説明

株式会社日立ハイテクノロジーズにより出願された特許

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【課題】OPC model calibrationに要する計算時間を削減しつつ、精度を向上させる。
【解決手段】半導体の回路パターンのマスクエッジデータ、および回路パターンを撮像した画像データを記憶する記憶部と、画像データを入力として回路パターンのSEM(Scanning Electron Microscope)輪郭線を抽出し、マスクエッジデータと抽出したSEM輪郭線のデータ(SEM輪郭線データ)とに基づいて、露光シミュレーション部に予測SEM輪郭線のデータ(予測SEM輪郭線データ)を生成させるSEM輪郭線抽出部と、マスクエッジデータと、SEM輪郭線データと、予測輪郭線データとを入力として、SEM輪郭線データおよび予測SEM輪郭線データを、1次元形状の輪郭線と2次元形状の輪郭線とに分類する形状分類部と、SEM輪郭線データと予測SEM輪郭線データとを入力とし、1次元形状及び2次元形状の種類に応じて、SEM輪郭線データのサンプリングを行うSEM輪郭線サンプリング部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低プローブ電流であっても、反射電子と二次電子とを弁別検出できる低加速の走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
電子銃29と、アパ−チャ26と、試料台3と、電子線31を試料2上に収束するための電子光学系4−1と、偏向手段10と、二次電子検出器8、反射電子検出器9と、電子銃29と試料2の間となる位置に筒状の電子輸送手段5を備え、反射電子検出器9は電子輸送手段5の内部であって、二次電子検出器8及び偏向手段10よりも電子銃29に対して遠方側に設置され、反射電子検出器9の感受面9−1は電子輸送手段5と同電位となるように電気的に配線されている。 (もっと読む)


【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段180は、透明基板187が枠185を介して載置台34の上に設置される。異物付着防止手段180はベース186上に固定された2本の支柱184に回転可能に支持されたシャフト181がカップリング183でモータ182に連結されている。そして、2本に支柱184の間で、枠185の一部にシャフト181が挿入され、枠185及び透明基板187がシャフト181を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠185全体がシャフト181を軸としてZ方向に開閉する構造になっており、枠185及び透明基板187により、載置台34上のウェハ1を覆うことができる。 (もっと読む)


【課題】膨大な量の基準データを必要とせずに様々な原因による分注の異常を高精度に検出して信頼性の高い分析ができる自動分析装置を実現する。
【解決手段】サンプルプローブ15の先端が試料内に浸かった状態でプランジャ66を所定量下降して試料をプローブ内に吸引する。吸引動作中の圧力変動を圧力センサ26で検出し、AD変換器75でデジタル変換して信号処理器76に送る。信号処理器76は吸引波形の特徴変数の値を抽出し、正常群データからの統計距離Dを計算する。統計距離Dと閾値thとが比較され、統計距離Dが閾値th以上の場合は、吸引に異常ありと判定する。統計距離Dが閾値thより小さい場合は、吐出動作に移行する。吐出動作後、吐出波形の特徴変数の値を抽出し、正常群データからの統計距離Dを計算する。統計距離Dが定められた閾値th以上の場合は吐出に異常ありと判定する。 (もっと読む)


【課題】基板の一面を複数のショットに分けて露光する際、ショット毎に、マスクと基板とがより平行な状態でギャップ合わせを行って、露光精度を向上させる。
【解決手段】マスクホルダ20とチャック10とを相対的にZ方向へ移動及びチルトする複数のZ−チルト機構30と、マスク2と基板1とのギャップを複数箇所で測定する複数のギャップセンサー30とを設ける。予め露光した基板のパターンを測定して、各ギャップセンサー40の測定点におけるショット毎のオフセット値を決める。ショット毎に、各ギャップセンサー40の測定値を、各測定点におけるショット毎のオフセット値で補正し、補正後の補正値に基づいて、複数のZ−チルト機構30によりマスク2と基板1とのギャップ合わせを行う。 (もっと読む)


【課題】分注プローブの試料等吸引高さの相違に関係なく、試料等の分注精度を向上可能な自動分析装置を実現する。
【解決手段】試料量が少ない場合、試料吐出直前の試料分注プローブ17先端高さh‘に対し試料吸引直後の試料分注プローブ17先端の高さh1は低く試料吐出直前の試料分注プローブ17先端試料は凹の状態となる。試料量が多い場合、h‘に対し試料分注プローブ17先端高さh2はが高く試料分注プローブ17の先端試料は凸の状態となる。試料吸引時の試料分注プローブ17先端高さの違いが、試料吐出量の差になる。試料吸引時の試料分注プローブ17の先端高さを検出して、その高さにより、試料吐出時に定量分注シリンジ25の駆動量として補正すれば精度良く信頼性の高い測定データを提供することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、スタンパのゆがみを補正するスタンパの変形機構を有しながらもスタンパの面方向における小型化を達成することができる微細構造転写装置を提供することにある。
【解決手段】微細構造を有するスタンパ2を用いて、被転写体1上の光硬化性樹脂組成物に微細構造を転写する微細構造転写装置15において、前記スタンパ2は、前記微細構造が形成される微細構造形成層4と、この微細構造形成層4における前記微細構造の形成面の反対側で、この微細構造形成層4に沿うように設けられる光照射層5と、この光照射層5における前記微細構造形成層4側の面と反対の面に配置されると共に、前記スタンパ2を前記被転写体1側に凸となるように湾曲させる圧電素子6と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽光などの投光波長以外の光を極限まで制限して、投光波長のみを受光できるようにする。
【解決手段】干渉膜を使った平面板の干渉フィルタを用いて広い視野の検出手段を構成すると、平面板の干渉フィルタへの入射角に応じて透過帯域の移動が起こり、所望の信号強度を得ることが困難となる。この発明は、干渉フィルタの形状を球面状にして全視野の受光光線を干渉フィルタの入射面に対して垂直に入射するようにして、透過帯の移動をなくし、所望の信号強度を得るようにした。また、受光レンズの第一主点と球面状干渉フィルタの球面中心とを一致させて配置することにより、干渉フィルタへ入射する反射光の入射角を0°にして透過帯域が変化しないようにした。 (もっと読む)


【課題】頂点部分の再生処理を繰り返し行っても引出電圧の変動が微小なイオン源エミッタを提供する。
【解決手段】本発明に係るエミッタでは、先端を単原子を頂点とする三角錐形状として、かつ先端を頂点側から見た形状を略六角形とした。 (もっと読む)


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