電気接点
【課題】
電気接点において、半田転写を防止し、かつ導電性を有する電気接点を得る。
【解決手段】
電気接点は、導電部と、導電部の表面に電子部品の電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有する。この半田転写抑制層は電気接点表面において、接点内部の金属または金属合金の拡散を抑えて、繰り返し接触により生じる半田転写を防止することができる。また、電極と導電部間は半田転写抑制層を介して導通（例えばトンネル効果により導通）する。よって、半田転写性を抑制できると共に導通を確保でき、安定した接触性能を得ることができる。半田転写抑制層には、窒化化合物、炭化化合物または有機化合物を用いることができる。
電気接点において、半田転写を防止し、かつ導電性を有する電気接点を得る。
【解決手段】
電気接点は、導電部と、導電部の表面に電子部品の電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有する。この半田転写抑制層は電気接点表面において、接点内部の金属または金属合金の拡散を抑えて、繰り返し接触により生じる半田転写を防止することができる。また、電極と導電部間は半田転写抑制層を介して導通（例えばトンネル効果により導通）する。よって、半田転写性を抑制できると共に導通を確保でき、安定した接触性能を得ることができる。半田転写抑制層には、窒化化合物、炭化化合物または有機化合物を用いることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、またはＰｔ（白金）やＰｄ（パラジウム）などの白金族金属は導電性に優れるため、従来より電気接点表面の保護層として用いられる。しかしながら、例えばＡｕを保護層として用いた場合、少なくとも表面に半田を有する電子部品の電極と接続されると、接触時にＡｕが半田中へ拡散し、半田に含まれるＳｎ（すず）と結合してＡｕ−Ｓｎ系の金属間化合物を生成する。この金属間化合物はもろいため、接触が繰り返されるとＡｕ表面に堆積していわゆる半田転写が起こり、接触性能が不安定となることが問題であった。またＡｕおよび半田が摩耗劣化し、接点寿命が短くなることが問題であった。Ａｇや白金族金属を保護層とした場合も同様の半田転写が起こり、接触性能の不安定性が問題となっていた。
【０００３】
このような電気接点における半田転写に対し、下記特許文献１では、半田転写部の部品自体を交換して対処している。また、下記特許文献２では、最外層をＣｕ（銅）−Ｓｎ金属間化合物で形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９３４３号公報
【特許文献２】特開２００７−２４７０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、部品を交換する方法では交換部品にコストがかかり、また部品交換ができない場合もある。また、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物は表面に酸化膜が形成されて保護層の役割を有するが、使用時の環境条件によって酸化がさらに進行し、膜厚が変化してしまう。
【０００６】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、電気接点において、表面に半田転写抑制層を設けて、半田転写を抑制し、かつ導電性を有する電気接点を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点において、
導電部と、前記導電部の表面に形成された前記電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有し、前記電極と前記導電部間が前記半田転写抑制層を介して導通することを特徴とするものである。
【０００８】
これにより、導電部が露出した状態に比べて、半田転写を抑制できるとともに、電極と導電部間の導通を確保して安定した接触性能を得ることができる。
【０００９】
本発明では、前記電極と前記導電部間をトンネル効果により導通させることができる。
また本発明では、前記半田転写抑制層は窒化化合物、炭化化合物のいずれか、またはその組み合わせであることが好ましい。前記化合物は硬度が高いので、耐摩耗性に優れており電気接点の表面として好適である。また酸化物等に比べて接触抵抗の増加を抑制でき、安定した接触抵抗を得ることができる。
【００１０】
前記半田転写抑制層は、ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＷＮ2、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣ、ＣｒＣのいずれか１種以上であることが好ましい。
【００１１】
また、前記半田転写抑制層は有機化合物とすることができる。さらに、前記半田転写抑制層はアルキルメルカプタン、アルキルアミンのいずれか、またはその組み合わせであることが好ましい。
【００１２】
前記半田転写抑制層は、１〜１００Åの膜厚で形成される。このような薄膜で形成することで、電極と導電部間の導通を適切に確保できる。
【００１３】
また本発明では、支持部と、前記支持部から延びる弾性腕とを有し、前記支持部及び前記弾性腕は前記導電部により形成され、少なくとも前記電子部品の電極と接触する弾性腕の表面に前記半田転写抑制層が形成されている構成にできる。
【００１４】
また本発明では、前記導電部はＮｉあるいはＮｉ合金で形成され、又は表面にＡｕ、Ａｇまたは白金族金属、またはこれらの金属の合金からなる表面層が形成されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電気接点によれば、導電部が露出した状態に比べて、半田転写を抑制できるとともに、電極と導電部間の導通を確保して安定した接触性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態の電気接点を示す部分断面図、
【図２】本発明の第２の実施形態の電気接点を示す部分断面図、
【図３】接続装置の部分断面図、
【図４】図３に示す接続装置の電気接点付近を示す拡大断面図、
【図５】図４に示す電気接点の平面図、
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第１実施形態）、
【図７】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第２実施形態）、
【図８】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第３実施形態）、
【図９】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第４実施形態）、
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は本発明の第１の実施形態の電気接点の部分断面図、図２は本発明の第２の実施形態の電気接点の部分断面図である。
【００１８】
図１に示す電気接点１は、導電部２と、その上の半田転写抑制層３とで構成される。導電部２は、導電性を有する金属または金属合金が好適に用いられ、例えば、Ｎｉ（ニッケル）やＮｉ合金を用いることができる。
【００１９】
半田転写抑制層３の表面３ａは、電子部品の半田で形成された電極との接触面である。半田転写抑制層３は、導電部２よりも半田転写性が低い材料で形成される。
【００２０】
半田転写抑制層３は、窒化化合物、炭化化合物からなることが好ましい。前記窒化化合物としては、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＮｂＮ（窒化ニオブ）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＷＮ2（窒化タングステン）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）が好ましく用いられ、前記炭化化合物としては、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＦｅＣ（炭化鉄）、ＣｒＣ（炭化クロム）が好ましく用いられる。
【００２１】
これらの化合物のいずれか１種を半田転写抑制層３としてもよいし、２種以上を混合または積層して半田転写抑制層３を形成することもできる。
【００２２】
また本実施形態では、導電部２と電子部品の電極間が半田転写抑制層３を介して導通する。
【００２３】
半田転写抑制層３が電気絶縁物質である場合、導電部２と電子部品の電極間をトンネル効果により導通させることができる。
【００２４】
半田転写抑制層３は１〜１００Å程度の膜厚で形成される。２種以上の化合物が積層される場合は半田転写抑制層全体の膜厚が１〜１００Åである。半田転写抑制層３を形成する物質は電気絶縁物質からなり、膜厚が前記範囲内の薄膜であると、トンネル効果により導電部２と電子部品の電極間を適切に導通させることが可能になる。膜厚が厚いと導電部２と電子部品の電極間を適切に導通させることができなくなり、特に上記したトンネル効果を発揮しにくいので、半田転写抑制層３はできるだけ薄いことが好ましい。ただし、電子部品の電極との繰り返し接触により摩耗するため、摩耗により消失しない程度の膜厚が必要である。これらの観点から、膜厚は例えば１〜５０Å、より好ましくは１〜３０Åであることが好適である。
【００２５】
半田転写抑制層３を例えば窒化化合物、または炭化化合物で形成する場合、例えば、真空蒸着やスパッタを用いて形成することができる。例えば複数のターゲットを用いることで、２種以上の化合物を混合または積層することができる。また、真空蒸着やスパッタを用いると、いずれの金属または金属合金上にも半田転写抑制層３を形成でき、さらに形成する膜厚の制御を容易に行うことができる。
【００２６】
あるいは、半田転写抑制層３を窒化化合物とする場合、例えば、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌなどの金属層を形成した後、窒化処理を行って窒化化合物の半田転写抑制層３とすることができる。また炭化化合物の場合、例えばＴｉ、Ｆｅ、Ｃｒなどの金属層を形成した後、炭化処理を行い、炭化化合物の半田転写抑制層３としてもよい。
【００２７】
半田転写抑制層３は電気接点１の最表面であるため、さらに、耐摩耗性に優れ、かつ硬度が高いことが要求される。前記した窒化化合物や炭化化合物は硬度が高く、電気接点１の半田転写抑制層３として好適に用いられる。特に、接触圧の高い電気接点に好適である。
【００２８】
あるいは本実施形態では、半田転写抑制層３を、有機化合物で形成することができる。有機化合物としては、例えば、アルキルメルカプタン、アルキルアミンあるいはこれらの組み合わせが好適に用いられる。これらの有機化合物は、金属や金属合金などの表面に吸着して固体膜を形成することができる。有機化合物の膜厚を１〜１００Å程度とするとトンネル効果により、導電部２と電子部品の電極間を適切に効果的に導通させることができる。
【００２９】
半田転写抑制層３を有機化合物とする場合も、膜厚が厚いとトンネル効果を発揮しにくいので、半田転写抑制層３はできるだけ薄いことが好ましいが、電極との繰り返し接触により摩耗するため、摩耗により消失しない程度の膜厚が必要である。そこで、膜厚は例えば１〜５０Å、より好ましくは１〜３０Åであることがさらに好適である。
【００３０】
有機化合物は、前記窒化化合物や炭化化合物に比べて硬度が低い。そこで、接点にかかる接触圧が低い電気接点１の半田転写抑制層３に用いることが好ましい。また、有機化合物は導電部２に塗付するなどして容易に半田転写抑制層３を形成することができ、金属または金属合金であればどのようなものでもその表面に半田転写抑制層３を形成できる。
【００３１】
半田転写抑制層３は窒化化合物、炭化化合物または有機化合物以外の材質を除外しないが、金属酸化物（Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｂ2Ｏ3等）であると、接触抵抗が安定せず、また半田転写性についても、繰り返し電極と接触することで酸化膜の破壊により半田転写しやすい。よって、半田転写抑制層３は、金属酸化物より窒化化合物、炭化化合物または有機化合物で形成されることが好ましい。
【００３２】
図２に示す電気接点５を構成する導電部２は、主層６と、その表面に形成された保護層４とで構成される。また図２に示すように半田転写抑制層３が保護層４の表面に形成される。主層６はＮｉやＮｉ合金等で形成される。半田転写抑制層３は第１の実施形態の電気接点１と同じものが用いられる。
【００３３】
保護層４は、主層６の酸化を防止するため等に設けられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金が好適に用いられる。
【００３４】
Ａｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金を電気接点の最表面とした場合、金属が半田中に拡散することによる半田転写が問題となる。しかしながら、電気接点５では、半田転写抑制層３がＡｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金で形成される保護層４の上に形成されている。そして半田転写抑制膜３は、保護層４よりも半田転写性が低い。よって、半田転写抑制層３が保護層４の金属が半田中へ拡散するのを効果的に防止するため、従来のように保護層４の表面が露出した形態に比べて電子部品の電極との接触による半田転写を抑制することができる。また導電部２と電子部品の電極間は半田転写抑制層３を介して導通する。半田転写抑制層３が電気絶縁物質で形成されるとき、トンネル効果により導電部２と電子部品の電極間を導通させるべく半田転写抑制層３を十分に薄く（１〜１００Å程度）形成する。これにより半田転写の抑制と導通性の双方を兼ね備えた電気接点として機能する。
【００３５】
本発明の電気接点は、例えば弾性接点として用いることができる。弾性接点の一例として、弾性腕を有する電気接点を備えた接続装置に用いた例を示す。図３は、本発明の電気接点を用いた接続装置の部分断面図、図４は、図３に示す接続装置の電気接点付近を示す拡大断面図、図５は、図４に示す電気接点の平面図、図６ないし９は図５に示されるＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点のそれぞれの切断面を示す断面図である。
【００３６】
図３に示す接続装置９は、基台１０を有している。基台１０の平面形状は例えば四角形状であり、基台１０の４辺のそれぞれにはほぼ垂直に立ち上がる側壁部１０ａが形成されている。４辺の側壁部１０ａで囲まれた領域は凹部であり、その底部１０ｂの上面が支持面１２である。支持面１２の上には、接続シート１５が設置されている。接続シート１５は、例えば、可撓性の基材シート１６の表面に複数の電気接点（接触子）２０が設けられた構成である。
【００３７】
図４に示すように、基材シート１６には、多数のスルーホール１６ａが形成され、それぞれのスルーホール１６ａの内周面には導電体層１７がメッキなどの手段で形成されている。基材シート１６の表面には、導電体層１７に導通する表側の接続ランド１７ａが形成され、基材シート１６の裏面には、導電体層１７に導通する裏側の接続ランド１７ｂが形成されている。
【００３８】
電気接点２０は、例えば、薄い導電性金属板を打ち抜いて形成され、さらにメッキ処理されたものであり、個々の電気接点２０が、接続ランド１７ａの表面に導電性接着剤などで接合されている。あるいは、電気接点２０は、銅やニッケルなどの導電性材料を使用してメッキ工程で形成される。例えば、基材シート１６とは別個のシートの表面に複数の電気接点２０がメッキ工程で形成され、シートが、基材シート１６に重ね合わされて、それぞれの電気接点２０が、導電性接着剤などで接続ランド１７ａに接合される。
【００３９】
それぞれの電気接点２０は、基材シート１６に設置された後に、例えば、外力が与えられて立体形状に形成される。このとき、加熱処理で内部の残留応力が除去され、電気接点２０は立体形状で弾性力を発揮できるようになる。
【００４０】
図４に示すように、基材シート１６の裏面側では、接続ランド１７ｂに個別に接続する導電性材料のバンプ電極１８が形成されている。図３に示すように、接続シート１５が基台１０の底部１０ｂの表面である支持面１２に設置されると、バンプ電極１８が、支持面１２に設けられた導電部に接続される。
【００４１】
支持面１２上での電気接点２０の配列ピッチは、例えば２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。電気接点２０の外形寸法の最大値も２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。
【００４２】
なお上記の接続シート１５の構成は一例である。例えば、図４では基材シート１６にスルーホール１６ａが設けられているが、スルーホール１６ａが形成されず、基材シート１６の表面に電気接点２０と導通する配線パターンが形成された構成でもよい。
【００４３】
図４と図５に示すように、電気接点２０は、支持部２１と弾性腕２２が一体に連続して形成されている。弾性腕２２は例えば螺旋形状に形成されており、弾性腕２２の巻き始端である基端部２２ａが、支持部２１と一体化されている。弾性腕２２の巻き終端である先端部２２ｂは、螺旋のほぼ中心部に位置している。図４に示す形態では、電気接点２０を構成している支持部２１が接続ランド１７ａに接続され、弾性腕２２は、先端部２２ｂが支持面１２から離れるように立体成形されている。
【００４４】
なお、電気接点２０は立体成形されず平面形状であってもよい。また弾性腕２２は螺旋形状であることに限定されない。弾性腕２２は帯状（直線状）や湾曲形状等であってもよい。また弾性腕２２は片側だけが支持部２１に支持されているが両側が支持部に支持された構成であってもよい。
【００４５】
図３に示すように、接続装置９には、電子部品４０が設置される。電子部品４０は、ＩＣパッケージなどであり、ＩＣベアチップなどの各種電子素子が本体部４１内に密閉されている。本体部４１の底面４１ａには、少なくとも表面に半田を有する複数の突出電極４２が設けられており、それぞれの突出電極４２が本体部４１内の回路に導通している。この実施の形態の電子部品４０は、突出電極４２が球形状である。また、突出電極４２は裁頭円錐形状などであってもよい。
【００４６】
接続装置９は、例えば、電子部品４０の検査用であり、図３に示すように、被検査物である電子部品４０が、基台１０の凹部内に装着される。このとき、電子部品４０は、本体部４１の底面４１ａに設けられた個々の突出電極４２が電気接点２０の上に設置されるように位置決めされる。基台１０の上には図示しない押圧用の蓋体が設けられており、この蓋体を基台１０上に被せると、この蓋体により電子部品４０が矢印Ｆ方向へ押圧される。この押圧力により、それぞれの突出電極４２が弾性腕２２に押し付けられ、立体形状の弾性腕２２が押しつぶされて、突出電極４２と弾性腕２２とが個別に導通させられ、電子部品４０の本体部４１内の回路が断線しているか否か、本体部４１内の回路の動作試験が行われる。
【００４７】
図６および７の断面図で示すように、弾性腕２２は、導電部３０と、この導電部３０の上面、または表面の全周を覆う半田転写抑制層３３とで構成される。導電部３０は、芯部３１の周囲の全周が弾性層３２で覆われたものであることが好ましい。芯部３１は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅を含む合金の単層である。銅合金は、高い電気導電度と高い機械的強度を有するＣｕ，Ｓｉ，Ｎｉを有するコルソン合金が好ましく使用される。コルソン合金は、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇで、Ｃｕが９６．２質量％、Ｎｉが３．０質量％、Ｓｉ（ケイ素）が０．６５質量％、Ｍｇ（マグネシウム）が０．１５質量％のものが使用される。
【００４８】
弾性層３２は、導電性であり且つ高い機械的強度と高い曲げ弾性係数を発揮する金属材料であり、ニッケル（Ｎｉ）層またはＮｉを含む合金層である。Ｎｉ合金は、Ｎｉ−Ｘ合金（ただしＸは、Ｐ（リン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｎ（マンガン）、Ｔｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｂ（ホウ素）のいずれか一種以上）が使用される。弾性層３２は、芯部３１の周囲に電解メッキまたは無電解メッキを施すことで形成される。弾性層３２は、好ましくは無電解メッキで形成されたＮｉ−Ｐ合金である。Ｎｉ−Ｐ合金では、リン（Ｐ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下（より好ましくは１７〜２５ａｔ％）とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり（好ましくは全体が非晶質）、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。あるいは、弾性層３２はＮｉ−Ｗ合金で形成される。この場合もタングステン（Ｗ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり（好ましくは全体が非晶質）、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。
【００４９】
図６において、弾性層３２の断面積は、芯部３１の断面積の２０％以上で８０％以下であることが好ましい。この範囲であると、芯部３１が導電性とばね性（弾性）の双方の機能を発揮できる。また図６の断面図において、芯部３１の厚さ寸法および幅寸法は、共に１０μｍ以上で１００μｍ以下であることが好適である。
【００５０】
ただし、弾性層３２が導電性および弾性を有するため、芯部３１が形成されず、弾性層３２のみで導電部３０が形成されてもよい。
【００５１】
図６に示すように、導電部３０の上面に、本発明の半田転写抑制層３３が形成される。半田転写抑制層３３は、導電部３０の、少なくとも突出電極４２と接する表面に形成される。図６に示すように、導電部３０の上面のみに形成されてもよいし、図７に示すように導電部３０を完全に囲む形で形成されてもよい。あるいは、導電部３０の上面および下面に形成される構成にもできる。
【００５２】
あるいは、図８に示すように、半田転写抑制層３３は、例えば図６に示す弾性層３２の上面に形成された保護層３４の上に設けられることもできる。図８では弾性層３２と保護層３４で導電層３０が形成される。
【００５３】
この場合も、半田転写抑制層３３は、保護層３４の、少なくとも突出電極４２と接する表面に形成される。図８に示すように、保護層３４の上面のみに形成されてもよいし、図９に示すように保護層３４を完全に囲む形で形成されてもよい。あるいは、図９に示す保護層３４の上面および下面に形成される構成にもできる。また、保護層３４も、弾性層３２の上面にのみ設けられていても、弾性層３２の周囲を囲むように設けられていてもよい。なお導電部３０を図６に示す芯部３１、弾性層３２と、図８、図９に示す保護層３４との積層構造で形成してもよい。
【００５４】
いずれの場合においても、弾性腕２２の導電性および弾性を有する導電部３０の、突出電極４２と接する表面には、半田転写抑制層３３が形成されている。これにより、弾性腕２２が半田を有する突出電極４２と繰り返し接触されても、半田転写を起こしにくくできるとともに、導電部３０と突出電極４２間の導通性も確保することができ、安定した接触性能を得ることができる。
【００５５】
特に、図４に示すように弾性腕２２が立体成形されていると、突出電極４２との接触時に弾性腕２２に与えられる接触圧が大きい。その場合、半田転写抑制層３３を窒化化合物や炭化化合物など硬度の高い化合物とすることが好ましい。
【実施例】
【００５６】
（実施例１）
芯部３１の表面に弾性層３２が形成され、弾性層３２の表面に保護層３４が形成された弾性腕２２を有する電気接点２０を作成した。芯部３１を、コルソン合金で形成し、弾性層３２を、Ｐ含有量の高い（２０ａｔ％）Ｎｉ−Ｐ合金でメッキ形成し、その上にＰｄ−Ｎｉ合金を０．５μｍの厚さでメッキ形成し保護層３４とした。前記保護層３４の上にＴｉＮを真空蒸着により２０Åの膜厚で形成し半田転写抑制層３３を形成した。
【００５７】
（実施例２）
ＴｉＮの代わりに有機パーフルオロアルキルメルカプタンを３０Åの膜厚で形成した以外は実施例１と同じにして弾性腕２２を有する電気接点２０を作成した。有機パーフルオロアルキルメルカプタンは浸漬化学反応により形成した。
【００５８】
上記（実施例１）および（実施例２）の接触子は、いずれも、少なくとも表面に半田を有する突出電極４２と導通した。また、（実施例１）および（実施例２）の接触子を用いて電気部品の接触試験を行ったが、１０００回接触を繰り返しても接触子への半田転写は見られなかった。
【符号の説明】
【００５９】
１，５，２０ 電気接点
２，３０ 導電部
３，３３ 半田転写抑制層
４，３４ 保護層
９ 接続装置
１０ 基台
１０ａ 基台の側壁部
１０ｂ 基台の底部
１２ 支持面
１５ 接続シート
１６ 基材シート
１６ａ スルーホール
１７ 導電体層
１７ｂ 接続ランド
１８ バンプ電極
２１ 支持部
２２ 弾性腕
３１ 芯部
３２ 弾性層
４０ 電子部品
４１ 電子部品の本体部
４１ａ 本体部の底面
４２ 突出電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、またはＰｔ（白金）やＰｄ（パラジウム）などの白金族金属は導電性に優れるため、従来より電気接点表面の保護層として用いられる。しかしながら、例えばＡｕを保護層として用いた場合、少なくとも表面に半田を有する電子部品の電極と接続されると、接触時にＡｕが半田中へ拡散し、半田に含まれるＳｎ（すず）と結合してＡｕ−Ｓｎ系の金属間化合物を生成する。この金属間化合物はもろいため、接触が繰り返されるとＡｕ表面に堆積していわゆる半田転写が起こり、接触性能が不安定となることが問題であった。またＡｕおよび半田が摩耗劣化し、接点寿命が短くなることが問題であった。Ａｇや白金族金属を保護層とした場合も同様の半田転写が起こり、接触性能の不安定性が問題となっていた。
【０００３】
このような電気接点における半田転写に対し、下記特許文献１では、半田転写部の部品自体を交換して対処している。また、下記特許文献２では、最外層をＣｕ（銅）−Ｓｎ金属間化合物で形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１９３４３号公報
【特許文献２】特開２００７−２４７０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、部品を交換する方法では交換部品にコストがかかり、また部品交換ができない場合もある。また、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物は表面に酸化膜が形成されて保護層の役割を有するが、使用時の環境条件によって酸化がさらに進行し、膜厚が変化してしまう。
【０００６】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、電気接点において、表面に半田転写抑制層を設けて、半田転写を抑制し、かつ導電性を有する電気接点を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点において、
導電部と、前記導電部の表面に形成された前記電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有し、前記電極と前記導電部間が前記半田転写抑制層を介して導通することを特徴とするものである。
【０００８】
これにより、導電部が露出した状態に比べて、半田転写を抑制できるとともに、電極と導電部間の導通を確保して安定した接触性能を得ることができる。
【０００９】
本発明では、前記電極と前記導電部間をトンネル効果により導通させることができる。
また本発明では、前記半田転写抑制層は窒化化合物、炭化化合物のいずれか、またはその組み合わせであることが好ましい。前記化合物は硬度が高いので、耐摩耗性に優れており電気接点の表面として好適である。また酸化物等に比べて接触抵抗の増加を抑制でき、安定した接触抵抗を得ることができる。
【００１０】
前記半田転写抑制層は、ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＷＮ2、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣ、ＣｒＣのいずれか１種以上であることが好ましい。
【００１１】
また、前記半田転写抑制層は有機化合物とすることができる。さらに、前記半田転写抑制層はアルキルメルカプタン、アルキルアミンのいずれか、またはその組み合わせであることが好ましい。
【００１２】
前記半田転写抑制層は、１〜１００Åの膜厚で形成される。このような薄膜で形成することで、電極と導電部間の導通を適切に確保できる。
【００１３】
また本発明では、支持部と、前記支持部から延びる弾性腕とを有し、前記支持部及び前記弾性腕は前記導電部により形成され、少なくとも前記電子部品の電極と接触する弾性腕の表面に前記半田転写抑制層が形成されている構成にできる。
【００１４】
また本発明では、前記導電部はＮｉあるいはＮｉ合金で形成され、又は表面にＡｕ、Ａｇまたは白金族金属、またはこれらの金属の合金からなる表面層が形成されている構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電気接点によれば、導電部が露出した状態に比べて、半田転写を抑制できるとともに、電極と導電部間の導通を確保して安定した接触性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態の電気接点を示す部分断面図、
【図２】本発明の第２の実施形態の電気接点を示す部分断面図、
【図３】接続装置の部分断面図、
【図４】図３に示す接続装置の電気接点付近を示す拡大断面図、
【図５】図４に示す電気接点の平面図、
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第１実施形態）、
【図７】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第２実施形態）、
【図８】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第３実施形態）、
【図９】図５のＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点の切断面を示す断面図（第４実施形態）、
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は本発明の第１の実施形態の電気接点の部分断面図、図２は本発明の第２の実施形態の電気接点の部分断面図である。
【００１８】
図１に示す電気接点１は、導電部２と、その上の半田転写抑制層３とで構成される。導電部２は、導電性を有する金属または金属合金が好適に用いられ、例えば、Ｎｉ（ニッケル）やＮｉ合金を用いることができる。
【００１９】
半田転写抑制層３の表面３ａは、電子部品の半田で形成された電極との接触面である。半田転写抑制層３は、導電部２よりも半田転写性が低い材料で形成される。
【００２０】
半田転写抑制層３は、窒化化合物、炭化化合物からなることが好ましい。前記窒化化合物としては、ＴｉＮ（窒化チタン）、ＮｂＮ（窒化ニオブ）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＷＮ2（窒化タングステン）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）が好ましく用いられ、前記炭化化合物としては、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＦｅＣ（炭化鉄）、ＣｒＣ（炭化クロム）が好ましく用いられる。
【００２１】
これらの化合物のいずれか１種を半田転写抑制層３としてもよいし、２種以上を混合または積層して半田転写抑制層３を形成することもできる。
【００２２】
また本実施形態では、導電部２と電子部品の電極間が半田転写抑制層３を介して導通する。
【００２３】
半田転写抑制層３が電気絶縁物質である場合、導電部２と電子部品の電極間をトンネル効果により導通させることができる。
【００２４】
半田転写抑制層３は１〜１００Å程度の膜厚で形成される。２種以上の化合物が積層される場合は半田転写抑制層全体の膜厚が１〜１００Åである。半田転写抑制層３を形成する物質は電気絶縁物質からなり、膜厚が前記範囲内の薄膜であると、トンネル効果により導電部２と電子部品の電極間を適切に導通させることが可能になる。膜厚が厚いと導電部２と電子部品の電極間を適切に導通させることができなくなり、特に上記したトンネル効果を発揮しにくいので、半田転写抑制層３はできるだけ薄いことが好ましい。ただし、電子部品の電極との繰り返し接触により摩耗するため、摩耗により消失しない程度の膜厚が必要である。これらの観点から、膜厚は例えば１〜５０Å、より好ましくは１〜３０Åであることが好適である。
【００２５】
半田転写抑制層３を例えば窒化化合物、または炭化化合物で形成する場合、例えば、真空蒸着やスパッタを用いて形成することができる。例えば複数のターゲットを用いることで、２種以上の化合物を混合または積層することができる。また、真空蒸着やスパッタを用いると、いずれの金属または金属合金上にも半田転写抑制層３を形成でき、さらに形成する膜厚の制御を容易に行うことができる。
【００２６】
あるいは、半田転写抑制層３を窒化化合物とする場合、例えば、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌなどの金属層を形成した後、窒化処理を行って窒化化合物の半田転写抑制層３とすることができる。また炭化化合物の場合、例えばＴｉ、Ｆｅ、Ｃｒなどの金属層を形成した後、炭化処理を行い、炭化化合物の半田転写抑制層３としてもよい。
【００２７】
半田転写抑制層３は電気接点１の最表面であるため、さらに、耐摩耗性に優れ、かつ硬度が高いことが要求される。前記した窒化化合物や炭化化合物は硬度が高く、電気接点１の半田転写抑制層３として好適に用いられる。特に、接触圧の高い電気接点に好適である。
【００２８】
あるいは本実施形態では、半田転写抑制層３を、有機化合物で形成することができる。有機化合物としては、例えば、アルキルメルカプタン、アルキルアミンあるいはこれらの組み合わせが好適に用いられる。これらの有機化合物は、金属や金属合金などの表面に吸着して固体膜を形成することができる。有機化合物の膜厚を１〜１００Å程度とするとトンネル効果により、導電部２と電子部品の電極間を適切に効果的に導通させることができる。
【００２９】
半田転写抑制層３を有機化合物とする場合も、膜厚が厚いとトンネル効果を発揮しにくいので、半田転写抑制層３はできるだけ薄いことが好ましいが、電極との繰り返し接触により摩耗するため、摩耗により消失しない程度の膜厚が必要である。そこで、膜厚は例えば１〜５０Å、より好ましくは１〜３０Åであることがさらに好適である。
【００３０】
有機化合物は、前記窒化化合物や炭化化合物に比べて硬度が低い。そこで、接点にかかる接触圧が低い電気接点１の半田転写抑制層３に用いることが好ましい。また、有機化合物は導電部２に塗付するなどして容易に半田転写抑制層３を形成することができ、金属または金属合金であればどのようなものでもその表面に半田転写抑制層３を形成できる。
【００３１】
半田転写抑制層３は窒化化合物、炭化化合物または有機化合物以外の材質を除外しないが、金属酸化物（Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｂ2Ｏ3等）であると、接触抵抗が安定せず、また半田転写性についても、繰り返し電極と接触することで酸化膜の破壊により半田転写しやすい。よって、半田転写抑制層３は、金属酸化物より窒化化合物、炭化化合物または有機化合物で形成されることが好ましい。
【００３２】
図２に示す電気接点５を構成する導電部２は、主層６と、その表面に形成された保護層４とで構成される。また図２に示すように半田転写抑制層３が保護層４の表面に形成される。主層６はＮｉやＮｉ合金等で形成される。半田転写抑制層３は第１の実施形態の電気接点１と同じものが用いられる。
【００３３】
保護層４は、主層６の酸化を防止するため等に設けられ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金が好適に用いられる。
【００３４】
Ａｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金を電気接点の最表面とした場合、金属が半田中に拡散することによる半田転写が問題となる。しかしながら、電気接点５では、半田転写抑制層３がＡｕ、Ａｇ、またはＰｔやＰｄなどの白金族金属、あるいはこれらの金属の合金で形成される保護層４の上に形成されている。そして半田転写抑制膜３は、保護層４よりも半田転写性が低い。よって、半田転写抑制層３が保護層４の金属が半田中へ拡散するのを効果的に防止するため、従来のように保護層４の表面が露出した形態に比べて電子部品の電極との接触による半田転写を抑制することができる。また導電部２と電子部品の電極間は半田転写抑制層３を介して導通する。半田転写抑制層３が電気絶縁物質で形成されるとき、トンネル効果により導電部２と電子部品の電極間を導通させるべく半田転写抑制層３を十分に薄く（１〜１００Å程度）形成する。これにより半田転写の抑制と導通性の双方を兼ね備えた電気接点として機能する。
【００３５】
本発明の電気接点は、例えば弾性接点として用いることができる。弾性接点の一例として、弾性腕を有する電気接点を備えた接続装置に用いた例を示す。図３は、本発明の電気接点を用いた接続装置の部分断面図、図４は、図３に示す接続装置の電気接点付近を示す拡大断面図、図５は、図４に示す電気接点の平面図、図６ないし９は図５に示されるＡ−Ａ線に沿って切断した電気接点のそれぞれの切断面を示す断面図である。
【００３６】
図３に示す接続装置９は、基台１０を有している。基台１０の平面形状は例えば四角形状であり、基台１０の４辺のそれぞれにはほぼ垂直に立ち上がる側壁部１０ａが形成されている。４辺の側壁部１０ａで囲まれた領域は凹部であり、その底部１０ｂの上面が支持面１２である。支持面１２の上には、接続シート１５が設置されている。接続シート１５は、例えば、可撓性の基材シート１６の表面に複数の電気接点（接触子）２０が設けられた構成である。
【００３７】
図４に示すように、基材シート１６には、多数のスルーホール１６ａが形成され、それぞれのスルーホール１６ａの内周面には導電体層１７がメッキなどの手段で形成されている。基材シート１６の表面には、導電体層１７に導通する表側の接続ランド１７ａが形成され、基材シート１６の裏面には、導電体層１７に導通する裏側の接続ランド１７ｂが形成されている。
【００３８】
電気接点２０は、例えば、薄い導電性金属板を打ち抜いて形成され、さらにメッキ処理されたものであり、個々の電気接点２０が、接続ランド１７ａの表面に導電性接着剤などで接合されている。あるいは、電気接点２０は、銅やニッケルなどの導電性材料を使用してメッキ工程で形成される。例えば、基材シート１６とは別個のシートの表面に複数の電気接点２０がメッキ工程で形成され、シートが、基材シート１６に重ね合わされて、それぞれの電気接点２０が、導電性接着剤などで接続ランド１７ａに接合される。
【００３９】
それぞれの電気接点２０は、基材シート１６に設置された後に、例えば、外力が与えられて立体形状に形成される。このとき、加熱処理で内部の残留応力が除去され、電気接点２０は立体形状で弾性力を発揮できるようになる。
【００４０】
図４に示すように、基材シート１６の裏面側では、接続ランド１７ｂに個別に接続する導電性材料のバンプ電極１８が形成されている。図３に示すように、接続シート１５が基台１０の底部１０ｂの表面である支持面１２に設置されると、バンプ電極１８が、支持面１２に設けられた導電部に接続される。
【００４１】
支持面１２上での電気接点２０の配列ピッチは、例えば２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。電気接点２０の外形寸法の最大値も２ｍｍ以下であり、あるいは１ｍｍ以下である。
【００４２】
なお上記の接続シート１５の構成は一例である。例えば、図４では基材シート１６にスルーホール１６ａが設けられているが、スルーホール１６ａが形成されず、基材シート１６の表面に電気接点２０と導通する配線パターンが形成された構成でもよい。
【００４３】
図４と図５に示すように、電気接点２０は、支持部２１と弾性腕２２が一体に連続して形成されている。弾性腕２２は例えば螺旋形状に形成されており、弾性腕２２の巻き始端である基端部２２ａが、支持部２１と一体化されている。弾性腕２２の巻き終端である先端部２２ｂは、螺旋のほぼ中心部に位置している。図４に示す形態では、電気接点２０を構成している支持部２１が接続ランド１７ａに接続され、弾性腕２２は、先端部２２ｂが支持面１２から離れるように立体成形されている。
【００４４】
なお、電気接点２０は立体成形されず平面形状であってもよい。また弾性腕２２は螺旋形状であることに限定されない。弾性腕２２は帯状（直線状）や湾曲形状等であってもよい。また弾性腕２２は片側だけが支持部２１に支持されているが両側が支持部に支持された構成であってもよい。
【００４５】
図３に示すように、接続装置９には、電子部品４０が設置される。電子部品４０は、ＩＣパッケージなどであり、ＩＣベアチップなどの各種電子素子が本体部４１内に密閉されている。本体部４１の底面４１ａには、少なくとも表面に半田を有する複数の突出電極４２が設けられており、それぞれの突出電極４２が本体部４１内の回路に導通している。この実施の形態の電子部品４０は、突出電極４２が球形状である。また、突出電極４２は裁頭円錐形状などであってもよい。
【００４６】
接続装置９は、例えば、電子部品４０の検査用であり、図３に示すように、被検査物である電子部品４０が、基台１０の凹部内に装着される。このとき、電子部品４０は、本体部４１の底面４１ａに設けられた個々の突出電極４２が電気接点２０の上に設置されるように位置決めされる。基台１０の上には図示しない押圧用の蓋体が設けられており、この蓋体を基台１０上に被せると、この蓋体により電子部品４０が矢印Ｆ方向へ押圧される。この押圧力により、それぞれの突出電極４２が弾性腕２２に押し付けられ、立体形状の弾性腕２２が押しつぶされて、突出電極４２と弾性腕２２とが個別に導通させられ、電子部品４０の本体部４１内の回路が断線しているか否か、本体部４１内の回路の動作試験が行われる。
【００４７】
図６および７の断面図で示すように、弾性腕２２は、導電部３０と、この導電部３０の上面、または表面の全周を覆う半田転写抑制層３３とで構成される。導電部３０は、芯部３１の周囲の全周が弾性層３２で覆われたものであることが好ましい。芯部３１は、例えば、銅（Ｃｕ）または銅を含む合金の単層である。銅合金は、高い電気導電度と高い機械的強度を有するＣｕ，Ｓｉ，Ｎｉを有するコルソン合金が好ましく使用される。コルソン合金は、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇで、Ｃｕが９６．２質量％、Ｎｉが３．０質量％、Ｓｉ（ケイ素）が０．６５質量％、Ｍｇ（マグネシウム）が０．１５質量％のものが使用される。
【００４８】
弾性層３２は、導電性であり且つ高い機械的強度と高い曲げ弾性係数を発揮する金属材料であり、ニッケル（Ｎｉ）層またはＮｉを含む合金層である。Ｎｉ合金は、Ｎｉ−Ｘ合金（ただしＸは、Ｐ（リン）、Ｗ（タングステン）、Ｍｎ（マンガン）、Ｔｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｂ（ホウ素）のいずれか一種以上）が使用される。弾性層３２は、芯部３１の周囲に電解メッキまたは無電解メッキを施すことで形成される。弾性層３２は、好ましくは無電解メッキで形成されたＮｉ−Ｐ合金である。Ｎｉ−Ｐ合金では、リン（Ｐ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下（より好ましくは１７〜２５ａｔ％）とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり（好ましくは全体が非晶質）、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。あるいは、弾性層３２はＮｉ−Ｗ合金で形成される。この場合もタングステン（Ｗ）の濃度を１０ａｔ％以上で３０ａｔ％以下とすることにより、少なくとも一部が非晶質となり（好ましくは全体が非晶質）、高い弾性係数と高い引っ張り強度を得ることができる。
【００４９】
図６において、弾性層３２の断面積は、芯部３１の断面積の２０％以上で８０％以下であることが好ましい。この範囲であると、芯部３１が導電性とばね性（弾性）の双方の機能を発揮できる。また図６の断面図において、芯部３１の厚さ寸法および幅寸法は、共に１０μｍ以上で１００μｍ以下であることが好適である。
【００５０】
ただし、弾性層３２が導電性および弾性を有するため、芯部３１が形成されず、弾性層３２のみで導電部３０が形成されてもよい。
【００５１】
図６に示すように、導電部３０の上面に、本発明の半田転写抑制層３３が形成される。半田転写抑制層３３は、導電部３０の、少なくとも突出電極４２と接する表面に形成される。図６に示すように、導電部３０の上面のみに形成されてもよいし、図７に示すように導電部３０を完全に囲む形で形成されてもよい。あるいは、導電部３０の上面および下面に形成される構成にもできる。
【００５２】
あるいは、図８に示すように、半田転写抑制層３３は、例えば図６に示す弾性層３２の上面に形成された保護層３４の上に設けられることもできる。図８では弾性層３２と保護層３４で導電層３０が形成される。
【００５３】
この場合も、半田転写抑制層３３は、保護層３４の、少なくとも突出電極４２と接する表面に形成される。図８に示すように、保護層３４の上面のみに形成されてもよいし、図９に示すように保護層３４を完全に囲む形で形成されてもよい。あるいは、図９に示す保護層３４の上面および下面に形成される構成にもできる。また、保護層３４も、弾性層３２の上面にのみ設けられていても、弾性層３２の周囲を囲むように設けられていてもよい。なお導電部３０を図６に示す芯部３１、弾性層３２と、図８、図９に示す保護層３４との積層構造で形成してもよい。
【００５４】
いずれの場合においても、弾性腕２２の導電性および弾性を有する導電部３０の、突出電極４２と接する表面には、半田転写抑制層３３が形成されている。これにより、弾性腕２２が半田を有する突出電極４２と繰り返し接触されても、半田転写を起こしにくくできるとともに、導電部３０と突出電極４２間の導通性も確保することができ、安定した接触性能を得ることができる。
【００５５】
特に、図４に示すように弾性腕２２が立体成形されていると、突出電極４２との接触時に弾性腕２２に与えられる接触圧が大きい。その場合、半田転写抑制層３３を窒化化合物や炭化化合物など硬度の高い化合物とすることが好ましい。
【実施例】
【００５６】
（実施例１）
芯部３１の表面に弾性層３２が形成され、弾性層３２の表面に保護層３４が形成された弾性腕２２を有する電気接点２０を作成した。芯部３１を、コルソン合金で形成し、弾性層３２を、Ｐ含有量の高い（２０ａｔ％）Ｎｉ−Ｐ合金でメッキ形成し、その上にＰｄ−Ｎｉ合金を０．５μｍの厚さでメッキ形成し保護層３４とした。前記保護層３４の上にＴｉＮを真空蒸着により２０Åの膜厚で形成し半田転写抑制層３３を形成した。
【００５７】
（実施例２）
ＴｉＮの代わりに有機パーフルオロアルキルメルカプタンを３０Åの膜厚で形成した以外は実施例１と同じにして弾性腕２２を有する電気接点２０を作成した。有機パーフルオロアルキルメルカプタンは浸漬化学反応により形成した。
【００５８】
上記（実施例１）および（実施例２）の接触子は、いずれも、少なくとも表面に半田を有する突出電極４２と導通した。また、（実施例１）および（実施例２）の接触子を用いて電気部品の接触試験を行ったが、１０００回接触を繰り返しても接触子への半田転写は見られなかった。
【符号の説明】
【００５９】
１，５，２０ 電気接点
２，３０ 導電部
３，３３ 半田転写抑制層
４，３４ 保護層
９ 接続装置
１０ 基台
１０ａ 基台の側壁部
１０ｂ 基台の底部
１２ 支持面
１５ 接続シート
１６ 基材シート
１６ａ スルーホール
１７ 導電体層
１７ｂ 接続ランド
１８ バンプ電極
２１ 支持部
２２ 弾性腕
３１ 芯部
３２ 弾性層
４０ 電子部品
４１ 電子部品の本体部
４１ａ 本体部の底面
４２ 突出電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点において、
導電部と、前記導電部の表面に形成された前記電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有し、前記電極と前記導電部間が前記半田転写抑制層を介して導通することを特徴とする電気接点。
【請求項２】
前記電極と前記導電部間がトンネル効果により導通する請求項１記載の電気接点。
【請求項３】
前記半田転写抑制層は窒化化合物、炭化化合物のいずれか、またはその組み合わせで形成される請求項１又は２に記載の電気接点。
【請求項４】
前記半田転写抑制層は、ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＷＮ2、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣ、ＣｒＣのいずれか１種以上で形成される請求項３記載の電気接点。
【請求項５】
前記半田転写抑制層は有機化合物で形成される請求項１又は２に記載の電気接点。
【請求項６】
前記半田転写抑制層はアルキルメルカプタン、アルキルアミンのいずれか、またはその組み合わせで形成される請求項５記載の電気接点。
【請求項７】
前記半田転写抑制層は、１〜１００Åの膜厚である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気接点。
【請求項８】
支持部と、前記支持部から延びる弾性腕とを有し、前記支持部及び前記弾性腕は前記導電部により形成され、少なくとも前記電子部品の電極と接触する弾性腕の表面に前記半田転写抑制層が形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気接点。
【請求項９】
前記導電部はＮｉあるいはＮｉ合金で形成され、又は表面にＡｕ、Ａｇまたは白金族金属、またはこれらの金属の合金からなる保護層が形成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電気接点。
【請求項１】
電子部品の半田で形成された電極と接触する電気接点において、
導電部と、前記導電部の表面に形成された前記電極との接触面を備える半田転写抑制層とを有し、前記電極と前記導電部間が前記半田転写抑制層を介して導通することを特徴とする電気接点。
【請求項２】
前記電極と前記導電部間がトンネル効果により導通する請求項１記載の電気接点。
【請求項３】
前記半田転写抑制層は窒化化合物、炭化化合物のいずれか、またはその組み合わせで形成される請求項１又は２に記載の電気接点。
【請求項４】
前記半田転写抑制層は、ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＴａＮ、ＷＮ2、ＡｌＮ、ＴｉＣ、ＦｅＣ、ＣｒＣのいずれか１種以上で形成される請求項３記載の電気接点。
【請求項５】
前記半田転写抑制層は有機化合物で形成される請求項１又は２に記載の電気接点。
【請求項６】
前記半田転写抑制層はアルキルメルカプタン、アルキルアミンのいずれか、またはその組み合わせで形成される請求項５記載の電気接点。
【請求項７】
前記半田転写抑制層は、１〜１００Åの膜厚である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気接点。
【請求項８】
支持部と、前記支持部から延びる弾性腕とを有し、前記支持部及び前記弾性腕は前記導電部により形成され、少なくとも前記電子部品の電極と接触する弾性腕の表面に前記半田転写抑制層が形成されている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気接点。
【請求項９】
前記導電部はＮｉあるいはＮｉ合金で形成され、又は表面にＡｕ、Ａｇまたは白金族金属、またはこれらの金属の合金からなる保護層が形成されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電気接点。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−１９２１３０（Ｐ２０１０−１９２１３０Ａ）
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−３２１６０（Ｐ２００９−３２１６０）
【出願日】平成２１年２月１６日（２００９．２．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１６日（２００９．２．１６）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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