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Fターム[2G001JA03]の内容

Fターム[2G001JA03]に分類される特許

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【課題】 被検体が撮像装置内に配置された後にアライメントを行うX線タルボ干渉法用撮像装置において、アライメント時に被検体に照射されるX線量を低下させること。
【解決手段】 撮像装置1は、X線源2からのX線を回折することで干渉パターンを形成する回折格子3と、回折格子を経たX線を検出する検出器5と、X線源と前記被検体の間に配置可能なX線を遮るシャッタ21と、アライメントを行う調節機構を備える。
シャッタはX線源と被検体の間に配置されたとき、シャッタによってX線の照射を遮られる第1の空間30と、シャッタによってX線の照射を遮られない第2の空間31を形成し、被検体は第1の空間に配置される。
また、調節機構は、第2の空間を経て検出器により検出されるX線の強度分布の少なくとも一部に基づいてアライメントを行う。 (もっと読む)


【課題】ゴム材料中の充填剤の分散状態を、鮮明に観察しうる観察方法を提供する。
【解決手段】充填剤を含有するゴム材料の観察方法であって、走査型透過電子顕微鏡を用いてゴム材料の電子線透過画像を取得する撮像工程と、この撮像工程で得られた画像又はこの画像を加工した二次情報を観察する観察工程とを有し、前記撮像工程は、前記走査型透過電子顕微鏡の焦点を前記ゴム材料の厚さの中央領域に合わせることを特徴とするゴム材料の観察方法である。 (もっと読む)


【課題】 X線の伝搬損失が少なく、導波モードが位相制御されたX線導波路を提供する。
【解決手段】 X線導波路は、物質の屈折率実部が1以下となる波長帯域のX線を導波させるためのコア404と、コア404にX線を閉じ込めるためのクラッド402,403と、を備える。コア404とクラッド402,403が、コア404とクラッド402,403との界面での全反射によりX線をコアに閉じ込めてX線を導波するように構成されている。コア404が、屈折率実部が異なる複数の物質が2次元以上の方向に周期的に配列された周期構造を持つ。X線導波路には、コア404のX線の導波方向に垂直な方向においてX線の電場強度分布または磁場強度分布の腹または節の数と周期構造の周期数とが一致する導波モードが存在する。 (もっと読む)


【課題】しきい光電子分光を効率的に行うことができる装置および方法を提供する。
【解決手段】しきい光電子分光装置1は、第1光源10、第2光源20、照射光学系30、真空容器40、分子線生成部50、撮像部60および検出部70を備える。準備段階において、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第1光源による第1パルス光出力タイミングを各値に設定して、分子線生成部による分子線生成,第1光源による第1パルス光出力および撮像部による蛍光撮像を行う。続く測定段階において、準備段階で撮像部による蛍光撮像により得られた蛍光像に基づいて決定されるタイミングおよび照射位置となるように、分子線生成部による分子線生成タイミングに対する第2光源による第2パルス光出力タイミングを設定するとともに、分子線への第2パルス光の照射位置を設定する。 (もっと読む)


【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 (もっと読む)


【課題】欠陥観察装置、欠陥観察方法、及び半導体装置の製造方法において、欠陥観察装置と基板との位置合わせ精度を向上させること。
【解決手段】基板Wの表面の欠陥Diのそれぞれの欠陥座標を取得するステップS1と、欠陥Diのそれぞれに所定領域Rを設定し、その中に含まれる欠陥の総個数Niを計数するステップと、ステージ座標を一番目の欠陥D1の欠陥座標に合わせることにより、顕微鏡の視野22f内に第1の欠陥D1を導入するステップと、視野中心22cと第1の欠陥D1とのズレ量を取得するステップと、上記ズレ量に基づいて、第1の欠陥D1よりも上記総個数が多い第2の欠陥D2の欠陥座標を補正するステップと、補正後の第2の欠陥D2の欠陥座標にステージ座標を合わせることにより、顕微鏡の視野22f内に第2の欠陥D2を導入するステップとを有する欠陥観察方法による。 (もっと読む)


【課題】不具合箇所を容易に特定することのできる半導体装置の解析装置及び解析方法の提供。
【解決手段】半導体装置の解析装置は、荷電粒子ビームを試料に照射し、検出した2次電子強度に応じた2次電子像を表示する機能を備える。解析対象の半導体装置に対し、第1の照射パターンで、荷電粒子ビームを照射して、電荷を注入する。次に、前記解析対象の半導体装置の電荷の蓄積状態を観測する。電荷の蓄積状態が正常でない箇所を、半導体装置の不具合箇所として検出することができる。 (もっと読む)


【課題】位置ずれ補正に要する走査画像の取得回数を1回で済まし、また、y軸方向の位置ずれ補正およびx軸方向の位置ずれ補正に要する演算を1回で済まして、位置ずれ補正に要する時間を短縮する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料上で二次元的に走査して走査画像を形成する走査ビーム照射装置において、試料を支持するステージ上に設けたマークと、このマークを含む走査画像を取得する走査画像取得手段と、走査画像取得手段で取得した走査画像に基づいて位置ずれを補正する位置ずれ補正手段とを備え、走査画像取得手段は、同一のマークを走査画像中に含む2つの異なる走査画像を取得し、この2つの走査画像の取得は同じ走査期間内で行う。2つの走査画像は同一のマークを走査画像中に含むため、2つの走査画像中のマークの位置を比較することによって、走査画像間に位置ずれを求めることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、観察条件に最適な感度ムラ補正の補正係数の設定を自動的に行なうことができる透過型電子顕微鏡用カメラの感度ムラ補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】試料を透過した透過電子線を入射して透過電子線像を撮影する透過型電子顕微鏡用カメラ24と、透過型電子顕微鏡21の観察条件に合わせてピクセル毎の感度ムラ補正係数を記憶するコンピュータ23と接続された外部記憶装置27と、観察画像を得るに際し、前記透過型電子顕微鏡用カメラ24で撮影されたピクセル毎の画像データに、前記記憶装置27に記憶された感度ムラ補正係数を乗算するコンピュータ内演算手段と、該演算手段により乗算された画像データを表示する表示手段23aとを具備して構成される。 (もっと読む)


【課題】検出画像を取得した被検査領域毎に閾値を最適化する手法はあるが、1枚の検出画像については1つ閾値だけを適用する。このため、1つの画像内に有意でない欠陥が含まれる場合でも、有意の欠陥と同じ感度レベルで検出される。
【解決手段】1つの検査領域内に複数の感度領域を設定して、1つの検査領域のうちDOI(Defect of interesting)が存在する領域の欠陥だけを他と区別して検出できる仕組みを提案する。具体的には、検査領域内の画像の特徴に基づいて、検査領域内に複数の感度領域を設定し、検出画像、差画像又は欠陥判定部の判定用閾値に、各感度領域の設定感度を適用する。 (もっと読む)


【課題】 分光可能な特性X線を発する元素及び分光可能な分光素子を一覧でき、容易に分析条件を選択できる分析条件選択支援装置及び分析条件選択支援方法を提供する。
【解決手段】分光素子のボタンを配列した分光素子選択部と元素のボタンを配列した元素選択部を有する分析条件選択画面を表示させる選択画面表示手段31、元素が発する特性X線と分光素子の関係の情報を格納した分光範囲記憶装置26、分光範囲記憶装置26から情報を読み出し、分光素子選択部で指定された分光素子によって分光可能な元素のボタンに対し、特性X線の種類を元素のボタンに分類表示させる元素選択部表示手段32、分光範囲記憶装置26から情報を読み出し、指定された元素によって発せられる特性X線の種類を元素の特性X線を分光可能な分光素子のボタンに分類表示させる分光素子選択部表示手段33とを備える。 (もっと読む)


【課題】焦点合せを欠陥候補の撮像領域外で行って、撮像画像の帯電やコンタミネーションを防ぐとともに、焦点のずれのない撮像画像を得ることができるレビュー装置及びレビュー方法を得る。
【解決手段】試料を移動させて、欠陥候補の位置を含む撮像領域に電子ビームを位置付け、電子ビームの光軸を平行移動させて、欠陥候補の画像を撮像する領域の外の焦点合せ領域に光軸を位置付け、焦点合せ領域で電子ビームを偏向させるとともに、電子ビームの焦点位置を変えながら、焦点合せ領域から発生した二次信号の強度を取得し、該二次信号の強度に基づいて合焦点位置を求め、その後、焦点合せ領域に位置付けられた電子ビームの光軸を欠陥候補の位置に移動させ、撮像領域に電子ビームを照射して発生する二次信号から画像を形成する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの評価の良い部分の領域や悪い部分の領域が分かる半導体検査装置のデータ処理方法とデータ表示方法と半導体検査装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いた吸収電流測定方法を用いて、ウェハ23のコンタクトホール界面状況を評価する半導体検査装置において、電子銃10によって所定の電子ビームサイズでコンタクトホールを照射し、その際に測定される吸収電流値をコンタクトホールサイズで正規化した値をグラフ化し、そのグラフから任意の領域を指定して、表示装置150に表示されるウェハ上のマップにその測定点を表示する。 (もっと読む)


【課題】検査の高速化および解像性の向上の両方を同時に実現する。
【解決手段】所望の方向のビーム幅のみが小さくなるようにビーム整形を行ない、得られた楕円形状ビームを用いて長径方向にビームを走査することにより、短径方向の分解能を向上させる。 (もっと読む)


【課題】 電子顕微鏡の超微小焦点より発生するX線を用いて、X線拡大撮影を行うこと。
【解決手段】 電子顕微鏡で用いられる電子線の超微小焦点の位置に、台形の金属ターゲットを設置し、加速された電子をターゲットにあてることにより、発生する制動X線を、電子顕微鏡の加速筒(鏡筒)と直角方向に置かれたアダプター内に導き、ターゲットの近傍に設置された試料に当てる。透過したX線は、ターゲットから遠くに置かれたX線検出器によって拡大画像を得る。照射する電子線の焦点のターゲット上の位置を変えることにより、観察する試料部位と拡大率を決める。 (もっと読む)


【課題】試料分析装置において、観察しようとする試料に形成されたデバイスに含まれるプラグや配線構造をはじめとする試料特定箇所に、単一または多数系統の外部電圧を印加し、デバイスをオン・オフさせたときの構造、組成、電子状態の変化を分析できるものにおいて、試料を自由に回転・傾斜させることを可能にする。
【解決手段】試料傾斜機構を備えた試料ホルダ本体を有する試料分析装置において、サンプルキャリアは、第一の固定部材と、第二の固定部材と、前記第一の固定部材と前記第二の固定部材とを接続する変型可能な接続部と、当該接続部上に形成され前記第一の固定部材と第二の固定部材とを導通させる単一または多数の配線構造と、を備える。前記試料傾斜機構を操作して傾斜角を調整し、試料ホルダ本体先端に設けた回転ピボットを中心に試料ホルダ本体を回して回転角を調整する。 (もっと読む)


【課題】
取得画像の像質や分解能の劣化を防ぐことができる走査型電子顕微鏡、および走査型電子顕微鏡の画像の改良方法を提供する。
【解決手段】
試料に電子ビームを照射し該試料から発生する二次信号の情報を画像化する走査型電子顕微鏡において、前記電子ビームを前記試料で走査する走査信号を補正する補正データを格納する記憶部と、該記憶部へ格納された補正データを用いて前記走査信号を補正する補正回路と、該補正回路で補正された走査信号を用いて得られた画像を表示するディスプレイとを備え、該ディスプレイには、さらに、前記補正データに基づいて生成された補正データ波形が表示される。 (もっと読む)


【課題】本発明は断面観察用走査電子顕微鏡に関し、観察断面が明るく見えるような断面観察用走査電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】観察試料103に近い位置に配置され、2次電子信号又は反射電子信号を検出する第1の信号検出器104と、該第1の信号検出器104の出力を記憶する第1の画像メモリ114と、観察試料103の上部に配置され、2次電子信号又は反射電子信号を検出する第2の信号検出器105と、該第2の信号検出器105の出力を記憶する第2の画像メモリ124と、前記第1の画像メモリ114の出力と前記第2の画像メモリ124の出力とを受けて、何れかの画像をマスクしてマスクした画像とマスクしない画像との論理演算を行ない、前記試料の試料断面の画像を強調した画像を得る画像演算装置121と、を具備して構成される。 (もっと読む)


1つ又は複数のサンプルからの電子を検出するシステム及び方法を開示する。いくつかの実施形態では、本システム及び方法は、サンプル表面からの二次電子を偏向させるための1つ又は複数の磁場源を含む。
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【課題】複数の欠陥種の検出を、検出性能を落とすことなく、短時間で行う。
【解決手段】TFTアレイの欠陥種に応じた駆動波形を有する駆動信号を複数用意しておき、一つの基板を検査する間に走査条件に応じて印加する駆動信号を切り替えることによって、一つの基板を検査する間に複数の欠陥種の検出を行う。TFTアレイ検査装置は、TFTアレイに電子線を走査して照射し、照射電子線によってアレイから放出される二次電子を検出することによりアレイ検査を行う。複数の駆動波形データを記憶する記憶手段と、記憶手段から読み出した駆動波形データを用いてTFTアレイを駆動する駆動信号を生成するTFT駆動手段と、TFT駆動手段が生成した複数の駆動信号からTFTアレイに印加する駆動信号を選択する駆動信号選択手段と、電子線の走査およびTFTアレイの駆動を制御する制御手段とを備える。駆動信号選択手段は、生成した駆動信号を選択する。 (もっと読む)


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