられ、これら隔壁により、複数個の放電セルが区画形成される。なお、隔壁としては、ストライプ形状に限らず、井桁形状などでもよい。
複数個の放電セルの内部には、例えば、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層が順に形成されている。放電空間の内部、すなわちそれぞれの放電セルの内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
そして、ＰＤＰは、例えば、複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像を表示する。
【００１１】
［第１実施形態］
次に、本発明の第１実施形態について説明する。この第１実施形態では、焼成前後の基板の寸法に基づいて、焼成炉の設定温度を補正する表示パネルの製造装置としての焼成装置を例示する。
図１は、第１実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。図２は、焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。図３は、焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図４は、温度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【００１２】
〔焼成装置の構成〕
図１および図２に示すように、表示パネルの製造装置としての焼成装置１００は、ＰＤＰの前面基板に設けられるバス電極や誘電体層の形成時、あるいは背面基板に設けられるアドレス電極保護層や隔壁の形成時などに長方形状の基板１を焼成する。
ここで、図２に示すように、基板１の４隅近傍には、例えば丸形状を有し、各製造工程における位置合わせに用いられるアライメントマーク２がそれぞれ設けられている。このアライメントマーク２は、対向する２辺の距離が同じ距離となるように設けられている。つまり、基板１が収縮していない場合、４個のアライメントマーク２を結ぶと長方形が描かれる。
また、例えば１個のアライメントマーク２の近傍には、基板１ごと異なる文字列で表される識別コード３が設けられている。
さらに、基板１には、バス電極、ブラックストライプ、誘電体層、アドレス電極保護層、隔壁などの図示しない構造物が設けられている。
【００１３】
焼成装置１００は、測定手段としての焼成前形状測定部１１０と、ローダ１２０と、焼成炉１３０と、アンローダ１４０と、測定手段としての焼成後形状測定部１５０と、補正手段としての温度補正部１６０と、を備えている。
ローダ１２０は、焼成前形状測定部１１０を介して搬送される図示しないセッタガラスに載置された基板１を焼成炉１３０内へ搬送する図示しないローダコンベアを備えている。
アンローダ１４０は、焼成炉１３０から排出される基板１を焼成後形状測定部１５０へ搬送する図示しないアンローダコンベアを備えている。
【００１４】
焼成炉１３０は、基板１を搬送しつつ焼成し、基板１の温度を上昇させる昇温ゾーン１３１と、この昇温ゾーン１３１で上昇させた基板１の温度を保持する温度保持ゾーン１３２と、基板１を冷却する冷却ゾーン１３３と、基板１を各ゾーン１３１〜１３３内で搬送する図示しない焼成炉コンベアと、を備えている。
昇温ゾーン１３１および温度保持ゾーン１３２内には、図示しないヒータが設けられている。
冷却ゾーン１３３は、図２および図３に示すように、第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４を備えている。この第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４には、これらの内部を加熱するヒータ部１３５と、温度補正部１６０の指示に基づいてヒータ部１３５を制御する温度制御部１３６と、がそれぞれ設けられている。ヒータ部１３５は、図示しない少なくとも１個のヒータを備えている。なお、冷却分割ゾーンの数は、７個以外としてもよい。
【００１５】
焼成前形状測定部１１０は、基板１が載置される基板載置部１１１と、基板１のアライメントマーク２を撮影する第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５と、基板１の識別コード３を撮影する焼成前コードカメラ１１６と、焼成前演算手段１１７と、基板載置部１１１に載置された基板１をローダ１２０へ搬送する図示しない搬送手段と、を備えている。
【００１６】
第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５は、例えば基板載置部１１１の上方に設けられている。具体的には、第１，第２，第３，第４の焼成前マークカメラ１１２，１１３，１１４，１１５は、基板１における搬送方向の前方右側、前方左側、後方左側、後方右側のアライメントマーク２の上方にそれぞれ設けられている。各焼成前マークカメラ１１２〜１１５は、アライメントマーク２の撮影データを焼成前演算手段１１７へ送信する。
焼成前コードカメラ１１６は、例えば基板載置部１１１に載置された基板１の識別コード３の上方に設けられ、識別コード３の撮影データを焼成前演算手段１１７へ送信する。
【００１７】
焼成前演算手段１１７は、各焼成前マークカメラ１１２〜１１５からのアライメントマーク２の撮影データに基づいて、アライメントマーク２の基板載置部１１１上における座標値を算出する。そして、基板１の外縁に沿って隣り合う２個のアライメントマーク２の距離（以下、マーク間距離と称す）Ｐ１〜Ｐ４を算出して、そのデータを焼成前測定データとして温度補正部１６０へ送信する。
また、焼成前演算手段１１７は、焼成前コードカメラ１１６からの識別コード３の撮影データに基づいて、識別コード３の内容に関する識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する。
【００１８】
焼成後形状測定部１５０は、基板載置部１５１と、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５と、焼成後コードカメラ１５６と、焼成後演算手段１５７と、基板載置部１５１上の基板１を搬出する図示しない搬出手段と、を備えている。
【００１９】
第１，第２，第３，第４の焼成後マークカメラ１５２，１５３，１５４，１５５は、基板１における搬送方向の前方右側、前方左側、後方左側、後方右側のアライメントマーク２の上方にそれぞれ設けられ、アライメントマーク２の撮影データを焼成後演算手段１５７へ送信する。
ここで、焼成炉１３０で焼成された基板１が収縮せずにアライメントマーク２の相対的な位置が変化していない場合、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５の撮影データに基づく座標値と、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５に対応する位置の第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５の撮影データに基づく座標値と、が同一値となる位置に、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５が設けられている。
焼成後コードカメラ１５６は、基板１の識別コード３の上方に設けられ、識別コード３の撮影データを焼成後演算手段１５７へ送信する。
【００２０】
焼成後演算手段１５７は、各焼成後マークカメラ１５２〜１５５からの撮影データに基づいて、マーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４に関する焼成後測定データを温度補正部１６０へ送信する。
また、焼成後演算手段１５７は、焼成後コードカメラ１５６からの識別コード３の撮影データに基づいて、識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する。
【００２１】
温度補正部１６０は、図３に示すように、メモリ１６１と、補正制御部１６５と、を備えている。
メモリ１６１には、第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４ごとに設定された、例えば７個の図４に示すような温度補正ＬＵＴ（Lookup Table）が記憶されている。この温度補正ＬＵＴは、熱収縮差と、温度補正値との関係を示す。
補正制御部１６５は、各種プログラムにより構成され、熱収縮率算出手段１６６と、温度決定手段１６７と、を備えている。
【００２２】
熱収縮率算出手段１６６は、焼成前測定データと、焼成後測定データと、これらとともに送信される識別コードデータと、に基づいて、各基板１の焼成前後の熱収縮率（ｐｐｍ：parts per million）を算出する。
具体的には、熱収縮率算出手段１６６は、識別コードデータに基づいて、所定の基板に関する焼成前測定データと、焼成後測定データとを特定する。そして、対応する同じ位置における焼成前のマーク間距離から焼成後のマーク間距離を減算した値、つまり、マーク間距離Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４からマーク間距離Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４を減算した値を算出する。そして、この減算した値の平均値を焼成前後の熱収縮率として算出する。なお、平均値は、単純平均の値でもよいし加重平均の値でもよい。
【００２３】
温度決定手段１６７は、熱収縮率算出手段１６６における熱収縮率の算出結果に基づいて、各冷却分割ゾーン１３４の温度補正値を決定する。
具体的には、温度決定手段１６７は、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値の場合、温度補正をしない旨の指示を冷却分割ゾーン１３４の温度制御部１３６へ送信する。
また、熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、あるいは、下限閾値よりも小さい場合、この熱収縮率に対応する温度補正値の温度補正データと、温度補正値を設定温度に加算する旨の指示とを温度制御部１３６へ送信する。
例えば、温度決定手段１６７は、図４に示すような温度補正ＬＵＴに基づいて、熱収縮率が閾値である「−Ｂ」と「＋Ｂ」との間の値の場合、温度補正しない旨の指示を、この温度補正ＬＵＴに対応する冷却分割ゾーン１３４の温度制御部１３６へ送信する。
また、熱収縮率が「＋Ｂ」よりも大きい「＋Ａ」の場合に温度補正値の「＋Ｃ℃」に関する温度補正データと加算指示とを温度制御部１３６へ送信し、「−Ｂ」よりも小さい「−Ａ」の場合に温度補正値の「−Ｃ℃」に関する温度補正データと加算指示とを温度制御部１３６へ送信する。
【００２４】
〔焼成装置の動作〕
次に、焼成装置１００の動作について、図面を参照して説明する。
図５は、焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【００２５】
まず、焼成装置１００は、基板１が載置されたセッタガラスが焼成前形状測定部１１０の基板載置部１１１に載置されると、図５に示すように、焼成前形状測定部１１０は、焼成前の基板１のマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定するとともに（ステップＳ１）、識別コード３を撮影して（ステップＳ２）、焼成前測定データおよび識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する（ステップＳ３）。
この後、焼成装置１００は、焼成炉１３０により基板１を焼成する（ステップＳ４）。そして、焼成後形状測定部１５０は、焼成後の基板１のマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するとともに（ステップＳ５）、識別コード３を撮影して（ステップＳ６）、焼成後測定データおよび識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する（ステップＳ７）。
【００２６】
そして、焼成装置１００の温度補正部１６０は、所定の識別コードで表される基板１の熱収縮率を算出する（ステップＳ８）。この後、温度補正部１６０は、この熱収縮率と、温度補正ＬＵＴで設定された閾値とを比較して（ステップＳ９）、温度補正が必要か否かを判断する（ステップＳ１０）。
このステップＳ１０において、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値であり、温度補正が不要であると判断した場合、温度制御部１３６へ温度補正をしない旨の指示を送信して、各冷却分割ゾーン１３４の設定温度を調整せずに焼成を継続する（ステップＳ１１）。この後、温度補正部１６０は、焼成工程を終了するか否かを判断し（ステップＳ１２）、終了すると判断した場合に焼成温度補正処理を終了して、継続すると判断した場合にステップＳ１に戻る。
【００２７】
一方、ステップＳ１０において、温度補正部１６０は、熱収縮率が上限閾値よりも大きい、あるいは、下限閾値よりも小さく、温度補正が必要であると判断した場合、温度補正ＬＵＴに基づいて、各冷却分割ゾーン１３４の温度補正値を決定して（ステップＳ１３）、温度補正データを加算指示とともに温度制御部１３６へ送信する（ステップＳ１４）。そして、各冷却分割ゾーン１３４は、温度補正データの温度補正値を設定温度に加算することで設定温度を調整して（ステップＳ１５）、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００２８】
〔第１実施形態の作用効果〕
以上の第１実施形態の焼成装置１００によれば、以下の作用効果が期待できる。
【００２９】
（１）焼成装置１００は、焼成前形状測定部１１０にて、焼成前の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定し、焼成後形状測定部１５０にて、焼成後の基板1の寸法としてマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定する。そして、温度補正部１６０は、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉１３０の設定温度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。よって、後工程における位置あわせのアライメントのずれ、つまり前面基板と背面基板の重ね合わせ時のずれを小さくでき、ＰＤＰとしての各種特性の悪化を防止できる。
【００３０】
（２）焼成装置１００は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４に基づいて基板１の熱収縮率を算出し、この熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、または、下限閾値よりも小さい場合に、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
このため、基板１の熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値であり基板１の収縮が小さい状況の場合、設定温度を補正せずに、上限閾値よりも大きくまたは下限閾値よりも小さく基板１の収縮が大きい状況の場合、設定温度を補正するので、温度補正制御を簡略にかつ効率的に実施できる。
【００３１】
（３）各形状測定部１１０，１５０は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４として、基板１の４隅近傍に従来設けられているアライメントマーク２間の距離を測定している。
このため、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するためだけに利用されるマークなどの測定対象物を新たに設ける必要がなく、工程の増加を最小限に抑えることができる。
【００３２】
（４）温度補正部１６０は、焼成炉１３０の冷却ゾーン１３３のみの設定温度を補正している。
ここで、一般的に、基板１の収縮は、焼成炉１３０の冷却ゾーン１３３における温度設定に左右されるところが大きい。
このため、基板1の収縮を最も左右する冷却ゾーン１３３における設定温度を補正するので、収縮のばらつきを抑制できる。
【００３３】
（５）各形状測定部１１０，１５０は、基板１の識別コード３を撮影して、識別コードデータを焼成前測定データや焼成後測定データとともに、温度補正部１６０へ送信する。そして、温度補正部１６０は、識別コードデータに基づいて所定の基板１の焼成前測定データおよび焼成後測定データを特定して、この基板１の熱収縮率を算出する。
このため、所定の基板１における各測定データを正確に特定することができ、正確に算出された熱収縮率に基づいて、設定温度を適切に補正することができる。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、焼成前後の基板の寸法に基づいて、基板の搬送速度を補正する表示パネルの製造装置としての焼成装置を例示する。
図６は、第２実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。図７は、焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。図８は、焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図９は、搬送速度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
なお、第１実施形態と同一の構成ついては、同一名称および同一符号を付し、説明を適宜省略する。
【００３５】
〔焼成装置の構成〕
図６および図７に示すように、表示パネルの製造装置としての焼成装置２００は、アライメントマーク２および識別コード３が設けられた基板１を焼成する。
そして、焼成装置２００は、焼成前形状測定部１１０と、ローダ２２０と、焼成炉２３０と、アンローダ２４０と、焼成後形状測定部１５０と、補正手段としての搬送速度補正部２６０と、を備えている。
【００３６】
ローダ２２０は、図７および図８に示すように、基板１を搬送するローダコンベア２２１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいてローダコンベア２２１を制御するローダ搬送制御部２２２と、を備えている。
焼成炉２３０は、基板１を焼成する図示しないヒータと、基板１を焼成炉２３０内で搬送する焼成炉コンベア２３１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいて焼成炉コンベア２３１を制御する焼成炉搬送制御部２３２と、を備えている。
アンローダ２４０は、基板１を搬送するアンローダコンベア２４１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいてアンローダコンベア２４１を制御するアンローダ搬送制御部２４２と、を備えている。
【００３７】
搬送速度補正部２６０は、図８に示すように、メモリ２６１と、補正制御部２６５と、を備えている。
メモリ２６１には、例えば１個の図９に示すような搬送速度補正ＬＵＴが記憶されている。この搬送速度補正ＬＵＴは、熱収縮差と、搬送速度補正値との関係を示す。
補正制御部２６５は、各種プログラムにより構成され、熱収縮率算出手段１６６と、搬送速度決定手段２６７と、を備えている。
【００３８】
搬送速度決定手段２６７は、熱収縮率算出手段１６６における熱収縮率の算出結果に基づいて、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０における搬送速度補正値を決定する。
具体的には、搬送速度決定手段２６７は、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値の場合、搬送速度補正をしない旨の指示を各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
また、熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、あるいは、下限閾値よりも小さい場合、この熱収縮率に対応する搬送速度補正値の搬送速度補正データと、搬送速度補正値を設定速度に加算する旨の指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
例えば、搬送速度決定手段２６７は、図９に示すような搬送速度補正ＬＵＴに基づいて、熱収縮率が閾値である「−Ｂ」と「＋Ｂ」との間の値の場合、搬送速度補正しない旨の指示を各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
また、熱収縮率が「＋Ｂ」よりも大きい「＋Ａ」の場合に搬送速度補正値の「＋Ｃｍｍ／ｍｉｎ」に関する搬送速度補正データと加算指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信し、「−Ｂ」よりも小さい「−Ａ」の場合に搬送速度補正値の「−Ｃｍｍ／ｍｉｎ」に関する搬送速度補正データと加算指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
【００３９】
〔焼成装置の動作〕
次に、焼成装置２００の動作について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態と同一の動作については同一の符号を付し説明を省略する。
図１０は、焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【００４０】
まず、焼成装置２００は、図１０に示すように、ステップＳ１〜Ｓ６の処理を実施して、焼成後測定データおよび識別コードデータを搬送速度補正部２６０へ送信する（ステップＳ２１）。そして、焼成装置２００の搬送速度補正部２６０は、ステップＳ８，Ｓ９の処理を実施して、搬送速度補正が必要か否かを判断する（ステップＳ２２）。
このステップＳ２２において、搬送速度補正が不要であると判断した場合、各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ搬送速度補正をしない旨の指示を送信して、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０の設定搬送速度を調整せずに焼成を継続する（ステップＳ２３）。この後、搬送速度補正部２６０は、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００４１】
一方、ステップＳ２２において、搬送速度補正部２６０は、搬送速度補正が必要であると判断した場合、搬送速度補正ＬＵＴに基づいて、焼成炉２３０における搬送速度補正値を決定して（ステップＳ２４）、搬送速度補正データを加算指示とともに各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する（ステップＳ２５）。そして、各搬送制御部２２２，２３２，２４２は、搬送速度補正データの搬送速度補正値を各コンベア２２１，２３１，２４１の設定搬送速度に加算することで、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０における設定搬送速度を調整して（ステップＳ２６）、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００４２】
〔第２実施形態の作用効果〕
以上の第２実施形態の焼成装置２００によれば、第１実施形態の（２）、（３）、（５）と同様の作用効果に加えて、以下の作用効果が期待できる。
【００４３】
（６）焼成装置２００の搬送速度補正部２６０は、各形状測定部１１０，１５０におけるマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４の測定結果に基づいて、焼成炉２３０内における基板１の搬送速度を補正する。
ここで、一般的に、基板１の収縮は、焼成炉２３０における加熱時間、つまり焼成炉２３０内における搬送速度により左右される。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉２３０内での搬送速度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。
【００４４】
［他の実施形態］
なお、本発明は前述の第１，第２実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００４５】
すなわち、熱収縮率がわずかでも変化した場合に、この変化量に対応する分だけ冷却ゾーン１３３の設定温度を補正したり、焼成炉２３０内での搬送速度を補正したりしてもよい。
また、焼成前後における１箇所のマーク間距離のみを測定し、これらを減算した値を熱収縮率として用いてもよい。
さらに、基板１における対角線上に位置するアライメントマーク２間の距離に基づいて、あるいは、各アライメントマーク２の基準位置からのずれ量に基づいて、熱収縮率を算出してもよい。
【００４６】
また、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するためだけに利用される測定対象物を基板１上に設けてもよい。
そして、ＰＤＰの構造物であるバス電極、ブラックストライプ、誘電体層、アドレス電極保護層、隔壁、放電セルなどを、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するための測定対象物として利用してもよい。
さらには、基板１自体の４隅を検出して、基板１の焼成前後の寸法を測定してもよい。
【００４７】
また、１個や２個のマークカメラを設け、このマークカメラを基板１の上方において移動させることにより、４個のアライメントマーク２を１個あるいは２個ずつ順次撮影する構成としてもよい。
さらに、１個のマークカメラを設け、このマークカメラで４個のアライメントマーク２を１個の画像として撮影し、この画像に基づいてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定してもよい。
【００４８】
そして、昇温ゾーン１３１、温度保持ゾーン１３２、冷却ゾーン１３３のうち少なくともいずれか１個における設定温度を補正してもよい。
さらに、７個の冷却分割ゾーン１３４にそれぞれ対応する７個の温度補正ＬＵＴを設定したが、７個の冷却分割ゾーン１３４に対して１個の温度補正ＬＵＴを設定してもよい。
また、識別コードデータに基づいて所定の基板１の各測定データを特定せずに、例えば温度補正部１６０や搬送速度補正部２６０に入力される順序に基づいて、所定の基板１の各測定データを特定してもよい。
そして、セッタガラスに識別コードを設け、この識別コードの識別コードデータに基づいて所定の基板１の各測定データを特定してもよい。
また、第１実施形態と第２実施形態を組み合わせた構成、つまり基板１の熱収縮率に基づいて、焼成炉の設定温度を補正するとともに、焼成炉内での基板の搬送速度を補正する構成としてもよい。
【００４９】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００５０】
［実施形態の作用効果］
上述したように、上記実施形態では、焼成装置１００は、焼成前後の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定して、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
また、他の実施形態では、焼成装置２００は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４の測定結果に基づいて、焼成炉２３０内における基板１の搬送速度を補正する。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉１３０の設定温度を補正したり、基板１の焼成炉２３０内における搬送速度を補正したりすることで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】前記第１実施形態における焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。
【図３】前記第１実施形態における焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図４】前記第１実施形態における温度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【図５】前記第１実施形態における焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】前記第２実施形態における焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。
【図８】前記第２実施形態における焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図９】前記第２実施形態における搬送速度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【図１０】前記第２実施形態における焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
１…基板
２…アライメントマーク
１００，２００…表示パネルの製造装置としての焼成装置
１１０…測定手段としての焼成前形状測定部
１３０，２３０…焼成炉
１３１…昇温ゾーン
１３２…温度保持ゾーン
１３３…冷却ゾーン
１５０…測定手段としての焼成後形状測定部
１６０…補正手段としての温度補正部
２６０…補正手段としての搬送速度補正部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法、および、その装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）やＦＥＤなどの表示パネルの製造時に、基板上に塗工された構造物の材料を焼成炉内にて焼成することにより、基板上に構造物を形成する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この特許文献１に記載のものは、焼成炉に設けられた複数の炉室のうち、基板の移動方向における最上流側に配置された炉室内の圧力を、炉外の圧力に対して負圧にした構成が採られている。
【０００３】
このような焼成炉を用いた焼成処理は、構造物の形成ごとに施されて１枚の基板に対して複数回実施されることが多い。例えば、ＰＤＰにおいては、前面基板では電極形成や誘電体層形成の際に各焼成処理が施され、背面基板ではアドレス電極保護層形成や隔壁形成の際に各焼成処理が施される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１２７５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、焼成処理において、加熱工程および冷却工程を経ると、基板が収縮してしまう。この収縮は、焼成炉の設定温度や設定搬送速度が同じであっても、基板の製造ロットごとの収縮率の違いにより大きく変化する場合がある。このような場合、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物が形成されないおそれがある。特に、前面基板と背面基板とを重ね合わせて形成する表示パネルにおいては、前面基板の構造物と背面基板の構造物とが設計通りのピッチで形成されなかった場合、所望の状態で重なり合わない不具合が発生する。この重ねたときのずれが大きくなると、表示パネルとして各種特性が悪化してしまうおそれがある。
【０００６】
本発明は、このような点などに鑑みて、基板上に構造物を適切に形成可能な表示パネルの製造方法、および、その装置を提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造方法であって、前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定し、この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正することを特徴とする表示パネルの製造方法である。
【０００８】
請求項５に記載の発明は、表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造装置であって、前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定する測定手段と、この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する補正手段と、を具備したことを特徴とする表示パネルの製造装置である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る一実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態では、表示パネルとしてのＰＤＰを構成する基板を焼成する構成を例示するが、これに限らず、本発明は液晶表示パネルや、有機ＥＬパネル、ＦＥＤ、電気泳動ディスプレイパネルなどのディスプレイパネルの基板を焼成する場合などにも適用可能である。
【００１０】
［ＰＤＰの構成］
まず、本実施形態において製造するＰＤＰの概略構成について以下に説明する。
一般に、ＰＤＰにおいては、放電空間を介して前面基板と背面基板とが対向配置されている。
前面基板の内面側には、例えば、複数の透明電極、複数のバス電極、複数のブラックストライプ、誘電体層および保護膜がそれぞれ設けられている。
例えば、背面基板の内面側には、この背面基板上に複数のアドレス電極がそれぞれ平行に設けられ、これらアドレス電極を覆うように背面基板の内面側に絶縁体層であるアドレス電極保護層が設けられ、さらにこのアドレス電極保護層上に例えばストライプ形状の隔壁が設けられ、これら隔壁により、複数個の放電セルが区画形成される。なお、隔壁としては、ストライプ形状に限らず、井桁形状などでもよい。
複数個の放電セルの内部には、例えば、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層が順に形成されている。放電空間の内部、すなわちそれぞれの放電セルの内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
そして、ＰＤＰは、例えば、複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像を表示する。
【００１１】
［第１実施形態］
次に、本発明の第１実施形態について説明する。この第１実施形態では、焼成前後の基板の寸法に基づいて、焼成炉の設定温度を補正する表示パネルの製造装置としての焼成装置を例示する。
図１は、第１実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。図２は、焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。図３は、焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図４は、温度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【００１２】
〔焼成装置の構成〕
図１および図２に示すように、表示パネルの製造装置としての焼成装置１００は、ＰＤＰの前面基板に設けられるバス電極や誘電体層の形成時、あるいは背面基板に設けられるアドレス電極保護層や隔壁の形成時などに長方形状の基板１を焼成する。
ここで、図２に示すように、基板１の４隅近傍には、例えば丸形状を有し、各製造工程における位置合わせに用いられるアライメントマーク２がそれぞれ設けられている。このアライメントマーク２は、対向する２辺の距離が同じ距離となるように設けられている。つまり、基板１が収縮していない場合、４個のアライメントマーク２を結ぶと長方形が描かれる。
また、例えば１個のアライメントマーク２の近傍には、基板１ごと異なる文字列で表される識別コード３が設けられている。
さらに、基板１には、バス電極、ブラックストライプ、誘電体層、アドレス電極保護層、隔壁などの図示しない構造物が設けられている。
【００１３】
焼成装置１００は、測定手段としての焼成前形状測定部１１０と、ローダ１２０と、焼成炉１３０と、アンローダ１４０と、測定手段としての焼成後形状測定部１５０と、補正手段としての温度補正部１６０と、を備えている。
ローダ１２０は、焼成前形状測定部１１０を介して搬送される図示しないセッタガラスに載置された基板１を焼成炉１３０内へ搬送する図示しないローダコンベアを備えている。
アンローダ１４０は、焼成炉１３０から排出される基板１を焼成後形状測定部１５０へ搬送する図示しないアンローダコンベアを備えている。
【００１４】
焼成炉１３０は、基板１を搬送しつつ焼成し、基板１の温度を上昇させる昇温ゾーン１３１と、この昇温ゾーン１３１で上昇させた基板１の温度を保持する温度保持ゾーン１３２と、基板１を冷却する冷却ゾーン１３３と、基板１を各ゾーン１３１〜１３３内で搬送する図示しない焼成炉コンベアと、を備えている。
昇温ゾーン１３１および温度保持ゾーン１３２内には、図示しないヒータが設けられている。
冷却ゾーン１３３は、図２および図３に示すように、第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４を備えている。この第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４には、これらの内部を加熱するヒータ部１３５と、温度補正部１６０の指示に基づいてヒータ部１３５を制御する温度制御部１３６と、がそれぞれ設けられている。ヒータ部１３５は、図示しない少なくとも１個のヒータを備えている。なお、冷却分割ゾーンの数は、７個以外としてもよい。
【００１５】
焼成前形状測定部１１０は、基板１が載置される基板載置部１１１と、基板１のアライメントマーク２を撮影する第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５と、基板１の識別コード３を撮影する焼成前コードカメラ１１６と、焼成前演算手段１１７と、基板載置部１１１に載置された基板１をローダ１２０へ搬送する図示しない搬送手段と、を備えている。
【００１６】
第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５は、例えば基板載置部１１１の上方に設けられている。具体的には、第１，第２，第３，第４の焼成前マークカメラ１１２，１１３，１１４，１１５は、基板１における搬送方向の前方右側、前方左側、後方左側、後方右側のアライメントマーク２の上方にそれぞれ設けられている。各焼成前マークカメラ１１２〜１１５は、アライメントマーク２の撮影データを焼成前演算手段１１７へ送信する。
焼成前コードカメラ１１６は、例えば基板載置部１１１に載置された基板１の識別コード３の上方に設けられ、識別コード３の撮影データを焼成前演算手段１１７へ送信する。
【００１７】
焼成前演算手段１１７は、各焼成前マークカメラ１１２〜１１５からのアライメントマーク２の撮影データに基づいて、アライメントマーク２の基板載置部１１１上における座標値を算出する。そして、基板１の外縁に沿って隣り合う２個のアライメントマーク２の距離（以下、マーク間距離と称す）Ｐ１〜Ｐ４を算出して、そのデータを焼成前測定データとして温度補正部１６０へ送信する。
また、焼成前演算手段１１７は、焼成前コードカメラ１１６からの識別コード３の撮影データに基づいて、識別コード３の内容に関する識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する。
【００１８】
焼成後形状測定部１５０は、基板載置部１５１と、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５と、焼成後コードカメラ１５６と、焼成後演算手段１５７と、基板載置部１５１上の基板１を搬出する図示しない搬出手段と、を備えている。
【００１９】
第１，第２，第３，第４の焼成後マークカメラ１５２，１５３，１５４，１５５は、基板１における搬送方向の前方右側、前方左側、後方左側、後方右側のアライメントマーク２の上方にそれぞれ設けられ、アライメントマーク２の撮影データを焼成後演算手段１５７へ送信する。
ここで、焼成炉１３０で焼成された基板１が収縮せずにアライメントマーク２の相対的な位置が変化していない場合、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５の撮影データに基づく座標値と、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５に対応する位置の第１〜第４の焼成前マークカメラ１１２〜１１５の撮影データに基づく座標値と、が同一値となる位置に、第１〜第４の焼成後マークカメラ１５２〜１５５が設けられている。
焼成後コードカメラ１５６は、基板１の識別コード３の上方に設けられ、識別コード３の撮影データを焼成後演算手段１５７へ送信する。
【００２０】
焼成後演算手段１５７は、各焼成後マークカメラ１５２〜１５５からの撮影データに基づいて、マーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４に関する焼成後測定データを温度補正部１６０へ送信する。
また、焼成後演算手段１５７は、焼成後コードカメラ１５６からの識別コード３の撮影データに基づいて、識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する。
【００２１】
温度補正部１６０は、図３に示すように、メモリ１６１と、補正制御部１６５と、を備えている。
メモリ１６１には、第１〜第７の冷却分割ゾーン１３４ごとに設定された、例えば７個の図４に示すような温度補正ＬＵＴ（Lookup Table）が記憶されている。この温度補正ＬＵＴは、熱収縮差と、温度補正値との関係を示す。
補正制御部１６５は、各種プログラムにより構成され、熱収縮率算出手段１６６と、温度決定手段１６７と、を備えている。
【００２２】
熱収縮率算出手段１６６は、焼成前測定データと、焼成後測定データと、これらとともに送信される識別コードデータと、に基づいて、各基板１の焼成前後の熱収縮率（ｐｐｍ：parts per million）を算出する。
具体的には、熱収縮率算出手段１６６は、識別コードデータに基づいて、所定の基板に関する焼成前測定データと、焼成後測定データとを特定する。そして、対応する同じ位置における焼成前のマーク間距離から焼成後のマーク間距離を減算した値、つまり、マーク間距離Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４からマーク間距離Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４を減算した値を算出する。そして、この減算した値の平均値を焼成前後の熱収縮率として算出する。なお、平均値は、単純平均の値でもよいし加重平均の値でもよい。
【００２３】
温度決定手段１６７は、熱収縮率算出手段１６６における熱収縮率の算出結果に基づいて、各冷却分割ゾーン１３４の温度補正値を決定する。
具体的には、温度決定手段１６７は、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値の場合、温度補正をしない旨の指示を冷却分割ゾーン１３４の温度制御部１３６へ送信する。
また、熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、あるいは、下限閾値よりも小さい場合、この熱収縮率に対応する温度補正値の温度補正データと、温度補正値を設定温度に加算する旨の指示とを温度制御部１３６へ送信する。
例えば、温度決定手段１６７は、図４に示すような温度補正ＬＵＴに基づいて、熱収縮率が閾値である「−Ｂ」と「＋Ｂ」との間の値の場合、温度補正しない旨の指示を、この温度補正ＬＵＴに対応する冷却分割ゾーン１３４の温度制御部１３６へ送信する。
また、熱収縮率が「＋Ｂ」よりも大きい「＋Ａ」の場合に温度補正値の「＋Ｃ℃」に関する温度補正データと加算指示とを温度制御部１３６へ送信し、「−Ｂ」よりも小さい「−Ａ」の場合に温度補正値の「−Ｃ℃」に関する温度補正データと加算指示とを温度制御部１３６へ送信する。
【００２４】
〔焼成装置の動作〕
次に、焼成装置１００の動作について、図面を参照して説明する。
図５は、焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【００２５】
まず、焼成装置１００は、基板１が載置されたセッタガラスが焼成前形状測定部１１０の基板載置部１１１に載置されると、図５に示すように、焼成前形状測定部１１０は、焼成前の基板１のマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定するとともに（ステップＳ１）、識別コード３を撮影して（ステップＳ２）、焼成前測定データおよび識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する（ステップＳ３）。
この後、焼成装置１００は、焼成炉１３０により基板１を焼成する（ステップＳ４）。そして、焼成後形状測定部１５０は、焼成後の基板１のマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するとともに（ステップＳ５）、識別コード３を撮影して（ステップＳ６）、焼成後測定データおよび識別コードデータを温度補正部１６０へ送信する（ステップＳ７）。
【００２６】
そして、焼成装置１００の温度補正部１６０は、所定の識別コードで表される基板１の熱収縮率を算出する（ステップＳ８）。この後、温度補正部１６０は、この熱収縮率と、温度補正ＬＵＴで設定された閾値とを比較して（ステップＳ９）、温度補正が必要か否かを判断する（ステップＳ１０）。
このステップＳ１０において、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値であり、温度補正が不要であると判断した場合、温度制御部１３６へ温度補正をしない旨の指示を送信して、各冷却分割ゾーン１３４の設定温度を調整せずに焼成を継続する（ステップＳ１１）。この後、温度補正部１６０は、焼成工程を終了するか否かを判断し（ステップＳ１２）、終了すると判断した場合に焼成温度補正処理を終了して、継続すると判断した場合にステップＳ１に戻る。
【００２７】
一方、ステップＳ１０において、温度補正部１６０は、熱収縮率が上限閾値よりも大きい、あるいは、下限閾値よりも小さく、温度補正が必要であると判断した場合、温度補正ＬＵＴに基づいて、各冷却分割ゾーン１３４の温度補正値を決定して（ステップＳ１３）、温度補正データを加算指示とともに温度制御部１３６へ送信する（ステップＳ１４）。そして、各冷却分割ゾーン１３４は、温度補正データの温度補正値を設定温度に加算することで設定温度を調整して（ステップＳ１５）、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００２８】
〔第１実施形態の作用効果〕
以上の第１実施形態の焼成装置１００によれば、以下の作用効果が期待できる。
【００２９】
（１）焼成装置１００は、焼成前形状測定部１１０にて、焼成前の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４を測定し、焼成後形状測定部１５０にて、焼成後の基板1の寸法としてマーク間距離Ｐ１１〜Ｐ１４を測定する。そして、温度補正部１６０は、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉１３０の設定温度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。よって、後工程における位置あわせのアライメントのずれ、つまり前面基板と背面基板の重ね合わせ時のずれを小さくでき、ＰＤＰとしての各種特性の悪化を防止できる。
【００３０】
（２）焼成装置１００は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４に基づいて基板１の熱収縮率を算出し、この熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、または、下限閾値よりも小さい場合に、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
このため、基板１の熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値であり基板１の収縮が小さい状況の場合、設定温度を補正せずに、上限閾値よりも大きくまたは下限閾値よりも小さく基板１の収縮が大きい状況の場合、設定温度を補正するので、温度補正制御を簡略にかつ効率的に実施できる。
【００３１】
（３）各形状測定部１１０，１５０は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４として、基板１の４隅近傍に従来設けられているアライメントマーク２間の距離を測定している。
このため、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するためだけに利用されるマークなどの測定対象物を新たに設ける必要がなく、工程の増加を最小限に抑えることができる。
【００３２】
（４）温度補正部１６０は、焼成炉１３０の冷却ゾーン１３３のみの設定温度を補正している。
ここで、一般的に、基板１の収縮は、焼成炉１３０の冷却ゾーン１３３における温度設定に左右されるところが大きい。
このため、基板1の収縮を最も左右する冷却ゾーン１３３における設定温度を補正するので、収縮のばらつきを抑制できる。
【００３３】
（５）各形状測定部１１０，１５０は、基板１の識別コード３を撮影して、識別コードデータを焼成前測定データや焼成後測定データとともに、温度補正部１６０へ送信する。そして、温度補正部１６０は、識別コードデータに基づいて所定の基板１の焼成前測定データおよび焼成後測定データを特定して、この基板１の熱収縮率を算出する。
このため、所定の基板１における各測定データを正確に特定することができ、正確に算出された熱収縮率に基づいて、設定温度を適切に補正することができる。
【００３４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、焼成前後の基板の寸法に基づいて、基板の搬送速度を補正する表示パネルの製造装置としての焼成装置を例示する。
図６は、第２実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。図７は、焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。図８は、焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。図９は、搬送速度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
なお、第１実施形態と同一の構成ついては、同一名称および同一符号を付し、説明を適宜省略する。
【００３５】
〔焼成装置の構成〕
図６および図７に示すように、表示パネルの製造装置としての焼成装置２００は、アライメントマーク２および識別コード３が設けられた基板１を焼成する。
そして、焼成装置２００は、焼成前形状測定部１１０と、ローダ２２０と、焼成炉２３０と、アンローダ２４０と、焼成後形状測定部１５０と、補正手段としての搬送速度補正部２６０と、を備えている。
【００３６】
ローダ２２０は、図７および図８に示すように、基板１を搬送するローダコンベア２２１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいてローダコンベア２２１を制御するローダ搬送制御部２２２と、を備えている。
焼成炉２３０は、基板１を焼成する図示しないヒータと、基板１を焼成炉２３０内で搬送する焼成炉コンベア２３１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいて焼成炉コンベア２３１を制御する焼成炉搬送制御部２３２と、を備えている。
アンローダ２４０は、基板１を搬送するアンローダコンベア２４１と、搬送速度補正部２６０の指示に基づいてアンローダコンベア２４１を制御するアンローダ搬送制御部２４２と、を備えている。
【００３７】
搬送速度補正部２６０は、図８に示すように、メモリ２６１と、補正制御部２６５と、を備えている。
メモリ２６１には、例えば１個の図９に示すような搬送速度補正ＬＵＴが記憶されている。この搬送速度補正ＬＵＴは、熱収縮差と、搬送速度補正値との関係を示す。
補正制御部２６５は、各種プログラムにより構成され、熱収縮率算出手段１６６と、搬送速度決定手段２６７と、を備えている。
【００３８】
搬送速度決定手段２６７は、熱収縮率算出手段１６６における熱収縮率の算出結果に基づいて、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０における搬送速度補正値を決定する。
具体的には、搬送速度決定手段２６７は、熱収縮率が上限閾値と下限閾値との間の値の場合、搬送速度補正をしない旨の指示を各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
また、熱収縮率が上限閾値よりも大きい場合、あるいは、下限閾値よりも小さい場合、この熱収縮率に対応する搬送速度補正値の搬送速度補正データと、搬送速度補正値を設定速度に加算する旨の指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
例えば、搬送速度決定手段２６７は、図９に示すような搬送速度補正ＬＵＴに基づいて、熱収縮率が閾値である「−Ｂ」と「＋Ｂ」との間の値の場合、搬送速度補正しない旨の指示を各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
また、熱収縮率が「＋Ｂ」よりも大きい「＋Ａ」の場合に搬送速度補正値の「＋Ｃｍｍ／ｍｉｎ」に関する搬送速度補正データと加算指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信し、「−Ｂ」よりも小さい「−Ａ」の場合に搬送速度補正値の「−Ｃｍｍ／ｍｉｎ」に関する搬送速度補正データと加算指示とを各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する。
【００３９】
〔焼成装置の動作〕
次に、焼成装置２００の動作について、図面を参照して説明する。なお、第１実施形態と同一の動作については同一の符号を付し説明を省略する。
図１０は、焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【００４０】
まず、焼成装置２００は、図１０に示すように、ステップＳ１〜Ｓ６の処理を実施して、焼成後測定データおよび識別コードデータを搬送速度補正部２６０へ送信する（ステップＳ２１）。そして、焼成装置２００の搬送速度補正部２６０は、ステップＳ８，Ｓ９の処理を実施して、搬送速度補正が必要か否かを判断する（ステップＳ２２）。
このステップＳ２２において、搬送速度補正が不要であると判断した場合、各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ搬送速度補正をしない旨の指示を送信して、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０の設定搬送速度を調整せずに焼成を継続する（ステップＳ２３）。この後、搬送速度補正部２６０は、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００４１】
一方、ステップＳ２２において、搬送速度補正部２６０は、搬送速度補正が必要であると判断した場合、搬送速度補正ＬＵＴに基づいて、焼成炉２３０における搬送速度補正値を決定して（ステップＳ２４）、搬送速度補正データを加算指示とともに各搬送制御部２２２，２３２，２４２へ送信する（ステップＳ２５）。そして、各搬送制御部２２２，２３２，２４２は、搬送速度補正データの搬送速度補正値を各コンベア２２１，２３１，２４１の設定搬送速度に加算することで、ローダ２２０、焼成炉２３０、アンローダ２４０における設定搬送速度を調整して（ステップＳ２６）、ステップＳ１２の処理を実施する。
【００４２】
〔第２実施形態の作用効果〕
以上の第２実施形態の焼成装置２００によれば、第１実施形態の（２）、（３）、（５）と同様の作用効果に加えて、以下の作用効果が期待できる。
【００４３】
（６）焼成装置２００の搬送速度補正部２６０は、各形状測定部１１０，１５０におけるマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４の測定結果に基づいて、焼成炉２３０内における基板１の搬送速度を補正する。
ここで、一般的に、基板１の収縮は、焼成炉２３０における加熱時間、つまり焼成炉２３０内における搬送速度により左右される。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉２３０内での搬送速度を補正することで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。
【００４４】
［他の実施形態］
なお、本発明は前述の第１，第２実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００４５】
すなわち、熱収縮率がわずかでも変化した場合に、この変化量に対応する分だけ冷却ゾーン１３３の設定温度を補正したり、焼成炉２３０内での搬送速度を補正したりしてもよい。
また、焼成前後における１箇所のマーク間距離のみを測定し、これらを減算した値を熱収縮率として用いてもよい。
さらに、基板１における対角線上に位置するアライメントマーク２間の距離に基づいて、あるいは、各アライメントマーク２の基準位置からのずれ量に基づいて、熱収縮率を算出してもよい。
【００４６】
また、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するためだけに利用される測定対象物を基板１上に設けてもよい。
そして、ＰＤＰの構造物であるバス電極、ブラックストライプ、誘電体層、アドレス電極保護層、隔壁、放電セルなどを、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定するための測定対象物として利用してもよい。
さらには、基板１自体の４隅を検出して、基板１の焼成前後の寸法を測定してもよい。
【００４７】
また、１個や２個のマークカメラを設け、このマークカメラを基板１の上方において移動させることにより、４個のアライメントマーク２を１個あるいは２個ずつ順次撮影する構成としてもよい。
さらに、１個のマークカメラを設け、このマークカメラで４個のアライメントマーク２を１個の画像として撮影し、この画像に基づいてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定してもよい。
【００４８】
そして、昇温ゾーン１３１、温度保持ゾーン１３２、冷却ゾーン１３３のうち少なくともいずれか１個における設定温度を補正してもよい。
さらに、７個の冷却分割ゾーン１３４にそれぞれ対応する７個の温度補正ＬＵＴを設定したが、７個の冷却分割ゾーン１３４に対して１個の温度補正ＬＵＴを設定してもよい。
また、識別コードデータに基づいて所定の基板１の各測定データを特定せずに、例えば温度補正部１６０や搬送速度補正部２６０に入力される順序に基づいて、所定の基板１の各測定データを特定してもよい。
そして、セッタガラスに識別コードを設け、この識別コードの識別コードデータに基づいて所定の基板１の各測定データを特定してもよい。
また、第１実施形態と第２実施形態を組み合わせた構成、つまり基板１の熱収縮率に基づいて、焼成炉の設定温度を補正するとともに、焼成炉内での基板の搬送速度を補正する構成としてもよい。
【００４９】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更できる。
【００５０】
［実施形態の作用効果］
上述したように、上記実施形態では、焼成装置１００は、焼成前後の基板１の寸法としてマーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４を測定して、この測定結果に基づいて、焼成炉１３０の設定温度を補正する。
また、他の実施形態では、焼成装置２００は、マーク間距離Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１〜Ｐ１４の測定結果に基づいて、焼成炉２３０内における基板１の搬送速度を補正する。
このため、基板１の製造ロットが切り替わり収縮率が変化したとしても、基板１の焼成前後の寸法変化に基づいて焼成炉１３０の設定温度を補正したり、基板１の焼成炉２３０内における搬送速度を補正したりすることで、基板１の収縮の変化量を最小限に抑えることができる。したがって、設計段階で期待した寸法やピッチで構造物を基板１上に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】前記第１実施形態における焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。
【図３】前記第１実施形態における焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図４】前記第１実施形態における温度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【図５】前記第１実施形態における焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る焼成装置の概略構成を示す模式図である。
【図７】前記第２実施形態における焼成装置の要部を上側から見たときの概略構成を示す模式図である。
【図８】前記第２実施形態における焼成装置の要部の概略構成を示すブロック図である。
【図９】前記第２実施形態における搬送速度補正ＬＵＴの内容を示す模式図である。
【図１０】前記第２実施形態における焼成温度補正処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００５２】
１…基板
２…アライメントマーク
１００，２００…表示パネルの製造装置としての焼成装置
１１０…測定手段としての焼成前形状測定部
１３０，２３０…焼成炉
１３１…昇温ゾーン
１３２…温度保持ゾーン
１３３…冷却ゾーン
１５０…測定手段としての焼成後形状測定部
１６０…補正手段としての温度補正部
２６０…補正手段としての搬送速度補正部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造方法であって、
前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定し、
この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法において、
前記投入前の前記基板の寸法と、前記排出後の前記基板の寸法との差分値から前記基板の前記焼成処理における熱収縮量を算出し、
この熱収縮量が所定の範囲よりも大きい場合、前記設定温度および前記搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示パネルの製造方法において、
前記基板には、前記表示パネルの製造工程において位置合わせに用いるアライメントマークが複数設けられ、
前記アライメントマーク間の距離を測定することにより前記基板の寸法を求める
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の表示パネルの製造方法において、
前記焼成炉は、昇温ゾーンと、温度保持ゾーンと、冷却ゾーンと、を備え、
前記設定温度を補正する場合、前記冷却ゾーンの設定温度を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造装置であって、
前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定する測定手段と、
この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する補正手段と、
を具備したことを特徴とする表示パネルの製造装置。
【請求項１】
表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造方法であって、
前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定し、
この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法において、
前記投入前の前記基板の寸法と、前記排出後の前記基板の寸法との差分値から前記基板の前記焼成処理における熱収縮量を算出し、
この熱収縮量が所定の範囲よりも大きい場合、前記設定温度および前記搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示パネルの製造方法において、
前記基板には、前記表示パネルの製造工程において位置合わせに用いるアライメントマークが複数設けられ、
前記アライメントマーク間の距離を測定することにより前記基板の寸法を求める
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の表示パネルの製造方法において、
前記焼成炉は、昇温ゾーンと、温度保持ゾーンと、冷却ゾーンと、を備え、
前記設定温度を補正する場合、前記冷却ゾーンの設定温度を補正する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
表示パネルの基板を焼成炉内に搬送し、前記基板に対して焼成処理を施す表示パネルの製造装置であって、
前記基板の前記焼成炉への投入前と、前記焼成炉からの搬出後とに前記基板の寸法を測定する測定手段と、
この測定結果に基づいて、前記焼成炉の設定温度および前記焼成炉内における前記基板の搬送速度のうち少なくともいずれか一方を補正する補正手段と、
を具備したことを特徴とする表示パネルの製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００９−１８１７０６（Ｐ２００９−１８１７０６Ａ）
【公開日】平成２１年８月１３日（２００９．８．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７３７４（Ｐ２００８−１７３７４）
【出願日】平成２０年１月２９日（２００８．１．２９）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年８月１３日（２００９．８．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２９日（２００８．１．２９）
【出願人】（０００００５０１６）パイオニア株式会社 (3,620)
【Ｆターム（参考）】
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