記憶装置、制御装置
【課題】欠陥領域の救済を行う記憶装置、制御装置を提供する。
【解決手段】ホストに接続されることができる記憶装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることをホストへ通知し、ホストからの指示を取得するホストインタフェース部２０と、ホストインタフェース部２０がホストからエラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行うＭＰＵ１２と、ＭＰＵ１２により調整されたリードパラメータを用いてエラーセクタの読み出しを行うリードチャネル１６とを備えた。
【解決手段】ホストに接続されることができる記憶装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることをホストへ通知し、ホストからの指示を取得するホストインタフェース部２０と、ホストインタフェース部２０がホストからエラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行うＭＰＵ１２と、ＭＰＵ１２により調整されたリードパラメータを用いてエラーセクタの読み出しを行うリードチャネル１６とを備えた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードリトライを行う記憶装置、制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの補助記憶装置として利用されている磁気ディスク装置において、リードされたデータに誤りがあれば、そのデータに付加されたＥＣＣ（Error Correcting Code）により誤り訂正が行われる。この誤り訂正に失敗した場合、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）は、リードリトライモードに移行し、誤り訂正に失敗したセクタであるエラーセクタに対してリードリトライを行う。ここで、リードリトライは、磁気ディスク装置のパフォーマンスの低下を防ぐため、限られた回数までしか実行できない。
【０００３】
一般的な磁気ディスク装置において、リードリトライのためにリードチャネルに設定されるリードパラメータが、予めテーブルとして用意されており、このテーブルを用いてリードリトライが行われる。
【０００４】
なお、本発明の関連ある従来技術として、リードリトライを行う場合にリードに関するパラメータを変化させ、エラー量が規定量以下となるまで、またはリードリトライ回数が所定数となるまで、リードリトライを繰り返すディスク装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許３７３７２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、想定したエラーセクタのリードパラメータと実際のエラーセクタのリードパラメータにずれがある場合、アンリカバードエラー（リトライアウト）として終了してしまい、エラーセクタの救済（リード）は不可能となる。また、リードリトライの回数は限られているため、リードリトライに適用すべきリードパラメータを数多く適用することは難しい。
【０００６】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、欠陥領域の救済を行う記憶装置、制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するため、本発明は、外部装置に接続されることができる記憶装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部とを備えたものである。
【０００８】
また、本発明に係る記憶装置において、前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る記憶装置において、更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記読み出し部に設定し、前記読み出し部に前記エラーセクタの読み出しを行わせると共に、前記読み出し部のQuality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記読み出し部に前記エラーセクタの複数回の読み出しを行わせると共に、前記読み出し部の自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、予め設定された複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報を取得し、該情報に従って前記複数のリードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る記憶装置において、前記複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報は、前記リードリトライにおけるリードパラメータの調整のための値と異なることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る記憶装置において、前記リードパラメータは、読み出し波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、読み出し波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、読み出し波形に対するブーストを調整するための値であるブースト調整値、読み出し波形に対するＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記エラーセクタからの読み出し波形が所定の波形条件を満たす場合、所定のリードパラメータを選択し、該リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形の出力レベルが所定の値より低くなることであり、前記所定のリードパラメータは、出力ゲイン調整値であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形に歪みまたはビット潰れがあることであり、前記所定のリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部とを備えるものである。
【００２１】
また、本発明に係る制御装置において、更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係る制御装置において、前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記エラーセクタの読み出しを行うと共に、Quality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明に係る制御装置において、前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記エラーセクタの複数回の読み出しを行うと共に、自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、欠陥領域の救済を行うことができる。したがって、データ記憶の保証能力を向上させ、データ記憶の信頼性の高い記憶装置、それに用いられる制御装置を実現可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る磁気ディスク装置（記憶装置）の構成について説明する。
【００３０】
図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。この磁気ディスク装置は、ＭＰＵ１２、メモリ１３、不揮発性メモリ１４、ＨＤＣ（Hard Disk Controller）１５、リードチャネル１６、プリアンプ１７、ヘッド１８、媒体１９、ホストインタフェース２０を備える。
【００３１】
ホストインタフェース２０は、外部装置であるホストに接続される。リード時、媒体１９からヘッド１８及びプリアンプ１７を通じてリードされたデータは、リードチャネル１６によりデコードされ、ＨＤＣ１５により誤り訂正が行われる。不揮発性メモリ１４は、ＭＰＵ１２により実行されるファームウェアプログラム、リードパラメータを格納する。ＭＰＵ１２は、メモリ１３を用いてファームウェアプログラムを実行し、各部の制御を行う。また、ＭＰＵ１２は、不揮発性メモリ１４からリードパラメータを読み出し、リードチャネル１６に設定する。
【００３２】
また、リードチャネル１６は、Quality Monitor機能、リードパラメータの自動追従機能を持つ。Quality Monitor機能は、リード波形に基づいてQuality Monitor値を出力する機能である。Quality Monitor値は、リード波形の品質が低いほど、高い値となるものである。Quality Monitor値としてＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）を用いても良い。自動追従機能は、所定の回数のリードを行い、所定のリードパラメータを最適化する機能である。
【００３３】
不揮発性メモリ１４に格納されたリードパラメータには、リード波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、リード波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、リード波形に対するブーストを調整するための値であるブーストパラメータ調整値、リード波形に対するＦＩＲフィルタの係数であるＦＩＲ（Finite Impulse Response）フィルタ係数がある。
【００３４】
次に、本実施の形態に係る磁気ディスク装置において、アンリカバードエラーが発生した場合のアンリカバードエラー処理について説明する。
【００３５】
図２は、本実施の形態に係るアンリカバードエラー処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、ホストへアンリカバードエラーの通知を行い（Ｓ１２）、その後、ホストから強制リカバリ処理の指示を受けたか否かの判断を行う（Ｓ１３）。ここで、ホストは、磁気ディスク装置からアンリカバードエラーを受けると、ＯＳ（Operating System）により磁気ディスク装置へ強制リカバリ処理の指示を送る。また、ホストは、磁気ディスク装置からアンリカバードエラーを受けると、ユーザに強制リカバリ処理を行うか否かの問い合わせを行い、ユーザからの強制リカバリ処理を選択した場合、磁気ディスク装置へ強制リカバリ処理の指示を送るようにしても良い。強制リカバリ処理は、リードパラメータ調整処理と、エラーセクタのリード強制リアサイン処理を行う。
【００３６】
強制リカバリ処理の指示を受けなかった場合（Ｓ１３，Ｎ）、このフローは終了する。一方、強制リカバリ処理の指示を受けた場合（Ｓ１３，Ｙ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードのためにリードパラメータを調整するリードパラメータ調整処理を行い（Ｓ１４）、リードパラメータ調整処理の処理結果が成功であるか否かの判断を行う（Ｓ１５）。処理結果が失敗である場合（Ｓ１５，Ｎ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタの訂正が不可能と判断して再びホストへアンリカバードエラーの通知を行い（Ｓ１６）、このフローは終了する。一方、処理結果が成功である場合（Ｓ１５，Ｙ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタの強制リアサイン処理を行い（Ｓ１７）、このフローは終了する。
【００３７】
ここで、通常のリアサイン処理は、再度エラーセクタへのデータのライトを行い、エラーセクタからリードできる場合、新たなセクタの割り当ては行わず、エラーセクタからリードできない場合、エラーセクタの代わりとなる新たなセクタの割り当てを行う。本実施の形態に係る強制リアサイン処理は、再度エラーセクタへのデータのライトを行わずに、強制的にエラーセクタの代わりとなる新たなセクタを割り当てる。更に、強制リアサイン処理は、リードパラメータ調整処理によりエラーセクタからリードできたデータを新たなセクタにライトしても良い。
【００３８】
次に、上述したリードパラメータ調整処理について説明する。
【００３９】
本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理は、リード波形によって調整するリードパラメータの種類を決定するものである。図３は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリード時のプリアンプ１７の出力レベルが所定値より低下しているか否かの判断を行い、所定値より低下していない場合（Ｓ２２，Ｎ）、次の処理へ移行し、所定値より低下している場合（Ｓ２２，Ｙ）、出力ゲイン調整値の調整を行う出力レベル調整処理を行い（Ｓ２３）、次の処理へ移行する。
【００４０】
次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリード時のプリアンプ１７の出力波形に歪みやビット潰れなどが存在するか否かの判断を行い、歪みやビット潰れが存在しない場合（Ｓ２４，Ｎ）、次の処理へ移行し、歪みやビット潰れが存在する場合（Ｓ２４，Ｙ）、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の調整を行う出力波形調整処理を行い（Ｓ２５）、次の処理へ移行する。
【００４１】
次に、ＭＰＵ１２は、調整されたリードパラメータをリードチャネル１６に設定して、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ２７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ２８）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ２７，Ｎ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ２９）このフローは終了する。
【００４２】
次に、処理Ｓ２２について説明する。
【００４３】
図４は、プリアンプ出力波形の包落線の一例を示す波形図である。この図において、横軸は時間を表し、縦軸はプリアンプ１７の出力レベルを表す。この図に示すように、正常セクタ（ＯＫセクタ）からの出力レベルと比べてエラーセクタ（ＮＧセクタ）からの出力レベルは、傷などのために極端に低下する場合がある。このような場合、リードパラメータのうち出力ゲイン調整値を調整することが有効である。
【００４４】
次に、処理Ｓ２４について説明する。
【００４５】
図５は、プリアンプ出力波形の一例を示す波形図である。この図において、横軸は時間を表し、縦軸はプリアンプ１７の出力レベルを表す。また、実線の波形は、ＯＫセクタからの出力波形を示し、点線の波形は、ＮＧセクタからの出力波形を示す。これらの波形は、いずれも”１１１”パターンの波形である。この図に示すように、ＯＫセクタからの出力波形と比べて、ＮＧセクタからの出力波形は、傷などのためにビット潰れが発生する場合がある。このような場合、リードパラメータのうちカットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数を調整することが有効である。本実施の形態において、出力波形調整処理には、Quality Monitor値を用いる。
【００４６】
次に、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理について説明する。
【００４７】
本実施の形態において、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理は、指標としてQuality Monitor値を用いる。図６は、本実施の形態に係る出力レベル調整処理の一例を示す模式図である。この図において、横軸はリードパラメータを表し、縦軸はQuality Monitor値を表す。出力レベル調整処理において対象とするリードパラメータは、出力ゲイン調整値である。図７は、本実施の形態に係る出力波形調整処理の一例を示す模式図である。この図において、横軸はリードパラメータを表し、縦軸はQuality Monitor値を表す。出力波形調整処理において対象とするリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数のいずれかである。
【００４８】
これら２つの図において、実線のグラフは、ＯＫセクタにおけるリードパラメータとQuality Monitor値の関係を示し、点線のグラフは、ＮＧセクタにおけるリードパラメータとQuality Monitor値の関係を示す。また、リトライ範囲は、通常のリードリトライに用いられるリードパラメータの範囲を表す。このように、リトライ範囲は、ＯＫセクタにおけるリードパラメータの最適値（ＯＫセクタ最適値）を基準としてその近傍に設定されるため、ＮＧセクタにおけるリードパラメータの最適値（ＮＧセクタ最適値）まで到達しない場合がある。従って、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理は、対象とするリードパラメータを全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し、Quality Monitor値が最小となるリードパラメータの値（ＮＧセクタ最適値）を決定する。
【００４９】
上述した例において、出力波形調整処理は、１つのリードパラメータとQuality Monitor値の関係から、Quality Monitor値が最小となるＮＧセクタ最適値を探索するとしたが、複数のリードパラメータとQuality Monitor値の関係から、Quality Monitor値が最小となるリードパラメータ値の組み合わせを探索するようにしても良い。
【００５０】
なお、ここでは出力レベル調整処理及び出力波形調整処理にQuality Monitor値を用いるとしたが、磁気ディスク装置が対象とするリードパラメータの自動追従機能を持つ場合、この自動追従機能を用いて出力レベル調整処理及び出力波形調整処理を行っても良い。この場合、自動追従機能は、エラーセクタを複数回リードすることにより、リードパラメータの最適化を行う。
【００５１】
上述した実施の形態によれば、エラーセクタのリードのために、通常のリードリトライよりリードパラメータの調整に時間をかけることができ、且つ通常のリードリトライより広い値の範囲で、リードパラメータの調整を行うことにより、特異な状態のエラーセクタであっても効果的なリードパラメータを設定することができる。従って、エラーセクタのリードの可能性が向上し、エラーセクタのデータの救済の可能性が向上する。
【００５２】
実施の形態２．
本実施の形態における磁気ディスク装置は、予めテーブルとして用意された調整方法によりリードパラメータを調整するリードパラメータ調整処理を行う。
【００５３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成は、実施の形態１と同様である。また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のアンリカバードエラー処理は、実施の形態１と同様である。
【００５４】
次に、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理について説明する。
【００５５】
ここで、従来のリードリトライのための各リードパラメータの増減量を定めたテーブルとは別に、予め、各リードパラメータのデフォルト値を定めたテーブルであるデフォルトテーブルと、リードパラメータ調整処理のためのリードパラメータの調整方法を定めたテーブルである再調整テーブルとが用意され、不揮発性メモリ１４に格納される。図８は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、再調整テーブルにおける全ての調整方法が終了したか否かの判断を行い、終了した場合（Ｓ３１，Ｙ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ３２）このフローは終了し、終了していない場合（Ｓ３１，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００５６】
次に、ＭＰＵ１２は、再調整テーブルから次の調整方法（次のレコード）を取得し（Ｓ３３）、調整方法がリードパラメータ増減処理でない場合（Ｓ３４，Ｎ）、次の処理へ移行し、調整方法がリードパラメータ増減処理である場合（Ｓ３４，Ｙ）、調整方法で指示されたリードパラメータ増減処理を行い（Ｓ３５）、次の処理へ移行する。次に、ＭＰＵ１２は、調整方法がリードパラメータ自動追従処理でない場合（Ｓ３６，Ｎ）、次の処理へ移行し、調整方法がリードパラメータ自動追従処理である場合（Ｓ３６，Ｙ）、調整方法で指示されたリードパラメータ自動追従処理を行い（Ｓ３７）、次の処理へ移行する。
【００５７】
次に、ＭＰＵ１２は、調整方法により得られたリードパラメータをリードチャネル１６に設定してリードチェックを行い、リードチェックが失敗した場合（Ｓ３８，Ｎ）、処理Ｓ３１へ戻り、リードチェックが成功した場合（Ｓ３８，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ３９）このフローは終了する。
【００５８】
図９は、本実施の形態に係る再調整テーブルの一例を示す表である。処理Ｓ３３において、この表が１レコード（１行）ずつ読み出される。各レコードは、１回の調整方法を示す。また、各レコードには、レコード番号（１〜ｎ）が付与され、出力ゲイン調整値、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数についてそれぞれの調整方法が記述される。この表において、調整方法が空白で表されている場合は、調整しないことを示す。また、調整方法が＋または−で始まる数値で表されている場合は、リードパラメータ増減処理を示し、数値は増減量を示す。この増減量は、通常のリードリトライのためのテーブルにも用いられるものであるが、再調整テーブルにおける値の範囲は、通常のリードリトライのテーブルにおける値の範囲より大きい。また、調整方法がＡで始まる数値で表されている場合は、リードパラメータ自動追従処理を示し、この数値は、リードの繰り返し回数を示す。
【００５９】
リードパラメータ増減処理は、デフォルトテーブルに示されたデフォルト値に増減量を加算する。リードパラメータの自動追従処理は、リードチャネル１６の自動追従機能を用いて行われ、繰り返し回数だけエラーセクタのリードを繰り返し（連続リード）、その間にリードパラメータを調整する。このような連続リードは、時間がかかるため、通常のリードリトライで行うことは困難であった。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、再調整テーブルにおけるレコードの順に調整方法を取得したが、予め各レコードの調整後のリードにより得られたQuality Monitor値をレコード毎に格納しておくことにより、Quality Monitor値の低いレコードから調整方法を取得するようにしても良い。
【００６１】
本実施の形態によれば、複数のリードパラメータをまとめて調整することができ、リードパラメータを１つずつ調整する場合よりも効率よく調整を行うことができる。また、あるリードパラメータに対するリードパラメータ増減処理と別のリードパラメータに対するリードパラメータ自動追従処理とを組み合わせることにより、更に効率よく調整を行うことができる。
【００６２】
実施の形態３．
本実施の形態における磁気ディスク装置は、リードパラメータの種類毎に調整するリードパラメータ調整処理を行う。
【００６３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成は、実施の形態１と同様である。また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のアンリカバードエラー処理は、実施の形態１と同様である。
【００６４】
次に、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理について説明する。
【００６５】
図１０は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、出力ゲイン調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ４１）、Quality Monitor値が最小となる出力ゲイン調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ４２）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ４３，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ４３，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６６】
次に、ＭＰＵ１２は、カットオフフィルタ調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ４５）、Quality Monitor値が最小となるカットオフフィルタ調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ４６）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ４７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ４７，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６７】
次に、ＭＰＵ１２は、ブースト調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ５１）、Quality Monitor値が最小となるブースト調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ５２）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ５３，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ５３，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６８】
次に、ＭＰＵ１２は、ＦＩＲフィルタ係数を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ５５）、Quality Monitor値が最小となるＦＩＲフィルタ係数を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ５６）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ５７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ５７，Ｎ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ６２）このフローは終了する。
【００６９】
本実施の形態によれば、エラーセクタの状態に応じて、個々のリードパラメータを順に調整することができる。
【００７０】
なお、指示取得部は、実施の形態におけるホストインタフェース２０に対応する。また、調整部及びリアサイン部は、実施の形態におけるＭＰＵ１２に対応する。また、リード部は、実施の形態におけるリードチャネル１６に対応する。
【００７１】
また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の制御は、記憶装置に容易に適用することができ、記憶装置の性能をより高めることができる。ここで、記憶装置には、例えば光ディスク装置、光磁気ディスク装置等が含まれ得る。
【００７２】
（付記１） 外部装置に接続されることができる記憶装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える記憶装置。
（付記２） 付記１に記載の記憶装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記３） 付記２に記載の記憶装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする記憶装置。
（付記４） 付記１乃至付記３のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記５） 付記１乃至付記４のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記読み出し部に設定し、前記読み出し部に前記エラーセクタの読み出しを行わせると共に、前記読み出し部のQuality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする記憶装置。
（付記６） 付記５に記載の記憶装置において、
前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする記憶装置。
（付記７） 付記１乃至付記６のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記読み出し部に前記エラーセクタの複数回の読み出しを行わせると共に、前記読み出し部の自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする記憶装置。
（付記８） 付記１乃至付記７のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、予め設定された複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報を取得し、該情報に従って前記複数のリードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記９） 付記８に記載の記憶装置において、
前記複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報は、前記リードリトライにおけるリードパラメータの調整のための値と異なることを特徴とする記憶装置。
（付記１０） 付記１乃至付記９のいずれかに記載の記憶装置において、
前記リードパラメータは、読み出し波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、読み出し波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、読み出し波形に対するブーストを調整するための値であるブースト調整値、読み出し波形に対するＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする記憶装置。
（付記１１） 付記１乃至付記１０のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記エラーセクタからの読み出し波形が所定の波形条件を満たす場合、所定のリードパラメータを選択し、該リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記１２） 付記１１に記載の記憶装置において、
前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形の出力レベルが所定の値より低くなることであり、前記所定のリードパラメータは、出力ゲイン調整値であることを特徴とする記憶装置。
（付記１３） 付記１１または付記１２に記載の記憶装置において、
前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形に歪みまたはビット潰れがあることであり、前記所定のリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする記憶装置。
（付記１４） 外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える制御装置。
（付記１５） 付記１４に記載の制御装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする制御装置。
（付記１６） 付記１５に記載の制御装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする制御装置。
（付記１７） 付記１４乃至付記１６のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする制御装置。
（付記１８） 付記１４乃至付記１７のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記エラーセクタの読み出しを行うと共に、Quality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする制御装置。
（付記１９） 付記１８に記載の制御装置において、
前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする制御装置。
（付記２０） 付記１４乃至付記１９のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記エラーセクタの複数回の読み出しを行うと共に、自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする制御装置。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施の形態１に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係るアンリカバードエラー処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】実施の形態１に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】プリアンプ出力波形の包落線の一例を示す波形図である。
【図５】プリアンプ出力波形の一例を示す波形図である。
【図６】実施の形態１に係る出力レベル調整処理の一例を示す模式図である。
【図７】実施の形態１に係る出力波形調整処理の一例を示す模式図である。
【図８】実施の形態２に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図９】実施の形態２に係る再調整テーブルの一例を示す表である。
【図１０】実施の形態３に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７４】
１２ ＭＰＵ、１３ メモリ、１４ 不揮発性メモリ、１５ ＨＤＣ、１６ リードチャネル、１７ プリアンプ、１８ ヘッド、１９ 媒体、２０ ホストインタフェース。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードリトライを行う記憶装置、制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの補助記憶装置として利用されている磁気ディスク装置において、リードされたデータに誤りがあれば、そのデータに付加されたＥＣＣ（Error Correcting Code）により誤り訂正が行われる。この誤り訂正に失敗した場合、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）は、リードリトライモードに移行し、誤り訂正に失敗したセクタであるエラーセクタに対してリードリトライを行う。ここで、リードリトライは、磁気ディスク装置のパフォーマンスの低下を防ぐため、限られた回数までしか実行できない。
【０００３】
一般的な磁気ディスク装置において、リードリトライのためにリードチャネルに設定されるリードパラメータが、予めテーブルとして用意されており、このテーブルを用いてリードリトライが行われる。
【０００４】
なお、本発明の関連ある従来技術として、リードリトライを行う場合にリードに関するパラメータを変化させ、エラー量が規定量以下となるまで、またはリードリトライ回数が所定数となるまで、リードリトライを繰り返すディスク装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許３７３７２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、想定したエラーセクタのリードパラメータと実際のエラーセクタのリードパラメータにずれがある場合、アンリカバードエラー（リトライアウト）として終了してしまい、エラーセクタの救済（リード）は不可能となる。また、リードリトライの回数は限られているため、リードリトライに適用すべきリードパラメータを数多く適用することは難しい。
【０００６】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、欠陥領域の救済を行う記憶装置、制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するため、本発明は、外部装置に接続されることができる記憶装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部とを備えたものである。
【０００８】
また、本発明に係る記憶装置において、前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る記憶装置において、更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記読み出し部に設定し、前記読み出し部に前記エラーセクタの読み出しを行わせると共に、前記読み出し部のQuality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記読み出し部に前記エラーセクタの複数回の読み出しを行わせると共に、前記読み出し部の自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、予め設定された複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報を取得し、該情報に従って前記複数のリードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係る記憶装置において、前記複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報は、前記リードリトライにおけるリードパラメータの調整のための値と異なることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る記憶装置において、前記リードパラメータは、読み出し波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、読み出し波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、読み出し波形に対するブーストを調整するための値であるブースト調整値、読み出し波形に対するＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る記憶装置において、前記調整部は、前記エラーセクタからの読み出し波形が所定の波形条件を満たす場合、所定のリードパラメータを選択し、該リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形の出力レベルが所定の値より低くなることであり、前記所定のリードパラメータは、出力ゲイン調整値であることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る記憶装置において、前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形に歪みまたはビット潰れがあることであり、前記所定のリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部とを備えるものである。
【００２１】
また、本発明に係る制御装置において、更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係る制御装置において、前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記エラーセクタの読み出しを行うと共に、Quality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明に係る制御装置において、前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明に係る制御装置において、前記調整部は、前記エラーセクタの複数回の読み出しを行うと共に、自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、欠陥領域の救済を行うことができる。したがって、データ記憶の保証能力を向上させ、データ記憶の信頼性の高い記憶装置、それに用いられる制御装置を実現可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る磁気ディスク装置（記憶装置）の構成について説明する。
【００３０】
図１は、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。この磁気ディスク装置は、ＭＰＵ１２、メモリ１３、不揮発性メモリ１４、ＨＤＣ（Hard Disk Controller）１５、リードチャネル１６、プリアンプ１７、ヘッド１８、媒体１９、ホストインタフェース２０を備える。
【００３１】
ホストインタフェース２０は、外部装置であるホストに接続される。リード時、媒体１９からヘッド１８及びプリアンプ１７を通じてリードされたデータは、リードチャネル１６によりデコードされ、ＨＤＣ１５により誤り訂正が行われる。不揮発性メモリ１４は、ＭＰＵ１２により実行されるファームウェアプログラム、リードパラメータを格納する。ＭＰＵ１２は、メモリ１３を用いてファームウェアプログラムを実行し、各部の制御を行う。また、ＭＰＵ１２は、不揮発性メモリ１４からリードパラメータを読み出し、リードチャネル１６に設定する。
【００３２】
また、リードチャネル１６は、Quality Monitor機能、リードパラメータの自動追従機能を持つ。Quality Monitor機能は、リード波形に基づいてQuality Monitor値を出力する機能である。Quality Monitor値は、リード波形の品質が低いほど、高い値となるものである。Quality Monitor値としてＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）を用いても良い。自動追従機能は、所定の回数のリードを行い、所定のリードパラメータを最適化する機能である。
【００３３】
不揮発性メモリ１４に格納されたリードパラメータには、リード波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、リード波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、リード波形に対するブーストを調整するための値であるブーストパラメータ調整値、リード波形に対するＦＩＲフィルタの係数であるＦＩＲ（Finite Impulse Response）フィルタ係数がある。
【００３４】
次に、本実施の形態に係る磁気ディスク装置において、アンリカバードエラーが発生した場合のアンリカバードエラー処理について説明する。
【００３５】
図２は、本実施の形態に係るアンリカバードエラー処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、ホストへアンリカバードエラーの通知を行い（Ｓ１２）、その後、ホストから強制リカバリ処理の指示を受けたか否かの判断を行う（Ｓ１３）。ここで、ホストは、磁気ディスク装置からアンリカバードエラーを受けると、ＯＳ（Operating System）により磁気ディスク装置へ強制リカバリ処理の指示を送る。また、ホストは、磁気ディスク装置からアンリカバードエラーを受けると、ユーザに強制リカバリ処理を行うか否かの問い合わせを行い、ユーザからの強制リカバリ処理を選択した場合、磁気ディスク装置へ強制リカバリ処理の指示を送るようにしても良い。強制リカバリ処理は、リードパラメータ調整処理と、エラーセクタのリード強制リアサイン処理を行う。
【００３６】
強制リカバリ処理の指示を受けなかった場合（Ｓ１３，Ｎ）、このフローは終了する。一方、強制リカバリ処理の指示を受けた場合（Ｓ１３，Ｙ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードのためにリードパラメータを調整するリードパラメータ調整処理を行い（Ｓ１４）、リードパラメータ調整処理の処理結果が成功であるか否かの判断を行う（Ｓ１５）。処理結果が失敗である場合（Ｓ１５，Ｎ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタの訂正が不可能と判断して再びホストへアンリカバードエラーの通知を行い（Ｓ１６）、このフローは終了する。一方、処理結果が成功である場合（Ｓ１５，Ｙ）、ＭＰＵ１２は、エラーセクタの強制リアサイン処理を行い（Ｓ１７）、このフローは終了する。
【００３７】
ここで、通常のリアサイン処理は、再度エラーセクタへのデータのライトを行い、エラーセクタからリードできる場合、新たなセクタの割り当ては行わず、エラーセクタからリードできない場合、エラーセクタの代わりとなる新たなセクタの割り当てを行う。本実施の形態に係る強制リアサイン処理は、再度エラーセクタへのデータのライトを行わずに、強制的にエラーセクタの代わりとなる新たなセクタを割り当てる。更に、強制リアサイン処理は、リードパラメータ調整処理によりエラーセクタからリードできたデータを新たなセクタにライトしても良い。
【００３８】
次に、上述したリードパラメータ調整処理について説明する。
【００３９】
本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理は、リード波形によって調整するリードパラメータの種類を決定するものである。図３は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリード時のプリアンプ１７の出力レベルが所定値より低下しているか否かの判断を行い、所定値より低下していない場合（Ｓ２２，Ｎ）、次の処理へ移行し、所定値より低下している場合（Ｓ２２，Ｙ）、出力ゲイン調整値の調整を行う出力レベル調整処理を行い（Ｓ２３）、次の処理へ移行する。
【００４０】
次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリード時のプリアンプ１７の出力波形に歪みやビット潰れなどが存在するか否かの判断を行い、歪みやビット潰れが存在しない場合（Ｓ２４，Ｎ）、次の処理へ移行し、歪みやビット潰れが存在する場合（Ｓ２４，Ｙ）、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の調整を行う出力波形調整処理を行い（Ｓ２５）、次の処理へ移行する。
【００４１】
次に、ＭＰＵ１２は、調整されたリードパラメータをリードチャネル１６に設定して、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ２７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ２８）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ２７，Ｎ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ２９）このフローは終了する。
【００４２】
次に、処理Ｓ２２について説明する。
【００４３】
図４は、プリアンプ出力波形の包落線の一例を示す波形図である。この図において、横軸は時間を表し、縦軸はプリアンプ１７の出力レベルを表す。この図に示すように、正常セクタ（ＯＫセクタ）からの出力レベルと比べてエラーセクタ（ＮＧセクタ）からの出力レベルは、傷などのために極端に低下する場合がある。このような場合、リードパラメータのうち出力ゲイン調整値を調整することが有効である。
【００４４】
次に、処理Ｓ２４について説明する。
【００４５】
図５は、プリアンプ出力波形の一例を示す波形図である。この図において、横軸は時間を表し、縦軸はプリアンプ１７の出力レベルを表す。また、実線の波形は、ＯＫセクタからの出力波形を示し、点線の波形は、ＮＧセクタからの出力波形を示す。これらの波形は、いずれも”１１１”パターンの波形である。この図に示すように、ＯＫセクタからの出力波形と比べて、ＮＧセクタからの出力波形は、傷などのためにビット潰れが発生する場合がある。このような場合、リードパラメータのうちカットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数を調整することが有効である。本実施の形態において、出力波形調整処理には、Quality Monitor値を用いる。
【００４６】
次に、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理について説明する。
【００４７】
本実施の形態において、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理は、指標としてQuality Monitor値を用いる。図６は、本実施の形態に係る出力レベル調整処理の一例を示す模式図である。この図において、横軸はリードパラメータを表し、縦軸はQuality Monitor値を表す。出力レベル調整処理において対象とするリードパラメータは、出力ゲイン調整値である。図７は、本実施の形態に係る出力波形調整処理の一例を示す模式図である。この図において、横軸はリードパラメータを表し、縦軸はQuality Monitor値を表す。出力波形調整処理において対象とするリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数のいずれかである。
【００４８】
これら２つの図において、実線のグラフは、ＯＫセクタにおけるリードパラメータとQuality Monitor値の関係を示し、点線のグラフは、ＮＧセクタにおけるリードパラメータとQuality Monitor値の関係を示す。また、リトライ範囲は、通常のリードリトライに用いられるリードパラメータの範囲を表す。このように、リトライ範囲は、ＯＫセクタにおけるリードパラメータの最適値（ＯＫセクタ最適値）を基準としてその近傍に設定されるため、ＮＧセクタにおけるリードパラメータの最適値（ＮＧセクタ最適値）まで到達しない場合がある。従って、出力レベル調整処理及び出力波形調整処理は、対象とするリードパラメータを全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し、Quality Monitor値が最小となるリードパラメータの値（ＮＧセクタ最適値）を決定する。
【００４９】
上述した例において、出力波形調整処理は、１つのリードパラメータとQuality Monitor値の関係から、Quality Monitor値が最小となるＮＧセクタ最適値を探索するとしたが、複数のリードパラメータとQuality Monitor値の関係から、Quality Monitor値が最小となるリードパラメータ値の組み合わせを探索するようにしても良い。
【００５０】
なお、ここでは出力レベル調整処理及び出力波形調整処理にQuality Monitor値を用いるとしたが、磁気ディスク装置が対象とするリードパラメータの自動追従機能を持つ場合、この自動追従機能を用いて出力レベル調整処理及び出力波形調整処理を行っても良い。この場合、自動追従機能は、エラーセクタを複数回リードすることにより、リードパラメータの最適化を行う。
【００５１】
上述した実施の形態によれば、エラーセクタのリードのために、通常のリードリトライよりリードパラメータの調整に時間をかけることができ、且つ通常のリードリトライより広い値の範囲で、リードパラメータの調整を行うことにより、特異な状態のエラーセクタであっても効果的なリードパラメータを設定することができる。従って、エラーセクタのリードの可能性が向上し、エラーセクタのデータの救済の可能性が向上する。
【００５２】
実施の形態２．
本実施の形態における磁気ディスク装置は、予めテーブルとして用意された調整方法によりリードパラメータを調整するリードパラメータ調整処理を行う。
【００５３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成は、実施の形態１と同様である。また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のアンリカバードエラー処理は、実施の形態１と同様である。
【００５４】
次に、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理について説明する。
【００５５】
ここで、従来のリードリトライのための各リードパラメータの増減量を定めたテーブルとは別に、予め、各リードパラメータのデフォルト値を定めたテーブルであるデフォルトテーブルと、リードパラメータ調整処理のためのリードパラメータの調整方法を定めたテーブルである再調整テーブルとが用意され、不揮発性メモリ１４に格納される。図８は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、再調整テーブルにおける全ての調整方法が終了したか否かの判断を行い、終了した場合（Ｓ３１，Ｙ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ３２）このフローは終了し、終了していない場合（Ｓ３１，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００５６】
次に、ＭＰＵ１２は、再調整テーブルから次の調整方法（次のレコード）を取得し（Ｓ３３）、調整方法がリードパラメータ増減処理でない場合（Ｓ３４，Ｎ）、次の処理へ移行し、調整方法がリードパラメータ増減処理である場合（Ｓ３４，Ｙ）、調整方法で指示されたリードパラメータ増減処理を行い（Ｓ３５）、次の処理へ移行する。次に、ＭＰＵ１２は、調整方法がリードパラメータ自動追従処理でない場合（Ｓ３６，Ｎ）、次の処理へ移行し、調整方法がリードパラメータ自動追従処理である場合（Ｓ３６，Ｙ）、調整方法で指示されたリードパラメータ自動追従処理を行い（Ｓ３７）、次の処理へ移行する。
【００５７】
次に、ＭＰＵ１２は、調整方法により得られたリードパラメータをリードチャネル１６に設定してリードチェックを行い、リードチェックが失敗した場合（Ｓ３８，Ｎ）、処理Ｓ３１へ戻り、リードチェックが成功した場合（Ｓ３８，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ３９）このフローは終了する。
【００５８】
図９は、本実施の形態に係る再調整テーブルの一例を示す表である。処理Ｓ３３において、この表が１レコード（１行）ずつ読み出される。各レコードは、１回の調整方法を示す。また、各レコードには、レコード番号（１〜ｎ）が付与され、出力ゲイン調整値、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数についてそれぞれの調整方法が記述される。この表において、調整方法が空白で表されている場合は、調整しないことを示す。また、調整方法が＋または−で始まる数値で表されている場合は、リードパラメータ増減処理を示し、数値は増減量を示す。この増減量は、通常のリードリトライのためのテーブルにも用いられるものであるが、再調整テーブルにおける値の範囲は、通常のリードリトライのテーブルにおける値の範囲より大きい。また、調整方法がＡで始まる数値で表されている場合は、リードパラメータ自動追従処理を示し、この数値は、リードの繰り返し回数を示す。
【００５９】
リードパラメータ増減処理は、デフォルトテーブルに示されたデフォルト値に増減量を加算する。リードパラメータの自動追従処理は、リードチャネル１６の自動追従機能を用いて行われ、繰り返し回数だけエラーセクタのリードを繰り返し（連続リード）、その間にリードパラメータを調整する。このような連続リードは、時間がかかるため、通常のリードリトライで行うことは困難であった。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、再調整テーブルにおけるレコードの順に調整方法を取得したが、予め各レコードの調整後のリードにより得られたQuality Monitor値をレコード毎に格納しておくことにより、Quality Monitor値の低いレコードから調整方法を取得するようにしても良い。
【００６１】
本実施の形態によれば、複数のリードパラメータをまとめて調整することができ、リードパラメータを１つずつ調整する場合よりも効率よく調整を行うことができる。また、あるリードパラメータに対するリードパラメータ増減処理と別のリードパラメータに対するリードパラメータ自動追従処理とを組み合わせることにより、更に効率よく調整を行うことができる。
【００６２】
実施の形態３．
本実施の形態における磁気ディスク装置は、リードパラメータの種類毎に調整するリードパラメータ調整処理を行う。
【００６３】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置の構成は、実施の形態１と同様である。また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置のアンリカバードエラー処理は、実施の形態１と同様である。
【００６４】
次に、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理について説明する。
【００６５】
図１０は、本実施の形態に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。まず、ＭＰＵ１２は、出力ゲイン調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ４１）、Quality Monitor値が最小となる出力ゲイン調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ４２）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ４３，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ４３，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６６】
次に、ＭＰＵ１２は、カットオフフィルタ調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ４５）、Quality Monitor値が最小となるカットオフフィルタ調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ４６）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ４７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ４７，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６７】
次に、ＭＰＵ１２は、ブースト調整量を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ５１）、Quality Monitor値が最小となるブースト調整量を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ５２）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ５３，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ５３，Ｎ）、次の処理へ移行する。
【００６８】
次に、ＭＰＵ１２は、ＦＩＲフィルタ係数を全範囲に亘って変化させながらQuality Monitor値を計測し（Ｓ５５）、Quality Monitor値が最小となるＦＩＲフィルタ係数を決定してリードチャネル１６に設定する（Ｓ５６）。次に、ＭＰＵ１２は、エラーセクタのリードチェックを行い、リードに成功した場合（Ｓ５７，Ｙ）、処理結果を処理成功として（Ｓ６１）このフローは終了し、リードに失敗した場合（Ｓ５７，Ｎ）、処理結果を処理失敗として（Ｓ６２）このフローは終了する。
【００６９】
本実施の形態によれば、エラーセクタの状態に応じて、個々のリードパラメータを順に調整することができる。
【００７０】
なお、指示取得部は、実施の形態におけるホストインタフェース２０に対応する。また、調整部及びリアサイン部は、実施の形態におけるＭＰＵ１２に対応する。また、リード部は、実施の形態におけるリードチャネル１６に対応する。
【００７１】
また、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の制御は、記憶装置に容易に適用することができ、記憶装置の性能をより高めることができる。ここで、記憶装置には、例えば光ディスク装置、光磁気ディスク装置等が含まれ得る。
【００７２】
（付記１） 外部装置に接続されることができる記憶装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える記憶装置。
（付記２） 付記１に記載の記憶装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記３） 付記２に記載の記憶装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする記憶装置。
（付記４） 付記１乃至付記３のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記５） 付記１乃至付記４のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記読み出し部に設定し、前記読み出し部に前記エラーセクタの読み出しを行わせると共に、前記読み出し部のQuality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする記憶装置。
（付記６） 付記５に記載の記憶装置において、
前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする記憶装置。
（付記７） 付記１乃至付記６のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記読み出し部に前記エラーセクタの複数回の読み出しを行わせると共に、前記読み出し部の自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする記憶装置。
（付記８） 付記１乃至付記７のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、予め設定された複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報を取得し、該情報に従って前記複数のリードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記９） 付記８に記載の記憶装置において、
前記複数のリードパラメータの調整方法の組み合わせの情報は、前記リードリトライにおけるリードパラメータの調整のための値と異なることを特徴とする記憶装置。
（付記１０） 付記１乃至付記９のいずれかに記載の記憶装置において、
前記リードパラメータは、読み出し波形の出力ゲインを調整するための値である出力ゲイン調整値、読み出し波形に対するカットオフフィルタを調整するための値であるカットオフフィルタ調整値、読み出し波形に対するブーストを調整するための値であるブースト調整値、読み出し波形に対するＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする記憶装置。
（付記１１） 付記１乃至付記１０のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記エラーセクタからの読み出し波形が所定の波形条件を満たす場合、所定のリードパラメータを選択し、該リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
（付記１２） 付記１１に記載の記憶装置において、
前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形の出力レベルが所定の値より低くなることであり、前記所定のリードパラメータは、出力ゲイン調整値であることを特徴とする記憶装置。
（付記１３） 付記１１または付記１２に記載の記憶装置において、
前記所定の波形条件は、前記エラーセクタからの読み出し波形に歪みまたはビット潰れがあることであり、前記所定のリードパラメータは、カットオフフィルタ調整値、ブースト調整値、ＦＩＲフィルタ係数の少なくともいずれかであることを特徴とする記憶装置。
（付記１４） 外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える制御装置。
（付記１５） 付記１４に記載の制御装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする制御装置。
（付記１６） 付記１５に記載の制御装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする制御装置。
（付記１７） 付記１４乃至付記１６のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする制御装置。
（付記１８） 付記１４乃至付記１７のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記リードパラメータを変化させて前記エラーセクタの読み出しを行うと共に、Quality Monitor機能を用いてQuality Monitor値を計測し、該Quality Monitor値が所定のQuality Monitor値条件を満たすように前記リードパラメータを調整することを特徴とする制御装置。
（付記１９） 付記１８に記載の制御装置において、
前記所定のQuality Monitor値条件は、Quality Monitor値が最小となることであることを特徴とする制御装置。
（付記２０） 付記１４乃至付記１９のいずれかに記載の制御装置において、
前記調整部は、前記エラーセクタの複数回の読み出しを行うと共に、自動追従機能を用いてリードパラメータを調整することを特徴とする制御装置。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施の形態１に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係るアンリカバードエラー処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】実施の形態１に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】プリアンプ出力波形の包落線の一例を示す波形図である。
【図５】プリアンプ出力波形の一例を示す波形図である。
【図６】実施の形態１に係る出力レベル調整処理の一例を示す模式図である。
【図７】実施の形態１に係る出力波形調整処理の一例を示す模式図である。
【図８】実施の形態２に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【図９】実施の形態２に係る再調整テーブルの一例を示す表である。
【図１０】実施の形態３に係るリードパラメータ調整処理の動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７４】
１２ ＭＰＵ、１３ メモリ、１４ 不揮発性メモリ、１５ ＨＤＣ、１６ リードチャネル、１７ プリアンプ、１８ ヘッド、１９ 媒体、２０ ホストインタフェース。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置に接続されることができる記憶装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える制御装置。
【請求項１】
外部装置に接続されることができる記憶装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
更に、前記読み出し部による前記エラーセクタの読み出しが成功した場合、前記エラーセクタのリアサインを行うリアサイン部を備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶装置において、
前記リアサイン部は更に、前記エラーセクタの読み出しにより得られたデータを、前記リアサインにより得られたセクタへライトすることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の記憶装置において、
前記調整部は、前記リードリトライにより調整されるリードパラメータの値の範囲より広い範囲で、リードパラメータの調整を行うことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
外部装置に接続されることができる記憶装置の制御を行う制御装置であって、
リードリトライによる読み出しが不可能であるエラーセクタが存在する場合、該読み出しが不可能であることを前記外部装置へ通知し、前記外部装置からの指示を取得する指示取得部と、
前記指示取得部が前記外部装置から前記エラーセクタのリカバリの指示を取得した場合、読み出しのためのパラメータであるリードパラメータの調整を行う調整部と、
前記調整部により調整されたリードパラメータを用いて前記エラーセクタの読み出しを行う読み出し部と
を備える制御装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００８−８４４６５（Ｐ２００８−８４４６５Ａ）
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２６４８１６（Ｐ２００６−２６４８１６）
【出願日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２８日（２００６．９．２８）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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