電磁遮蔽合わせガラス
【課題】
放送波から、無線ＬＡＮまで、かなり広い周波数範囲にわたり、通信が行われるようになり、また、通信機器の感度も高性能になり、誤動作や盗聴などのリスクが増大してきた。このような状況に対して十分な電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽合わせガラスの提供を課題とする。
【解決手段】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、合わせガラスのガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽合わせガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜（１５、１６）とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わせガラス（１）とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする。
放送波から、無線ＬＡＮまで、かなり広い周波数範囲にわたり、通信が行われるようになり、また、通信機器の感度も高性能になり、誤動作や盗聴などのリスクが増大してきた。このような状況に対して十分な電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽合わせガラスの提供を課題とする。
【解決手段】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、合わせガラスのガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽合わせガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜（１５、１６）とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わせガラス（１）とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインテリジェントビルの開口部などに装着される、合わせガラス構造の電磁遮蔽ガラスに関し、特に１０ＭＨｚから２０ＧＨｚの周波数範囲において、高い電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽ガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、商用建物において、ＯＡ機器や通信機器等の電子機器・装置が多量に使用されている。これらの電子機器・装置の多くが発生させる電磁波は、他の電子機器や電子制御機器が誤動作する原因となる。また、ノイズを発生させる原因にもなっている。
【０００３】
さらに、高度情報化に伴い、開口部から侵入する電磁波が、建物内の電子機器を誤動作させることがある。
【０００４】
また、開口部から出ていく電磁波も、外部の電子機器などを誤動作させる原因となる。
【０００５】
このため、多くの建物で、開口部に電磁遮蔽性能を付与するようになった。
【０００６】
合わせガラスに２枚の中間膜を用い、中間幕の間に金属製網が挿入され、金属製網がガラスの端部で合わせガラスの表面まで折り曲げられた電磁遮蔽ガラスが知られている（特許文献１）。
【０００７】
さらに、合わせガラスに３枚の中間膜を用い、中間幕の間に導電性メッシュと導電性フィルムが挿入され、導電性メッシュと導電性フィルムはガラスの端部で合わせガラスの表面まで折り曲げられ、さらに導電性テープで合わせガラスの端部が導電性メッシュと導電性フィルムとが固定されている電磁遮蔽ガラスが開示されている。導電性フィルムには、金属膜あるいはＩＴＯ膜が形成されたものが用いられる（特許文献２）。
【０００８】
特許文献３には、１ＭＨｚ−３０ＭＨｚの周波数範囲で５０−６５ｄＢの遮蔽性能を有する、導電性の網体が２枚の中間膜の間に挿入された合わせガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示されており、特許文献４には、導電性膜が形成されているガラス板と導電性網体が２枚の中間膜に挿入されてなる合わせがラストを用いて構成される複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示され、電磁遮蔽性能は、０．１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの周波数範囲で、約７０ｄＢである。
【０００９】
特許文献５には、金属製網１枚を２枚の中間膜の間に挿入した合わせガラスと、金属製網２枚を２枚の中間膜に挿入した合わせがラストを用いてなる、複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示され、０．１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数範囲で７０〜９５ｄＢ程度の電磁遮蔽性能が記載されている。
【００１０】
また、特許文献６には、６５〜１５０メッシュの導電性網体２枚を用いる電磁遮蔽多重ガラスで、０．１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚにわたり６０〜７０ｄＢ程度の遮蔽性能であることが開示されている。
【００１１】
また、特許文献７には酸化スズ膜を用いて、１０〜３０ｄＢの電磁遮蔽パネルが開示されている。
【００１２】
建物の開口部には、電磁遮蔽性能の他に遮音性能が求められており、合わせガラスの遮音性能を高めるために、透明な樹脂層を積層して成る遮音性中間膜が用いられている。
【００１３】
例えば、特許文献８、９に、化学組成を変えて粘性等の物性を異ならせた透明樹脂として、モノマー組成比または分子量を変えたＰＶＢ、あるいはＰＶＢとは化学構造の異なるポリビニルアセタール樹脂を積層させた、遮音性中間膜が開示されている。
【００１４】
特許文献８には、 アセタール基の炭素数が４〜６であり、且つアセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が８〜３０モル％であるポリビニルアセタール樹脂（Ａ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ａ）と、アセタール基の炭素数が３〜４であり、かつ、アセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が４モル％以下であるポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ｂ）とが積層されてなる、合わせガラス用中間膜が開示されている。
【００１５】
また、特許文献９にはポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる厚み０．０５ｍｍ以上の層（Ａ）と、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる層（Ｂ）とが、層（Ｂ）／層（Ａ）／層（Ｂ）なる積層構成で積層され、層（Ａ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）と炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）とにより共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分との重量比が６０：４０〜１００：０の範囲にあり、層（Ｂ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）と、炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）により共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分との重量比が８０：２０〜１００：０の範囲にあり、層（Ａ）と層（Ｂ）の少なくとも一方のポリビニルアセタール樹脂は共アセタール化された樹脂であることを特徴とする遮音性中間膜が開示されている。
【００１６】
また、遮音性能を高めた合わせガラスとして、水添スチレン・イソプロレン・ブタジエンブロック共重合物を含有する膜をエチレン−ビニルアセテート膜の間に積層させた中間膜をガラス板の間に挟みこみ、加熱融着してガラス板を接着一体化させて合わせガラスとしたものが、特許文献１０に開示されている。
【００１７】
サッシの遮音性能の規格は、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００「サッシ」に記載されている。即ち、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００において、サッシの遮音性は、遮音等級Ｔ−１等級、Ｔ−２等級、Ｔ−３等級、Ｔ−４等級に分けられる。サッシの片側から音を出し、反対側でサッシによる音の反射、吸収減衰による音圧レベルの減少を測ることで、サッシの音響透過損失を前記ＪＩＳ規格に定める各周波数で測定し、遮音等級Ｔ−１等級線、Ｔ−２等級線、Ｔ−３等級線、Ｔ−４等級線に準拠し、前記ＪＩＳに記載された条件に適合、即ち、合格したサッシを、各々遮音等級Ｔ−１等級、Ｔ−２等級、Ｔ−３等級、Ｔ−４等級とする。
【００１８】
図４にＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に記載される遮音等級線のグラフを示す。
【００１９】
図４に示すように、音響透過損失による遮音等級線において、５００Ｈｚ以上の遮音性能が、遮音等級Ｔ−３等級は３５ｄＢ以上であり、遮音等級Ｔ−４等級は４０ｄＢ以上である。遮音等級Ｔ−３等級、Ｔ−４等級に合格するには、音響透過損失が前述の等級線を実質的に上回る必要がある。
【００２０】
デシベル（ｄＢ）は音圧レベルの単位であり、音圧レベルは、音による大気圧から圧力変動を対数で表した無次元量としデシベル（ｄＢ）を単位として表される。圧力変動は音圧レベル１０ｄＢで３．２倍変動する。音圧レベルはある音の音圧Ｐ（単位：Ｐａ）と人間の最小可聴音である基準音圧Ｐ０（２×１０-5Ｐａ）との比の常用対数を２０倍したものとして定義され、ｄＢで表される。
【００２１】
遮音等級Ｔ−４等級に合格するには、遮音等級Ｔ−３等級に比較して、５００Ｈｚ以上の音響透過損失３５ｄＢ以上を、４０ｄＢ以上に、即ち、５ｄＢ以上遮音性能を向上させなければならない。また、１２５Ｈｚ以上、５００Ｈｚ以下の周波数域においても、図４に示すように、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に示された遮音等級線に沿って５ｄＢ以上遮音性能を向上させなければならない。遮音等級Ｔ−４等級に合格するガラスサッシの遮音性能は、例えば、同厚のコンクリート壁に匹敵する。
【００２２】
なお、透過音響損失は、ＪＩＳ Ａ１４１６：２０００「実験室における建築部材の空気音遮断性能の測定方法」の、音源室と受音室とでなる試験室、音源装置及び受音装置等で構成される試験装置を用いる測定方法で測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開平１１−３１２８９３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０８３号公報
【特許文献３】特開２００１−１７７２９１号公報
【特許文献４】特開２０００−１８３５８６号公報
【特許文献５】特開平９−３２１４８４号公報
【特許文献６】特開２０００−１８３５８４号公報
【特許文献７】特開２００４−３４６５５５号公報
【特許文献８】特開平６−９２６号公報
【特許文献９】特開平５−１０４６８７号公報
【特許文献１０】特開２００７−９１４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
近年、放送波から、無線ＬＡＮまで、かなり広い周波数範囲にわたり、通信が行われるようになり、また、通信機器の感度も高性能になり、誤動作や盗聴などのリスクが増大してきた。
【００２５】
本発明は、このような状況に対して十分な電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽合わせガラスの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、ガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽合わせガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜（１５、１６）とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わ
せガラス（１）とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２７】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、合わせガラス（１）の中央に用いられるガラス板（１１）の厚さが３〜２０ｍｍであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２８】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、合わせガラス（１）の外側に用いられるガラス（１０、１２）の厚さが３〜１０ｍｍであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２９】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、導電性膜（４１、４２）が酸化スズでなることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３０】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、金属製網体３１、３２が５０〜１５０メッシュであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３１】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜に遮音性中間膜を用い、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に準拠する遮音等級がＴ−４等級であることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、広い周波数範囲に対応した高性能の電磁遮蔽合わせガラスの提供を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の電磁遮蔽合わせガラスの構成を示す概略断面図。
【図２】電磁遮蔽合わせガラスの端部の概略断面図。
【図３】導電性部材を４層にした、複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスの概略断面図。
【図４】ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に記載される遮音等級線のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、図１に示されるような、３枚のガラス板（１０、１１、１２）を用いて作製される、合わせガラス（１）の構成をした、電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３５】
ガラス板（１０、１１、１２）には、ソーダ石灰シリカ系ガラスをはじめとする無機ガラスの板が用いられ、特に、フローと法で製造されるフロートガラスあるいはフロートガ
ラスを強化した強化ガラス等が好適に用いられる。
【００３６】
ガラス板（１０、１１、１２）には、建築用に用いられる厚さ３ｍｍ以上２０ｍｍ以下のフローとガラスが好適に用いられる。特に外側に用いるガラス板（１０、１２）には厚さ３〜１０ｍｍのガラス板が、また中央に用いられるガラス板（１１）には厚さ３〜２０ｍｍのガラス板が好ましく、さらに望ましくは、ガラス板（１０、１２）には厚さ５〜１０ｍｍのガラス板が、また中央に用いられるガラス板（１１）には厚さ６〜１５ｍｍのガラス板が好ましい。
【００３７】
ガラス板（１０、１１、１２）は２層中間膜１５、１６によって一体化され、合わせガラス（１）を構成する。
【００３８】
さらに、ガラス板（１０、１２）の片面に導電膜（４１、４２）が形成され、導電膜（４１、４２）は、合わせガラス（１）の２層中間膜側ではなく、表面側に位置させる。
【００３９】
導電膜を合わせ面ではなく、外側の面に設けるため、導電膜（４１、４２）にはＣＶＤ法で製膜される、耐久性の良い酸化スズ膜（ネサ膜）が好適である。ソーダ石灰シリカ系ガラスの表面に酸化スズ膜を形成する場合、ガラスの表面に酸化ケイ素膜などのバリア層をＣＶＤ法で形成することが好ましい。
【００４０】
導電膜（４１、４２）のシート抵抗値は、高い電磁遮蔽性能を得るためには、３０Ω／□以下とすることが好ましい。
【００４１】
２層中間膜１５は、２枚の中間膜２１、２２の間に金属網体３１を挿入した構成であり、２層中間膜１６は、２枚の中間膜２３、２４の間に金属網体３２を挿入した構成である。
【００４２】
中間膜２１、２２、２３、２４には、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）やエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）が好適に用いられる。
【００４３】
金属製網体３１、３２には、透視性を保つために、目開きが１０ｍｍ以上（５０メッシュ以上）であることが好ましく、また、高い電磁遮蔽性能を得るためには、目開きは５０ｍｍ以下（１５０メッシュ以下）とすることが望ましい。
【００４４】
また、金属製網体３１、３２の線材については、特定するものではないが、鉄、ステンレス鋼、アルミニウム、銅等の金属の導線を用いることができる。さらに、前期導線に反射防止用の黒染酸化皮膜を施したものなどが好ましく採用できる。
【００４５】
金属製網体に用いられる線材の径は、取り扱い安さから、５０μｍ以上とし、透視性の観点から１８０μｍ以下とすることが望ましい。
【００４６】
金属製網体３１はガラス板（１０）の端面を跨って、また、金属製網体３２はガラス板（１２）の端面を跨って、それぞれ、合わせガラスの表面にまで折り曲げられていることが、導電膜（４１）あるいは導電膜（４２）と導通が図られ、好ましい。
【００４７】
合わせガラスの端面で折り曲げられた金属製網体の上から、合わせガラスの端部全体を覆うように、導電テープ５０を導電膜（４１）から導電膜（４２）に跨って設けることが好ましい。
【００４８】
導電テープ５０により、金属網体３１、３２および導電膜（４１、４２）の全ての導通
がとられるので、好ましい電磁波の遮蔽効果が得られる。
【００４９】
導電テープ５０には、銅、アルミ、ＳＵＳ、亜鉛などの金属箔に、カーボンなどを含有した導電性の粘着剤を積層したもの、あるいは前記金属箔に孔を開けた絶縁性粘着剤を積層したものなどを使用することができる。
【００５０】
さらに、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、中間膜に遮音性中間膜を用いることにより、ＪＩＳＡ４７０６：２０００に準拠する遮音等級のＴ−４等級を満たすものである。
【００５１】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスには４枚の中間膜が用いられるが、４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜を遮音性中間膜とすることにより、ＪＩＳＡ４７０６：２０００に準拠する遮音等級のＴ−４等級を満たすので、好ましい。
【００５２】
遮音性中間膜として、特許文献８、９、１０に開示されている次の（１）〜（３）の遮音性中間膜を用いることができる。
（１）アセタール基の炭素数が４〜６であり、且つアセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が８〜３０モル％であるポリビニルアセタール樹脂（Ａ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ａ）と、アセタール基の炭素数が３〜４であり、かつ、アセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が４モル％以下であるポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ｂ）とが積層されてなる遮音性中間膜。
【００５３】
（２）ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる厚み０．０５ｍｍ以上の層（Ａ）と、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる層（Ｂ）とが、層（Ｂ）／層（Ａ）／層（Ｂ）なる積層構成で積層され、層（Ａ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）と炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）とにより共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分との重量比が６０：４０〜１００：０の範囲にあり、層（Ｂ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）と、炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）により共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分との重量比が８０：２０〜１００：０の範囲にあり、層（Ａ）と層（Ｂ）の少なくとも一方のポリビニルアセタール樹脂は共アセタール化された樹脂である、遮音性中間膜。
【００５４】
（３）水添スチレン・イソプロレン・ブタジエンブロック共重合物を含有する膜をエチレン−ビニルアセテート膜の間に積層させた遮音性中間膜。
【実施例】
【００５５】
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００５６】
実施例１
図１に示す、ガラス板３枚を用いた合わせガラス構成の電磁遮蔽合わせガラスを作製した。ガラス板（１１）には、厚さ１２ｍｍのフロートガラスをもちい、ガラス板（１０、１２）には厚さ６ｍｍのフロートガラスを用いた。
【００５７】
２層中間膜１５には、厚さ０．８ｍｍの２枚のＰＶＢ膜２１、２２の間に金属製網体３１を挟み込んだものを用いた。
【００５８】
金属製網体３１には、ステンレス鋼の線材（太さが約 ５０μｍ）を用いてなるメッシュサイズ １００メッシュ（目開き約 １５０μｍ）の網体を用いた。２層中間膜１６にも、２層中間膜１５と同じものを用いた。
【００５９】
ガラス板（１０、１２）には酸化スズ膜（ネサ膜）をＣＶＤ法で形成した。シート抵抗は１５Ω／□であった。
【００６０】
本実施例で作製した電磁遮蔽合わせガラスの電磁遮蔽性能を、米国ミル規格 ＭＩＬ−ＳＴＤ ２８５ に則り、水平偏波、垂直偏波における電磁遮蔽性能（電磁波減衰率）を測定し、表１の結果を得た。
【００６１】
電磁遮蔽性能は７０ｄＢBを下回ることはなく、ほとんどの周波数範囲で９０〜１００ｄＢ以上のきわめて良好な遮蔽性能を示した。
【００６２】
比較例１
図３に示すような複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラス（２）を作製した。
【００６３】
２枚の金属製網体（３３、３４）を中間膜（２５）と中間膜との間に挟み込み、厚さ６ｍｍのガラス板（１３）と厚さ１２ｍｍのガラス板（１４）の２枚のガラス板を用いて、合わせガラス（３）を作製した。
【００６４】
金属製網体（３３，３４）には実施例１と同様の金属製網体を用いた。また、中間膜（２５、２６）にも、実施例１と同様の中間膜を用いた。
【００６５】
次に、合わせガラス（３）とシート抵抗が２０Ω／□のＡｇ膜（６５）をスパッタリング法で成膜したガラス板（１５）とを、空気層（１６）が１２ｍｍとなるようにスペーサー７３を用いて複層ガラス（２）にした。
【００６６】
さらに、導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）を、複層ガラス２の外側のガラス面に設けた。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）には、ポリエチレンテレフタレートのフィルムに、ＳｎＯ２膜、Ａｇ膜、ＳｎＯ２膜、Ａｇ膜、ＳｎＯ２膜の順に積層してなる導電膜を、スパッタリング法で成膜したものを用いた。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の導電膜のシート抵抗値は２Ω／□とした。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の合わせガラス（３）およびガラス板（１５）への接着には、アクリル系接着剤を用いた。
【００６７】
合わせガラス（１３）とガラス板（１５）とを対向配置し、ガラス板の周辺部にスペーサー（７２）を挿入し、合わせガラス（１３）とスペーサー（７２）とを、また、ガラス板（１５）とスペーサー（７２）とを、維持１次シール材で接着し、さらに、合わせガラス（１３）、ガラス板（１５）およびスペーサー（７２）とで囲まれる周辺部分を、２次シール材で充填した。
【００６８】
１次シール材にはブチルゴム系の接着剤を用い、２次シール材にはシリコーン系の接着剤を用いた。
【００６９】
合わせガラス（３）の作製に用いた金属製網体（３３、３４）はガラス板よりも大きいものを用い、金属性網体（３３、３４）のガラスのエッジからはみ出た部分を、金属製網体（３３）は、ガラス板（１３）の端部を跨ぐようにガラス板（１３）の端部を折り返し、また、金属製網体（３４）は、ガラス板（１４）の端部を覆い、Ａｇ膜を成膜してあるガラス板（１５）の端部を跨ぐように折り返した。
【００７０】
金属製網体（３４）とガラス板（１５）に成膜されているＡｇ膜とを導通させるため、ガラス板（１５）の端部には、ガラス板（１５）の端面を覆い、端部を跨ぐようにして導電テープ（５２）を設けた。
【００７１】
また、複層ガラス２の端部全体を跨ぐように導電テープ５１を設け、金属性網体（３３、３４）、Ａｇ膜（６５）および導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の導電膜との導通を行った、
比較例１で作製した複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスは、導電膜付プラスチックフィルムの導電膜、合わせガラス２に用いた２枚重ねの金属製網体、及び、Ａｇ膜の、実施例１と同じ、４層の導体を設けたものである。
【００７２】
比較例１の電磁遮蔽性能を実施例１と同様に測定した。測定結果は表１の通りである。比較例の電磁遮蔽性能は、実施例１に比較し、大きいところでは２０ｄＢ以上劣るものであった。
【００７３】
【表１】
【００７４】
実施例２
実施例１の２枚の２層中間膜１５、１６のうち、 ２層中間膜１５のＰＶＢ膜２１、２２を同じ厚さの遮音性中間膜にした他は、全て実施例１と同様にして、電磁遮蔽合わせガラスを作製した。
【００７５】
実施例３
実施例１の２枚の２層中間膜１５に用いたＰＶＢ膜２１と、２層中間膜１６に用いた２３とを、同じ厚さの遮音性中間膜にした他は、全て実施例１と同様にして、電磁遮蔽合わせガラスを作製した。
【００７６】
実施例１〜３で作製した電磁遮蔽合わせガラスの遮音性能を評価するため、ＪＩＳＡ１４１６：２０００に準じて透過音響損失の測定を行い、ＪＩＳＡ３２０７：２０００に準じて遮音性能の評価を行い、表２に示す評価結果を得た。
【００７７】
【表２】
【符号の説明】
【００７８】
１０、１１、１２、１３、１４、１５ ガラス板
１６ 空気層
２１、２２、２３、２４、２５、２６ 中間膜
３１、３２、３３、３４ 金属製網体
４１、４２ 導電膜
５０、５１、５２ 導電テープ
６３、６４ 導電膜付プラスチックフィルム
６５ Ａｇ膜
７１ ２次シール
７２ １次シール
７３ スペーサー
【技術分野】
【０００１】
本発明はインテリジェントビルの開口部などに装着される、合わせガラス構造の電磁遮蔽ガラスに関し、特に１０ＭＨｚから２０ＧＨｚの周波数範囲において、高い電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽ガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、商用建物において、ＯＡ機器や通信機器等の電子機器・装置が多量に使用されている。これらの電子機器・装置の多くが発生させる電磁波は、他の電子機器や電子制御機器が誤動作する原因となる。また、ノイズを発生させる原因にもなっている。
【０００３】
さらに、高度情報化に伴い、開口部から侵入する電磁波が、建物内の電子機器を誤動作させることがある。
【０００４】
また、開口部から出ていく電磁波も、外部の電子機器などを誤動作させる原因となる。
【０００５】
このため、多くの建物で、開口部に電磁遮蔽性能を付与するようになった。
【０００６】
合わせガラスに２枚の中間膜を用い、中間幕の間に金属製網が挿入され、金属製網がガラスの端部で合わせガラスの表面まで折り曲げられた電磁遮蔽ガラスが知られている（特許文献１）。
【０００７】
さらに、合わせガラスに３枚の中間膜を用い、中間幕の間に導電性メッシュと導電性フィルムが挿入され、導電性メッシュと導電性フィルムはガラスの端部で合わせガラスの表面まで折り曲げられ、さらに導電性テープで合わせガラスの端部が導電性メッシュと導電性フィルムとが固定されている電磁遮蔽ガラスが開示されている。導電性フィルムには、金属膜あるいはＩＴＯ膜が形成されたものが用いられる（特許文献２）。
【０００８】
特許文献３には、１ＭＨｚ−３０ＭＨｚの周波数範囲で５０−６５ｄＢの遮蔽性能を有する、導電性の網体が２枚の中間膜の間に挿入された合わせガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示されており、特許文献４には、導電性膜が形成されているガラス板と導電性網体が２枚の中間膜に挿入されてなる合わせがラストを用いて構成される複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示され、電磁遮蔽性能は、０．１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの周波数範囲で、約７０ｄＢである。
【０００９】
特許文献５には、金属製網１枚を２枚の中間膜の間に挿入した合わせガラスと、金属製網２枚を２枚の中間膜に挿入した合わせがラストを用いてなる、複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスが開示され、０．１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数範囲で７０〜９５ｄＢ程度の電磁遮蔽性能が記載されている。
【００１０】
また、特許文献６には、６５〜１５０メッシュの導電性網体２枚を用いる電磁遮蔽多重ガラスで、０．１ＭＨｚ〜２０ＧＨｚにわたり６０〜７０ｄＢ程度の遮蔽性能であることが開示されている。
【００１１】
また、特許文献７には酸化スズ膜を用いて、１０〜３０ｄＢの電磁遮蔽パネルが開示されている。
【００１２】
建物の開口部には、電磁遮蔽性能の他に遮音性能が求められており、合わせガラスの遮音性能を高めるために、透明な樹脂層を積層して成る遮音性中間膜が用いられている。
【００１３】
例えば、特許文献８、９に、化学組成を変えて粘性等の物性を異ならせた透明樹脂として、モノマー組成比または分子量を変えたＰＶＢ、あるいはＰＶＢとは化学構造の異なるポリビニルアセタール樹脂を積層させた、遮音性中間膜が開示されている。
【００１４】
特許文献８には、 アセタール基の炭素数が４〜６であり、且つアセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が８〜３０モル％であるポリビニルアセタール樹脂（Ａ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ａ）と、アセタール基の炭素数が３〜４であり、かつ、アセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が４モル％以下であるポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ｂ）とが積層されてなる、合わせガラス用中間膜が開示されている。
【００１５】
また、特許文献９にはポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる厚み０．０５ｍｍ以上の層（Ａ）と、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる層（Ｂ）とが、層（Ｂ）／層（Ａ）／層（Ｂ）なる積層構成で積層され、層（Ａ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）と炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）とにより共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分との重量比が６０：４０〜１００：０の範囲にあり、層（Ｂ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）と、炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）により共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分との重量比が８０：２０〜１００：０の範囲にあり、層（Ａ）と層（Ｂ）の少なくとも一方のポリビニルアセタール樹脂は共アセタール化された樹脂であることを特徴とする遮音性中間膜が開示されている。
【００１６】
また、遮音性能を高めた合わせガラスとして、水添スチレン・イソプロレン・ブタジエンブロック共重合物を含有する膜をエチレン−ビニルアセテート膜の間に積層させた中間膜をガラス板の間に挟みこみ、加熱融着してガラス板を接着一体化させて合わせガラスとしたものが、特許文献１０に開示されている。
【００１７】
サッシの遮音性能の規格は、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００「サッシ」に記載されている。即ち、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００において、サッシの遮音性は、遮音等級Ｔ−１等級、Ｔ−２等級、Ｔ−３等級、Ｔ−４等級に分けられる。サッシの片側から音を出し、反対側でサッシによる音の反射、吸収減衰による音圧レベルの減少を測ることで、サッシの音響透過損失を前記ＪＩＳ規格に定める各周波数で測定し、遮音等級Ｔ−１等級線、Ｔ−２等級線、Ｔ−３等級線、Ｔ−４等級線に準拠し、前記ＪＩＳに記載された条件に適合、即ち、合格したサッシを、各々遮音等級Ｔ−１等級、Ｔ−２等級、Ｔ−３等級、Ｔ−４等級とする。
【００１８】
図４にＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に記載される遮音等級線のグラフを示す。
【００１９】
図４に示すように、音響透過損失による遮音等級線において、５００Ｈｚ以上の遮音性能が、遮音等級Ｔ−３等級は３５ｄＢ以上であり、遮音等級Ｔ−４等級は４０ｄＢ以上である。遮音等級Ｔ−３等級、Ｔ−４等級に合格するには、音響透過損失が前述の等級線を実質的に上回る必要がある。
【００２０】
デシベル（ｄＢ）は音圧レベルの単位であり、音圧レベルは、音による大気圧から圧力変動を対数で表した無次元量としデシベル（ｄＢ）を単位として表される。圧力変動は音圧レベル１０ｄＢで３．２倍変動する。音圧レベルはある音の音圧Ｐ（単位：Ｐａ）と人間の最小可聴音である基準音圧Ｐ０（２×１０-5Ｐａ）との比の常用対数を２０倍したものとして定義され、ｄＢで表される。
【００２１】
遮音等級Ｔ−４等級に合格するには、遮音等級Ｔ−３等級に比較して、５００Ｈｚ以上の音響透過損失３５ｄＢ以上を、４０ｄＢ以上に、即ち、５ｄＢ以上遮音性能を向上させなければならない。また、１２５Ｈｚ以上、５００Ｈｚ以下の周波数域においても、図４に示すように、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に示された遮音等級線に沿って５ｄＢ以上遮音性能を向上させなければならない。遮音等級Ｔ−４等級に合格するガラスサッシの遮音性能は、例えば、同厚のコンクリート壁に匹敵する。
【００２２】
なお、透過音響損失は、ＪＩＳ Ａ１４１６：２０００「実験室における建築部材の空気音遮断性能の測定方法」の、音源室と受音室とでなる試験室、音源装置及び受音装置等で構成される試験装置を用いる測定方法で測定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開平１１−３１２８９３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０８３号公報
【特許文献３】特開２００１−１７７２９１号公報
【特許文献４】特開２０００−１８３５８６号公報
【特許文献５】特開平９−３２１４８４号公報
【特許文献６】特開２０００−１８３５８４号公報
【特許文献７】特開２００４−３４６５５５号公報
【特許文献８】特開平６−９２６号公報
【特許文献９】特開平５−１０４６８７号公報
【特許文献１０】特開２００７−９１４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
近年、放送波から、無線ＬＡＮまで、かなり広い周波数範囲にわたり、通信が行われるようになり、また、通信機器の感度も高性能になり、誤動作や盗聴などのリスクが増大してきた。
【００２５】
本発明は、このような状況に対して十分な電磁遮蔽性能を有する電磁遮蔽合わせガラスの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、ガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽合わせガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜（１５、１６）とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わ
せガラス（１）とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２７】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、合わせガラス（１）の中央に用いられるガラス板（１１）の厚さが３〜２０ｍｍであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２８】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、合わせガラス（１）の外側に用いられるガラス（１０、１２）の厚さが３〜１０ｍｍであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００２９】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、導電性膜（４１、４２）が酸化スズでなることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３０】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、金属製網体３１、３２が５０〜１５０メッシュであることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３１】
また、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、前期電磁遮蔽合わせガラスにおいて、４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜に遮音性中間膜を用い、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に準拠する遮音等級がＴ−４等級であることを特徴とする電磁遮蔽合わせガラスである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、広い周波数範囲に対応した高性能の電磁遮蔽合わせガラスの提供を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の電磁遮蔽合わせガラスの構成を示す概略断面図。
【図２】電磁遮蔽合わせガラスの端部の概略断面図。
【図３】導電性部材を４層にした、複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスの概略断面図。
【図４】ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に記載される遮音等級線のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、図１に示されるような、３枚のガラス板（１０、１１、１２）を用いて作製される、合わせガラス（１）の構成をした、電磁遮蔽合わせガラスである。
【００３５】
ガラス板（１０、１１、１２）には、ソーダ石灰シリカ系ガラスをはじめとする無機ガラスの板が用いられ、特に、フローと法で製造されるフロートガラスあるいはフロートガ
ラスを強化した強化ガラス等が好適に用いられる。
【００３６】
ガラス板（１０、１１、１２）には、建築用に用いられる厚さ３ｍｍ以上２０ｍｍ以下のフローとガラスが好適に用いられる。特に外側に用いるガラス板（１０、１２）には厚さ３〜１０ｍｍのガラス板が、また中央に用いられるガラス板（１１）には厚さ３〜２０ｍｍのガラス板が好ましく、さらに望ましくは、ガラス板（１０、１２）には厚さ５〜１０ｍｍのガラス板が、また中央に用いられるガラス板（１１）には厚さ６〜１５ｍｍのガラス板が好ましい。
【００３７】
ガラス板（１０、１１、１２）は２層中間膜１５、１６によって一体化され、合わせガラス（１）を構成する。
【００３８】
さらに、ガラス板（１０、１２）の片面に導電膜（４１、４２）が形成され、導電膜（４１、４２）は、合わせガラス（１）の２層中間膜側ではなく、表面側に位置させる。
【００３９】
導電膜を合わせ面ではなく、外側の面に設けるため、導電膜（４１、４２）にはＣＶＤ法で製膜される、耐久性の良い酸化スズ膜（ネサ膜）が好適である。ソーダ石灰シリカ系ガラスの表面に酸化スズ膜を形成する場合、ガラスの表面に酸化ケイ素膜などのバリア層をＣＶＤ法で形成することが好ましい。
【００４０】
導電膜（４１、４２）のシート抵抗値は、高い電磁遮蔽性能を得るためには、３０Ω／□以下とすることが好ましい。
【００４１】
２層中間膜１５は、２枚の中間膜２１、２２の間に金属網体３１を挿入した構成であり、２層中間膜１６は、２枚の中間膜２３、２４の間に金属網体３２を挿入した構成である。
【００４２】
中間膜２１、２２、２３、２４には、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）やエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）が好適に用いられる。
【００４３】
金属製網体３１、３２には、透視性を保つために、目開きが１０ｍｍ以上（５０メッシュ以上）であることが好ましく、また、高い電磁遮蔽性能を得るためには、目開きは５０ｍｍ以下（１５０メッシュ以下）とすることが望ましい。
【００４４】
また、金属製網体３１、３２の線材については、特定するものではないが、鉄、ステンレス鋼、アルミニウム、銅等の金属の導線を用いることができる。さらに、前期導線に反射防止用の黒染酸化皮膜を施したものなどが好ましく採用できる。
【００４５】
金属製網体に用いられる線材の径は、取り扱い安さから、５０μｍ以上とし、透視性の観点から１８０μｍ以下とすることが望ましい。
【００４６】
金属製網体３１はガラス板（１０）の端面を跨って、また、金属製網体３２はガラス板（１２）の端面を跨って、それぞれ、合わせガラスの表面にまで折り曲げられていることが、導電膜（４１）あるいは導電膜（４２）と導通が図られ、好ましい。
【００４７】
合わせガラスの端面で折り曲げられた金属製網体の上から、合わせガラスの端部全体を覆うように、導電テープ５０を導電膜（４１）から導電膜（４２）に跨って設けることが好ましい。
【００４８】
導電テープ５０により、金属網体３１、３２および導電膜（４１、４２）の全ての導通
がとられるので、好ましい電磁波の遮蔽効果が得られる。
【００４９】
導電テープ５０には、銅、アルミ、ＳＵＳ、亜鉛などの金属箔に、カーボンなどを含有した導電性の粘着剤を積層したもの、あるいは前記金属箔に孔を開けた絶縁性粘着剤を積層したものなどを使用することができる。
【００５０】
さらに、本発明の電磁遮蔽合わせガラスは、中間膜に遮音性中間膜を用いることにより、ＪＩＳＡ４７０６：２０００に準拠する遮音等級のＴ−４等級を満たすものである。
【００５１】
本発明の電磁遮蔽合わせガラスには４枚の中間膜が用いられるが、４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜を遮音性中間膜とすることにより、ＪＩＳＡ４７０６：２０００に準拠する遮音等級のＴ−４等級を満たすので、好ましい。
【００５２】
遮音性中間膜として、特許文献８、９、１０に開示されている次の（１）〜（３）の遮音性中間膜を用いることができる。
（１）アセタール基の炭素数が４〜６であり、且つアセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が８〜３０モル％であるポリビニルアセタール樹脂（Ａ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ａ）と、アセタール基の炭素数が３〜４であり、かつ、アセチル基が結合しているエチレン基量の平均値の、主鎖の全エチレン基量に対するモル分率が４モル％以下であるポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）と可塑剤とからなる少なくとも１つの層（Ｂ）とが積層されてなる遮音性中間膜。
【００５３】
（２）ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる厚み０．０５ｍｍ以上の層（Ａ）と、ポリビニルアセタール樹脂と可塑剤からなる層（Ｂ）とが、層（Ｂ）／層（Ａ）／層（Ｂ）なる積層構成で積層され、層（Ａ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）と炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）とにより共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分との重量比が６０：４０〜１００：０の範囲にあり、層（Ｂ）のポリビニルアセタール樹脂は、ポリビニルアルコールが炭素数２〜４のアルデヒド（ｂ）と、炭素数６〜８のアルデヒド（ａ）により共アセタール化された樹脂であって、アルデヒド（ｂ）でアセタール化された部分と、アルデヒド（ａ）でアセタール化された部分との重量比が８０：２０〜１００：０の範囲にあり、層（Ａ）と層（Ｂ）の少なくとも一方のポリビニルアセタール樹脂は共アセタール化された樹脂である、遮音性中間膜。
【００５４】
（３）水添スチレン・イソプロレン・ブタジエンブロック共重合物を含有する膜をエチレン−ビニルアセテート膜の間に積層させた遮音性中間膜。
【実施例】
【００５５】
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００５６】
実施例１
図１に示す、ガラス板３枚を用いた合わせガラス構成の電磁遮蔽合わせガラスを作製した。ガラス板（１１）には、厚さ１２ｍｍのフロートガラスをもちい、ガラス板（１０、１２）には厚さ６ｍｍのフロートガラスを用いた。
【００５７】
２層中間膜１５には、厚さ０．８ｍｍの２枚のＰＶＢ膜２１、２２の間に金属製網体３１を挟み込んだものを用いた。
【００５８】
金属製網体３１には、ステンレス鋼の線材（太さが約 ５０μｍ）を用いてなるメッシュサイズ １００メッシュ（目開き約 １５０μｍ）の網体を用いた。２層中間膜１６にも、２層中間膜１５と同じものを用いた。
【００５９】
ガラス板（１０、１２）には酸化スズ膜（ネサ膜）をＣＶＤ法で形成した。シート抵抗は１５Ω／□であった。
【００６０】
本実施例で作製した電磁遮蔽合わせガラスの電磁遮蔽性能を、米国ミル規格 ＭＩＬ−ＳＴＤ ２８５ に則り、水平偏波、垂直偏波における電磁遮蔽性能（電磁波減衰率）を測定し、表１の結果を得た。
【００６１】
電磁遮蔽性能は７０ｄＢBを下回ることはなく、ほとんどの周波数範囲で９０〜１００ｄＢ以上のきわめて良好な遮蔽性能を示した。
【００６２】
比較例１
図３に示すような複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラス（２）を作製した。
【００６３】
２枚の金属製網体（３３、３４）を中間膜（２５）と中間膜との間に挟み込み、厚さ６ｍｍのガラス板（１３）と厚さ１２ｍｍのガラス板（１４）の２枚のガラス板を用いて、合わせガラス（３）を作製した。
【００６４】
金属製網体（３３，３４）には実施例１と同様の金属製網体を用いた。また、中間膜（２５、２６）にも、実施例１と同様の中間膜を用いた。
【００６５】
次に、合わせガラス（３）とシート抵抗が２０Ω／□のＡｇ膜（６５）をスパッタリング法で成膜したガラス板（１５）とを、空気層（１６）が１２ｍｍとなるようにスペーサー７３を用いて複層ガラス（２）にした。
【００６６】
さらに、導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）を、複層ガラス２の外側のガラス面に設けた。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）には、ポリエチレンテレフタレートのフィルムに、ＳｎＯ２膜、Ａｇ膜、ＳｎＯ２膜、Ａｇ膜、ＳｎＯ２膜の順に積層してなる導電膜を、スパッタリング法で成膜したものを用いた。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の導電膜のシート抵抗値は２Ω／□とした。導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の合わせガラス（３）およびガラス板（１５）への接着には、アクリル系接着剤を用いた。
【００６７】
合わせガラス（１３）とガラス板（１５）とを対向配置し、ガラス板の周辺部にスペーサー（７２）を挿入し、合わせガラス（１３）とスペーサー（７２）とを、また、ガラス板（１５）とスペーサー（７２）とを、維持１次シール材で接着し、さらに、合わせガラス（１３）、ガラス板（１５）およびスペーサー（７２）とで囲まれる周辺部分を、２次シール材で充填した。
【００６８】
１次シール材にはブチルゴム系の接着剤を用い、２次シール材にはシリコーン系の接着剤を用いた。
【００６９】
合わせガラス（３）の作製に用いた金属製網体（３３、３４）はガラス板よりも大きいものを用い、金属性網体（３３、３４）のガラスのエッジからはみ出た部分を、金属製網体（３３）は、ガラス板（１３）の端部を跨ぐようにガラス板（１３）の端部を折り返し、また、金属製網体（３４）は、ガラス板（１４）の端部を覆い、Ａｇ膜を成膜してあるガラス板（１５）の端部を跨ぐように折り返した。
【００７０】
金属製網体（３４）とガラス板（１５）に成膜されているＡｇ膜とを導通させるため、ガラス板（１５）の端部には、ガラス板（１５）の端面を覆い、端部を跨ぐようにして導電テープ（５２）を設けた。
【００７１】
また、複層ガラス２の端部全体を跨ぐように導電テープ５１を設け、金属性網体（３３、３４）、Ａｇ膜（６５）および導電膜付プラスチックフィルム（６３、６４）の導電膜との導通を行った、
比較例１で作製した複層ガラス構成の電磁遮蔽ガラスは、導電膜付プラスチックフィルムの導電膜、合わせガラス２に用いた２枚重ねの金属製網体、及び、Ａｇ膜の、実施例１と同じ、４層の導体を設けたものである。
【００７２】
比較例１の電磁遮蔽性能を実施例１と同様に測定した。測定結果は表１の通りである。比較例の電磁遮蔽性能は、実施例１に比較し、大きいところでは２０ｄＢ以上劣るものであった。
【００７３】
【表１】
【００７４】
実施例２
実施例１の２枚の２層中間膜１５、１６のうち、 ２層中間膜１５のＰＶＢ膜２１、２２を同じ厚さの遮音性中間膜にした他は、全て実施例１と同様にして、電磁遮蔽合わせガラスを作製した。
【００７５】
実施例３
実施例１の２枚の２層中間膜１５に用いたＰＶＢ膜２１と、２層中間膜１６に用いた２３とを、同じ厚さの遮音性中間膜にした他は、全て実施例１と同様にして、電磁遮蔽合わせガラスを作製した。
【００７６】
実施例１〜３で作製した電磁遮蔽合わせガラスの遮音性能を評価するため、ＪＩＳＡ１４１６：２０００に準じて透過音響損失の測定を行い、ＪＩＳＡ３２０７：２０００に準じて遮音性能の評価を行い、表２に示す評価結果を得た。
【００７７】
【表２】
【符号の説明】
【００７８】
１０、１１、１２、１３、１４、１５ ガラス板
１６ 空気層
２１、２２、２３、２４、２５、２６ 中間膜
３１、３２、３３、３４ 金属製網体
４１、４２ 導電膜
５０、５１、５２ 導電テープ
６３、６４ 導電膜付プラスチックフィルム
６５ Ａｇ膜
７１ ２次シール
７２ １次シール
７３ スペーサー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽ガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わせガラス１とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする電磁遮蔽ガラス。
【請求項２】
合わせガラス１の中央に用いられるガラス板１１の厚さが３〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項３】
合わせガラス１の外側に用いられるガラス（１０、１２）の厚さが３〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項４】
導電性膜（４１、４２）が酸化スズでなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項５】
金属製網体３１、３２が５０〜１５０メッシュであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項６】
４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜に遮音性中間膜を用い、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に準拠する遮音等級がＴ−４等級であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電磁遮蔽合わせガラス。
【請求項１】
ガラスの間に金属製網体を挿入してなる電磁遮蔽ガラスであって、金属製網体を２枚の中間膜の間に挿入して２層中間膜とし、３枚のガラス板（１０、１１、１２）と２枚の２層中間膜（１５、１６）とを用い、ガラス板（１０）、２層中間膜（１５）、ガラス板（１１）、２層中間膜（１６）、ガラス板（１２）の順に、ガラス板と２層中間膜とを交互に積層して合わせガラス１とし、外側に位置するガラス板（１０、１２）の空気側の面に導電性膜（４１、４２）が形成されてなることを特徴とする電磁遮蔽ガラス。
【請求項２】
合わせガラス１の中央に用いられるガラス板１１の厚さが３〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項３】
合わせガラス１の外側に用いられるガラス（１０、１２）の厚さが３〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項４】
導電性膜（４１、４２）が酸化スズでなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項５】
金属製網体３１、３２が５０〜１５０メッシュであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電磁遮蔽ガラス。
【請求項６】
４枚の中間膜のうち、少なくとも２枚の中間膜に遮音性中間膜を用い、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に準拠する遮音等級がＴ−４等級であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電磁遮蔽合わせガラス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１０−１３８６８８（Ｐ２０１０−１３８６８８Ａ）
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３８９０５（Ｐ２００９−１３８９０５）
【出願日】平成２１年６月１０日（２００９．６．１０）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年６月２４日（２０１０．６．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１０日（２００９．６．１０）
【出願人】（０００００２２００）セントラル硝子株式会社 (1,198)
【Ｆターム（参考）】
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