透明発光ダイオード
透明発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を含み、層の全てを通り、かつ層を通る複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く層の全ては、光の発光波長に対して透明である。さらに、ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強させてもよい。一実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在し、ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、透明な基板またはサブマウントを通って抽出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、同時継続かつ譲受人共通のＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＨｉｒｏｋｕｎｉ Ａｓａｍｉｚｕによる米国仮特許出願第６０／８６９，４４７号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＬＥＤＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１１−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−２８２−１））に基づく米国特許法第１１９条第（ｅ）項の利益を主張し、この出願は、その全体が本明細書に参考として援用される。
【０００２】
本願は、下記の同時継続かつ譲受人共通の出願に関連している：
Ｔｅｔｓｕｏ Ｆｕｊｉｉ、Ｙａｎ Ｇａｏ、Ｅｖｅｌｙｎ．Ｌ．ＨｕおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１０／５８１，９４０号（２００６年６月７日出願、名称「ＨＩＧＨＬＹ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ ＶＩＡ ＳＵＲＦＡＣＥ ＲＯＵＧＨＥＮＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．１０８−ＵＳ−ＷＯ（２００４−０６３））、当該出願は、Ｔｅｔｓｕｏ Ｆｕｊｉｉ、Ｙａｎ Ｇａｏ、Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．ＨｕおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる国際出願ＰＣＴ／ＵＳ２００３／０３９２１号（２００３年１１月９日出願、名称「ＨＩＧＨＬＹ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ ＶＩＡ ＳＵＲＦＡＣＥ ＲＯＵＧＨＥＮＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．１０８−ＷＯ−０１（２００４−０６３））に基づく米国特許法３６５条（ｃ）項の利益を主張する；
Ｒａｊ ａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｊｏｈｎ Ｆ．ＫａｅｄｉｎｇおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／０５４，２７１号（名称「ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥ」、２００５年２月９日出願、代理人整理番号３０７９４．１１２−ＵＳ−０１（２００４−２０８））；
Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｌｅｅ ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．ＭｉｓｈｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／１７５，７６１号（名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ ａｎｄ Ｚｎ（Ｓ，Ｓｅ） ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」、２００５年７月６日出願、代理人整理番号３０７９４．１１６−ＵＳ−Ｕｌ（２００４−４５５））、当該出願は、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｌｅｅ ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、およびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／５８５，６７３号（２００６年１１月１１日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ ａｎｄ Ｚｎ（Ｓ，Ｓｅ） ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」、代理人整理番号３０７９４．１１６−ＵＳ−Ｐｌ（２００４−４５５−１））の米国特許法第１１９条第（ｅ）項の利益を主張する。；
Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６９７，４５７号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００７年４月６日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｃｌ（２００４−６３６−３））、当該出願は、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／１４０，８９３号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００５年５月３１日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｕ１（２００４−６３６−２））、現在は、米国特許第７，２０８，３９３号（２００７年４月２４日発行）の継続出願であり、当該出願は、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／５７６，６８５号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００４年６月３日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｐ１（２００４−６３６−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／０６７，９５７号（名称「ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＩＴＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ ＦＥＥＤＢＡＣＫ（ＤＦＢ） ＬＡＳＥＲＳ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００５年２月２８日出願、代理人整理番号３０７９４．１２１−ＵＳ−０１（２００５−１４４−１）；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用出願第１１／９２３，４１４号（名称「ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００７年１０月２４日出願、代理人整理番号３０７９４．１２２−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−１４５−２））、当該出願は、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓに発行された米国特許第７，２９１，８６４号（名称「ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００７年１１月７日出願、代理人整理番号３０７９４．１２２−ＵＳ−０１（２００５−１４５−１））の継続出願である；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ ＣＡ ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願（名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＷＩＴＨ ＯＰＴＩＭＩＺＥＤ ＰＨＯＴＯＮＩＣ ＣＲＹＳＴＡＬ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲ」、２００５年２月２８日出願、代理人整理番号３０７９４．１２６−ＵＳ−０１（２００５−１９８−１）；
Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６２１，４８２号（２００７年１月９日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−４７１−３））、当該出願は、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／３７２，９１４号（２００６年３月１０日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｕ１（２００５−４７１−２）、現在は、米国特許第７，２２０，３２４号（２００７年５月２２日発行）の継続出願であり、当該出願は、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／６６０，２８３号（２００５年３月１０日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｐ１（２００５−４７１−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｔｒｏｙ Ｊ．ＢａｋｅｒおよびＢｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌによる米国実用特許出願第１１／４０３，６２４号（２００６年４月１３日出願、名称「ＷＡＦＥＲ ＳＥＰＡＲＡＴＩＯＮ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＦＲＥＥ−ＳＴＡＮＤＩＮＧ（ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＷＡＦＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３１−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−４８２−２））、当該出願は、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｔｒｏｙ Ｊ．ＢａｋｅｒおよびＢｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌによる米国仮特許出願第６０／６７０，８１０号（２００５年４月１３日出願、名称「ＷＡＦＥＲ ＳＥＰＡＲＡＴＩＯＮ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＦＲＥＥ−ＳＴＡＮＤＩＮＧ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＷＡＦＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３１−ＵＳ−Ｐ１（２００５−４８２−１）に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ ＰａｔｔｉｓｏｎおよびＴｒｏｙ ＪＢａｋｅｒによる米国実用特許出願（２００６年４月１３日出願、名称「ＥＴＣＨＩＮＧ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＴＨＩＮ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３２−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５０９−２））、当該出願は、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ ＰａｔｔｉｓｏｎおよびＴｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒによる米国仮特許出願第６０／６７０，７９０号（２００５年４月１３日出願、名称「ＥＴＣＨＩＮＧ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＴＨＩＮ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３２−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５０９−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国実用特許出願第１１／４５４，６９１号（２００６年６月１６日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５３６−４））、当該出願は、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／６９１，７１０号（２００５年６月１７日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ， ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５３６−１）、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／７３２，３１９号（２００５年１１月１日出願、名称「Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＥＤ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ２（２００５−５３６−２））、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／７６４，８８１号（２００６年２月３日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＥＤ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ３（２００５−５３６−３））に基づく１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／４４４，０８４号（２００６年５月３１日出願、名称「ＤＥＦＥＣＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＯＦ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＳＩＮＧＬＥ−ＳＴＥＰ ＳＩＤＥＷＡＬＬ ＬＡＴＥＲＡＬ ＥＰＩＴＡＸＩＡＬ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１３５−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−５６５−２））、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／６８５，９５２号（２００５年５月３１日出願、名称「ＤＥＦＥＣＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＯＦ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＳＩＮＧＬＥ−ＳＴＥＰ ＳＩＤＥＷＡＬＬ ＬＡＴＥＲＡＬ ＥＰＩＴＡＸＩＡＬ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１３５−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５６５−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／８７０，１１５号（２００７年１０月１０日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＵＳＩＮＧ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−５６６−３））、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／４４４，９４６号（２００６年５月３１日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ｛１−１００｝ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５６６−２））の継続出願であり、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／６８５，９０８号（２００５年５月３１日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ｛１−１００｝ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５６６−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｒｏｂｅｒｔ Ｍ．Ｆａｒｒｅｌｌ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ａｒｐａｎ Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／４４４，９４６号（２００６年６月１日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＡＮＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ，ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−６６８−２））、当該出願は、Ｒｏｂｅｒｔ Ｍ．Ｆａｒｒｅｌｌ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ａｒｐａｎ Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／６８６，２４４号（２００５年６月１日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＡＮＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ， ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｐ１（２００５−６６８−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｆｒｅｄｅｒｉｃ Ｓ．Ｄｉａｎａ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｐｉｅｒｒｅ Ｍ．ＰｅｔｒｏｆｆおよびＣｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈによる米国実用特許出願第１１／２５１，３６５号（２００５年１０月１４日出願、名称「ＰＨＯＴＯＮＩＣ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＦＯＲ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＩＮ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４２−ＵＳ−０１（２００５−５３４−１））；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６３３，１４８号（２００６年１２月４日出願、名称「ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＴＩＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ ＦＥＥＤＢＡＣＫ （ＤＦＢ） ＬＡＳＥＲＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＥＤ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＷＩＴＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１４３−ＵＳ−Ｕ１（２００５−７２１−２））、当該出願は、米国仮特許出願第６０／７４１，９３５号（２００５年１２月２日出願、名称「ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＴＩＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＦＢ ＬＡＳＥＲＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＥＤ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＷＩＴＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１４３−ＵＳ−Ｐ１（２００５−７２１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／５１７，７９７号（２００６年９月８日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＶＩＡ ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｕ１ （２００５−７２２−２））、当該出願は、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／７１５，４９１号（２００５年９月９日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＶＩＡ ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｕ１（２００５−７２２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｈｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉ、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．ＦｅｌｌｏｗｓおよびＡｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉによる米国実用特許出願第１１／５９３，２６８号（２００６年９月６日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６１−ＵＳ−Ｕ１（２００６−２７１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｈｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉ、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．ＦｅｌｌｏｗｓおよびＡｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉによる米国仮特許出願第６０／７３４，０４０号（２００５年１１月４日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６１−ＵＳ−Ｐｌ（２００６−２７１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第１１／６０８，４３９号（２００６年１２月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ（ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｕ１（２００６−３１８−３））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／７４８，４８０号（２００５年１２月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｐ１（２００６−３１８−１））ならびにＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／７６４，９７５号（２００６年２月３日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ（ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｐ２（２００６−３１８−２））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｈｏｎｇ Ｚｈｏｎｇ、Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｋａｅｄｉｎｇ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６７６，９９９号（２００７年２月２０日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１７３−ＵＳ−Ｕ１（２００６−４２２−２））、当該出願は、Ｈｏｎｇ Ｚｈｏｎｇ、Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｋａｅｄｉｎｇ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／７７４，４６７号（２００６年２月１３日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ５Ｉｎ５Ｇａ５Ｂ）Ｎ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＤＥＶＩＣＥＳ５」、代理人整理番号３０７９４．１７３−ＵＳ−Ｐ１（２００６−４２２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／８４０，０５７号（２００７年８月１６日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＯＦ ＭＡＧＮＥＳＩＵＭ ＤＯＰＥＤ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８７−ＵＳ−Ｕ１（２００６−６７８−２））、当該出願は、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８２２，６００号（２００６年８月１６日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＯＦ ＭＡＧＮＥＳＩＵＭ ＤＯＰＥＤ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８７−ＵＳ−Ｐ１（２００６−６７８−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ ａｎｄ Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８４８号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｕ１（２００７−０４７−３））、当該出願は、 Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１４号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｐ１（２００７−０４７−１））ならびにＡｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８８３，９７７号（２００７年１月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｐ２（２００７−０４７−２））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８５３号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＷＨＩＴＥ，ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＵＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ （ＬＥＤＳ） ＢＹ ＩＮＤＥＸ ＭＡＴＣＨＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９６−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１１４−２））、当該出願は、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２６号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＷＨＩＴＥ、ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＵＲ ＬＥＤ ＢＹ ＩＮＤＥＸ ＭＡＴＣＨＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９６−ＵＳ−Ｐ１（２００７−１１４−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒによる米国実用特許出願第１１／９４０，８６６号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＷＩＴＨ ＥＭＩＴＴＥＲＳ ＷＩＴＨＩＮ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９７−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１１３−２））、当該出願は、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１５号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＥＤ ＷＩＴＨ ＥＭＩＴＴＥＲＳ ＷＩＴＨＩＮ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９７−ＵＳ−Ｐ１（２００７−１１３−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．Ｈｕ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙｏｎｇ Ｓｅｏｋ Ｃｈｏｉ、Ｒａｊ ａｔ ＳｈａｒｍａおよびＣｈｉｏｕ−Ｆｕ Ｗａｎｇによる米国実用特許出願１１／９４０，８７６号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＦＯＲ ＴＨＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＡＬ ＩＮＴＥＧＲＩＴＹ ＯＦ ＡＩＲ−ＧＡＰ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＤＥＶＩＣＥＳ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＢＹ ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ （ＰＥＣ） ＥＴＣＨＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．２０１−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１６１−２））、当該出願は、Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．Ｈｕ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙｏｎｇ Ｓｅｏｋ Ｃｈｏｉ、Ｒａｊａｔ ＳｈａｒｍａおよびＣｈｉｏｕ−Ｆｕ Ｗａｎｇによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２７号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＦＯＲ ＴＨＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＡＬ ＩＮＴＥＧＲＩＴＹ ＯＦ ＡＩＲ−ＧＡＰ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＤＥＶＩＣＥＳ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＢＹ ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ （ＰＥＣ） ＥＴＣＨＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．２０１−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−１６１−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．Ｆｅｌｌｏｗｓ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／９４０，８８５号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＴＥＸＴＵＲＥＤ ＰＨＯＳＰＨＯＲ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＬＡＹＥＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０３−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７０−２））、当該出願は、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．Ｆｅｌｌｏｗｓ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２４号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＴＥＸＴＵＲＥＤ ＰＨＯＳＰＨＯＲ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＬＡＹＥＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０３−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７０−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＨｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉによる米国実用特許出願第１１／９４０，８７２号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＳＰＨＥＲＥ ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２０４−ＵＳ−Ｕ１ （２００７−２７１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＨｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２５号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＳＰＨＥＲＥ ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２０４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７１−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８８３号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＳＴＡＮＤＩＮＧ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０５−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７２−２））、当該出願は、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１７号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＳＴＡＮＤＩＮＧ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲ−ＬＥＳＳ （ＳＴＭＬ） ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０５−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第１１／９４０，８９８号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０６−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７３−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２３号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲ−ＬＥＳＳ （ＴＭＬ） ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０６−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７３−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＬＥＡＤ ＦＲＡＭＥ ＦＯＲ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２１０−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２８１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，４５４号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＬＥＡＤ ＦＲＡＭＥ ＦＯＲ ＴＭ−ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２１０−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−２８１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＮａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ） ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＨＩＧＨ ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＯＰＴＩＣＡＬ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１２−ＵＳ−Ｕ１（２００７−３１６−２））、当該出願は、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，５３５号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＭＯＣＶＤ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＨＩＧＨ ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＮ ＯＰＴＩＣＡＬ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１２−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３１６−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＡＮＤ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１３−ＵＳ−Ｕ１（２００７−３１７−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，５４０号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ （Ｍ−ＰＬＡＮＥ） ＡＮＤ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１３−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３１７−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；そして、
Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｆｅｎｇ Ｗｕ、Ａｓａｋｏ Ｈｉｒａｉ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＡＮＤ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ ＰＬＡＮＥＳ ＯＦ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ ＯＮ ＶＡＲＩＯＵＳ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１４−ＵＳ−Ｕｌ（２００７−３３４−２））、当該出願は、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｆｅｎｇ Ｗｕ、Ａｓａｋｏ Ｈｉｒａｉ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／８６９，７０１号（２００６年１２月１２日出願、名称「ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＡＮＤ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ ＰＬＡＮＥＳ ＯＦ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ ＯＮ ＶＡＲＩＯＵＳ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３３４−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
以上の出願のすべては、その全体が本明細書に参考として援用される。
【０００３】
（発明の分野）
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）からの光抽出に関する。
【背景技術】
【０００４】
（注記：本願は、明細書において示されるように、多数の様々な出版物を参照する。さらに、様々な出版物のリストは、タイトルが「参考文献」である以下の節において示され得る。これらの出版物の各々は、参照により本明細書に組み込まれる。）
発光ダイオード（ＬＥＤ）の前面からの光出力パワーを増加させるために、放射される光は、基板の後面に位置する鏡面によって反射されるか、または基板の後面に鏡面が存在しなくても、接合材料が発光波長において透明である場合、リードフレーム上にコーティングする鏡面によって反射される。しかしながら、この反射光は、光子エネルギーが、ＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）等の発光種のバンドキャップエネルギーとほぼ同じであるため、発光層（活性層）によって再吸収される。ＬＥＤの効率または出力パワーは、発光層によるこの光の再吸収によって低下する。例えば、以下に詳述される図１、図２、および図３を参照されたい。また、非特許文献１および非特許文献２も参照されたい。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４、Ｌ７９７−９９（１９９５）
【非特許文献２】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１８０−８２（２００４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
より効果的に光を抽出するＬＥＤ構造が、当技術分野において必要とされる。本発明は、その必要性を満たす。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、透明発光ダイオードについて説明する。一般的に、本発明は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層から構成される発光装置であって、層の全てを通り、かつ層を通る複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く層の全ては、光の発光波長について透明である発光装置について説明する。さらに、ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。
【０００８】
一実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在し、ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、透明な基板またはサブマウントを通って抽出される。透明基板またはサブマウントは、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料のように導電性である。
【０００９】
リードフレームは、ＩＩＩ族窒化物層（ならびに、透明基板またはサブマウント）を支持し、ＩＩＩ族窒化物層は、リードフレームにおける透明板上に存在する。したがって、ＩＩＩ族窒化物層から放射された光は、リードフレームにおける透明板から透過される。
【００１０】
さらに、装置は、ＩＩＩ族窒化物層に電気的に接続するように配置される１つ以上の透明導電層と、ＩＩＩ族窒化物層上に成膜される１つ以上の電流拡散層とを含んでもよく、透明導電層は、電流拡散層上に成膜される。鏡面または鏡面付き表面は、活性領域による光の再吸収を最小化するために、装置から排除されて内部反射を最小化する。
【００１１】
別の実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、成形光学素子に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられ、光は、成形光学素子に入り、その後抽出される前に、ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出される。具体的には、成形光学素子に入る光の少なくとも一部分は、臨界角内にあり、かつ抽出される。さらに、成形光学素子の１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。さらに、成形光学素子は、蛍光体層を含んでもよく、蛍光体層を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。成形光学素子は、逆円錐形状であってもよく、ＩＩＩ族窒化物層は、逆円錐形状の側壁から光が反射されるように、逆円錐形状内に配置される。
【００１２】
さらに別の実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層を被覆する絶縁層は、部分的に除去され、導電層は、ＩＩＩ族窒化物層との電気接触を行なうために、絶縁層の表面における孔または凹部内に成膜される。
【００１３】
ここで、図面を参照するが、これらの図面において同じ参照番号は、対応する部分を表す。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図２】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図３】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図５Ａ】図５Ａおよび５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａおよび５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図６】図６は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図７】図７は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図８Ａ】図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関するそれぞれの概略および平面図である。
【図９】図９は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１０Ａ】図１０Ａおよび１０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａおよび１０Ｂは、それおぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１２Ａ】図１２Ａおよび１２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａおよび１２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１４】図１４は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１５Ａ】図１５Ａおよび１５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａおよび１５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１７】図１７は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１８Ａ】図１８Ａおよび１８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａおよび１８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａおよび１９Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａおよび１９Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａおよび２０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａおよび２０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａおよび２１Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａおよび２１Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａおよび２２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａおよび２２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
好適な実施形態に関する以下の説明において、添付の図面が参照され、これらの図面は、説明の一部を形成し、また、本発明が実践され得る特定の実施形態を例証として示す。他の実施形態を利用し、本発明の範囲を逸脱することなく構造変化を加えてもよいことを理解されたい。
【００１６】
（概要）
以下の図面の説明において、ＬＥＤ構造の詳細は図示されない。発光層（通常、ＡｌＩｎＧａＮ ＭＱＷ）、ｐ型ＧａＮ層、ｎ型ＧａＮ層、およびサファイア基板のみが図示される。当然ながら、ｐ−ＡｌＧａＮ電子阻止層、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子、および他のもの等の他の層がＬＥＤ構造に存在し得る。本発明において、光抽出効率が主に表面層またはエピタキシャルウエハの状態によって判断されることから、最重要側面は、ＬＥＤ構造の表面である。したがって、ＬＥＤのいくつかの側面（表面層）のみが、全ての図面において図示される。
【００１７】
（従来のＬＥＤ構造）
図１、図２、および図３は、従来のＬＥＤの概略図である。
【００１８】
従来のＬＥＤにおいて、ＬＥＤの前面からの光出力パワーを増加させるために、放射する光は、サファイア基板の後面上の鏡面によって反射されるか、サファイア基板の後面上に鏡面が存在しなくても、接合材料が発光波長において透明である場合、リードフレーム上の鏡面コーティングによって反射される。この反射光は、光子エネルギーが、ＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）の量子井戸のバンドキャップエネルギーとほぼ同じであるため、発光層（活性層）によって再吸収される。そのため、ＬＥＤの効率または出力パワーは、発光層による再吸収により減少する。
【００１９】
図１において、従来のＬＥＤは、サファイア基板１００、発光層１０２（活性層）、およびＩＴＯまたはＺｎＯ等の半透明電極または透明電極１０４を含む。ＬＥＤは、サファイア基板１００の後面上に任意の鏡面を含まずに、リードフレーム１０６においてクリアエポキシ成型物１０８とダイボンディングされる。この場合、リードフレーム１０６上のコーティング材料またはリードフレーム１０６の表面は、鏡面１１０になる。基板１００の後面上に鏡面１１０が存在する場合、ＬＥＤチップは、Ａｇペーストを使用してダイボンディングされる。活性層１０２は、基板１００に向かって光１１２を放射し、電極１０４に向かって光１１４を放射する。放射光１１２は、鏡面１１０によって電極１０４に向かって反射され、ＬＥＤを脱出するように電極１０４によって伝達される反射光１１６になる。ＬＥＤは、リードフレーム１０６にワイヤボンディング１１８される。
【００２０】
図２において、従来のＬＥＤが、フリップチップＬＥＤであること以外は、図１に示す図に類似している。ＬＥＤは、サファイア基板２００および発光層２０２（活性層）、ならびに高反射性鏡面２０４を含む。ＬＥＤは、リードフレーム２０８上にダイボンディング２０６され、透明エポキシ成型物２１０内に埋め込まれる。活性層２０２は、基板２００に向かって光２１２を放射し、高反射性鏡面２０４に向かって光２１４を放射する。放射光２１４は、鏡面２０４によって基板２００に向かって反射され、ＬＥＤを脱出するように基板２００によって伝達される反射光２１６になる。
【００２１】
図３において、従来のＬＥＤは、導電性サブマウント３００、高反射性鏡面３０２（９４％を超える反射率（Ｒ）のＡｇを含む）、透明ＩＴＯ層３０４、ｐ−ＧａＮ層３０６、発光層または活性層３０８、およびｎ−ＧａＮ層３１０を含む。ＬＥＤは、エポキシ成型物を含まずに示されるが、類似の成型物を使用してもよい。発光層３０８は、鏡面３０２に向かってＬＥＤ発光３１２を放射し、ｎ−ＧａＮ層３１０に向かってＬＥＤ発光３１４を放射する。発光層３０８の発光３１２は、鏡面３０２によって反射され、この場合、反射発光３１６は、発光層３０８によって再吸収される。ＬＥＤの効率は、この再吸収により低下する。ｎ−ＧａＮ層を粗面化３１７して、ＬＥＤ発光３１４の抽出３１８を増強してもよい。
【００２２】
（改良型ＬＥＤ構造）
本発明は、透明ＬＥＤについて説明する。一般的に、本発明は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層から構成される発光装置であって、全ての層を通り、かつ層を通って複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く全ての層が、光の発光波長に対して透明である発光装置について説明する。ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。
【００２３】
図４Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層４００、ｎ型ＧａＮ層４０２、ｐ型ＧａＮ層４０４、第１のＩＴＯ層４０６、第２のＩＴＯ層４０８、およびガラス層４１０を備える。ｎ型ＧａＮ層４０２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面４１２を有してもよく、ガラス層４１０は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面４１４を有してもよい。ＬＥＤは、ボンディングパッド４２０、４２２を介してリードフレーム４１８にワイヤボンディング４１６される。図４Ｂは、リードフレーム４１８の平面図を示す。
【００２４】
図４Ａにおいて、ＬＥＤ構造は、サファイア基板上に成長させられ、この基板は、レーザ剥離技術を使用して除去される。その後、第１のＩＴＯ層４０６は、ｐ型ＧａＮ層４０４上に成膜される。次に、ＬＥＤ構造は、エポキシを接着剤として使用して、第２のＩＴＯ層４０８にコーティングされるガラス層４１０に取り付けられる。次に、ＬＥＤ構造は、リードフレーム４１８にワイヤボンディング４１６される。
【００２５】
図４Ａにおいて、ＬＥＤの前面または後面に、意図的鏡面は存在しない。代わりに、リードフレーム４１８は、フレーム４１８が表面４１２および４１４、つまりＬＥＤの後面４２６およびＬＥＤの前面４２８を妨害しないことから、ＬＥＤの両側から光４２４を効果的に抽出するように設計される。図４Ｂは、フレーム４１８が、ガラス層４１０表面発光およびＬＥＤを妨害しないように、ガラス層４１０の端部においてＬＥＤを支持することを示す。
【００２６】
オーム接触を、ｎ−ＧａＮ層４０２上のボンディングパッド４２０の下に配置してもよいが、簡略化のため本図面には図示されない。
【００２７】
図５Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層５００、ｎ型ＧａＮ層５０２、ｐ型ＧａＮ層５０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層５０６、透明絶縁層５０８、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層５０６を透明導電性基板５１２に接合するための透明導電性接着剤５１０として、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）層を備える。透明導電性基板５１２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面５１４を有してもよく、ｎ−ＧａＮ層５０４は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面５１６を有してもよい。好ましくは、層５００、５０２、５０４、および５０６は、約５ミクロンの組み合わせ厚さ５１８を有し、基板５１２および接着剤５１０は、約４００ミクロンの組み合わせ厚さ５２０を有する。最後に、オーム電極／ボンディングパッド５２２、５２４は、ＬＥＤ上に配置される。
【００２８】
ＬＥＤ構造は、サファイア基板上に成長させられてもよく、この基板は、レーザ剥離技術を使用して除去される。次に、ＩＴＯ層５０６は、ｐ型ＧａＮ層５０４上に成膜される。ＩＴＯ層５０６の成膜前に、ＳｉＯ２またはＳｉＮを含み得る絶縁層５０８は、電流拡散層として成膜される。電流拡散層５０８を含まない場合、ＬＥＤの発光強度は、不均一な電流によって低くなる。ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、または所望の波長において透明である別の材料であり得る透明導電性基板５１２は、透明導電性接着剤５１０を使用して、ＩＴＯ層５０６にウエハボンディングまたは接着される。次に、ｎ−ＧａＮオーム電極／ボンディングパッド５２２およびｐ−ＧａＮオーム電極／ボンディングパッド５２４は、ＬＥＤ構造の両側に形成される。最後に、例えば、円錐状表面５１６を形成するためにＫＯＨまたはＨＣＬ等のウェットエッチングを使用して、ｎ型ＧａＮ層５０２の窒素面（Ｎ面）を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化５１６して、光抽出を増強する。
【００２９】
図５Ｂは、図５ＡのＬＥＤの平面図であり、リードフレーム５２８上に存在する透明板５２６上に配置されるＬＥＤを示し、その両方は、ＬＥＤから熱を除去するように機能する。ＬＥＤのｐ側（つまり、基板５１２側）は、透明板５２６に取り付けられる。ワイヤボンディングは、ｎ型ＧａＮ層５０２のボンディングパッド５２４と、リードフレーム５２８との間で実行される。
【００３０】
ＬＥＤの前面５３０および後面５３２に意図的鏡面は存在しない。代わりに、リードフレーム５２８は、ＬＥＤの両側、つまりＬＥＤの後面５３２およびＬＥＤの前面５３０から光を効果的に抽出するように設計される。
【００３１】
最後に、オーム接触を、ｎ−ＧａＮ層５０２のボンディングパッド５２４の下に配置してもよい。しかしながら、このオーム接触は、簡略化のため本図面には図示されない。
【００３２】
図６は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ活性層６００、ｎ−ＧａＮ層６０２、ｐ−ＧａＮ層６０４、エポキシ層６０６（約４００ミクロン厚さ６０８）、ボンディングパッド６１０、オーム電極／ボンディングパッド６１２、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４を備える。ｎ−ＧａＮ層６０２、活性層６００、およびｐ−ＧａＮ層６０４の組み合わせ厚さ６１６は、約５ミクロンである。
【００３３】
図７は、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ活性層７００、ｎ−ＧａＮ層７０２、ｐ−ＧａＮ層７０４、エポキシ層７０６（約４００ミクロン厚さ７０８）、幅の狭いストライプのＡｕ接続７１０、ボンディングパッド７１２、オーム電極／ボンディングパッド７１４、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ７１６を備える。ｎ−ＧａＮ７０２、活性層７００、およびｐ−ＧａＮ層７０４の厚さ７１８は、約５ミクロンである。
【００３４】
図６および図７の両方において、図４に示すガラス層４１０の代わりに、厚いエポキシ層６０６、７０６が使用される。電気接触を行なうために、エポキシ絶縁層６０６、７０６は、部分的に除去され、透明金属酸化物であるＩＴＯ層６１４または幅の狭いストライプのＡｕもしくは他の金属層７１０は、エポキシ層６０６、７０６上に、ならびにエポキシ層６０６、７０６の表面における孔または凹部６１８、７２０内に成膜され、ｐ−ＧａＮ層６０４、７０４との電気接触を行なう。
【００３５】
さらに、図６および図７の両方は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面６２０、７２２が、ｎ型ＧａＮ層６０２、７０２の窒素面（Ｎ面）上に形成されることを示す。これらの粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面６２０、７２２は、光抽出を増強する。
【００３６】
サファイア基板の代わりにＧａＮ基板を使用する場合、レーザ剥離は必要とされないため、その結果、サブマウント６０６、７０６も必要とされないことに留意されたい。さらに、ＬＥＤ構造がＧａＮ基板上に形成される場合、ＩＴＯ層６１４は、ｐ型ＧａＮ層６０４上に成膜され、Ｎ面ＧａＮであるＧａＮ基板の後面は、ｎ型ＧａＮ層６０２、７０２上で粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される表面６２０、７２２を形成するために、ＫＯＨおよびＨＣＬ等のウェットエッチングを使用してエッチングされ得る。
【００３７】
ＩＴＯ層６１４の表面が、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される場合、ＩＴＯ層６１４を通る光抽出は、増加することに留意されたい。ｐ型ＧａＮ層６０４上にＩＴＯ層６１４が存在しなくても、ｐ型ＧａＮ層６０４の表面の粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化は、ｐ型ＧａＮ層６０４を通る光抽出の増加に効果的である。
【００３８】
最後に、ｎ型ＧａＮ層６１２のオーム接触ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４を、ｎ型ＧａＮ層６０２の表面６２０の粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化の後に使用してもよい。ＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４は、ＧａＮと類似の屈折率を有すため、ＩＴＯ、ＺｎＯ、およびＧａＮ間の界面における光反射は最小化される。
【００３９】
図８Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層８００、ｎ型ＧａＮ層８０２、ｐ型ＧａＮ層８０４、第１のＩＴＯ層８０６、第２のＩＴＯ層８０８、およびガラス層８１０を備える。ｎ型ＧａＮ層８０２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面８１２を有してもよく、ガラス層８１０は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面８１４を有してもよい。ＬＥＤは、ボンディングパッド８２０、８２２を使用して、リードフレームまたはサブマウント８１８にワイヤボンディング８１６される。
【００４０】
ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子８２４に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子８２４は、例えば、成形光学素子８２４の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層８２６を含んでもよい。本実施形態において、発光層８００は、表面８１２および表面８１４に向かって光８２８を放射し、ここで、光８３０を抽出することが可能である。
【００４１】
本実施形態において、成形光学素子８２４が球体であることから、ＬＥＤ構造は、小スポット光源であると考えられ、これは、ＬＥＤから放射される全ての光の方向が、空気および球体８２４間の界面に実質的に垂直であり、そこからの光が、空気および球体８２４間の界面を通って空気中に効果的に抽出されるからである。
【００４２】
さらに、蛍光体層８２６を、成形光学素子の外面上またはその近傍に配置する場合、例えば、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層８２６による光８２８の後方散乱の減少に起因する光８２８の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層８２６の表面８３４が、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される場合、光抽出は、再び増加する。
【００４３】
最後に、図８Ｂは、図８Ａの装置の平面図であり、リードフレーム８１８を示す。
【００４４】
図９は、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層９００、ｎ型ＧａＮ層９０２、ｐ型ＧａＮ層９０４、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される表面９０８を有するＩＴＯ層９０６、ボンディングパッド９１０、オーム接触／ボンディングパッド９１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｎ型ＧａＮ層９０２の表面９１４、および９０８上に成膜されるエポキシ層９１６を備える。ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子９１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子９１８は、例えば、成形光学素子９１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層９２０を含んでもよい。
【００４５】
図９において、ＩＴＯまたはＺｎＯ層９０６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、ＩＴＯまたはＺｎＯ層９０６を通る光抽出を改善する。さらに、エポキシ９１８は、サブマウントされる。あるいは、図９の構造は、図６−図８に示す図と同じである。
【００４６】
図１０Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層１０００、ｎ型ＧａＮ層１００２、ｐ型ＧａＮ層１００４、ＩＴＯ層１００６、ボンディングパッド１００８、オーム接触／ボンディングパッド１０１０、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるＩＴＯ層１００６の表面１０１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｎ型ＧａＮ層１００２の表面１０１４、および表面１０１２上に成膜されるエポキシ層１０１６を備える。
【００４７】
ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子１０１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子１０１８は、例えば、成形光学素子１０１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層１０２０を含んでもよい。
【００４８】
また、ＬＥＤは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、または他の絶縁材料を含み得る電流拡散層１０２２も含んでもよく、例えば、ｐ型ＧａＮ層１００４から均一に電流が流れるように、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１００６の前に成膜される。
【００４９】
最後に、ＬＥＤは、リードフレーム１０２６にワイヤボンディング１０２４される。図１０Ｂは、リードフレーム１０２６の平面図を示す。
【００５０】
図１１は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層１１００、ｎ型ＧａＮ層１１０２、ｐ型ＧａＮ層１１０４、ＩＴＯ層１１０６、ボンディングパッド１１０８、オーム接触／ボンディングパッド１１１０、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるＩＴＯ層１１０６の表面１１１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｐ型ＧａＮ層１１０２の表面１１１４、および表面１１１２上に成膜されるエポキシ層１１１６を備える。
【００５１】
ＬＥＤは、例えば、レンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子１１１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子１１１８は、例えば、成形光学素子１１１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層１１２０を含んでもよい。
【００５２】
また、ＬＥＤは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、または他の絶縁材料を含み得る電流拡散層１１２２も含んでもよく、例えば、ｐ型ＧａＮ層１１０４から均一に電流が流れるように、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１１０６の前に成膜される。
【００５３】
最後に、ＬＥＤは、リードフレーム１１２６にワイヤボンディング１１２４される。図１１Ｂは、リードフレーム１１２６の平面図を示す。
【００５４】
図１１の実施形態において、鏡面１１２８は、装置の前面１１３０からより多くの光を得るために、成形光学素子１１１８の外部に配置される。鏡面の形状は、ＬＥＤによる光の再吸収を減少させるために、反射光がＬＥＤに到達しないように設計される。
【００５５】
図１２Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１２００、ｎ型ＧａＮ層１２０２、ｐ型ＧａＮ層１２０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１２０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１２０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１２１２にワイヤボンディング１２１０されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１２１４、１２１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１２１４、１２１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面において形成され、発光層１２００は、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面から、抽出される光１２２２を放射する。
【００５６】
ＬＥＤは、ボンディングパッド１２２４、１２２６を介してリードフレーム１２１８に電気的に接続される。ボンディングパッド１２２４は、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１２０６上に成膜され、オーム接触／ボンディングパッド１２２６は、ｎ型ＧａＮ１２０２層が、ｐ型ＧａＮ層１２０４を通る選択的エッチングによって暴露された後に、ｎ型ＧａＮ層１２０２上に成膜される。
【００５７】
前述のように、ＬＥＤは、エポキシまたはガラスと組み合わせられてもよく、前面１２１８および後面１２２０の両方について逆円錐形状１２１４、１２１６として成型されてもよく、逆円錐成型形状１２１４、１２１６は、光抽出の増強を提供する。具体的には、逆円錐形状１２１４、１２１６に入る光の大部分は、臨界角内にあり、抽出される。光は、逆円錐形状１２１４の側壁によって逆円錐形状１２１４の上面または発光表面に反射され、逆円錐形状１２１４の上面を通って放射し、同様に、光は、逆円錐形状１２１６の側壁によって逆円錐形状１２１６の底面または発光表面に反射され、逆円錐形状１２１４の底面を通って放射する。
【００５８】
最後に、パターン化サファイア基板（ＰＳＳ）１２０８は、ｎ−ＧａＮ層１２０２および基板１２０８間の界面１２２８を通る光抽出効率を改善することに留意されたい。さらに、サファイア基板１２０８の後面１２３０を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して（例えば、円錐状表面）、光抽出効率を向上させてもよい。
【００５９】
図１２Ｂは、リードフレーム１２１２の平面図を示す。
【００６０】
図１３は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１３００、ｎ型ＧａＮ層１３０２、ｐ型ＧａＮ層１３０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１３０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１３０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１３１２にワイヤボンディング１３１０されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１３１４、１３１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１３１４、１３１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面において形成され、発光層１３００は、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面から抽出される光１３２２を放射する。
【００６１】
ＬＥＤは、ボンディングパッド１３２４、１３２６を介してリードフレーム１３１８に電気的に接続される。ボンディングパッド１３２４は、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１３０６上に成膜され、オーム接触／ボンディングパッド１３２６は、ｎ型ＧａＮ１３０２層が、ｐ型ＧａＮ層１３０４を通る選択的エッチングによって暴露された後に、ｎ型ＧａＮ層１３０２上に成膜される。
【００６２】
前述のように、ＬＥＤは、エポキシまたはガラスと組み合わせられてもよく、前面１３１８および後面１３２０の両方について逆円錐形状１３１４、１３１６として成型されてもよく、逆円錐成型形状１３１４、１３１６は、光抽出の増強を提供する。具体的には、逆円錐形状１３１４、１３１６を入る光の大部分は、臨界角内にあり、抽出される。光は、逆円錐形状１３１４の側壁によって逆円錐形状１３１４の上面または発光表面に反射され、逆円錐形状１３１４の上面を通って放射し、同様に、光は、逆円錐形状１３１６の側壁によって逆円錐形状１３１６の底面または発光表面に反射され、逆円錐形状１３１４の底面を通って放射する。さらに、成形光学素子１３１４の上面／前面１３２８および成形光学素子１３１６の底面／後面１３３０を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、要素１３１４、１３１６を通る光抽出を増加させてもよい。
【００６３】
図１４は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１４００は、発光層１４０２および基板１４０４（ならびに他の層）を含み、基板１４０４は、平坦またはパターン化サファイア基板である。ＬＥＤ１４００は、リードフレーム１４０８にワイヤボンディング１４０６されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１４１０、１４１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１４１０、１４１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１４００の上部面／前面１４１４および底部面／後面１４１６において形成され、発光層１４０２は、ＬＥＤ１４００の上部面／前面１４１４および底部面／後面１４１６の両方から抽出される光１４１８を放射する。
【００６４】
図１４において、蛍光体層１４２０は、成形光学素子１４１０の上面／前面１４２２および成形光学素子１４１２の底面／後面１４２４近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層１４２０は、ＬＥＤ１４００から可能な限り遠くに配置されるべきである。この場合、青色光から白色光への変換効率は、ＬＥＤ１４００への蛍光体層１４２０による光の後方散乱の減少に起因する、ＬＥＤ１４００により放射された光の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層１４２０の表面１４２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を改善してもよい。
【００６５】
図１５Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１５００は、発光層１５０２、ｎ型ＧａＮ層１５０４、ｐ型ＧａＮ層１５０６、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１５０８、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１５１０を備える。
【００６６】
ＬＥＤ１５００は、リードフレーム１５１４にワイヤボンディング１５１２され、図１５Ｂは、リードフレーム１５１４の平面図を示す概略図である。
【００６７】
本実施形態において、ＬＥＤ１５００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１５１６、１５１８に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。成形光学素子１５１６、１５１８は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１５００の上部面／前面１５２０および底部面／後面１５２２において形成され、発光層１５０２は、ＬＥＤ１５００の上部面／前面１５２０および底部面／後面１５２２から抽出される光１５２４を放射する。
【００６８】
鏡面１５２６を、成形光学素子１５１８の内部に配置して、ＬＥＤ１５００の前面１５２８への光出力を増加させてもよい。さらに、鏡面１５２６の形状は、ＬＥＤ１５００から放射された光１５３０の反射をＬＥＤ１５００が再吸収して、ＬＥＤの出力パワーまたは効率を低下させないように設計される。代わりに、鏡面１５２６は、ＬＥＤ１５００から離れるように反射光１５３０を誘導する。
【００６９】
さらに、鏡面１５２６は、ＬＥＤ１５００または基板１５１０に部分的にのみ取り付けられる（または、全て取り付けられない）。これは、例えば、図１−図３に示すように、鏡面がＬＥＤの表面全体に取り付けられる従来のＬＥＤとは異なる。
【００７０】
図１６は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１６００、ｎ型ＧａＮ層１６０２、ｐ型ＧａＮ層１６０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１６０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１６０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１６１２にワイヤボンディング１６１０される。
【００７１】
本実施形態において、ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１６１４、１６１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。成形光学素子１６１４、１６１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面１６１８および底部面／後面１６２０において形成され、発光層１６０２は、ＬＥＤの上部面／前面１６１８および底部面／後面１６２０から抽出される光１６２２を放射する。
【００７２】
鏡面１６２４を、成形光学素子１６１６の内部に配置して、ＬＥＤの前面１６２６への光出力を増加させてもよい。さらに、鏡面１６２４の形状は、ＬＥＤから放射された光１６２８の反射をＬＥＤが再吸収して、ＬＥＤの出力パワーまたは効率を低下させないように設計される。代わりに、鏡面１６２４は、ＬＥＤから離れるように反射光１６２８を誘導する。
【００７３】
さらに、鏡面１６２４は、ＬＥＤまたは基板１６０８に部分的にのみ取り付けられる（または、全て取り付けられない）。これは、鏡面がＬＥＤの表面全体に取り付けられる、例えば、図１−図３に示すような、従来のＬＥＤとは異なる。
【００７４】
最後に、成形光学素子１６１４の上面／前面１６３０を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出効率を改善する。
【００７５】
図１７は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１７００は、発光層１７０２および基板１７０４（ならびに他の層）を含み、基板１７０４は、平坦またはパターン化サファイア基板である。ＬＥＤ１７００は、リードフレーム１７０８にワイヤボンディング１７０６されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１７１０、１７１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１７１０、１７１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１７００の上部面／前面１７１４および底部面／後面１７１６において形成され、発光層１７０２は、ＬＥＤ１７００の上部面／前面１７１４および底部面／後面１７１６の両方から抽出される光１７１８を放射する。
【００７６】
図１７において、鏡面１７２０を、成形光学素子１７１２の内部に配置して、ＬＥＤ１７００の前面１７２０に向かう光出力を増加させてもよい。さらに、蛍光体層１７２２は、成形光学素子１７１０の上面１７２４近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層１７２２は、ＬＥＤ１７００から可能な限り遠くに配置される。この場合、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層１７２２による後方散乱の減少に起因するＬＥＤ１７００から放射された光１７１８の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層１７２２の表面１７２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、蛍光体層１７２２を通る光抽出を改善してもよい。
【００７７】
図１８Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１８００は、発光層１８０２および基板１８０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ１８００は、リードフレーム１８０８にワイヤボンディング１８０６され、図１８Ｂは、リードフレーム１８０８の平面図を示す図である。
【００７８】
本実施形態において、ＬＥＤ１８００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１８１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層１８０２によって放射された光１８１２は、成形光学素子１８１０内に配置される鏡面１８１４によって、成形光学素子１８１０の後面１８１８から離れるように、成形光学素子１８１０の前面１８１６に向かって反射され、この場合、反射光１８２０は、成形光学素子１８１０から出力される。
【００７９】
図１９Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１９００は、発光層１９０２および基板１９０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ１９００は、リードフレーム１９０８にワイヤボンディング１９０６され、図１９Ｂは、リードフレーム１９０８の平面図を示す図である。
【００８０】
本実施形態において、ＬＥＤ１９００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１９１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層１９０２から放射された光１９１２は、成形光学素子１９１０の側壁１９１４によって、成形光学素子１９１０の前面１９１６に反射され、この場合、反射光１９１８は、成形光学素子１９１０から出力され、成形光学素子１９１０の後面１９２０から離れるように出力される。
【００８１】
好ましくは、ＬＥＤ１９００は、ＬＥＤによって放射された光１９１２が側壁１９１４の鏡付き表面１９２２によって反射されるように、成形光学素子１９１０内に配置され、この鏡付き表面１９２２は、側壁１９１４に成膜または取り付けられる。成形光学素子１９１０の基部１９２０に対する側壁１９１４の角度１９２４は、ＬＥＤ１９００から放射された光１９１２を成形光学素子１９１０の前面１９１６に反射する臨界角である。例えば、エポキシの屈折率は、ｎ２＝１．５であり、空気の屈折率は、ｎ１＝１であるため、結果として、反射の臨界角は、ｓｉｎ−１（１／１．５）である。したがって、側壁１９１４の角度１９２４は、ｓｉｎ−１（１／１．５）を超えなければならない。この結果、ＬＥＤ１９００からの反射光１９１２は、１９２６に示される方向に、成形光学素子の上面１９２８から効果的に抽出されることになる。
【００８２】
図２０Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層２０００および基板２００２（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤは、リードフレーム２００６にワイヤボンディング２００４され、図２０Ｂは、リードフレーム２００６の平面図である。
【００８３】
本実施形態において、ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２００８に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層２００２により放射された光２０１０は、成形光学素子２００８の側壁２０１２によって、成形光学素子２００８の前面２０１４に反射され、この場合、反射光２０１６は、成形光学素子２００８から出力され、成形光学素子２００８の後面２０１８から離れるように出力される。
【００８４】
好ましくは、ＬＥＤは、ＬＥＤによって放射された光２０１０が、側壁２０１２によって反射されるように、成形光学素子２００８内に配置される。さらに、成形光学素子２００８の前面または上面２０２０を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増加させる。
【００８５】
成形光学素子２００８の基部２０１８に対する側面２０１２の角度２０２２は、ＬＥＤから成形光学素子２００８の前面２０１４に放射された２０１０を反射する臨界角である。例えば、エポキシの屈折率は、ｎ２＝１．５であり、空気の屈折率は、ｎ１＝１であるため、結果として、反射の臨界角は、ｓｉｎ−１（１／１．５）である。したがって、側壁２０１２の角度２０２２は、ｓｉｎ−１（１／１．５）を超えなければならない。この結果、ＬＥＤからの反射光２０１０は、成形光学素子２００８の前面２０２０から効果的に抽出されることになる。
【００８６】
図２１Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造２１００は、発光層２１０２および基板２１０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ２１００は、リードフレーム２０１８にワイヤボンディング２１０６され、図２１Ｂは、リードフレーム２１０８の平面図を示す。
【００８７】
本実施形態において、ＬＥＤ２１００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２１１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。好ましくは、ＬＥＤ２１００は、ＬＥＤにより放射された光２１１２が、成形光学素子２１１０の側壁２１１４によって、成形光学素子２１１０の前面２１１６に反射されるように、成形光学素子２１１０内に配置され、この場合、反射光２１１８は、成形光学素子２１１０から出力され、成形光学素子２１１０の後面２１２０から離れるように出力される。
【００８８】
蛍光体層２１２２が、成形光学素子２１１０の前面または上面２１２４上にまたはその近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層２１２２は、ＬＥＤ２１００から可能な限り遠くに配置される。本例において、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層２１２２による後方散乱の減少に起因するＬＥＤ２１００による光２１１２の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層２１２２の表面２１２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増加してもよい。
【００８９】
図２２Ａは、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造２２００は、発光層２２０２および基板２２０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ２２００は、リードフレーム２２０８にワイヤボンディング２２０６され、図２２Ｂは、リードフレーム２２０８の平面図を示す。
【００９０】
ＬＥＤ２２００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２２１０、２２１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子２２１０、２２１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ２２００の上部面／前面２２１４および底部面／後面２２１６において形成され、発光層２２００は、ＬＥＤ２２００の上部面／前面２２１４および底部面／後面２２１６の両方から抽出される光２２１８を放射する。
【００９１】
リードフレーム２２０８は、透明板２２２０を含み、ＬＥＤ２２００は、透明／クリアエポキシ２２２２をダイボンディング材料として使用して、透明板２２２０に接合される。透明板２２２０は、ガラス、石英、サファイア、ダイアモンド、または所望の発光波長について透明他の材料から構成されてもよく、この場合、透明グラス板２２２０は、ＬＥＤ２２００から成形光学素子２２１２に放射された光２２１８を効果的に抽出する。
【００９２】
（利点および改善点）
本発明の一つの利点は、全ての層を通る光が効果的に抽出されるように、発光層を除くＬＥＤの層の全てが、発光波長に対して透明であることである。
【００９３】
さらに、ＬＥＤにおける意図的鏡面の使用を回避することによって、ＬＥＤによる光の再吸収が最小化され、光抽出効率は向上し、光出力パワーが増加する。
【００９４】
粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面を有する透明電極と、成形光学素子またはレンズ内に埋め込まれるＬＥＤとのの組み合わせによって、光抽出が増加する。
【００９５】
（参考文献）
以下の参考文献は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００９６】
１． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、５６、７３７−３９（１９９０）
２． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、６４、２８３９−４１（１９９４）
３． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、８１、３１５２−５４（２００２）
４． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１２７５−７７（２００４）
５． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４５、Ｌ１０８４−Ｌ１０８６（２００６）
６． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４、Ｌ７９７−９９（１９９５）
７． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１８０−８２（２００４）
８． Ｆｕｊｉｉ Ｔ．、Ｇａｏ Ｙ．、Ｓｈａｒｍａ Ｒ．、Ｈｕ Ｅ．Ｌ．、ＤｅｎＢａａｒｓ Ｓ．Ｐ．、Ｎａｋａｍｕｒａ Ｓ．、「Ｉｎｃｒｅａｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ＧａＮ−ｂａｓｅｄ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｖｉａ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｏｕｇｈｅｎｉｎｇ」、
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、８４巻、第６、９号、２００４年２月、頁８５５−７。
【００９７】
（結論）
本発明の好適な実施形態の説明をここで終了する。本発明の１つ以上の実施形態に関する前述の説明は、例証および説明の目的のために提示されている。包括的であるように、あるいは開示される正確な形式に本発明を限定するように意図されない。上記の教示の観点から、多くの修正および変更が可能である。
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、同時継続かつ譲受人共通のＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＨｉｒｏｋｕｎｉ Ａｓａｍｉｚｕによる米国仮特許出願第６０／８６９，４４７号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＬＥＤＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１１−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−２８２−１））に基づく米国特許法第１１９条第（ｅ）項の利益を主張し、この出願は、その全体が本明細書に参考として援用される。
【０００２】
本願は、下記の同時継続かつ譲受人共通の出願に関連している：
Ｔｅｔｓｕｏ Ｆｕｊｉｉ、Ｙａｎ Ｇａｏ、Ｅｖｅｌｙｎ．Ｌ．ＨｕおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１０／５８１，９４０号（２００６年６月７日出願、名称「ＨＩＧＨＬＹ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ ＶＩＡ ＳＵＲＦＡＣＥ ＲＯＵＧＨＥＮＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．１０８−ＵＳ−ＷＯ（２００４−０６３））、当該出願は、Ｔｅｔｓｕｏ Ｆｕｊｉｉ、Ｙａｎ Ｇａｏ、Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．ＨｕおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる国際出願ＰＣＴ／ＵＳ２００３／０３９２１号（２００３年１１月９日出願、名称「ＨＩＧＨＬＹ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ ＶＩＡ ＳＵＲＦＡＣＥ ＲＯＵＧＨＥＮＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．１０８−ＷＯ−０１（２００４−０６３））に基づく米国特許法３６５条（ｃ）項の利益を主張する；
Ｒａｊ ａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｊｏｈｎ Ｆ．ＫａｅｄｉｎｇおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／０５４，２７１号（名称「ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥ」、２００５年２月９日出願、代理人整理番号３０７９４．１１２−ＵＳ−０１（２００４−２０８））；
Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｌｅｅ ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．ＭｉｓｈｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／１７５，７６１号（名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ ａｎｄ Ｚｎ（Ｓ，Ｓｅ） ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」、２００５年７月６日出願、代理人整理番号３０７９４．１１６−ＵＳ−Ｕｌ（２００４−４５５））、当該出願は、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｌｅｅ ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、およびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／５８５，６７３号（２００６年１１月１１日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ ａｎｄ Ｚｎ（Ｓ，Ｓｅ） ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ」、代理人整理番号３０７９４．１１６−ＵＳ−Ｐｌ（２００４−４５５−１））の米国特許法第１１９条第（ｅ）項の利益を主張する。；
Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６９７，４５７号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００７年４月６日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｃｌ（２００４−６３６−３））、当該出願は、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／１４０，８９３号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００５年５月３１日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｕ１（２００４−６３６−２））、現在は、米国特許第７，２０８，３９３号（２００７年４月２４日発行）の継続出願であり、当該出願は、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／５７６，６８５号（名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＲＥＤＵＣＥＤ ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＤＥＮＳＩＴＹ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＹ ＨＹＤＲＩＤＥ ＶＡＰＯＲ ＰＨＡＳＥ ＥＰＩＴＡＸＹ」、２００４年６月３日出願、代理人整理番号３０７９４．１１９−ＵＳ−Ｐ１（２００４−６３６−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／０６７，９５７号（名称「ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＩＴＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ ＦＥＥＤＢＡＣＫ（ＤＦＢ） ＬＡＳＥＲＳ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００５年２月２８日出願、代理人整理番号３０７９４．１２１−ＵＳ−０１（２００５−１４４−１）；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用出願第１１／９２３，４１４号（名称「ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００７年１０月２４日出願、代理人整理番号３０７９４．１２２−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−１４５−２））、当該出願は、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓに発行された米国特許第７，２９１，８６４号（名称「ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ」、２００７年１１月７日出願、代理人整理番号３０７９４．１２２−ＵＳ−０１（２００５−１４５−１））の継続出願である；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ ＣＡ ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願（名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＷＩＴＨ ＯＰＴＩＭＩＺＥＤ ＰＨＯＴＯＮＩＣ ＣＲＹＳＴＡＬ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲ」、２００５年２月２８日出願、代理人整理番号３０７９４．１２６−ＵＳ−０１（２００５−１９８−１）；
Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６２１，４８２号（２００７年１月９日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−４７１−３））、当該出願は、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／３７２，９１４号（２００６年３月１０日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｕ１（２００５−４７１−２）、現在は、米国特許第７，２２０，３２４号（２００７年５月２２日発行）の継続出願であり、当該出願は、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐａｕｌ Ｔ．Ｆｉｎｉ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／６６０，２８３号（２００５年３月１０日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．１２８−ＵＳ−Ｐ１（２００５−４７１−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｔｒｏｙ Ｊ．ＢａｋｅｒおよびＢｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌによる米国実用特許出願第１１／４０３，６２４号（２００６年４月１３日出願、名称「ＷＡＦＥＲ ＳＥＰＡＲＡＴＩＯＮ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＦＲＥＥ−ＳＴＡＮＤＩＮＧ（ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＷＡＦＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３１−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−４８２−２））、当該出願は、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｔｒｏｙ Ｊ．ＢａｋｅｒおよびＢｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌによる米国仮特許出願第６０／６７０，８１０号（２００５年４月１３日出願、名称「ＷＡＦＥＲ ＳＥＰＡＲＡＴＩＯＮ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＦＲＥＥ−ＳＴＡＮＤＩＮＧ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＷＡＦＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３１−ＵＳ−Ｐ１（２００５−４８２−１）に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ ＰａｔｔｉｓｏｎおよびＴｒｏｙ ＪＢａｋｅｒによる米国実用特許出願（２００６年４月１３日出願、名称「ＥＴＣＨＩＮＧ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＴＨＩＮ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３２−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５０９−２））、当該出願は、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ ＰａｔｔｉｓｏｎおよびＴｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒによる米国仮特許出願第６０／６７０，７９０号（２００５年４月１３日出願、名称「ＥＴＣＨＩＮＧ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＴＨＩＮ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１３２−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５０９−１））に基づく米国特許法１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国実用特許出願第１１／４５４，６９１号（２００６年６月１６日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５３６−４））、当該出願は、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／６９１，７１０号（２００５年６月１７日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ， ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５３６−１）、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／７３２，３１９号（２００５年１１月１日出願、名称「Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＥＤ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ，ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ２（２００５−５３６−２））、Ａｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉ、Ｃｈｒｉｓｔｉｎａ Ｙｅ Ｃｈｅｎ、Ｄａｎｉｅｌ Ｂ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、Ｌｅｅ Ｓ．ＭｃＣａｒｔｈｙ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａによる米国仮特許出願第６０／７６４，８８１号（２００６年２月３日出願、名称「（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ ＡＮＤ ＺｎＯ ＤＩＲＥＣＴ ＷＡＦＥＲ ＢＯＮＤＥＤ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＦＯＲ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ ＡＮＤ ＩＴＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＭＥＴＨＯＤ」、代理人整理番号３０７９４．１３４−ＵＳ−Ｐ３（２００５−５３６−３））に基づく１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／４４４，０８４号（２００６年５月３１日出願、名称「ＤＥＦＥＣＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＯＦ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＳＩＮＧＬＥ−ＳＴＥＰ ＳＩＤＥＷＡＬＬ ＬＡＴＥＲＡＬ ＥＰＩＴＡＸＩＡＬ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１３５−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−５６５−２））、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／６８５，９５２号（２００５年５月３１日出願、名称「ＤＥＦＥＣＴ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＯＦ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＳＩＮＧＬＥ−ＳＴＥＰ ＳＩＤＥＷＡＬＬ ＬＡＴＥＲＡＬ ＥＰＩＴＡＸＩＡＬ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１３５−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５６５−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／８７０，１１５号（２００７年１０月１０日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＵＳＩＮＧ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｃｌ（２００５−５６６−３））、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／４４４，９４６号（２００６年５月３１日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ｛１−１００｝ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｕ１（２００５−５６６−２））の継続出願であり、当該出願は、Ｂｉｌｇｅ Ｍ、Ｉｍｅｒ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／６８５，９０８号（２００５年５月３１日出願、名称「ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＰＬＡＮＡＲ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ｛１−１００｝ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＷＩＴＨ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１３６−ＵＳ−Ｐ１（２００５−５６６−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｒｏｂｅｒｔ Ｍ．Ｆａｒｒｅｌｌ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ａｒｐａｎ Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／４４４，９４６号（２００６年６月１日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＡＮＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ，ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｕｌ（２００５−６６８−２））、当該出願は、Ｒｏｂｅｒｔ Ｍ．Ｆａｒｒｅｌｌ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ａｒｐａｎ Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｐ．Ｍｏｒｇａｎ Ｐａｔｔｉｓｏｎ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｕｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／６８６，２４４号（２００５年６月１日出願、名称「ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ ＦＯＲ ＴＨＥ ＧＲＯＷＴＨ ＡＮＤ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ，ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ， ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４０−ＵＳ−Ｐ１（２００５−６６８−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｆｒｅｄｅｒｉｃ Ｓ．Ｄｉａｎａ、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｐｉｅｒｒｅ Ｍ．ＰｅｔｒｏｆｆおよびＣｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈによる米国実用特許出願第１１／２５１，３６５号（２００５年１０月１４日出願、名称「ＰＨＯＴＯＮＩＣ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ ＦＯＲ ＥＦＦＩＣＩＥＮＴ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＡＮＤ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＩＮ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１４２−ＵＳ−０１（２００５−５３４−１））；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６３３，１４８号（２００６年１２月４日出願、名称「ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＴＩＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＩＳＴＲＩＢＵＴＥＤ ＦＥＥＤＢＡＣＫ （ＤＦＢ） ＬＡＳＥＲＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＥＤ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ Ａ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＷＩＴＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１４３−ＵＳ−Ｕ１（２００５−７２１−２））、当該出願は、米国仮特許出願第６０／７４１，９３５号（２００５年１２月２日出願、名称「ＩＭＰＲＯＶＥＤ ＨＯＲＩＺＯＮＴＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＶＥＲＴＩＣＡＬ ＥＭＩＴＴＩＮＧ，ＢＥＡＭ ＳＨＡＰＥＤ，ＤＦＢ ＬＡＳＥＲＳ ＦＡＢＲＩＣＡＴＥＤ ＢＹ ＧＲＯＷＴＨ ＯＶＥＲ ＰＡＴＴＥＲＮＥＤ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＷＩＴＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＯＶＥＲＧＲＯＷＴＨ」、代理人整理番号３０７９４．１４３−ＵＳ−Ｐ１（２００５−７２１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／５１７，７９７号（２００６年９月８日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＶＩＡ ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｕ１ （２００５−７２２−２））、当該出願は、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｔｒｏｙ Ｊ．Ｂａｋｅｒ、Ｂｅｎｊａｍｉｎ Ａ．Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／７１５，４９１号（２００５年９月９日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＥＮＨＡＮＣＩＮＧ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＶＩＡ ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、代理人整理番号３０７９４．１４４−ＵＳ−Ｕ１（２００５−７２２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｈｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉ、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．ＦｅｌｌｏｗｓおよびＡｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉによる米国実用特許出願第１１／５９３，２６８号（２００６年９月６日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６１−ＵＳ−Ｕ１（２００６−２７１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｈｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉ、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．ＦｅｌｌｏｗｓおよびＡｋｉｈｉｋｏ Ｍｕｒａｉによる米国仮特許出願第６０／７３４，０４０号（２００５年１１月４日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６１−ＵＳ−Ｐｌ（２００６−２７１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第１１／６０８，４３９号（２００６年１２月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ（ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｕ１（２００６−３１８−３））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／７４８，４８０号（２００５年１２月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｐ１（２００６−３１８−１））ならびにＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／７６４，９７５号（２００６年２月３日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ（ＬＥＤ）」、代理人整理番号３０７９４．１６４−ＵＳ−Ｐ２（２００６−３１８−２））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｈｏｎｇ Ｚｈｏｎｇ、Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｋａｅｄｉｎｇ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／６７６，９９９号（２００７年２月２０日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１７３−ＵＳ−Ｕ１（２００６−４２２−２））、当該出願は、Ｈｏｎｇ Ｚｈｏｎｇ、Ｊｏｈｎ Ｆ．Ｋａｅｄｉｎｇ、Ｒａｊａｔ Ｓｈａｒｍａ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／７７４，４６７号（２００６年２月１３日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ（Ａｌ５Ｉｎ５Ｇａ５Ｂ）Ｎ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＤＥＶＩＣＥＳ５」、代理人整理番号３０７９４．１７３−ＵＳ−Ｐ１（２００６−４２２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／８４０，０５７号（２００７年８月１６日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＯＦ ＭＡＧＮＥＳＩＵＭ ＤＯＰＥＤ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８７−ＵＳ−Ｕ１（２００６−６７８−２））、当該出願は、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｉｚａ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８２２，６００号（２００６年８月１６日出願、名称「ＭＥＴＨＯＤ ＦＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ ＯＦ ＭＡＧＮＥＳＩＵＭ ＤＯＰＥＤ （Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）Ｎ ＬＡＹＥＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１８７−ＵＳ−Ｐ１（２００６−６７８−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ ａｎｄ Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８４８号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｕ１（２００７−０４７−３））、当該出願は、 Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１４号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｐ１（２００７−０４７−１））ならびにＡｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．ＷｅｉｓｂｕｃｈおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８８３，９７７号（２００７年１月８日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＴＨＲＯＵＧＨ ＭＵＬＴＩＰＬＥ ＥＸＴＲＡＣＴＯＲＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９１−ＵＳ−Ｐ２（２００７−０４７−２））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８５３号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＷＨＩＴＥ，ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＵＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥＳ （ＬＥＤＳ） ＢＹ ＩＮＤＥＸ ＭＡＴＣＨＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９６−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１１４−２））、当該出願は、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２６号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＷＨＩＴＥ、ＳＩＮＧＬＥ ＯＲ ＭＵＬＴＩ−ＣＯＬＯＵＲ ＬＥＤ ＢＹ ＩＮＤＥＸ ＭＡＴＣＨＩＮＧ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９６−ＵＳ−Ｐ１（２００７−１１４−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒによる米国実用特許出願第１１／９４０，８６６号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ （ＬＥＤ） ＷＩＴＨ ＥＭＩＴＴＥＲＳ ＷＩＴＨＩＮ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９７−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１１３−２））、当該出願は、Ａｕｒｅｌｉｅｎ Ｊ．Ｆ．Ｄａｖｉｄ、Ｃｌａｕｄｅ Ｃ．Ａ．Ｗｅｉｓｂｕｃｈ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１５号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＬＥＤ ＷＩＴＨ ＥＭＩＴＴＥＲＳ ＷＩＴＨＩＮ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、代理人整理番号３０７９４．１９７−ＵＳ−Ｐ１（２００７−１１３−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．Ｈｕ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙｏｎｇ Ｓｅｏｋ Ｃｈｏｉ、Ｒａｊ ａｔ ＳｈａｒｍａおよびＣｈｉｏｕ−Ｆｕ Ｗａｎｇによる米国実用特許出願１１／９４０，８７６号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＦＯＲ ＴＨＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＡＬ ＩＮＴＥＧＲＩＴＹ ＯＦ ＡＩＲ−ＧＡＰ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＤＥＶＩＣＥＳ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＢＹ ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ （ＰＥＣ） ＥＴＣＨＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．２０１−ＵＳ−Ｕ１（２００７−１６１−２））、当該出願は、Ｅｖｅｌｙｎ Ｌ．Ｈｕ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙｏｎｇ Ｓｅｏｋ Ｃｈｏｉ、Ｒａｊａｔ ＳｈａｒｍａおよびＣｈｉｏｕ−Ｆｕ Ｗａｎｇによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２７号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＩＯＮ ＢＥＡＭ ＴＲＥＡＴＭＥＮＴ ＦＯＲ ＴＨＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＡＬ ＩＮＴＥＧＲＩＴＹ ＯＦ ＡＩＲ−ＧＡＰ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＤＥＶＩＣＥＳ ＰＲＯＤＵＣＥＤ ＢＹ ＰＨＯＴＯＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ （ＰＥＣ） ＥＴＣＨＩＮＧ」、代理人整理番号３０７９４．２０１−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−１６１−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．Ｆｅｌｌｏｗｓ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第１１／９４０，８８５号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＴＥＸＴＵＲＥＤ ＰＨＯＳＰＨＯＲ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＬＡＹＥＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０３−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７０−２））、当該出願は、Ｎａｔａｌｉｅ Ｎ．Ｆｅｌｌｏｗｓ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２４号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＴＥＸＴＵＲＥＤ ＰＨＯＳＰＨＯＲ ＣＯＮＶＥＲＳＩＯＮ ＬＡＹＥＲ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０３−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７０−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＨｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉによる米国実用特許出願第１１／９４０，８７２号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＳＰＨＥＲＥ ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２０４−ＵＳ−Ｕ１ （２００７−２７１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＨｉｓａｓｈｉ Ｍａｓｕｉによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２５号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＨＩＧＨ ＬＩＧＨＴ ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ ＥＦＦＩＣＩＥＮＣＹ ＳＰＨＥＲＥ ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２０４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７１−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国実用特許出願第１１／９４０，８８３号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＳＴＡＮＤＩＮＧ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０５−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７２−２））、当該出願は、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＳｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓによる米国仮特許出願第６０／８６６，０１７号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＳＴＡＮＤＩＮＧ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲ−ＬＥＳＳ （ＳＴＭＬ） ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０５−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７２−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第１１／９４０，８９８号（２００７年１１月１５日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０６−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２７３−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／８６６，０２３号（２００６年１１月１５日出願、名称「ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲ−ＬＥＳＳ （ＴＭＬ） ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２０６−ＵＳ−Ｐ１（２００７−２７３−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＬＥＡＤ ＦＲＡＭＥ ＦＯＲ ＴＲＡＮＳＰＡＲＥＮＴ ＭＩＲＲＯＲＬＥＳＳ ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＩＯＤＥ」、代理人整理番号３０７９４．２１０−ＵＳ−Ｕ１（２００７−２８１−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，４５４号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＬＥＡＤ ＦＲＡＭＥ ＦＯＲ ＴＭ−ＬＥＤ」、代理人整理番号３０７９４．２１０−ＵＳ−Ｐｌ（２００７−２８１−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＮａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＭＥＴ ＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ （ＭＯＣＶＤ） ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＨＩＧＨ ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＩＩＩ−ＮＩＴＲＩＤＥ ＯＰＴＩＣＡＬ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１２−ＵＳ−Ｕ１（２００７−３１６−２））、当該出願は、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｈｉｔｏｓｈｉ Ｓａｔｏ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，５３５号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＭＯＣＶＤ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ ＨＩＧＨ ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＮ ＯＰＴＩＣＡＬ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１２−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３１６−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＡＮＤ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１３−ＵＳ−Ｕ１（２００７−３１７−２））、当該出願は、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．ＳｐｅｃｋおよびＳｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａによる米国仮特許出願第６０／８６９，５４０号（２００６年１２月１１日出願、名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ （Ｍ−ＰＬＡＮＥ） ＡＮＤ ＳＥＭＩ−ＰＯＬＡＲ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１３−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３１７−１））に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；そして、
Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｆｅｎｇ Ｗｕ、Ａｓａｋｏ Ｈｉｒａｉ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国実用特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号（２００７年１２月１１日出願、名称「ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＡＮＤ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ ＰＬＡＮＥＳ ＯＦ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ ＯＮ ＶＡＲＩＯＵＳ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１４−ＵＳ−Ｕｌ（２００７−３３４−２））、当該出願は、Ｋｗａｎｇ Ｃｈｏｏｎｇ Ｋｉｍ、Ｍａｔｈｅｗ Ｃ．Ｓｃｈｍｉｄｔ、Ｆｅｎｇ Ｗｕ、Ａｓａｋｏ Ｈｉｒａｉ、Ｍｅｌｖｉｎ Ｂ．ＭｃＬａｕｒｉｎ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋによる米国仮特許出願第６０／８６９，７０１号（２００６年１２月１２日出願、名称「ＣＲＹＳＴＡＬ ＧＲＯＷＴＨ ＯＦ Ｍ−ＰＬＡＮＥ ＡＮＤ ＳＥＭＩＰＯＬＡＲ ＰＬＡＮＥＳ ＯＦ （ＡＬ，ＩＮ，ＧＡ，Ｂ）Ｎ ＯＮ ＶＡＲＩＯＵＳ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」、代理人整理番号３０７９４．２１４−ＵＳ−Ｐ１（２００７−３３４−１）に基づく米国特許法第１１９条（ｅ）項の利益を主張する；
以上の出願のすべては、その全体が本明細書に参考として援用される。
【０００３】
（発明の分野）
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）からの光抽出に関する。
【背景技術】
【０００４】
（注記：本願は、明細書において示されるように、多数の様々な出版物を参照する。さらに、様々な出版物のリストは、タイトルが「参考文献」である以下の節において示され得る。これらの出版物の各々は、参照により本明細書に組み込まれる。）
発光ダイオード（ＬＥＤ）の前面からの光出力パワーを増加させるために、放射される光は、基板の後面に位置する鏡面によって反射されるか、または基板の後面に鏡面が存在しなくても、接合材料が発光波長において透明である場合、リードフレーム上にコーティングする鏡面によって反射される。しかしながら、この反射光は、光子エネルギーが、ＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）等の発光種のバンドキャップエネルギーとほぼ同じであるため、発光層（活性層）によって再吸収される。ＬＥＤの効率または出力パワーは、発光層によるこの光の再吸収によって低下する。例えば、以下に詳述される図１、図２、および図３を参照されたい。また、非特許文献１および非特許文献２も参照されたい。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４、Ｌ７９７−９９（１９９５）
【非特許文献２】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１８０−８２（２００４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
より効果的に光を抽出するＬＥＤ構造が、当技術分野において必要とされる。本発明は、その必要性を満たす。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、透明発光ダイオードについて説明する。一般的に、本発明は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層から構成される発光装置であって、層の全てを通り、かつ層を通る複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く層の全ては、光の発光波長について透明である発光装置について説明する。さらに、ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。
【０００８】
一実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在し、ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、透明な基板またはサブマウントを通って抽出される。透明基板またはサブマウントは、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料のように導電性である。
【０００９】
リードフレームは、ＩＩＩ族窒化物層（ならびに、透明基板またはサブマウント）を支持し、ＩＩＩ族窒化物層は、リードフレームにおける透明板上に存在する。したがって、ＩＩＩ族窒化物層から放射された光は、リードフレームにおける透明板から透過される。
【００１０】
さらに、装置は、ＩＩＩ族窒化物層に電気的に接続するように配置される１つ以上の透明導電層と、ＩＩＩ族窒化物層上に成膜される１つ以上の電流拡散層とを含んでもよく、透明導電層は、電流拡散層上に成膜される。鏡面または鏡面付き表面は、活性領域による光の再吸収を最小化するために、装置から排除されて内部反射を最小化する。
【００１１】
別の実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層は、成形光学素子に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられ、光は、成形光学素子に入り、その後抽出される前に、ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出される。具体的には、成形光学素子に入る光の少なくとも一部分は、臨界角内にあり、かつ抽出される。さらに、成形光学素子の１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。さらに、成形光学素子は、蛍光体層を含んでもよく、蛍光体層を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。成形光学素子は、逆円錐形状であってもよく、ＩＩＩ族窒化物層は、逆円錐形状の側壁から光が反射されるように、逆円錐形状内に配置される。
【００１２】
さらに別の実施形態において、ＩＩＩ族窒化物層を被覆する絶縁層は、部分的に除去され、導電層は、ＩＩＩ族窒化物層との電気接触を行なうために、絶縁層の表面における孔または凹部内に成膜される。
【００１３】
ここで、図面を参照するが、これらの図面において同じ参照番号は、対応する部分を表す。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図２】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図３】図１、２および３は、従来のＬＥＤの概略断面図である。
【図４Ａ】図４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図５Ａ】図５Ａおよび５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａおよび５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図６】図６は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図７】図７は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図８Ａ】図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関するそれぞれの概略および平面図である。
【図９】図９は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１０Ａ】図１０Ａおよび１０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａおよび１０Ｂは、それおぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１２Ａ】図１２Ａおよび１２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａおよび１２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１４】図１４は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１５Ａ】図１５Ａおよび１５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａおよび１５Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１７】図１７は、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造の概略図である。
【図１８Ａ】図１８Ａおよび１８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａおよび１８Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａおよび１９Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａおよび１９Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａおよび２０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａおよび２０Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２１Ａ】図２１Ａおよび２１Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａおよび２１Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａおよび２２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａおよび２２Ｂは、それぞれ、本発明の好適な実施形態に従う改良型ＬＥＤ構造に関する概略および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
好適な実施形態に関する以下の説明において、添付の図面が参照され、これらの図面は、説明の一部を形成し、また、本発明が実践され得る特定の実施形態を例証として示す。他の実施形態を利用し、本発明の範囲を逸脱することなく構造変化を加えてもよいことを理解されたい。
【００１６】
（概要）
以下の図面の説明において、ＬＥＤ構造の詳細は図示されない。発光層（通常、ＡｌＩｎＧａＮ ＭＱＷ）、ｐ型ＧａＮ層、ｎ型ＧａＮ層、およびサファイア基板のみが図示される。当然ながら、ｐ−ＡｌＧａＮ電子阻止層、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子、および他のもの等の他の層がＬＥＤ構造に存在し得る。本発明において、光抽出効率が主に表面層またはエピタキシャルウエハの状態によって判断されることから、最重要側面は、ＬＥＤ構造の表面である。したがって、ＬＥＤのいくつかの側面（表面層）のみが、全ての図面において図示される。
【００１７】
（従来のＬＥＤ構造）
図１、図２、および図３は、従来のＬＥＤの概略図である。
【００１８】
従来のＬＥＤにおいて、ＬＥＤの前面からの光出力パワーを増加させるために、放射する光は、サファイア基板の後面上の鏡面によって反射されるか、サファイア基板の後面上に鏡面が存在しなくても、接合材料が発光波長において透明である場合、リードフレーム上の鏡面コーティングによって反射される。この反射光は、光子エネルギーが、ＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）の量子井戸のバンドキャップエネルギーとほぼ同じであるため、発光層（活性層）によって再吸収される。そのため、ＬＥＤの効率または出力パワーは、発光層による再吸収により減少する。
【００１９】
図１において、従来のＬＥＤは、サファイア基板１００、発光層１０２（活性層）、およびＩＴＯまたはＺｎＯ等の半透明電極または透明電極１０４を含む。ＬＥＤは、サファイア基板１００の後面上に任意の鏡面を含まずに、リードフレーム１０６においてクリアエポキシ成型物１０８とダイボンディングされる。この場合、リードフレーム１０６上のコーティング材料またはリードフレーム１０６の表面は、鏡面１１０になる。基板１００の後面上に鏡面１１０が存在する場合、ＬＥＤチップは、Ａｇペーストを使用してダイボンディングされる。活性層１０２は、基板１００に向かって光１１２を放射し、電極１０４に向かって光１１４を放射する。放射光１１２は、鏡面１１０によって電極１０４に向かって反射され、ＬＥＤを脱出するように電極１０４によって伝達される反射光１１６になる。ＬＥＤは、リードフレーム１０６にワイヤボンディング１１８される。
【００２０】
図２において、従来のＬＥＤが、フリップチップＬＥＤであること以外は、図１に示す図に類似している。ＬＥＤは、サファイア基板２００および発光層２０２（活性層）、ならびに高反射性鏡面２０４を含む。ＬＥＤは、リードフレーム２０８上にダイボンディング２０６され、透明エポキシ成型物２１０内に埋め込まれる。活性層２０２は、基板２００に向かって光２１２を放射し、高反射性鏡面２０４に向かって光２１４を放射する。放射光２１４は、鏡面２０４によって基板２００に向かって反射され、ＬＥＤを脱出するように基板２００によって伝達される反射光２１６になる。
【００２１】
図３において、従来のＬＥＤは、導電性サブマウント３００、高反射性鏡面３０２（９４％を超える反射率（Ｒ）のＡｇを含む）、透明ＩＴＯ層３０４、ｐ−ＧａＮ層３０６、発光層または活性層３０８、およびｎ−ＧａＮ層３１０を含む。ＬＥＤは、エポキシ成型物を含まずに示されるが、類似の成型物を使用してもよい。発光層３０８は、鏡面３０２に向かってＬＥＤ発光３１２を放射し、ｎ−ＧａＮ層３１０に向かってＬＥＤ発光３１４を放射する。発光層３０８の発光３１２は、鏡面３０２によって反射され、この場合、反射発光３１６は、発光層３０８によって再吸収される。ＬＥＤの効率は、この再吸収により低下する。ｎ−ＧａＮ層を粗面化３１７して、ＬＥＤ発光３１４の抽出３１８を増強してもよい。
【００２２】
（改良型ＬＥＤ構造）
本発明は、透明ＬＥＤについて説明する。一般的に、本発明は、光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層から構成される発光装置であって、全ての層を通り、かつ層を通って複数の方向に光が効果的に抽出されるように、活性領域を除く全ての層が、光の発光波長に対して透明である発光装置について説明する。ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上の表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強してもよい。
【００２３】
図４Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層４００、ｎ型ＧａＮ層４０２、ｐ型ＧａＮ層４０４、第１のＩＴＯ層４０６、第２のＩＴＯ層４０８、およびガラス層４１０を備える。ｎ型ＧａＮ層４０２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面４１２を有してもよく、ガラス層４１０は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面４１４を有してもよい。ＬＥＤは、ボンディングパッド４２０、４２２を介してリードフレーム４１８にワイヤボンディング４１６される。図４Ｂは、リードフレーム４１８の平面図を示す。
【００２４】
図４Ａにおいて、ＬＥＤ構造は、サファイア基板上に成長させられ、この基板は、レーザ剥離技術を使用して除去される。その後、第１のＩＴＯ層４０６は、ｐ型ＧａＮ層４０４上に成膜される。次に、ＬＥＤ構造は、エポキシを接着剤として使用して、第２のＩＴＯ層４０８にコーティングされるガラス層４１０に取り付けられる。次に、ＬＥＤ構造は、リードフレーム４１８にワイヤボンディング４１６される。
【００２５】
図４Ａにおいて、ＬＥＤの前面または後面に、意図的鏡面は存在しない。代わりに、リードフレーム４１８は、フレーム４１８が表面４１２および４１４、つまりＬＥＤの後面４２６およびＬＥＤの前面４２８を妨害しないことから、ＬＥＤの両側から光４２４を効果的に抽出するように設計される。図４Ｂは、フレーム４１８が、ガラス層４１０表面発光およびＬＥＤを妨害しないように、ガラス層４１０の端部においてＬＥＤを支持することを示す。
【００２６】
オーム接触を、ｎ−ＧａＮ層４０２上のボンディングパッド４２０の下に配置してもよいが、簡略化のため本図面には図示されない。
【００２７】
図５Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層５００、ｎ型ＧａＮ層５０２、ｐ型ＧａＮ層５０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層５０６、透明絶縁層５０８、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層５０６を透明導電性基板５１２に接合するための透明導電性接着剤５１０として、ＩｎＧａＮ多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ；ＭＱＷ）層を備える。透明導電性基板５１２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面５１４を有してもよく、ｎ−ＧａＮ層５０４は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面５１６を有してもよい。好ましくは、層５００、５０２、５０４、および５０６は、約５ミクロンの組み合わせ厚さ５１８を有し、基板５１２および接着剤５１０は、約４００ミクロンの組み合わせ厚さ５２０を有する。最後に、オーム電極／ボンディングパッド５２２、５２４は、ＬＥＤ上に配置される。
【００２８】
ＬＥＤ構造は、サファイア基板上に成長させられてもよく、この基板は、レーザ剥離技術を使用して除去される。次に、ＩＴＯ層５０６は、ｐ型ＧａＮ層５０４上に成膜される。ＩＴＯ層５０６の成膜前に、ＳｉＯ２またはＳｉＮを含み得る絶縁層５０８は、電流拡散層として成膜される。電流拡散層５０８を含まない場合、ＬＥＤの発光強度は、不均一な電流によって低くなる。ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、または所望の波長において透明である別の材料であり得る透明導電性基板５１２は、透明導電性接着剤５１０を使用して、ＩＴＯ層５０６にウエハボンディングまたは接着される。次に、ｎ−ＧａＮオーム電極／ボンディングパッド５２２およびｐ−ＧａＮオーム電極／ボンディングパッド５２４は、ＬＥＤ構造の両側に形成される。最後に、例えば、円錐状表面５１６を形成するためにＫＯＨまたはＨＣＬ等のウェットエッチングを使用して、ｎ型ＧａＮ層５０２の窒素面（Ｎ面）を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化５１６して、光抽出を増強する。
【００２９】
図５Ｂは、図５ＡのＬＥＤの平面図であり、リードフレーム５２８上に存在する透明板５２６上に配置されるＬＥＤを示し、その両方は、ＬＥＤから熱を除去するように機能する。ＬＥＤのｐ側（つまり、基板５１２側）は、透明板５２６に取り付けられる。ワイヤボンディングは、ｎ型ＧａＮ層５０２のボンディングパッド５２４と、リードフレーム５２８との間で実行される。
【００３０】
ＬＥＤの前面５３０および後面５３２に意図的鏡面は存在しない。代わりに、リードフレーム５２８は、ＬＥＤの両側、つまりＬＥＤの後面５３２およびＬＥＤの前面５３０から光を効果的に抽出するように設計される。
【００３１】
最後に、オーム接触を、ｎ−ＧａＮ層５０２のボンディングパッド５２４の下に配置してもよい。しかしながら、このオーム接触は、簡略化のため本図面には図示されない。
【００３２】
図６は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ活性層６００、ｎ−ＧａＮ層６０２、ｐ−ＧａＮ層６０４、エポキシ層６０６（約４００ミクロン厚さ６０８）、ボンディングパッド６１０、オーム電極／ボンディングパッド６１２、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４を備える。ｎ−ＧａＮ層６０２、活性層６００、およびｐ−ＧａＮ層６０４の組み合わせ厚さ６１６は、約５ミクロンである。
【００３３】
図７は、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ活性層７００、ｎ−ＧａＮ層７０２、ｐ−ＧａＮ層７０４、エポキシ層７０６（約４００ミクロン厚さ７０８）、幅の狭いストライプのＡｕ接続７１０、ボンディングパッド７１２、オーム電極／ボンディングパッド７１４、ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ７１６を備える。ｎ−ＧａＮ７０２、活性層７００、およびｐ−ＧａＮ層７０４の厚さ７１８は、約５ミクロンである。
【００３４】
図６および図７の両方において、図４に示すガラス層４１０の代わりに、厚いエポキシ層６０６、７０６が使用される。電気接触を行なうために、エポキシ絶縁層６０６、７０６は、部分的に除去され、透明金属酸化物であるＩＴＯ層６１４または幅の狭いストライプのＡｕもしくは他の金属層７１０は、エポキシ層６０６、７０６上に、ならびにエポキシ層６０６、７０６の表面における孔または凹部６１８、７２０内に成膜され、ｐ−ＧａＮ層６０４、７０４との電気接触を行なう。
【００３５】
さらに、図６および図７の両方は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面６２０、７２２が、ｎ型ＧａＮ層６０２、７０２の窒素面（Ｎ面）上に形成されることを示す。これらの粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面６２０、７２２は、光抽出を増強する。
【００３６】
サファイア基板の代わりにＧａＮ基板を使用する場合、レーザ剥離は必要とされないため、その結果、サブマウント６０６、７０６も必要とされないことに留意されたい。さらに、ＬＥＤ構造がＧａＮ基板上に形成される場合、ＩＴＯ層６１４は、ｐ型ＧａＮ層６０４上に成膜され、Ｎ面ＧａＮであるＧａＮ基板の後面は、ｎ型ＧａＮ層６０２、７０２上で粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される表面６２０、７２２を形成するために、ＫＯＨおよびＨＣＬ等のウェットエッチングを使用してエッチングされ得る。
【００３７】
ＩＴＯ層６１４の表面が、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される場合、ＩＴＯ層６１４を通る光抽出は、増加することに留意されたい。ｐ型ＧａＮ層６０４上にＩＴＯ層６１４が存在しなくても、ｐ型ＧａＮ層６０４の表面の粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化は、ｐ型ＧａＮ層６０４を通る光抽出の増加に効果的である。
【００３８】
最後に、ｎ型ＧａＮ層６１２のオーム接触ならびにＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４を、ｎ型ＧａＮ層６０２の表面６２０の粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化の後に使用してもよい。ＩＴＯまたはＺｎＯ層６１４は、ＧａＮと類似の屈折率を有すため、ＩＴＯ、ＺｎＯ、およびＧａＮ間の界面における光反射は最小化される。
【００３９】
図８Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層８００、ｎ型ＧａＮ層８０２、ｐ型ＧａＮ層８０４、第１のＩＴＯ層８０６、第２のＩＴＯ層８０８、およびガラス層８１０を備える。ｎ型ＧａＮ層８０２は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面８１２を有してもよく、ガラス層８１０は、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される（例えば、円錐状表面）表面８１４を有してもよい。ＬＥＤは、ボンディングパッド８２０、８２２を使用して、リードフレームまたはサブマウント８１８にワイヤボンディング８１６される。
【００４０】
ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子８２４に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子８２４は、例えば、成形光学素子８２４の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層８２６を含んでもよい。本実施形態において、発光層８００は、表面８１２および表面８１４に向かって光８２８を放射し、ここで、光８３０を抽出することが可能である。
【００４１】
本実施形態において、成形光学素子８２４が球体であることから、ＬＥＤ構造は、小スポット光源であると考えられ、これは、ＬＥＤから放射される全ての光の方向が、空気および球体８２４間の界面に実質的に垂直であり、そこからの光が、空気および球体８２４間の界面を通って空気中に効果的に抽出されるからである。
【００４２】
さらに、蛍光体層８２６を、成形光学素子の外面上またはその近傍に配置する場合、例えば、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層８２６による光８２８の後方散乱の減少に起因する光８２８の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層８２６の表面８３４が、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される場合、光抽出は、再び増加する。
【００４３】
最後に、図８Ｂは、図８Ａの装置の平面図であり、リードフレーム８１８を示す。
【００４４】
図９は、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層９００、ｎ型ＧａＮ層９０２、ｐ型ＧａＮ層９０４、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化される表面９０８を有するＩＴＯ層９０６、ボンディングパッド９１０、オーム接触／ボンディングパッド９１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｎ型ＧａＮ層９０２の表面９１４、および９０８上に成膜されるエポキシ層９１６を備える。ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子９１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子９１８は、例えば、成形光学素子９１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層９２０を含んでもよい。
【００４５】
図９において、ＩＴＯまたはＺｎＯ層９０６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、ＩＴＯまたはＺｎＯ層９０６を通る光抽出を改善する。さらに、エポキシ９１８は、サブマウントされる。あるいは、図９の構造は、図６−図８に示す図と同じである。
【００４６】
図１０Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層１０００、ｎ型ＧａＮ層１００２、ｐ型ＧａＮ層１００４、ＩＴＯ層１００６、ボンディングパッド１００８、オーム接触／ボンディングパッド１０１０、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるＩＴＯ層１００６の表面１０１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｎ型ＧａＮ層１００２の表面１０１４、および表面１０１２上に成膜されるエポキシ層１０１６を備える。
【００４７】
ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子１０１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子１０１８は、例えば、成形光学素子１０１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層１０２０を含んでもよい。
【００４８】
また、ＬＥＤは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、または他の絶縁材料を含み得る電流拡散層１０２２も含んでもよく、例えば、ｐ型ＧａＮ層１００４から均一に電流が流れるように、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１００６の前に成膜される。
【００４９】
最後に、ＬＥＤは、リードフレーム１０２６にワイヤボンディング１０２４される。図１０Ｂは、リードフレーム１０２６の平面図を示す。
【００５０】
図１１は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、ＩｎＧａＮ ＭＱＷ発光層１１００、ｎ型ＧａＮ層１１０２、ｐ型ＧａＮ層１１０４、ＩＴＯ層１１０６、ボンディングパッド１１０８、オーム接触／ボンディングパッド１１１０、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるＩＴＯ層１１０６の表面１１１２、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化されるｐ型ＧａＮ層１１０２の表面１１１４、および表面１１１２上に成膜されるエポキシ層１１１６を備える。
【００５１】
ＬＥＤは、例えば、レンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される球体等の、成型物または成形光学素子１１１８に埋め込まれるか、または収容されてもよい。成形光学素子１１１８は、例えば、成形光学素子１１１８の外面上に、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化され、ＬＥＤから離隔し得る蛍光体層１１２０を含んでもよい。
【００５２】
また、ＬＥＤは、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、または他の絶縁材料を含み得る電流拡散層１１２２も含んでもよく、例えば、ｐ型ＧａＮ層１１０４から均一に電流が流れるように、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１１０６の前に成膜される。
【００５３】
最後に、ＬＥＤは、リードフレーム１１２６にワイヤボンディング１１２４される。図１１Ｂは、リードフレーム１１２６の平面図を示す。
【００５４】
図１１の実施形態において、鏡面１１２８は、装置の前面１１３０からより多くの光を得るために、成形光学素子１１１８の外部に配置される。鏡面の形状は、ＬＥＤによる光の再吸収を減少させるために、反射光がＬＥＤに到達しないように設計される。
【００５５】
図１２Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１２００、ｎ型ＧａＮ層１２０２、ｐ型ＧａＮ層１２０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１２０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１２０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１２１２にワイヤボンディング１２１０されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１２１４、１２１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１２１４、１２１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面において形成され、発光層１２００は、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面から、抽出される光１２２２を放射する。
【００５６】
ＬＥＤは、ボンディングパッド１２２４、１２２６を介してリードフレーム１２１８に電気的に接続される。ボンディングパッド１２２４は、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１２０６上に成膜され、オーム接触／ボンディングパッド１２２６は、ｎ型ＧａＮ１２０２層が、ｐ型ＧａＮ層１２０４を通る選択的エッチングによって暴露された後に、ｎ型ＧａＮ層１２０２上に成膜される。
【００５７】
前述のように、ＬＥＤは、エポキシまたはガラスと組み合わせられてもよく、前面１２１８および後面１２２０の両方について逆円錐形状１２１４、１２１６として成型されてもよく、逆円錐成型形状１２１４、１２１６は、光抽出の増強を提供する。具体的には、逆円錐形状１２１４、１２１６に入る光の大部分は、臨界角内にあり、抽出される。光は、逆円錐形状１２１４の側壁によって逆円錐形状１２１４の上面または発光表面に反射され、逆円錐形状１２１４の上面を通って放射し、同様に、光は、逆円錐形状１２１６の側壁によって逆円錐形状１２１６の底面または発光表面に反射され、逆円錐形状１２１４の底面を通って放射する。
【００５８】
最後に、パターン化サファイア基板（ＰＳＳ）１２０８は、ｎ−ＧａＮ層１２０２および基板１２０８間の界面１２２８を通る光抽出効率を改善することに留意されたい。さらに、サファイア基板１２０８の後面１２３０を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して（例えば、円錐状表面）、光抽出効率を向上させてもよい。
【００５９】
図１２Ｂは、リードフレーム１２１２の平面図を示す。
【００６０】
図１３は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１３００、ｎ型ＧａＮ層１３０２、ｐ型ＧａＮ層１３０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１３０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１３０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１３１２にワイヤボンディング１３１０されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１３１４、１３１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１３１４、１３１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面において形成され、発光層１３００は、ＬＥＤの上部面／前面および底部面／後面から抽出される光１３２２を放射する。
【００６１】
ＬＥＤは、ボンディングパッド１３２４、１３２６を介してリードフレーム１３１８に電気的に接続される。ボンディングパッド１３２４は、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１３０６上に成膜され、オーム接触／ボンディングパッド１３２６は、ｎ型ＧａＮ１３０２層が、ｐ型ＧａＮ層１３０４を通る選択的エッチングによって暴露された後に、ｎ型ＧａＮ層１３０２上に成膜される。
【００６２】
前述のように、ＬＥＤは、エポキシまたはガラスと組み合わせられてもよく、前面１３１８および後面１３２０の両方について逆円錐形状１３１４、１３１６として成型されてもよく、逆円錐成型形状１３１４、１３１６は、光抽出の増強を提供する。具体的には、逆円錐形状１３１４、１３１６を入る光の大部分は、臨界角内にあり、抽出される。光は、逆円錐形状１３１４の側壁によって逆円錐形状１３１４の上面または発光表面に反射され、逆円錐形状１３１４の上面を通って放射し、同様に、光は、逆円錐形状１３１６の側壁によって逆円錐形状１３１６の底面または発光表面に反射され、逆円錐形状１３１４の底面を通って放射する。さらに、成形光学素子１３１４の上面／前面１３２８および成形光学素子１３１６の底面／後面１３３０を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、要素１３１４、１３１６を通る光抽出を増加させてもよい。
【００６３】
図１４は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１４００は、発光層１４０２および基板１４０４（ならびに他の層）を含み、基板１４０４は、平坦またはパターン化サファイア基板である。ＬＥＤ１４００は、リードフレーム１４０８にワイヤボンディング１４０６されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１４１０、１４１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１４１０、１４１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１４００の上部面／前面１４１４および底部面／後面１４１６において形成され、発光層１４０２は、ＬＥＤ１４００の上部面／前面１４１４および底部面／後面１４１６の両方から抽出される光１４１８を放射する。
【００６４】
図１４において、蛍光体層１４２０は、成形光学素子１４１０の上面／前面１４２２および成形光学素子１４１２の底面／後面１４２４近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層１４２０は、ＬＥＤ１４００から可能な限り遠くに配置されるべきである。この場合、青色光から白色光への変換効率は、ＬＥＤ１４００への蛍光体層１４２０による光の後方散乱の減少に起因する、ＬＥＤ１４００により放射された光の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層１４２０の表面１４２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を改善してもよい。
【００６５】
図１５Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１５００は、発光層１５０２、ｎ型ＧａＮ層１５０４、ｐ型ＧａＮ層１５０６、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１５０８、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１５１０を備える。
【００６６】
ＬＥＤ１５００は、リードフレーム１５１４にワイヤボンディング１５１２され、図１５Ｂは、リードフレーム１５１４の平面図を示す概略図である。
【００６７】
本実施形態において、ＬＥＤ１５００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１５１６、１５１８に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。成形光学素子１５１６、１５１８は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１５００の上部面／前面１５２０および底部面／後面１５２２において形成され、発光層１５０２は、ＬＥＤ１５００の上部面／前面１５２０および底部面／後面１５２２から抽出される光１５２４を放射する。
【００６８】
鏡面１５２６を、成形光学素子１５１８の内部に配置して、ＬＥＤ１５００の前面１５２８への光出力を増加させてもよい。さらに、鏡面１５２６の形状は、ＬＥＤ１５００から放射された光１５３０の反射をＬＥＤ１５００が再吸収して、ＬＥＤの出力パワーまたは効率を低下させないように設計される。代わりに、鏡面１５２６は、ＬＥＤ１５００から離れるように反射光１５３０を誘導する。
【００６９】
さらに、鏡面１５２６は、ＬＥＤ１５００または基板１５１０に部分的にのみ取り付けられる（または、全て取り付けられない）。これは、例えば、図１−図３に示すように、鏡面がＬＥＤの表面全体に取り付けられる従来のＬＥＤとは異なる。
【００７０】
図１６は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層１６００、ｎ型ＧａＮ層１６０２、ｐ型ＧａＮ層１６０４、ＩＴＯまたはＺｎＯ層１６０６、ならびに平坦サファイア基板またはパターン化サファイア基板（ＰＳＳ）であり得る基板１６０８を備える。ＬＥＤは、リードフレーム１６１２にワイヤボンディング１６１０される。
【００７１】
本実施形態において、ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１６１４、１６１６に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。成形光学素子１６１４、１６１６は、対向側面、例えば、ＬＥＤの上部面／前面１６１８および底部面／後面１６２０において形成され、発光層１６０２は、ＬＥＤの上部面／前面１６１８および底部面／後面１６２０から抽出される光１６２２を放射する。
【００７２】
鏡面１６２４を、成形光学素子１６１６の内部に配置して、ＬＥＤの前面１６２６への光出力を増加させてもよい。さらに、鏡面１６２４の形状は、ＬＥＤから放射された光１６２８の反射をＬＥＤが再吸収して、ＬＥＤの出力パワーまたは効率を低下させないように設計される。代わりに、鏡面１６２４は、ＬＥＤから離れるように反射光１６２８を誘導する。
【００７３】
さらに、鏡面１６２４は、ＬＥＤまたは基板１６０８に部分的にのみ取り付けられる（または、全て取り付けられない）。これは、鏡面がＬＥＤの表面全体に取り付けられる、例えば、図１−図３に示すような、従来のＬＥＤとは異なる。
【００７４】
最後に、成形光学素子１６１４の上面／前面１６３０を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出効率を改善する。
【００７５】
図１７は、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１７００は、発光層１７０２および基板１７０４（ならびに他の層）を含み、基板１７０４は、平坦またはパターン化サファイア基板である。ＬＥＤ１７００は、リードフレーム１７０８にワイヤボンディング１７０６されて、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１７１０、１７１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子１７１０、１７１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ１７００の上部面／前面１７１４および底部面／後面１７１６において形成され、発光層１７０２は、ＬＥＤ１７００の上部面／前面１７１４および底部面／後面１７１６の両方から抽出される光１７１８を放射する。
【００７６】
図１７において、鏡面１７２０を、成形光学素子１７１２の内部に配置して、ＬＥＤ１７００の前面１７２０に向かう光出力を増加させてもよい。さらに、蛍光体層１７２２は、成形光学素子１７１０の上面１７２４近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層１７２２は、ＬＥＤ１７００から可能な限り遠くに配置される。この場合、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層１７２２による後方散乱の減少に起因するＬＥＤ１７００から放射された光１７１８の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層１７２２の表面１７２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、蛍光体層１７２２を通る光抽出を改善してもよい。
【００７７】
図１８Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１８００は、発光層１８０２および基板１８０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ１８００は、リードフレーム１８０８にワイヤボンディング１８０６され、図１８Ｂは、リードフレーム１８０８の平面図を示す図である。
【００７８】
本実施形態において、ＬＥＤ１８００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１８１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層１８０２によって放射された光１８１２は、成形光学素子１８１０内に配置される鏡面１８１４によって、成形光学素子１８１０の後面１８１８から離れるように、成形光学素子１８１０の前面１８１６に向かって反射され、この場合、反射光１８２０は、成形光学素子１８１０から出力される。
【００７９】
図１９Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造１９００は、発光層１９０２および基板１９０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ１９００は、リードフレーム１９０８にワイヤボンディング１９０６され、図１９Ｂは、リードフレーム１９０８の平面図を示す図である。
【００８０】
本実施形態において、ＬＥＤ１９００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子１９１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層１９０２から放射された光１９１２は、成形光学素子１９１０の側壁１９１４によって、成形光学素子１９１０の前面１９１６に反射され、この場合、反射光１９１８は、成形光学素子１９１０から出力され、成形光学素子１９１０の後面１９２０から離れるように出力される。
【００８１】
好ましくは、ＬＥＤ１９００は、ＬＥＤによって放射された光１９１２が側壁１９１４の鏡付き表面１９２２によって反射されるように、成形光学素子１９１０内に配置され、この鏡付き表面１９２２は、側壁１９１４に成膜または取り付けられる。成形光学素子１９１０の基部１９２０に対する側壁１９１４の角度１９２４は、ＬＥＤ１９００から放射された光１９１２を成形光学素子１９１０の前面１９１６に反射する臨界角である。例えば、エポキシの屈折率は、ｎ２＝１．５であり、空気の屈折率は、ｎ１＝１であるため、結果として、反射の臨界角は、ｓｉｎ−１（１／１．５）である。したがって、側壁１９１４の角度１９２４は、ｓｉｎ−１（１／１．５）を超えなければならない。この結果、ＬＥＤ１９００からの反射光１９１２は、１９２６に示される方向に、成形光学素子の上面１９２８から効果的に抽出されることになる。
【００８２】
図２０Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造は、発光層２０００および基板２００２（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤは、リードフレーム２００６にワイヤボンディング２００４され、図２０Ｂは、リードフレーム２００６の平面図である。
【００８３】
本実施形態において、ＬＥＤは、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２００８に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。発光層２００２により放射された光２０１０は、成形光学素子２００８の側壁２０１２によって、成形光学素子２００８の前面２０１４に反射され、この場合、反射光２０１６は、成形光学素子２００８から出力され、成形光学素子２００８の後面２０１８から離れるように出力される。
【００８４】
好ましくは、ＬＥＤは、ＬＥＤによって放射された光２０１０が、側壁２０１２によって反射されるように、成形光学素子２００８内に配置される。さらに、成形光学素子２００８の前面または上面２０２０を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増加させる。
【００８５】
成形光学素子２００８の基部２０１８に対する側面２０１２の角度２０２２は、ＬＥＤから成形光学素子２００８の前面２０１４に放射された２０１０を反射する臨界角である。例えば、エポキシの屈折率は、ｎ２＝１．５であり、空気の屈折率は、ｎ１＝１であるため、結果として、反射の臨界角は、ｓｉｎ−１（１／１．５）である。したがって、側壁２０１２の角度２０２２は、ｓｉｎ−１（１／１．５）を超えなければならない。この結果、ＬＥＤからの反射光２０１０は、成形光学素子２００８の前面２０２０から効果的に抽出されることになる。
【００８６】
図２１Ａは、本発明の好適な実施形態に従う、特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造２１００は、発光層２１０２および基板２１０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ２１００は、リードフレーム２０１８にワイヤボンディング２１０６され、図２１Ｂは、リードフレーム２１０８の平面図を示す。
【００８７】
本実施形態において、ＬＥＤ２１００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２１１０に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。好ましくは、ＬＥＤ２１００は、ＬＥＤにより放射された光２１１２が、成形光学素子２１１０の側壁２１１４によって、成形光学素子２１１０の前面２１１６に反射されるように、成形光学素子２１１０内に配置され、この場合、反射光２１１８は、成形光学素子２１１０から出力され、成形光学素子２１１０の後面２１２０から離れるように出力される。
【００８８】
蛍光体層２１２２が、成形光学素子２１１０の前面または上面２１２４上にまたはその近傍に配置されてもよい。好ましくは、蛍光体層２１２２は、ＬＥＤ２１００から可能な限り遠くに配置される。本例において、青色光から白色光への変換効率は、蛍光体層２１２２による後方散乱の減少に起因するＬＥＤ２１００による光２１１２の再吸収の減少により増加する。さらに、蛍光体層２１２２の表面２１２６を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増加してもよい。
【００８９】
図２２Ａは、本発明の好適な実施形態に従う特定の改良型ＬＥＤ構造を示す概略図であり、改良型ＬＥＤ構造２２００は、発光層２２０２および基板２２０４（ならびに他の層）を含む。ＬＥＤ２２００は、リードフレーム２２０８にワイヤボンディング２２０６され、図２２Ｂは、リードフレーム２２０８の平面図を示す。
【００９０】
ＬＥＤ２２００は、例えばレンズを形成するエポキシまたはガラスから作製される逆円錐形状等の、成型物または成形光学素子２２１０、２２１２に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられる。本実施形態において、成形光学素子２２１０、２２１２は、対向側面、例えば、ＬＥＤ２２００の上部面／前面２２１４および底部面／後面２２１６において形成され、発光層２２００は、ＬＥＤ２２００の上部面／前面２２１４および底部面／後面２２１６の両方から抽出される光２２１８を放射する。
【００９１】
リードフレーム２２０８は、透明板２２２０を含み、ＬＥＤ２２００は、透明／クリアエポキシ２２２２をダイボンディング材料として使用して、透明板２２２０に接合される。透明板２２２０は、ガラス、石英、サファイア、ダイアモンド、または所望の発光波長について透明他の材料から構成されてもよく、この場合、透明グラス板２２２０は、ＬＥＤ２２００から成形光学素子２２１２に放射された光２２１８を効果的に抽出する。
【００９２】
（利点および改善点）
本発明の一つの利点は、全ての層を通る光が効果的に抽出されるように、発光層を除くＬＥＤの層の全てが、発光波長に対して透明であることである。
【００９３】
さらに、ＬＥＤにおける意図的鏡面の使用を回避することによって、ＬＥＤによる光の再吸収が最小化され、光抽出効率は向上し、光出力パワーが増加する。
【００９４】
粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化された表面を有する透明電極と、成形光学素子またはレンズ内に埋め込まれるＬＥＤとのの組み合わせによって、光抽出が増加する。
【００９５】
（参考文献）
以下の参考文献は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００９６】
１． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、５６、７３７−３９（１９９０）
２． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、６４、２８３９−４１（１９９４）
３． Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、８１、３１５２−５４（２００２）
４． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１２７５−７７（２００４）
５． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４５、Ｌ１０８４−Ｌ１０８６（２００６）
６． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、３４、Ｌ７９７−９９（１９９５）
７． Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４３、Ｌ１８０−８２（２００４）
８． Ｆｕｊｉｉ Ｔ．、Ｇａｏ Ｙ．、Ｓｈａｒｍａ Ｒ．、Ｈｕ Ｅ．Ｌ．、ＤｅｎＢａａｒｓ Ｓ．Ｐ．、Ｎａｋａｍｕｒａ Ｓ．、「Ｉｎｃｒｅａｓｅ ｉｎ ｔｈｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ＧａＮ−ｂａｓｅｄ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｖｉａ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｏｕｇｈｅｎｉｎｇ」、
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、８４巻、第６、９号、２００４年２月、頁８５５−７。
【００９７】
（結論）
本発明の好適な実施形態の説明をここで終了する。本発明の１つ以上の実施形態に関する前述の説明は、例証および説明の目的のために提示されている。包括的であるように、あるいは開示される正確な形式に本発明を限定するように意図されない。上記の教示の観点から、多くの修正および変更が可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を備え、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出される、装置。
【請求項２】
１つ以上の透明導電層が、前記ＩＩＩ族窒化物層に電気的に接続するように配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
１つ以上の電流拡散層が、前記ＩＩＩ族窒化物層上に成膜され、前記透明導電層は、該電流拡散層上に成膜される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
鏡面または鏡面付き表面が、内部反射を最小化するために前記層から排除されることにより、前記活性領域による前記光の再吸収を最小化する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上のものの表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
リードフレームは、前記ＩＩＩ族窒化物層を支持し、該ＩＩＩ族窒化物層は、該リードフレームにおける透明板上に存在し、該ＩＩＩ族窒化物層から放射される前記光は、該リードフレームにおける該透明板を通って伝送される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、成形光学素子に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられ、前記光は、該成形光学素子に入って、その後抽出される前に、該ＩＩＩ族窒化物層の１つ以上の表面から抽出される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記成形光学素子に入る前記光の少なくとも一部分は、臨界角内に存在し、かつ抽出される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記成形光学素子の１つ以上の表面を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記成形光学素子は、蛍光体層を含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記蛍光体層の１つ以上の表面を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記成形光学素子は、逆円錐形状である、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
前記ＩＩＩ族窒化物層が、前記逆円錐形状内に配置されることにより、前記逆円錐形状の側壁によって前記光が反射される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ族窒化物層を被覆する絶縁層が部分的に除去され、導電層が、該ＩＩＩ族窒化物層と電気接触するために、該絶縁層の表面における孔または凹部の中に成膜される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、前記透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、該透明な基板またはサブマウントを通って抽出される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記透明な基板またはサブマウントは、導電性である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、前記透明基板とウエハボンディングされる、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料は、導電性である、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
発光装置を作製する方法であって、
光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を形成することであって、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出される、ことを含む、方法。
【請求項１】
発光装置であって、
光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を備え、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出される、装置。
【請求項２】
１つ以上の透明導電層が、前記ＩＩＩ族窒化物層に電気的に接続するように配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
１つ以上の電流拡散層が、前記ＩＩＩ族窒化物層上に成膜され、前記透明導電層は、該電流拡散層上に成膜される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
鏡面または鏡面付き表面が、内部反射を最小化するために前記層から排除されることにより、前記活性領域による前記光の再吸収を最小化する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族窒化物層のうちの１つ以上のものの表面を、粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
リードフレームは、前記ＩＩＩ族窒化物層を支持し、該ＩＩＩ族窒化物層は、該リードフレームにおける透明板上に存在し、該ＩＩＩ族窒化物層から放射される前記光は、該リードフレームにおける該透明板を通って伝送される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、成形光学素子に埋め込まれるか、またはそれと組み合わせられ、前記光は、該成形光学素子に入って、その後抽出される前に、該ＩＩＩ族窒化物層の１つ以上の表面から抽出される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記成形光学素子に入る前記光の少なくとも一部分は、臨界角内に存在し、かつ抽出される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記成形光学素子の１つ以上の表面を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記成形光学素子は、蛍光体層を含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記蛍光体層の１つ以上の表面を粗面化、テクスチャ化、パターン化、または成形化して、光抽出を増強する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記成形光学素子は、逆円錐形状である、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
前記ＩＩＩ族窒化物層が、前記逆円錐形状内に配置されることにより、前記逆円錐形状の側壁によって前記光が反射される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ族窒化物層を被覆する絶縁層が部分的に除去され、導電層が、該ＩＩＩ族窒化物層と電気接触するために、該絶縁層の表面における孔または凹部の中に成膜される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウント上に存在する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、前記透明な基板またはサブマウントにウエハボンディングされ、光は、該透明な基板またはサブマウントを通って抽出される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記透明な基板またはサブマウントは、導電性である、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料を使用して、前記透明基板とウエハボンディングされる、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記透明接着剤、透明エポキシ、または他の透明材料は、導電性である、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
発光装置を作製する方法であって、
光を放射する活性領域を含む複数のＩＩＩ族窒化物層を形成することであって、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出される、ことを含む、方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０Ａ】
【図１０Ｂ】
【図１１】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５Ａ】
【図１５Ｂ】
【図１６】
【図１７】
【図１８Ａ】
【図１８Ｂ】
【図１９Ａ】
【図１９Ｂ】
【図２０Ａ】
【図２０Ｂ】
【図２１Ａ】
【図２１Ｂ】
【図２２Ａ】
【図２２Ｂ】
【公表番号】特表２０１０−５１２６６２（Ｐ２０１０−５１２６６２Ａ）
【公表日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５４１３３９（Ｐ２００９−５４１３３９）
【出願日】平成１９年１２月１１日（２００７．１２．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２５２７８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０７３４００
【国際公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【出願人】（５９２１３０６９９）ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア (364)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｅ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年４月２２日（２０１０．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１１日（２００７．１２．１１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００７／０２５２７８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０７３４００
【国際公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【出願人】（５９２１３０６９９）ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア (364)
【氏名又は名称原語表記】Ｔｈｅ Ｒｅｇｅｎｔｓ ｏｆ Ｔｈｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ
【Ｆターム（参考）】
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