電気光学素子の製造方法、電気光学装置
【課題】 色再現性を向上しながらも生産性を向上した電気光学素子の製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】 有機ＥＬ素子は陽極（反射層、スペーサ）、有機ＥＬ層及び陰極から構成されている。そして、赤色、緑色、青色を表現する各サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに応じて異なる膜厚のスペーサを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。各スペーサはＩＴＯから形成されており、液滴吐出ヘッド４４が吐出するＩＴＯ形成材料Ｐｕの吐出量を制御するだけで、各色に対応して異なる膜厚のスペーサを形成した。
【解決手段】 有機ＥＬ素子は陽極（反射層、スペーサ）、有機ＥＬ層及び陰極から構成されている。そして、赤色、緑色、青色を表現する各サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに応じて異なる膜厚のスペーサを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。各スペーサはＩＴＯから形成されており、液滴吐出ヘッド４４が吐出するＩＴＯ形成材料Ｐｕの吐出量を制御するだけで、各色に対応して異なる膜厚のスペーサを形成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ装置や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置（有機ＥＬディスプレイ装置）等の電気光学装置は、表示モジュールとして携帯電話やＰＤＡ等の携帯用の電子機器に搭載されている。近年、これら電子機器においても精細な画像を見ることが多くなっているため、前記電気光学装置を構成する電気光学素子の色再現性の向上が望まれていた。
【０００３】
そこで、こうした電気光学素子の色再現性を改善させたマイクロキャビティ構造が提案されている（例えば、非特許文献１）。この非特許文献１のマイクロキャビティ構造では、いわゆるトップエミッション構造において、反射層を有した陽極と半透過性のある陰極とその間に配置された有機ＥＬ層から構成されている。このマイクロキャビティ構造は、有機ＥＬ層から発光された光の波長のうち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかに対応する波長を選択して出力する一種の光学フィルタとして機能する。
【０００４】
すなわち、有機ＥＬ層から発光されて陽極で反射した光（反射光）と、同様に有機ＥＬ層から発光されて陰極を透過する光（透過光）とが多重干渉し、所定の波長の光を出射している。そして、陽極と陰極との間の光学的距離を変化させることによって前記反射光と透過光との干渉が変化し、赤色、緑色、青色それぞれ異なる波長の光を選択的に出力することができる。そのため、このマイクロキャビティ構造においては、陽極と陰極との間に赤色、緑色、青色それぞれ異なる膜厚のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)を配置することにより各色に応じて光学的距離を変化させ、各色に対応した波長の光を出射させていた。この結果、色純度の高い発光が得られ、鮮やかな色再現性を実現していた。
【非特許文献１】Mitsuhiro Kashiwabara 他著 「Advanced AM-OLED Display Based on White Emitter with Microcavity Structure」SID 04 DIGEST p1017-1019, 2004
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このマイクロキャビティ構造は、従来、フォトリソグラフィ法により生産されていたので、ＩＴＯの膜厚を赤色、緑色、青色のそれぞれにおいて異ならせて成膜するためには、複数回のフォトリソグラフィ工程を必要としていた。この結果、電気光学装置を形成するための製造工程数が多くなり、その生産性を損なっていた。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、色再現性を向上しながらも生産性を向上した電気光学素子の製造方法、電気光学装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、本発明の電気光学素子の製造方法は、基板上に積層される発光層に第１の電極と第２の電極とを形成し、前記第１及び第２の電極を介して前記発光層に電流を流すことによって前記発光層が発光する電気光学素子の製造方法において、前記第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【０００８】
この発明によれば、第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装
置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、液滴吐出装置にて機能液を吐出するだけで、容易に光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、例えば、フォトリソグラフィ工程によって光透過性の導電性スペーサを形成するときと比較して、製造工程数を削減することができるので、生産性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光反射性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【００１０】
この発明によれば、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光反射性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、例えば、トップエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、高輝度でありながらも生産性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、前記第１の電極と前記基板の間に光反射層を形成した。
【００１２】
この発明によれば、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、第１の電極と基板の間に光反射層を形成した。この結果、例えば、第１及び第２の電極が共に光透過性を有する電極であるトップエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、高輝度でありながらも生産性を向上させることができる。
【００１３】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記基板は透明基板であり、前記第２の電極は光反射性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【００１４】
この発明によれば、基板は透明基板であり、第２の電極は光反射性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、例えば、ボトムエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、生産性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記基板は透明基板であり、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、前記第２の電極の前記発光層と反対側に光反射層を形成した。
【００１６】
この発明によれば、基板は透明基板であり、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、第２の電極の発光層と
反対側に光反射層を形成した。この結果、例えば、第１及び第２の電極が共に光透過性を有する電極であるボトムエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、生産性を向上させることができる。
【００１７】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記発光層は有機材料で形成され、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子である。
この発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の生産性を向上することができる。
【００１８】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記発光層は白色光を発光する有機材料で形成されている。
この発明によれば、発光層が白色光を発光する有機材料で形成されている電気光学素子の生産性を向上することができる。
【００１９】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記液滴吐出装置から吐出される前記導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、前記光透過性の導電性スペーサの膜厚が、前記電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量である。
【００２０】
この発明によれば、液滴吐出装置から吐出される導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、光透過性の導電性スペーサの膜厚が、電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量である。この結果、液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を制御するだけで、電気光学素子が出射する光の波長に応じて異なる膜厚の光透過性の導電性スペーサを容易に形成することができる。従って、例えば、複数回のフォトリソグラフィ工程によって異なる膜厚の光透過性の導電性スペーサを形成するときと比較して製造工程数を削減することができるので、色再現性を向上させながらも生産性を向上させることができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学素子の製造方法で製造した電気光学素子を備えた。
この発明によれば、上記に記載の電気光学素子を備えた電気光学装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図５に従って説明する。図１は、表示モジュールとしての有機エレクトロルミネッセンス表示モジュール１０（有機ＥＬ表示モジュール）の概略平面図を示す。
【００２３】
図１に示すように、有機ＥＬ表示モジュール１０は、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）１１を有しており、その有機ＥＬディスプレイ１１の図中下側にはフレキシブル基板１２が接続されている。
【００２４】
有機ＥＬディスプレイ１１は、本実施形態ではトップエミッション型のディスプレイであって、平面板状の基板としてのガラス基板１３を備えている。そのガラス基板１３の表面（画素形成面１３ａ）の略中央位置には、四角形状の表示領域１４が形成されている。その表示領域１４内には、図１において上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｄと、同データ線Ｌｄに併設される電源線Ｌｖが所定の間隔をおいて配列されている。そのデータ線Ｌｄと直交する方向（行方向）には、同行方向に延びる複数の走査線Ｌｓが所定の間隔をおいて配列されている。これらデータ線Ｌｄと走査線Ｌｓの交差する位置には、それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）にそれぞれ対応したサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成されている。つまり、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが、そ
れぞれ対応するデータ線Ｌｄ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｓに接続されることによってマトリックス状に、繰り返し配列されている。そして、走査線Ｌｓ上の、順番に繰り返し配設される赤色、緑色、青色に対応したサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂをそれぞれ一つの組として、画素回路１５を構成している。
【００２５】
画素回路１５は、駆動電流が供給されることによって発光する電気光学素子としての有機エレクロトルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１６、その有機ＥＬ素子１６の発光を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７、さらには図示しない容量素子等を有している。
【００２６】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の左側には、ＣＯＧ（Chip on glass ）方式で実装される走査線駆動回路１８が形成されている。走査線駆動回路１８は、前記各走査線Ｌｓに対して、走査線Ｌｓ上のサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを選択するための走査信号を出力するようになっている。また、走査線駆動回路１８は、図示しないプリント基板に接続されて、同プリント基板の制御用ＩＣ等から出力される制御信号に基づいて、前記走査信号を所定の走査線Ｌｓに所定のタイミングで出力するようになっている。そして、画素形成面１３ａの略全面を四角形状の保護ガラス基板１３ｂ（図１における２点鎖線）で覆うことによって、これら走査線駆動回路１８及び表示領域１４が保護されるようになっている。
【００２７】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の下側には、データ線端子形成部１９が形成されている。そのデータ線端子形成部１９には、各データ線Ｌｄに対応する複数のデータ線端子（図示しない）が形成されている。各データ線端子は、銅箔等で形成される端子であって、ガラス基板１３の下側辺１３ｃに沿って等ピッチで配列されてそれぞれ対応するデータ線Ｌｄに電気的に接続されている。そして、各データ線端子が前記保護ガラス基板１３ｂから露出することによって、各データ線Ｌｄが、外部との電気的な接続を可能にする。
【００２８】
図１に示すように、画素形成面１３ａの一側端であってデータ線端子形成部１９の表側には、フレキシブル基板１２が接続されている。そのフレキシブル基板１２には、基板本体２０が備えられている。基板本体２０は、上下方向に長い長尺状に形成された可撓性基板であって電気的絶縁性を有するポリイミド樹脂で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、その基板本体２０の表面（図１における裏側の面）を画素形成面１３ａと向かい合わせるように配設されている。基板本体２０の表面であって、前記データ線端子形成部１９と対向する位置には、外部端子形成部２３が設けられている。その外部端子形成部２３には、複数の接続端子（図示しない）が前記データ線端子と相対するピッチ幅で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、いわゆる異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって各接続端子と対応するデータ線端子とを電気的に接続して有機ＥＬディスプレイ１１（有機ＥＬ表示モジュール１０）に実装される。
【００２９】
外部端子形成部２３の下側には、駆動用ＩＣチップ２７が配設されている。駆動用ＩＣチップ２７は、有機ＥＬ素子１６を発光させるための駆動信号及び駆動電圧を生成し供給する。駆動用ＩＣチップ２７は、前記異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって基板本体２０（フレキシブル基板１２）に実装されている。
【００３０】
そして、その駆動用ＩＣチップ２７の出力側（有機ＥＬディスプレイ１１側）に形成された図示しない接続端子と前記外部端子形成部２３に形成された接続端子とが出力配線３０によって接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、各データ線Ｌｄ及び電源線Ｌｖと電気的に接続される。また、駆動用ＩＣチップ２７の入力側（図１中下側）に形成された図示しない接続端子と図示しないプリント基板の制御用ＩＣが入力配線３１によ
って接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、その制御用ＩＣと電気的に接続される。
【００３１】
そして、駆動用ＩＣチップ２７は、制御用ＩＣから出力される制御信号に基づいて、駆動電圧を電源線Ｌｖに供給するとともに、データ信号を所定のデータ線Ｌｄに所定のタイミングで出力する。すなわち、駆動用ＩＣチップ２７が前記走査信号によって選択された画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）に前記データ信号を出力すると、画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）の有機ＥＬ素子１６が同データ信号に基づいて発光する。
【００３２】
図２は、有機ＥＬディスプレイ１１のガラス基板１３上に形成されたサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂのうち、赤色に対応したサブピクセル１５Ｒの断面図である。なお、他のサブピクセル１５Ｇ，１５Ｂも後述する陽極Ｐｃの膜厚以外はサブピクセル１５Ｒと同様の構成であるため、その図示と説明を省略する。本実施形態では、図４に示すように、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂにそれぞれ配置されている白色光を発光する有機ＥＬ素子１６の上面に赤色、緑色、青色に対応したカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢをそれぞれ配置してフルカラー表示を行うように構成されている。図４は、各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）からの光の出射を説明する説明図である。
【００３３】
図２に示すように、ＴＦＴ１７は、その最下層にチャンネル膜Ｂ１を備えている。チャンネル膜Ｂ１は、画素形成面１３ａ上に形成される島状のｐ型ポリシリコン膜であって、図２における左右両側には、活性化した図示しないｎ型領域（ソース領域及びドレイン領域）を備えている。つまり、ＴＦＴ１７は、いわゆるポリシリコン形ＴＦＴである。
【００３４】
チャンネル膜Ｂ１の上側中央位置には、画素形成面１３ａ側から順に、ゲート絶縁膜Ｄ０、ゲート電極Ｐｇ及びゲート配線Ｍ１が形成されている。ゲート絶縁膜Ｄ０は、シリコン酸化膜等の光透過性を有する絶縁膜であって、画素形成面１３ａの略全面に堆積されている。ゲート電極Ｐｇは、タンタル等の低抵抗金属膜であって、チャンネル膜Ｂ１の略中央位置に形成されている。ゲート配線Ｍ１は、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、ゲート電極Ｐｇと駆動用ＩＣチップ２７（図１参照）とを電気的に接続している。そして、駆動用ＩＣチップ２７がゲート配線Ｍ１を介してゲート電極Ｐｇにデータ信号を入力すると、ＴＦＴ１７は、そのデータ信号に基づいてオン状態となる。
【００３５】
チャンネル膜Ｂ１であって前記ソース領域及びドレイン領域の上側には、図２における上側に延びるソースコンタクトＳｃ及びドレインコンタクトＤｃが形成されている。各コンタクトＳｃ，Ｄｃは、チャンネル膜Ｂ１とのコンタクト抵抗を低くする金属シリサイド等の金属膜で形成されている。そして、これら各コンタクトＳｃ，Ｄｃ及びゲート電極Ｐｇ（ゲート配線Ｍ１）は、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜Ｄ１によってそれぞれ電気的に絶縁されている。
【００３６】
各コンタクトＳｃ，コンタクトＤｃの上側には、それぞれアルミニウム等の低抵抗金属膜からなる電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄが形成されている。電源線Ｍ２ｓは、ソースコンタクトＳｃと図示しない駆動電源とを電気的に接続している。陽極線Ｍ２ｄは、ドレインコンタクトＤｃと有機ＥＬ素子１６とを電気的に接続している。これら電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄは、シリコン酸化膜等の絶縁性材料からなる平坦化膜Ｄ２によってそれぞれ電気的に絶縁されている。また、この平坦化膜Ｄ２を形成することで、同平坦化膜Ｄ２上に形成される有機ＥＬ素子１６を平坦化することができる。そして、ＴＦＴ１７がデータ信号に基づいてオン状態となると、そのデータ信号に応じた駆動電流が、電源線Ｍ２ｓ（駆動電源）から陽極線Ｍ２ｄ（有機ＥＬ素子１６）に供給される。
【００３７】
図２に示すように、平坦化膜Ｄ２の上側には、有機ＥＬ素子１６が形成されている。その有機ＥＬ素子１６の最下層には、陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項２に記載の第１の電極に相当する）が形成されている。
【００３８】
陽極Ｐｃは、図３に示すように、反射層Ｐｒとこの上部に積層された光透過性の導電性スペーサとしてのスペーサＰｓとの積層構造で構成されている。なお、図３は、有機ＥＬ素子１６の断面図である。反射層Ｐｒは、本実施形態では、例えば、Ｃｒ等の金属材料で形成されている。
【００３９】
スペーサＰｓは、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、１０ｎｍ以上の膜厚で形成されている。このスペーサＰｓは、本実施形態では、各色に応じてその膜厚を異ならせており、図４に示すように、青色に対応するサブピクセル１５ＢのスペーサＰｓｂ、緑色に対応するサブピクセル１５ＧのスペーサＰｓｇ、赤色に対応するサブピクセル１５ＲのスペーサＰｓｒの順で厚くなるように形成されている。
【００４０】
図２に示すように、陽極Ｐｃは、その一端が陽極線Ｍ２ｄに接続されている。その陽極Ｐｃの上側外周には、同陽極Ｐｃを囲むように第３層間絶縁膜Ｄ３が堆積されている。第３層間絶縁膜Ｄ３は、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜で形成され、各有機ＥＬ素子１６の陽極Ｐｃを電気的に絶縁している。また、第３層間絶縁膜Ｄ３は、陽極Ｐｃの上側を開放して、その内周面からなる隔壁Ｄ３ａを形成している。
【００４１】
陽極Ｐｃの上側にあって隔壁Ｄ３ａの内側には、有機材料からなる有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）Ｏｅが形成されている。有機ＥＬ層Ｏｅは、図３に示すように、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒの２層からなる有機化合物層である。なお、本実施形態では、この発光層Ｏｒは、白色光を発光する発光層である。その有機ＥＬ層Ｏｅの上側には、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜と、有機ＥＬ層Ｏｅとの界面に形成されたＭｇ等の金属膜からなる陰極Ｐａ（請求項１及び請求項２に記載の第２の電極に相当する）が形成されている。図２に示すように、陰極Ｐａは、画素形成面１３ａ側全面を覆うように形成され、各画素回路１５が共有することによって各有機ＥＬ素子１６に共通する電位を供給するようになっている。
【００４２】
すなわち、有機ＥＬ素子１６は、これら陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ、スペーサＰｓ）、有機ＥＬ層Ｏｅ及び陰極Ｐａによって形成される有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）である。
【００４３】
陰極Ｐａの上側には、樹脂等のコーティング材で形成され、各種金属膜や有機ＥＬ層Ｏｅの酸化等を防止するための封止部Ｐ１が形成されている。そして、その封止部Ｐ１の上面には第４層間絶縁膜Ｄ４が形成されている。第４層間絶縁膜Ｄ４は、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜から形成されている。また、第４層間絶縁膜Ｄ４は、前記有機ＥＬ層Ｏｅの上側を開放して、その内周面からなる隔壁Ｄ４ａを形成している。そして、封止部Ｐ１の上側にあって隔壁Ｄ４ａの内側には、カラーフィルタＣＦＲが形成されている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色に対応した顔料から形成されている。そして、カラーフィルタＣＦＲの上側には、樹脂等のコーティング材で形成され、カラーフィルタＣＦＲの酸化等を防止するための封止部Ｐ２が形成されている。
【００４４】
そして、データ信号に応じた駆動電流が陽極線Ｍ２ｄに供給されると、有機ＥＬ層Ｏｅは、その駆動電流に応じた輝度で発光する。この際、有機ＥＬ層Ｏｅから陰極Ｐａ側（図２における上側）に向かって発光された光は、陰極Ｐａ、封止部Ｐ１、カラーフィルタＣＦＲ、封止部Ｐ２を通過する（以下、透過光という）。また、有機ＥＬ層Ｏｅから陽極Ｐ
ｃ側（図２における下側）に向かって発光された光は、陽極Ｐｃの反射層Ｐｒによって反射され（以下、反射光という）、スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ、陰極Ｐａ、封止部Ｐ１、カラーフィルタＣＦＲ、封止部Ｐ２を通過する。そして、前記透過光と反射光とが干渉した光が保護ガラス基板１３ｂ側に出射される。
【００４５】
この出射された光のスペクトルの波長λは、反射層Ｐｒと陰極Ｐａとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂ（図４参照）に依存するので、各色（赤色、緑色、青色）に応じてこの光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを変化させることによって、各色に対応した光の波長λを得ることができる。本実施形態では、各色に応じて異なる厚さのスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）を形成することによって光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを変化させ、各色に対応した光の波長λを得ている。
【００４６】
すなわち、図４に示すように、光の波長が最も長い赤色に対応したサブピクセル１５Ｒにおいては、光学的距離Ｌｒが最も長くなるように、スペーサＰｓｒの膜厚を最も厚く形成する。一方、光の波長が最も短い青色に対応したサブピクセル１５Ｂにおいては、光学的距離Ｌｂが最も短くなるように、スペーサＰｓｂの膜厚を最も薄く形成する。そして、光の波長が両者の中間である緑色に対応したサブピクセル１５Ｇにおいては、光学的距離Ｌｇが両者の中間となるように、スペーサＰｓｇを形成する。
【００４７】
次に、画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｒ）の製造方法について以下に説明する。
まず、画素形成面１３ａ全面に、ジシラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってアモルファスシリコン膜を堆積する。次に、エキシマレーザ等によって同アモルファスシリコン膜に紫外光を照射し、画素形成面１３ａ全面に結晶化したポリシリコン膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法及びエッチング法等によって同ポリシリコン膜をパターニングし、チャンネル膜Ｂ１を形成する。
【００４８】
チャンネル膜Ｂ１を形成すると、シラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってチャンネル膜Ｂ１及び画素形成面１３ａの上側全面にシリコン酸化膜等を堆積してゲート絶縁膜Ｄ０を形成する。ゲート絶縁膜Ｄ０を形成すると、スパッタ法等によって同ゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にタンタル等の低抵抗金属膜を堆積し、同低抵抗金属膜をパターニングすることによって、ゲート絶縁膜Ｄ０の上側にゲート電極Ｐｇを形成する。ゲート電極Ｐｇを形成すると、同ゲート電極Ｐｇをマスクにしたイオンドーピング法によって、チャンネル膜Ｂ１にｎ型領域（ソース領域及びドレイン領域）を形成する。続いて、スパッタ法等によってゲート電極Ｐｇ及びゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜を堆積し、同透明導電膜をパターニングすることによって、ゲート電極Ｐｇの上側にゲート配線Ｍ１を形成する。
【００４９】
ゲート配線Ｍ１を形成すると、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によってゲート配線Ｍ１及びゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して第１層間絶縁膜Ｄ１を形成する。第１層間絶縁膜Ｄ１を形成すると、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、ソース領域及びドレイン領域から図２における上側に第１層間絶縁膜Ｄ１の上側までを開放する一対の円形孔（コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ）を形成する。コンタクトホールＨｄ，Ｈｓを形成すると、スパッタ法等によって同コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ内を金属シリサイド等で埋め込みながら第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面に金属膜を堆積する。そして、エッチング法等によって同コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ内以外の金属膜を除去し、ソースコンタクトＳｃ及びドレインコンタクトＤｃを形成する。
【００５０】
各コンタクトＳｃ，Ｄｃを形成すると、スパッタ法等によって同コンタクトＳｃ，Ｄｃ
及び第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積し、同金属膜をパターニングして各コンタクトＳｃ，Ｄｃに接続する電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄを形成する。次に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によって、これら電源線Ｍ２ｓ、陽極線Ｍ２ｄ及び第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して平坦化膜Ｄ２を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、陽極線Ｍ２ｄの一部から図２における上側に平坦化膜Ｄ２の上側まで開放する円形孔（ビアホールＨｖ）を形成する。ビアホールＨｖを形成すると、スパッタ法等によって、同ビアホールＨｖ内を埋め込みながら平坦化膜Ｄ２の上側全面にクロム等の金属膜を堆積する。そして、この金属膜をパターニングして、ビアホールＨｖを介して陽極線Ｍ２ｄと接続する陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ）を形成する。
【００５１】
反射層Ｐｒを形成すると、同反射層Ｐｒ上にレジスト等のマスクを形成して、同反射層Ｐｒ及び平坦化膜Ｄ２の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ３ａを備えた第３層間絶縁膜Ｄ３を形成する。
【００５２】
隔壁Ｄ３ａを形成すると、続いて、その隔壁Ｄ３ａ内に陽極Ｐｃ（スペーサＰｓ）を形成する。図５は、スペーサＰｓの形成方法を説明する説明図である。まず、スペーサＰｓを形成するための液滴吐出装置の構成について説明する。
【００５３】
図５に示すように、ガラス基板１３の上側には、液滴吐出装置を構成する液滴吐出ヘッド４４が配置されている。その液滴吐出ヘッド４４には、ノズルプレート４５が備えられている。そのノズルプレート４５の一側面であってガラス基板１３側の面（ノズル形成面４５ａ）には、導電性材料を含んだ機能液としてのＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出する多数のノズルＮが鉛直方向Ｚに沿って形成されている。また、ガラス基板１３は、その画素形成面１３ａをノズル形成面４５ａと平行にして、かつ各隔壁Ｄ３ａの中心位置をそれぞれノズルＮの中心位置と相対向するように位置決めされている。
【００５４】
各ノズルＮの上側には、図示しない収容タンクに連通してＩＴＯ形成材料ＰｕをノズルＮ内に供給可能にする供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して形成されている。各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの上側には、鉛直方向Ｚに沿って往復振動して各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ内の容積を拡大縮小する振動板４７が配設されている。その振動板４７の上側であって各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂと相対向する位置には、それぞれ鉛直方向Ｚに沿って伸縮動して振動板４７を振動させる圧電素子４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して配設されている。
【００５５】
次に、上記した液滴吐出装置によるスペーサＰｓの形成方法について説明する。
まず、液滴吐出ヘッド４４にスペーサＰｓを形成するため駆動信号を入力する。すると、同駆動信号に基づいて各圧電素子４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂがそれぞれ伸縮動し、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積がそれぞれ拡大縮小する。この時、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積が縮小すると、縮小した容積分のＩＴＯ形成材料Ｐｕが、各ノズルＮから液滴Ｄｓとして対応する隔壁Ｄ３ａ内に吐出される。続いて、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積が拡大すると、拡大した容積分のＩＴＯ形成材料Ｐｕが、図示しない収容タンクから供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ内にそれぞれ供給される。
【００５６】
つまり、液滴吐出ヘッド４４は、こうした各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂをそれぞれ拡大縮小させることによって、各色についてそれぞれ異なる膜厚に対応した所定の容量のＩＴＯ形成材料Ｐｕを隔壁Ｄ３ａ内に吐出する。そして、吐出したＩＴＯ形成材料Ｐｕを所定時間だけ放置してそのＩＴＯ形成材料Ｐｕを乾燥させた後、ガラス基板１３を図示し
ない焼成室に搬送して焼成することにより、導電性を有するスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）が、色毎にそれぞれ異なる膜厚で形成される。
【００５７】
この結果、例えば、フォトリソグラフィ法によってスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）を形成するときのように、色毎に膜厚を変えるための複数回のフォトリソグラフィ工程が不要となるため、製造工程を低減することができる。また、フォトリソグラフィ法やエッチングによってスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）以外の箇所に堆積したＩＴＯを削除する必要がなくなるため、製造工程におけるＩＴＯの使用量を低減することができる。
【００５８】
スペーサＰｓを形成すると、インクジェット法等によって、隔壁Ｄ３ａに囲まれたスペーサＰｓ上に正孔輸送層Ｏｔの構成材料を吐出し、その構成材料を乾燥及び固化することによって正孔輸送層Ｏｔを形成する。さらに、インクジェット法等によって、同正孔輸送層Ｏｔ上に発光層Ｏｒの構成材料を吐出し、その構成材料を乾燥及び固化することによって発光層Ｏｒを形成する。これによって、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒとを備えた有機ＥＬ層Ｏｅを形成する。
【００５９】
有機ＥＬ層Ｏｅを形成すると、スパッタ法等によって、同有機ＥＬ層Ｏｅ及び第３層間絶縁膜Ｄ３の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積して陰極Ｐａを形成する。陰極Ｐａを形成すると、ＣＶＤ法等によって、陰極Ｐａの上側全面に樹脂等のコーティング材を堆積して封止部Ｐ１を形成する。続いて、同封止部Ｐ１上にレジスト等のマスクを形成して、同封止部Ｐ１の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ４ａを備えた第４層間絶縁膜Ｄ４を形成する。そして、隔壁Ｄ４ａ内にカラーフィルタＣＦＲ（ＣＦＧ，ＣＦＢ）を形成して封止部Ｐ２によって封止することにより、画素形成面１３ａ上に有機ＥＬ素子１６を備えた画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）が形成される。
【００６０】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、有機ＥＬ素子１６は陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ、スペーサＰｓ）、有機ＥＬ層Ｏｅ及び陰極Ｐａを積層して構成した。そして、スペーサＰｓの膜厚を赤色、緑色、青色の各色に応じて異ならせた。この結果、有機ＥＬ素子１６から赤色、緑色、青色の各色に応じた光を精度良く取出すことができる。従って、有機ＥＬ素子１６を用いた有機ＥＬディスプレイ１１の色再現性を向上することができる。
【００６１】
（２）本実施形態によれば、赤色、緑色、青色の各色に応じて異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。この結果、ＩＴＯ形成材料Ｐｕの吐出量を制御するだけで、異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを容易に形成することができる。従って、例えば、複数回のフォトリソグラフィ工程によって異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成するときと比較して、製造工程数を削減することができる。
【００６２】
（３）本実施形態によれば、赤色、緑色、青色の各色に応じて異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。この結果、スペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成したい部分（有機ＥＬ素子１６に対応した箇所）にのみ機能液を吐出することができる。従って、例えば、エッチングによって有機ＥＬ素子１６以外の部分に堆積したＩＴＯを削る必要がないため、製造に使用する材料量を低減することができる。
【００６３】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、ガラス基板１３は透明であったが、ステンレス等の透明でない基
板であってもよい。
【００６４】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６はトップエミッション構造として具体化したが、図６に示すように、ボトムエミッション構造であってもよい。なお、図６は、ボトムエミッション構造として具体化したサブピクセル１５Ｒのうち、カラーフィルタＣＦＲを除いた断面図である。この場合、基板は透明基板であって、陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項４に記載の第１の電極に相当する）をＩＴＯで形成し、その陽極Ｐｃの膜厚の厚さを液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を変化させることによって各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）毎に異ならせる。そして、陰極Ｐａ（請求項１及び請求項４に記載の第２の電極に相当する）と陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを異ならせる。
【００６５】
また、このボトムエミッション構造において、陰極Ｐａを光透過性の電極から構成し、陰極Ｐａの発光層Ｏｒと反対側にＣｒ等の金属材料からなる反射層Ｐｒ（請求項５に記載の光反射層に相当する）を形成する構成としてもよい。
【００６６】
○上記実施形態では、陽極Ｐｃは、反射層ＰｒとスペーサＰｓから構成したが、これを陽極ＰｃはスペーサＰｓから構成し、平坦化膜Ｄ２と陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項３に記載の第１の電極に相当する）との間に反射層Ｐｒ（請求項３に記載の光反射層に相当する）を形成する構成としてもよい。
【００６７】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６はトップエミッション構造として具体化したが、図７に示すように、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子１６を積層したマルチフォトン構造であってもよい。なお、図７は、有機ＥＬ素子１６部分の拡大図である。この場合も、スペーサＰｓの膜厚を液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を変化させることによって各色に対応するサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ毎に異ならせて、陰極Ｐａと陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを異ならせる。また、マルチフォトン構造、すなわち有機ＥＬ層Ｏｅ（発光層Ｏｒ）を重ねることによって発生フォトンが増加し、１００％超相当の内部量子効率が可能となる。この結果、色再現性を向上しながらも、輝度が明るく長寿命の有機ＥＬ素子１６を少ない製造工程数で製造することができる。
【００６８】
○上記実施形態では、画素回路１５は白色光を発光する発光層Ｏｒを備えた有機ＥＬ素子１６の上面にカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを配置してフルカラー表示を行うように構成した。これを、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを設けずに、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの発光層Ｏｒとして赤色、緑色、青色の３つの有機材料をそれぞれ使い、フルカラー表示を行うように構成してもよい。
【００６９】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６は白色光を発光する発光層Ｏｒを備えた有機ＥＬ素子１６の上面にカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを配置してフルカラー表示を行うように構成した。これを、青色光を発光する発光層を備えた有機ＥＬ素子の上面に、サブピクセル１５Ｒに対応して赤色の蛍光膜、サブピクセル１５Ｇに対応して緑色の蛍光膜を配置して、フルカラー表示を行うように構成してもよい。
【００７０】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂのパターニングは隔壁Ｄ３ａを生成することによって行った。これを、隔壁Ｄ３ａを生成せずに、平坦化膜Ｄ２上に撥液パターンを予め形成してもよい。このとき、その撥液パターン上に液滴吐出装置によりＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出することによって、上記実施形態と同様にスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成することができる。
【００７１】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂのパターニングは隔壁Ｄ３ａを生成することによって行った。これを、隔壁Ｄ３ａを生成せずに、平坦化膜Ｄ２上に親液パターンを予め形成してもよい。このとき、その親液パターン上に液滴吐出装置によりＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出することによって、上記実施形態と同様にスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成することができる。
【００７２】
○上記実施形態では、液滴吐出装置が吐出する機能液をＩＴＯ形成材料Ｐｕとして具体化したが、これに限らず、光透過性を有する機能液であって、焼成して硬化した時に導電性を有する機能液であればよい。
【００７３】
○上記実施形態では、スペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成する透明電極材料としてＩＴＯを用いた。これを、透明電極材料、半透明電極材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯ、Ｓｎ２Ｏ、ＺｎＯ２、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５等を用いてもよい。
【００７４】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６の反射層Ｐｒを形成する材料としてＣｒを用いた。これを、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金等を用いてもよい。
○上記実施形態では、表示モジュールを有機ＥＬ表示モジュール１０として具体化した。これに限らず、例えば液晶ディスプレイを備えた表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型ディスプレイ（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明を具体化した有機ＥＬ表示モジュールを示す概略平面図。
【図２】同じく、サブピクセルを示す概略断面図。
【図３】同じく、有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【図４】同じく、サブピクセルからの光の出射を説明する説明図。
【図５】同じく、液滴吐出装置を示す概略正断面図。
【図６】別例のボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【図７】別例のマルチフォトン構造の有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００７６】
１０…有機ＥＬ表示モジュール、１１…有機ＥＬディスプレイ、１３…ガラス基板、１５…画素回路、１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ…サブピクセル、１６…有機ＥＬ素子、４４…液滴吐出ヘッド、Ｄｓ…液滴、Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂ…光学的距離、Ｏｅ…有機ＥＬ層、Ｏｒ…発光層、Ｏｔ…正孔輸送層、Ｐａ…陰極、Ｐｃ…陽極、Ｐｒ…反射層、Ｐｓ，Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ…スペーサ、Ｐｕ…ＩＴＯ形成材料、Ｎ…ノズル。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学素子の製造方法、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶ディスプレイ装置や有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置（有機ＥＬディスプレイ装置）等の電気光学装置は、表示モジュールとして携帯電話やＰＤＡ等の携帯用の電子機器に搭載されている。近年、これら電子機器においても精細な画像を見ることが多くなっているため、前記電気光学装置を構成する電気光学素子の色再現性の向上が望まれていた。
【０００３】
そこで、こうした電気光学素子の色再現性を改善させたマイクロキャビティ構造が提案されている（例えば、非特許文献１）。この非特許文献１のマイクロキャビティ構造では、いわゆるトップエミッション構造において、反射層を有した陽極と半透過性のある陰極とその間に配置された有機ＥＬ層から構成されている。このマイクロキャビティ構造は、有機ＥＬ層から発光された光の波長のうち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかに対応する波長を選択して出力する一種の光学フィルタとして機能する。
【０００４】
すなわち、有機ＥＬ層から発光されて陽極で反射した光（反射光）と、同様に有機ＥＬ層から発光されて陰極を透過する光（透過光）とが多重干渉し、所定の波長の光を出射している。そして、陽極と陰極との間の光学的距離を変化させることによって前記反射光と透過光との干渉が変化し、赤色、緑色、青色それぞれ異なる波長の光を選択的に出力することができる。そのため、このマイクロキャビティ構造においては、陽極と陰極との間に赤色、緑色、青色それぞれ異なる膜厚のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)を配置することにより各色に応じて光学的距離を変化させ、各色に対応した波長の光を出射させていた。この結果、色純度の高い発光が得られ、鮮やかな色再現性を実現していた。
【非特許文献１】Mitsuhiro Kashiwabara 他著 「Advanced AM-OLED Display Based on White Emitter with Microcavity Structure」SID 04 DIGEST p1017-1019, 2004
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このマイクロキャビティ構造は、従来、フォトリソグラフィ法により生産されていたので、ＩＴＯの膜厚を赤色、緑色、青色のそれぞれにおいて異ならせて成膜するためには、複数回のフォトリソグラフィ工程を必要としていた。この結果、電気光学装置を形成するための製造工程数が多くなり、その生産性を損なっていた。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、色再現性を向上しながらも生産性を向上した電気光学素子の製造方法、電気光学装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、本発明の電気光学素子の製造方法は、基板上に積層される発光層に第１の電極と第２の電極とを形成し、前記第１及び第２の電極を介して前記発光層に電流を流すことによって前記発光層が発光する電気光学素子の製造方法において、前記第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【０００８】
この発明によれば、第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装
置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、液滴吐出装置にて機能液を吐出するだけで、容易に光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、例えば、フォトリソグラフィ工程によって光透過性の導電性スペーサを形成するときと比較して、製造工程数を削減することができるので、生産性を向上させることができる。
【０００９】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光反射性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【００１０】
この発明によれば、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光反射性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、例えば、トップエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、高輝度でありながらも生産性を向上させることができる。
【００１１】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、前記第１の電極と前記基板の間に光反射層を形成した。
【００１２】
この発明によれば、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、第１の電極と基板の間に光反射層を形成した。この結果、例えば、第１及び第２の電極が共に光透過性を有する電極であるトップエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、高輝度でありながらも生産性を向上させることができる。
【００１３】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記基板は透明基板であり、前記第２の電極は光反射性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。
【００１４】
この発明によれば、基板は透明基板であり、第２の電極は光反射性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成した。この結果、例えば、ボトムエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、生産性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記基板は透明基板であり、前記第２の電極は光透過性の電極であり、前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、前記第２の電極の前記発光層と反対側に光反射層を形成した。
【００１６】
この発明によれば、基板は透明基板であり、第２の電極は光透過性の電極であり、第１の電極は光透過性の電極であって、第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、第２の電極の発光層と
反対側に光反射層を形成した。この結果、例えば、第１及び第２の電極が共に光透過性を有する電極であるボトムエミッション構造の電気光学素子において、液滴吐出装置が吐出する機能液によって光透過性の導電性スペーサを形成することができる。従って、生産性を向上させることができる。
【００１７】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記発光層は有機材料で形成され、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子である。
この発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子の生産性を向上することができる。
【００１８】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記発光層は白色光を発光する有機材料で形成されている。
この発明によれば、発光層が白色光を発光する有機材料で形成されている電気光学素子の生産性を向上することができる。
【００１９】
本発明の電気光学素子の製造方法において、前記液滴吐出装置から吐出される前記導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、前記光透過性の導電性スペーサの膜厚が、前記電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量である。
【００２０】
この発明によれば、液滴吐出装置から吐出される導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、光透過性の導電性スペーサの膜厚が、電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量である。この結果、液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を制御するだけで、電気光学素子が出射する光の波長に応じて異なる膜厚の光透過性の導電性スペーサを容易に形成することができる。従って、例えば、複数回のフォトリソグラフィ工程によって異なる膜厚の光透過性の導電性スペーサを形成するときと比較して製造工程数を削減することができるので、色再現性を向上させながらも生産性を向上させることができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置は、上記に記載の電気光学素子の製造方法で製造した電気光学素子を備えた。
この発明によれば、上記に記載の電気光学素子を備えた電気光学装置の生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図５に従って説明する。図１は、表示モジュールとしての有機エレクトロルミネッセンス表示モジュール１０（有機ＥＬ表示モジュール）の概略平面図を示す。
【００２３】
図１に示すように、有機ＥＬ表示モジュール１０は、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）１１を有しており、その有機ＥＬディスプレイ１１の図中下側にはフレキシブル基板１２が接続されている。
【００２４】
有機ＥＬディスプレイ１１は、本実施形態ではトップエミッション型のディスプレイであって、平面板状の基板としてのガラス基板１３を備えている。そのガラス基板１３の表面（画素形成面１３ａ）の略中央位置には、四角形状の表示領域１４が形成されている。その表示領域１４内には、図１において上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｄと、同データ線Ｌｄに併設される電源線Ｌｖが所定の間隔をおいて配列されている。そのデータ線Ｌｄと直交する方向（行方向）には、同行方向に延びる複数の走査線Ｌｓが所定の間隔をおいて配列されている。これらデータ線Ｌｄと走査線Ｌｓの交差する位置には、それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）にそれぞれ対応したサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成されている。つまり、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが、そ
れぞれ対応するデータ線Ｌｄ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｓに接続されることによってマトリックス状に、繰り返し配列されている。そして、走査線Ｌｓ上の、順番に繰り返し配設される赤色、緑色、青色に対応したサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂをそれぞれ一つの組として、画素回路１５を構成している。
【００２５】
画素回路１５は、駆動電流が供給されることによって発光する電気光学素子としての有機エレクロトルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１６、その有機ＥＬ素子１６の発光を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７、さらには図示しない容量素子等を有している。
【００２６】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の左側には、ＣＯＧ（Chip on glass ）方式で実装される走査線駆動回路１８が形成されている。走査線駆動回路１８は、前記各走査線Ｌｓに対して、走査線Ｌｓ上のサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを選択するための走査信号を出力するようになっている。また、走査線駆動回路１８は、図示しないプリント基板に接続されて、同プリント基板の制御用ＩＣ等から出力される制御信号に基づいて、前記走査信号を所定の走査線Ｌｓに所定のタイミングで出力するようになっている。そして、画素形成面１３ａの略全面を四角形状の保護ガラス基板１３ｂ（図１における２点鎖線）で覆うことによって、これら走査線駆動回路１８及び表示領域１４が保護されるようになっている。
【００２７】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の下側には、データ線端子形成部１９が形成されている。そのデータ線端子形成部１９には、各データ線Ｌｄに対応する複数のデータ線端子（図示しない）が形成されている。各データ線端子は、銅箔等で形成される端子であって、ガラス基板１３の下側辺１３ｃに沿って等ピッチで配列されてそれぞれ対応するデータ線Ｌｄに電気的に接続されている。そして、各データ線端子が前記保護ガラス基板１３ｂから露出することによって、各データ線Ｌｄが、外部との電気的な接続を可能にする。
【００２８】
図１に示すように、画素形成面１３ａの一側端であってデータ線端子形成部１９の表側には、フレキシブル基板１２が接続されている。そのフレキシブル基板１２には、基板本体２０が備えられている。基板本体２０は、上下方向に長い長尺状に形成された可撓性基板であって電気的絶縁性を有するポリイミド樹脂で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、その基板本体２０の表面（図１における裏側の面）を画素形成面１３ａと向かい合わせるように配設されている。基板本体２０の表面であって、前記データ線端子形成部１９と対向する位置には、外部端子形成部２３が設けられている。その外部端子形成部２３には、複数の接続端子（図示しない）が前記データ線端子と相対するピッチ幅で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、いわゆる異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって各接続端子と対応するデータ線端子とを電気的に接続して有機ＥＬディスプレイ１１（有機ＥＬ表示モジュール１０）に実装される。
【００２９】
外部端子形成部２３の下側には、駆動用ＩＣチップ２７が配設されている。駆動用ＩＣチップ２７は、有機ＥＬ素子１６を発光させるための駆動信号及び駆動電圧を生成し供給する。駆動用ＩＣチップ２７は、前記異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって基板本体２０（フレキシブル基板１２）に実装されている。
【００３０】
そして、その駆動用ＩＣチップ２７の出力側（有機ＥＬディスプレイ１１側）に形成された図示しない接続端子と前記外部端子形成部２３に形成された接続端子とが出力配線３０によって接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、各データ線Ｌｄ及び電源線Ｌｖと電気的に接続される。また、駆動用ＩＣチップ２７の入力側（図１中下側）に形成された図示しない接続端子と図示しないプリント基板の制御用ＩＣが入力配線３１によ
って接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、その制御用ＩＣと電気的に接続される。
【００３１】
そして、駆動用ＩＣチップ２７は、制御用ＩＣから出力される制御信号に基づいて、駆動電圧を電源線Ｌｖに供給するとともに、データ信号を所定のデータ線Ｌｄに所定のタイミングで出力する。すなわち、駆動用ＩＣチップ２７が前記走査信号によって選択された画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）に前記データ信号を出力すると、画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）の有機ＥＬ素子１６が同データ信号に基づいて発光する。
【００３２】
図２は、有機ＥＬディスプレイ１１のガラス基板１３上に形成されたサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂのうち、赤色に対応したサブピクセル１５Ｒの断面図である。なお、他のサブピクセル１５Ｇ，１５Ｂも後述する陽極Ｐｃの膜厚以外はサブピクセル１５Ｒと同様の構成であるため、その図示と説明を省略する。本実施形態では、図４に示すように、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂにそれぞれ配置されている白色光を発光する有機ＥＬ素子１６の上面に赤色、緑色、青色に対応したカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢをそれぞれ配置してフルカラー表示を行うように構成されている。図４は、各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）からの光の出射を説明する説明図である。
【００３３】
図２に示すように、ＴＦＴ１７は、その最下層にチャンネル膜Ｂ１を備えている。チャンネル膜Ｂ１は、画素形成面１３ａ上に形成される島状のｐ型ポリシリコン膜であって、図２における左右両側には、活性化した図示しないｎ型領域（ソース領域及びドレイン領域）を備えている。つまり、ＴＦＴ１７は、いわゆるポリシリコン形ＴＦＴである。
【００３４】
チャンネル膜Ｂ１の上側中央位置には、画素形成面１３ａ側から順に、ゲート絶縁膜Ｄ０、ゲート電極Ｐｇ及びゲート配線Ｍ１が形成されている。ゲート絶縁膜Ｄ０は、シリコン酸化膜等の光透過性を有する絶縁膜であって、画素形成面１３ａの略全面に堆積されている。ゲート電極Ｐｇは、タンタル等の低抵抗金属膜であって、チャンネル膜Ｂ１の略中央位置に形成されている。ゲート配線Ｍ１は、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、ゲート電極Ｐｇと駆動用ＩＣチップ２７（図１参照）とを電気的に接続している。そして、駆動用ＩＣチップ２７がゲート配線Ｍ１を介してゲート電極Ｐｇにデータ信号を入力すると、ＴＦＴ１７は、そのデータ信号に基づいてオン状態となる。
【００３５】
チャンネル膜Ｂ１であって前記ソース領域及びドレイン領域の上側には、図２における上側に延びるソースコンタクトＳｃ及びドレインコンタクトＤｃが形成されている。各コンタクトＳｃ，Ｄｃは、チャンネル膜Ｂ１とのコンタクト抵抗を低くする金属シリサイド等の金属膜で形成されている。そして、これら各コンタクトＳｃ，Ｄｃ及びゲート電極Ｐｇ（ゲート配線Ｍ１）は、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜Ｄ１によってそれぞれ電気的に絶縁されている。
【００３６】
各コンタクトＳｃ，コンタクトＤｃの上側には、それぞれアルミニウム等の低抵抗金属膜からなる電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄが形成されている。電源線Ｍ２ｓは、ソースコンタクトＳｃと図示しない駆動電源とを電気的に接続している。陽極線Ｍ２ｄは、ドレインコンタクトＤｃと有機ＥＬ素子１６とを電気的に接続している。これら電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄは、シリコン酸化膜等の絶縁性材料からなる平坦化膜Ｄ２によってそれぞれ電気的に絶縁されている。また、この平坦化膜Ｄ２を形成することで、同平坦化膜Ｄ２上に形成される有機ＥＬ素子１６を平坦化することができる。そして、ＴＦＴ１７がデータ信号に基づいてオン状態となると、そのデータ信号に応じた駆動電流が、電源線Ｍ２ｓ（駆動電源）から陽極線Ｍ２ｄ（有機ＥＬ素子１６）に供給される。
【００３７】
図２に示すように、平坦化膜Ｄ２の上側には、有機ＥＬ素子１６が形成されている。その有機ＥＬ素子１６の最下層には、陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項２に記載の第１の電極に相当する）が形成されている。
【００３８】
陽極Ｐｃは、図３に示すように、反射層Ｐｒとこの上部に積層された光透過性の導電性スペーサとしてのスペーサＰｓとの積層構造で構成されている。なお、図３は、有機ＥＬ素子１６の断面図である。反射層Ｐｒは、本実施形態では、例えば、Ｃｒ等の金属材料で形成されている。
【００３９】
スペーサＰｓは、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、１０ｎｍ以上の膜厚で形成されている。このスペーサＰｓは、本実施形態では、各色に応じてその膜厚を異ならせており、図４に示すように、青色に対応するサブピクセル１５ＢのスペーサＰｓｂ、緑色に対応するサブピクセル１５ＧのスペーサＰｓｇ、赤色に対応するサブピクセル１５ＲのスペーサＰｓｒの順で厚くなるように形成されている。
【００４０】
図２に示すように、陽極Ｐｃは、その一端が陽極線Ｍ２ｄに接続されている。その陽極Ｐｃの上側外周には、同陽極Ｐｃを囲むように第３層間絶縁膜Ｄ３が堆積されている。第３層間絶縁膜Ｄ３は、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜で形成され、各有機ＥＬ素子１６の陽極Ｐｃを電気的に絶縁している。また、第３層間絶縁膜Ｄ３は、陽極Ｐｃの上側を開放して、その内周面からなる隔壁Ｄ３ａを形成している。
【００４１】
陽極Ｐｃの上側にあって隔壁Ｄ３ａの内側には、有機材料からなる有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）Ｏｅが形成されている。有機ＥＬ層Ｏｅは、図３に示すように、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒの２層からなる有機化合物層である。なお、本実施形態では、この発光層Ｏｒは、白色光を発光する発光層である。その有機ＥＬ層Ｏｅの上側には、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜と、有機ＥＬ層Ｏｅとの界面に形成されたＭｇ等の金属膜からなる陰極Ｐａ（請求項１及び請求項２に記載の第２の電極に相当する）が形成されている。図２に示すように、陰極Ｐａは、画素形成面１３ａ側全面を覆うように形成され、各画素回路１５が共有することによって各有機ＥＬ素子１６に共通する電位を供給するようになっている。
【００４２】
すなわち、有機ＥＬ素子１６は、これら陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ、スペーサＰｓ）、有機ＥＬ層Ｏｅ及び陰極Ｐａによって形成される有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）である。
【００４３】
陰極Ｐａの上側には、樹脂等のコーティング材で形成され、各種金属膜や有機ＥＬ層Ｏｅの酸化等を防止するための封止部Ｐ１が形成されている。そして、その封止部Ｐ１の上面には第４層間絶縁膜Ｄ４が形成されている。第４層間絶縁膜Ｄ４は、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜から形成されている。また、第４層間絶縁膜Ｄ４は、前記有機ＥＬ層Ｏｅの上側を開放して、その内周面からなる隔壁Ｄ４ａを形成している。そして、封止部Ｐ１の上側にあって隔壁Ｄ４ａの内側には、カラーフィルタＣＦＲが形成されている。カラーフィルタＣＦＲは、赤色に対応した顔料から形成されている。そして、カラーフィルタＣＦＲの上側には、樹脂等のコーティング材で形成され、カラーフィルタＣＦＲの酸化等を防止するための封止部Ｐ２が形成されている。
【００４４】
そして、データ信号に応じた駆動電流が陽極線Ｍ２ｄに供給されると、有機ＥＬ層Ｏｅは、その駆動電流に応じた輝度で発光する。この際、有機ＥＬ層Ｏｅから陰極Ｐａ側（図２における上側）に向かって発光された光は、陰極Ｐａ、封止部Ｐ１、カラーフィルタＣＦＲ、封止部Ｐ２を通過する（以下、透過光という）。また、有機ＥＬ層Ｏｅから陽極Ｐ
ｃ側（図２における下側）に向かって発光された光は、陽極Ｐｃの反射層Ｐｒによって反射され（以下、反射光という）、スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ、陰極Ｐａ、封止部Ｐ１、カラーフィルタＣＦＲ、封止部Ｐ２を通過する。そして、前記透過光と反射光とが干渉した光が保護ガラス基板１３ｂ側に出射される。
【００４５】
この出射された光のスペクトルの波長λは、反射層Ｐｒと陰極Ｐａとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂ（図４参照）に依存するので、各色（赤色、緑色、青色）に応じてこの光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを変化させることによって、各色に対応した光の波長λを得ることができる。本実施形態では、各色に応じて異なる厚さのスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）を形成することによって光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを変化させ、各色に対応した光の波長λを得ている。
【００４６】
すなわち、図４に示すように、光の波長が最も長い赤色に対応したサブピクセル１５Ｒにおいては、光学的距離Ｌｒが最も長くなるように、スペーサＰｓｒの膜厚を最も厚く形成する。一方、光の波長が最も短い青色に対応したサブピクセル１５Ｂにおいては、光学的距離Ｌｂが最も短くなるように、スペーサＰｓｂの膜厚を最も薄く形成する。そして、光の波長が両者の中間である緑色に対応したサブピクセル１５Ｇにおいては、光学的距離Ｌｇが両者の中間となるように、スペーサＰｓｇを形成する。
【００４７】
次に、画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｒ）の製造方法について以下に説明する。
まず、画素形成面１３ａ全面に、ジシラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってアモルファスシリコン膜を堆積する。次に、エキシマレーザ等によって同アモルファスシリコン膜に紫外光を照射し、画素形成面１３ａ全面に結晶化したポリシリコン膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法及びエッチング法等によって同ポリシリコン膜をパターニングし、チャンネル膜Ｂ１を形成する。
【００４８】
チャンネル膜Ｂ１を形成すると、シラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってチャンネル膜Ｂ１及び画素形成面１３ａの上側全面にシリコン酸化膜等を堆積してゲート絶縁膜Ｄ０を形成する。ゲート絶縁膜Ｄ０を形成すると、スパッタ法等によって同ゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にタンタル等の低抵抗金属膜を堆積し、同低抵抗金属膜をパターニングすることによって、ゲート絶縁膜Ｄ０の上側にゲート電極Ｐｇを形成する。ゲート電極Ｐｇを形成すると、同ゲート電極Ｐｇをマスクにしたイオンドーピング法によって、チャンネル膜Ｂ１にｎ型領域（ソース領域及びドレイン領域）を形成する。続いて、スパッタ法等によってゲート電極Ｐｇ及びゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜を堆積し、同透明導電膜をパターニングすることによって、ゲート電極Ｐｇの上側にゲート配線Ｍ１を形成する。
【００４９】
ゲート配線Ｍ１を形成すると、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によってゲート配線Ｍ１及びゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して第１層間絶縁膜Ｄ１を形成する。第１層間絶縁膜Ｄ１を形成すると、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、ソース領域及びドレイン領域から図２における上側に第１層間絶縁膜Ｄ１の上側までを開放する一対の円形孔（コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ）を形成する。コンタクトホールＨｄ，Ｈｓを形成すると、スパッタ法等によって同コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ内を金属シリサイド等で埋め込みながら第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面に金属膜を堆積する。そして、エッチング法等によって同コンタクトホールＨｄ，Ｈｓ内以外の金属膜を除去し、ソースコンタクトＳｃ及びドレインコンタクトＤｃを形成する。
【００５０】
各コンタクトＳｃ，Ｄｃを形成すると、スパッタ法等によって同コンタクトＳｃ，Ｄｃ
及び第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積し、同金属膜をパターニングして各コンタクトＳｃ，Ｄｃに接続する電源線Ｍ２ｓ及び陽極線Ｍ２ｄを形成する。次に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によって、これら電源線Ｍ２ｓ、陽極線Ｍ２ｄ及び第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して平坦化膜Ｄ２を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、陽極線Ｍ２ｄの一部から図２における上側に平坦化膜Ｄ２の上側まで開放する円形孔（ビアホールＨｖ）を形成する。ビアホールＨｖを形成すると、スパッタ法等によって、同ビアホールＨｖ内を埋め込みながら平坦化膜Ｄ２の上側全面にクロム等の金属膜を堆積する。そして、この金属膜をパターニングして、ビアホールＨｖを介して陽極線Ｍ２ｄと接続する陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ）を形成する。
【００５１】
反射層Ｐｒを形成すると、同反射層Ｐｒ上にレジスト等のマスクを形成して、同反射層Ｐｒ及び平坦化膜Ｄ２の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ３ａを備えた第３層間絶縁膜Ｄ３を形成する。
【００５２】
隔壁Ｄ３ａを形成すると、続いて、その隔壁Ｄ３ａ内に陽極Ｐｃ（スペーサＰｓ）を形成する。図５は、スペーサＰｓの形成方法を説明する説明図である。まず、スペーサＰｓを形成するための液滴吐出装置の構成について説明する。
【００５３】
図５に示すように、ガラス基板１３の上側には、液滴吐出装置を構成する液滴吐出ヘッド４４が配置されている。その液滴吐出ヘッド４４には、ノズルプレート４５が備えられている。そのノズルプレート４５の一側面であってガラス基板１３側の面（ノズル形成面４５ａ）には、導電性材料を含んだ機能液としてのＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出する多数のノズルＮが鉛直方向Ｚに沿って形成されている。また、ガラス基板１３は、その画素形成面１３ａをノズル形成面４５ａと平行にして、かつ各隔壁Ｄ３ａの中心位置をそれぞれノズルＮの中心位置と相対向するように位置決めされている。
【００５４】
各ノズルＮの上側には、図示しない収容タンクに連通してＩＴＯ形成材料ＰｕをノズルＮ内に供給可能にする供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して形成されている。各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの上側には、鉛直方向Ｚに沿って往復振動して各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ内の容積を拡大縮小する振動板４７が配設されている。その振動板４７の上側であって各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂと相対向する位置には、それぞれ鉛直方向Ｚに沿って伸縮動して振動板４７を振動させる圧電素子４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して配設されている。
【００５５】
次に、上記した液滴吐出装置によるスペーサＰｓの形成方法について説明する。
まず、液滴吐出ヘッド４４にスペーサＰｓを形成するため駆動信号を入力する。すると、同駆動信号に基づいて各圧電素子４８Ｒ，４８Ｇ，４８Ｂがそれぞれ伸縮動し、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積がそれぞれ拡大縮小する。この時、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積が縮小すると、縮小した容積分のＩＴＯ形成材料Ｐｕが、各ノズルＮから液滴Ｄｓとして対応する隔壁Ｄ３ａ内に吐出される。続いて、各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂの容積が拡大すると、拡大した容積分のＩＴＯ形成材料Ｐｕが、図示しない収容タンクから供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂ内にそれぞれ供給される。
【００５６】
つまり、液滴吐出ヘッド４４は、こうした各供給室４６Ｒ，４６Ｇ，４６Ｂをそれぞれ拡大縮小させることによって、各色についてそれぞれ異なる膜厚に対応した所定の容量のＩＴＯ形成材料Ｐｕを隔壁Ｄ３ａ内に吐出する。そして、吐出したＩＴＯ形成材料Ｐｕを所定時間だけ放置してそのＩＴＯ形成材料Ｐｕを乾燥させた後、ガラス基板１３を図示し
ない焼成室に搬送して焼成することにより、導電性を有するスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）が、色毎にそれぞれ異なる膜厚で形成される。
【００５７】
この結果、例えば、フォトリソグラフィ法によってスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）を形成するときのように、色毎に膜厚を変えるための複数回のフォトリソグラフィ工程が不要となるため、製造工程を低減することができる。また、フォトリソグラフィ法やエッチングによってスペーサＰｓ（Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ）以外の箇所に堆積したＩＴＯを削除する必要がなくなるため、製造工程におけるＩＴＯの使用量を低減することができる。
【００５８】
スペーサＰｓを形成すると、インクジェット法等によって、隔壁Ｄ３ａに囲まれたスペーサＰｓ上に正孔輸送層Ｏｔの構成材料を吐出し、その構成材料を乾燥及び固化することによって正孔輸送層Ｏｔを形成する。さらに、インクジェット法等によって、同正孔輸送層Ｏｔ上に発光層Ｏｒの構成材料を吐出し、その構成材料を乾燥及び固化することによって発光層Ｏｒを形成する。これによって、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒとを備えた有機ＥＬ層Ｏｅを形成する。
【００５９】
有機ＥＬ層Ｏｅを形成すると、スパッタ法等によって、同有機ＥＬ層Ｏｅ及び第３層間絶縁膜Ｄ３の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積して陰極Ｐａを形成する。陰極Ｐａを形成すると、ＣＶＤ法等によって、陰極Ｐａの上側全面に樹脂等のコーティング材を堆積して封止部Ｐ１を形成する。続いて、同封止部Ｐ１上にレジスト等のマスクを形成して、同封止部Ｐ１の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ４ａを備えた第４層間絶縁膜Ｄ４を形成する。そして、隔壁Ｄ４ａ内にカラーフィルタＣＦＲ（ＣＦＧ，ＣＦＢ）を形成して封止部Ｐ２によって封止することにより、画素形成面１３ａ上に有機ＥＬ素子１６を備えた画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）が形成される。
【００６０】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、有機ＥＬ素子１６は陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ、スペーサＰｓ）、有機ＥＬ層Ｏｅ及び陰極Ｐａを積層して構成した。そして、スペーサＰｓの膜厚を赤色、緑色、青色の各色に応じて異ならせた。この結果、有機ＥＬ素子１６から赤色、緑色、青色の各色に応じた光を精度良く取出すことができる。従って、有機ＥＬ素子１６を用いた有機ＥＬディスプレイ１１の色再現性を向上することができる。
【００６１】
（２）本実施形態によれば、赤色、緑色、青色の各色に応じて異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。この結果、ＩＴＯ形成材料Ｐｕの吐出量を制御するだけで、異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを容易に形成することができる。従って、例えば、複数回のフォトリソグラフィ工程によって異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成するときと比較して、製造工程数を削減することができる。
【００６２】
（３）本実施形態によれば、赤色、緑色、青色の各色に応じて異なる膜厚のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを液滴吐出装置（液滴吐出ヘッド４４）により形成した。この結果、スペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成したい部分（有機ＥＬ素子１６に対応した箇所）にのみ機能液を吐出することができる。従って、例えば、エッチングによって有機ＥＬ素子１６以外の部分に堆積したＩＴＯを削る必要がないため、製造に使用する材料量を低減することができる。
【００６３】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、ガラス基板１３は透明であったが、ステンレス等の透明でない基
板であってもよい。
【００６４】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６はトップエミッション構造として具体化したが、図６に示すように、ボトムエミッション構造であってもよい。なお、図６は、ボトムエミッション構造として具体化したサブピクセル１５Ｒのうち、カラーフィルタＣＦＲを除いた断面図である。この場合、基板は透明基板であって、陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項４に記載の第１の電極に相当する）をＩＴＯで形成し、その陽極Ｐｃの膜厚の厚さを液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を変化させることによって各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）毎に異ならせる。そして、陰極Ｐａ（請求項１及び請求項４に記載の第２の電極に相当する）と陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを異ならせる。
【００６５】
また、このボトムエミッション構造において、陰極Ｐａを光透過性の電極から構成し、陰極Ｐａの発光層Ｏｒと反対側にＣｒ等の金属材料からなる反射層Ｐｒ（請求項５に記載の光反射層に相当する）を形成する構成としてもよい。
【００６６】
○上記実施形態では、陽極Ｐｃは、反射層ＰｒとスペーサＰｓから構成したが、これを陽極ＰｃはスペーサＰｓから構成し、平坦化膜Ｄ２と陽極Ｐｃ（請求項１及び請求項３に記載の第１の電極に相当する）との間に反射層Ｐｒ（請求項３に記載の光反射層に相当する）を形成する構成としてもよい。
【００６７】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６はトップエミッション構造として具体化したが、図７に示すように、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子１６を積層したマルチフォトン構造であってもよい。なお、図７は、有機ＥＬ素子１６部分の拡大図である。この場合も、スペーサＰｓの膜厚を液滴吐出装置が吐出する機能液の吐出量を変化させることによって各色に対応するサブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ毎に異ならせて、陰極Ｐａと陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂを異ならせる。また、マルチフォトン構造、すなわち有機ＥＬ層Ｏｅ（発光層Ｏｒ）を重ねることによって発生フォトンが増加し、１００％超相当の内部量子効率が可能となる。この結果、色再現性を向上しながらも、輝度が明るく長寿命の有機ＥＬ素子１６を少ない製造工程数で製造することができる。
【００６８】
○上記実施形態では、画素回路１５は白色光を発光する発光層Ｏｒを備えた有機ＥＬ素子１６の上面にカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを配置してフルカラー表示を行うように構成した。これを、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを設けずに、サブピクセル１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの発光層Ｏｒとして赤色、緑色、青色の３つの有機材料をそれぞれ使い、フルカラー表示を行うように構成してもよい。
【００６９】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６は白色光を発光する発光層Ｏｒを備えた有機ＥＬ素子１６の上面にカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを配置してフルカラー表示を行うように構成した。これを、青色光を発光する発光層を備えた有機ＥＬ素子の上面に、サブピクセル１５Ｒに対応して赤色の蛍光膜、サブピクセル１５Ｇに対応して緑色の蛍光膜を配置して、フルカラー表示を行うように構成してもよい。
【００７０】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂのパターニングは隔壁Ｄ３ａを生成することによって行った。これを、隔壁Ｄ３ａを生成せずに、平坦化膜Ｄ２上に撥液パターンを予め形成してもよい。このとき、その撥液パターン上に液滴吐出装置によりＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出することによって、上記実施形態と同様にスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成することができる。
【００７１】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６のスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂのパターニングは隔壁Ｄ３ａを生成することによって行った。これを、隔壁Ｄ３ａを生成せずに、平坦化膜Ｄ２上に親液パターンを予め形成してもよい。このとき、その親液パターン上に液滴吐出装置によりＩＴＯ形成材料Ｐｕを吐出することによって、上記実施形態と同様にスペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成することができる。
【００７２】
○上記実施形態では、液滴吐出装置が吐出する機能液をＩＴＯ形成材料Ｐｕとして具体化したが、これに限らず、光透過性を有する機能液であって、焼成して硬化した時に導電性を有する機能液であればよい。
【００７３】
○上記実施形態では、スペーサＰｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂを形成する透明電極材料としてＩＴＯを用いた。これを、透明電極材料、半透明電極材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯ、Ｓｎ２Ｏ、ＺｎＯ２、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５等を用いてもよい。
【００７４】
○上記実施形態では、有機ＥＬ素子１６の反射層Ｐｒを形成する材料としてＣｒを用いた。これを、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金等を用いてもよい。
○上記実施形態では、表示モジュールを有機ＥＬ表示モジュール１０として具体化した。これに限らず、例えば液晶ディスプレイを備えた表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型ディスプレイ（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明を具体化した有機ＥＬ表示モジュールを示す概略平面図。
【図２】同じく、サブピクセルを示す概略断面図。
【図３】同じく、有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【図４】同じく、サブピクセルからの光の出射を説明する説明図。
【図５】同じく、液滴吐出装置を示す概略正断面図。
【図６】別例のボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【図７】別例のマルチフォトン構造の有機ＥＬ素子を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００７６】
１０…有機ＥＬ表示モジュール、１１…有機ＥＬディスプレイ、１３…ガラス基板、１５…画素回路、１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ…サブピクセル、１６…有機ＥＬ素子、４４…液滴吐出ヘッド、Ｄｓ…液滴、Ｌｒ，Ｌｇ，Ｌｂ…光学的距離、Ｏｅ…有機ＥＬ層、Ｏｒ…発光層、Ｏｔ…正孔輸送層、Ｐａ…陰極、Ｐｃ…陽極、Ｐｒ…反射層、Ｐｓ，Ｐｓｒ，Ｐｓｇ，Ｐｓｂ…スペーサ、Ｐｕ…ＩＴＯ形成材料、Ｎ…ノズル。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層される発光層に第１の電極と第２の電極とを形成し、前記第１及び第２の電極を介して前記発光層に電流を流すことによって前記発光層が発光する電気光学素子の製造方法において、
前記第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光反射性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、
前記第１の電極と前記基板の間に光反射層を形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記基板は透明基板であり、
前記第２の電極は光反射性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記基板は透明基板であり、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、
前記第２の電極の前記発光層と反対側に光反射層を形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記発光層は有機材料で形成され、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記発光層は白色光を発光する有機材料で形成されていることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記液滴吐出装置から吐出される前記導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、前記光透過性の導電性スペーサの膜厚が、前記電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量であることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法で製造した電気光学素子
を備えた電気光学装置。
【請求項１】
基板上に積層される発光層に第１の電極と第２の電極とを形成し、前記第１及び第２の電極を介して前記発光層に電流を流すことによって前記発光層が発光する電気光学素子の製造方法において、
前記第１の電極の発光層側に、導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光反射性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、
前記第１の電極と前記基板の間に光反射層を形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記基板は透明基板であり、
前記第２の電極は光反射性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記基板は透明基板であり、
前記第２の電極は光透過性の電極であり、
前記第１の電極は光透過性の電極であって、前記第１の電極の発光層側に導電性材料を含んだ機能液を液滴吐出装置にて吐出させて光透過性の導電性スペーサを形成し、
前記第２の電極の前記発光層と反対側に光反射層を形成したことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記発光層は有機材料で形成され、前記電気光学素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記発光層は白色光を発光する有機材料で形成されていることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法において、
前記液滴吐出装置から吐出される前記導電性材料を含んだ機能液の吐出量は、前記光透過性の導電性スペーサの膜厚が、前記電気光学素子が出射する光の波長に応じた膜厚となる吐出量であることを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学素子の製造方法で製造した電気光学素子
を備えた電気光学装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００６−１５４１６９（Ｐ２００６−１５４１６９Ａ）
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３４３４２３（Ｐ２００４−３４３４２３）
【出願日】平成１６年１１月２９日（２００４．１１．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１５日（２００６．６．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月２９日（２００４．１１．２９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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