露光装置及びその制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモリ、プログラム
【課題】露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させる。
【解決手段】ショット補正パラメータの自動計測を行うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にのみ、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメータの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメータδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラメータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０９）。
【解決手段】ショット補正パラメータの自動計測を行うかどうかを判断し（Ｓ６０２）、計測を行う場合にのみ、ショット補正パラメータの自動計測を行うことで処理を減らす（Ｓ６０３）。その後、ウエハ補正パラメータの自動計測を行い（Ｓ６０４）、ショット補正パラメータの自動計測を行ったかどうかに応じて、ショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとの相対パラメータδを算出するか（Ｓ６０６）、記憶してある相対パラメータδ及びウエハ補正パラメータからショット補正パラメータを算出するか（Ｓ６０７）を判断することで、位置合わせの精度を保つ（Ｓ６０５）。得られたショット補正パラメータとウエハ補正パラメータとに応じて、装置ユニットを駆動し（Ｓ６０８）、露光する（Ｓ６０９）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びその制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモリ、プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ステッパーなどの半導体露光装置においては、原板であるレチクル（マスク）上に形成された回路パターンを、基板であるウェハ（プレート）上に形成された回路パターンに、高精度で重ね合わせるための位置合わせ（アライメント）が行われる。
【０００３】
ウェハ上に形成されている回路パターン領域（ショット）の配列を求める手法として、ＡＧＡ(Advanced Global Alignment)と呼ばれる手法が知られている。ＡＧＡは、全ショットの中から幾つかのサンプルショットを選び、それらのサンプルショットそれぞれについての設計位置からの位置ずれ量を計測し、計測結果を統計処理することにより、ウェハ上のショット配列を補正するためのウェハの補正パラメータ（ウェハ補正パラメータと呼ぶ）を求めるという手法である。ここでいうウェハ補正パラメータとは、例えば、以下の量のことである。
（１）ウェハ中心位置のシフト誤差（平行移動量） （Ｓｗｘ，Ｓｗｙ）
（２）ウェハ（ショット配列）のローテーション誤差（回転量）
（θｗｘ，θｗｙ）
（３）ウェハ（ショット配列）の倍率誤差（線形伸縮量）
（βｗｘ，βｗｙ）
また、ウェハの回転量のＸ−Ｙ成分の差分、（θｗｘ−θｗｙ）をウェハの直交度と呼ぶ。
【０００４】
近年、アライメントの精度をより高めるために、ウェハの補正パラメータだけでなく、ショット自身の変形量を求めて補正する手法が提案されている。ショットが変形する原因は、露光レンズのディストーションなどの装置要因や、加熱によるウェハの変形などのプロセス要因が考えられる。ショットの変形（すなわち、ショットの形状誤差）を補正するためのパラメータ（ショット補正パラメータと呼ぶ）としては、例えば、以下のような量が挙げられる。
（１）ショットのローテーション誤差（回転量） （θｓｘ，θｓｙ）
（２）ショットの倍率誤差（線形伸縮量） （βｓｘ，βｓｙ）
ウェハ補正パラメータとショット補正パラメータとの関係を、図１、図２に示す。図１は、ウェハ倍率とショット倍率の関係を表す図である。点線で示されたＷａｆＤは、ウェハの設計上の外形を表わしている。また、実線で示されたＷａｆＲは熱変形などの要因で、ウェハが伸び縮みした場合の外形を誇張して表わしたものである。ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハ半径のＸ方向の伸びをβｗｘ，Ｙ方向の伸びをβｗｙで表わしている。ウェハ倍率はショット配列に影響を与える。図１では、各ショットの中心位置が設計上の座標値から外向きにずれている様子を各ショット上に付した矢印で表わしている。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わしており、ＳframeＲは、ショットの倍率誤差が発生したショットの外形を表わしている。標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの伸びを、βｓｘ，βｓｙで表わしている。
【０００５】
図２は、ウェハ回転とショット回転の関係を表す図である。ＷａｆＲはステージの標準座標系（ｘ，ｙ）に対して、ウェハが回転した場合の外形を誇張して表わしたものである。ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハのＸ方向の回転量をθｗｘ，Ｙ方向の回転量をθｗｙで表わしている。図２では、θｗｘ＝βｗｙとして、ステージとウェハとの直交度（角度のずれ）が０である場合を表わしている。ウェハ回転はショット配列に影響与える。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わしており、ＳframeＲは、ショット変形により、直交度誤差が発生したショットの外形を表わしている。図２では、標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの軸の回転を、θｓｘ、θｓｙで表わしている。
【０００６】
ＡＧＡ手法では、ショット内に付したアライメントマークの位置を計測する事で、ショットの基準位置（通常は中心）の設計値からのずれ量を求める。この場合、ショット内で計測すべきマークは、Ｘ、Ｙ方向各一つ（１組）である。図３（Ａ）は、ショット（ＳＨＯＴ）上にマークＭＸ１、ＭＹ１が配置されている場合を表わしている。
【０００７】
一方、ショットの変形を補正するためのショット補正パラメータを求める場合には、図３（Ｂ）に示すように、Ｘ、Ｙ方向各一つ（一組）よりも多い数のマーク（ＭＸ１〜３、ＭＹ１〜３）を配置して計測を行う。ショット補正パラメータを求めるための手法は、例えば、本出願人により公報に開示された特開平０９−２６６１６４号などで紹介されている。
【０００８】
以下、一般的なショット補正アライメント手法について説明する。図４は、半導体露光装置におけるオフアクシス方式のウェハアライメントシステムの概略を表すブロック図である。このアライメントシステムは、レチクル４０１、投影露光光学系４０２、入力された画像信号に対して種々の画像演算処理を行い、画像信号や演算処理結果を記憶する画像記憶演算装置４０３、不図示のウェハ搬入装置からウェハがアライメントシステムに送られて来た時に、ウェハの外形基準から大まかなウェハの向きを調整するためのプリアライメント装置４０６、ユーザからのコマンド入力を受け付ける為のコンピュータ端末４０７、アライメントの対象であるウェハ４０８、ウェハ４０８上に形成されたパターンの画像を拡大して見る為の顕微鏡４０４、顕微鏡４０４を通して得られたウェハ４０８上のパターン画像を電気信号に変換し、画像記憶演算装置４０３に提供する為のＣＣＤカメラ４１７、ウェハ４０８の座標位置を平面方向、垂直方向に移動させる為のＸＹステージ４１０、ウェハ４０８をＸＹステージ４１０上に保持する為のウェハチャック４０９、顕微鏡４０４の画像を直接ユーザが確認する為の表示手段としてのモニタ４１１、及び、上記の各装置を制御するコントローラ４０５、によって構成されている。このコントローラ４０５はメモリ４２０やＣＰＵを有する。顕微鏡４０４、およびＣＣＤカメラ４１７をオフアクシス観察光学系と呼ぶ。図４において、レチクル４０１及び投影露光光学系４０２は、ＦＲＡなどの方法により正確に位置が決められており、投影露光光学系４０２とオフアクシス観察光学系４０４、４１７との相対的な位置関係（ベースライン）は既に計測されているものとする。
【０００９】
ウェハ４０８上には、図３（Ｃ）に示すように、ショット補正パラメータを算出するための計測用サンプルショットＳ１〜Ｓ２、およびウェハ補正パラメータを算出するための計測用サンプルショットＳ３〜Ｓ６が形成されている。Ｓ１〜Ｓ６には、図３（Ｂ）に示した位置合わせ用マークが形成されている。Ｓ１、Ｓ２では、ＭＸ１〜ＭＸ３、ＭＹ１〜３をアライメントのための計測の対象とし、Ｓ３〜Ｓ６では、ＭＸ１、ＭＹ１をアライメントのための計測の対象としている。
【００１０】
図５は、従来のショット補正アライメント手法の処理の流れを示すフローチャートである。以下、図５のフローチャートを用いて従来の手法を説明する。
【００１１】
ステップＳ５０１において、不図示のウェハ搬送装置によりウェハ４０８が露光装置に送り込まれ、プリアライメント装置４０６によりおおまかな位置決めがされた後、ＸＹステージ４１０上に搬送され、ＸＹステージ４１０上のウェハチャック４０９で真空吸着により保持される。
【００１２】
ステップＳ５０２〜５０５は、ショット補正パラメータを自動計測するための手順である。
【００１３】
ステップＳ５０２で、コントローラ４０５は、１番目の計測ショットＳ１に形成されているアライメントマークＭＸ１が、顕微鏡４０４の視野に入るようにＸＹステージ４１０を駆動する。
【００１４】
次にステップＳ５０３において、マークの位置ずれを検出する。ここで、マークの位置ずれは以下のようにして検出される。まず、顕微鏡４０４及びＣＣＤカメラ４１７が、不図示のアライメント照明装置によって照らされたアライメントマークＭＸ１のパターンを画像信号として取り込む。そして、コントローラ４０５が、画像記憶処理装置４０３内に記憶されたアライメントマークのパターンとＣＣＤカメラ４１７により取り込んだ画像とをパターンマッチングにより照合し、アライメントマークＭＸ１の設計位置からのずれ量ｌｘ１を算出する。
【００１５】
ステップＳ５０４では、ステップＳ５０２、ステップＳ５０３をすべてのサンプルショット（Ｓ１〜Ｓ２）について実施したか否かを判断し、未処理のショットがある場合には、ステップＳ５０２に戻り、ない場合にはステップＳ５０５に進む。すなわち、１番目の計測ショットＳ１の残りのアライメントマークＭｘ２〜Ｍｘ３、Ｍｙ１〜Ｍｙ３を、Ｍｘ１と同様な手順で計測し、各マークのｘおよびｙ方向の位置ずれ量ｌｘｎ、ｌｙｎ（ｎ＝１〜３、マーク番号に基づいて付す）を計測する。
【００１６】
全サンプルショットにおいて、各マークの位置ずれ量を計測したら（Ｓ５０４でＹＥＳ）、ステップＳ５０５で、ショット補正パラメータを算出する。ショット補正パラメータの算出方法は以下に示す通りである。
【００１７】
サンプルショットＳ１〜Ｓ４のそれぞれの１ショットについて、そのショット補正パラメータを求める。ショットの中心を原点として、ショット内に存在する各マークの設計上の位置を（ｄｘｎ，ｄｙｎ）（ｎ＝１〜３）で表わす。ショット補正パラメータによって補正されたマーク位置（ｄｘｎ'，ｄｙｎ'）は式（１）に従って以下のように表わされる。
【００１８】
【数１】
【００１９】
（１）
ここで、Ｓｓｘ、Ｓｓｙはショット中心のシフト誤差量である。また、計測されたマークの実位置は、式（２）に従って以下のように表わされる。
【００２０】
【数２】
【００２１】
（２）
補正残差Ｖは、式（３）に従って以下のように表わされる。
【００２２】
【数３】
【００２３】
（３）
ｌｘｎ，ｌｙｎ，ｄｘｎ，ｄｙｎは既知であるので、このＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｓｘ，Ｓｓｙ，θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ｝を求めればよい。ここで、ショット配列のシフトＳｓｘ、Ｓｓｙは、ｆ次ステップのウェハ補正パラメータを算出した結果として求まったショット配列を使えば良いので、特にここで求めた値を後の補正駆動で使用する必要はない。複数のサンプルショットを計測した結果、ショット補正パラメータがサンプルショットの数だけ求まるので、最後にそれらのショット間平均をとることで、当該ウェハのショット補正パラメータが求まる。
【００２４】
ステップＳ５０６〜５０９はウェハ補正パラメータの算出手順であり、ＡＧＡとして知られている手法である。
【００２５】
ステップＳ５０６で、コントローラ４０５はウェハ計測用の１番目のサンプルショットＳ３に形成されている位置合わせ用マークＭｘ１が、顕微鏡４０４の視野範囲内に位置するようＸＹステージ１０を駆動する。
【００２６】
次にステップＳ５０７で、マーク位置を検出する。マーク位置の検出方法は、ステップＳ５０３と同様である。ステップＳ５０７により、アライメントマークＭｘ１の設計位置からのずれ量ｌｘｋ（ｋ＝３〜６、サンプルショット番号に応じて付す）を算出する。
【００２７】
以下、ステップＳ５０８では、ステップＳ５０６、ステップＳ５０７をすべてのサンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について実施したか否かを判断し、未処理のショットがある場合には、ステップＳ５０６に戻り、ない場合にはステップＳ５０９に進む。すなわち、１番目の計測ショットＳ３の残りのマークＭｙ１をＭｘ１と同様な手順で計測し、マークのｙ方向の位置ずれ量ｌｙｋを計測する。また、５０６、５０７をすべてのサンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について繰り返し、各サンプルショットごとに、ｌｘｋ，ｌｙｋ（ｋ＝３〜６）を求める。
【００２８】
全サンプルショットにおいて、各マークの位置ずれ量が求まったら、ステップ５０９でウェハ補正パラメータを算出する。ウェハ補正パラメータの算出方法は以下に示す通りである。
【００２９】
まず、各サンプルショットの基準位置（通常はショット中心位置）の設計値からのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）をそれぞれ求める。サンプルショット中心位置からの各マークの設計上の位置に、計測したアライメントマークのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）を足した座標が、実際のマーク位置である。これらを平均化することで、ショットの中心位置からのずれ量（Ｌｘｋ，Ｌｙｋ）が求まる。ウェハ内に存在する各サンプルショット中心の設計上の位置を（Ｄｘｋ，Ｄｙｋ）で表わす。ウェハ補正パラメータによって補正されたショット中心位置（Ｄｘｋ'，Ｄｙｋ'）は、式（４）に従って以下のように表わされる。
【００３０】
【数４】
【００３１】
（４）
また、計測の結果得られたショット中心の実際の位置は、式（５）に従って以下のように表わされる。
【００３２】
【数５】
【００３３】
（５）
補正残差Ｖは、式（６）に従って、以下のように表わされる。
【００３４】
【数６】
【００３５】
（６）
Ｌｘｋ、Ｌｙｋ、Ｄｘｋ、Ｄｙｋは既知であるので、このＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｗｘ，Ｓｗｙ，θｗｘ，θｗｙ，βｗｘ，βｗｙ｝を求めればよい。
【００３６】
ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータが求まれば、ステップＳ５１０で、これら補正パラメータに応じて、ショット配列とショット形状の誤差を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
【００３７】
最後に、ステップＳ５１１に進み、露光を行う。
【００３８】
ステップＳ５０１〜５１１を、露光すべき全ウェハで繰り返す事により、補正されたショット配列とショット形状に合わせて、高い重ね合わせ精度で各ショットの露光を行うことが可能となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
ウェハ補正パラメータを算出するのに最低限必要なマークの数は、ショット内で、Ｘ、Ｙ一組である（Ｘ計測マークとＹ計測マーク各々１個、もしくは、Ｘ−Ｙ計測マークを１個）。
【００４０】
ところが、ショット補正パラメータを求めるためにショット内で計測しなければならないアライメントマーク数は、Ｘ、Ｙ一組分より多い。（３）式から、ショット補正パラメータ｛θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ，Ｓｓｘ，Ｓｓｙ｝｝をすべて独立に算出するためには、最低限Ｘ、Ｙ３組分計測しなければならない。
【００４１】
ショット補正パラメータを自動で計測、補正する従来のアライメント方法では、ウェハごとに、ショット補正パラメータ算出用のサンプルショットとアライメントマークでの計測を行う必要があった。これにより、ウェハごとに多くのサンプルショットやアライメントマークでの計測を行こととなり、スループットが低下してしまうという問題があった。
【００４２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本発明の第１の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置に係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定部と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定部と、前記第１の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定部とを備えることを特徴とする。
【００４４】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第３の決定部は、前記第１の決定部によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出部と、前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出部とを有することが好ましい。
【００４５】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることが好ましい。
【００４６】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。
【００４７】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することが好ましい。
【００４８】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することが好ましい。
【００４９】
本発明の第２の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法に係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを含むことを特徴とする。
【００５０】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第３の決定工程は、前記第１の決定工程によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２の決定工程によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工程とを含むことが好ましい。
【００５１】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とすることが好ましい。
【００５２】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。
【００５３】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことが好ましい。
【００５４】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことが好ましい。
【００５５】
本発明の第３の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムに係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とする。
【００５６】
本発明の第４の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムコードが格納されたコンピュータ可読メモリに係り、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とする。
【００５７】
本発明の第５の側面は、デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００５８】
本発明の露光装置及びその制御方法によれば、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】ウェハ倍率とショット倍率の関係を表わす図である。
【図２】ウェハ回転とショット回転の関係を表わす図である。
【図３】アライメントマーク及びサンプルショットの配置を説明する図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る半導体露光装置の概略構成を示す図である。
【図５】従来の露光処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る露光処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図８】図７におけるウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００６１】
本実施形態の露光装置は、図４に示される従来例と同様なシステム構成で実現可能である。また、本実施形態で位置合わせの対象となるウェハにも、従来例と同様に、ウェハ上の各ショットに図３（Ｂ）のようなマークが配置されており、ウェハ補正用、ショット補正用として、図３（Ｃ）のようにサンプルショットが配置されているものとする。
【００６２】
本発明の好適な実施の形態に係る露光装置における処理の流れを図６を参照しながら説明する。なお、この処理はコントローラ４０５によって制御される。
【００６３】
ステップＳ６０１では、不図示のウェハ搬入装置よって、ウェハがＸＹステージに搬入される。
【００６４】
ステップＳ６０２では、現在処理中のウェハに対して、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要かどうかを判断する。その判断基準としては、例えば、
（１）処理すべきロット内の先頭のウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（２）処理すべきロット内で最初からＮ枚目までのウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（３）ある一定のウェハ枚数ごとに、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（４）オンライン接続された外部のホストコンピュータから司令がきたときにショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
などが考えられる。どのような判断基準を使用するかを、コンピュータ端末４０７を用いて、ユーザが選択できるようにすると、より柔軟なプロセスに対応できて好ましい。
【００６５】
ショット補正パラメータの自動計測処理が必要ないと判断された場合は、ステップＳ６０４に、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要だと判断されれば、ステップＳ６０３に処理を進める。
【００６６】
ステップＳ６０３では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。この方法は、図５のステップＳ５０２〜５０５のと同様である。
【００６７】
ステップＳ６０４では、ウェハ補正パラメータの自動計測を行う。この方法は、図５のステップＳ５０６〜５０９の手順と同様である。ステップＳ６０５では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行ったかどうかを判断する。ショット補正を行った場合は、ステップＳ６０６へ、ショット補正を行わなかった場合は、ステップＳ６０７へ処理を進める。
【００６８】
ステップＳ６０６では、ステップＳ６０３で求めたショット補正パラメータとステップＳ６０４で求めたウェハ補正パラメータとの相対関係を定量的に表わす相対パラメータδを算出し、記憶する。以下に、相対パラメータδの求め方について説明する。なお、以下でδに添字を符した記号は相対パラメータの一例である。
【００６９】
ショット倍率βｓｘ，βｓｙは、加工プロセスによりウェハが変形した事より生じる倍率成分と、装置の投影倍率により生じる倍率成分とが重畳したものである。前者はウェハごとに値が変動するのに対し、後者は装置要因で決まるために、後者はウェハが変わっても値は変動しない。ウェハ要因で決まる倍率成分はウェハ倍率に等しいと仮定すると、装置要因で決まるショット倍率成分（δβX、δβY）は、式（７）に従って、以下のように表される。
【００７０】
【数７】
【００７１】
（７）
また、プロセスによっては、ショット倍率とウェハ倍率の相対関係を比で表わした方が良い場合もあり、式（８）に従って、以下のように表される。
【００７２】
【数８】
【００７３】
（８）
その他にも、ショット倍率とウェハ倍率との相対関係が定量的に表わされる場合は、その関係式Ｆにより、（δβX、δβY）を計算しても良く、式（９）に従って、以下のように表される。
【００７４】
【数９】
【００７５】
（９）
ショット回転について、ウェハ回転との相対関係を求める場合は、以下のような考えればよい。ウエハ上に形成されたパターンの下層において、ＸＹステージ４１０の誤差で回転して焼かれたことに起因するショット回転成分は、ウェハ回転とほぼ等しいものになると考えられる。この値はウェハごとに変動する。一方、ショットの焼き付けの際の投影光学系４０２のディスト−ションの影響で生じるショットの直交度については、ウェハごとの値の変動を無視しうると考えられる。
【００７６】
そこで、ウェハ間で値が変動しないショット回転成分（δθX，δθY）は、式（１０）に従って、以下のように表される。
【００７７】
【数１０】
【００７８】
（１０）
ウェハ（ショット配列）の直交度が小さい場合は、θｗｘ＝θｗｙとして、式（１１）に従って、以下のように表される。
【００７９】
【数１１】
【００８０】
（１１）
その他にも、ショット回転とウェハ回転との相対関係が定量的に分かっている場合は、その関係式Ｇにより（δθX，δθY）を計算しても良く、式（１２）に従って、以下のように表される。
【００８１】
【数１２】
【００８２】
（１２）
以上のように、ステップＳ６０６では、δ＝｛δβX，δβY，δθX，δθY｝を求め、メモリ４２０にこれらの値を記憶する。
【００８３】
ショット補正パラメータの自動計測を行わなかった場合は、ステップＳ６０７において、ウェハ補正パラメータと前述の相対パラメータに基づいて、処理中のウェハでのショット補正パラメータを予測する。たとえば、ショット倍率を求める場合には、式（７）により求めた（δβx，δβy）がメモリ４２０に記憶されていれば、その（δβx，δβy）とウェハ補正パラメータ（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて、式（１３）に従ってショット倍率を求めることができる。
【００８４】
【数１３】
【００８５】
（１３）
一般的にショット倍率とウェハ倍率との相対関係が（９）式の如く、関数Ｆで表わされていれば、その逆関数Ｆ−１により、δ（δβX、δβY）とウェハ倍率（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて式（１４）に従って、ショット倍率を算出する事が可能である。
【００８６】
【数１４】
【００８７】
（１４）
同様に、ショット回転についても、ショット回転とウェハ回転との相対関係が（１１）式の如く、関数Ｇで表わされていれば、その逆関数Ｇ−１により、δ（δθX、δθY）とウェハ回転（θｗｘ、θｗｙ）とに基づいて式（１５）に従ってショット回転を算出する事が可能である。
【００８８】
【数１５】
【００８９】
（１５）
ショット補正パラメータ、ウェハ補正パラメータが求まれば、ステップＳ６０８でこれら補正パラメータに応じて、ショット配列、ショット形状の誤差を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
【００９０】
ステップＳ６０８で補正を行った後に、ステップＳ６０９に進み、実際にウェハを露光する。
【００９１】
ステップＳ６１０では、全てのウェハ処理が終了したかどうかを判断する。終了していない場合は、以下、処理すべき残りのウェハについて、ステップＳ６０１〜６０９を順次繰り返す。処理すべきウェハがもう残っていなければ、一連の処理を終了し、露光装置を停止させる。
【００９２】
本発明の実施形態によれば、処理すべき複数のウェハのうち、限られたウェハでのみショット補正パラメータの自動計測を行えばよいことになる。これにより従来に比べて処理時間を大幅に短縮することができる。また、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を相対パラメータδとして算出し、メモリに記憶することにより、ショット補正パラメータを自動計測していないウェハにおいても、相対パラメータδを用いることによって高精度な位置合わせができる。
【００９３】
また、本実施形態におけるショット補正パラメータは、回転量（直交度）や倍率であったが、ショット内に配置されたＸ、Ｙ一組より多いアライメントマークを計測して得られるその他の補正パラメータを計測して位置合わせする場合にも、本実施形態の手法は有効である。例えば、台形歪みや、たる型、糸巻き型などのショットの歪みを、多数のアライメントマークを計測することによって定量的に算出し、それをショット補正パラメータとすることができる。その際、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を一定の関数で表わすことにより、この本実施形態が適用され、露光処理の高速化を実現することができる。
【００９４】
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ7）する。
【００９５】
図８は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ17（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００９６】
以上、本発明の好適な実施形態を詳述したが、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良い。
【００９７】
なお、本発明は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラム（本実施形態においては図６に示すフローチャートに対応したプログラム）を、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。
【００９８】
従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明の請求項では、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。
【００９９】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【０１００】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【０１０１】
その他、プログラムの供給方法としては、クライアント側にあるコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるネットワーク上のサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。
【０１０２】
また、本発明のプログラムを暗号化してＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。
【０１０３】
また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの命令に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。
【０１０４】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そのプログラムの命令に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びその制御方法、デバイスの製造方法、コンピュータ可読メモリ、プログラムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ステッパーなどの半導体露光装置においては、原板であるレチクル（マスク）上に形成された回路パターンを、基板であるウェハ（プレート）上に形成された回路パターンに、高精度で重ね合わせるための位置合わせ（アライメント）が行われる。
【０００３】
ウェハ上に形成されている回路パターン領域（ショット）の配列を求める手法として、ＡＧＡ(Advanced Global Alignment)と呼ばれる手法が知られている。ＡＧＡは、全ショットの中から幾つかのサンプルショットを選び、それらのサンプルショットそれぞれについての設計位置からの位置ずれ量を計測し、計測結果を統計処理することにより、ウェハ上のショット配列を補正するためのウェハの補正パラメータ（ウェハ補正パラメータと呼ぶ）を求めるという手法である。ここでいうウェハ補正パラメータとは、例えば、以下の量のことである。
（１）ウェハ中心位置のシフト誤差（平行移動量） （Ｓｗｘ，Ｓｗｙ）
（２）ウェハ（ショット配列）のローテーション誤差（回転量）
（θｗｘ，θｗｙ）
（３）ウェハ（ショット配列）の倍率誤差（線形伸縮量）
（βｗｘ，βｗｙ）
また、ウェハの回転量のＸ−Ｙ成分の差分、（θｗｘ−θｗｙ）をウェハの直交度と呼ぶ。
【０００４】
近年、アライメントの精度をより高めるために、ウェハの補正パラメータだけでなく、ショット自身の変形量を求めて補正する手法が提案されている。ショットが変形する原因は、露光レンズのディストーションなどの装置要因や、加熱によるウェハの変形などのプロセス要因が考えられる。ショットの変形（すなわち、ショットの形状誤差）を補正するためのパラメータ（ショット補正パラメータと呼ぶ）としては、例えば、以下のような量が挙げられる。
（１）ショットのローテーション誤差（回転量） （θｓｘ，θｓｙ）
（２）ショットの倍率誤差（線形伸縮量） （βｓｘ，βｓｙ）
ウェハ補正パラメータとショット補正パラメータとの関係を、図１、図２に示す。図１は、ウェハ倍率とショット倍率の関係を表す図である。点線で示されたＷａｆＤは、ウェハの設計上の外形を表わしている。また、実線で示されたＷａｆＲは熱変形などの要因で、ウェハが伸び縮みした場合の外形を誇張して表わしたものである。ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハ半径のＸ方向の伸びをβｗｘ，Ｙ方向の伸びをβｗｙで表わしている。ウェハ倍率はショット配列に影響を与える。図１では、各ショットの中心位置が設計上の座標値から外向きにずれている様子を各ショット上に付した矢印で表わしている。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わしており、ＳframeＲは、ショットの倍率誤差が発生したショットの外形を表わしている。標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの伸びを、βｓｘ，βｓｙで表わしている。
【０００５】
図２は、ウェハ回転とショット回転の関係を表す図である。ＷａｆＲはステージの標準座標系（ｘ，ｙ）に対して、ウェハが回転した場合の外形を誇張して表わしたものである。ステッパーのウェハステージ上の基準点を原点とする標準座標系（ｘ，ｙ）上で、ウェハのＸ方向の回転量をθｗｘ，Ｙ方向の回転量をθｗｙで表わしている。図２では、θｗｘ＝βｗｙとして、ステージとウェハとの直交度（角度のずれ）が０である場合を表わしている。ウェハ回転はショット配列に影響与える。また、ＳframeＤは、ショットの設計上の外形を表わしており、ＳframeＲは、ショット変形により、直交度誤差が発生したショットの外形を表わしている。図２では、標準座標系（ｘ，ｙ）上でのショットの軸の回転を、θｓｘ、θｓｙで表わしている。
【０００６】
ＡＧＡ手法では、ショット内に付したアライメントマークの位置を計測する事で、ショットの基準位置（通常は中心）の設計値からのずれ量を求める。この場合、ショット内で計測すべきマークは、Ｘ、Ｙ方向各一つ（１組）である。図３（Ａ）は、ショット（ＳＨＯＴ）上にマークＭＸ１、ＭＹ１が配置されている場合を表わしている。
【０００７】
一方、ショットの変形を補正するためのショット補正パラメータを求める場合には、図３（Ｂ）に示すように、Ｘ、Ｙ方向各一つ（一組）よりも多い数のマーク（ＭＸ１〜３、ＭＹ１〜３）を配置して計測を行う。ショット補正パラメータを求めるための手法は、例えば、本出願人により公報に開示された特開平０９−２６６１６４号などで紹介されている。
【０００８】
以下、一般的なショット補正アライメント手法について説明する。図４は、半導体露光装置におけるオフアクシス方式のウェハアライメントシステムの概略を表すブロック図である。このアライメントシステムは、レチクル４０１、投影露光光学系４０２、入力された画像信号に対して種々の画像演算処理を行い、画像信号や演算処理結果を記憶する画像記憶演算装置４０３、不図示のウェハ搬入装置からウェハがアライメントシステムに送られて来た時に、ウェハの外形基準から大まかなウェハの向きを調整するためのプリアライメント装置４０６、ユーザからのコマンド入力を受け付ける為のコンピュータ端末４０７、アライメントの対象であるウェハ４０８、ウェハ４０８上に形成されたパターンの画像を拡大して見る為の顕微鏡４０４、顕微鏡４０４を通して得られたウェハ４０８上のパターン画像を電気信号に変換し、画像記憶演算装置４０３に提供する為のＣＣＤカメラ４１７、ウェハ４０８の座標位置を平面方向、垂直方向に移動させる為のＸＹステージ４１０、ウェハ４０８をＸＹステージ４１０上に保持する為のウェハチャック４０９、顕微鏡４０４の画像を直接ユーザが確認する為の表示手段としてのモニタ４１１、及び、上記の各装置を制御するコントローラ４０５、によって構成されている。このコントローラ４０５はメモリ４２０やＣＰＵを有する。顕微鏡４０４、およびＣＣＤカメラ４１７をオフアクシス観察光学系と呼ぶ。図４において、レチクル４０１及び投影露光光学系４０２は、ＦＲＡなどの方法により正確に位置が決められており、投影露光光学系４０２とオフアクシス観察光学系４０４、４１７との相対的な位置関係（ベースライン）は既に計測されているものとする。
【０００９】
ウェハ４０８上には、図３（Ｃ）に示すように、ショット補正パラメータを算出するための計測用サンプルショットＳ１〜Ｓ２、およびウェハ補正パラメータを算出するための計測用サンプルショットＳ３〜Ｓ６が形成されている。Ｓ１〜Ｓ６には、図３（Ｂ）に示した位置合わせ用マークが形成されている。Ｓ１、Ｓ２では、ＭＸ１〜ＭＸ３、ＭＹ１〜３をアライメントのための計測の対象とし、Ｓ３〜Ｓ６では、ＭＸ１、ＭＹ１をアライメントのための計測の対象としている。
【００１０】
図５は、従来のショット補正アライメント手法の処理の流れを示すフローチャートである。以下、図５のフローチャートを用いて従来の手法を説明する。
【００１１】
ステップＳ５０１において、不図示のウェハ搬送装置によりウェハ４０８が露光装置に送り込まれ、プリアライメント装置４０６によりおおまかな位置決めがされた後、ＸＹステージ４１０上に搬送され、ＸＹステージ４１０上のウェハチャック４０９で真空吸着により保持される。
【００１２】
ステップＳ５０２〜５０５は、ショット補正パラメータを自動計測するための手順である。
【００１３】
ステップＳ５０２で、コントローラ４０５は、１番目の計測ショットＳ１に形成されているアライメントマークＭＸ１が、顕微鏡４０４の視野に入るようにＸＹステージ４１０を駆動する。
【００１４】
次にステップＳ５０３において、マークの位置ずれを検出する。ここで、マークの位置ずれは以下のようにして検出される。まず、顕微鏡４０４及びＣＣＤカメラ４１７が、不図示のアライメント照明装置によって照らされたアライメントマークＭＸ１のパターンを画像信号として取り込む。そして、コントローラ４０５が、画像記憶処理装置４０３内に記憶されたアライメントマークのパターンとＣＣＤカメラ４１７により取り込んだ画像とをパターンマッチングにより照合し、アライメントマークＭＸ１の設計位置からのずれ量ｌｘ１を算出する。
【００１５】
ステップＳ５０４では、ステップＳ５０２、ステップＳ５０３をすべてのサンプルショット（Ｓ１〜Ｓ２）について実施したか否かを判断し、未処理のショットがある場合には、ステップＳ５０２に戻り、ない場合にはステップＳ５０５に進む。すなわち、１番目の計測ショットＳ１の残りのアライメントマークＭｘ２〜Ｍｘ３、Ｍｙ１〜Ｍｙ３を、Ｍｘ１と同様な手順で計測し、各マークのｘおよびｙ方向の位置ずれ量ｌｘｎ、ｌｙｎ（ｎ＝１〜３、マーク番号に基づいて付す）を計測する。
【００１６】
全サンプルショットにおいて、各マークの位置ずれ量を計測したら（Ｓ５０４でＹＥＳ）、ステップＳ５０５で、ショット補正パラメータを算出する。ショット補正パラメータの算出方法は以下に示す通りである。
【００１７】
サンプルショットＳ１〜Ｓ４のそれぞれの１ショットについて、そのショット補正パラメータを求める。ショットの中心を原点として、ショット内に存在する各マークの設計上の位置を（ｄｘｎ，ｄｙｎ）（ｎ＝１〜３）で表わす。ショット補正パラメータによって補正されたマーク位置（ｄｘｎ'，ｄｙｎ'）は式（１）に従って以下のように表わされる。
【００１８】
【数１】
【００１９】
（１）
ここで、Ｓｓｘ、Ｓｓｙはショット中心のシフト誤差量である。また、計測されたマークの実位置は、式（２）に従って以下のように表わされる。
【００２０】
【数２】
【００２１】
（２）
補正残差Ｖは、式（３）に従って以下のように表わされる。
【００２２】
【数３】
【００２３】
（３）
ｌｘｎ，ｌｙｎ，ｄｘｎ，ｄｙｎは既知であるので、このＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｓｘ，Ｓｓｙ，θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ｝を求めればよい。ここで、ショット配列のシフトＳｓｘ、Ｓｓｙは、ｆ次ステップのウェハ補正パラメータを算出した結果として求まったショット配列を使えば良いので、特にここで求めた値を後の補正駆動で使用する必要はない。複数のサンプルショットを計測した結果、ショット補正パラメータがサンプルショットの数だけ求まるので、最後にそれらのショット間平均をとることで、当該ウェハのショット補正パラメータが求まる。
【００２４】
ステップＳ５０６〜５０９はウェハ補正パラメータの算出手順であり、ＡＧＡとして知られている手法である。
【００２５】
ステップＳ５０６で、コントローラ４０５はウェハ計測用の１番目のサンプルショットＳ３に形成されている位置合わせ用マークＭｘ１が、顕微鏡４０４の視野範囲内に位置するようＸＹステージ１０を駆動する。
【００２６】
次にステップＳ５０７で、マーク位置を検出する。マーク位置の検出方法は、ステップＳ５０３と同様である。ステップＳ５０７により、アライメントマークＭｘ１の設計位置からのずれ量ｌｘｋ（ｋ＝３〜６、サンプルショット番号に応じて付す）を算出する。
【００２７】
以下、ステップＳ５０８では、ステップＳ５０６、ステップＳ５０７をすべてのサンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について実施したか否かを判断し、未処理のショットがある場合には、ステップＳ５０６に戻り、ない場合にはステップＳ５０９に進む。すなわち、１番目の計測ショットＳ３の残りのマークＭｙ１をＭｘ１と同様な手順で計測し、マークのｙ方向の位置ずれ量ｌｙｋを計測する。また、５０６、５０７をすべてのサンプルショット（Ｓ３〜Ｓ６）について繰り返し、各サンプルショットごとに、ｌｘｋ，ｌｙｋ（ｋ＝３〜６）を求める。
【００２８】
全サンプルショットにおいて、各マークの位置ずれ量が求まったら、ステップ５０９でウェハ補正パラメータを算出する。ウェハ補正パラメータの算出方法は以下に示す通りである。
【００２９】
まず、各サンプルショットの基準位置（通常はショット中心位置）の設計値からのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）をそれぞれ求める。サンプルショット中心位置からの各マークの設計上の位置に、計測したアライメントマークのずれ量（ｌｘｋ，ｌｙｋ）を足した座標が、実際のマーク位置である。これらを平均化することで、ショットの中心位置からのずれ量（Ｌｘｋ，Ｌｙｋ）が求まる。ウェハ内に存在する各サンプルショット中心の設計上の位置を（Ｄｘｋ，Ｄｙｋ）で表わす。ウェハ補正パラメータによって補正されたショット中心位置（Ｄｘｋ'，Ｄｙｋ'）は、式（４）に従って以下のように表わされる。
【００３０】
【数４】
【００３１】
（４）
また、計測の結果得られたショット中心の実際の位置は、式（５）に従って以下のように表わされる。
【００３２】
【数５】
【００３３】
（５）
補正残差Ｖは、式（６）に従って、以下のように表わされる。
【００３４】
【数６】
【００３５】
（６）
Ｌｘｋ、Ｌｙｋ、Ｄｘｋ、Ｄｙｋは既知であるので、このＶを最少にするような連立方程式を解いて、｛Ｓｗｘ，Ｓｗｙ，θｗｘ，θｗｙ，βｗｘ，βｗｙ｝を求めればよい。
【００３６】
ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータが求まれば、ステップＳ５１０で、これら補正パラメータに応じて、ショット配列とショット形状の誤差を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
【００３７】
最後に、ステップＳ５１１に進み、露光を行う。
【００３８】
ステップＳ５０１〜５１１を、露光すべき全ウェハで繰り返す事により、補正されたショット配列とショット形状に合わせて、高い重ね合わせ精度で各ショットの露光を行うことが可能となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
ウェハ補正パラメータを算出するのに最低限必要なマークの数は、ショット内で、Ｘ、Ｙ一組である（Ｘ計測マークとＹ計測マーク各々１個、もしくは、Ｘ−Ｙ計測マークを１個）。
【００４０】
ところが、ショット補正パラメータを求めるためにショット内で計測しなければならないアライメントマーク数は、Ｘ、Ｙ一組分より多い。（３）式から、ショット補正パラメータ｛θｓｘ，θｓｙ，βｓｘ，βｓｙ，Ｓｓｘ，Ｓｓｙ｝｝をすべて独立に算出するためには、最低限Ｘ、Ｙ３組分計測しなければならない。
【００４１】
ショット補正パラメータを自動で計測、補正する従来のアライメント方法では、ウェハごとに、ショット補正パラメータ算出用のサンプルショットとアライメントマークでの計測を行う必要があった。これにより、ウェハごとに多くのサンプルショットやアライメントマークでの計測を行こととなり、スループットが低下してしまうという問題があった。
【００４２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、露光装置及びその制御方法において、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４３】
本発明の第１の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置に係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定部と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定部と、前記第１の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定部とを備えることを特徴とする。
【００４４】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第３の決定部は、前記第１の決定部によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出部と、前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出部とを有することが好ましい。
【００４５】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることが好ましい。
【００４６】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。
【００４７】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することが好ましい。
【００４８】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することが好ましい。
【００４９】
本発明の第２の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法に係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを含むことを特徴とする。
【００５０】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記第３の決定工程は、前記第１の決定工程によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２の決定工程によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工程とを含むことが好ましい。
【００５１】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とすることが好ましい。
【００５２】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることが好ましい。
【００５３】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことが好ましい。
【００５４】
本発明の好適な実施の形態によれば、露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことが好ましい。
【００５５】
本発明の第３の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムに係り、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とする。
【００５６】
本発明の第４の側面は、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置のプログラムコードが格納されたコンピュータ可読メモリに係り、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを備えることを特徴とする。
【００５７】
本発明の第５の側面は、デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程とを有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００５８】
本発明の露光装置及びその制御方法によれば、基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して、原版のパターンを位置合わせする際の位置合わせ精度を落とすことなく、スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】ウェハ倍率とショット倍率の関係を表わす図である。
【図２】ウェハ回転とショット回転の関係を表わす図である。
【図３】アライメントマーク及びサンプルショットの配置を説明する図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る半導体露光装置の概略構成を示す図である。
【図５】従来の露光処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る露光処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。
【図８】図７におけるウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００６１】
本実施形態の露光装置は、図４に示される従来例と同様なシステム構成で実現可能である。また、本実施形態で位置合わせの対象となるウェハにも、従来例と同様に、ウェハ上の各ショットに図３（Ｂ）のようなマークが配置されており、ウェハ補正用、ショット補正用として、図３（Ｃ）のようにサンプルショットが配置されているものとする。
【００６２】
本発明の好適な実施の形態に係る露光装置における処理の流れを図６を参照しながら説明する。なお、この処理はコントローラ４０５によって制御される。
【００６３】
ステップＳ６０１では、不図示のウェハ搬入装置よって、ウェハがＸＹステージに搬入される。
【００６４】
ステップＳ６０２では、現在処理中のウェハに対して、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要かどうかを判断する。その判断基準としては、例えば、
（１）処理すべきロット内の先頭のウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（２）処理すべきロット内で最初からＮ枚目までのウェハであれば、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（３）ある一定のウェハ枚数ごとに、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
（４）オンライン接続された外部のホストコンピュータから司令がきたときにショット補正パラメータの自動計測処理を行う。
などが考えられる。どのような判断基準を使用するかを、コンピュータ端末４０７を用いて、ユーザが選択できるようにすると、より柔軟なプロセスに対応できて好ましい。
【００６５】
ショット補正パラメータの自動計測処理が必要ないと判断された場合は、ステップＳ６０４に、ショット補正パラメータの自動計測処理が必要だと判断されれば、ステップＳ６０３に処理を進める。
【００６６】
ステップＳ６０３では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行う。この方法は、図５のステップＳ５０２〜５０５のと同様である。
【００６７】
ステップＳ６０４では、ウェハ補正パラメータの自動計測を行う。この方法は、図５のステップＳ５０６〜５０９の手順と同様である。ステップＳ６０５では、ショット補正パラメータの自動計測処理を行ったかどうかを判断する。ショット補正を行った場合は、ステップＳ６０６へ、ショット補正を行わなかった場合は、ステップＳ６０７へ処理を進める。
【００６８】
ステップＳ６０６では、ステップＳ６０３で求めたショット補正パラメータとステップＳ６０４で求めたウェハ補正パラメータとの相対関係を定量的に表わす相対パラメータδを算出し、記憶する。以下に、相対パラメータδの求め方について説明する。なお、以下でδに添字を符した記号は相対パラメータの一例である。
【００６９】
ショット倍率βｓｘ，βｓｙは、加工プロセスによりウェハが変形した事より生じる倍率成分と、装置の投影倍率により生じる倍率成分とが重畳したものである。前者はウェハごとに値が変動するのに対し、後者は装置要因で決まるために、後者はウェハが変わっても値は変動しない。ウェハ要因で決まる倍率成分はウェハ倍率に等しいと仮定すると、装置要因で決まるショット倍率成分（δβX、δβY）は、式（７）に従って、以下のように表される。
【００７０】
【数７】
【００７１】
（７）
また、プロセスによっては、ショット倍率とウェハ倍率の相対関係を比で表わした方が良い場合もあり、式（８）に従って、以下のように表される。
【００７２】
【数８】
【００７３】
（８）
その他にも、ショット倍率とウェハ倍率との相対関係が定量的に表わされる場合は、その関係式Ｆにより、（δβX、δβY）を計算しても良く、式（９）に従って、以下のように表される。
【００７４】
【数９】
【００７５】
（９）
ショット回転について、ウェハ回転との相対関係を求める場合は、以下のような考えればよい。ウエハ上に形成されたパターンの下層において、ＸＹステージ４１０の誤差で回転して焼かれたことに起因するショット回転成分は、ウェハ回転とほぼ等しいものになると考えられる。この値はウェハごとに変動する。一方、ショットの焼き付けの際の投影光学系４０２のディスト−ションの影響で生じるショットの直交度については、ウェハごとの値の変動を無視しうると考えられる。
【００７６】
そこで、ウェハ間で値が変動しないショット回転成分（δθX，δθY）は、式（１０）に従って、以下のように表される。
【００７７】
【数１０】
【００７８】
（１０）
ウェハ（ショット配列）の直交度が小さい場合は、θｗｘ＝θｗｙとして、式（１１）に従って、以下のように表される。
【００７９】
【数１１】
【００８０】
（１１）
その他にも、ショット回転とウェハ回転との相対関係が定量的に分かっている場合は、その関係式Ｇにより（δθX，δθY）を計算しても良く、式（１２）に従って、以下のように表される。
【００８１】
【数１２】
【００８２】
（１２）
以上のように、ステップＳ６０６では、δ＝｛δβX，δβY，δθX，δθY｝を求め、メモリ４２０にこれらの値を記憶する。
【００８３】
ショット補正パラメータの自動計測を行わなかった場合は、ステップＳ６０７において、ウェハ補正パラメータと前述の相対パラメータに基づいて、処理中のウェハでのショット補正パラメータを予測する。たとえば、ショット倍率を求める場合には、式（７）により求めた（δβx，δβy）がメモリ４２０に記憶されていれば、その（δβx，δβy）とウェハ補正パラメータ（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて、式（１３）に従ってショット倍率を求めることができる。
【００８４】
【数１３】
【００８５】
（１３）
一般的にショット倍率とウェハ倍率との相対関係が（９）式の如く、関数Ｆで表わされていれば、その逆関数Ｆ−１により、δ（δβX、δβY）とウェハ倍率（βｗｘ，βｗｙ）とに基づいて式（１４）に従って、ショット倍率を算出する事が可能である。
【００８６】
【数１４】
【００８７】
（１４）
同様に、ショット回転についても、ショット回転とウェハ回転との相対関係が（１１）式の如く、関数Ｇで表わされていれば、その逆関数Ｇ−１により、δ（δθX、δθY）とウェハ回転（θｗｘ、θｗｙ）とに基づいて式（１５）に従ってショット回転を算出する事が可能である。
【００８８】
【数１５】
【００８９】
（１５）
ショット補正パラメータ、ウェハ補正パラメータが求まれば、ステップＳ６０８でこれら補正パラメータに応じて、ショット配列、ショット形状の誤差を減らすよう、露光装置の各ユニットを駆動（補正駆動）する。
【００９０】
ステップＳ６０８で補正を行った後に、ステップＳ６０９に進み、実際にウェハを露光する。
【００９１】
ステップＳ６１０では、全てのウェハ処理が終了したかどうかを判断する。終了していない場合は、以下、処理すべき残りのウェハについて、ステップＳ６０１〜６０９を順次繰り返す。処理すべきウェハがもう残っていなければ、一連の処理を終了し、露光装置を停止させる。
【００９２】
本発明の実施形態によれば、処理すべき複数のウェハのうち、限られたウェハでのみショット補正パラメータの自動計測を行えばよいことになる。これにより従来に比べて処理時間を大幅に短縮することができる。また、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を相対パラメータδとして算出し、メモリに記憶することにより、ショット補正パラメータを自動計測していないウェハにおいても、相対パラメータδを用いることによって高精度な位置合わせができる。
【００９３】
また、本実施形態におけるショット補正パラメータは、回転量（直交度）や倍率であったが、ショット内に配置されたＸ、Ｙ一組より多いアライメントマークを計測して得られるその他の補正パラメータを計測して位置合わせする場合にも、本実施形態の手法は有効である。例えば、台形歪みや、たる型、糸巻き型などのショットの歪みを、多数のアライメントマークを計測することによって定量的に算出し、それをショット補正パラメータとすることができる。その際、ショット補正パラメータとウェハ補正パラメータとの相対関係を一定の関数で表わすことにより、この本実施形態が適用され、露光処理の高速化を実現することができる。
【００９４】
次に上記の露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ3（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ7）する。
【００９５】
図８は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16（露光）では上記の露光装置によって回路パターンをウエハに転写する。ステップ17（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ18（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００９６】
以上、本発明の好適な実施形態を詳述したが、本発明は、複数の機器から構成されるシステムに適用しても良いし、また、一つの機器からなる装置に適用しても良い。
【００９７】
なお、本発明は、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラム（本実施形態においては図６に示すフローチャートに対応したプログラム）を、システム或いは装置に直接或いは遠隔から供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータが該供給されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される場合を含む。その場合、プログラムの機能を有していれば、形態は、プログラムである必要はない。
【００９８】
従って、本発明の機能処理をコンピュータで実現するために、該コンピュータにインストールされるプログラムコード自体も本発明を実現するものである。つまり、本発明の請求項では、本発明の機能処理を実現するためのコンピュータプログラム自体も含まれる。
【００９９】
その場合、プログラムの機能を有していれば、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラム、ＯＳに供給するスクリプトデータ等、プログラムの形態を問わない。
【０１００】
プログラムを供給するための記録媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＭＯ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−Ｒ）などがある。
【０１０１】
その他、プログラムの供給方法としては、クライアント側にあるコンピュータのブラウザを用いてインターネットのホームページに接続し、該ホームページから本発明のコンピュータプログラムそのもの、もしくは圧縮され自動インストール機能を含むファイルをハードディスク等の記録媒体にダウンロードすることによっても供給できる。また、本発明のプログラムを構成するプログラムコードを複数のファイルに分割し、それぞれのファイルを異なるホームページからダウンロードすることによっても実現可能である。つまり、本発明の機能処理をコンピュータで実現するためのプログラムファイルを複数のユーザに対してダウンロードさせるネットワーク上のサーバも、本発明のクレームに含まれるものである。
【０１０２】
また、本発明のプログラムを暗号化してＣＤ−ＲＯＭ等の記憶媒体に格納してユーザに配布し、所定の条件をクリアしたユーザに対し、インターネットを介してホームページから暗号化を解く鍵情報をダウンロードさせ、その鍵情報を使用することにより暗号化されたプログラムを実行してコンピュータにインストールさせて実現することも可能である。
【０１０３】
また、コンピュータが、読み出したプログラムを実行することによって、前述した実施形態の機能が実現される他、そのプログラムの命令に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが、実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現され得る。
【０１０４】
さらに、記録媒体から読み出されたプログラムが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そのプログラムの命令に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行ない、その処理によっても前述した実施形態の機能が実現される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置であって、
露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定部と、
露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定部と、
前記第１の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第３の決定部は、
前記第１の決定部によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出部と、
前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法であって、
露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、
露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、
前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項８】
前記第３の決定工程は、
前記第１の決定工程によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、
前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２の決定工程によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工程と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項９】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１０】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１１】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１２】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１３】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムであって、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を備えることを特徴とするプログラム。
【請求項１４】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を備えることを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【請求項１５】
デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程と、を有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置であって、
露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定部と、
露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定部と、
前記第１の決定部によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定部によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第３の決定部は、
前記第１の決定部によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定部によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出部と、
前記算出部によって算出された相対パラメータと前記第２の決定部によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置の制御方法であって、
露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、
露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、
前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項８】
前記第３の決定工程は、
前記第１の決定工程によって決定された前記第１群の基板についてのショット補正パラメータと、前記第２の決定工程によって決定された前記第１群の基板についての基板補正パラメータとの相対関係を示す相対パラメータを算出する第１の算出工程と、
前記算出工程によって算出された相対パラメータと前記第２の決定工程によって決定された前記第２群についての基板補正パラメータとに基づいて、前記第２群の基板についてのショット補正パラメータを算出する第２の算出工程と、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項９】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの差分に基づいて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１０】
前記相対パラメータは、前記基板補正パラメータと前記ショット補正パラメータとの比率に基づいて決定されることを特徴とする請求項８に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１１】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、該基板の処理枚数によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１２】
露光対象の基板が前記第１群の基板に属するか前記第２群の基板に属するかを、外部装置からの指令によって選択する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の露光装置の制御方法。
【請求項１３】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムであって、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を備えることを特徴とするプログラム。
【請求項１４】
基板上の複数のショット領域のそれぞれに対して補正パラメータに基づいて原版のパターンを位置合わせして露光処理を実行する露光装置を制御するためのプログラムのコードが格納されたコンピュータ可読メモリであって、該プログラムは露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を備えることを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【請求項１５】
デバイスの製造方法であって、試料に感光性材料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程で感光性材料が塗布された基板にパターンを焼き付ける露光工程と、前記露光工程でパターンが焼き付けられた基板の感光性材料を現像する現像工程と、を有し、前記露光工程は、露光対象の複数の基板のうち第１群の基板について、基板上のマークの位置を計測し、その計測結果に基づいて、前記第１群の基板上の複数のショット領域の形状誤差を補正するためのショット補正パラメータを決定する第１の決定工程と、露光対象の複数の基板の全てについて、基板上の複数のショット領域の配列誤差を補正するための基板補正パラメータを決定する第２の決定工程と、前記第１の決定工程によって決定されたショット補正パラメータと前記第２の決定工程によって決定された基板補正パラメータとに基づいて、前記露光対象の複数の基板のうち前記第１群の基板以外の第２群の基板についてのショット補正パラメータを決定する第３の決定工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２５８９８７（Ｐ２０１１−２５８９８７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９８８５８（Ｐ２０１１−１９８８５８）
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【分割の表示】特願２００１−２９１８５４（Ｐ２００１−２９１８５４）の分割
【原出願日】平成１３年９月２５日（２００１．９．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月１２日（２０１１．９．１２）
【分割の表示】特願２００１−２９１８５４（Ｐ２００１−２９１８５４）の分割
【原出願日】平成１３年９月２５日（２００１．９．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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