通信機器
【課題】アンテナとの間に生じる結合容量を抑制して、アンテナの特性を向上させた通信機器を提供する。
【解決手段】アンテナと、半導体チップと、第１〜第４の配線が形成された半導体チップを実装する基板と、を備え、基板は、第１〜第４の基板主面電極及び第１〜第４の基板裏面電極を有し、第１〜第３の配線のうちの少なくとも一つが、板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、前記第４の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、アンテナは、半導体チップの中央部から、半導体チップの四隅うちの一の隅または半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、めっき用延長配線は、一の隅、または一の辺以外の隅または辺で、第１〜第３の配線を基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする。
【解決手段】アンテナと、半導体チップと、第１〜第４の配線が形成された半導体チップを実装する基板と、を備え、基板は、第１〜第４の基板主面電極及び第１〜第４の基板裏面電極を有し、第１〜第３の配線のうちの少なくとも一つが、板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、前記第４の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、アンテナは、半導体チップの中央部から、半導体チップの四隅うちの一の隅または半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、めっき用延長配線は、一の隅、または一の辺以外の隅または辺で、第１〜第３の配線を基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明に関する実施形態は、アンテナが半導体パッケージ内に内蔵された通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
６０ＧＨｚ程度の高周波帯域を動作周波数とする通信機器は、アンテナ、アンテナとの間で高周波信号を入出力する半導体チップ、半導体チップを実装する実装基板等を備えている。アンテナは、通常、半導体チップや実装基板上に形成されており、これらアンテナ、半導体チップ及び実装基板は、樹脂やセラミックなどによりパッケージ化されている。例えば、アンテナを半導体チップの実装基板上に形成し、これらアンテナ、半導体チップ及び実装基板をパッケージ化したものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５２２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記通信機器の実装基板には、半導体チップと、外部の機器やグランドとを接続するための種々の信号配線やグランド線が形成されている。これら信号配線は、電解めっきにより形成される。このため、各信号配線は、実装基板の端縁部まで延長されている。これら延長配線は、信号配線をめっきにより形成する際には必要であるが、信号配線を形成したあとは不要であり、コストの観点から、通常、これら延長配線は実装基板上に残したままである。しかしながら、高周波帯域では、アンテナに隣接する配線等との結合容量が大きく、アンテナとこれら延長配線との間での結合容量により、アンテナの特性が劣化するという問題が生じる。
【０００５】
本発明の実施形態は、かかる従来の問題を解消するためになされたもので、アンテナとの間に生じる結合容量を抑制して、アンテナの特性を向上させた通信機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る通信機器は、高周波信号を送受信するアンテナと、高周波信号を処理する矩形状の半導体チップと、グラウンドに接続される第１の配線、半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成され、半導体チップを実装する基板と、を備え、基板は、半導体実装面である基板主面に第１ないし第４の配線の先端に形成され、第１ないし第４の配線を半導体チップへ接続するための第１ないし第４の基板主面電極及び半導体実装面と逆の基板裏面に第１ないし第４の配線の先端に形成され、第１ないし第４の配線を外部装置へ接続するための第１ないし第４の基板裏面電極をさらに有し、第１ないし第３の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、第４の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、アンテナは、半導体チップの中央部から、半導体チップの四隅うちの一の隅または半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、めっき用延長配線は、一の隅、または一の辺以外の隅または辺で、第１ないし第３の配線を基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体チップの回路構成図である。
【図３】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図４】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図５】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図６】第２の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図７】第２の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図８】第３の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図９】第４の実施形態に係る通信機器の裏面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る通信機器の裏面図である。
【図１１】第５の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図１２】第５の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図１３】第６の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図１４】第６の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る通信機器１の断面透視図である。図２は、第１の実施形態に係る半導体チップ２０の回路構成図である。図３〜図５は、第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。以下、図１〜図５を参照して、この第１の実施形態に係る通信機器１について説明する。
【０００９】
第１の実施形態に係る通信機器１は、アンテナ１０を備えた半導体チップ２０と、半導体チップ２０を実装するための実装基板３０とを備え、半導体チップ２０が封止樹脂４０により封止された構造を有する。半導体チップ２０は、半導体チップ２０の上面と隙間ができるようにして半導体チップ２０を覆うキャップ部品で封止してもよい。以下の説明では、半導体チップ２０が実装される側を実装基板の表面とする。
【００１０】
アンテナ１０は、半導体チップ２０内に形成されており、数ＧＨｚから数十ＧＨｚを動作周波数とする。
【００１１】
半導体チップ２０は、半田等のマウント材５０で実装基板３０の表面上に接合される。また、半導体チップ２０に形成されている信号入出力用の電極２１は、ボンディングワイヤ６０で実装基板３０上の表面配線３１と接続される。
【００１２】
図２に示すように、半導体チップ２０には、アンテナ１０、高周波回路２０１、ＩＦ（intermediate frequency）帯回路２０２及びＢＢ（base band）信号処理回路２０３が形成され、各々電源ライン２０４及びグランドライン２０５に接続されている。高周波回路２０１は、アンテナからの高周波信号を受信する。ＩＦ帯回路２０２は、受信した高周波信号を中間周波数の信号に変換する。ＢＢ信号処理回路２０３は、中間周波数に変換された信号をさらにベースバンド周波数に変換する。
【００１３】
これら、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３は、半導体チップ２０に形成されている電極２１に信号入出力用配線（Ｉ／Ｏ（input/output）配線）を介して接続されている。また、電源ライン２０４及びグランドライン２０５も電極２１に接続されている。また、半導体チップ２０には、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３を保護するための素子（例えば、Ｆｕｓｅやダイオード等）が形成されており、これら回路保護用素子も半導体チップ２０に形成されている電極２１と信号入出力用配線（Ｉ／Ｏ配線）を介して接続されている。
【００１４】
実装基板３０は、グラウンドに接続される第１の配線、前記半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および前記半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成されている。また、半導体チップ２０が表面中央部に実装されている。
【００１５】
具体的には、実装基板３０は、金属配線である表面配線３１及び裏面配線３３と、スルーホール３２ａを有する誘電体３２等を具備する。スルーホール３２ａの表面は、導電体で被覆されており、表面配線３１と裏面配線３３とを電気的に接続する。裏面配線３３は、スルーホール３２ａとＢＧＡ（ball grid array）３４とを電気的に接続する。ここで、表面配線３１、裏面配線３３及びスルーホール３２ａは、上記第１ないし第４の配線を構成する。実装基板３０は、例えば、ＦＲ４等のプリント配線基板（ガラスエポキシシート）である。実装基板３０の材料として、ＦＲ４以外にも、テフロン（登録商標）及び樹脂や、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを使用してもよい。
【００１６】
図３及び図４は、第１の実施形態に係る通信機器１の上面透過図であり、実装基板３０の裏面に形成されている裏面配線３３及びＢＧＡ３４も図示している。図３及び図４では、実装基板３０の表面に形成されている表面配線３１は実線で、実装基板３０の裏面に形成されている裏面配線３３及びＢＧＡ３４は破線で示している。なお、表面配線３１は、ボンディングワイヤ６０が接続される電極３１ａ及びめっき配線３１ｂから構成される。
【００１７】
この第１の実施形態では、表面配線３１及び裏面配線３３を電解めっきにより形成している。すなわち、表面配線３１及び裏面配線３３を形成する際には、表面配線３１及び裏面配線３３を形成するためのシード配線を実装基板３０の基板端縁部まで延長して形成した後、電解めっきを行い表面配線３１及び裏面配線３３を形成している。その後、アンテナ１０に隣接する延長配線３３ｂを除去している。これらアンテナ１０に隣接する延長配線３３ｂを除去しておかないと、アンテナ１０とこれら延長配線３３ｂとの間での結合容量により、アンテナ１０の特性が劣化してしまうためである。
【００１８】
なお、延長配線３３ｂは、半導体チップ２０のグランドライン２０５（第１の配線）、電源ライン２０４（第２の配線）もしくは回路保護用素子のＩ／Ｏ配線に接続された裏面配線３３（第３の配線）の延長配線３３ｂのうち、少なくとも一つを残すようにする。高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３のＩ／Ｏ配線に接続された裏面配線３３（第４の配線）の延長配線３３ｂを残した場合、延長配線３３ｂが、このＩ／Ｏ配線と静電結合し、Ｉ／Ｏ配線を流れる信号に悪影響を及ぼすためである。
【００１９】
なお、３３ｂを残す理由は、残した延長配線が、電界めっき時の電極と基板上のパターンとを電気的に接続する役割、および、半藤チップ上の電極と基板上の半導体チップ用電極とを接続する工程時に半導体チップ上の能動素子が静電破壊により壊れることを防ぐ世役割を果たす為である。
【００２０】
また、半導体チップ２０の電極２１から延長配線３３ｂまでを含む配線の長さは、アンテナ１０の動作波長の半分の整数倍とならないように留意する。半導体チップ２０の電極２１から延長配線３３ｂまでを含む配線の長さを、アンテナ１０の動作波長の半分の整数倍とした場合、アンテナ１０と共振してしまい、アンテナ１０に悪影響を与え、アンテナ１０の特性を劣化させるためである。
【００２１】
図３に示した例では、実装基板３０を表面側から見て、アンテナ１０が半導体チップ２０の下側（辺２０ａ）に偏在して形成されている。このため、図３では、半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー（隅）近傍の辺２０ｂ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残している。すなわち、図３に示した例では、アンテナ１０が偏在して形成されている辺２０ａから最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つを残している。
【００２２】
図４では、半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍の辺２０ｃ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残している。また、半導体チップの辺２０ｃの近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すようにしてもよいし、半導体チップ２０の辺２０ｃと辺２０ｄとのコーナー近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すようにしてもよい。
【００２３】
なお、図５に示すように、除去対象である延長配線３３ｂ（半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍の辺２０ｃ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂ以外の延長配線３３ｂは、一部が残った状態であっても構わない。
【００２４】
図５に示した例では、延長配線３３ｂの残った部分は、ＢＧＡ３４と電気的に接続した状態となっているが、信号の経路である半導体チップ２０の電極２１とＢＧＡ３４との間には存在しない。このため、延長配線３３ｂの一部が残った状態であっても、アンテナ１０へ与える影響が少ない。
【００２５】
以上のように、この第１の実施形態に係る通信機器１は、表面配線３１及び裏面配線３３を形成する際に必要な延長配線３３ｂのうち、アンテナ１０の近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。また、半導体チップ２０に、通信に必要な全ての構成（アンテナ１０、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３）を形成しているので、安価で小型の通信機器１が得られる。さらに、延長配線３３ｂによる不要な輻射を抑制できるので、この不要輻射による半導体チップ２０内の回路への悪影響を抑制することができる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図６及び図７は、第２の実施形態に係る通信機器２の上面透過図である。以下、図６及び図７を参照して、第２の実施形態に係る通信機器２の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２７】
第１の実施形態に係る通信機器１では、アンテナ１０が半導体チップ２０の辺２０ａに沿って形成されていたが、この第２の実施形態の図６に示す例では、半導体チップ２０Ａの辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）のアンテナ１０Ａを偏在して形成している。また、アンテナ１０Ａが偏在して形成されている辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）から最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つである、半導体チップ２０Ａの辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー（隅）近傍に形成された電極２１に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残し、その他の延長配線３３ｂを除去している。また、図７に示す例では、半導体チップ２０Ａの辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）にアンテナ１０Ａを偏在して形成している。
【００２８】
また、図７に示す例では、アンテナ１０Ａが偏在して形成されたコーナーの対角となる辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すことになる。このため、図６の例に比べ、アンテナ１０Ａと延長配線３３ｂとの距離が長くなり、アンテナ１０Ａと延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制する効果が強くなる。その他の効果は第１の実施形態に係る通信機器１の効果と同じである。
【００２９】
以上のように、この第２の実施形態に係る通信機器２は、第１の実施形態に係る通信機器１と同様に、アンテナ１０Ａの近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る通信機器３の上面透過図である。以下、図８を参照して、第３の実施形態に係る通信機器３の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３１】
第１の実施形態に係る通信機器１では、アンテナ１０が半導体チップ２０に形成されていたが、この第３の実施形態では、アンテナ１０Ｂを実装基板３０上に形成している点が異なる。この第３の実施形態でも、第１の実施形態に係る通信機器１と同様に、アンテナ１０Ｂが偏在して形成されている辺２０ａから最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つである延長配線３３ｂを残し、アンテナ１０Ｂの近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１の効果と同じである。
【００３２】
（第４の実施形態）
図９，１０は、第４の実施形態に係る通信機器４の裏面図である。以下、図９，１０を参照して、第４の実施形態に係る通信機器４の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。なお、図９，１０には、実装基板３０の表面に実装されている半導体チップ２０を破線で図示した。
【００３３】
図９，１０に示すように、通信機器４の実装基板３０の裏面には、複数のＢＧＡ３４が配置されている。これら複数のＢＧＡ３４は、伝達する信号の種類により、高周波帯（ＲＦ帯）信号用ＢＧＡ３４ａ、ＩＦ帯信号用ＢＧＡ３４ｂ、ＢＢ帯信号用ＢＧＡ３４ｃ、電源ライン用ＢＧＡ３４ｄ、グランドライン用ＢＧＡ３４ｅの５つのグループに分類することができる。
【００３４】
この第４の実施形態に係る通信機器４では、これら５つのグループのうち、高周波帯信号用ＢＧＡ３４ａを実装基板３０の最外周側、すなわち半導体チップ２０から遠い位置に配置し、電源ライン用ＢＧＡ３４ｄ及びグランドライン用ＢＧＡ３４ｅの少なくとも一部を実装基板３０の最内周側、すなわち半導体チップ２０から近い位置に配置している。
【００３５】
また、図１０に示すように、ＩＱ信号や差動信号のペアは、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４までの距離が略同じとなるようなＢＧＡ３４を接続先として選択するとよい。このようにすれば、信号配線長の違いから生じる遅延を抑制することができる。
【００３６】
以上のようにＢＧＡ３４を配置することにより、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４を通過する高周波信号によるアンテナ１０への影響を効果的に低減することができる。また、図１０に示すように、ＩＱ信号や差動信号のペアは、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４までの距離が略同じとなるようなＢＧＡ３４を接続先として選択することで、信号配線長の違いから生じる遅延を抑制することができる。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１と同じである。
【００３７】
（第５の実施形態）
図１１は、第５の実施形態に係る通信機器５の断面透視図である。図１２は、第５の実施形態に係る通信機器５の上面透過図である。以下、図１１及び図１２を参照して、第５の実施形態に係る通信機器５の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
第５の実施形態では、実装基板３０の裏面に、ＢＧＡ３４の代わりにＬＧＡ（land grid array）を具備している点が図１に示す第１の実施形態に係る通信機器１と異なる。ＬＧＡとは、ＢＧＡのはんだボールの代わりに平面電極パッドを格子状に並べたものである。ＬＧＡの特徴として、銅と比べて抵抗が高いはんだを使っていない、面接触であるので電力密度が高い、構造が単純なので物理的強度が高い、などの特性を有する。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１と同じである。
【００３９】
（第６の実施形態）
図１３は、第６の実施形態に係る通信機器６の断面透視図である。図１４は、第６の実施形態に係る通信機器６の上面透過図である。以下、図１３及び図１４を参照して、第６の実施形態に係る通信機器６の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
この第６の実施形態に係る通信機器６では、半導体チップ２０の裏面に電極２２を具備する、いわゆるバンプ構造とし、この電極２２と実装基板３０の表面に設けられた電極３１ａとを接続している点が、第１の実施形態に係る通信機器１と異なる。この第６の実施形態に係る通信機器６によれば、ボンディングワイヤ６０が不要となるので、ボンディングワイヤ６０による高周波特性の劣化を抑制することができる。また、半導体チップ２０の裏面に電極２２を具備するバンプ構造とすることにより通信機器６のサイズをさらに小型化できる。
【００４１】
（その他の実施形態）
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４２】
例えば、ＢＧＡ３４やＬＧＡ３５以外にも、下部電極をノッチ電極、導波管構造の電極、電磁界結合を利用した電極などと置き換えるようにしてもよい。また、第２〜第４の実施形態に係る通信機器２〜４が具備するＢＧＡ３４をＬＧＡ３５やノッチ電極、導波管構造の電極、電磁界結合を利用した電極などと置き換えるようにしてもよい。また、無線機以外にも、レーダ、センサー等に対して適用してもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１…通信機器、１０…アンテナ、２０…半導体チップ、２１…電極、２２…電極、３０…実装基板、３１…表面配線、３２…誘電体、３２ａ…スルーホール、３３…裏面配線、３４…ＢＧＡ、３５…ＬＧＡ、４０…封止樹脂、５０…マウント材、６０…ボンディングワイヤ、２０１…高周波回路、２０２…ＩＦ帯回路、２０３…ＢＢ信号処理回路、２０４…電源ライン、２０５…グランドライン。
【技術分野】
【０００１】
本発明に関する実施形態は、アンテナが半導体パッケージ内に内蔵された通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
６０ＧＨｚ程度の高周波帯域を動作周波数とする通信機器は、アンテナ、アンテナとの間で高周波信号を入出力する半導体チップ、半導体チップを実装する実装基板等を備えている。アンテナは、通常、半導体チップや実装基板上に形成されており、これらアンテナ、半導体チップ及び実装基板は、樹脂やセラミックなどによりパッケージ化されている。例えば、アンテナを半導体チップの実装基板上に形成し、これらアンテナ、半導体チップ及び実装基板をパッケージ化したものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２５２２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記通信機器の実装基板には、半導体チップと、外部の機器やグランドとを接続するための種々の信号配線やグランド線が形成されている。これら信号配線は、電解めっきにより形成される。このため、各信号配線は、実装基板の端縁部まで延長されている。これら延長配線は、信号配線をめっきにより形成する際には必要であるが、信号配線を形成したあとは不要であり、コストの観点から、通常、これら延長配線は実装基板上に残したままである。しかしながら、高周波帯域では、アンテナに隣接する配線等との結合容量が大きく、アンテナとこれら延長配線との間での結合容量により、アンテナの特性が劣化するという問題が生じる。
【０００５】
本発明の実施形態は、かかる従来の問題を解消するためになされたもので、アンテナとの間に生じる結合容量を抑制して、アンテナの特性を向上させた通信機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る通信機器は、高周波信号を送受信するアンテナと、高周波信号を処理する矩形状の半導体チップと、グラウンドに接続される第１の配線、半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成され、半導体チップを実装する基板と、を備え、基板は、半導体実装面である基板主面に第１ないし第４の配線の先端に形成され、第１ないし第４の配線を半導体チップへ接続するための第１ないし第４の基板主面電極及び半導体実装面と逆の基板裏面に第１ないし第４の配線の先端に形成され、第１ないし第４の配線を外部装置へ接続するための第１ないし第４の基板裏面電極をさらに有し、第１ないし第３の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、第４の配線のうちの少なくとも一つが、基板端縁部まで延長して形成されためっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、アンテナは、半導体チップの中央部から、半導体チップの四隅うちの一の隅または半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、めっき用延長配線は、一の隅、または一の辺以外の隅または辺で、第１ないし第３の配線を基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体チップの回路構成図である。
【図３】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図４】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図５】第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図６】第２の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図７】第２の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図８】第３の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図９】第４の実施形態に係る通信機器の裏面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る通信機器の裏面図である。
【図１１】第５の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図１２】第５の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【図１３】第６の実施形態に係る通信機器の断面透視図である。
【図１４】第６の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る通信機器１の断面透視図である。図２は、第１の実施形態に係る半導体チップ２０の回路構成図である。図３〜図５は、第１の実施形態に係る通信機器の上面透過図である。以下、図１〜図５を参照して、この第１の実施形態に係る通信機器１について説明する。
【０００９】
第１の実施形態に係る通信機器１は、アンテナ１０を備えた半導体チップ２０と、半導体チップ２０を実装するための実装基板３０とを備え、半導体チップ２０が封止樹脂４０により封止された構造を有する。半導体チップ２０は、半導体チップ２０の上面と隙間ができるようにして半導体チップ２０を覆うキャップ部品で封止してもよい。以下の説明では、半導体チップ２０が実装される側を実装基板の表面とする。
【００１０】
アンテナ１０は、半導体チップ２０内に形成されており、数ＧＨｚから数十ＧＨｚを動作周波数とする。
【００１１】
半導体チップ２０は、半田等のマウント材５０で実装基板３０の表面上に接合される。また、半導体チップ２０に形成されている信号入出力用の電極２１は、ボンディングワイヤ６０で実装基板３０上の表面配線３１と接続される。
【００１２】
図２に示すように、半導体チップ２０には、アンテナ１０、高周波回路２０１、ＩＦ（intermediate frequency）帯回路２０２及びＢＢ（base band）信号処理回路２０３が形成され、各々電源ライン２０４及びグランドライン２０５に接続されている。高周波回路２０１は、アンテナからの高周波信号を受信する。ＩＦ帯回路２０２は、受信した高周波信号を中間周波数の信号に変換する。ＢＢ信号処理回路２０３は、中間周波数に変換された信号をさらにベースバンド周波数に変換する。
【００１３】
これら、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３は、半導体チップ２０に形成されている電極２１に信号入出力用配線（Ｉ／Ｏ（input/output）配線）を介して接続されている。また、電源ライン２０４及びグランドライン２０５も電極２１に接続されている。また、半導体チップ２０には、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３を保護するための素子（例えば、Ｆｕｓｅやダイオード等）が形成されており、これら回路保護用素子も半導体チップ２０に形成されている電極２１と信号入出力用配線（Ｉ／Ｏ配線）を介して接続されている。
【００１４】
実装基板３０は、グラウンドに接続される第１の配線、前記半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および前記半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成されている。また、半導体チップ２０が表面中央部に実装されている。
【００１５】
具体的には、実装基板３０は、金属配線である表面配線３１及び裏面配線３３と、スルーホール３２ａを有する誘電体３２等を具備する。スルーホール３２ａの表面は、導電体で被覆されており、表面配線３１と裏面配線３３とを電気的に接続する。裏面配線３３は、スルーホール３２ａとＢＧＡ（ball grid array）３４とを電気的に接続する。ここで、表面配線３１、裏面配線３３及びスルーホール３２ａは、上記第１ないし第４の配線を構成する。実装基板３０は、例えば、ＦＲ４等のプリント配線基板（ガラスエポキシシート）である。実装基板３０の材料として、ＦＲ４以外にも、テフロン（登録商標）及び樹脂や、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを使用してもよい。
【００１６】
図３及び図４は、第１の実施形態に係る通信機器１の上面透過図であり、実装基板３０の裏面に形成されている裏面配線３３及びＢＧＡ３４も図示している。図３及び図４では、実装基板３０の表面に形成されている表面配線３１は実線で、実装基板３０の裏面に形成されている裏面配線３３及びＢＧＡ３４は破線で示している。なお、表面配線３１は、ボンディングワイヤ６０が接続される電極３１ａ及びめっき配線３１ｂから構成される。
【００１７】
この第１の実施形態では、表面配線３１及び裏面配線３３を電解めっきにより形成している。すなわち、表面配線３１及び裏面配線３３を形成する際には、表面配線３１及び裏面配線３３を形成するためのシード配線を実装基板３０の基板端縁部まで延長して形成した後、電解めっきを行い表面配線３１及び裏面配線３３を形成している。その後、アンテナ１０に隣接する延長配線３３ｂを除去している。これらアンテナ１０に隣接する延長配線３３ｂを除去しておかないと、アンテナ１０とこれら延長配線３３ｂとの間での結合容量により、アンテナ１０の特性が劣化してしまうためである。
【００１８】
なお、延長配線３３ｂは、半導体チップ２０のグランドライン２０５（第１の配線）、電源ライン２０４（第２の配線）もしくは回路保護用素子のＩ／Ｏ配線に接続された裏面配線３３（第３の配線）の延長配線３３ｂのうち、少なくとも一つを残すようにする。高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３のＩ／Ｏ配線に接続された裏面配線３３（第４の配線）の延長配線３３ｂを残した場合、延長配線３３ｂが、このＩ／Ｏ配線と静電結合し、Ｉ／Ｏ配線を流れる信号に悪影響を及ぼすためである。
【００１９】
なお、３３ｂを残す理由は、残した延長配線が、電界めっき時の電極と基板上のパターンとを電気的に接続する役割、および、半藤チップ上の電極と基板上の半導体チップ用電極とを接続する工程時に半導体チップ上の能動素子が静電破壊により壊れることを防ぐ世役割を果たす為である。
【００２０】
また、半導体チップ２０の電極２１から延長配線３３ｂまでを含む配線の長さは、アンテナ１０の動作波長の半分の整数倍とならないように留意する。半導体チップ２０の電極２１から延長配線３３ｂまでを含む配線の長さを、アンテナ１０の動作波長の半分の整数倍とした場合、アンテナ１０と共振してしまい、アンテナ１０に悪影響を与え、アンテナ１０の特性を劣化させるためである。
【００２１】
図３に示した例では、実装基板３０を表面側から見て、アンテナ１０が半導体チップ２０の下側（辺２０ａ）に偏在して形成されている。このため、図３では、半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー（隅）近傍の辺２０ｂ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残している。すなわち、図３に示した例では、アンテナ１０が偏在して形成されている辺２０ａから最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つを残している。
【００２２】
図４では、半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍の辺２０ｃ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残している。また、半導体チップの辺２０ｃの近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すようにしてもよいし、半導体チップ２０の辺２０ｃと辺２０ｄとのコーナー近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すようにしてもよい。
【００２３】
なお、図５に示すように、除去対象である延長配線３３ｂ（半導体チップ２０の辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍の辺２０ｃ側に形成された電極２１と、表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂ以外の延長配線３３ｂは、一部が残った状態であっても構わない。
【００２４】
図５に示した例では、延長配線３３ｂの残った部分は、ＢＧＡ３４と電気的に接続した状態となっているが、信号の経路である半導体チップ２０の電極２１とＢＧＡ３４との間には存在しない。このため、延長配線３３ｂの一部が残った状態であっても、アンテナ１０へ与える影響が少ない。
【００２５】
以上のように、この第１の実施形態に係る通信機器１は、表面配線３１及び裏面配線３３を形成する際に必要な延長配線３３ｂのうち、アンテナ１０の近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。また、半導体チップ２０に、通信に必要な全ての構成（アンテナ１０、高周波回路２０１、ＩＦ帯回路２０２及びＢＢ信号処理回路２０３）を形成しているので、安価で小型の通信機器１が得られる。さらに、延長配線３３ｂによる不要な輻射を抑制できるので、この不要輻射による半導体チップ２０内の回路への悪影響を抑制することができる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図６及び図７は、第２の実施形態に係る通信機器２の上面透過図である。以下、図６及び図７を参照して、第２の実施形態に係る通信機器２の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２７】
第１の実施形態に係る通信機器１では、アンテナ１０が半導体チップ２０の辺２０ａに沿って形成されていたが、この第２の実施形態の図６に示す例では、半導体チップ２０Ａの辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）のアンテナ１０Ａを偏在して形成している。また、アンテナ１０Ａが偏在して形成されている辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）から最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つである、半導体チップ２０Ａの辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー（隅）近傍に形成された電極２１に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残し、その他の延長配線３３ｂを除去している。また、図７に示す例では、半導体チップ２０Ａの辺２０ａと辺２０ｂとのコーナー（隅）にアンテナ１０Ａを偏在して形成している。
【００２８】
また、図７に示す例では、アンテナ１０Ａが偏在して形成されたコーナーの対角となる辺２０ｂと辺２０ｃとのコーナー近傍に形成された電極２１と表面配線３１及びスルーホール３２ａを介して接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを残すことになる。このため、図６の例に比べ、アンテナ１０Ａと延長配線３３ｂとの距離が長くなり、アンテナ１０Ａと延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制する効果が強くなる。その他の効果は第１の実施形態に係る通信機器１の効果と同じである。
【００２９】
以上のように、この第２の実施形態に係る通信機器２は、第１の実施形態に係る通信機器１と同様に、アンテナ１０Ａの近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る通信機器３の上面透過図である。以下、図８を参照して、第３の実施形態に係る通信機器３の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３１】
第１の実施形態に係る通信機器１では、アンテナ１０が半導体チップ２０に形成されていたが、この第３の実施形態では、アンテナ１０Ｂを実装基板３０上に形成している点が異なる。この第３の実施形態でも、第１の実施形態に係る通信機器１と同様に、アンテナ１０Ｂが偏在して形成されている辺２０ａから最も遠い延長配線３３ｂのうちの一つである延長配線３３ｂを残し、アンテナ１０Ｂの近傍に形成された電極２１と電気的に接続された裏面配線３３の延長配線３３ｂを除去している。このため、アンテナ１０と延長配線３３ｂとの間での結合容量によるアンテナ１０の特性劣化を抑制することができる。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１の効果と同じである。
【００３２】
（第４の実施形態）
図９，１０は、第４の実施形態に係る通信機器４の裏面図である。以下、図９，１０を参照して、第４の実施形態に係る通信機器４の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。なお、図９，１０には、実装基板３０の表面に実装されている半導体チップ２０を破線で図示した。
【００３３】
図９，１０に示すように、通信機器４の実装基板３０の裏面には、複数のＢＧＡ３４が配置されている。これら複数のＢＧＡ３４は、伝達する信号の種類により、高周波帯（ＲＦ帯）信号用ＢＧＡ３４ａ、ＩＦ帯信号用ＢＧＡ３４ｂ、ＢＢ帯信号用ＢＧＡ３４ｃ、電源ライン用ＢＧＡ３４ｄ、グランドライン用ＢＧＡ３４ｅの５つのグループに分類することができる。
【００３４】
この第４の実施形態に係る通信機器４では、これら５つのグループのうち、高周波帯信号用ＢＧＡ３４ａを実装基板３０の最外周側、すなわち半導体チップ２０から遠い位置に配置し、電源ライン用ＢＧＡ３４ｄ及びグランドライン用ＢＧＡ３４ｅの少なくとも一部を実装基板３０の最内周側、すなわち半導体チップ２０から近い位置に配置している。
【００３５】
また、図１０に示すように、ＩＱ信号や差動信号のペアは、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４までの距離が略同じとなるようなＢＧＡ３４を接続先として選択するとよい。このようにすれば、信号配線長の違いから生じる遅延を抑制することができる。
【００３６】
以上のようにＢＧＡ３４を配置することにより、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４を通過する高周波信号によるアンテナ１０への影響を効果的に低減することができる。また、図１０に示すように、ＩＱ信号や差動信号のペアは、半導体チップ２０の電極２１からＢＧＡ３４までの距離が略同じとなるようなＢＧＡ３４を接続先として選択することで、信号配線長の違いから生じる遅延を抑制することができる。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１と同じである。
【００３７】
（第５の実施形態）
図１１は、第５の実施形態に係る通信機器５の断面透視図である。図１２は、第５の実施形態に係る通信機器５の上面透過図である。以下、図１１及び図１２を参照して、第５の実施形態に係る通信機器５の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
第５の実施形態では、実装基板３０の裏面に、ＢＧＡ３４の代わりにＬＧＡ（land grid array）を具備している点が図１に示す第１の実施形態に係る通信機器１と異なる。ＬＧＡとは、ＢＧＡのはんだボールの代わりに平面電極パッドを格子状に並べたものである。ＬＧＡの特徴として、銅と比べて抵抗が高いはんだを使っていない、面接触であるので電力密度が高い、構造が単純なので物理的強度が高い、などの特性を有する。その他の効果は、第１の実施形態に係る通信機器１と同じである。
【００３９】
（第６の実施形態）
図１３は、第６の実施形態に係る通信機器６の断面透視図である。図１４は、第６の実施形態に係る通信機器６の上面透過図である。以下、図１３及び図１４を参照して、第６の実施形態に係る通信機器６の構成について説明するが、図１で説明した構成と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
この第６の実施形態に係る通信機器６では、半導体チップ２０の裏面に電極２２を具備する、いわゆるバンプ構造とし、この電極２２と実装基板３０の表面に設けられた電極３１ａとを接続している点が、第１の実施形態に係る通信機器１と異なる。この第６の実施形態に係る通信機器６によれば、ボンディングワイヤ６０が不要となるので、ボンディングワイヤ６０による高周波特性の劣化を抑制することができる。また、半導体チップ２０の裏面に電極２２を具備するバンプ構造とすることにより通信機器６のサイズをさらに小型化できる。
【００４１】
（その他の実施形態）
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４２】
例えば、ＢＧＡ３４やＬＧＡ３５以外にも、下部電極をノッチ電極、導波管構造の電極、電磁界結合を利用した電極などと置き換えるようにしてもよい。また、第２〜第４の実施形態に係る通信機器２〜４が具備するＢＧＡ３４をＬＧＡ３５やノッチ電極、導波管構造の電極、電磁界結合を利用した電極などと置き換えるようにしてもよい。また、無線機以外にも、レーダ、センサー等に対して適用してもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１…通信機器、１０…アンテナ、２０…半導体チップ、２１…電極、２２…電極、３０…実装基板、３１…表面配線、３２…誘電体、３２ａ…スルーホール、３３…裏面配線、３４…ＢＧＡ、３５…ＬＧＡ、４０…封止樹脂、５０…マウント材、６０…ボンディングワイヤ、２０１…高周波回路、２０２…ＩＦ帯回路、２０３…ＢＢ信号処理回路、２０４…電源ライン、２０５…グランドライン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を送受信するアンテナと、
前記高周波信号を処理する矩形状の半導体チップと、
グラウンドに接続される第１の配線、前記半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および前記半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成され、前記半導体チップを実装する基板と、
を備え、
前記基板は、半導体実装面である基板主面に前記第１ないし第４の配線の先端に形成され、前記第１ないし第４の配線を半導体チップへ接続するための第１ないし第４の基板主面電極及び半導体実装面と逆の基板裏面に前記第１ないし第４の配線の先端に形成され、前記第１ないし第４の配線を外部装置へ接続するための第１ないし第４の基板裏面電極をさらに有し、
前記第１ないし第３の配線のうちの少なくとも一つが、前記基板端縁部まで延長して形成された前記めっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、前記第４の配線のうちの少なくとも一つが、前記基板端縁部まで延長して形成された前記めっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、
前記アンテナは、前記半導体チップの中央部から、前記半導体チップの四隅うちの一の隅または前記半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の隅、または前記一の辺以外の隅または辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする通信機器。
【請求項２】
前記アンテナは、前記半導体チップの中央部から、前記半導体チップの四隅うちの一の隅または前記半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の隅、または前記一の辺から最も遠い対向した隅または辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする請求項１記載の通信機器。
【請求項３】
前記アンテナは、前記半導体チップの四辺のうちの一の辺の外側に配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の辺以外の辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする請求項１ないし２記載の通信機器。
【請求項４】
前記第１ないし第２の電極の少なくとも一つは、前記第４の電極よりも前記半導体チップに近い位置に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項５】
前記第４の配線のうち少なくとも１ペアはペアで差動信号を扱う配線であり、ペアとなる２つの配線長さが概ね等しいことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項６】
前記めっき延長線の長さ、又は、前記めっき用延長配線を含む前記第１ないし第４の配線の長さが、前記アンテナの動作波長の半波長の整数倍以外であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項７】
前記半導体チップには半導体チップのＩ／Ｏ電極が形成され、前記半導体チップのI/O電極と前記基板主面電極とはボンディングワイヤにより接続される構造であり、前記アンテナはボンディングワイヤを構造の一部とするアンテナであり、かつ前記半導体チップにおいてアンテナの動作波長を持つ信号の前記基板主面電極は、アンテナ向け電極のみであることを特徴とする、あるいは、半導体チップ上に形成されたオンチップ構造のアンテナであり、アンテナの動作波長を持つ信号の前記基板主面電極は無いことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項８】
前記電極は、ＢＧＡ電極又はＬＧＡ電極であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項１】
高周波信号を送受信するアンテナと、
前記高周波信号を処理する矩形状の半導体チップと、
グラウンドに接続される第１の配線、前記半導体チップへ電源を供給する第２の配線、半導体チップの保護素子に接続される第３の配線、および前記半導体チップからの信号を伝送する第４の配線がめっきにより形成され、前記半導体チップを実装する基板と、
を備え、
前記基板は、半導体実装面である基板主面に前記第１ないし第４の配線の先端に形成され、前記第１ないし第４の配線を半導体チップへ接続するための第１ないし第４の基板主面電極及び半導体実装面と逆の基板裏面に前記第１ないし第４の配線の先端に形成され、前記第１ないし第４の配線を外部装置へ接続するための第１ないし第４の基板裏面電極をさらに有し、
前記第１ないし第３の配線のうちの少なくとも一つが、前記基板端縁部まで延長して形成された前記めっき処理を行うためのめっき用延長配線を有し、前記第４の配線のうちの少なくとも一つが、前記基板端縁部まで延長して形成された前記めっき処理を行うためのめっき用延長配線を有さないことを特徴とし、
前記アンテナは、前記半導体チップの中央部から、前記半導体チップの四隅うちの一の隅または前記半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の隅、または前記一の辺以外の隅または辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする通信機器。
【請求項２】
前記アンテナは、前記半導体チップの中央部から、前記半導体チップの四隅うちの一の隅または前記半導体チップの四辺のうちの一の辺に偏在して配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の隅、または前記一の辺から最も遠い対向した隅または辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする請求項１記載の通信機器。
【請求項３】
前記アンテナは、前記半導体チップの四辺のうちの一の辺の外側に配設され、
前記めっき用延長配線は、前記一の辺以外の辺で、前記第１ないし第３の配線を前記基板端縁部まで延長して形成されていることを特徴とする請求項１ないし２記載の通信機器。
【請求項４】
前記第１ないし第２の電極の少なくとも一つは、前記第４の電極よりも前記半導体チップに近い位置に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項５】
前記第４の配線のうち少なくとも１ペアはペアで差動信号を扱う配線であり、ペアとなる２つの配線長さが概ね等しいことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項６】
前記めっき延長線の長さ、又は、前記めっき用延長配線を含む前記第１ないし第４の配線の長さが、前記アンテナの動作波長の半波長の整数倍以外であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項７】
前記半導体チップには半導体チップのＩ／Ｏ電極が形成され、前記半導体チップのI/O電極と前記基板主面電極とはボンディングワイヤにより接続される構造であり、前記アンテナはボンディングワイヤを構造の一部とするアンテナであり、かつ前記半導体チップにおいてアンテナの動作波長を持つ信号の前記基板主面電極は、アンテナ向け電極のみであることを特徴とする、あるいは、半導体チップ上に形成されたオンチップ構造のアンテナであり、アンテナの動作波長を持つ信号の前記基板主面電極は無いことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載の通信機器。
【請求項８】
前記電極は、ＢＧＡ電極又はＬＧＡ電極であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載の通信機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−７４８１４（Ｐ２０１２−７４８１４Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１６７１１（Ｐ２０１０−２１６７１１）
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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