配線回路基板およびその製造方法
【課題】接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の支持基板１０上に絶縁層４１が形成される。絶縁層４１上に書込用配線パターンおよび読取用配線パターンならびに電極パッド３１〜３４が形成される。電極パッド３１，３２は書込用配線パターンに接続される。電極パッド３３，３４は読取用配線パターンに接続される。電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域内の一部が除去されている。これにより、電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に、開口部１０ｈが形成される。
【解決手段】導電性の支持基板１０上に絶縁層４１が形成される。絶縁層４１上に書込用配線パターンおよび読取用配線パターンならびに電極パッド３１〜３４が形成される。電極パッド３１，３２は書込用配線パターンに接続される。電極パッド３３，３４は読取用配線パターンに接続される。電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域内の一部が除去されている。これにより、電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に、開口部１０ｈが形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
特許文献１記載の回路付サスペンション基板は、磁気ヘッド側端子、配線および中継側端子からなる導体パターンを備える。回路付サスペンション基板の磁気ヘッド側端子は磁気ヘッドに接続される。回路付サスペンション基板の中継側端子は中継フレキシブル配線回路基板に接続される。中継フレキシブル配線回路基板と磁気ヘッドとの間では、回路付サスペンション基板の導体パターンを介して電気信号が伝送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１６５２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線回路基板においては、配線のみでなく端子の特性インピーダンスを所望の値に調整することが望ましい。端子の特性インピーダンスは、端子の面積を変えることにより調整することができる。しかしながら、回路付サスペンション基板においては、端子の寸法上の制約等により特性インピーダンスを任意に調整することは困難である。
【０００６】
本発明の目的は、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される複数の配線パターンと、第１の絶縁層上で複数の配線パターンの一部にそれぞれ形成され、外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部とを備え、複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部と少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成されたものである。
【０００８】
この配線回路基板においては、支持基板上の第１の絶縁層上に複数の配線パターンが形成されるとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部が形成される。複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成される。
【０００９】
この場合、開口部が形成された接続端子部の容量成分が選択的に低減される。開口部と重なる接続端子部の特性インピーダンスは、開口部と重ならない接続端子部に比べて特性インピーダンスが高くなる。また、接続端子部と重なる開口部の面積に応じて接続端子部の特性インピーダンスが異なる。したがって、接続端子部と重なる開口部の面積を調整することにより、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００１０】
（２）複数の接続端子部は、第１および第２の接続端子部を含み、１または複数の開口部は、第１の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第１の開口部と、第２の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第２の開口部とを含んでもよい。
【００１１】
この場合、第１の接続端子部に重なる第１の開口部の数または面積を調整することにより、第１の接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。また、第２の接続端子部に重なる第２の開口部の数または面積を調整することにより、第２の接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００１２】
（３）第１の接続端子部に重なる１または複数の第１の開口部の面積の合計と第２の接続端子部に重なる１または複数の第２の開口部の面積の合計とが異なってもよい。
【００１３】
この場合、第１および第２の接続端子部の特性インピーダンスが異なる。それにより、第１および第２の接続端子部に外部回路の異なる特性インピーダンスを有する端子または配線を接続する場合でも、インピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１４】
（４）各接続端子部に重なる開口部の面積と当該接続端子部の面積との比率を開口率と定義した場合、１または複数の第１の開口部についての開口率と１または複数の第２の開口部についての開口率とが異なってもよい。
【００１５】
この場合、第１および第２の接続端子部の特性インピーダンスが異なる。それにより、第１および第２の接続端子部に外部回路の異なる特性インピーダンスを有する端子または配線を接続する場合でも、インピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１６】
（５）複数の接続端子部のうちの一の接続端子部の特性インピーダンスが他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくなるように１または複数の開口部が形成されてもよい。
【００１７】
この場合、一の接続端子部の特性インピーダンスを他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくすることができる。それにより、外部回路の一の端子または配線が他の端子または配線よりも小さい特性インピーダンスを有する場合に、一の接続端子部に外部回路の一の端子または配線を接続しかつ他の接続端子部に外部回路の他の端子または配線を接続することにより、一の端子または配線とインピーダンス整合をとるとともに他の端子または配線とインピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１８】
（６）配線回路基板は、複数の配線パターンを覆うとともに複数の接続端子部の表面が露出すように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００１９】
この場合、配線パターンの耐食性を確保しつつ、外部回路を複数の接続端子部に容易に接続することができる。
【００２０】
（７）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性の支持基板と絶縁層との積層構造を用意するステップと、絶縁層上に複数の配線パターンを形成するとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部を形成するステップと、複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部を形成するステップとを備えるものである。
【００２１】
この配線回路基板の製造方法においては、導電性の支持基板上の絶縁層上に複数の配線パターンが形成されるとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部が形成される。複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成される。
【００２２】
この場合、開口部が形成された接続端子部の容量成分が選択的に低減される。開口部と重なる接続端子部の特性インピーダンスは、開口部と重ならない接続端子部に比べて特性インピーダンスが高くなる。また、接続端子部と重なる開口部の面積に応じて接続端子部の特性インピーダンスが異なる。したがって、接続端子部と重なる開口部の面積を調整することにより、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】電極パッドの下方における開口部の第１の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図４】図３のサスペンション基板の底面図である。
【図５】電極パッドの下方における開口部の第２の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図６】図５のサスペンション基板の底面図である。
【図７】電極パッドの下方における開口部の第３の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図８】図７のサスペンション基板の底面図である。
【図９】電極パッドの下方における開口部の第４の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図１０】図９のサスペンション基板の底面図である。
【図１１】電極パッドの下方における開口部の第５の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図１２】図１１のサスペンション基板の底面図である。
【図１３】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１４】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１５】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１６】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１７】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１８】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１９】実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板の斜視図である。
【図２０】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【図２１】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【図２２】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する。）の構成およびその製造方法について説明する。
【００２６】
（１）サスペンション基板の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、例えばステンレス等の導電性材料により形成される支持基板１０を備える。支持基板１０上には、一対の線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および一対の線状の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。図１では、一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が太い点線で示される。
【００２７】
支持基板１０の一端部（先端部）には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、支持基板１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には、複数の端子部として４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅方向において、各電極パッド２１〜２４の幅は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の各々の幅より大きい。
【００２８】
支持基板１０の他端部には、複数の端子部として４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅方向において、各電極パッド３１〜３４の幅は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の各々の幅より大きい。
【００２９】
タング部１２上の電極パッド２１，２２と支持基板１０の他端部の電極パッド３１，３２とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により電気的に接続されている。また、タング部１２上の電極パッド２３，２４と支持基板１０の他端部の電極パッド３３，３４とは、それぞれ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。さらに、支持基板１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３０】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３１】
次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２ならびにその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。
【００３２】
図２に示すように、支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が間隔をおいて平行に形成されている。
【００３３】
本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが一対の信号線路対を構成する。また、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とが一対の信号線路対を構成する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成されている。
【００３４】
以下に説明するように、図１の電極パッド２１〜２４，３１〜３４の下方における支持基板１０の領域には、それぞれ開口部が形成される。
【００３５】
（２）電極パッドの下方における開口部の第１の形成例
図３は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部の第１の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図４は、図３のサスペンション基板１の底面図である。図３は、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示す。
【００３６】
図３に示すように、支持基板１０上に絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に矩形状の電極パッド３１〜３４が等間隔に形成されている。電極パッド３１〜３４は、図２の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２にそれぞれ接続される。電極パッド３１〜３４の上面が露出するように絶縁層４１に被覆層４３が形成されている。
【００３７】
複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域内の一部が除去されている。これにより、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域には、複数の開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。
【００３８】
図４の例では、各開口部１０ｈは矩形状を有する。サスペンション基板１の幅方向における各開口部１０ｈの幅Ｌ３は、対応する電極パッド３１〜３４の幅Ｌ１よりも小さい。サスペンション基板１の長手方向における各開口部１０ｈの幅Ｌ４は、対応する電極パッド３１〜３４の幅Ｌ２よりも小さい。
【００３９】
各電極パッド３１〜３４の幅Ｌ１は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。各電極パッド３１〜３４の幅Ｌ２は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。隣り合う電極パッド３１，３２間の間隔、隣り合う電極パッド３２，３３間の間隔および隣り合う電極パッド３３，３４間の間隔Ｓは、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。各開口部１０ｈの幅Ｌ３は、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下である。各開口部１０ｈの幅Ｌ４は、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００４０】
（３）電極パッドの下方における開口部の第２の形成例
図５は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第２の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図６は、図５のサスペンション基板１の底面図である。
【００４１】
図５および図６に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域は除去されない。これにより、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域には、開口部１０ｈが形成されない。一方、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の一部が除去されている。これにより、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域には、それぞれ同一面積の１つの開口部１０ｈが形成される。
【００４２】
以下、各電極パッド３１〜３４に重なる開口部１０ｈの面積を各電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の面積（各電極パッド３１〜３４の面積）で除算した値を開口部１０ｈの開口率と呼ぶ。
【００４３】
図５および図６のサスペンション基板１においては、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成されず、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。この場合、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率は０である。したがって、各電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００４４】
（４）電極パッドの下方における開口部の第３の形成例
図７は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第３の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図８は、図７のサスペンション基板１の底面図である。
【００４５】
図７および図８に示すように、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の一部が除去されている。本例では、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域には、それぞれ１つの開口部１０ｈが形成される。本例においては、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ５は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ３よりも大きく、電極パッド３３，３４の幅Ｌ１よりも小さい。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ６は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ４よりも大きく、電極パッド３３，３４の幅Ｌ２よりも小さい。この場合、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの面積は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの面積よりも大きい。したがって、各電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００４６】
このように、図７および図８のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００４７】
（５）電極パッドの下方における開口部の第４の形成例
図９は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第４の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図１０は、図９のサスペンション基板１の底面図である。
【００４８】
図９および図１０に示すように、電極パッド３１，３２の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の１つの開口部１０ｈが形成される。一方、電極パッド３３，３４の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の複数の開口部１０ｈが形成される。また、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に形成される複数の開口部１０ｈの各々の面積は、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される１つの開口部１０ｈの面積と等しい。電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの数（図１０の例では９個）は電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの数（図１０の例では１個）よりも多い。
【００４９】
本例では、複数の開口部１０ｈの一部が、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の外側に位置するように配置されている。電極パッド３３に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３３に部分的に重なる。同様に、電極パッド３４に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３４に部分的に重なる。
【００５０】
この場合、電極パッド３３に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３３に対応する複数の開口部１０ｈのうち電極パッド３３に重なる部分の面積の合計を電極パッド３３の面積で除算することにより得られる。同様に、電極パッド３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３４に対応する複数の開口部１０ｈのうち電極パッド３４に重なる部分の面積の合計を電極パッド３４の面積で除算することにより得られる。本例では、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００５１】
このように、図９および図１０のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００５２】
（６）電極パッドの下方における開口部の第５の形成例
図１１は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第５の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図１２は、図１１のサスペンション基板１の底面図である。
【００５３】
図１１および図１２に示すように、複数の電極パッド３１〜３４の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の複数の開口部１０ｈが形成される。電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの数（図１２の例では９個）は、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの数（図１２の例では４個）よりも多い。
【００５４】
電極パッド３１，３２の各々に対応する４個の開口部１０ｈは、全体的に電極パッド３１，３２の各々に重なる。複数の開口部１０ｈの一部が、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の外側に位置するように配置されている。電極パッド３３，３４の各々に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３３，３４の各々に部分的に重なる。本例では、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００５５】
このように、図１１および図１２のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００５６】
（７）サスペンション基板の製造方法
図１のサスペンション基板１の製造工程について説明する。図１３〜図１９は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程断面図である。図１３（ａ）〜図１７（ｂ）の上段および図１８の上段に、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図を示す。図１３（ａ）〜図１７（ｂ）の下段および図１８の下段に、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示す。本例においては、開口部１０ｈの第１の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程について説明するが、開口部１０ｈの第２〜第５の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程も開口部１０ｈの第１の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程と同様である。
【００５７】
まず、図１３（ａ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐを塗布する。支持基板１０の厚さは例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。次に、図１３（ｂ）に示すように、露光機において所定のマスクを介して支持基板１０上の感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐに２００ｍＪ／ｃｍ２以上７００ｍＪ／ｃｍ２以下の紫外線を照射する。これにより、ポリイミドからなる絶縁層４１が形成される。絶縁層４１の厚さは例えば８μｍ以上１５μｍ以下である。
【００５８】
その後、図１４（ａ）に示すように、支持基板１０上および絶縁層４１上に、クロムおよび銅の連続的なスパッタリングにより、例えば厚さ１００Å以上６００Å以下のクロム膜１７および例えば厚さ５００Å以上２０００Å以下で０．６Ω／□以下のシート抵抗を有する銅めっきベース１３を順に形成する。また、図１４（ｂ）に示すように、銅めっきベース１３上に、所定のパターンを有するめっき用のレジスト１４を形成する。
【００５９】
次に、図１５（ａ）に示すように、銅めっきベース１３上に、銅の電解めっきにより銅めっき層１５を形成する。続いて、図１５（ｂ）に示すように、レジスト１４を除去した後、アルカリ性処理液により銅めっきベース１３の露出したおよびその下のクロム膜１７の部分をエッチングにより除去する。ここで、上段の断面図においては、絶縁層４１上に残存するクロム膜１７、銅めっきベース１３および銅めっき層１５により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成される。
【００６０】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さは例えば６μｍ以上１８μｍ以下である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅は例えば８μｍ以上５０μｍ以下である。さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は例えばそれぞれ８μｍ以上２０μｍ以下である。
【００６１】
次に、ニッケルの無電解めっきにより支持基板１０上および銅めっき層１５上に、例えば厚さ０．０５μｍ以上０．１μｍ以下の図示しないニッケル膜を形成する。このニッケル膜は、銅めっき層１５と後の工程で形成される被覆層４３との密着性を向上させるためおよび銅のマイグレーションを防止するために設けられる。
【００６２】
続いて、ニッケル膜上および絶縁層４１上に感光性ポリイミド樹脂前駆体を塗布し、露光処理、加熱処理、現像処理および加熱硬化処理を順に行うことにより、図１６（ａ）に示すように、絶縁層４１上およびニッケル膜上にポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚さは例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。被覆層４３は、図１の電極パッド２１〜２４および電極パッド３１〜３４の形成位置に対応する箇所に開口部４３ｈを有する。
【００６３】
次に、被覆層４３の開口部４３ｈ内で露出する銅めっき層１５上の図示しないニッケル膜を剥離した後、図１６（ｂ）に示すように、被覆層４３の開口部４３ｈ内に、電解めっきにより例えば厚さ１〜５μｍのニッケル膜１６および例えば厚さ１〜５μｍの金めっき層１９を形成する。それにより、下段の断面図に示すように、クロム膜１７、銅めっきベース１３、銅めっき層１５、ニッケル膜１６および金めっき層１９により電極パッド３１〜３４が形成される。
【００６４】
次に、図１７（ａ）に示すように、電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の一部に開口を有するエッチングレジスト１８を形成する。続いて、図１７（ｂ）に示すように、塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いて支持基板１０をエッチングすることにより、支持基板１０に開口部１０ｈを形成する。その後、図１８に示すように、エッチングレジスト１８を除去することにより、サスペンション基板１が完成する。
【００６５】
（８）効果
上記実施の形態に係るサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に選択的に１または複数の開口部１０ｈが形成されている。この場合、複数の電極パッド３１〜３４の容量成分が選択的に低減される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、支持基板１０の開口部１０ｈの開口率を調整することにより、複数の電極パッド３１〜３４の各々の特性インピーダンスを任意に調整することができる。特に、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率を電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きくすることにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００６６】
（９）他の実施の形態
（９−１）上記実施の形態において、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域が除去されることにより、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスが調整されるが、これに限定されない。複数の電極パッド２１〜２４に重なる支持基板１０の領域を除去することにより、図３〜図１２と同様の方法で、電極パッド２１〜２４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈを形成してもよい。それにより、複数の電極パッド２１〜２４の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００６７】
（９−２）上記実施の形態において、開口部１０ｈは矩形状を有するが、これに限定されない。開口部１０は、円形状、楕円形状、ひし形状、多角形状またはその他の形状を有してもよい。
【００６８】
（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００６９】
上記実施の形態においては、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、支持基板１０が支持基板の例であり、絶縁層４１が第１の絶縁層の例であり、被覆層４３が第２の絶縁層の例である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が配線パターンの例であり、電極パッド３１，３２が接続端子部または第１の接続端子部の例であり、電極パッド３３，３４が接続端子部または第２の接続端子部の例であり、開口部１０ｈが開口部または第１もしくは第２の開口部の例である。
【００７０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００７１】
（１１）実施例
（１１−１）サスペンション基板
以下の実施例１〜１４および比較例１では、支持基板１０の開口部１０ｈの開口率が異なる複数のサスペンション基板１について、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスを評価した。
【００７２】
図１９は、実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１の斜視図である。図１９に示すように、実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１は、フレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ。）５に接続される。
【００７３】
なお、図１９および後述する図２０〜図２２では、ＦＰＣ基板５が垂直にサスペンション基板１に接続される状態が示されるが、ＦＰＣ基板５は、水平にサスペンション基板１に接続されてもよいし、他の角度でサスペンション基板１に接続されてもよい。
【００７４】
実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１は、長尺状の支持基板１０、絶縁層４１、電極パッド３１，３２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、を備える。電極パッド３１，３２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、支持基板１０上に絶縁層４１を介して形成される。電極パッド３１，３２は、支持基板１０の長手方向の一端部に間隔をおいて配置される。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、支持基板１０の長手方向に沿って延びるように平行に配置される。電極パッド３１，３２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の端部に一体的に形成されている。
【００７５】
ＦＰＣ基板５は、長尺状の絶縁層５０、電極パッド５１，５２および配線パターン５３，５４を備える。電極パッド５１，５２および配線パターン５３，５４は、絶縁層５０上に形成される。電極パッド５１，５２は、絶縁層５０の長手方向の一端部に間隔をおいて配置される。配線パターン５３，５４は、絶縁層５０の長手方向に沿って延びるように平行に配置される。電極パッド５１，５２は、それぞれ配線パターン５３，５４の端部に一体的に形成されている。
【００７６】
サスペンション基板１の電極パッド３１，３２とＦＰＣ基板５の電極パッド５１，５２とは、それぞれはんだにより電気的に接続される。図２０、図２１および図２２は、サスペンション基板１とＦＰＣ基板５との接続部の拡大図である。図２０に示すように、サスペンション基板１の幅方向における各電極パッド３１，３２の幅Ｌ１は３００μｍである。サスペンション基板１の長手方向における各電極パッド３１，３２の幅Ｌ２は７００μｍである。電極パッド３１，３２間の間隔Ｓは２５０μｍである。
【００７７】
サスペンション基板１の幅方向における各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は１２０μｍである。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔は１５μｍである。各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスは４３Ωである。ＦＰＣ基板５の幅方向における各配線パターン５３，５４の幅は２３５μｍである。配線パターン５３，５４間の間隔は４０μｍである。各配線パターン５３，５４の特性インピーダンスは４２Ωである。
【００７８】
実施例１〜７のサスペンション基板１においては、図２１に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域にそれぞれ１つの開口部１０ｈを形成した。支持基板１０に形成される開口部１０ｈの面積を調整することにより、開口部１０ｈの開口率を調整した。実施例１〜７のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は、それぞれ１８．６７％、３２．３３％、５６．１４％、７９．４８％、９１．８６％、９９．００％および１００．００％である。
【００７９】
実施例８〜１４のサスペンション基板１においては、図２２に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域にそれぞれ同一面積の複数の開口部１０ｈを形成した。支持基板１０に形成される開口部１０ｈの数を調整することにより、開口部１０ｈの開口率を調整した。実施例８〜１４のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は、それぞれ１８．６７％、３２．３３％、５６．１４％、７９．４８％、９１．８６％、９９．００％および１００．００％である。
【００８０】
比較例１のサスペンション基板１においては、支持基板１０に開口部１０ｈを形成しなかった。すなわち、比較例１のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は０％である。
【００８１】
（１１−２）特性インピーダンス
実施例１〜１４および比較例１のサスペンション基板１について、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスをシミュレーションにより求めた。その結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
【００８３】
表１に示すように、実施例１〜７における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは、それぞれ３１．９６Ω、３２．８０Ω、３５．３９Ω、４０．０８Ω、４８．４３Ω、５３．０６Ωおよび６４．０７Ωとなった。実施例８〜１４における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは、それぞれ３１．９６Ω、３２．８０Ω、３５．３９Ω、４０．０８Ω、４８．４３Ω、５３．０６Ωおよび６４．０７Ωとなった。比較例１における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは３０．５０Ωとなった。
【００８４】
実施例１〜１４および比較例１の結果から、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈを形成することにより、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスを増加させることができることが確認された。また、実施例１〜１４の結果から、開口部１０ｈの開口率の増加に伴って特性インピーダンスが増加することが確認された。さらに、実施例１〜７および実施例８〜１４の結果から、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの面積または数が異なっても、開口部１０ｈの開口率が等しければ電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは等しくなることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、配線回路基板を備えた種々の電気機器に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１ サスペンション基板
５ ＦＰＣ基板
１０ 支持基板
１０ｈ，１１，４３ｈ 開口部
１２ タング部
１３ 銅めっきベース
１４ レジスト
１５ 銅めっき層
１６ ニッケル膜
１７ クロム膜
１８ エッチングレジスト
１９ 金めっき層
２１〜２４，３１〜３４，５１，５２ 電極パッド
４１，５０ 絶縁層
４１ｐ 感光性ポリイミド樹脂前駆体
４３ 被覆層
５３，５４ 配線パターン
Ｈ 孔部
Ｒ 破線
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
特許文献１記載の回路付サスペンション基板は、磁気ヘッド側端子、配線および中継側端子からなる導体パターンを備える。回路付サスペンション基板の磁気ヘッド側端子は磁気ヘッドに接続される。回路付サスペンション基板の中継側端子は中継フレキシブル配線回路基板に接続される。中継フレキシブル配線回路基板と磁気ヘッドとの間では、回路付サスペンション基板の導体パターンを介して電気信号が伝送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１６５２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線回路基板においては、配線のみでなく端子の特性インピーダンスを所望の値に調整することが望ましい。端子の特性インピーダンスは、端子の面積を変えることにより調整することができる。しかしながら、回路付サスペンション基板においては、端子の寸法上の制約等により特性インピーダンスを任意に調整することは困難である。
【０００６】
本発明の目的は、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される複数の配線パターンと、第１の絶縁層上で複数の配線パターンの一部にそれぞれ形成され、外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部とを備え、複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部と少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成されたものである。
【０００８】
この配線回路基板においては、支持基板上の第１の絶縁層上に複数の配線パターンが形成されるとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部が形成される。複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成される。
【０００９】
この場合、開口部が形成された接続端子部の容量成分が選択的に低減される。開口部と重なる接続端子部の特性インピーダンスは、開口部と重ならない接続端子部に比べて特性インピーダンスが高くなる。また、接続端子部と重なる開口部の面積に応じて接続端子部の特性インピーダンスが異なる。したがって、接続端子部と重なる開口部の面積を調整することにより、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００１０】
（２）複数の接続端子部は、第１および第２の接続端子部を含み、１または複数の開口部は、第１の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第１の開口部と、第２の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第２の開口部とを含んでもよい。
【００１１】
この場合、第１の接続端子部に重なる第１の開口部の数または面積を調整することにより、第１の接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。また、第２の接続端子部に重なる第２の開口部の数または面積を調整することにより、第２の接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００１２】
（３）第１の接続端子部に重なる１または複数の第１の開口部の面積の合計と第２の接続端子部に重なる１または複数の第２の開口部の面積の合計とが異なってもよい。
【００１３】
この場合、第１および第２の接続端子部の特性インピーダンスが異なる。それにより、第１および第２の接続端子部に外部回路の異なる特性インピーダンスを有する端子または配線を接続する場合でも、インピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１４】
（４）各接続端子部に重なる開口部の面積と当該接続端子部の面積との比率を開口率と定義した場合、１または複数の第１の開口部についての開口率と１または複数の第２の開口部についての開口率とが異なってもよい。
【００１５】
この場合、第１および第２の接続端子部の特性インピーダンスが異なる。それにより、第１および第２の接続端子部に外部回路の異なる特性インピーダンスを有する端子または配線を接続する場合でも、インピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１６】
（５）複数の接続端子部のうちの一の接続端子部の特性インピーダンスが他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくなるように１または複数の開口部が形成されてもよい。
【００１７】
この場合、一の接続端子部の特性インピーダンスを他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくすることができる。それにより、外部回路の一の端子または配線が他の端子または配線よりも小さい特性インピーダンスを有する場合に、一の接続端子部に外部回路の一の端子または配線を接続しかつ他の接続端子部に外部回路の他の端子または配線を接続することにより、一の端子または配線とインピーダンス整合をとるとともに他の端子または配線とインピーダンス整合をとることが可能となる。
【００１８】
（６）配線回路基板は、複数の配線パターンを覆うとともに複数の接続端子部の表面が露出すように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００１９】
この場合、配線パターンの耐食性を確保しつつ、外部回路を複数の接続端子部に容易に接続することができる。
【００２０】
（７）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性の支持基板と絶縁層との積層構造を用意するステップと、絶縁層上に複数の配線パターンを形成するとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部を形成するステップと、複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部を形成するステップとを備えるものである。
【００２１】
この配線回路基板の製造方法においては、導電性の支持基板上の絶縁層上に複数の配線パターンが形成されるとともに複数の配線パターンの一部にそれぞれ外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部が形成される。複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように支持基板に１または複数の開口部が形成される。
【００２２】
この場合、開口部が形成された接続端子部の容量成分が選択的に低減される。開口部と重なる接続端子部の特性インピーダンスは、開口部と重ならない接続端子部に比べて特性インピーダンスが高くなる。また、接続端子部と重なる開口部の面積に応じて接続端子部の特性インピーダンスが異なる。したがって、接続端子部と重なる開口部の面積を調整することにより、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、接続端子部の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】電極パッドの下方における開口部の第１の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図４】図３のサスペンション基板の底面図である。
【図５】電極パッドの下方における開口部の第２の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図６】図５のサスペンション基板の底面図である。
【図７】電極パッドの下方における開口部の第３の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図８】図７のサスペンション基板の底面図である。
【図９】電極パッドの下方における開口部の第４の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図１０】図９のサスペンション基板の底面図である。
【図１１】電極パッドの下方における開口部の第５の形成例を示すサスペンション基板の断面図である。
【図１２】図１１のサスペンション基板の底面図である。
【図１３】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１４】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１５】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１６】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１７】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１８】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式的工程断面図である。
【図１９】実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板の斜視図である。
【図２０】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【図２１】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【図２２】サスペンション基板とＦＰＣ基板との接続部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する。）の構成およびその製造方法について説明する。
【００２６】
（１）サスペンション基板の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、例えばステンレス等の導電性材料により形成される支持基板１０を備える。支持基板１０上には、一対の線状の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および一対の線状の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。図１では、一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が太い点線で示される。
【００２７】
支持基板１０の一端部（先端部）には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、支持基板１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には、複数の端子部として４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅方向において、各電極パッド２１〜２４の幅は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の各々の幅より大きい。
【００２８】
支持基板１０の他端部には、複数の端子部として４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅方向において、各電極パッド３１〜３４の幅は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の各々の幅より大きい。
【００２９】
タング部１２上の電極パッド２１，２２と支持基板１０の他端部の電極パッド３１，３２とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２により電気的に接続されている。また、タング部１２上の電極パッド２３，２４と支持基板１０の他端部の電極パッド３３，３４とは、それぞれ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。さらに、支持基板１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３０】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３１】
次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２ならびにその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。
【００３２】
図２に示すように、支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が間隔をおいて平行に形成されている。
【００３３】
本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とが一対の信号線路対を構成する。また、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とが一対の信号線路対を構成する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成されている。
【００３４】
以下に説明するように、図１の電極パッド２１〜２４，３１〜３４の下方における支持基板１０の領域には、それぞれ開口部が形成される。
【００３５】
（２）電極パッドの下方における開口部の第１の形成例
図３は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部の第１の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図４は、図３のサスペンション基板１の底面図である。図３は、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示す。
【００３６】
図３に示すように、支持基板１０上に絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に矩形状の電極パッド３１〜３４が等間隔に形成されている。電極パッド３１〜３４は、図２の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２にそれぞれ接続される。電極パッド３１〜３４の上面が露出するように絶縁層４１に被覆層４３が形成されている。
【００３７】
複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域内の一部が除去されている。これにより、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域には、複数の開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。
【００３８】
図４の例では、各開口部１０ｈは矩形状を有する。サスペンション基板１の幅方向における各開口部１０ｈの幅Ｌ３は、対応する電極パッド３１〜３４の幅Ｌ１よりも小さい。サスペンション基板１の長手方向における各開口部１０ｈの幅Ｌ４は、対応する電極パッド３１〜３４の幅Ｌ２よりも小さい。
【００３９】
各電極パッド３１〜３４の幅Ｌ１は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。各電極パッド３１〜３４の幅Ｌ２は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。隣り合う電極パッド３１，３２間の間隔、隣り合う電極パッド３２，３３間の間隔および隣り合う電極パッド３３，３４間の間隔Ｓは、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。各開口部１０ｈの幅Ｌ３は、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下である。各開口部１０ｈの幅Ｌ４は、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００４０】
（３）電極パッドの下方における開口部の第２の形成例
図５は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第２の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図６は、図５のサスペンション基板１の底面図である。
【００４１】
図５および図６に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域は除去されない。これにより、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域には、開口部１０ｈが形成されない。一方、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の一部が除去されている。これにより、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域には、それぞれ同一面積の１つの開口部１０ｈが形成される。
【００４２】
以下、各電極パッド３１〜３４に重なる開口部１０ｈの面積を各電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の面積（各電極パッド３１〜３４の面積）で除算した値を開口部１０ｈの開口率と呼ぶ。
【００４３】
図５および図６のサスペンション基板１においては、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成されず、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。この場合、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率は０である。したがって、各電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００４４】
（４）電極パッドの下方における開口部の第３の形成例
図７は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第３の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図８は、図７のサスペンション基板１の底面図である。
【００４５】
図７および図８に示すように、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の一部が除去されている。本例では、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域には、それぞれ１つの開口部１０ｈが形成される。本例においては、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ５は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ３よりも大きく、電極パッド３３，３４の幅Ｌ１よりも小さい。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ６は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの幅Ｌ４よりも大きく、電極パッド３３，３４の幅Ｌ２よりも小さい。この場合、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの面積は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの面積よりも大きい。したがって、各電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、各電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００４６】
このように、図７および図８のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００４７】
（５）電極パッドの下方における開口部の第４の形成例
図９は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第４の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図１０は、図９のサスペンション基板１の底面図である。
【００４８】
図９および図１０に示すように、電極パッド３１，３２の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の１つの開口部１０ｈが形成される。一方、電極パッド３３，３４の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の複数の開口部１０ｈが形成される。また、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に形成される複数の開口部１０ｈの各々の面積は、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される１つの開口部１０ｈの面積と等しい。電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの数（図１０の例では９個）は電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの数（図１０の例では１個）よりも多い。
【００４９】
本例では、複数の開口部１０ｈの一部が、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の外側に位置するように配置されている。電極パッド３３に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３３に部分的に重なる。同様に、電極パッド３４に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３４に部分的に重なる。
【００５０】
この場合、電極パッド３３に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３３に対応する複数の開口部１０ｈのうち電極パッド３３に重なる部分の面積の合計を電極パッド３３の面積で除算することにより得られる。同様に、電極パッド３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３４に対応する複数の開口部１０ｈのうち電極パッド３４に重なる部分の面積の合計を電極パッド３４の面積で除算することにより得られる。本例では、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００５１】
このように、図９および図１０のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００５２】
（６）電極パッドの下方における開口部の第５の形成例
図１１は、電極パッド３１〜３４の下方における開口部１０ｈの第５の形成例を示すサスペンション基板１の断面図である。図１２は、図１１のサスペンション基板１の底面図である。
【００５３】
図１１および図１２に示すように、複数の電極パッド３１〜３４の各々に重なる支持基板１０の領域には、同一面積の複数の開口部１０ｈが形成される。電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの数（図１２の例では９個）は、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの数（図１２の例では４個）よりも多い。
【００５４】
電極パッド３１，３２の各々に対応する４個の開口部１０ｈは、全体的に電極パッド３１，３２の各々に重なる。複数の開口部１０ｈの一部が、電極パッド３３，３４に重なる支持基板１０の領域の外側に位置するように配置されている。電極パッド３３，３４の各々に対応する９個の開口部１０ｈのうち、中心の開口部１０ｈを除く８個の開口部１０ｈは、電極パッド３３，３４の各々に部分的に重なる。本例では、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。
【００５５】
このように、図１１および図１２のサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率は、電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きい。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００５６】
（７）サスペンション基板の製造方法
図１のサスペンション基板１の製造工程について説明する。図１３〜図１９は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式的工程断面図である。図１３（ａ）〜図１７（ｂ）の上段および図１８の上段に、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図を示す。図１３（ａ）〜図１７（ｂ）の下段および図１８の下段に、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示す。本例においては、開口部１０ｈの第１の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程について説明するが、開口部１０ｈの第２〜第５の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程も開口部１０ｈの第１の形成例についてのサスペンション基板１の製造工程と同様である。
【００５７】
まず、図１３（ａ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐを塗布する。支持基板１０の厚さは例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。次に、図１３（ｂ）に示すように、露光機において所定のマスクを介して支持基板１０上の感光性ポリイミド樹脂前駆体４１ｐに２００ｍＪ／ｃｍ２以上７００ｍＪ／ｃｍ２以下の紫外線を照射する。これにより、ポリイミドからなる絶縁層４１が形成される。絶縁層４１の厚さは例えば８μｍ以上１５μｍ以下である。
【００５８】
その後、図１４（ａ）に示すように、支持基板１０上および絶縁層４１上に、クロムおよび銅の連続的なスパッタリングにより、例えば厚さ１００Å以上６００Å以下のクロム膜１７および例えば厚さ５００Å以上２０００Å以下で０．６Ω／□以下のシート抵抗を有する銅めっきベース１３を順に形成する。また、図１４（ｂ）に示すように、銅めっきベース１３上に、所定のパターンを有するめっき用のレジスト１４を形成する。
【００５９】
次に、図１５（ａ）に示すように、銅めっきベース１３上に、銅の電解めっきにより銅めっき層１５を形成する。続いて、図１５（ｂ）に示すように、レジスト１４を除去した後、アルカリ性処理液により銅めっきベース１３の露出したおよびその下のクロム膜１７の部分をエッチングにより除去する。ここで、上段の断面図においては、絶縁層４１上に残存するクロム膜１７、銅めっきベース１３および銅めっき層１５により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成される。
【００６０】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さは例えば６μｍ以上１８μｍ以下である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅は例えば８μｍ以上５０μｍ以下である。さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は例えばそれぞれ８μｍ以上２０μｍ以下である。
【００６１】
次に、ニッケルの無電解めっきにより支持基板１０上および銅めっき層１５上に、例えば厚さ０．０５μｍ以上０．１μｍ以下の図示しないニッケル膜を形成する。このニッケル膜は、銅めっき層１５と後の工程で形成される被覆層４３との密着性を向上させるためおよび銅のマイグレーションを防止するために設けられる。
【００６２】
続いて、ニッケル膜上および絶縁層４１上に感光性ポリイミド樹脂前駆体を塗布し、露光処理、加熱処理、現像処理および加熱硬化処理を順に行うことにより、図１６（ａ）に示すように、絶縁層４１上およびニッケル膜上にポリイミドからなる被覆層４３を形成する。被覆層４３の厚さは例えば２μｍ以上１０μｍ以下である。被覆層４３は、図１の電極パッド２１〜２４および電極パッド３１〜３４の形成位置に対応する箇所に開口部４３ｈを有する。
【００６３】
次に、被覆層４３の開口部４３ｈ内で露出する銅めっき層１５上の図示しないニッケル膜を剥離した後、図１６（ｂ）に示すように、被覆層４３の開口部４３ｈ内に、電解めっきにより例えば厚さ１〜５μｍのニッケル膜１６および例えば厚さ１〜５μｍの金めっき層１９を形成する。それにより、下段の断面図に示すように、クロム膜１７、銅めっきベース１３、銅めっき層１５、ニッケル膜１６および金めっき層１９により電極パッド３１〜３４が形成される。
【００６４】
次に、図１７（ａ）に示すように、電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域の一部に開口を有するエッチングレジスト１８を形成する。続いて、図１７（ｂ）に示すように、塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いて支持基板１０をエッチングすることにより、支持基板１０に開口部１０ｈを形成する。その後、図１８に示すように、エッチングレジスト１８を除去することにより、サスペンション基板１が完成する。
【００６５】
（８）効果
上記実施の形態に係るサスペンション基板１においては、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域に選択的に１または複数の開口部１０ｈが形成されている。この場合、複数の電極パッド３１〜３４の容量成分が選択的に低減される。それにより、開口部１０ｈが形成されない場合に比べて、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスを高くすることができる。また、支持基板１０の開口部１０ｈの開口率を調整することにより、複数の電極パッド３１〜３４の各々の特性インピーダンスを任意に調整することができる。特に、電極パッド３３，３４に対応する開口部１０ｈの開口率を電極パッド３１，３２に対応する開口部１０ｈの開口率よりも大きくすることにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に接続される電極パッド３３，３４の特性インピーダンスを書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に接続される電極パッド３１，３２の特性インピーダンスよりも高くすることができる。
【００６６】
（９）他の実施の形態
（９−１）上記実施の形態において、複数の電極パッド３１〜３４に重なる支持基板１０の領域が除去されることにより、複数の電極パッド３１〜３４の特性インピーダンスが調整されるが、これに限定されない。複数の電極パッド２１〜２４に重なる支持基板１０の領域を除去することにより、図３〜図１２と同様の方法で、電極パッド２１〜２４に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈを形成してもよい。それにより、複数の電極パッド２１〜２４の特性インピーダンスを任意に調整することができる。
【００６７】
（９−２）上記実施の形態において、開口部１０ｈは矩形状を有するが、これに限定されない。開口部１０は、円形状、楕円形状、ひし形状、多角形状またはその他の形状を有してもよい。
【００６８】
（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００６９】
上記実施の形態においては、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、支持基板１０が支持基板の例であり、絶縁層４１が第１の絶縁層の例であり、被覆層４３が第２の絶縁層の例である。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が配線パターンの例であり、電極パッド３１，３２が接続端子部または第１の接続端子部の例であり、電極パッド３３，３４が接続端子部または第２の接続端子部の例であり、開口部１０ｈが開口部または第１もしくは第２の開口部の例である。
【００７０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００７１】
（１１）実施例
（１１−１）サスペンション基板
以下の実施例１〜１４および比較例１では、支持基板１０の開口部１０ｈの開口率が異なる複数のサスペンション基板１について、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスを評価した。
【００７２】
図１９は、実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１の斜視図である。図１９に示すように、実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１は、フレキシブル配線回路基板（以下、ＦＰＣ基板と呼ぶ。）５に接続される。
【００７３】
なお、図１９および後述する図２０〜図２２では、ＦＰＣ基板５が垂直にサスペンション基板１に接続される状態が示されるが、ＦＰＣ基板５は、水平にサスペンション基板１に接続されてもよいし、他の角度でサスペンション基板１に接続されてもよい。
【００７４】
実施例１〜１４および比較例１におけるサスペンション基板１は、長尺状の支持基板１０、絶縁層４１、電極パッド３１，３２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、を備える。電極パッド３１，３２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、支持基板１０上に絶縁層４１を介して形成される。電極パッド３１，３２は、支持基板１０の長手方向の一端部に間隔をおいて配置される。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、支持基板１０の長手方向に沿って延びるように平行に配置される。電極パッド３１，３２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の端部に一体的に形成されている。
【００７５】
ＦＰＣ基板５は、長尺状の絶縁層５０、電極パッド５１，５２および配線パターン５３，５４を備える。電極パッド５１，５２および配線パターン５３，５４は、絶縁層５０上に形成される。電極パッド５１，５２は、絶縁層５０の長手方向の一端部に間隔をおいて配置される。配線パターン５３，５４は、絶縁層５０の長手方向に沿って延びるように平行に配置される。電極パッド５１，５２は、それぞれ配線パターン５３，５４の端部に一体的に形成されている。
【００７６】
サスペンション基板１の電極パッド３１，３２とＦＰＣ基板５の電極パッド５１，５２とは、それぞれはんだにより電気的に接続される。図２０、図２１および図２２は、サスペンション基板１とＦＰＣ基板５との接続部の拡大図である。図２０に示すように、サスペンション基板１の幅方向における各電極パッド３１，３２の幅Ｌ１は３００μｍである。サスペンション基板１の長手方向における各電極パッド３１，３２の幅Ｌ２は７００μｍである。電極パッド３１，３２間の間隔Ｓは２５０μｍである。
【００７７】
サスペンション基板１の幅方向における各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は１２０μｍである。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔は１５μｍである。各書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスは４３Ωである。ＦＰＣ基板５の幅方向における各配線パターン５３，５４の幅は２３５μｍである。配線パターン５３，５４間の間隔は４０μｍである。各配線パターン５３，５４の特性インピーダンスは４２Ωである。
【００７８】
実施例１〜７のサスペンション基板１においては、図２１に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域にそれぞれ１つの開口部１０ｈを形成した。支持基板１０に形成される開口部１０ｈの面積を調整することにより、開口部１０ｈの開口率を調整した。実施例１〜７のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は、それぞれ１８．６７％、３２．３３％、５６．１４％、７９．４８％、９１．８６％、９９．００％および１００．００％である。
【００７９】
実施例８〜１４のサスペンション基板１においては、図２２に示すように、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域にそれぞれ同一面積の複数の開口部１０ｈを形成した。支持基板１０に形成される開口部１０ｈの数を調整することにより、開口部１０ｈの開口率を調整した。実施例８〜１４のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は、それぞれ１８．６７％、３２．３３％、５６．１４％、７９．４８％、９１．８６％、９９．００％および１００．００％である。
【００８０】
比較例１のサスペンション基板１においては、支持基板１０に開口部１０ｈを形成しなかった。すなわち、比較例１のサスペンション基板１の開口部１０ｈの開口率は０％である。
【００８１】
（１１−２）特性インピーダンス
実施例１〜１４および比較例１のサスペンション基板１について、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスをシミュレーションにより求めた。その結果を表１に示す。
【００８２】
【表１】
【００８３】
表１に示すように、実施例１〜７における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは、それぞれ３１．９６Ω、３２．８０Ω、３５．３９Ω、４０．０８Ω、４８．４３Ω、５３．０６Ωおよび６４．０７Ωとなった。実施例８〜１４における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは、それぞれ３１．９６Ω、３２．８０Ω、３５．３９Ω、４０．０８Ω、４８．４３Ω、５３．０６Ωおよび６４．０７Ωとなった。比較例１における電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは３０．５０Ωとなった。
【００８４】
実施例１〜１４および比較例１の結果から、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に開口部１０ｈを形成することにより、電極パッド３１，３２の特性インピーダンスを増加させることができることが確認された。また、実施例１〜１４の結果から、開口部１０ｈの開口率の増加に伴って特性インピーダンスが増加することが確認された。さらに、実施例１〜７および実施例８〜１４の結果から、電極パッド３１，３２に重なる支持基板１０の領域に形成される開口部１０ｈの面積または数が異なっても、開口部１０ｈの開口率が等しければ電極パッド３１，３２の特性インピーダンスは等しくなることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、配線回路基板を備えた種々の電気機器に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００８６】
１ サスペンション基板
５ ＦＰＣ基板
１０ 支持基板
１０ｈ，１１，４３ｈ 開口部
１２ タング部
１３ 銅めっきベース
１４ レジスト
１５ 銅めっき層
１６ ニッケル膜
１７ クロム膜
１８ エッチングレジスト
１９ 金めっき層
２１〜２４，３１〜３４，５１，５２ 電極パッド
４１，５０ 絶縁層
４１ｐ 感光性ポリイミド樹脂前駆体
４３ 被覆層
５３，５４ 配線パターン
Ｈ 孔部
Ｒ 破線
Ｒ１，Ｒ２ 読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２ 書込用配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、
導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線パターンと、
前記第１の絶縁層上で前記複数の配線パターンの一部にそれぞれ形成され、前記外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部とを備え、
前記複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部と少なくとも部分的に重なるように前記支持基板に１または複数の開口部が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記複数の接続端子部は、第１および第２の接続端子部を含み、
前記１または複数の開口部は、前記第１の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第１の開口部と、前記第２の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第２の開口部とを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１の接続端子部に重なる前記１または複数の第１の開口部の面積の合計と前記第２の接続端子部に重なる前記１または複数の第２の開口部の面積の合計とが異なることを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
各接続端子部に重なる開口部の面積と当該接続端子部の面積との比率を開口率と定義した場合、前記１または複数の第１の開口部についての開口率と前記１または複数の第２の開口部についての開口率とが異なることを特徴とする請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記複数の接続端子部のうちの一の接続端子部の特性インピーダンスが他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくなるように前記１または複数の開口部が形成されたことを特徴とする１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記複数の配線パターンを覆うとともに前記複数の接続端子部の表面が露出すように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、
導電性の支持基板と絶縁層との積層構造を用意するステップと、
前記絶縁層上に複数の配線パターンを形成するとともに前記複数の配線パターンの一部にそれぞれ前記外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部を形成するステップと、
前記複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように前記支持基板に１または複数の開口部を形成するステップとを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項１】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、
導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される複数の配線パターンと、
前記第１の絶縁層上で前記複数の配線パターンの一部にそれぞれ形成され、前記外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部とを備え、
前記複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部と少なくとも部分的に重なるように前記支持基板に１または複数の開口部が形成されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記複数の接続端子部は、第１および第２の接続端子部を含み、
前記１または複数の開口部は、前記第１の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第１の開口部と、前記第２の接続端子部に少なくとも部分的に重なる１または複数の第２の開口部とを含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１の接続端子部に重なる前記１または複数の第１の開口部の面積の合計と前記第２の接続端子部に重なる前記１または複数の第２の開口部の面積の合計とが異なることを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
各接続端子部に重なる開口部の面積と当該接続端子部の面積との比率を開口率と定義した場合、前記１または複数の第１の開口部についての開口率と前記１または複数の第２の開口部についての開口率とが異なることを特徴とする請求項２または３記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記複数の接続端子部のうちの一の接続端子部の特性インピーダンスが他の接続端子部の特性インピーダンスよりも小さくなるように前記１または複数の開口部が形成されたことを特徴とする１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記複数の配線パターンを覆うとともに前記複数の接続端子部の表面が露出すように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、
導電性の支持基板と絶縁層との積層構造を用意するステップと、
前記絶縁層上に複数の配線パターンを形成するとともに前記複数の配線パターンの一部にそれぞれ前記外部回路と電気的に接続可能な複数の接続端子部を形成するステップと、
前記複数の接続端子部のうちの１または複数の接続端子部に少なくとも部分的に重なるように前記支持基板に１または複数の開口部を形成するステップとを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１２−２３５０１３（Ｐ２０１２−２３５０１３Ａ）
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１０３６０８（Ｐ２０１１−１０３６０８）
【出願日】平成２３年５月６日（２０１１．５．６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月２９日（２０１２．１１．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月６日（２０１１．５．６）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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