表示装置及びその製造方法
【課題】補助電極を設けてなる表示装置において、高精細で高歩留まりとする。
【解決手段】複数の第１電極３００の周辺端部を囲む素子分離膜３３０を設け、素子分離膜３３０の上部に第２電極３２０と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備える。補助電極は、破線状に形成された第１補助電極４００と、第１補助電極４００が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極４００上に形成された第２補助電極４１０とからなる。補助電極の配線間隔を補助電極の配線長さよりも小さく設定し、第１補助電極の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下に設定する。
【解決手段】複数の第１電極３００の周辺端部を囲む素子分離膜３３０を設け、素子分離膜３３０の上部に第２電極３２０と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備える。補助電極は、破線状に形成された第１補助電極４００と、第１補助電極４００が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極４００上に形成された第２補助電極４１０とからなる。補助電極の配線間隔を補助電極の配線長さよりも小さく設定し、第１補助電極の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下に設定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、ＥＬと記す）を用いた有機ＥＬ素子は、対向して設けた第１電極と第２電極との間に有機層を配設して構成されている。このような有機ＥＬ素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置（有機ＥＬディスプレイ）は、基板上の各画素に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと記す）を備えている。そして、ＴＦＴを覆うように形成された層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が形成されている。この有機ＥＬ素子は、ＴＦＴに接続された状態で画素毎にパターン形成された第１電極と、この第１電極の中央部を画素開口として露出させてその周囲を覆う絶縁性を有する素子分離膜とを備えている。また、この素子分離膜で分離された画素開口内の第１電極上に設けられた有機層と、この有機層を覆う状態で設けられた第２電極とを備えている。このうち第２電極は、通常、複数の画素を覆うように形成され、複数の画素間に共通して用いられている。
【０００４】
また、このようなアクティブマトリックス型の表示装置においては、有機ＥＬ素子の１画素領域における発光領域（開口率）を確保するために、基板の表面側から光を取出す、いわゆる上面光取出し構造として構成することが有効になる。このため、第２電極は、光透過性を確保するために薄膜化が要求され、これにより抵抗値が上昇して電圧降下が生じ易くなる傾向にある。
【０００５】
そこで、画素開口間の素子分離膜上に導電性の良好な金属材料からなる補助電極を形成し、第２電極に補助電極を接続させることで、第２電極の電圧降下を防止する構造が提案されている。
【０００６】
このような発光装置として、補助電極を第１電極と同一層に形成し、各第１電極上に有機層を独立形成した後、第２電極を形成し、補助電極とコンタクトする構成のものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、第２電極を形成した後に、第２電極の上部にシャドーマスクを用いて補助電極を蒸着により形成する方法が提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２９１号公報
【特許文献３】特開２００７−９２１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、アクティブマトリックス型の表示装置において有効な上面光取出し構造とした際には、光取出し側にある第２電極の光透過率を高めることが必須であり、また、光吸収損失と干渉の影響を考慮して第２電極を薄く形成する必要がある。このため、光取出し側の第２電極の画面内における抵抗により、電圧が不均一となることがあり、応答速度の低下や消費電力の増加等による表示品位を低下させる原因となる。
【００１０】
このため、第２電極の抵抗値を低減すべく、第２電極に電気的に接続がなされた補助電極を形成する提案がなされている。しかし、上記特許文献１に記載された構成の場合には、第１電極と同一層に補助電極を形成するため、第１電極の面積が補助配線分だけ縮小することになる。
【００１１】
また、有機層形成後に、第１電極と同一層に形成された補助電極とコンタクトする必要がある。そのため、有機層のうちの各色に共通で配される共通層に関しても、補助電極上に蒸着されないように高い精度のアライメントが必要になり、装置が複雑になることが懸念される。
【００１２】
また、上記特許文献２に記載されたように、補助電極を素子分離膜上に形成して第２電極とコンタクトした構成においては、シャドーマスクを用いた蒸着により、補助電極が分離膜上で画像表示部の外側まで延在するようにして、画素の長辺方向に形成されている。このため、画素の長辺方向におけるシャドーマスクのよじれや撓み等により、補助電極の幅にバラツキが生じ、製造歩留まりが低下する可能性がある。この現象は、特に表示装置の大画面化が進むほど顕著になり、補助電極を非発光領域に納めることが困難になる。
【００１３】
そこで、上記特許文献３に記載された技術では、マスク強度が保たれるように、シャドーマスクの配線パターンを５０％の選択比となる点線形状とすることで、シャドーマスクのよじれ等を防ぎ補助電極を作製している。
【００１４】
しかし、一度の補助電極形成では補助電極が点線状にしか配されないため、補助電極が形成されていない領域に対して再度同一の膜厚で蒸着を行う必要が生じる。その際、予め基板側に第１補助電極形成用のアライメントマークと、第２補助電極形成用のアライメントマークとを設けておき、第１補助電極を形成後にシャドーマスクを移動させて、第２アライメントマークを用いて再度アライメントを行うことになる。
【００１５】
第１アライメント位置にて第１補助電極蒸着が完了した後には、シャドーマスクのアライメント用開口部も含めて蒸着がなされるため、第２アライメントマークは十分に離れた領域に位置している必要がある。
【００１６】
例えば、第１アライメントマークと第２アライメントマークの位置が、シャドーマスクのアライメント用開口部よりも狭い領域に位置した場合には、第１補助電極を形成した後に、第２補助電極形成用のアライメントマークが蒸着膜により見えなくなってしまう。
【００１７】
また、基板側に配されたアライメントマークが、例えば１０ｍｍ程度離れている場合には、シャドーマスクも対応して１０ｍｍ程度シフトさせる必要が生じる。
【００１８】
すなわち、第１補助電極の形成時にアライメントを行った後に、シャドーマスクを第２補助電極形成用のアライメント位置に移動し、再度、第２補助電極を形成するためにアライメントを行うこととなり、補助電極形成の工程が煩雑になる。
【００１９】
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、補助電極を設けてなる表示装置において、高精細で高歩留まりである表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の表示装置及びその製造方法は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。
【００２１】
すなわち、本発明の表示装置は、基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成している。また、各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、電気絶縁性隔壁の上部に第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備えている。そして、補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極上に形成された第２補助電極とからなる。さらに、下記条件式（１）及び（２）を満足することを特徴とするものである。
【００２２】
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
【００２３】
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【００２４】
また、本発明の表示装置の製造方法は、上述した表示装置を製造する際に、第１補助電極及び第２補助電極を、シャドーマスクを用いた蒸着工程にて形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の表示装置によれば、第１補助電極の膜厚が薄いため、シャドーマスクを用いた第１補助電極を形成した後にも、有機ＥＬ基板に設けられたシャドーマスク用のアライメントマークを確認することが可能になる。これにより、アライメントマークによるアライメント工程終了後に、補助配線と平行にシャドーマスクをシフトさせることで、同一のシャドーマスクにより補助配線を形成することが可能になる。その結果、シャドーマスクの強度を確保しつつ、複数回の蒸着工程による工程時間の増大を最小限に抑えて、途切れることのない補助配線形成を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明の表示装置及びその製造方法の実施形態を説明する。なお、本発明の表示装置及びその製造方法は、以下に説明する実施形態に限られるものではない。
【００２７】
＜表示装置＞
図３は、本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。また、図１は、図３におけるＹ方向の断面図であり、図２は、図３におけるＸ方向の断面図である。
【００２８】
本発明の実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子として配列形成したアクティブマトリックス型の表示基板を備えた表示装置である。図１乃至図３において、１０１は基板、１０２はソース領域、１０３はドレイン領域、１０４はＰｏｌｙ−Ｓｉ、１０５はゲート電極をそれぞれ示す。また、１０６は絶縁膜（ゲート絶縁膜）、１０７は絶縁膜（層間絶縁膜）、１０８はドレイン電極、１０９は絶縁膜（無機絶縁膜）、１１０は平坦化膜をそれぞれ示す。また、２００はＴＦＴ、３００はパターン形成された第１電極、３１０は発光媒体である発光性材料層、３２０は第１電極３００と対向して設けた第２電極、３３０は電気絶縁性隔壁として機能する素子分離膜をそれぞれ示す。さらに、４００は第１補助電極、４１０は第２補助電極、５００は画素をそれぞれ示す。
【００２９】
この表示装置は、図１乃至図３に示すように、基板１０１上の各画素にＴＦＴ２００を備えている。ＴＦＴ２００が形成された基板１０１上には、ＴＦＴ２００のソース領域１０２、ドレイン領域１０３に接続されたドレイン電極１０８が形成され、このドレイン電極１０８を覆う状態で絶縁膜１０６、１０７、１０９、平坦化膜１１０が設けられている。なお、ＴＦＴ２００は図示したトップゲート型に限定されることはなく、ボトムゲート型であってもよい。
【００３０】
そして、平坦化膜１１０上の素子分離膜３３０に囲まれた各画素開口部に、パターン形成された第１電極３００、発光媒体である発光性材料層３１０、及び第１電極３００と対向して設けた第２電極３２０を積層した構成となっている。
【００３１】
第１電極３００を陰極とし、第２電極３２０を陽極とする場合には、第１電極３００を周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成する。具体的には、第１電極３００として、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金、あるいはこれらの反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物を積層した複合層を用いることができる。
【００３２】
第２電極３２０は、酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物が適用される。この第２電極と発光媒体である発光性材料層３１０とを良好に接触させるためには、その界面に薄い金属層を介在させてもよい。
【００３３】
第１電極３００を陽極とし、第２電極３２０を陰極とする場合には、第１電極３００を酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物、又はこれらと同等の仕事関数を有する導電性材料で形成する。あるいは、第１電極３００を周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成することが好ましい。例えば、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金で形成した反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物を積層した複合層を用いることができる。
【００３４】
第２電極３２０は、周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀との合金で形成するのが好ましいが、光透過性を持たせるために極めて薄く形成し、酸化インジウム・スズなどの透明導電膜を積層させてもよい。
【００３５】
さらに、金属材料層の下部には、下地となる平坦化膜１１０との密着層として導電性酸化材料層を設け、金属材料層を導電性酸化材料層で挟持してなる３層構造としてもよい。
【００３６】
素子分離膜３３０は、隣接する画素間に設けられた電気絶縁性隔壁として機能する絶縁膜であり、第１電極３００の周辺端部を覆うように配置されている。素子分離膜３３０として、窒化珪素、酸窒化珪素や酸化珪素等からなる無機絶縁膜や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。
【００３７】
発光性材料層３１０は、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構造となっている。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性（移動度）が優れた材料を組み合わせることができる。
【００３８】
発光性材料層３１０は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層から構成されているが、発光層のみであってもよい。あるいは、発光性材料層３１０を、２層、４層など複数の層から形成してもよい。正孔輸送層には、例えばＮＰＤを用いているが、それ以外の材料であってもよい。
【００３９】
発光性材料層３１０は、発光色毎に設けられ、シャドーマスクにより塗り分けられている。発光性材料層３１０には、赤色発光層として例えば、ＣＢＰにＩｒ（ｐｉｑ）３をドープしたもの、緑色発光層として例えばＡｌｑ３にクマリンをドープしたもの、青色発光層としてＢ−Ａｌｑ３にＰｅｒｙｌｅｎｅをドープしたものを用いている。なお、発光性材料層３１０として、それ以外の材料を用いてもよい。電子輸送層には、例えばＢａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｒｏｌｉｎｅを用いているが、それ以外の材料であってもよい。
【００４０】
補助電極は、第１層目に形成される第１補助電極４００と、第２層目に形成される第２補助電極４１０とからなる。また、電気絶縁性隔壁である素子分離膜３３０の上部に第２電極３２０と補助電極（第１補助電極４００及び第２補助電極４１０）とからなる積層域を有している。
【００４１】
補助電極は、破線状に形成された第１補助電極４００と、第１補助電極４００が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極４００上に形成された第２補助電極４１０とからなる。なお、以下の説明において、単に補助電極と表現する場合には、第１補助電極４００及び第２補助電極４１０の双方を意味する。
【００４２】
図４は、本発明の実施形態に係る表示装置における補助電極形成用シャドーマスクの概略構成を示す平面図である。図４（ａ）には、第１層目に形成される補助電極（第１補助電極４００）及び第２層目に形成される補助電極（第２補助電極４１０）を形成する際に用いるシャドーマスク（一部）の平面図を模式的に示す。また、図４（ｂ）には、シャドーマスクの周辺部に配されたシャドーマスクのアライメントマーク部を模式的に示す。さらに、図４（ｃ）には、有機ＥＬ基板側のアライメントマークを模式的に示す。
【００４３】
第１層目に形成される第１補助電極４００は、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すアライメントマークを用いてシャドーマスクのアライメントを行った後、蒸着工程にて破線状に形成される。電極材料は、導電性材料であって、かつ電気抵抗率が低い材料が選択される。例えば、電極材料として、アルミニウム、銅又は銀等を用いることができる。
【００４４】
第１補助電極４００は、凹凸のある有機ＥＬ基板上に配した際に配線として機能する必要があるため、５ｎｍ以上の配線膜厚であることが好ましい。
【００４５】
また、第２補助電極４１０を形成する際に、図４（ｄ）に示すように、再度アライメントを行う必要がある。そのため、図４（ｃ）に示す有機ＥＬ基板側のアライメントマークが、図４（ｂ）に示すシャドーマスクのアライメントマーク部の開口越しに確認できる状態を確保する必要がある。そのため、第１補助電極４００の形成膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
これにより、第１補助電極３００の形成後にも、基板１０１上に配された第１補助電極４００のアライメントマークを用いて再度アライメントを行うことが可能となる。
【００４７】
後述する第２補助電極４１０の形成時には、まず、第１補助電極４００の形成時に用いたアライメントマークを基にアライメントを実施し、破線状に形成された第１補助電極４００の配線間を埋めるべく、自動制御により数十μｍ程度平行移動させればよい。
【００４８】
第２補助電極４１０は、第１補助電極４００を形成する導電性材料とオーミック接触性のよい材料であり、かつ抵抗率の小さい導電性材料が選択される。具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチタン、銅又は銀等で形成することができる。
【００４９】
本発明の実施形態に係る表示装置によれば、破線状に形成された第１補助電極４００の配線間を埋めるべく、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すアライメントマークを用いてアライメントを行う。その後に、シャドーマスクを補助電極（配線）方向と平行にシフトさせた後に再度成膜を開始する。そのため、第２補助電極４１０の配線材料は、第１補助電極４００と同様の材料を用いることが好ましい。
【００５０】
また、シャドーマスクの平行シフト量は、第１補助電極４００により形成された配線間隔を埋める際に必要な量であって、第１補助電極４００と第２補助電極４１０により積層構造となる領域が形成されるようにシフトさせることが好ましい。そのため、第１補助電極４００と第２補助電極４１０を同一のシャドーマスクを用いて形成することが好ましい。
【００５１】
ここで、図８を参照して、補助電極の配線幅、補助電極の配線間隔、補助電極の配線長さ、及び第１補助電極の膜厚の関係を説明する。図８は、本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図であり、図中、ａは各補助電極の配線幅、ｂは各補助電極の配線間隔、ｃは各補助電極の配線長さをそれぞれ示す。
【００５２】
本発明の実施形態に係る表示装置では、シャドーマスクにより破線状に形成される補助電極について、配線間隔ｂ、配線長さｃ、第１補助電極の膜厚ｄは、下記条件式（１）及び条件式（２）の関係を満たしている必要がある。
【００５３】
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
【００５４】
さらに、配線幅ａ、配線間隔ｂは、下記条件式（３）を満たすことが好ましい。
【００５５】
１０ａ≧ｂ ・・・ （３）
【００５６】
各補助電極の配線間隔ｂが広くなり過ぎると、薄膜である第１補助電極４００と第２電極３２０のみの領域の配線抵抗が拡大し、各補助電極による効果が低下することになる。
【００５７】
本発明の実施形態に係る表示装置では、各補助電極の配線幅ａと、各補助電極の配線間隔ｂとの関係を規定した条件式（３）を満たすことにより、第２補助電極４１０の形成時にシャドーマスクを移動させる量を、１画素サイズ程度に抑えることが可能になる。その結果、第２補助電極４１０の形成時にシャドーマスクをアライメントした後に、シャドーマスクを平行移動させる量を抑えることができ、第２補助電極４１０を所望の位置に簡便に形成することができる。
【００５８】
なお、各補助電極の配線幅ａが１画素あたりに占める割合は、各画素の周辺部に配される素子分離膜の幅であり、画素サイズが拡大すれば各補助電極の配線幅ａも拡大する。画素サイズが拡大した場合は、各補助電極の形成時に求められるアライメント精度も低下する傾向になるのが一般的であり、各補助電極の配線幅ａと各補助電極の配線間隔ｂとの関係を規定した条件式（３）を満たすことで、本発明の効果を得ることができる。
【００５９】
また、前述した通り、第１補助電極４００の膜厚ｄは、第２補助電極４１０の形成時に、基板上に配されたアライメントマークを再度用いる必要があるため、条件式（２）に規定したように、３０ｎｍ以下であることが好ましい。さらに、第１補助電極４００の膜厚ｄは、凹凸のある有機ＥＬ基板上に配した際に配線として機能させるために、５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００６０】
一方で、第２補助電極４１０の膜厚は、補助電極を含む第２電極３２０の抵抗値が所望の値となるように、必要な膜厚を形成すればよい。本発明の実施形態に係る表示装置では、第１補助電極４００の厚みは、第２補助電極４１０の厚みよりも薄いことが好ましい。
【００６１】
なお、補助電極の材料種並びに第２電極３２０の材料種によるが、第２電極３２０に透明導電膜を用いればよい。この場合に上記関係を満たすことで、薄膜である第１補助電極４００と第２電極３２０の積層部の抵抗は、第２電極３２０が単層である領域の抵抗の約１／１０となる。
【００６２】
また、外部からの水分による劣化を防ぐために、露点−６０℃以下の窒素雰囲気において封止基板をＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付ける。封止基板の有機ＥＬ素子側には、酸化ストロンチウムや酸化カルシウムのような吸湿膜が成膜されていることがさらに好ましい。また、本構成ではガラス基板によって封止しているが、窒化珪素、酸窒化珪素や、酸化珪素等からなる無機絶縁膜で封止されていてもよい。
【実施例】
【００６３】
次に、図５乃至図７を参照して、上述した構成の表示装置における製造方法の一例及び表示装置のさらに詳しい構成のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の具体例を、その製造手順に沿って説明する。図５乃至図７は、本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【００６４】
まず、図５（ａ）に示すように、例えばガラス基板からなる基板１０１上にＴＦＴ２００及びそのソース、ドレイン電極を形成した。その後、ＴＦＴ２００及び電極の形成により、基板１０１の表面に生じた凹凸を埋め込むため、基板１０１上に平坦化膜１１０を形成した。この場合、例えば、基板１０１上にポジ型感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光装置にてパターン露光を行い、次いで現像装置にて現像を行った後、ポストベークを行う。
【００６５】
次に、平坦化膜１１０上に、第１電極３００を形成した。ここでは平坦化膜１１０上に、反射層としてＡｌを１００ｎｍ、導電性酸化材料（例えばＩＴＯ）を、スパッタリング法により２０ｎｍ程度の膜厚で成膜した。
【００６６】
その後、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、素子分離膜３３０を形成するため、例えばＣＶＤ法によって、ＳｉＯ2（酸化珪素）膜を３００ｎｍ程度の膜厚で成膜した。その後、リソグラフィ技術を用いて形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングにより、ＳｉＯ2（酸化珪素）膜をパターニングした。この際、エッチング側壁がテーパ形状となるような条件でエッチングを行うこととする。
【００６７】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、シャドーマスクを用いた蒸着工程により、発光性材料を蒸着した後、導電性材料のシャドーマスクを用いた蒸着工程により、第２電極３２０を形成した。
【００６８】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、シャドーマスクにより、第１補助電極４００としてＡｌを１０ｎｍの膜厚で蒸着した。なお、蒸着形成された第１補助電極４００の配線幅は１５μｍであり、配線間隔は３０μｍであった。また、各配線長さは、２００μｍであった。
【００６９】
続いて、シャドーマスクのアライメントマークを用いて、アライメントを行った後、第１補助電極４００により形成された配線方向と平行にシャドーマスクを１００μｍシフトさせ、第２補助電極４１０を１００ｎｍの膜厚で蒸着した。このように、第２補助電極４１０は、第１補助電極４００と同一開口を有するシャドーマスクにより形成される。
【００７０】
最後に、露点−６０℃以下の窒素雰囲気において、図示しない封止基板の掘り込み領域であって表示を阻害しない領域に、酸化ストロンチウムを主材料とした吸湿材料を貼り付け、封止基板をＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付けた。
【００７１】
以上の工程により、図１及び図２を用いて説明した構成の表示装置を得ることができる。この表示装置は、上記条件式（１）乃至（３）のすべてを満足している。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置における補助電極形成用シャドーマスクの概略構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０１ 基板
１０２ ソース領域
１０３ ドレイン領域
１０４ Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
１０５ ゲート電極
１０６ 絶縁膜（ゲート絶縁膜）
１０７ 絶縁膜（層間絶縁膜）
１０８ ドレイン電極
１０９ 絶縁膜（無機絶縁膜）
１１０ 平坦化膜
２００ ＴＦＴ
３００ 第１電極
３１０ 発光性材料層
３２０ 第２電極
３３０ 素子分離膜
４００ 第１補助電極
４１０ 第２補助電極
５００ 画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、ＥＬと記す）を用いた有機ＥＬ素子は、対向して設けた第１電極と第２電極との間に有機層を配設して構成されている。このような有機ＥＬ素子は、低電圧駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置（有機ＥＬディスプレイ）は、基板上の各画素に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと記す）を備えている。そして、ＴＦＴを覆うように形成された層間絶縁膜上に有機ＥＬ素子が形成されている。この有機ＥＬ素子は、ＴＦＴに接続された状態で画素毎にパターン形成された第１電極と、この第１電極の中央部を画素開口として露出させてその周囲を覆う絶縁性を有する素子分離膜とを備えている。また、この素子分離膜で分離された画素開口内の第１電極上に設けられた有機層と、この有機層を覆う状態で設けられた第２電極とを備えている。このうち第２電極は、通常、複数の画素を覆うように形成され、複数の画素間に共通して用いられている。
【０００４】
また、このようなアクティブマトリックス型の表示装置においては、有機ＥＬ素子の１画素領域における発光領域（開口率）を確保するために、基板の表面側から光を取出す、いわゆる上面光取出し構造として構成することが有効になる。このため、第２電極は、光透過性を確保するために薄膜化が要求され、これにより抵抗値が上昇して電圧降下が生じ易くなる傾向にある。
【０００５】
そこで、画素開口間の素子分離膜上に導電性の良好な金属材料からなる補助電極を形成し、第２電極に補助電極を接続させることで、第２電極の電圧降下を防止する構造が提案されている。
【０００６】
このような発光装置として、補助電極を第１電極と同一層に形成し、各第１電極上に有機層を独立形成した後、第２電極を形成し、補助電極とコンタクトする構成のものが提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、第２電極を形成した後に、第２電極の上部にシャドーマスクを用いて補助電極を蒸着により形成する方法が提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３１６２９１号公報
【特許文献３】特開２００７−９２１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、アクティブマトリックス型の表示装置において有効な上面光取出し構造とした際には、光取出し側にある第２電極の光透過率を高めることが必須であり、また、光吸収損失と干渉の影響を考慮して第２電極を薄く形成する必要がある。このため、光取出し側の第２電極の画面内における抵抗により、電圧が不均一となることがあり、応答速度の低下や消費電力の増加等による表示品位を低下させる原因となる。
【００１０】
このため、第２電極の抵抗値を低減すべく、第２電極に電気的に接続がなされた補助電極を形成する提案がなされている。しかし、上記特許文献１に記載された構成の場合には、第１電極と同一層に補助電極を形成するため、第１電極の面積が補助配線分だけ縮小することになる。
【００１１】
また、有機層形成後に、第１電極と同一層に形成された補助電極とコンタクトする必要がある。そのため、有機層のうちの各色に共通で配される共通層に関しても、補助電極上に蒸着されないように高い精度のアライメントが必要になり、装置が複雑になることが懸念される。
【００１２】
また、上記特許文献２に記載されたように、補助電極を素子分離膜上に形成して第２電極とコンタクトした構成においては、シャドーマスクを用いた蒸着により、補助電極が分離膜上で画像表示部の外側まで延在するようにして、画素の長辺方向に形成されている。このため、画素の長辺方向におけるシャドーマスクのよじれや撓み等により、補助電極の幅にバラツキが生じ、製造歩留まりが低下する可能性がある。この現象は、特に表示装置の大画面化が進むほど顕著になり、補助電極を非発光領域に納めることが困難になる。
【００１３】
そこで、上記特許文献３に記載された技術では、マスク強度が保たれるように、シャドーマスクの配線パターンを５０％の選択比となる点線形状とすることで、シャドーマスクのよじれ等を防ぎ補助電極を作製している。
【００１４】
しかし、一度の補助電極形成では補助電極が点線状にしか配されないため、補助電極が形成されていない領域に対して再度同一の膜厚で蒸着を行う必要が生じる。その際、予め基板側に第１補助電極形成用のアライメントマークと、第２補助電極形成用のアライメントマークとを設けておき、第１補助電極を形成後にシャドーマスクを移動させて、第２アライメントマークを用いて再度アライメントを行うことになる。
【００１５】
第１アライメント位置にて第１補助電極蒸着が完了した後には、シャドーマスクのアライメント用開口部も含めて蒸着がなされるため、第２アライメントマークは十分に離れた領域に位置している必要がある。
【００１６】
例えば、第１アライメントマークと第２アライメントマークの位置が、シャドーマスクのアライメント用開口部よりも狭い領域に位置した場合には、第１補助電極を形成した後に、第２補助電極形成用のアライメントマークが蒸着膜により見えなくなってしまう。
【００１７】
また、基板側に配されたアライメントマークが、例えば１０ｍｍ程度離れている場合には、シャドーマスクも対応して１０ｍｍ程度シフトさせる必要が生じる。
【００１８】
すなわち、第１補助電極の形成時にアライメントを行った後に、シャドーマスクを第２補助電極形成用のアライメント位置に移動し、再度、第２補助電極を形成するためにアライメントを行うこととなり、補助電極形成の工程が煩雑になる。
【００１９】
本発明は、上述した事情に鑑み提案されたもので、補助電極を設けてなる表示装置において、高精細で高歩留まりである表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の表示装置及びその製造方法は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。
【００２１】
すなわち、本発明の表示装置は、基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成している。また、各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、電気絶縁性隔壁の上部に第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備えている。そして、補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極上に形成された第２補助電極とからなる。さらに、下記条件式（１）及び（２）を満足することを特徴とするものである。
【００２２】
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
【００２３】
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【００２４】
また、本発明の表示装置の製造方法は、上述した表示装置を製造する際に、第１補助電極及び第２補助電極を、シャドーマスクを用いた蒸着工程にて形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の表示装置によれば、第１補助電極の膜厚が薄いため、シャドーマスクを用いた第１補助電極を形成した後にも、有機ＥＬ基板に設けられたシャドーマスク用のアライメントマークを確認することが可能になる。これにより、アライメントマークによるアライメント工程終了後に、補助配線と平行にシャドーマスクをシフトさせることで、同一のシャドーマスクにより補助配線を形成することが可能になる。その結果、シャドーマスクの強度を確保しつつ、複数回の蒸着工程による工程時間の増大を最小限に抑えて、途切れることのない補助配線形成を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明の表示装置及びその製造方法の実施形態を説明する。なお、本発明の表示装置及びその製造方法は、以下に説明する実施形態に限られるものではない。
【００２７】
＜表示装置＞
図３は、本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。また、図１は、図３におけるＹ方向の断面図であり、図２は、図３におけるＸ方向の断面図である。
【００２８】
本発明の実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子として配列形成したアクティブマトリックス型の表示基板を備えた表示装置である。図１乃至図３において、１０１は基板、１０２はソース領域、１０３はドレイン領域、１０４はＰｏｌｙ−Ｓｉ、１０５はゲート電極をそれぞれ示す。また、１０６は絶縁膜（ゲート絶縁膜）、１０７は絶縁膜（層間絶縁膜）、１０８はドレイン電極、１０９は絶縁膜（無機絶縁膜）、１１０は平坦化膜をそれぞれ示す。また、２００はＴＦＴ、３００はパターン形成された第１電極、３１０は発光媒体である発光性材料層、３２０は第１電極３００と対向して設けた第２電極、３３０は電気絶縁性隔壁として機能する素子分離膜をそれぞれ示す。さらに、４００は第１補助電極、４１０は第２補助電極、５００は画素をそれぞれ示す。
【００２９】
この表示装置は、図１乃至図３に示すように、基板１０１上の各画素にＴＦＴ２００を備えている。ＴＦＴ２００が形成された基板１０１上には、ＴＦＴ２００のソース領域１０２、ドレイン領域１０３に接続されたドレイン電極１０８が形成され、このドレイン電極１０８を覆う状態で絶縁膜１０６、１０７、１０９、平坦化膜１１０が設けられている。なお、ＴＦＴ２００は図示したトップゲート型に限定されることはなく、ボトムゲート型であってもよい。
【００３０】
そして、平坦化膜１１０上の素子分離膜３３０に囲まれた各画素開口部に、パターン形成された第１電極３００、発光媒体である発光性材料層３１０、及び第１電極３００と対向して設けた第２電極３２０を積層した構成となっている。
【００３１】
第１電極３００を陰極とし、第２電極３２０を陽極とする場合には、第１電極３００を周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成する。具体的には、第１電極３００として、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金、あるいはこれらの反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物を積層した複合層を用いることができる。
【００３２】
第２電極３２０は、酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物が適用される。この第２電極と発光媒体である発光性材料層３１０とを良好に接触させるためには、その界面に薄い金属層を介在させてもよい。
【００３３】
第１電極３００を陽極とし、第２電極３２０を陰極とする場合には、第１電極３００を酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物、又はこれらと同等の仕事関数を有する導電性材料で形成する。あるいは、第１電極３００を周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成することが好ましい。例えば、アルミニウムや銀、アルミニウムやネオジウムとの合金で形成した反射性電極上に酸化インジウム・スズ、酸化亜鉛、ガリウムが添加された酸化亜鉛、若しくはこれらの化合物を積層した複合層を用いることができる。
【００３４】
第２電極３２０は、周期律表１属又は２属にある元素の合金又は化合物で形成され、アルミニウムや銀との合金で形成するのが好ましいが、光透過性を持たせるために極めて薄く形成し、酸化インジウム・スズなどの透明導電膜を積層させてもよい。
【００３５】
さらに、金属材料層の下部には、下地となる平坦化膜１１０との密着層として導電性酸化材料層を設け、金属材料層を導電性酸化材料層で挟持してなる３層構造としてもよい。
【００３６】
素子分離膜３３０は、隣接する画素間に設けられた電気絶縁性隔壁として機能する絶縁膜であり、第１電極３００の周辺端部を覆うように配置されている。素子分離膜３３０として、窒化珪素、酸窒化珪素や酸化珪素等からなる無機絶縁膜や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の有機絶縁膜を用いることができる。
【００３７】
発光性材料層３１０は、陽極側にある正孔注入輸送層、陰極側にある電子注入輸送層、発光層等を適宜組み合わせた構造となっている。正孔注入輸送層又は電子注入輸送層は、電極からの正孔又は電子の注入効率と、輸送性（移動度）が優れた材料を組み合わせることができる。
【００３８】
発光性材料層３１０は、例えば、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３層から構成されているが、発光層のみであってもよい。あるいは、発光性材料層３１０を、２層、４層など複数の層から形成してもよい。正孔輸送層には、例えばＮＰＤを用いているが、それ以外の材料であってもよい。
【００３９】
発光性材料層３１０は、発光色毎に設けられ、シャドーマスクにより塗り分けられている。発光性材料層３１０には、赤色発光層として例えば、ＣＢＰにＩｒ（ｐｉｑ）３をドープしたもの、緑色発光層として例えばＡｌｑ３にクマリンをドープしたもの、青色発光層としてＢ−Ａｌｑ３にＰｅｒｙｌｅｎｅをドープしたものを用いている。なお、発光性材料層３１０として、それ以外の材料を用いてもよい。電子輸送層には、例えばＢａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｒｏｌｉｎｅを用いているが、それ以外の材料であってもよい。
【００４０】
補助電極は、第１層目に形成される第１補助電極４００と、第２層目に形成される第２補助電極４１０とからなる。また、電気絶縁性隔壁である素子分離膜３３０の上部に第２電極３２０と補助電極（第１補助電極４００及び第２補助電極４１０）とからなる積層域を有している。
【００４１】
補助電極は、破線状に形成された第１補助電極４００と、第１補助電極４００が形成されていない領域を補間すべく第１補助電極４００上に形成された第２補助電極４１０とからなる。なお、以下の説明において、単に補助電極と表現する場合には、第１補助電極４００及び第２補助電極４１０の双方を意味する。
【００４２】
図４は、本発明の実施形態に係る表示装置における補助電極形成用シャドーマスクの概略構成を示す平面図である。図４（ａ）には、第１層目に形成される補助電極（第１補助電極４００）及び第２層目に形成される補助電極（第２補助電極４１０）を形成する際に用いるシャドーマスク（一部）の平面図を模式的に示す。また、図４（ｂ）には、シャドーマスクの周辺部に配されたシャドーマスクのアライメントマーク部を模式的に示す。さらに、図４（ｃ）には、有機ＥＬ基板側のアライメントマークを模式的に示す。
【００４３】
第１層目に形成される第１補助電極４００は、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すアライメントマークを用いてシャドーマスクのアライメントを行った後、蒸着工程にて破線状に形成される。電極材料は、導電性材料であって、かつ電気抵抗率が低い材料が選択される。例えば、電極材料として、アルミニウム、銅又は銀等を用いることができる。
【００４４】
第１補助電極４００は、凹凸のある有機ＥＬ基板上に配した際に配線として機能する必要があるため、５ｎｍ以上の配線膜厚であることが好ましい。
【００４５】
また、第２補助電極４１０を形成する際に、図４（ｄ）に示すように、再度アライメントを行う必要がある。そのため、図４（ｃ）に示す有機ＥＬ基板側のアライメントマークが、図４（ｂ）に示すシャドーマスクのアライメントマーク部の開口越しに確認できる状態を確保する必要がある。そのため、第１補助電極４００の形成膜厚は３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
これにより、第１補助電極３００の形成後にも、基板１０１上に配された第１補助電極４００のアライメントマークを用いて再度アライメントを行うことが可能となる。
【００４７】
後述する第２補助電極４１０の形成時には、まず、第１補助電極４００の形成時に用いたアライメントマークを基にアライメントを実施し、破線状に形成された第１補助電極４００の配線間を埋めるべく、自動制御により数十μｍ程度平行移動させればよい。
【００４８】
第２補助電極４１０は、第１補助電極４００を形成する導電性材料とオーミック接触性のよい材料であり、かつ抵抗率の小さい導電性材料が選択される。具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチタン、銅又は銀等で形成することができる。
【００４９】
本発明の実施形態に係る表示装置によれば、破線状に形成された第１補助電極４００の配線間を埋めるべく、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示すアライメントマークを用いてアライメントを行う。その後に、シャドーマスクを補助電極（配線）方向と平行にシフトさせた後に再度成膜を開始する。そのため、第２補助電極４１０の配線材料は、第１補助電極４００と同様の材料を用いることが好ましい。
【００５０】
また、シャドーマスクの平行シフト量は、第１補助電極４００により形成された配線間隔を埋める際に必要な量であって、第１補助電極４００と第２補助電極４１０により積層構造となる領域が形成されるようにシフトさせることが好ましい。そのため、第１補助電極４００と第２補助電極４１０を同一のシャドーマスクを用いて形成することが好ましい。
【００５１】
ここで、図８を参照して、補助電極の配線幅、補助電極の配線間隔、補助電極の配線長さ、及び第１補助電極の膜厚の関係を説明する。図８は、本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図であり、図中、ａは各補助電極の配線幅、ｂは各補助電極の配線間隔、ｃは各補助電極の配線長さをそれぞれ示す。
【００５２】
本発明の実施形態に係る表示装置では、シャドーマスクにより破線状に形成される補助電極について、配線間隔ｂ、配線長さｃ、第１補助電極の膜厚ｄは、下記条件式（１）及び条件式（２）の関係を満たしている必要がある。
【００５３】
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
【００５４】
さらに、配線幅ａ、配線間隔ｂは、下記条件式（３）を満たすことが好ましい。
【００５５】
１０ａ≧ｂ ・・・ （３）
【００５６】
各補助電極の配線間隔ｂが広くなり過ぎると、薄膜である第１補助電極４００と第２電極３２０のみの領域の配線抵抗が拡大し、各補助電極による効果が低下することになる。
【００５７】
本発明の実施形態に係る表示装置では、各補助電極の配線幅ａと、各補助電極の配線間隔ｂとの関係を規定した条件式（３）を満たすことにより、第２補助電極４１０の形成時にシャドーマスクを移動させる量を、１画素サイズ程度に抑えることが可能になる。その結果、第２補助電極４１０の形成時にシャドーマスクをアライメントした後に、シャドーマスクを平行移動させる量を抑えることができ、第２補助電極４１０を所望の位置に簡便に形成することができる。
【００５８】
なお、各補助電極の配線幅ａが１画素あたりに占める割合は、各画素の周辺部に配される素子分離膜の幅であり、画素サイズが拡大すれば各補助電極の配線幅ａも拡大する。画素サイズが拡大した場合は、各補助電極の形成時に求められるアライメント精度も低下する傾向になるのが一般的であり、各補助電極の配線幅ａと各補助電極の配線間隔ｂとの関係を規定した条件式（３）を満たすことで、本発明の効果を得ることができる。
【００５９】
また、前述した通り、第１補助電極４００の膜厚ｄは、第２補助電極４１０の形成時に、基板上に配されたアライメントマークを再度用いる必要があるため、条件式（２）に規定したように、３０ｎｍ以下であることが好ましい。さらに、第１補助電極４００の膜厚ｄは、凹凸のある有機ＥＬ基板上に配した際に配線として機能させるために、５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００６０】
一方で、第２補助電極４１０の膜厚は、補助電極を含む第２電極３２０の抵抗値が所望の値となるように、必要な膜厚を形成すればよい。本発明の実施形態に係る表示装置では、第１補助電極４００の厚みは、第２補助電極４１０の厚みよりも薄いことが好ましい。
【００６１】
なお、補助電極の材料種並びに第２電極３２０の材料種によるが、第２電極３２０に透明導電膜を用いればよい。この場合に上記関係を満たすことで、薄膜である第１補助電極４００と第２電極３２０の積層部の抵抗は、第２電極３２０が単層である領域の抵抗の約１／１０となる。
【００６２】
また、外部からの水分による劣化を防ぐために、露点−６０℃以下の窒素雰囲気において封止基板をＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付ける。封止基板の有機ＥＬ素子側には、酸化ストロンチウムや酸化カルシウムのような吸湿膜が成膜されていることがさらに好ましい。また、本構成ではガラス基板によって封止しているが、窒化珪素、酸窒化珪素や、酸化珪素等からなる無機絶縁膜で封止されていてもよい。
【実施例】
【００６３】
次に、図５乃至図７を参照して、上述した構成の表示装置における製造方法の一例及び表示装置のさらに詳しい構成のトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の具体例を、その製造手順に沿って説明する。図５乃至図７は、本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【００６４】
まず、図５（ａ）に示すように、例えばガラス基板からなる基板１０１上にＴＦＴ２００及びそのソース、ドレイン電極を形成した。その後、ＴＦＴ２００及び電極の形成により、基板１０１の表面に生じた凹凸を埋め込むため、基板１０１上に平坦化膜１１０を形成した。この場合、例えば、基板１０１上にポジ型感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光装置にてパターン露光を行い、次いで現像装置にて現像を行った後、ポストベークを行う。
【００６５】
次に、平坦化膜１１０上に、第１電極３００を形成した。ここでは平坦化膜１１０上に、反射層としてＡｌを１００ｎｍ、導電性酸化材料（例えばＩＴＯ）を、スパッタリング法により２０ｎｍ程度の膜厚で成膜した。
【００６６】
その後、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、素子分離膜３３０を形成するため、例えばＣＶＤ法によって、ＳｉＯ2（酸化珪素）膜を３００ｎｍ程度の膜厚で成膜した。その後、リソグラフィ技術を用いて形成したレジストパターンをマスクにしたエッチングにより、ＳｉＯ2（酸化珪素）膜をパターニングした。この際、エッチング側壁がテーパ形状となるような条件でエッチングを行うこととする。
【００６７】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、シャドーマスクを用いた蒸着工程により、発光性材料を蒸着した後、導電性材料のシャドーマスクを用いた蒸着工程により、第２電極３２０を形成した。
【００６８】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、シャドーマスクにより、第１補助電極４００としてＡｌを１０ｎｍの膜厚で蒸着した。なお、蒸着形成された第１補助電極４００の配線幅は１５μｍであり、配線間隔は３０μｍであった。また、各配線長さは、２００μｍであった。
【００６９】
続いて、シャドーマスクのアライメントマークを用いて、アライメントを行った後、第１補助電極４００により形成された配線方向と平行にシャドーマスクを１００μｍシフトさせ、第２補助電極４１０を１００ｎｍの膜厚で蒸着した。このように、第２補助電極４１０は、第１補助電極４００と同一開口を有するシャドーマスクにより形成される。
【００７０】
最後に、露点−６０℃以下の窒素雰囲気において、図示しない封止基板の掘り込み領域であって表示を阻害しない領域に、酸化ストロンチウムを主材料とした吸湿材料を貼り付け、封止基板をＵＶ硬化エポキシ樹脂を用いて基板１０１に貼り付けた。
【００７１】
以上の工程により、図１及び図２を用いて説明した構成の表示装置を得ることができる。この表示装置は、上記条件式（１）乃至（３）のすべてを満足している。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置における補助電極形成用シャドーマスクの概略構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る表示装置における有機ＥＬ素子の作製工程の概略を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る表示装置における表示領域の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０１ 基板
１０２ ソース領域
１０３ ドレイン領域
１０４ Ｐｏｌｙ−Ｓｉ
１０５ ゲート電極
１０６ 絶縁膜（ゲート絶縁膜）
１０７ 絶縁膜（層間絶縁膜）
１０８ ドレイン電極
１０９ 絶縁膜（無機絶縁膜）
１１０ 平坦化膜
２００ ＴＦＴ
３００ 第１電極
３１０ 発光性材料層
３２０ 第２電極
３３０ 素子分離膜
４００ 第１補助電極
４１０ 第２補助電極
５００ 画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、前記第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成すると共に、前記各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、前記電気絶縁性隔壁の上部に前記第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備えた表示装置において、
前記補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、前記第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく前記第１補助電極の上に形成された第２補助電極とからなり、
下記条件式（１）及び（２）を満足することを特徴とする表示装置。
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【請求項２】
下記条件式（３）を満足することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
１０ａ≧ｂ ・・・ （３）
但し、
ａ：各補助電極の配線幅
ｂ：各補助電極の配線間隔
【請求項３】
前記第１補助電極の厚みは、前記第２補助電極の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、前記第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成すると共に、前記各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、前記電気絶縁性隔壁の上部に前記第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備え、
前記補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、前記第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく前記第１補助電極の上に形成された第２補助電極とからなると共に、下記条件式（１）及び（２）を満足する表示装置の製造方法であって、
前記第１補助電極及び前記第２補助電極は、シャドーマスクを用いた蒸着工程にて形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【請求項５】
前記第２補助電極は、前記第１補助電極と同一開口を有するシャドーマスクにより形成することを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、前記第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成すると共に、前記各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、前記電気絶縁性隔壁の上部に前記第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備えた表示装置において、
前記補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、前記第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく前記第１補助電極の上に形成された第２補助電極とからなり、
下記条件式（１）及び（２）を満足することを特徴とする表示装置。
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【請求項２】
下記条件式（３）を満足することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
１０ａ≧ｂ ・・・ （３）
但し、
ａ：各補助電極の配線幅
ｂ：各補助電極の配線間隔
【請求項３】
前記第１補助電極の厚みは、前記第２補助電極の厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
基板上の各画素にパターン形成された複数の第１電極と、前記第１電極に対応するように形成された発光性材料を含む発光媒体と、前記第１電極と対向して形成された第２電極とから画素を形成すると共に、前記各第１電極の周辺端部を囲む電気絶縁性隔壁を設け、前記電気絶縁性隔壁の上部に前記第２電極と補助電極とからなる積層域を有する表示基板を備え、
前記補助電極は、破線状に形成された第１補助電極と、前記第１補助電極が形成されていない領域を補間すべく前記第１補助電極の上に形成された第２補助電極とからなると共に、下記条件式（１）及び（２）を満足する表示装置の製造方法であって、
前記第１補助電極及び前記第２補助電極は、シャドーマスクを用いた蒸着工程にて形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
ｂ＜ｃ ・・・ （１）
５ｎｍ≦ｄ≦３０ｎｍ ・・・ （２）
但し、
ｂ：各補助電極の配線間隔
ｃ：各補助電極の配線長さ
ｄ：第１補助電極の膜厚
【請求項５】
前記第２補助電極は、前記第１補助電極と同一開口を有するシャドーマスクにより形成することを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−９２９０８（Ｐ２００９−９２９０８Ａ）
【公開日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２６３０１６（Ｐ２００７−２６３０１６）
【出願日】平成１９年１０月９日（２００７．１０．９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月３０日（２００９．４．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月９日（２００７．１０．９）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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