試料の定量面分析方法
【課題】面分析における定量分析の精度を向上させる方法を提供する。
【解決手段】試料表面上に点分析位置と点分析位置を含むように面分析領域を指定し、点分析位置に一次エネルギー線を照射して発生した二次エネルギー線に基づいて点分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、面分析領域内を一次エネルギーで走査して発生した二次エネルギー線に基づいて面分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、次に、点分析におけるピーク強度とバックグランド強度から原子濃度を求め、面分析におけるピーク強度とバックグランド強度の内で点分析位置に対応した位置に存在する元素に対応したピーク強度とバックグランド強度と、求めた原子濃度から元素に対応した相対感度係数値を求め、この相対感度係数と面分析におけるピーク強度とバックグランド強度とに基づいて面分析領域の定量計算を行う。
【解決手段】試料表面上に点分析位置と点分析位置を含むように面分析領域を指定し、点分析位置に一次エネルギー線を照射して発生した二次エネルギー線に基づいて点分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、面分析領域内を一次エネルギーで走査して発生した二次エネルギー線に基づいて面分析におけるピーク強度とバックグランド強度を取得し、次に、点分析におけるピーク強度とバックグランド強度から原子濃度を求め、面分析におけるピーク強度とバックグランド強度の内で点分析位置に対応した位置に存在する元素に対応したピーク強度とバックグランド強度と、求めた原子濃度から元素に対応した相対感度係数値を求め、この相対感度係数と面分析におけるピーク強度とバックグランド強度とに基づいて面分析領域の定量計算を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面分析の定量精度を向上させる試料の定量面分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
分光装置等のエネルギー線を用いる試料分析装置では、細く絞った一次エネルギー線を試料表面に照射し、試料から発生する二次エネルギー線を分光・検出して、面分析、定量分析等を行うことができる。
【０００３】
図１は一次エネルギー線が電子ビームで、該電子ビーム照射により試料から発生する二次エネルギー線がオージェ電子であるオージェ電子分光装置の概略例を示す。
【０００４】
図中１は電子銃、２，３は、それぞれ、前記電子銃１からの電子ビーム４を試料５上に集束するための集束レンズ，対物レンズである。
【０００５】
６Ｘ，６Ｙは前記電子銃１から放出した電子ビーム４で前記試料５上を、それぞれ、Ｘ方向，Ｙ方向に走査するためのＸ方向偏向器，Ｙ方向偏向器である。
５は試料、７は該試料を載置する試料ステージである。
８はオージェ電子分光装置を成す各手段、制御並びに収集データに基づく各種演算処理を行う演算装置である。
９は該演算装置８の指令に基づいて集束レンズ２、X方向偏向器６X、Y方向偏向器６Y、対物レンズ３に制御信号を送る電源制御装置、１０は前記演算装置８の指令に基づいて前記試料ステージ７を移動制御する試料ステージ制御装置である。
１１は前記試料５から放出されたオージェ電子を分光・検出するオージェ電子分光器で、該オージェ電子分光器の出力信号は増幅器１２、A/D変換器１３を介して前記演算装置８に送られる。
１４は前記A/D変換されたオージェ電子分光器１１の出力信号を蓄える記憶装置で、１５は前記演算装置８の指令に基づいて前記記憶装置１４から読み出されたデータを二次元分布像で表示する表示装置、１６はマウス、キーボードなどの入力装置である。
尚、図示しなかったが、電子ビームで試料上を走査したとき、該試料５から発生する二次電子を検出する二次電子検出器も設けられている。
この様な構成のオージェ電子分光装置で試料の定量分析する方法について説明する。
先ず、入力装置１６で試料５上の面分析したい領域（以後、面分析領域と称す）と分析条件を指定する。演算装置８は入力装置１６から面分析領域と分析条件を読み込み。電源制御装置９に面分析領域を走査するための指令を送る。
【０００６】
前記電源制御装置９は、試料５上に電子ビーム４を集束させるための制御信号を集束レンズ２と対物レンズ３に送り、試料上の面分析領域を電子ビームで走査するためのＸ方向走査信号，Ｙ方向走査信号を、それぞれＸ方向偏向器６X，Ｙ方向偏向器６Yに送る。
すると、電子銃１から放出された電子ビーム４は、集束レンズ２及び対物レンズ３により細く絞られて試料５上に集束され、前記Ｘ方向偏向器６XおよびＹ方向偏向器６Yにより、前記試料５上の面分析領域を二次元的に走査する。
【０００７】
該走査により試料表面から発生したオージェ電子は、オージェ電子分光器１１により分光・検出される。該オージェ電子分光器１１の出力信号は、増幅器１２及びＡ/Ｄ変換器１３を介して演算装置８に送られ、該演算装置８の指令により、記憶装置１４に蓄えられる。
ここで、記憶装置１４に蓄えられるオージェ電子ピーク強度マップとバックグランド強度マップについて説明する。
先ず、前記オージェ電子分光器１１で測定されたピークスペクトルを図２に
示す。図中の縦軸はスペクトル強度を示し、横軸はエネルギーを示す。
例えば、図２のような元素Ａのピークスペクトルが取得されたとすると、元素Ａのピーク強度を測定する場合、オージェ電子ピーク強度とバックグランド強度はピークのエネルギー値E１としてオージェ電子ピーク強度をPAと設定し、バックグランドのエネルギー値E２としてバックグランド強度をＢＡと設定し、元素Ａのピーク強度PA−ＢＡを得る。
元素マップピングでは図３に示すように元素Ａのマップ座標（i , j）におけるオージェ電子ピーク強度ＰＡ（i , j）と、元素Ａのマップ座標（i , j）におけるバックグランド強度ＢＡ（i , j）の２画像を取得する。
図３の（イ）ではマップ上の座標（i , j）における元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度のそれぞれを、ＰＡ（i , j）、ＰＢ（i , j）、・・・・ＰＮ（i , j）とし、図３の（ロ）ではマップ座標（i , j）のバックグランド強度をＢＡ（i , j）、ＢＢ（i , j）、・・・・、ＢＮ（i , j）として現している。
図中の（i , j）は変数であり、マップ座標位置毎に変化する変数である。従って、座標（i , j）は面分析領域内の全ての座標であり、二次元元素分布像の表示を行う際の各画素の位置に対応している。
【０００８】
次に、面分析の定量分析（即ち定量面分析）を一般的な相対感度係数法で行う場合について説明する。
演算装置８は記憶装置１４から面分析結果の元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータとを読み出し、予め入力装置１６により入力されているデータベース化されている既知の元素ＡからＮの相対感度係数ＳＡ、ＳＢ、・・・、ＳＮ（点分析の相対感度係数）に基づいて、面分析に対する定量計算をして定量分析を行う。
即ち、前記演算装置８はマップ座標（i , j）に対し元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ、ＣＢ、・・・ＣＮを演算する。
【０００９】
【数１】
【００１０】
【数２】
【００１１】
・・・・・・
【００１２】
【数３】
【００１３】
そして、合計が１に規格化された原子濃度（単位at%）のマップデータ(図示せず)を作成する。
尚、PＡ（i , j）−BＡ（i , j）、・・・、PN（i , j）−BN（i , j）は試料５から検出された元素ＡからNのピーク強度に対応する。
前記演算装置８は、このように作成した原子濃度のマップデータを表示装置１５に送り、二次元分布像として表示させる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１１８９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、従来技術で示したように相対感度係数は定量分析するためには必須であるが、一般的には、ある一定のエネルギー幅を持ったピークスペクトルに適用するための値である。そのため、ピークのエネルギー値E1とバックグランドのエネルギー値E2の僅か２点のみの測定でマッピングする場合、特別な条件で測定する場合を除いて、そのまま適用することができなかった。
【００１６】
本発明は、この様な問題を解決する新規な面分析における定量分析方法を
を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の試料の定量面分析方法は、試料表面上に点分析位置と該点分析位置を含む面分析領域を指定する工程、前記点分析位置に一次エネルギー線を照射し、該一次エネルギー線照射により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記面分析領域を一次エネルギー線で走査し、該走査により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応する面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記ピーク強度信号とバックグランド強度信号に基づいて前記元素Ａに対応する原子濃度を求めてそれを記憶する工程、前記面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号の内、前記点分析位置の前記元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記原子濃度から前記元素Ａに対応する原子の相対感度係数を算出する工程、および、該相対感度係数と前記面分析により得られたピーク強度信号とバックグランド強度信号とに基づいて前記面分析領域の定量計算を行う工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、面分析領域内の代表位置で点分析し正確な定量を行って、面分析に対応した相対感度係数を求め、この相対感度係数を用いて面分析領域の定量計算を行うので、面分析の定量精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
図４は本発明の定量面分析方法を実施する装置の一つであるオージェ電子分光装置の主要部の一概略例を示したもので、前記図１にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
【００２１】
図４に示す装置から図１に示す装置と異なるところは記憶装置と演算装置の
構成である。
即ち、記憶装置１４'内には、面分析領域内で点分析した座標位置に対応させ
て、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号が蓄えられる点分析情報記憶部２４と、試料上の指定した領域を面分析し、取得されたオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータが蓄えられる面分析情報記憶部２５とを含んでいる。
また、演算装置８'内には、入力装置１６から入力された試料５上の分析領域
または分析位置と分析条件を読み込み、分析領域または分析位置を電源制御装置９および試料ステージ制御装置１０に設定し、分析条件を電源制御装置９およびオージェ電子分光器１３に設定する設定手段１９と、前記点分析情報記憶部２４からの試料上を点分析して取得したオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号に基づいて原子濃度を算定する点分析の定量分析演算手段２０と、該点分析の定量分析演算手段２０で算定された原子濃度を一旦蓄える記憶手段２１と、前記点分析の定量分析演算手段２０の出力に従って、前記面分析情報記憶部２５のオージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータの中から点分析位置に対応したマップ位置に存在する元素に対応するオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記記憶手段２１から原子濃度に基づいて、面分析に対応した相対感度係数値を算定する補正係数演算手段２２と、前記面分析情報記憶部２５からの前記オージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータと、前記補正係数演算手段２２からの前記面分析に対応した相対感度係数に基づいて、該面分析に対応した相対感度係数を用いて面分析の原子濃度を算出する面分析の定量分析演算手段２３とを含む。
次に、このような構成のオージェ電子分光装置による試料の定量面分析方法を図４、図５、図６、図７を用いて説明する。
先ず、図７に示すように電子ビームで試料５上を走査し、該走査により試料５から発生した二次電子を検出した信号に基づいて表示装置１５上に試料５に二次電子像５０を表示させる。
次に、オペレータは入力装置１６により、前記表示装置１５に表示された試料の二次電子像中で、試料５上の点分析を行う点分析位置５１A、５１B、５１Cと点分析条件を指定する(S301、S302)。
【００２２】
すると、演算装置８'内の設定手段１９は、指定された点分析位置５１Aと点分析条件を読み込み、該指定点分析位置に基づく移動指令を試料ステージ制御装置１０に送り、点分析条件に基づく電源制御指令を電源制御装置９に送る。
【００２３】
該電源制御装置９はこのような指令に基づいて、集束レンズ２と対物レンズ３には電子銃１からの電子ビームを試料５上で集束させるための制御信号を、X方向偏向器６XとY方向偏向器６Yには試料５上の所定位置に電子ビームが照射されるための制御信号を送るので、前記試料５上の所定位置にスポット状の電子ビームが照射される。
また、前記試料ステージ制御装置１０は送られて来た前記点分析位置に基づく移動制御信号に基づいて、試料ステージ７を移動させ、電子ビームのスポット位置に試料５上の点分析したい位置５１Aが来るようにする（S303）。
【００２４】
前記オージェ電子分光器１１は、このように電子ビーム４が点分析位置にスポット照射され、試料５から放出されたオージェ電子を検出し、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を取得する（S304）。
オージェ電子分光器１１で取得されたオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号は、増幅器１２、A/D変換器１３を介して前記演算装置８'に送られる。
【００２５】
該演算装置８'は、前記試料ステージ制御装置１０からの移動制御信号および電源制御装置９からの制御信号に基づいて前記試料上の点分析した座標位置を導き出し、該座標位置（５１A（x１,ｙ１)）とオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を記憶装置１４‘の点分析情報記憶部２４に転送する。
【００２６】
該点分析情報記憶部２４は送られて来た座標位置に対応するアドレスに送られて来たオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号を蓄える。
前記設定手段１９は、試料上の指定したすべての点で点分析が終了したかどうか判定し（S305）、点分析が終了していない場合には、S303に移行し、点分析を行う。このように、試料５上の他の点分析位置５１B（X2,Y2）、５１C（X3,Y3）、・・・について点分析を行う。
次に、点分析した位置５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｂを含む領域の面分析を行う。
面分析を行う場合、先ず、オペレータは前記表示装置１５上に表示された試料５上の二次電子像（図７）中で、前記点分析した位置を含むように、前記入力装置１６にて、面分析する領域５２と面分析条件を指定する(S306、S307)。
【００２７】
設定手段１９は、指定された面分析する領域５２と面分析条件を読み込み、
前記面分析領域に基づく移動制御指令を電源制御装置９と試料ステージ制御装置１０に送り、前記面分析条件に基づく電源制御指令を前記電源制御装置９に送る。
【００２８】
次に、該電源制御装置９はこの様な指令に基づいて、集束レンズ２と対物レンズ３には、電子銃１からの電子ビームを試料５上で集束させるための制御信号を、偏向器６X、６Yには試料５上の前記指定面分析領域を走査するための制御信号を送り、スポット状の電子ビーム４で試料５上の面分析領域内が走査されるようにする。
前記試料ステージ制御装置１０は送られて来た前記面分析領域に基づく移動制御信号に基づいて、試料ステージ７を移動させ、前記試料５上の面分析領域５２の中心に電子ビーム４の中心軸が来るようにする。
【００２９】
前記オージェ電子分光器１１は、この様にして面分析領域５２内が電子ビームで走査される（S308）と、前記試料５から放出されたオージェ電子を検出し、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を取得する（S309）。
前記オージェ電子分光器１１で取得された前記オージェ電子ピーク強度信号及び前記バックグランド強度信号は、増幅器１２、A/D変換器１３を介して演算装置８'に送られる。
該演算装置８'は、前記試料ステージ制御装置１０からの移動制御信号および前記電源制御装置９からの制御信号に基づいて前記面分析領域の座標位置を導き出し、この面分析領域内の予め決められた多数の座標位置と、該多数の座標おけるオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号から、オージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータを作成し、面分析情報記憶部２５に転送する。
該面分析情報記憶部２５は送られて来た面分析領域の代表座標位置に対応するアドレスに、送られて来た前記各マップデータを蓄える。
次に、設定手段１９が点分析と面分析の終了を認識すると、該設定手段１９は点分析の定量分析演算手段２０に、点分析した結果に対して定量分析演算の開始を指示する指令を送る。
該点分析の定量分析演算手段２０は該指令に基づいて前記点分析情報記憶部２４から読み出された前記各点分析結果の前記データを読み込み、原子濃度を演算して求める(S310)。
例えば、点分析の座標位置を(x１,ｙ１)として、検出された信号が元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度をｐＡ(x１,ｙ１)、ｐＢ(x１,ｙ１)、・・・、ｐN(x１,ｙ１)とし、バックグランド強度をｂＡ(x１,ｙ１)、ｂＢ(x１,ｙ１)、・・・、ｂN(x１,ｙ１)とすると、元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ(x１,ｙ１)、ＣＢ(x１,ｙ１)、・・・、ＣＮ(x１,ｙ１)は、
【００３０】
【数４】
【００３１】
【数５】
【００３２】
・・・・・・
【００３３】
【数６】
【００３４】
である。
次に、前記点分析の定量分析演算手段２０は、算出した元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ(x１,ｙ１)、ＣＢ(x１,ｙ１)、・・・、ＣＮ(x１,ｙ１)を記憶手段２１に転送するので、該原子濃度は記憶手段２１に蓄えられる。
次に、該記憶手段２１に蓄えられた原子濃度は補正係数演算手段２２に読み込まれると同時に、前記点分析の定量分析演算手段２０は補正係数演算手段２２に、前記面分析分析情報記憶部２５蓄えられた面分析に基づくオージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータの中から、前記点分析した座標位置に対応した相対的なマップ座標位置に存在するオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号を読み込むように、該補正係数演算手段２２に制御信号を送る。
【００３５】
次に、前記補正係数演算手段２２は、読み込んだ各データを基に面分析に対応した相対感度係数を算出する演算処理を行う（S311）。
例えば、点分析座標(x１,ｙ１)位置に対応した相対的なマップ座標(x１,ｙ１)での元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度信号をPＡ(x１,ｙ１)、PＢ(x１,ｙ１)、・・・、PN(x１,ｙ１)とし、元素ＡからNのバックグランド強度信号をBＡ(x１,ｙ１)、BＢ(x１,ｙ１)、・・・、BN(x１,ｙ１)とすると、マップ座標(x１,ｙ１)位置での元素ＡからＮの相対感度係数S‘Ａ、S’Ｂ、・・・、S‘Ｎは、次の（１）、（２）、（３）、・・・、（N）の式から算出される。
【００３６】
【数７】
【００３７】
【数８】
【００３８】
・・・・・
【００３９】
【数９】
【００４０】
尚、試料中の含有元素がN個存在し、点分析座標(x１,ｙ１)位置での点分析結果から数個の元素しか測定できなかった場合、分析点５１Bまたは５１Cの点分析結果を用いて試料中に含まれる残りの元素の相対感度係数を算出する。この場合、ある元素に対しては数個の相対感度係数が算出されるため、非線形最小二乗法を用いて各元素の適切な相対感度係数を算出される。
次に、前記補正係数演算手段２２は、求めた相対感度係数を面分析の定量分析演算手段２３に転送する。
該面分析の定量分析演算手段２３は、送られて来た相対感度係数を用いて面分析した全領域について定量分析する演算処理を行う(S312)。
即ち、該面分析の定量分析演算手段２３は、前記補正係数演算手段２２から相対感度係数の値を受取ると、前記面分析情報記憶部２５に蓄えられオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータを読み込み、相対感度係数S‘Ａ、S’Ｂ、・・・、S‘Ｎを用いた相対感度係数法で、面分析領域に対する定量計算をして定量分析を行う。
該定量計算から元素ＡからNの規格化された原子濃度Ｃ'Ａ（i , j）、Ｃ'Ｂ（i , j）・・・・Ｃ'N（i , j）を算出し、合計が１に規格化された原子濃度のマップデータ(図示せず)を作成する。
【００４１】
次に、前記面分析の定量分析演算手段２３は作成した原子濃度マップデータを、表示装置１５に送る。該表示装置１５は、該原子濃度マップデータを二次元分布像として表示する（S313）。
【００４２】
このように、面分析の定量分析を面分析の定量分析に適した相対感度係数を求め、この相対感度係数を用いて行っているので、面分析における定量精度を向上させることができる。
尚、定量面分析方法の手順として、試料上の点分析する位置と面分析する領域と分析条件を事前に入力装置で指定して、各分析の測定をし、定量計算を行っても良い。
又、前記例では、点分析測定した後に面分析測定を行う手順を説明したが、逆の手順、即ち、面分析測定した後に、点分析測定を行っても良い。
又、前記例では、点分析した後に、その点分析位置を含むように面分析領域を指定して分析を行う手順を説明したが、逆の手順、即ち、面分析した後に、該面分析内を点分析しても良い。
又、前記例では試料の定量面分析するときの試料に照射する一次エネルギー線は電子ビームを用いて説明したが、Ｘ線であっても良い。
又、前記例では二次エネルギー線をオージェ電子として説明したが、電子ビームを試料に照射した際に発生する特性Ｘ線であっても良い。
又、前記例では、試料表面を面分析するとき電子ビームをスキャンコイルで二次元的に走査した例を挙げて説明したが、電子ビームまたはＸ線をスポット照射し、試料ステージ７を二次元的に走査しても良い。
又、前記例では、オージェ電子分光装置を使って定量面分析方法を例に挙げて説明したが、他の装置、例えば、Ｘ線分光装置（ＸＰＳ）を使って定量面分析にも、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来のオージェ電子分光装置の一概略例を示したものである。
【図２】測定された元素Ａのピークスペクトルを示したものである。
【図３】面分析領域の元素ＡからＮの各オージェ電子ピーク強度マップとバックグランド強度マップを示したものである。
【図４】本発明の定量面分析方法を説明する装置の一つオージェ電子分光装置の主要部の一概略例を示したものである。
【図５】本発明の定量面分析方法の手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の定量面分析方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】試料上の面分析領域と点分析位置との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…電子銃
２…集束レンズ
３…対物レンズ
４…電子ビーム
５…試料
６X…Ｘ方向偏向器
６Y…Ｙ方向偏向器
７…試料ステージ
８、８'…演算装置
９…電源制御装置
１０…試料ステージ制御装置
１１…オージェ電子分光器
１２…増幅器
１３…Ａ/Ｄ変換器
１４、１４'…記憶装置
１５…表示装置
１６…入力装置
１９…設定手段
２０…点分析の定量分析演算手段
２１…記憶手段
２２…補正係数演算手段
２３…面分析の定量分析演算手段
２４…点分析情報記憶部
２５…面分析情報記憶部
５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ…点分析位置
５２…面分析領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は面分析の定量精度を向上させる試料の定量面分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
分光装置等のエネルギー線を用いる試料分析装置では、細く絞った一次エネルギー線を試料表面に照射し、試料から発生する二次エネルギー線を分光・検出して、面分析、定量分析等を行うことができる。
【０００３】
図１は一次エネルギー線が電子ビームで、該電子ビーム照射により試料から発生する二次エネルギー線がオージェ電子であるオージェ電子分光装置の概略例を示す。
【０００４】
図中１は電子銃、２，３は、それぞれ、前記電子銃１からの電子ビーム４を試料５上に集束するための集束レンズ，対物レンズである。
【０００５】
６Ｘ，６Ｙは前記電子銃１から放出した電子ビーム４で前記試料５上を、それぞれ、Ｘ方向，Ｙ方向に走査するためのＸ方向偏向器，Ｙ方向偏向器である。
５は試料、７は該試料を載置する試料ステージである。
８はオージェ電子分光装置を成す各手段、制御並びに収集データに基づく各種演算処理を行う演算装置である。
９は該演算装置８の指令に基づいて集束レンズ２、X方向偏向器６X、Y方向偏向器６Y、対物レンズ３に制御信号を送る電源制御装置、１０は前記演算装置８の指令に基づいて前記試料ステージ７を移動制御する試料ステージ制御装置である。
１１は前記試料５から放出されたオージェ電子を分光・検出するオージェ電子分光器で、該オージェ電子分光器の出力信号は増幅器１２、A/D変換器１３を介して前記演算装置８に送られる。
１４は前記A/D変換されたオージェ電子分光器１１の出力信号を蓄える記憶装置で、１５は前記演算装置８の指令に基づいて前記記憶装置１４から読み出されたデータを二次元分布像で表示する表示装置、１６はマウス、キーボードなどの入力装置である。
尚、図示しなかったが、電子ビームで試料上を走査したとき、該試料５から発生する二次電子を検出する二次電子検出器も設けられている。
この様な構成のオージェ電子分光装置で試料の定量分析する方法について説明する。
先ず、入力装置１６で試料５上の面分析したい領域（以後、面分析領域と称す）と分析条件を指定する。演算装置８は入力装置１６から面分析領域と分析条件を読み込み。電源制御装置９に面分析領域を走査するための指令を送る。
【０００６】
前記電源制御装置９は、試料５上に電子ビーム４を集束させるための制御信号を集束レンズ２と対物レンズ３に送り、試料上の面分析領域を電子ビームで走査するためのＸ方向走査信号，Ｙ方向走査信号を、それぞれＸ方向偏向器６X，Ｙ方向偏向器６Yに送る。
すると、電子銃１から放出された電子ビーム４は、集束レンズ２及び対物レンズ３により細く絞られて試料５上に集束され、前記Ｘ方向偏向器６XおよびＹ方向偏向器６Yにより、前記試料５上の面分析領域を二次元的に走査する。
【０００７】
該走査により試料表面から発生したオージェ電子は、オージェ電子分光器１１により分光・検出される。該オージェ電子分光器１１の出力信号は、増幅器１２及びＡ/Ｄ変換器１３を介して演算装置８に送られ、該演算装置８の指令により、記憶装置１４に蓄えられる。
ここで、記憶装置１４に蓄えられるオージェ電子ピーク強度マップとバックグランド強度マップについて説明する。
先ず、前記オージェ電子分光器１１で測定されたピークスペクトルを図２に
示す。図中の縦軸はスペクトル強度を示し、横軸はエネルギーを示す。
例えば、図２のような元素Ａのピークスペクトルが取得されたとすると、元素Ａのピーク強度を測定する場合、オージェ電子ピーク強度とバックグランド強度はピークのエネルギー値E１としてオージェ電子ピーク強度をPAと設定し、バックグランドのエネルギー値E２としてバックグランド強度をＢＡと設定し、元素Ａのピーク強度PA−ＢＡを得る。
元素マップピングでは図３に示すように元素Ａのマップ座標（i , j）におけるオージェ電子ピーク強度ＰＡ（i , j）と、元素Ａのマップ座標（i , j）におけるバックグランド強度ＢＡ（i , j）の２画像を取得する。
図３の（イ）ではマップ上の座標（i , j）における元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度のそれぞれを、ＰＡ（i , j）、ＰＢ（i , j）、・・・・ＰＮ（i , j）とし、図３の（ロ）ではマップ座標（i , j）のバックグランド強度をＢＡ（i , j）、ＢＢ（i , j）、・・・・、ＢＮ（i , j）として現している。
図中の（i , j）は変数であり、マップ座標位置毎に変化する変数である。従って、座標（i , j）は面分析領域内の全ての座標であり、二次元元素分布像の表示を行う際の各画素の位置に対応している。
【０００８】
次に、面分析の定量分析（即ち定量面分析）を一般的な相対感度係数法で行う場合について説明する。
演算装置８は記憶装置１４から面分析結果の元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータとを読み出し、予め入力装置１６により入力されているデータベース化されている既知の元素ＡからＮの相対感度係数ＳＡ、ＳＢ、・・・、ＳＮ（点分析の相対感度係数）に基づいて、面分析に対する定量計算をして定量分析を行う。
即ち、前記演算装置８はマップ座標（i , j）に対し元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ、ＣＢ、・・・ＣＮを演算する。
【０００９】
【数１】
【００１０】
【数２】
【００１１】
・・・・・・
【００１２】
【数３】
【００１３】
そして、合計が１に規格化された原子濃度（単位at%）のマップデータ(図示せず)を作成する。
尚、PＡ（i , j）−BＡ（i , j）、・・・、PN（i , j）−BN（i , j）は試料５から検出された元素ＡからNのピーク強度に対応する。
前記演算装置８は、このように作成した原子濃度のマップデータを表示装置１５に送り、二次元分布像として表示させる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１１８９４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、従来技術で示したように相対感度係数は定量分析するためには必須であるが、一般的には、ある一定のエネルギー幅を持ったピークスペクトルに適用するための値である。そのため、ピークのエネルギー値E1とバックグランドのエネルギー値E2の僅か２点のみの測定でマッピングする場合、特別な条件で測定する場合を除いて、そのまま適用することができなかった。
【００１６】
本発明は、この様な問題を解決する新規な面分析における定量分析方法を
を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の試料の定量面分析方法は、試料表面上に点分析位置と該点分析位置を含む面分析領域を指定する工程、前記点分析位置に一次エネルギー線を照射し、該一次エネルギー線照射により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記面分析領域を一次エネルギー線で走査し、該走査により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応する面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記ピーク強度信号とバックグランド強度信号に基づいて前記元素Ａに対応する原子濃度を求めてそれを記憶する工程、前記面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号の内、前記点分析位置の前記元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記原子濃度から前記元素Ａに対応する原子の相対感度係数を算出する工程、および、該相対感度係数と前記面分析により得られたピーク強度信号とバックグランド強度信号とに基づいて前記面分析領域の定量計算を行う工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、面分析領域内の代表位置で点分析し正確な定量を行って、面分析に対応した相対感度係数を求め、この相対感度係数を用いて面分析領域の定量計算を行うので、面分析の定量精度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に添付図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
図４は本発明の定量面分析方法を実施する装置の一つであるオージェ電子分光装置の主要部の一概略例を示したもので、前記図１にて使用した記号と同一記号の付されたものは同一構成要素を示す。
【００２１】
図４に示す装置から図１に示す装置と異なるところは記憶装置と演算装置の
構成である。
即ち、記憶装置１４'内には、面分析領域内で点分析した座標位置に対応させ
て、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号が蓄えられる点分析情報記憶部２４と、試料上の指定した領域を面分析し、取得されたオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータが蓄えられる面分析情報記憶部２５とを含んでいる。
また、演算装置８'内には、入力装置１６から入力された試料５上の分析領域
または分析位置と分析条件を読み込み、分析領域または分析位置を電源制御装置９および試料ステージ制御装置１０に設定し、分析条件を電源制御装置９およびオージェ電子分光器１３に設定する設定手段１９と、前記点分析情報記憶部２４からの試料上を点分析して取得したオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号に基づいて原子濃度を算定する点分析の定量分析演算手段２０と、該点分析の定量分析演算手段２０で算定された原子濃度を一旦蓄える記憶手段２１と、前記点分析の定量分析演算手段２０の出力に従って、前記面分析情報記憶部２５のオージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータの中から点分析位置に対応したマップ位置に存在する元素に対応するオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記記憶手段２１から原子濃度に基づいて、面分析に対応した相対感度係数値を算定する補正係数演算手段２２と、前記面分析情報記憶部２５からの前記オージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータと、前記補正係数演算手段２２からの前記面分析に対応した相対感度係数に基づいて、該面分析に対応した相対感度係数を用いて面分析の原子濃度を算出する面分析の定量分析演算手段２３とを含む。
次に、このような構成のオージェ電子分光装置による試料の定量面分析方法を図４、図５、図６、図７を用いて説明する。
先ず、図７に示すように電子ビームで試料５上を走査し、該走査により試料５から発生した二次電子を検出した信号に基づいて表示装置１５上に試料５に二次電子像５０を表示させる。
次に、オペレータは入力装置１６により、前記表示装置１５に表示された試料の二次電子像中で、試料５上の点分析を行う点分析位置５１A、５１B、５１Cと点分析条件を指定する(S301、S302)。
【００２２】
すると、演算装置８'内の設定手段１９は、指定された点分析位置５１Aと点分析条件を読み込み、該指定点分析位置に基づく移動指令を試料ステージ制御装置１０に送り、点分析条件に基づく電源制御指令を電源制御装置９に送る。
【００２３】
該電源制御装置９はこのような指令に基づいて、集束レンズ２と対物レンズ３には電子銃１からの電子ビームを試料５上で集束させるための制御信号を、X方向偏向器６XとY方向偏向器６Yには試料５上の所定位置に電子ビームが照射されるための制御信号を送るので、前記試料５上の所定位置にスポット状の電子ビームが照射される。
また、前記試料ステージ制御装置１０は送られて来た前記点分析位置に基づく移動制御信号に基づいて、試料ステージ７を移動させ、電子ビームのスポット位置に試料５上の点分析したい位置５１Aが来るようにする（S303）。
【００２４】
前記オージェ電子分光器１１は、このように電子ビーム４が点分析位置にスポット照射され、試料５から放出されたオージェ電子を検出し、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を取得する（S304）。
オージェ電子分光器１１で取得されたオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号は、増幅器１２、A/D変換器１３を介して前記演算装置８'に送られる。
【００２５】
該演算装置８'は、前記試料ステージ制御装置１０からの移動制御信号および電源制御装置９からの制御信号に基づいて前記試料上の点分析した座標位置を導き出し、該座標位置（５１A（x１,ｙ１)）とオージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を記憶装置１４‘の点分析情報記憶部２４に転送する。
【００２６】
該点分析情報記憶部２４は送られて来た座標位置に対応するアドレスに送られて来たオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号を蓄える。
前記設定手段１９は、試料上の指定したすべての点で点分析が終了したかどうか判定し（S305）、点分析が終了していない場合には、S303に移行し、点分析を行う。このように、試料５上の他の点分析位置５１B（X2,Y2）、５１C（X3,Y3）、・・・について点分析を行う。
次に、点分析した位置５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｂを含む領域の面分析を行う。
面分析を行う場合、先ず、オペレータは前記表示装置１５上に表示された試料５上の二次電子像（図７）中で、前記点分析した位置を含むように、前記入力装置１６にて、面分析する領域５２と面分析条件を指定する(S306、S307)。
【００２７】
設定手段１９は、指定された面分析する領域５２と面分析条件を読み込み、
前記面分析領域に基づく移動制御指令を電源制御装置９と試料ステージ制御装置１０に送り、前記面分析条件に基づく電源制御指令を前記電源制御装置９に送る。
【００２８】
次に、該電源制御装置９はこの様な指令に基づいて、集束レンズ２と対物レンズ３には、電子銃１からの電子ビームを試料５上で集束させるための制御信号を、偏向器６X、６Yには試料５上の前記指定面分析領域を走査するための制御信号を送り、スポット状の電子ビーム４で試料５上の面分析領域内が走査されるようにする。
前記試料ステージ制御装置１０は送られて来た前記面分析領域に基づく移動制御信号に基づいて、試料ステージ７を移動させ、前記試料５上の面分析領域５２の中心に電子ビーム４の中心軸が来るようにする。
【００２９】
前記オージェ電子分光器１１は、この様にして面分析領域５２内が電子ビームで走査される（S308）と、前記試料５から放出されたオージェ電子を検出し、オージェ電子ピーク強度信号及びバックグランド強度信号を取得する（S309）。
前記オージェ電子分光器１１で取得された前記オージェ電子ピーク強度信号及び前記バックグランド強度信号は、増幅器１２、A/D変換器１３を介して演算装置８'に送られる。
該演算装置８'は、前記試料ステージ制御装置１０からの移動制御信号および前記電源制御装置９からの制御信号に基づいて前記面分析領域の座標位置を導き出し、この面分析領域内の予め決められた多数の座標位置と、該多数の座標おけるオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号から、オージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータを作成し、面分析情報記憶部２５に転送する。
該面分析情報記憶部２５は送られて来た面分析領域の代表座標位置に対応するアドレスに、送られて来た前記各マップデータを蓄える。
次に、設定手段１９が点分析と面分析の終了を認識すると、該設定手段１９は点分析の定量分析演算手段２０に、点分析した結果に対して定量分析演算の開始を指示する指令を送る。
該点分析の定量分析演算手段２０は該指令に基づいて前記点分析情報記憶部２４から読み出された前記各点分析結果の前記データを読み込み、原子濃度を演算して求める(S310)。
例えば、点分析の座標位置を(x１,ｙ１)として、検出された信号が元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度をｐＡ(x１,ｙ１)、ｐＢ(x１,ｙ１)、・・・、ｐN(x１,ｙ１)とし、バックグランド強度をｂＡ(x１,ｙ１)、ｂＢ(x１,ｙ１)、・・・、ｂN(x１,ｙ１)とすると、元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ(x１,ｙ１)、ＣＢ(x１,ｙ１)、・・・、ＣＮ(x１,ｙ１)は、
【００３０】
【数４】
【００３１】
【数５】
【００３２】
・・・・・・
【００３３】
【数６】
【００３４】
である。
次に、前記点分析の定量分析演算手段２０は、算出した元素ＡからＮの原子濃度ＣＡ(x１,ｙ１)、ＣＢ(x１,ｙ１)、・・・、ＣＮ(x１,ｙ１)を記憶手段２１に転送するので、該原子濃度は記憶手段２１に蓄えられる。
次に、該記憶手段２１に蓄えられた原子濃度は補正係数演算手段２２に読み込まれると同時に、前記点分析の定量分析演算手段２０は補正係数演算手段２２に、前記面分析分析情報記憶部２５蓄えられた面分析に基づくオージェ電子ピーク強度マップデータと前記バックグランド強度マップデータの中から、前記点分析した座標位置に対応した相対的なマップ座標位置に存在するオージェ電子ピーク強度信号とバックグランド強度信号を読み込むように、該補正係数演算手段２２に制御信号を送る。
【００３５】
次に、前記補正係数演算手段２２は、読み込んだ各データを基に面分析に対応した相対感度係数を算出する演算処理を行う（S311）。
例えば、点分析座標(x１,ｙ１)位置に対応した相対的なマップ座標(x１,ｙ１)での元素ＡからＮのオージェ電子ピーク強度信号をPＡ(x１,ｙ１)、PＢ(x１,ｙ１)、・・・、PN(x１,ｙ１)とし、元素ＡからNのバックグランド強度信号をBＡ(x１,ｙ１)、BＢ(x１,ｙ１)、・・・、BN(x１,ｙ１)とすると、マップ座標(x１,ｙ１)位置での元素ＡからＮの相対感度係数S‘Ａ、S’Ｂ、・・・、S‘Ｎは、次の（１）、（２）、（３）、・・・、（N）の式から算出される。
【００３６】
【数７】
【００３７】
【数８】
【００３８】
・・・・・
【００３９】
【数９】
【００４０】
尚、試料中の含有元素がN個存在し、点分析座標(x１,ｙ１)位置での点分析結果から数個の元素しか測定できなかった場合、分析点５１Bまたは５１Cの点分析結果を用いて試料中に含まれる残りの元素の相対感度係数を算出する。この場合、ある元素に対しては数個の相対感度係数が算出されるため、非線形最小二乗法を用いて各元素の適切な相対感度係数を算出される。
次に、前記補正係数演算手段２２は、求めた相対感度係数を面分析の定量分析演算手段２３に転送する。
該面分析の定量分析演算手段２３は、送られて来た相対感度係数を用いて面分析した全領域について定量分析する演算処理を行う(S312)。
即ち、該面分析の定量分析演算手段２３は、前記補正係数演算手段２２から相対感度係数の値を受取ると、前記面分析情報記憶部２５に蓄えられオージェ電子ピーク強度マップデータとバックグランド強度マップデータを読み込み、相対感度係数S‘Ａ、S’Ｂ、・・・、S‘Ｎを用いた相対感度係数法で、面分析領域に対する定量計算をして定量分析を行う。
該定量計算から元素ＡからNの規格化された原子濃度Ｃ'Ａ（i , j）、Ｃ'Ｂ（i , j）・・・・Ｃ'N（i , j）を算出し、合計が１に規格化された原子濃度のマップデータ(図示せず)を作成する。
【００４１】
次に、前記面分析の定量分析演算手段２３は作成した原子濃度マップデータを、表示装置１５に送る。該表示装置１５は、該原子濃度マップデータを二次元分布像として表示する（S313）。
【００４２】
このように、面分析の定量分析を面分析の定量分析に適した相対感度係数を求め、この相対感度係数を用いて行っているので、面分析における定量精度を向上させることができる。
尚、定量面分析方法の手順として、試料上の点分析する位置と面分析する領域と分析条件を事前に入力装置で指定して、各分析の測定をし、定量計算を行っても良い。
又、前記例では、点分析測定した後に面分析測定を行う手順を説明したが、逆の手順、即ち、面分析測定した後に、点分析測定を行っても良い。
又、前記例では、点分析した後に、その点分析位置を含むように面分析領域を指定して分析を行う手順を説明したが、逆の手順、即ち、面分析した後に、該面分析内を点分析しても良い。
又、前記例では試料の定量面分析するときの試料に照射する一次エネルギー線は電子ビームを用いて説明したが、Ｘ線であっても良い。
又、前記例では二次エネルギー線をオージェ電子として説明したが、電子ビームを試料に照射した際に発生する特性Ｘ線であっても良い。
又、前記例では、試料表面を面分析するとき電子ビームをスキャンコイルで二次元的に走査した例を挙げて説明したが、電子ビームまたはＸ線をスポット照射し、試料ステージ７を二次元的に走査しても良い。
又、前記例では、オージェ電子分光装置を使って定量面分析方法を例に挙げて説明したが、他の装置、例えば、Ｘ線分光装置（ＸＰＳ）を使って定量面分析にも、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来のオージェ電子分光装置の一概略例を示したものである。
【図２】測定された元素Ａのピークスペクトルを示したものである。
【図３】面分析領域の元素ＡからＮの各オージェ電子ピーク強度マップとバックグランド強度マップを示したものである。
【図４】本発明の定量面分析方法を説明する装置の一つオージェ電子分光装置の主要部の一概略例を示したものである。
【図５】本発明の定量面分析方法の手順を示すフローチャートである。
【図６】本発明の定量面分析方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】試料上の面分析領域と点分析位置との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…電子銃
２…集束レンズ
３…対物レンズ
４…電子ビーム
５…試料
６X…Ｘ方向偏向器
６Y…Ｙ方向偏向器
７…試料ステージ
８、８'…演算装置
９…電源制御装置
１０…試料ステージ制御装置
１１…オージェ電子分光器
１２…増幅器
１３…Ａ/Ｄ変換器
１４、１４'…記憶装置
１５…表示装置
１６…入力装置
１９…設定手段
２０…点分析の定量分析演算手段
２１…記憶手段
２２…補正係数演算手段
２３…面分析の定量分析演算手段
２４…点分析情報記憶部
２５…面分析情報記憶部
５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ…点分析位置
５２…面分析領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面上に点分析位置と該点分析位置を含む面分析領域を指定する工程、前記点分析位置に一次エネルギー線を照射し、該一次エネルギー線照射により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記面分析領域を一次エネルギー線で走査し、該走査により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応する面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記ピーク強度信号とバックグランド強度信号に基づいて前記元素Ａに対応する原子濃度を求めてそれを記憶する工程、前記面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号の内、前記点分析位置の前記元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記原子濃度から前記元素Ａに対応する原子の相対感度係数を算出する工程、および、該相対感度係数と前記面分析により得られたピーク強度信号とバックグランド強度信号とに基づいて前記面分析領域の定量計算を行う工程を含む試料の定量面分析方法。
【請求項２】
前記一次エネルギー線は電子線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線がオージェ電子である請求項１の試料の定量面分析方法。
【請求項３】
前記一次エネルギー線は電子線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線が特性Ｘ線である請求項１の試料の定量面分析方法。
【請求項４】
前記一次エネルギー線はＸ線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線が特性Ｘ線である請求項１の試料の定量面分析方法。
【請求項１】
試料表面上に点分析位置と該点分析位置を含む面分析領域を指定する工程、前記点分析位置に一次エネルギー線を照射し、該一次エネルギー線照射により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記面分析領域を一次エネルギー線で走査し、該走査により前記試料から発生した二次エネルギー線に基づいて、元素Ａに対応する面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号を得てそれらを記憶する工程、前記ピーク強度信号とバックグランド強度信号に基づいて前記元素Ａに対応する原子濃度を求めてそれを記憶する工程、前記面分析におけるピーク強度信号とバックグランド強度信号の内、前記点分析位置の前記元素Ａに対応するピーク強度信号とバックグランド強度信号と前記原子濃度から前記元素Ａに対応する原子の相対感度係数を算出する工程、および、該相対感度係数と前記面分析により得られたピーク強度信号とバックグランド強度信号とに基づいて前記面分析領域の定量計算を行う工程を含む試料の定量面分析方法。
【請求項２】
前記一次エネルギー線は電子線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線がオージェ電子である請求項１の試料の定量面分析方法。
【請求項３】
前記一次エネルギー線は電子線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線が特性Ｘ線である請求項１の試料の定量面分析方法。
【請求項４】
前記一次エネルギー線はＸ線であり、前記試料から発生した二次エネルギー線が特性Ｘ線である請求項１の試料の定量面分析方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００８−７６１４０（Ｐ２００８−７６１４０Ａ）
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５４０４３（Ｐ２００６−２５４０４３）
【出願日】平成１８年９月２０日（２００６．９．２０）
【出願人】（０００００４２７１）日本電子株式会社 (811)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２０日（２００６．９．２０）
【出願人】（０００００４２７１）日本電子株式会社 (811)
【Ｆターム（参考）】
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