配線基板の製造方法
【課題】本発明は、ブラインドビアホールに銅を充填するとともに、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行うことを目的とする。
【解決手段】第１の配線パターン１が形成されたコア基板２の表層に絶縁樹脂層４を形成する工程と、絶縁樹脂層４表面にシード層３を形成する工程と、シード層３上に下層絶縁層５としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層６として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、第１の配線パターン１にまで至るブラインドビアホール７を形成する工程と、無電解銅めっき層８を形成する工程と、２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、電解銅めっきによりブラインドビアホール部の内部に穴埋めめっき層９を充填する第１の電解めっき工程と、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程とを少なくとも備える。
【解決手段】第１の配線パターン１が形成されたコア基板２の表層に絶縁樹脂層４を形成する工程と、絶縁樹脂層４表面にシード層３を形成する工程と、シード層３上に下層絶縁層５としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層６として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、第１の配線パターン１にまで至るブラインドビアホール７を形成する工程と、無電解銅めっき層８を形成する工程と、２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、電解銅めっきによりブラインドビアホール部の内部に穴埋めめっき層９を充填する第１の電解めっき工程と、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程とを少なくとも備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルドビア構造を有し、微細パターンを形成するのに有利なセミアディティブ工法による配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化により、使用されるプリント配線基板の高密度化が急速に進められている。このためビルドアップ基板と呼ばれる形態の配線基板が大量に生産されるようになってきた。このビルドアップ基板はコアとなる多層プリント配線板の表面に絶縁樹脂層と配線層を交互に積み上げて形成していくものであり、配線層間の導通はブラインドビアホールを形成してその内部に銅めっきを行うことによって行われる。そして、更なる設計自由度の向上と配線の高密度化の要求により、ブラインドビアホールの上に上方層のブラインドビアホールを形成するために、ブラインドビアホールを銅で埋めてしまうフィールドビアと呼ばれる方法が開発され量産化されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、配線パターンの高密度化も同時に要求されてきており、要望される狭ピッチ配線パターンの形成は、基板表面を全面銅めっきして、エッチングを行うサブトラクティブ法では、エッチング時のサイドエッチングによりファインパターンの形成が不可能である。このため、基板表面を薄い銅皮膜等で導電化処理してめっきシード層を形成し、めっきシード層上にめっきレジストパターンを形成して、めっき液に浸漬し、めっきシード層をカソード電極にして電解めっきを行ない、めっきを析出させて配線パターンを形成するセミアディティブ法が注目されてきている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４２８２８号公報
【特許文献２】特開２００３−４６２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ブラインドビアホールを埋めるとともにファインパターンの形成に有利なセミアディティブ工法による配線基板を作製する場合、ブラインドビアホールの埋め込みに用いる硫酸銅めっき液としては、ビアホール中に十分銅イオンを供給して、良好な埋め込み性が得られるように、銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液が用いられており、この様な組成のめっき液は、浴の電気伝導率が悪いため、セミアディティブ工法で用いられるパターンめっきにおいて、パターンの大小、疎密によるめっき厚バラツキが大きくなるという問題点があり、今後さらにファインピッチなパターンに進行する上で大きな障害となっている。
【０００５】
また、ブラインドビアホールを銅で埋めるフィルドビアを電解銅めっきにより行う場合には、一般的に、電流密度を下げることで、ボイドの発生や穴が埋まらないという現象を回避してきたため、ブラインドビアホール内を銅で埋めないコンフォーマルビアめっきに比べ、生産性が劣るという課題を有していた。
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ブラインドビアホールを銅で埋めるとともに、セミアディティブ工法を生かし、生産性を落とさずに、ファインパターン形成を可能とする配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記、従来の課題を解決するために、本発明者は、上記した目的を達成するため鋭意研究を重ねてきた。その結果、基板外周部とブラインドビアホール部以外に耐めっき絶縁層を設け、被めっき基板に通常のフィールドビアめっき用の銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液で、且つ、低電流密度でめっきすることにより、ブラインドビア部に電流が集中し、めっき析出速度が３〜５倍（ビア数によって速度が異なる）の速度でブラインドビア内にボイドも発生せずにフィールドビアめっきができることを見出した。このことにより従来のフィールドビアめっき時間の１／３〜１／５にすることができる。そこで、先ず、銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液で、フィールドビアめっきを行い、その後、銅イオン濃度が比較的低く、硫酸濃度が高い組成の硫酸銅めっき液で、パターンめっきを行えるプロセスを研究し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明のプロセスは、第１の配線パターンが形成されたコア基板の表層に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層表面にシード層を形成する工程と、前記シード層上に下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、前記２層の絶縁層の表面から前記第１の配線パターンにまで至るブラインドビアホールを形成する工程と、前記絶縁層の表面およびブラインドビアホールに触媒を付与後無電解銅めっき層を形成する工程と、前記２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより前記ブラインドビアホール部の内部に銅を充填する第１の電解めっき工程と、前記下層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト層を形成する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記めっきレジスト層の直下にある前記シード層をエッチング除去する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板製造方法は、ブラインドビアホールに銅を充填するとともに、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態における配線基板の製造方法について、図面及び表を参照しながら説明する。
【００１１】
図１、図２は、本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００１２】
先ず、図１（ａ）に示すように第１の配線パターン１が形成されたコア基板２の表層に表面が粗化された薄い銅箔（３μｍ）付き無機フィラー入りのエポキシ樹脂（４０μｍ厚）絶縁層を真空ラミネートし、絶縁樹脂層４を形成する。その後、真空プレスで１８０℃、１時間加圧、加熱し、銅箔からなるシード層３を形成する。本発明において、シード層３は無電解銅めっき＋電解めっき皮膜、無電解銅めっき皮膜、真空蒸着による銅皮膜、スパッタによる銅皮膜でも良い。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、シード層３の上に、下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプのドライフィルムよりなる耐めっき性のフォトレジスト５を形成する。さらに、前記フォトレジスト５の上に表層絶縁層として加熱剥離タイプの耐めっきテープ（例えば、電気化学工業(株)製エレグリップテープ）６を形成する。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ＵＶ−ＹＡＧレーザで前記フォトレジスト５、加熱剥離テープ６の上から第１の配線パターン１の銅表面まで照射し、ブラインドビアホール（Φ６０μｍ）７を形成する。
【００１５】
次に、ブラインドビアホール７のデスミア処理を行う。デスミア処理としては、先ずＯＰＣ−１０５０コンディショナー（奥野製薬工業製）に水酸化ナトリウムを加えた溶液で膨潤させた後、銅めっき膜との密着性を向上させるため、ＯＰＣ−１２００エポエッチ（奥野製薬工業製）に過マンガン酸カリウムを加えた液でブラインドビアホール内を粗化し、酸性溶液で中和する。次に無電解銅めっきの前処理としてＯＰＣ−３９０コンディクリーンＭ（奥野製薬工業製）でコンディショニングし、過硫酸ソーダでソフトエッチングした後、硫酸でデスマット処理を行う。次に、ＯＰＣ−ＳＡＬＭ溶液（奥野製薬工業製）でプリディップし、ＯＰＣ−８０キャタリスト（奥野製薬工業製）で触媒（Ｐｄ）を付着し、ＯＰＣ−５５５アクセレータＭ（奥野製薬工業製）でアクセレータ処理を行い、無電解銅めっき処理のための核付けを行う。その後、図１（ｄ）に示すように、無電解銅めっき液でブラインドビアホールの中に無電解銅めっき層８（０．５〜１．５μｍ）を形成する。
【００１６】
その後、図１（ｅ）に示すように、前記性質の異なる２種の耐めっき性絶縁層のうち、上層絶縁層である加熱剥離テープ６を１４０℃の雰囲気で加熱し、加熱剥離テープ６上の無電解銅めっき層８とともに剥離する。
【００１７】
次に、被めっき用基板周辺部にめっき析出部、あるいは、基板固定治具にめっき析出部を設け（図示せず）、図１（ｆ）に示すように、被めっき基板の外周シード層から給電を行い、ブラインドビアホール７の内部に穴埋めめっき層９である銅を充填する第１の電解めっきを行なう。第１の電解めっきは、フィールドビアめっき用として、硫酸銅５水和物２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含み、添加剤（高分子系化合物からなるポリマー成分、硫黄系化合物からなるブライトナー成分、窒素系化合物からなるレベラー成分）を適量添加しためっき液を用いた。このめっき液に浸漬し、空気攪拌を行いながら、めっき浴温２５℃、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ2でブラインドビアホール７内を銅で充填し、穴埋めめっき層９を形成した。
【００１８】
ここで、第１の電解めっき工程について詳細に述べる。本発明において、第１の電解銅めっき液の組成としては、フィールドビアめっき用として、硫酸銅５水和物１６０〜２５０ｇ／Ｌ、硫酸１５〜８０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含み、促進剤として含硫黄有機化合物、抑制剤として、非イオン性ポリエーテル系高分子界面活性剤と含窒素有機化合物を含有する水溶液が適している。硫酸銅５水和物については、１６０ｇ／Ｌ以下になるとブラインドビアホール内部を銅で充填することができず、２５０ｇ／Ｌ以上では硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、１７０〜２３０ｇ／Ｌが良い。硫酸については、１５ｇ／Ｌ以下では電気導電性が悪くなり、８０ｇ／Ｌになると硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、２０〜７０ｍｇ／Ｌが良い。塩素イオンについては、２０ｍｇ／Ｌ以下ではビア内部にボイドを発生し易くなり、７０ｍｇ／Ｌ以上ではビア内部への銅の充填性が悪くなる。望ましくは、３０〜６０ｍｇ／Ｌが良い。
【００１９】
また、被めっき基板周辺部にめっき析出部、あるいは、基板固定治具にめっき析出部を設け、電流密度０．５〜２Ａ／ｄｍ2で被めっき基板の外周とブラインドビアホール以外を絶縁樹脂でマスクし、電解銅めっきを行ったところ、絶縁樹脂マスクがない場合に比べ１／３〜１／５の時間でブラインドビアに銅を充填することができた。さらに、ブラインドビア断面を観察したところ、ボイドの発生もなく銅が充填されていた。この点について考察した。ブラインドビアと基板外周部に絶縁マスクがないと基板の周辺部あるいは、基板固定治具のめっき析出部を除き基板全面に均一な電流線が到達し、ほぼ均一にめっき析出が起こるが、ブラインドビアと基板外周部に絶縁マスクがあるいは基板固定治具のめっき析出部があることにより、基板外周部に比べ、ブラインドビア部に電流が集中し、めっきが促進する。
【００２０】
また、ブラインドビア部以外はめっき析出反応が起こっていないため、ビア周辺のめっき液の銅濃度はビア周辺部に銅リッチな状態になっているため、銅の供給が十分に行われ、ボイドやコンフォーマルめっきにならずに、ビア内部に銅が充填されると考えられる。また、添加剤である促進剤はビア内部に蓄積され、電流線の強いビア上部に抑制剤が濃縮され、ビア内部の銅の析出を加速しているものと思われる。このことからも電流線のビア部への集中により、添加剤の効果も有効に発揮できていると考えられる。
【００２１】
本実施の形態では、直径６０μｍ、深さ４０μｍのブラインドビアホール７に、従来のパネルめっきでは、ビア内部に銅を充填するのに１Ａ／ｄｍ2で１２０分かかっていたものが、本発明のビア部のみのめっき法であれば、２５分で銅を充填し、穴埋めめっき層９を形成することができた。
【００２２】
次に、図２（ｇ）に示すように、アルカリ性溶液（４％の水酸化ナトリウム溶液）で下層絶縁層であるフォトレジスト５を膨潤剥離する。その後、図２（ｈ）に示すように、表面を軽く研磨し、前記シード層３上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト１０を形成する。第２の配線パターンには、線幅（Ｌ）／線間（Ｓ）＝２５／２５μｍのファインパターンを含む半導体パッケージ基板に対応するパターンを形成した。
【００２３】
次に、図２（ｉ）に示すように、前記シード層３に給電し、第２の電解銅めっきにより第２の配線パターン１１を形成する。パターンめっき用の第２の電解銅めっき液は、硫酸銅５水和物７０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含み、添加剤（高分子系化合物からなるポリマー成分、硫黄系化合物からなるブライトナー成分、窒素系化合物からなるレベラー成分）を適量添加しためっき液を用いた。このめっき液に、浸漬し、空気攪拌を行いながら、めっき浴温２５℃、陰極電流密度３Ａ／ｄｍ2で、電解銅めっきを行い第２の配線パターン１１を形成した。
【００２４】
次に、パターンめっき用の第２の電解めっき工程について詳細に述べる。本発明において、第２の電解銅めっき液の組成が、硫酸銅５水和物５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１６０〜２２０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含み、促進剤として含硫黄有機化合物、抑制剤として、非イオン性ポリエーテル系高分子界面活性剤と含窒素有機化合物を含有する水溶液が適している。硫酸銅５水和物については、５０ｇ／Ｌ以下になるとめっき銅皮膜物性が悪くなり、１００ｇ／Ｌ以上では硫酸がリッチなめっき液では、硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、６０〜８０ｇ／Ｌが良い。硫酸については、１６０ｇ／Ｌ以下では均一電着性が悪くなり、２２０ｇ／Ｌ以上になると硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、１８０〜２１０ｇ／Ｌが良い。塩素イオンについては、２０ｍｇ／Ｌ以下では陽極アノードの銅の溶解が悪くなり、銅イオンの供給不足になり、７０ｍｇ／Ｌ以上は効果が見られない。望ましくは、３０〜６０ｍｇ／Ｌが良い。
【００２５】
次に、図２（ｊ）に示すように、アルカリ性溶液（４％の水酸化ナトリウム溶液）でめっきレジスト１０を膨潤剥離する。次に、図２（ｋ）に示すように、硫酸−過酸化水素系のエッチング液で銅からなるシード層３をクイックエッチング除去し、第２の配線パターン１１の形成を完了する。
【００２６】
ここで、第２の配線パターン１１に使用する第２の電解めっき液の効果を詳細に説明する。基板表面に形成する配線パターンは、一般的にパターンの線幅、パターン密度が異なっており、めっき部分に疎部、密部がある。このパターンの疎密に影響しにくいめっき液の開発が重要であった。本発明は、パターンの疎密によるめっき厚バラツキいわゆる均一電着性の評価として、ハルセル板を用いて全電流２Ａ、めっき時間２０分、エアー攪拌の条件で通電しながら銅めっきを行い、ハルセル板の左端（高電流端）から２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ、８．５ｃｍの位置（図３）の膜厚を膜厚計により測定し、下記に示すFieldの式に基づいて、異なる２点間の均一電着性の比率Ｔ（％）を算出した。異なる２点間の組み合わせは、２．５ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ１３．３，
３．５ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ１０、
６．０ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ４．４とした。
【００２７】
また、ハルセル板の左端から２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ、８．５ｃｍの位置に対して電流密度がそれぞれ、６Ａ／ｄｍ2、４．５Ａ／ｄｍ2、２Ａ／ｄｍ2、０．４５Ａ／ｄｍ2となる。
【００２８】
（Fieldの式）
Ｔ（％）＝１００・（Ｐ−Ｍ）／（Ｐ＋Ｍ−２）
Ｔ：均一電着性
Ｐ：２点間の一次電流分布
Ｍ：２点間のめっき膜厚比
（但し、ハルセルの陰極上の１次電流密度の分布は、ｉ＝Ｉ＊（５．１０−５．２４ＬｏｇＬ）で表される。ｉ：電流密度（Ａ／ｄｍ2）、Ｉ：全電流（Ａ）、Ｌ：高電流密度側端部からの距離（ｃｍ）、所定の組み合わせによる２点間の電流密度比が、２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ各々の位置において、一次電流密度比Ｐの数値（Ｐ１３．３、Ｐ１０、Ｐ４．４）となり、当該組み合わせによる測定点のめっき膜厚の比が各々Ｍの数値となる。
【００２９】
（表１）に、Ｐ１３．３、Ｐ１０、Ｐ４．４における均一電着性の試験結果を示す。
【００３０】
理論的に、一次電流分布比Ｐでは、Ｐ４．４＜Ｐ１０＜Ｐ１３．３の順に数値が良くなり、固定した２点間のＰ値ごとに均一電着性は評価することができる。Ｐ１３．３は高電流部と低電流部での均一性、Ｐ１０は中電流部と低電流部、Ｐ４．４は低電流部での均一性評価となる。均一電着性Ｔ(％）の数値が大きいほど良い。
【００３１】
【表１】
【００３２】
結果を（表１）に示すが、Ｐ１３．３で比較すると、実施例１として、硫酸銅５水和物７０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が７０．３％、実施例２として、硫酸銅５水和物１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が６７．８７％、比較例として、硫酸銅５水和物２００ｇ／Ｌ、硫酸２５ｇ／Ｌ、塩素イオン１５ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が３５．１４％であった。
【００３３】
均一電着性の一般的目安として、Ｔ＞４０％で良好、６０％前後であれば優れており、７０％以上はきわめて優れた数値と言われている。
【００３４】
つまり、配線パターンのパターン密度が異なっても、銅イオン濃度が低く、硫酸濃度が高い硫酸銅めっき液を用いれば、配線パターンの疎部、密部の影響を低減でき、ファインな配線パターンが形成できる。
【００３５】
さらに、前記第２の配線パターン１１を含む表層に上記図１、図２を再度実施することで、所望の第３、第４の配線パターン（図示せず）を増やすことができ、ファインパターンで高密度の多層プリント配線板を製造することができる。
【００３６】
以上のように、本発明の配線基板の製造方法に示すように、ビアフィル用めっき液で先ずビア部を銅で充填し、次にパターン用めっき液でパターンを形成する２回めっきをするもので、２回めっきを行う際に、ビア部以外をめっきレジストでマスクし、ビア部のみにめっきするときのめっきレジストの形成方法に特徴を有している。また、２種類の性質の異なるレジストを構成することにより、ビアとレジストマスクの合致性を完全なものにすることができる。
【００３７】
つまり、基板表面にシード層を形成した後、アルカリ剥離タイプのめっきレジストを形成し、次に加熱剥離タイプのレジストを形成した後、レーザー等で２層のレジスト上から基板にブラインドビアを形成する。その後、無電解銅めっき等により、レジスト表面及びビア内部にシード層を形成し、その後、表層のレジストを加熱剥離し、ビア部へのめっきを行う。このとき、ビア部に電流が集中し、めっき析出速度が上がるが、周辺にめっきパターンがないため、銅イオンの消費がビア部のみであり、パターンがある場合に比べ銅イオンがリッチの状態になっており、銅イオンの供給が十分になされ、高速めっきが可能であることが分かった。次に、下層絶縁層をアルカリ性剥離液で剥離することにより、セミアディティブプロセスでパターンめっきを行うことが出来る。このことにより、ビア部に高速で銅を充填するとともに、パターンの疎密に対しても有利なめっきが可能となった。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上のように、本発明にかかる配線基板の製造方法は、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行なうことができるので、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのようなファインパターンの形成が可能となり、また、ビルドアップ基板での層間接続用ブラインドビアホールにも銅を充填することができ、半導体パッケージ等各種電子機器、通信機器等の配線基板の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示すプロセス図
【図２】本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示すプロセス図
【図３】本発明の実施の形態における均一電着性評価用ハルセル基板と測定場所を示す図
【符号の説明】
【００４０】
１ 第１の配線パターン
２ コア基板
３ シード層
４ 絶縁樹脂層
５ フォトレジスト（下層絶縁層）
６ 加熱剥離テープ（表層絶縁層）
７ ブラインドビアホール
８ 無電解銅めっき層
９ 穴埋めめっき層
１０ めっきレジスト
１１ 第２の配線パターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルドビア構造を有し、微細パターンを形成するのに有利なセミアディティブ工法による配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化により、使用されるプリント配線基板の高密度化が急速に進められている。このためビルドアップ基板と呼ばれる形態の配線基板が大量に生産されるようになってきた。このビルドアップ基板はコアとなる多層プリント配線板の表面に絶縁樹脂層と配線層を交互に積み上げて形成していくものであり、配線層間の導通はブラインドビアホールを形成してその内部に銅めっきを行うことによって行われる。そして、更なる設計自由度の向上と配線の高密度化の要求により、ブラインドビアホールの上に上方層のブラインドビアホールを形成するために、ブラインドビアホールを銅で埋めてしまうフィールドビアと呼ばれる方法が開発され量産化されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、配線パターンの高密度化も同時に要求されてきており、要望される狭ピッチ配線パターンの形成は、基板表面を全面銅めっきして、エッチングを行うサブトラクティブ法では、エッチング時のサイドエッチングによりファインパターンの形成が不可能である。このため、基板表面を薄い銅皮膜等で導電化処理してめっきシード層を形成し、めっきシード層上にめっきレジストパターンを形成して、めっき液に浸漬し、めっきシード層をカソード電極にして電解めっきを行ない、めっきを析出させて配線パターンを形成するセミアディティブ法が注目されてきている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４２８２８号公報
【特許文献２】特開２００３−４６２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ブラインドビアホールを埋めるとともにファインパターンの形成に有利なセミアディティブ工法による配線基板を作製する場合、ブラインドビアホールの埋め込みに用いる硫酸銅めっき液としては、ビアホール中に十分銅イオンを供給して、良好な埋め込み性が得られるように、銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液が用いられており、この様な組成のめっき液は、浴の電気伝導率が悪いため、セミアディティブ工法で用いられるパターンめっきにおいて、パターンの大小、疎密によるめっき厚バラツキが大きくなるという問題点があり、今後さらにファインピッチなパターンに進行する上で大きな障害となっている。
【０００５】
また、ブラインドビアホールを銅で埋めるフィルドビアを電解銅めっきにより行う場合には、一般的に、電流密度を下げることで、ボイドの発生や穴が埋まらないという現象を回避してきたため、ブラインドビアホール内を銅で埋めないコンフォーマルビアめっきに比べ、生産性が劣るという課題を有していた。
【０００６】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ブラインドビアホールを銅で埋めるとともに、セミアディティブ工法を生かし、生産性を落とさずに、ファインパターン形成を可能とする配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記、従来の課題を解決するために、本発明者は、上記した目的を達成するため鋭意研究を重ねてきた。その結果、基板外周部とブラインドビアホール部以外に耐めっき絶縁層を設け、被めっき基板に通常のフィールドビアめっき用の銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液で、且つ、低電流密度でめっきすることにより、ブラインドビア部に電流が集中し、めっき析出速度が３〜５倍（ビア数によって速度が異なる）の速度でブラインドビア内にボイドも発生せずにフィールドビアめっきができることを見出した。このことにより従来のフィールドビアめっき時間の１／３〜１／５にすることができる。そこで、先ず、銅イオン濃度が比較的高く、硫酸濃度が低い組成の硫酸銅めっき液で、フィールドビアめっきを行い、その後、銅イオン濃度が比較的低く、硫酸濃度が高い組成の硫酸銅めっき液で、パターンめっきを行えるプロセスを研究し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明のプロセスは、第１の配線パターンが形成されたコア基板の表層に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層表面にシード層を形成する工程と、前記シード層上に下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、前記２層の絶縁層の表面から前記第１の配線パターンにまで至るブラインドビアホールを形成する工程と、前記絶縁層の表面およびブラインドビアホールに触媒を付与後無電解銅めっき層を形成する工程と、前記２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより前記ブラインドビアホール部の内部に銅を充填する第１の電解めっき工程と、前記下層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト層を形成する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記めっきレジスト層の直下にある前記シード層をエッチング除去する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板製造方法は、ブラインドビアホールに銅を充填するとともに、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態における配線基板の製造方法について、図面及び表を参照しながら説明する。
【００１１】
図１、図２は、本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００１２】
先ず、図１（ａ）に示すように第１の配線パターン１が形成されたコア基板２の表層に表面が粗化された薄い銅箔（３μｍ）付き無機フィラー入りのエポキシ樹脂（４０μｍ厚）絶縁層を真空ラミネートし、絶縁樹脂層４を形成する。その後、真空プレスで１８０℃、１時間加圧、加熱し、銅箔からなるシード層３を形成する。本発明において、シード層３は無電解銅めっき＋電解めっき皮膜、無電解銅めっき皮膜、真空蒸着による銅皮膜、スパッタによる銅皮膜でも良い。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、シード層３の上に、下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプのドライフィルムよりなる耐めっき性のフォトレジスト５を形成する。さらに、前記フォトレジスト５の上に表層絶縁層として加熱剥離タイプの耐めっきテープ（例えば、電気化学工業(株)製エレグリップテープ）６を形成する。
【００１４】
次に、図１（ｃ）に示すように、ＵＶ−ＹＡＧレーザで前記フォトレジスト５、加熱剥離テープ６の上から第１の配線パターン１の銅表面まで照射し、ブラインドビアホール（Φ６０μｍ）７を形成する。
【００１５】
次に、ブラインドビアホール７のデスミア処理を行う。デスミア処理としては、先ずＯＰＣ−１０５０コンディショナー（奥野製薬工業製）に水酸化ナトリウムを加えた溶液で膨潤させた後、銅めっき膜との密着性を向上させるため、ＯＰＣ−１２００エポエッチ（奥野製薬工業製）に過マンガン酸カリウムを加えた液でブラインドビアホール内を粗化し、酸性溶液で中和する。次に無電解銅めっきの前処理としてＯＰＣ−３９０コンディクリーンＭ（奥野製薬工業製）でコンディショニングし、過硫酸ソーダでソフトエッチングした後、硫酸でデスマット処理を行う。次に、ＯＰＣ−ＳＡＬＭ溶液（奥野製薬工業製）でプリディップし、ＯＰＣ−８０キャタリスト（奥野製薬工業製）で触媒（Ｐｄ）を付着し、ＯＰＣ−５５５アクセレータＭ（奥野製薬工業製）でアクセレータ処理を行い、無電解銅めっき処理のための核付けを行う。その後、図１（ｄ）に示すように、無電解銅めっき液でブラインドビアホールの中に無電解銅めっき層８（０．５〜１．５μｍ）を形成する。
【００１６】
その後、図１（ｅ）に示すように、前記性質の異なる２種の耐めっき性絶縁層のうち、上層絶縁層である加熱剥離テープ６を１４０℃の雰囲気で加熱し、加熱剥離テープ６上の無電解銅めっき層８とともに剥離する。
【００１７】
次に、被めっき用基板周辺部にめっき析出部、あるいは、基板固定治具にめっき析出部を設け（図示せず）、図１（ｆ）に示すように、被めっき基板の外周シード層から給電を行い、ブラインドビアホール７の内部に穴埋めめっき層９である銅を充填する第１の電解めっきを行なう。第１の電解めっきは、フィールドビアめっき用として、硫酸銅５水和物２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含み、添加剤（高分子系化合物からなるポリマー成分、硫黄系化合物からなるブライトナー成分、窒素系化合物からなるレベラー成分）を適量添加しためっき液を用いた。このめっき液に浸漬し、空気攪拌を行いながら、めっき浴温２５℃、陰極電流密度１Ａ／ｄｍ2でブラインドビアホール７内を銅で充填し、穴埋めめっき層９を形成した。
【００１８】
ここで、第１の電解めっき工程について詳細に述べる。本発明において、第１の電解銅めっき液の組成としては、フィールドビアめっき用として、硫酸銅５水和物１６０〜２５０ｇ／Ｌ、硫酸１５〜８０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含み、促進剤として含硫黄有機化合物、抑制剤として、非イオン性ポリエーテル系高分子界面活性剤と含窒素有機化合物を含有する水溶液が適している。硫酸銅５水和物については、１６０ｇ／Ｌ以下になるとブラインドビアホール内部を銅で充填することができず、２５０ｇ／Ｌ以上では硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、１７０〜２３０ｇ／Ｌが良い。硫酸については、１５ｇ／Ｌ以下では電気導電性が悪くなり、８０ｇ／Ｌになると硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、２０〜７０ｍｇ／Ｌが良い。塩素イオンについては、２０ｍｇ／Ｌ以下ではビア内部にボイドを発生し易くなり、７０ｍｇ／Ｌ以上ではビア内部への銅の充填性が悪くなる。望ましくは、３０〜６０ｍｇ／Ｌが良い。
【００１９】
また、被めっき基板周辺部にめっき析出部、あるいは、基板固定治具にめっき析出部を設け、電流密度０．５〜２Ａ／ｄｍ2で被めっき基板の外周とブラインドビアホール以外を絶縁樹脂でマスクし、電解銅めっきを行ったところ、絶縁樹脂マスクがない場合に比べ１／３〜１／５の時間でブラインドビアに銅を充填することができた。さらに、ブラインドビア断面を観察したところ、ボイドの発生もなく銅が充填されていた。この点について考察した。ブラインドビアと基板外周部に絶縁マスクがないと基板の周辺部あるいは、基板固定治具のめっき析出部を除き基板全面に均一な電流線が到達し、ほぼ均一にめっき析出が起こるが、ブラインドビアと基板外周部に絶縁マスクがあるいは基板固定治具のめっき析出部があることにより、基板外周部に比べ、ブラインドビア部に電流が集中し、めっきが促進する。
【００２０】
また、ブラインドビア部以外はめっき析出反応が起こっていないため、ビア周辺のめっき液の銅濃度はビア周辺部に銅リッチな状態になっているため、銅の供給が十分に行われ、ボイドやコンフォーマルめっきにならずに、ビア内部に銅が充填されると考えられる。また、添加剤である促進剤はビア内部に蓄積され、電流線の強いビア上部に抑制剤が濃縮され、ビア内部の銅の析出を加速しているものと思われる。このことからも電流線のビア部への集中により、添加剤の効果も有効に発揮できていると考えられる。
【００２１】
本実施の形態では、直径６０μｍ、深さ４０μｍのブラインドビアホール７に、従来のパネルめっきでは、ビア内部に銅を充填するのに１Ａ／ｄｍ2で１２０分かかっていたものが、本発明のビア部のみのめっき法であれば、２５分で銅を充填し、穴埋めめっき層９を形成することができた。
【００２２】
次に、図２（ｇ）に示すように、アルカリ性溶液（４％の水酸化ナトリウム溶液）で下層絶縁層であるフォトレジスト５を膨潤剥離する。その後、図２（ｈ）に示すように、表面を軽く研磨し、前記シード層３上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト１０を形成する。第２の配線パターンには、線幅（Ｌ）／線間（Ｓ）＝２５／２５μｍのファインパターンを含む半導体パッケージ基板に対応するパターンを形成した。
【００２３】
次に、図２（ｉ）に示すように、前記シード層３に給電し、第２の電解銅めっきにより第２の配線パターン１１を形成する。パターンめっき用の第２の電解銅めっき液は、硫酸銅５水和物７０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含み、添加剤（高分子系化合物からなるポリマー成分、硫黄系化合物からなるブライトナー成分、窒素系化合物からなるレベラー成分）を適量添加しためっき液を用いた。このめっき液に、浸漬し、空気攪拌を行いながら、めっき浴温２５℃、陰極電流密度３Ａ／ｄｍ2で、電解銅めっきを行い第２の配線パターン１１を形成した。
【００２４】
次に、パターンめっき用の第２の電解めっき工程について詳細に述べる。本発明において、第２の電解銅めっき液の組成が、硫酸銅５水和物５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１６０〜２２０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含み、促進剤として含硫黄有機化合物、抑制剤として、非イオン性ポリエーテル系高分子界面活性剤と含窒素有機化合物を含有する水溶液が適している。硫酸銅５水和物については、５０ｇ／Ｌ以下になるとめっき銅皮膜物性が悪くなり、１００ｇ／Ｌ以上では硫酸がリッチなめっき液では、硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、６０〜８０ｇ／Ｌが良い。硫酸については、１６０ｇ／Ｌ以下では均一電着性が悪くなり、２２０ｇ／Ｌ以上になると硫酸銅が溶けにくくなる。望ましくは、１８０〜２１０ｇ／Ｌが良い。塩素イオンについては、２０ｍｇ／Ｌ以下では陽極アノードの銅の溶解が悪くなり、銅イオンの供給不足になり、７０ｍｇ／Ｌ以上は効果が見られない。望ましくは、３０〜６０ｍｇ／Ｌが良い。
【００２５】
次に、図２（ｊ）に示すように、アルカリ性溶液（４％の水酸化ナトリウム溶液）でめっきレジスト１０を膨潤剥離する。次に、図２（ｋ）に示すように、硫酸−過酸化水素系のエッチング液で銅からなるシード層３をクイックエッチング除去し、第２の配線パターン１１の形成を完了する。
【００２６】
ここで、第２の配線パターン１１に使用する第２の電解めっき液の効果を詳細に説明する。基板表面に形成する配線パターンは、一般的にパターンの線幅、パターン密度が異なっており、めっき部分に疎部、密部がある。このパターンの疎密に影響しにくいめっき液の開発が重要であった。本発明は、パターンの疎密によるめっき厚バラツキいわゆる均一電着性の評価として、ハルセル板を用いて全電流２Ａ、めっき時間２０分、エアー攪拌の条件で通電しながら銅めっきを行い、ハルセル板の左端（高電流端）から２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ、８．５ｃｍの位置（図３）の膜厚を膜厚計により測定し、下記に示すFieldの式に基づいて、異なる２点間の均一電着性の比率Ｔ（％）を算出した。異なる２点間の組み合わせは、２．５ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ１３．３，
３．５ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ１０、
６．０ｃｍ／８．５ｃｍの組み合わせで→Ｐ４．４とした。
【００２７】
また、ハルセル板の左端から２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ、８．５ｃｍの位置に対して電流密度がそれぞれ、６Ａ／ｄｍ2、４．５Ａ／ｄｍ2、２Ａ／ｄｍ2、０．４５Ａ／ｄｍ2となる。
【００２８】
（Fieldの式）
Ｔ（％）＝１００・（Ｐ−Ｍ）／（Ｐ＋Ｍ−２）
Ｔ：均一電着性
Ｐ：２点間の一次電流分布
Ｍ：２点間のめっき膜厚比
（但し、ハルセルの陰極上の１次電流密度の分布は、ｉ＝Ｉ＊（５．１０−５．２４ＬｏｇＬ）で表される。ｉ：電流密度（Ａ／ｄｍ2）、Ｉ：全電流（Ａ）、Ｌ：高電流密度側端部からの距離（ｃｍ）、所定の組み合わせによる２点間の電流密度比が、２．５ｃｍ、３．５ｃｍ、６．０ｃｍ各々の位置において、一次電流密度比Ｐの数値（Ｐ１３．３、Ｐ１０、Ｐ４．４）となり、当該組み合わせによる測定点のめっき膜厚の比が各々Ｍの数値となる。
【００２９】
（表１）に、Ｐ１３．３、Ｐ１０、Ｐ４．４における均一電着性の試験結果を示す。
【００３０】
理論的に、一次電流分布比Ｐでは、Ｐ４．４＜Ｐ１０＜Ｐ１３．３の順に数値が良くなり、固定した２点間のＰ値ごとに均一電着性は評価することができる。Ｐ１３．３は高電流部と低電流部での均一性、Ｐ１０は中電流部と低電流部、Ｐ４．４は低電流部での均一性評価となる。均一電着性Ｔ(％）の数値が大きいほど良い。
【００３１】
【表１】
【００３２】
結果を（表１）に示すが、Ｐ１３．３で比較すると、実施例１として、硫酸銅５水和物７０ｇ／Ｌ、硫酸２００ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が７０．３％、実施例２として、硫酸銅５水和物１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が６７．８７％、比較例として、硫酸銅５水和物２００ｇ／Ｌ、硫酸２５ｇ／Ｌ、塩素イオン１５ｍｇ／Ｌを含む硫酸銅めっき液では、均一電着性が３５．１４％であった。
【００３３】
均一電着性の一般的目安として、Ｔ＞４０％で良好、６０％前後であれば優れており、７０％以上はきわめて優れた数値と言われている。
【００３４】
つまり、配線パターンのパターン密度が異なっても、銅イオン濃度が低く、硫酸濃度が高い硫酸銅めっき液を用いれば、配線パターンの疎部、密部の影響を低減でき、ファインな配線パターンが形成できる。
【００３５】
さらに、前記第２の配線パターン１１を含む表層に上記図１、図２を再度実施することで、所望の第３、第４の配線パターン（図示せず）を増やすことができ、ファインパターンで高密度の多層プリント配線板を製造することができる。
【００３６】
以上のように、本発明の配線基板の製造方法に示すように、ビアフィル用めっき液で先ずビア部を銅で充填し、次にパターン用めっき液でパターンを形成する２回めっきをするもので、２回めっきを行う際に、ビア部以外をめっきレジストでマスクし、ビア部のみにめっきするときのめっきレジストの形成方法に特徴を有している。また、２種類の性質の異なるレジストを構成することにより、ビアとレジストマスクの合致性を完全なものにすることができる。
【００３７】
つまり、基板表面にシード層を形成した後、アルカリ剥離タイプのめっきレジストを形成し、次に加熱剥離タイプのレジストを形成した後、レーザー等で２層のレジスト上から基板にブラインドビアを形成する。その後、無電解銅めっき等により、レジスト表面及びビア内部にシード層を形成し、その後、表層のレジストを加熱剥離し、ビア部へのめっきを行う。このとき、ビア部に電流が集中し、めっき析出速度が上がるが、周辺にめっきパターンがないため、銅イオンの消費がビア部のみであり、パターンがある場合に比べ銅イオンがリッチの状態になっており、銅イオンの供給が十分になされ、高速めっきが可能であることが分かった。次に、下層絶縁層をアルカリ性剥離液で剥離することにより、セミアディティブプロセスでパターンめっきを行うことが出来る。このことにより、ビア部に高速で銅を充填するとともに、パターンの疎密に対しても有利なめっきが可能となった。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上のように、本発明にかかる配線基板の製造方法は、パターン密度の疎密にかかわらずめっき膜厚を均一に電解めっきを行なうことができるので、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのようなファインパターンの形成が可能となり、また、ビルドアップ基板での層間接続用ブラインドビアホールにも銅を充填することができ、半導体パッケージ等各種電子機器、通信機器等の配線基板の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示すプロセス図
【図２】本発明の実施の形態における配線基板の製造方法を示すプロセス図
【図３】本発明の実施の形態における均一電着性評価用ハルセル基板と測定場所を示す図
【符号の説明】
【００４０】
１ 第１の配線パターン
２ コア基板
３ シード層
４ 絶縁樹脂層
５ フォトレジスト（下層絶縁層）
６ 加熱剥離テープ（表層絶縁層）
７ ブラインドビアホール
８ 無電解銅めっき層
９ 穴埋めめっき層
１０ めっきレジスト
１１ 第２の配線パターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線パターンが形成されたコア基板の表層に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層表面にシード層を形成する工程と、前記シード層上に下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、前記２層の絶縁層の表面から前記第１の配線パターンにまで至るブラインドビアホールを形成する工程と、前記絶縁層の表面およびブラインドビアホールに触媒を付与後無電解銅めっき層を形成する工程と、前記２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより前記ブラインドビアホール部の内部に穴埋めめっき層を充填する第１の電解めっき工程と、前記下層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト層を形成する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記めっきレジスト層の直下にある前記シード層をエッチング除去する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
シード層を、銅箔、無電解めっき＋電解めっき層、無電解めっき層、真空蒸着形成膜、スパッタ形成膜のいずれかを用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
第１の電解銅めっき工程に、硫酸銅５水和物１６０〜２５０ｇ／Ｌ、硫酸１５〜８０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含むめっき液、第２の電解銅めっき工程に、硫酸銅５水和物５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１６０〜２２０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含むめっき液を用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
ブラインドビアホールの形成にレーザーを用いたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
基板の周辺部にめっき膜析出用シード層を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
基板保持治具にめっき析出部分を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１】
第１の配線パターンが形成されたコア基板の表層に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層表面にシード層を形成する工程と、前記シード層上に下層絶縁層としてアルカリ剥離タイプの耐めっき性絶縁層を形成する工程と、上層絶縁層として加熱剥離タイプである耐めっき性絶縁層を形成する工程と、前記２層の絶縁層の表面から前記第１の配線パターンにまで至るブラインドビアホールを形成する工程と、前記絶縁層の表面およびブラインドビアホールに触媒を付与後無電解銅めっき層を形成する工程と、前記２種の耐めっき性絶縁層のうち上層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより前記ブラインドビアホール部の内部に穴埋めめっき層を充填する第１の電解めっき工程と、前記下層絶縁層を剥離する工程と、前記シード層上に形成される第２の配線パターンに応じてめっきレジスト層を形成する工程と、前記シード層から給電を行い、電解銅めっきにより第２の配線パターンを形成する第２の電解めっき工程と、前記めっきレジスト層を除去する工程と、前記めっきレジスト層の直下にある前記シード層をエッチング除去する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
シード層を、銅箔、無電解めっき＋電解めっき層、無電解めっき層、真空蒸着形成膜、スパッタ形成膜のいずれかを用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
第１の電解銅めっき工程に、硫酸銅５水和物１６０〜２５０ｇ／Ｌ、硫酸１５〜８０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含むめっき液、第２の電解銅めっき工程に、硫酸銅５水和物５０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸１６０〜２２０ｇ／Ｌ、塩素イオン２０〜７０ｍｇ／Ｌを含むめっき液を用いることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
ブラインドビアホールの形成にレーザーを用いたことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
基板の周辺部にめっき膜析出用シード層を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
基板保持治具にめっき析出部分を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００８−２１８５４０（Ｐ２００８−２１８５４０Ａ）
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５０９９１（Ｐ２００７−５０９９１）
【出願日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１８日（２００８．９．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月１日（２００７．３．１）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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